JP2008503882A - 負バイアス温度不安定性を測定するシステム及び方法 - Google Patents
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Abstract
Description
概して、本明細書は以下を開示している。一実施形態による集積回路は、第1リング発振器モジュールに結合される第1被試験体(DUT)モジュールと、第2リング発振器モジュールに結合される第2DUTモジュールとを含む。第1DUTモジュールは、第1モードの間に、界面トラップが生じるようにバイアスをかけられる。第2被試験体モジュールは、第1モードの間に、基準駆動電流を維持するためにバイアスをかけられる。第1リング発振器モジュールの動作周波数は、第2モードの間、第1駆動電流の関数である。第2モードの間、第2リング発振器モジュールの動作周波数は、基準駆動電流の関数である。集積回路は第1リング発振器モジュールと第2リング発振器モジュールとの動作周波数の差の関数として出力信号を発生させるためのコンパレータモジュールも含んでよい。
Claims (29)
- バイアスがかけられ、生成された界面トラップが第1モードの間で第1駆動電流における減少をもたらす、第1被試験体モジュールと、
前記第1モードの間で基準駆動電流を維持するようにバイアスをかけられる、第2被試験体と、
前記第1被試験体モジュールに結合され、第2モードの間で第1発振器信号を生成する第1リング発振器モジュールであって、前記第1発振器信号の動作周波数が前記第1駆動電流の関数である、第1リング発振器モジュールと、
前記第2被試験体モジュールに結合され、第2モードの間で第2発振器信号を生成する第2リング発振器モジュールであって、前記第2発振器信号の動作周波数が前記基準駆動電流の関数である、第2リング発振器モジュールと、
を備える集積回路。 - 前記第1リング発振器モジュールと前記第2リング発振器モジュールに結合され、前記第1発振器信号の前記動作周波数と前記第2発振器信号の前記動作周波数の間の差の関数として出力信号を生成する、コンパレータモジュールをさらに備える、請求項1に記載の集積回路。
- 前記第1被試験体モジュールは、pチャネルMOS電界効果トランジスタを備え、
前記第2被試験体モジュールは、pチャネルMOS電界効果トランジスタを備える、請求項1に記載の集積回路。 - 前記第1被試験体モジュールは、nチャネルMOS電界効果トランジスタを備え、
前記第2被試験体モジュールは、nチャネルMOS電界効果トランジスタを備える、請求項1に記載の集積回路。 - 前記第1被試験体モジュールは、pチャネルMOS電界効果トランジスタとnチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタを備え、
前記第2被試験体モジュールは、pチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタとnチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタを備える、請求項1に記載の集積回路。 - 前記第1被試験体モジュールは、前記第1リング発振器モジュールのフィードバックループで直列に結合され、
前記第2被試験体モジュールは、前記第2リング発振器モジュールのフィードバックループで直列に結合される、請求項1に記載の集積回路。 - 通常動作モードの間に第1MOSFETにストレスを加え、
前記通常動作モードの間に第2MOSFETを基準として維持し、
第1のリング発振器モジュールをイネーブルにし、試験モードの間に前記第1リング発振器モジュールの第1動作周波数が前記第1MOSFETの駆動電流の関数であり、
第2リング発振器モジュールをイネーブルにし、前記試験モードの間に前記第2リング発振器モジュールの第2動作周波数が前記第2MOSFETの駆動電流の関数であり、
前記試験モードの間に前記第1動作周波数と前記第2動作周波数の間の差の関数として出力信号を生成する、
負バイアス温度不安定性を測定する方法。 - 前記第1MOSFETにストレスを加えることは、前記第1MOSFETにバイアスをかけることを含み、ゲート酸化膜と基板の間に界面トラップが生成される、請求項7に記載の方法。
- 界面トラップの生成により、前記MOSFETの閾値電圧が上昇する、請求項8に記載の方法。
- 界面トラップの生成により、前記MOSFETの駆動電流が減少する、請求項8に記載の方法。
- 前記第2MOSFETの閾値電圧が実質的に一定に維持される、請求項7に記載の方法。
- 前記第2MOSFETの駆動電流が実質的に一定に維持される、請求項7に記載の方法。
- 前記通常動作モードの間に前記第1リング発振器モジュールをディスエーブルし、
前記通常動作モードの間に前記第2リング発振器モジュールをディスエーブルする、
請求項7に記載の方法。 - 前記出力信号から負バイアス温度不安定性の低下の量を決定することをさらに備える、請求項7に記載の方法。
- 前記出力信号から負バイアス温度不安定性の回復の量を決定することをさらに備える、請求項14に記載の方法。
- 前記出力信号から負バイアス温度不安定性の回復の速度を決定することをさらに備える、請求項15に記載の方法。
- 前記出力信号から集積回路の年齢を推定することをさらに備える、請求項14に記載の方法。
- 予め決定された時に前記通常動作モードから前記試験モードへ切り替えることをさらに備える、請求項7に記載の方法。
- 試験モード要求を受け取ると、前記通常動作モードから前記試験モードに切り替えることをさらに備える、請求項7に記載の方法。
- 前記出力信号を生成させた後、前記試験モードから前記通常動作モードに切り替えることをさらに備える、請求項7に記載の方法。
- 前記試験モードの期間が、前記通常動作モードの期間と比較してごくわずかである、請求項7に記載の方法。
- 前記通常動作モードの期間が、集積回路の動作モードの期間に実質的に等しい、請求項7に記載の方法。
- 前記試験モードの間に、前記第1リング発振器モジュールの初期動作周波数と、前記第2リング発振器モジュールの初期動作周波数の差の関数としてオフセットを決定し、
前記出力信号と前記オフセットから負バイアス温度不安定性の低下の量を決定する、
請求項7に記載の方法。 - 前記出力信号の関数として集積回路の作動パラメータを調整することをさらに備える、請求項7に記載の方法。
- 直列に結合されて第1信号ループを形成する第1のインバータの組と、
第1イネーブル信号に結合される第1入力と、前記第1信号ループに直列に結合される第2入力及び出力と、を有する第1NANDゲートと、
前記第1信号ループに直列に結合されるソース及びドレインと、第2イネーブル信号に結合されるゲートと、を有する第1MOSFETと、
直列に結合されて第2信号ループを形成する第2のインバータの組と、
前記第1イネーブル信号に結合される第1入力と、前記第2信号ループに直列に結合される第2入力及び出力と、を有する第2NANDゲートと、
前記第2信号ループに直列に結合されるソース及びドレインと、第3イネーブル信号に結合されるゲートと、を有する第2MOSFETと、
を備える、負バイアス温度不安定性を測定するシステム。 - 前記第1MOSFETと前記第2MOSFETは、pチャネルMOSFETである、請求項25に記載のシステム。
- 前記第1MOSFETと前記第2MOSFETは、nチャネルMOSFETである、請求項25に記載のシステム。
- 前記第1信号ループで直列に結合されるソース及びドレインと、第4イネーブル信号に結合されるゲートと、を有する第3MOSFETと、
前記第2信号ループで直列に結合されるソース及びドレインと、第5イネーブル信号に結合されるゲートと、を有する第4MOSFETと、
をさらに備える、請求項25に記載のシステム。 - 前記第1MOSFETと第2MOSFETは、pチャネルMOSFETであり、
前記第3MOSFETと第4MOSFETは、nチャネルMOSFETである、
請求項28に記載のシステム。
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