JP2008501997A - 偏光uv露光システム - Google Patents

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Abstract

露光システムを用いて異方吸収分子で形成された配向層(304)を露光して、後で塗布される液晶高分子(LCP)の配向を可能にする。配向層に入射する光は偏光される。単一の偏光子(318a)を用いる場合、方位偏光方向は配向層を担持する基板にわたり変化する。様々なタイプの偏光回転低減素子(318b)の導入および光源に対して適当なチルト角を選択することを始めとする、方位偏光変化を低減する様々な手法を採用し得る。さらにまた反射構造を光源と配向層との間に挿入し得る。反射構造の使用は配向層に入射する全光量を増加させるとともに、光源と偏光子との間に挿入した場合には偏光回転も低減し得る。

Description

本発明は光学露光システムに関し、特に大きな領域を偏光で光学的に露光するシステムに関する。
本発明は光学配向層および液晶を光で配向する光学露光システムおよび光学プロセスに関する。
液晶ディスプレイ(LCD)は機器制御装置、時計、携帯用コンピュータ、デスクトップコンピュータモニタ、LCDテレビジョンおよびLCDプロジェクタを始めとする情報ディスプレイの多くの領域で用途がある。ほとんどのLCD装置は一対の基板間に配置された液晶材料層を有するLCDパネルを用いている。基板のうちの少なくとも一方の内面は印加電界のない状態で液晶分子を配向する配向面である。一般に配向面は高分子配向層である。いくつかのディスプレイにおいて配向層の配向方向は機械的バフ研磨プロセスで確立され、高分子層は布または他の繊維性材料でバフ研磨される。バフ研磨面に接する液晶媒体は通例機械的バフ研磨方向に平行に配向している。
代替的には異方性吸収分子を備える配向層を偏光UV光に露光することができる。このような露光は配向層の分子を配向し、その後その層を用いて液晶媒体を配向することができる。このタイプの配向層は本明細書で露光配向層と称する。
多くのLCDでは配向層は液晶(LC)分子を配向するだけではなく、分子にプレチルトも付加する。プレチルトを有する配向層と接するLC分子は特定の方向、例えばバフ研磨配向層を用いる場合バフ研磨方向に平行な方向に配向されるが、LC分子は基板と平行に配向されなくてもよい。例えばLC分子を基板の面から数度傾斜し得る。多くのタイプのLCDは配向層が最適性能のためにプレチルトを含むことを必要とする。配向層を露光する場合、UV光の入射角を変更することにより露光配向層にプレチルトを与えることができる。
上記の説明に鑑みると配向層を露光するための効率的な露光システムの必要性がある。露光システムは所望の偏光状態で偏光された光を可能な限り多く送出しなければならない。またこの露光システムはプレチルトを有する配向層の露光を可能にするように非法線入射角で配向層を照明するのに適応可能である。
本発明の一実施形態は目標領域の光学配向層を露光する光学露光システムを対象とする。このシステムは目標領域を照明する第1の軸に平行な方向に細長い光源を含む。第1の偏光子が光源から目標領域へ通過する光の少なくとも一部を偏光するように配置されている。偏光回転補償素子が第1の偏光子から目標領域に向けられた光の偏光の方位回転を制御するように配置されている。
本発明の他の実施形態は光学配向層を配向する方法を対象とする。この方法は細長い光源を有する照明ユニットで光を生成するステップと、第1の偏光子を用いて細長い光源からの光を偏光するステップとを含む。光学配向層が偏光で照明されるとともに、光学配向層に入射する偏光の方位偏光回転が補償される。
本発明の他の実施形態は目標領域の光学配向層を露光する光学露光システムを対象とする。このシステムは第1の軸に平行な方向に細長い光源を備える照明ユニットと、光源から目標領域へ通過する照明光の少なくとも一部を偏光するように配置された第1の偏光子とを備え、照明光の照明軸が非垂直チルト角で目標領域に入射し、非垂直チルト角が、第1の軸に平行な方向の目標領域にわたり光の偏光の方位回転を低減するように選択されている。
本発明の他の実施形態は目標領域の光学配向層を露光する光学露光システムを対象とする。このシステムは第1の軸に平行な方向に細長い光源と、光源から目標領域へ通過する光の少なくとも一部を偏光するように配置された第1の偏光子とを備える。偏光回転補償素子が第1の偏光子のそばに配置され、目標領域に到達するとともに第1の偏光子に入射しない光源からの光の少なくとも一部が偏光回転補償素子に入射する。第1の偏光子を介して目標領域に入射する光が目標領域にわたり第1の方位偏光回転プロファイルを有するとともに、偏光補償素子を介して目標領域に入射する光が、第1の方位偏光回転プロファイルを少なくとも部分的に補償する第2の方位偏光回転プロファイルを有する。
本発明の他の実施形態は目標領域の光学配向層を露光する光学露光システムを対象とする。このシステムは第1の軸に平行な方向に細長い光源を備える。光源により第1の軸に垂直である第2の軸に平行な方向に発光された光は目標領域に入射する。第1の偏光子が光源から目標領域へ通過する光の少なくとも一部を偏光するように配置されている。反射アセンブリが光源と目標領域との間に配置されている。反射アセンブリが第2の軸に非平行な少なくとも1つの第1の反射面を有し、光源から目標領域へ第2の軸に非平行な方向に伝播する光の少なくとも一部が、少なくとも1つの第1の反射面により方向転換されて、少なくとも1つの反射面により方向転換される前より第2の軸に平行になる。
本発明の他の実施形態は目標領域を照明する方法を対象とする。この方法は第1の軸に平行な方向に細長い光源から光を発光するステップを含む。光源により第1の軸に垂直である第2の軸に平行な方向に発光された光は目標領域に入射する。光源から目標領域に向けて発光された光の少なくとも一部が偏光される。光源により第2の軸に非平行な方向に発光された光は、第1および第2の軸に非平行な少なくとも1つの第1の反射面を用いて反射的に方向転換され、方向転換された光は少なくとも1つの反射面により方向転換される前より第2の軸に平行な方向に伝播する。
本発明の上記の概要は本発明の各開示実施形態またはすべての実施を説明しようとするものではない。図および以下の詳細な説明がこれらの実施形態をより具体的に例示する。
添付の図面と共に以下の本発明の様々な実施形態の詳細な説明を考慮することで本発明をより完全に理解できよう。
本発明は様々な変更例および代替形状が可能であるが、その具体例は一例として既に図面に示すとともに詳細に説明する。しかし本発明を説明する特定の実施形態に限定しようとするものではないことは理解されよう。反対に添付の特許請求の範囲により規定される本発明の要旨および範囲内にあるすべての変更例、同等物および代替物を網羅しようとするものである。
本発明は光学露光システムに適用可能であり、特に偏光への露光に対して異方性応答を有する物質を用いて配向層を形成するのに用いられる露光システムに適用可能である。このような物質には異方性吸収物質および直線偏光高分子がある。
従来のUV露光システム100の概略図が図1Aに示されており、対応する側面図が図1Bに示されている。直線UV光源102が基板104の上方に配置されている。基板104はUV光に露光される高分子層105を備えている。
一組のデカルト座標をシステム100を説明するのに役立つように画定し得る。基板の面はx−y面として画定され、基板の法線はz軸に平行である。基板104を光源に対して、例えばx方向に並進し得る。場合によっては基板104はx方向に連続供給される高分子ウェブである。このような場合直線UV光源102の軸に平行なy方向はクロスウェブ方向と称されることが多い。
光源102はUV光106を生成し、その一部は基板104に直接入射する。反射板108はUV光源102に近接配置されてUV光を基板104に向けて反射するため、UV光源102から基板104に入射するUV光106の量が増加する。第1の開口110が第1の組の翼112間に形成されている。第2の開口114が第2の組の翼116間に形成されている。この2つの開口110および114は基板104に入射するx−z面内の光106の発散角を画定する。直線UV光源102の軸に平行なy−z面内には光106の発散を制限するように存在する開口も翼もない。
偏光子118が基板104に入射する光106を偏光するように一組の翼112と116との間に配置されている。偏光子118はブルースター効果に依存して入射光を偏光する。p偏光がある層にブルースター角で入射する場合、光は実質的に損失なく透過する。s偏光がある層にブルースター角で入射する場合、s偏光の実質的に僅かな部分が反射されるが大きく透過される。光106が偏光子118の数層を通過することはp偏光に僅かな影響しか及ぼさないが、s偏光の強度は偏光子118の各層における反射の相加的作用のため大幅に低下する。このため偏光子118は主にp偏光されたビームを透過するとともに、主にs偏光されたビームを反射する。図1Aおよび1Bに図示した特定の配置の場合、および光源102から基板104に法線入射する光の場合、p偏光はx−z面に平行に偏光されており、実際にはx方向の電気ベクトルで偏光される。偏光子118から反射されたs偏光は基板104への入射が妨げられるため、p偏光のみが基板104に到達する。
システム100は基板104を露光するのに用いられるp偏光のみで動作する必要はない。他の実施形態では偏光子118から反射されたs偏光は基板104に入射してもよいが、p偏光は遮断される。また偏光子118または偏光子118の一部を、p偏光がy−z面に位置するようにz軸を中心に90°回転してもよい。
しかし基板104に入射するp偏光UV光106の偏光は、システム100を用いた場合基板104の幅にわたって均一ではない。これを図2A〜Cを参照してここで説明する。まず図2Aに概略的に図示するようなマクニール偏光子(MacNeille polarizer)に斜め入射する作用を検討されたい。偏光子表面250は角θpで傾斜している。図示の目的のため平行破線252を表面250上に示している。表面250上の破線254は線252に垂直である。線256は表面250の法線である。光線258は表面に入射するとともに法線256および線252を含む面に平行である。したがって入射面に平行なp偏光260の面は線252に平行である。斜光線262は表面に入射するが法線256および線252を含む面に平行ではない。したがって入射面に平行なp偏光264の面は線252に平行に位置しない。このように斜光線の偏光面は、入射面が偏光面に垂直に位置する光線と比べて方位が回転している。
ここでUV露光システム202が基板204にわたって位置するように概略的に示されている図2Bを検討されたい。光の偏光が基板204にわたって変化することが分かる。基板204の中心における光の偏光方向206が要望どおりに実質的にx方向に平行に向いている。しかし基板の縁部において偏光方向が回転している。例えば基板204の右手側縁部では光の偏光方向208は中心偏光206に対して時計回りに回転している。基板204の左手側縁部では光の偏光方向210は中心偏光206に対して反時計回りに回転している。
基板にわたる偏光の回転は以下の理由のため生じると考えられている。第1に図2Bに関して、基板にわたる任意の特定点は法線入射光によって照明されるのみならず、基板のその点の真上ではない光源212の一部から発した光によっても照明されることに留意することが重要である。例えば基板204の中心点214は法線入射光216ならびに右側からの斜め入射光218および左側からの斜め入射光220により照明される。しかし基板の縁部は一方側からの光により斜め照明されるだけである。例えば基板204の右側の点224は法線入射光226と点224の左側から発した斜め入射光230とにより照明される。また基板204の左側の点234は法線入射光236と点234の右側から発した斜め入射光238とにより照明される。基板204の中心の照明に比べて基板204の縁部の照明における対象性の欠如は、基板に入射する光の偏光の方位回転によるものであると考えられる。
光線218、220、230および238などの基板204に斜め入射する光が偏光子118に入射すると、入射面は光線216、226および236などの基板204に法線入射する光の入射面とは異なる。その結果p偏光およびs偏光斜光線の偏光面はp偏光およびs偏光法線入射光線の偏光面に対して回転している。この作用は米国特許第6,486,997号明細書により詳細に記載されている。したがって左側から基板204に斜め入射する光線、例えば光線220および230の偏光方向はx方向に対して時計回りに回転している。回転量は光線が法線入射方向、すなわちz軸に対してなす角度に依存する。同様に右側から基板204に斜め入射する光線、例えば光線218および238の偏光方向はx方向に対して反時計回りに回転している。x−y面内の偏光の回転は方位回転と称される。
基板204の中心における点214は光線218および220などの右側および左側からの斜光線、ならびに法線入射光線216により対称的に照明される。正味の作用は点214における露光配向層の偏光がx方向に平行であるということである。一方基板204の右側縁部における点224は、法線入射光226および左側からの斜め入射光230により照明されるため、露光配向層への正味の作用はx方向に対して時計回りに回転される偏光方向になる。基板の左側縁部における点234は、法線入射光236および右側からの斜め入射光238により照明されるため、露光配向層への正味の作用はx方向に対して反時計回りに回転される偏光方向になる。
長さ25cmの単一の光源を有し、30cmの幅を有する基板を露光するUV照明システムの場合、露光配向層の偏光方向は約15°まで変化する場合があるが、これは多くの配向層用途には容認できない。基板の縁部における偏光の回転を低減させる一手法は、縁部が右側および左側からの斜光により均一に照明されるように、基板の縁部を十分に超えて光源を延ばすことである。しかしこれは光およびエネルギーの両方が無駄であり、そのため非効率的である。他の手法は斜光を遮断して基板の縁部に到達しないようにすることである。この手法も光が無駄である。
基板の縁部における偏光の回転を低減する他の手法は縁部反射板を含むことである。しかし多くの反射板は完全とはほど遠く、反射面で強度損失が生じる。露光配向層の偏光方向はなお数度まで変化する場合があり、それも多くの配向層用途には容認できない。
高い光効率を維持しつつ偏光方向の方位回転を低減する異なる手法を以下に説明する。
ここで偏光の方位回転を低減する一手法を図3Aおよび3Bを参照して説明する。この手法では露光システム300は直列配置した2つの偏光子318aおよび318bを含む。偏光子はブルースター角の多数誘電体層に依存する偏光子(マクニール偏光子とも称される)、「パイル・オブ・オプレート(pile of plates)」偏光子またはワイヤグリッド偏光子を始めとする任意のタイプの偏光子であり得る。
直線光源302により生成された光306は、各組の翼312および316により画定される開口310および314を通過する。また直線光源302は実質的に単一の軸に沿って位置する複数の光源を備える。この説明の目的のため、光源102とは単一光源または実質的に単一の軸に沿って位置する2個以上の光源を指す。湾曲反射板308はUV光源302に近接配置されて光を基板304に向けて反射し得る。光306は第1の偏光子318aを通過して、その後第2の偏光子318bを通過した後基板304に入射する。光源302により生成された光は化学線であり、換言すれば基板304上の配向層内で化学反応を生じる波長を有する。一般的なタイプの配向層に適した光源302の一例はUVランプである。
光306は偏光回転が低減した状態で基板304に入射する。2つの偏光子318aおよび318bは、第2の偏光子318bにより生じた方位回転が第1の偏光子318aにより生じた方位回転を補償するように選択された異なるコントラスト比を有し得る。基板304にわたる異なる点における正味の偏光は図3Bに図示されている。中心326、右側縁部328および左側縁部330における光の偏光状態は実質的に同じであるとともにx軸に平行である。偏光子318aおよび318bのコントラスト比の有用な値を決定する一手法は、各界面におけるフレスネル反射および透過係数を算出すること、および光源302から基板304へ伝播する異なる光線の偏光状態を算出することである。
ここで他の手法を図4Aおよび4Bを参照して説明する。この手法では露光システム400は並列配置されるとともに互いに反対方向に傾斜した2つの偏光子418aおよび418bを含む。UV光源などの直線光源402により生成された光406は、翼412および416により画定される開口410および414を通過する。反射板408は光源402に近接配置されて光を基板404に向けて反射し得る。光の一部406aは第1の偏光子418aを基板404へと通過するとともに、他の光406bは第2の偏光子418bを基板404へと通過する。
2つの偏光子418aおよび418bが反対方向に傾斜しているため、第1の偏光子418aにより生じた方位偏光回転の方向は、第2の偏光子418bにより生じた方位偏光回転の方向とは異なる。このように第1の偏光子418aを通過する第1の斜光線は、時計周りに回転した偏光方向を有するが、第2の偏光子418bを通過する同じ斜光線は、同じ量ではあるが反時計周りに回転した偏光方向を有する。このように第1の偏光子418aを通過する光406aは、偏光方向426a、428aおよび430aにより示される基板404にわたる方位偏光回転プロファイルで基板404に入射する。基板404の中心では光406aはx軸に平行に偏光される。基板404の右側縁部では、光406aは概してx方向に対して反時計回りの回転428aで偏光される。同様に基板404の左側縁部において光406aは概してx方向に対して時計周り回転430aで偏光される。
さらに第2の偏光子418bを通過する光406bは、偏光方向426b、428bおよび430bにより示される基板404にわたる方位偏光回転プロファイルで基板404に入射する。基板404の中心では光406bはx軸に平行に偏光される。基板404の右側縁部では、光406bは概してx方向に対して時計回りの回転428bで偏光される。同様に基板404の左側縁部において光406bは概してx方向に対して反時計周り回転430bで偏光される。
基板404はx方向に移動するため、基板404上の同じ点が第1の偏光子418aを通過する光406aと第2の偏光子418bを通過する光406bとに露光される。このように縁部において基板404は時計周りの方位偏光回転を有する光と反時計周りの方位偏光回転を有する光とに露光される。第1の偏光子418aを通過する光406aの量が第2の偏光子418bを通過する光406bの量と同等である場合には、正味の作用は基板404の縁部に入射する光がx方向と平行に偏向されることである。このように第1の偏光子418aから生じる方位偏光回転プロファイルは、第2の偏光子418bから生じる方位偏光回転プロファイルを補償する、またはその逆であると言える。
基板にわたる異なる点に対する光の偏光の方位回転は、p偏光に限ったことではなくs偏光を用いたときにも生じる。上記の図3Aおよび4Aの説明は基板に入射すp偏光の方位偏光回転を低減する様々な手法を述べたが、s偏光の方位偏光も補償され得ることは理解できよう。例えば図3Cに概略的に示された露光システム330において、2つのマクニール偏光子318aおよび318bでの連続反射によりs偏光を基板に向け得る。ここで第1の偏光子318aの反射角の方向は第2の偏光子318bの反射角の方向とは反対である。他の例では図4Cに概略的に図示された露光システム430において、2つの偏光子418aおよび418bを用いて方位偏光回転を低減し得る。ここで偏光子418aおよび418bにより反射されたs偏光406aおよび406bは基板404に入射するとともに、p偏光は翼416により遮断される。
露光システムと基板との間に相対的チルトを、例えば図5を参照してここで説明するように導入し得る。相対的チルトを導入する1つの利点は配向層を、後続の配向層にプレチルトを導入するように露光することである。基板または露光システムを回転させることにより相対的チルトを導入し得る。基板がフィルムの連続移動ウェブにより形成されている多くの製造システムにおいて、露光システムを傾斜させることがより容易であることが多い。しかし傾斜を本明細書で検討する場合、露光システムまたは基板のいずれか、もしくは両方を傾斜させることによりその傾斜を導入し得ることは理解されよう。
従来技術の傾斜露光システム500は基板504をUV光506で照明する直線UV源502を含む。反射板508を用いて光を基板504に向けて反射し得る。光506は各対の翼512および516により画定される開口510および514を通過する。単一の偏光子518が各対の翼512と516間に配置されている。角θが露光システム500の軸520と基板504の法線との間の角度として画定される。
ここで図6Aおよび6Bを参照して説明するように、偏光方向の方位回転が露光システムと露光対象の基板との間のチルト角に依存していることが分かっている。以下の手順を用いてエルシコン・オプトアライン(Elsicon OptoAlign)(登録商標)システムの偏光の方位回転を測定した。ガラススライドに直線偏光可能高分子(スイス国バーゼルのハンツマン・アドバンスト・マテリアルズ(Huntsman Advanced Materials,Basel,Switzerland)により製造されたスターアライン(Staralign)2110)を、配向層としてスピンコートした後、180℃で10分間オーブンでアニールした。ガラススライドの一部をマスクした後、基板にわたる異なる位置に対応する様々な位置で様々なチルト角で露光した。そして液晶高分子(LCP)(CB483、これもハンツマン・アドバンスト・マテリアルズ(Huntsman Advanced Materials)により製造)を露光配向層上にスピンコートして50℃で5分間アニールした。その後LCP層を紫外光によるフラッド露光により架橋した。そしてガラススライド上のLCP層の向きを偏光解析器を用いて測定した。この測定の精度は方位偏光回転角度が±1°内であることが予想される。
この手順を用いて決定したLCP層の方位向きが図6Aに示され、0°、10°、25°、45°および55°のチルト角の場合の基板にわたる効果的位置に対してプロットされている。法線入射、曲線602において方位回転が最も顕著である基板にわたって約+12°から約−12°に進む。チルト角が増すにつれて方位回転量が低減する。25°までのチルト角の場合、方位偏光回転の方向は法線入射と同じであり、基板の中心の左側の位置の場合正であり、中心の右側の位置の場合負である。しかし45°以上のチルト角の場合、方位偏光回転の方向は変わり、基板の中心の左側の位置の場合負であり、中心の右側の位置の場合正である。これは約35°のチルト角で方位偏光回転は基板の幅にわたってゼロに近いということを意味する。
これは基板にわたる異なる位置の場合の傾斜角に対する回転の方位角をプロットした図6Bにより容易に見られる。図に示すように方位回転の広がりは約35°のチルト角で最小限になる。したがってチルト角を慎重に選択することにより方位偏光回転の影響を排除するまでいかなくても低減し得る。
UV露光システムを傾斜させることにより方位偏光回転の補償は、基板が非効率的なものであるが第2のマクニール偏光子として動作することによるものであると考えられる。入射光と基板との間の角θが偏光子と入射光との間の角θ1と反対方向を有するため、基板の屈折は図3Aに示したシステムの第2の偏光子と同様に動作する。
方位偏光回転が補償されるチルト角は、偏光子の配向層の屈折率および角θ1を始めとする様々な要因に依存しているがこれらに限定されない。従って最小方位偏光回転を与えるように図6Bに対して説明した35°のチルト角の値は、露光システムの動作条件に依存する値であることは理解されよう。
しかしこの方位偏光回転を補償する手法は1つの特定なチルト角に対する補償を提供するに過ぎない。光源を基板に対して傾斜したときの方位偏光回転を補償する他の手法を、ここで図7Aおよび7Bを参照して説明する。露光システム700においてランプ702からの光706は第1の偏光子718を介して基板704に入射する。中心光線706aは基板704に入射する光の平均方向として画定される。2組の翼710および714を随意に用いて基板704に入射する光706の発散を低減し得る。
2つの角が図に画定されている。第1の角θ1は基板704に対する露光システム700のチルト角であるとともに、光源702からの中心光線706aと基板704の法線720との間の角として画定されている。図7Aにおいてチルト角θ1=0°であるとともに、図7Bにおいて照明システム700は非ゼロチルト角θ1をなすように回転されている。
光学的透明素子722が、少なくとも1つの表面724が第2の角θ2、つまり表面724の法線と中心光線706aとの間の角を形成した状態で配置されている。光学的透明素子722は光706を基板704に透過させる任意の好適な透明素子であり得る。光学的透明素子722は例えば水晶または溶融シリカプレートなどの1つまたは複数のプレートのスタックであり得る。また光学的透明素子722は偏光子、例えばマクニール偏光子またはワイヤグリッド偏光子でもよい。光学的透明素子722を第1の偏光子718と開口プレート714との間、または開口プレート714と基板704との間に配置し得る。
また光学的透明素子722を他の実施形態、例えば図7Cに概略的に図示するように第1の偏光子718を用いてs偏光を基板704に反射するように用い得る。このような場合、光学的透明素子722をs偏光706bの経路内で、第1の偏光子718と基板704との間に配置し得る。
光学的透明素子722が第2の偏光子である図3Aおよび3Bを参照した上記の説明においてθ1=0°である場合、第2の偏光子を適切に選択すると方位偏光回転が補償され得ることを思い出されたい。第2の偏光子722の適切な選択はコンラスト比および角θ2の選択を含む。チルト角θ1を増加させるように露光システム700全体が基板704に対して傾斜している場合、θ1およびθ2の両方が一定に保たれている場合にはシステムは基板にわたる方位偏光回転を補償しなくなることが分かる。しかしθ2を方位偏光回転が補償される位置に変えるように第2の偏光子を回転し得る。チルト角θ1を、第2の偏光子の付随回転が方位偏光回転の補償を実質的に維持する異なる値に変えてもよい。表Iは実質的にゼロ方位偏光回転を維持するためのチルト角θ1および第2の偏光子角θ2の算出値を表わす。第2の偏光子角θ2はチルト角がゼロであるときの方位偏光回転を補償するその値に対して与えられる。
Figure 2008501997
しかし光学的透明素子722は第2のマクニール偏光子である必要はなく、他の要素、例えば1つまたは複数の水晶板またはワイヤグリッド偏光子を用いてもよい。
実施例1
図8は光学透明素子722がワイヤグリッド(WG)偏光子である場合のクロスウェブ位置の関数として方位偏光回転を示すグラフを表わす。図6Aおよび6Bに関して前述した技術を用いて方位偏光回転の値を測定した。チルト角および第2の角の値が図8に示した曲線毎に表IIに提供されている。
Figure 2008501997
図8はチルト角θ1がゼロでありWG偏光子がθ2=15°に設定されている時、偏光の方位回転が基板の幅にわたって1°未満であるということを示す。これらの結果の内挿は、チルト角θ1が2°〜10°の範囲である時に方位回転が補償されるということを示唆している。異なるチルト角での方位偏光回転に対して補償を提供するようにWG偏光子をθ2の他の値に傾斜し得ることは理解できよう。
実施例2
図9Aおよび9Bは光学透明素子722が各々3.2mmの厚さの5枚の水晶板のスタックである場合のクロスウェブ位置に対して測定した方位偏光回転を示すグラフを表わす。図6Aおよび6Bに関して前述した技術を用いて方位偏光回転の値を測定した。チルト角および第2の角の値が示した曲線毎に表IIIに提供されている。
Figure 2008501997
図9Aはチルト角θ1がゼロであり水晶板がθ2=−30°に設定されている時、偏光の方位回転が基板の幅にわたって±1°未満であるということを示す。これらの結果の外挿は第2の角θ2が−30°〜−40°の範囲である時に方位回転が法線入射に対して補償されるということを示唆している。
図9Bはチルト角θ1が45°であり水晶板がθ2=−30°に設定されている時、偏光の方位回転が基板の幅にわたって±2°未満であるということを示す。これらの結果の内挿は、チルト角が45°であって第2の角θ2が−5°〜−15°の範囲の値を有する時に方位回転が補償されるということを示唆している。異なるチルト角での方位偏光回転に対して補償を提供するように水晶板のスタックをθ2の他の値に傾斜し得る。
このように透明光学素子722を、異なるチルト角で照明源の方位偏光回転を補償する補償素子として効果的に用い得る。さらにまたここで実施例3および4に説明するように、マクニールおよびWG偏光子および水晶板のスタックを始めとする異なるタイプの光学素子を補償素子として用い得る。
実施例3
UV露光システムの他の構成が図10Aに概略的に示されている。露光システム1000は、基板1006に入射する光の発散を画定するようにコリメータスリット1004の配列を有するランプアセンブリ1002を備える。単一のワイヤグリッド偏光子1008がランプアセンブリ1002と基板1006との間に配置されている。ランプアセンブリ1002が法線入射(θ1=0°)から離れるように傾斜している場合、異なる偏光子角θ2を用い得ることが、米国特許出願第2004/0008310A1号明細書に提案されている。多数の異なるチルト角θ1および偏光子角θ2に対して基板1006に入射する光の方位偏光を測定することによりこの可能性を調べた。
図10Bは40°のチルト角θ1ならびに、−30°(曲線1010)、0°(曲線1012)および+30°(曲線1014)の偏光子角θ2に対して、基板1006にわたる偏光の測定方位回転を示す。データから分かるように、WG偏光子1008が0°から+30°まで回転すると方位偏光回転は若干低減しているが、基板にわたってなお大きな偏光回転がある。WG偏光子1008を−30°に回転することで方位偏光回転が増加する。
図10CはWG偏光子1008を0°の偏光子角に設定した時であってチルト角θ1が0°(曲線1020)、20°(曲線1022)および40°(曲線1024)の値を有する場合の、基板1006にわたる偏光の方位回転を示す。チルト角θ1がゼロの時、方位偏光回転は小さく、基板にわたっておよそ±0.5°変化する。基板1006にわたる偏光回転の変化はチルト角θ1が増加するにつれて増加する。
実施例4
UV露光システムの他の構成が図11Aに概略的に示されている。露光システム1100は、基板1106に入射する光の発散を画定するようにコリメータスリット1104の配列を有するランプアセンブリ1102を備える。水晶板(QP)のスタック1108がランプアセンブリ1102と基板1106との間に配置されている。各水晶板は3.2mmの厚さであった。基板1106に入射する光の方位偏光を多数の異なるチルト角θ1およびプレート角θ2に対して測定した。プレート角θ2は光アセンブリからの中心光線が水晶板に法線入射するときにゼロである。ワイヤグリッド偏光子1109をランプアセンブリ1102からの光の中心光線に対して垂直に維持した。
図11Bはチルト角θ1が40°であり、スタックが5枚の水晶板を含むとともに+30°(曲線1110)および−30°(曲線1112)のプレート角θ2で配置されている時の基板1106にわたる偏光の方位回転を示す。比較のため水晶板のないとき(曲線1114)の方位偏光回転も示している。図に示したように水晶板がない場合に対して水晶板が−30°回転されたときに偏光回転が低減している。しかし+30°の水晶板は方位偏光回転を増加する。
図11Cは異なる数のプレートに対してチルト角θ1が40°であるとともに角θ2が−30°である時の基板1106にわたる偏光の方位回転を示す。曲線1122は水晶板がない場合を表わし、曲線1124は2枚のプレートを用いた場合を表わし、曲線1126は5枚のプレートの使用に対応し、曲線1128は8枚のプレートを含むスタックに対応している。−30°の水晶板の配置が方位偏光回転を低減するとともに、スタック1108が8枚のプレートを含む場合、方位偏光回転は基板1106にわたって±1°未満の値に制限される。プレート角と水晶板数との他の組み合わせを用いて方位偏光回転を制御し得ることは理解できよう。例えば−30°より大きい角度に設定されたより少ない数のプレートを用いても方位偏光回転を補償し得る。
図1に示した従来技術のUV露光システムは、x方向に平行な基板に沿った方向の基板を照明する光の発散を制御するように、基板にわたって位置合わせされた2つの開口しか有していない。y方向に平行な基板にわたる方向の光の発散に制約はない。バッフルをUV光源の長さに沿って配置して基板にわたる光の発散を制限し得るが、これらは非常に斜めの光線を遮断することによりシステムの全体の照明効率を単純に低減する。
反射型コリメータを用いて基板にわたるおよび/または基板に沿った光の発散を制限し得る。このような装置を用いて基板に入射する光量を増加するとともに、偏光子に入射する光の斜度を低減することにより方位偏光回転量を低減もし得る。一般にはこのようなコリメータは1つまたは複数の開口を有する反射構造を備え得る。この開口を介してランプからの光はそれぞれ1つまたは複数の先細部分へ通過する。先細部分は入射した光を基板の法線により近接した方向に向ける傾斜反射壁を備える。
ここで図12A〜12Dを参照して反射型コリメータの具体的な一実施形態を説明する。照明システム1200の側面図が図12Aに示されている。湾曲反射板1208が直線光源1202の一部の周囲に配置されている。反射板1208は放物線または楕円を始めとする異なる形状を取り得るがこれに限定されない。一部の光1206aは光源1202から直接基板1204に入射する。他の光1206bは反射板1208により基板1204へ反射され得る。反射アセンブリ1210は光源1202と基板1204との間に配置されている。反射アセンブリ1210は光を反射して光源1202および反射板1208に戻す上部反射面1212を有し得る。
また反射アセンブリ1210はz方向に先細になっている多数の開口1214も画定する。開口壁1216は反射性があるため、壁1216に入射した光1206bは基板1204に向けて反射される。さらにまた壁1216は先細になっているため、基板1204への光1206bの入射角は反射壁1216がない場合より小さい。したがって基板1204に入射する光の発散はx−z面内で低減する。反射板1208が楕円である場合、光源1202が楕円の一焦点に配置されるとともに楕円の第2の焦点が開口1214にわたるほぼ途中であり且つ反射面1212の面内の「F」と印された点に近接配置されていると集光効率が上昇し得る。
偏光子1218をコリメータアセンブリ1212と基板1204との間に配置し得る。偏光子1218はワイヤグリッドタイプ偏光子(図示のように)であってもよく、もしくはマクニールタイプ偏光子または他のタイプの偏光であってもよい。
基板にわたる照明システム1200の図が図12Bに示されている。反射アセンブリ1210は、平坦且つ光源1202に平行であり得る反射上面1212と、傾斜反射面1224とを有する。光源1202からの一部の光1226aは、反射面1224間の開口1228を介して基板1204に直接入射する。一部の他の光1226bは傾斜反射面1224により反射された後基板に入射する。反射面1224がz方向に対して傾斜しているため光1226bは、反射アセンブリ1210がなければ有したであろう角度より傾斜が少ない角度で基板に入射する。光1226cの一部は反射面1212によって反射されて反射板1208に戻り、その後再度反射されて基板1204に向かう。端部反射板1230を露光システム1200の端部に設けることにより光1226dを反射し得るが、そうでなければシステム1200の端部から通過して出てしまう。
反射アセンブリ1210の上下面が図12Cおよび12Dに示されている。反射アセンブリ1210の上面は図12Cに図示されており、開口1214および反射上面1212を示している。反射アセンブリの下面は図12Dに示されており、開口1214ならびに反射面1216および1224を示している。開口数は8個に限定されず、さらに多いまたは少ない開口があり得ることは理解できよう。
反射面1216および1224は平坦である必要はないとともに異なる輪郭を取り得る。例えば反射面1224は図12Eに示すように湾曲していてもよい。他の湾曲形状、たとえば凸状または凹状湾曲を用いてもよい。また反射面1224はすべて同じ輪郭を有する必要はない。例えば反射面1224の1つは第1の輪郭を有し得るとともに、他の反射面1224は第1の輪郭とは異なる第2の外形を有し得る。
実施例5
反射アセンブリ1210を、ドイツ国エナペタルのアラノッド株式会社(Alanod GmbH,Ennepetal,Germany)から入手可能なミロシルバ(Miro−Silver)(登録商標)で形成された反射面1212、1216および1224を有するステンレス鋼基部で製造した。ミロシルバ(Miro−Silver)(登録商標)材料を当初シート状で提供し、アルミニウムの層を基にして一方の面に高純度の銀の層および反射酸化層を設けた。反射アセンブリは、各々x方向が4.3cmおよびy方向が1.25cmである8個の開口を含んでいた。開口を3.4cmの中心間のピッチで設定した。反射壁1216および1224をz方向から15°の角度で設定した。
実験を行って光をランプから基板に効率的に向ける反射アセンブリの能力を評価した。10インチの長さのUVランプを有する改良エルシコン・オプトアライン(Elsicon OptoAlign)(登録商標)照明システムを用いてこれらの実験を行った。UVランプを600Wのマイクロ波電力で動作させるとともに、y方向の基板にわたる異なる位置に対して積算UVエネルギーを測定した。紫外放射計(バージニア州スターリングのEITインコーポレーション(EIT Inc.,Sterling,Virginia)により生産されたUVパワーパック(Power Puck))を基板の代わりに配置することによりUVエネルギーを測定した。紫外放射計をランプからの照明の後にx方向に並進させた台の上に配置した。すべての実験において台の並進速度は25.4mm/秒であった。z方向のランプから放射計までの距離は変化させることもできる。ランプを0°のチルト角度で動作させた。y方向にわたり一定間隔で測定を繰り返して基板上の照明プロファイルを決定した。ワイヤグリッド偏光子を反射アセンブリと放射計との間に配置した。
測定UV放射照射度は図13にランプの長軸に平行な方向に沿ったy位置の関数として示されている。ランプを測定面から31.6cmの高さに設定した。三角形1302として示される一組の点は320nm〜390nmの波長範囲のUVA光の場合の放射照度をmJcm-2で示すとともに、円形1304として示される一組の点は280nm〜320nmの波長範囲を有するUVB光の場合の放射照度を示す。異なる波長範囲を紫外放射計を設けたフィルタにより決定した。図に示すように照明領域の中心においてピークを有するように光を測定した。
実施例6
実施例5の測定を繰り返したが、ランプを測定面から48.3cmの高さに設定した。これらの測定による結果は図14に表わされており、UVA光に対する曲線1402と、UVB光に対する曲線1404とを示している。図に示すように合計放射照度は低下しているが、y方向に沿った照明プロファイルは図13より滑らかである。
実施例7
比較のため非改良エルシコン・オプトアライン(Elsicon OptoAlign)(登録商標)システムを用いて同様な測定を行った。ここでランプからの光の発散は単に2つの開口プレートによって図1Aおよび1Bに示したものと同様に画定され、ランプは測定面から31.6cmに設定している。反射アセンブリは用いなかった。その結果が図15に表わされており、UVA光に対する曲線1502と、UVBに対する曲線1504とを示している。y方向に沿った照明プロファイルは比較的滑らかであるが、合計放射照度は図13または14に示したものより小さい。これは反射アセンブリが単純な開口プレートよりも光を基板へ向ける点で効果的であるということを意味する。
実施例8
他の実験を行って反射アセンブリ1210のステンレス鋼基部の反射率をテストした。反射アセンブリ1210の上面のミロシルバ(Miro−Silver)(登録商標)を除去して、反射面1212を研磨ステンレス鋼表面にした。UV放射照度測定を大部分のy位置にわたって繰り返した。その結果が図13にUVA光1306とUVB光1308とを表わす一連の点として表わされている。図に示すようにミロシルバ(Miro−Silver)(登録商標)反射板およびステンレス鋼反射板を有して測定した放射照度間に若干の差があった。
放射測定の精度を決定しようとする試みにおいて中心位置0cmにおける放射照度を、UVA光およびUVB光の両方に対して何回も測定した。点1306aおよび1308aはスチール反射表面1212を有して測定した結果における広がりを示す。測定毎の誤差は比較的小さい5%未満であると結論付けられた。
異なるタイプの反射アセンブリ1610を用いるUV露光システム1600の他の実施形態が図16Aおよび16Bに概略的に示されている。この実施形態では基板1604に向いて開口した傾斜反射壁1624を有する1つの開口1614がある。反射アセンブリの上面1612の少なくとも一部が傾斜してy軸と非平行になっている。
ランプ1602は長軸がy軸に平行に配置されている。ランプ1602により発光された光の一部1626aはランプ1602から基板1604に直接入射する。光の他の部分1626bはランプ1602から反射壁1624からの1つまたは複数の反射により基板1604に入射する。さらにランプ1602から発光された光の一部は反射板1608により基板に向かって反射され得る。例えば反射面1612に入射する光1626cは上部反射板1608に向けて反射された後基板1604に向けられ得る。光は基板1604に入射する前に偏光子1618により偏光される。x−z面内の反射板を通る断面が図16Bに概略的に表わされており、反射壁1616による光1626dの反射を示している。
反射アセンブリ1610を用いた基板の照明を数値的にモデル化して、図1Aに示した2つのスリット配列を有する反射アセンブリの性能を比較した。数値的モデル化の結果を図17〜19を参照してここで説明する。図17の曲線1702は、反射アセンブリ1610を用いて光を基板に向けたときの基板にわたる異なる位置に対して算出した基板上の強度を示す。曲線1704は2つのスリット配列を用いて光を基板に向けたときに算出した基板上の強度を示す。強度プロファイルは反射アセンブリを用いたときに基板のより多くにわたってより平坦である。さらに基板に入射する光の強度は反射アセンブリを用いたときに大幅に高く、2つのスリット配列を用いて達成される強度のほぼ2倍である。
図18の曲線1802および1804は、それぞれダウンウェブ方向(x−z面内)およびクロスウェブ方向(y−z面内)の光の角度依存性を示す。ダウンウェブ方向の光の半値全角の発散はクロスウェブ方向に約54°および約34°である。基板に入射する光の発散は、反射アセンブリの反射壁1616および1624の角度に依存している。数値的モデル化した場合、壁1624はz軸に平行から15°の角度であった。壁1616はz軸に平行であると思われた。
図19は基板の1点に達する光の算出角度分布を示す。反射アセンブリを用いた基板に入射する光のクロスウェブ角度依存性が曲線1902として示されているとともに、2つのスリット手法を用いたものが曲線1904として示されている。各場合において基板の中心から100mmに横方向に位置する位置に対して光分布を算出した。反射アセンブリを用いたシステムに対する半値全角発散はおよそ22°であり、2つのスリット手法を用いた場合およそ40°である。どちらの分布、曲線1902または1904もゼロに中心がなく、これは光の正味の入射方向が基板の偏心位置に対して斜めであるということを示す。しかし反射アセンブリを用いた場合光はより小さい角度範囲にわたって基板に入射する(曲線1902)。このように反射アセンブリを用いると偏光の方位回転は低減する。
図18に示された曲線1802および1804は各々、それぞれウェブにわたる異なる点からの図19に示したタイプの多くの曲線を足した結果である。
本発明の他の実施形態を図20Aを参照してここで説明するが、図20Aは露光システム2000(システムA)の側面図を概略的に図示しており、湾曲反射板2008は放物線状であるとともに、ランプ2002は放物線反射板2008の焦点にまたは近接して配置されている。したがって光2006は反射板2008により反射された後に実質的に平行にされる。一対の開口2012および2016を用いて、目標基板2004に入射する光のダウンウェブ範囲を画定し得る。反射構造(図示せず)を用いてクロスウェブ光発散を低減し得る。
例えば図1Aおよび1Bに図示するような他のタイプの露光システムは、楕円曲線反射板ならびに楕円反射板の焦点に近接または上に位置する第1のスリットおよび第1のスリットの後の第2のスリットを用いて、光のダウンウェブ角拡散を制限する。このようなシステムにおける目標基板に入射する光の角度範囲は、スリットの大きさによってのみ決定され、ダウンウェブ角拡散を低減するためのスリットの開口サイズの低減は目標基板に入射する光量の低減につながる。
図21Aおよび21Bは図20Aの露光システム(システムA)に対する目標基板に入射する光の算出プロファイルを、それぞれ図20Bおよび20Cに図示したサンプル照明システム2050および2070のものと比較している。システム2050(システムB)は図1Aおよび1Bに図示されたものと同様であり、楕円反射板2058ならびに一対のスリット2012および2016を用いて、目標基板2004に入射する光2056の範囲を画定している。スリット開口は38mmであった。システム2170(システムC)は楕円反射板2078を担うが、反射アセンブリ2072を用いて光2076を目標基板2004に向けている。反射アセンブリ2072は軸2082に対して15°の角度をなす壁2078を有する。各場合のランプは同じであると仮定し、ランプと目標基板との間の距離間隔も同様であった。これらの算出は偏光子からのいかなる影響も除外した。各システムに対するランプから目標基板への光の伝達効率が表IVにまとめられている。
Figure 2008501997
表から分かるようにシステムBが最低の効率を示す。
図21AはシステムA〜Cの各々に対して標識付けされたウェブに沿った位置の関数として任意の単位の光のダウンウェブ強度を示す。照明領域の幅はシステムAおよびCの場合より大きく、およそ150mmの半値全幅である。
図21Bは度の単位の入射角の関数として目標基板に入射する光のダウンウェブ強度を示す。システムAはゼロ入射(法線入射)に近接する角度で最大強度を提供するとともにシステムC、約26°の半値全角(FAHM)より狭い角拡散、約18°のFAHMを有する。
システムBを用いた光の角度範囲は約10°(FAHM)であった。計算を行って異なる幅のスリットに対するシステムA内の光の強度の増加および角拡散を分析した。その結果が入射光強度に対してダウンウェブ位置(mm)の関数として図22Aに、およびダウンウェブ角拡散(度)の関数として図22Bに示されている。図22Aおよび22Bに示された結果が表Vにまとめられている。またこの表は照明効率を一覧にしている。予想されるように照明効率はスリット開口が増すにつれて増加する。
Figure 2008501997
70mmの開口ではシステムBは18°のFAHMを有するが照明効率は21.7%しかない。これは同様に18°のFAHMを有するが33.4%の照明効率を有するシステムAと対称的である。このように同じ角拡散に対してシステムAはシステムBより50%多くの光を目標基板に入射させる。開口が90°まで開口されてもシステムBの照明効率はシステムAより低いが角拡散はより大きい。
図21および22に対して説明された計算は特定の外形に適しているとともに異なる外形に対して他の結果を達成可能であり得ることは理解できよう。しかしこれらの計算は一定の条件下で放物線反射板およびスリットの配列(システムA)が比較的小さい角拡散で入射光強度の比較的高い値を提供するということを少なくとも質的に示す。
したがって本発明は上述した特定の実施例に限定されるべきではなく、添付の特許請求の範囲に正しく記載されたように本発明のすべての態様を網羅するものと考えるべきものである。本明細書を検討すれば本発明を適用可能な様々な変更例、同等物および多数の構造は本発明が対象とする技術の当業者には容易に明らかになろう。特許請求の範囲はこのような変更例および装置を網羅しようとするものである。
配向層を露光する従来技術の偏光露光システムの一実施形態を概略的に図示する。 偏光子に斜め入射する光に対する偏光面の方位回転を概略的に図示する。 露光領域の縁部における偏光回転を示す、図1Aおよび1Bに図示したシステムの平面図を概略的に示す。 基板の縁部の非対称照明を示す、図1Aおよび1Bに図示したシステム真横図を概略的に図示する。 本発明の原理によるUV露光システムの一実施形態を概略的に図示する。 露光基板にわたる異なる点における光に対する偏光状態を示す、図3Aに図示したシステムの平面図を概略的に図示する。 本発明の原理によるUV露光システムの他の実施形態を概略的に図示する。 本発明の原理によるUV露光システムの他の実施形態を概略的に図示する。 露光基板にわたる異なる点における光に対する偏光状態を示す、図4Aに図示したシステムの平面図を概略的に図示する。 本発明の原理によるUV露光システムの他の実施形態を概略的に図示する。 露光対象基板に対して傾斜した従来技術のUV露光システムを概略的に図示する。 露光対象基板にわたる位置およびチルト角への、方位偏光回転の依存性を示すグラフを表わす。 本発明の原理による傾斜UV露光システムの実施形態を概略的に図示する。 様々なチルト角に対して基板にわたる位置の関数として方位偏光回転を示すグラフを表わす。 様々なチルト角および補償板角に対して基板にわたる位置の関数として方位偏光回転を示すグラフを表わす。 本発明の原理によるUV露光システムの異なる実施形態を概略的に図示する。 図10Aに図示した露光システムの場合の、様々なチルト角および偏光子角に対して基板にわたる位置の関数として方位偏光回転を示すグラフを表わす。 図11Aに図示した露光システムの場合の、様々なチルト角およびプレート角に対して基板にわたる位置の関数として方位偏光回転を示すグラフを表わす。 本発明の原理による、反射光集光器を含むUV露光システムの一実施形態を概略的に図示する。 本発明の原理による、反射光集光器の一実施形態を概略的に図示する。 本発明の原理による、反射光集光器を含むUV露光システムの他の実施形態を概略的に図示する。 図12Aよび12Bに図示したUV露光システムにより生成された測定照明プロファイルを図示するグラフである。 図1Aおよび1Bに図示したようなUV露光システムにより生成された測定照明ウィプロファイルを図示するグラフである。 本発明の原理による、反射光集光器を含むUV露光システムの他の実施形態を概略的に図示する。 図1Aおよび1Bに図示した露光システムの照明プロファイルとの、図16Aおよび16Bに図示した露光システムの照明プロファイルの算出比較を示すグラフである。 図16Aおよび16Bに図示したシステムにより生成された露光光の算出角度依存性を示すグラフである。 図1Aおよび1Bに図示したシステムのものと比較した、図16Aおよび16Bに図示したシステムにより生成された露光光の算出クロスウェブ角度依存性を示すグラフである。 照明光のダウンウェブ発散を抑制するための異なる方法を用いた3つの異なるタイプの露光システムを概略的に図示する。 位置の関数として図20A〜20Cに図示した露光システムに対するダウンウェブ照明プロファイルを図示するグラフを表わす。 入射角の関数として図20A〜20Cに図示した露光システムに対するダウンウェブ照明プロファイルを図示するグラフを表わす。 異なるスリット開口サイズに対して、位置の関数として図20Bの露光システムに対するダウンウェブ照明プロファイルを図示するグラフを表わす。 異なるスリット開口サイズに対して、入射角の関数として図20Bの露光システムに対するダウンウェブ照明プロファイルを図示するグラフを表わす。

Claims (74)

  1. 目標領域の光学配向層を露光する光学露光システムであって、
    第1の軸に平行な方向に細長い光源と、
    前記光源から前記目標領域へ通過する光の少なくとも一部を偏光するように配置された第1の偏光子と、
    前記第1の偏光子から前記目標領域に向けられた光の偏光の方位回転を制御するように、前記第1の偏光子と前記目標領域との間に配置された偏光回転補償素子と、を備える光学露光システム。
  2. 前記光源がUVランプである、請求項1に記載の光学露光システム。
  3. 前記第1の軸に実質的に平行な方向に細長い第1の開口を画定するように、前記光源と前記目標領域との間に配置された少なくとも一対の開口プレートをさらに備える、請求項1に記載の光学露光システム。
  4. 前記第1の軸に実質的に平行な方向に細長い第2の開口を画定する第2の対の開口プレートをさらに備える、請求項3に記載の光学露光システム。
  5. 湾曲反射板をさらに備え、前記光源が前記湾曲反射板と前記目標領域との間に配置され、前記湾曲反射板が、前記目標領域から離れる方向に前記光源により発光された光の少なくとも一部を前記目標領域に向けて反射するように配置されている、請求項3に記載の光学露光システム。
  6. 前記湾曲反射板が楕円状に湾曲している、請求項5に記載の光学露光システム。
  7. 前記湾曲反射板が放物状に湾曲している、請求項5に記載の光学露光システム。
  8. 前記第1の軸に平行な面内の光を偏向するとともに前記第1の軸に垂直な面内の光を偏向するように、前記光源と前記目標領域との間に配置された反射構造をさらに備える、請求項1に記載の光学露光システム。
  9. 前記第1の偏光子から前記目標領域へ通過する前記光が前記第1の偏光子を透過する、請求項1に記載の光学露光システム。
  10. 前記第1の偏光子から前記目標領域へ通過する光が前記第1の偏光子により反射される、請求項1に記載の光学露光システム。
  11. 前記第1の偏光子がワイヤグリッド偏光子である、請求項1に記載の光学露光システム。
  12. 前記偏光回転補償素子が前記第1の偏光子と前記目標領域との間に配置された実質的に透明な素子であり、前記第1の偏光子から前記目標領域へ通過する光が前記目標領域に到達する前に前記実質的に透明な素子を通過する、請求項1に記載の光学露光システム。
  13. 前記実質的に透明な素子が第2の偏光子である、請求項12に記載の光学露光システム。
  14. 前記第2の偏光子がマクニール偏光子である、請求項13に記載の光学露光システム。
  15. 前記第2の偏光子がワイヤグリッド偏光子である、請求項13に記載の光学露光システム。
  16. 前記偏光回転補償素子が2つ以上の透過プレートのスタックである、請求項12に記載の光学露光システム。
  17. 前記目標領域に入射する前記光が照明軸を画定し、該照明軸が前記目標領域に対して非垂直であり、前記実質的に透明な素子が、前記照明軸に対して、前記目標領域に入射する前記光の偏光の方位回転を低減するように、選択されたある角度で配置されている、請求項12に記載の光学露光システム。
  18. 前記偏光回転補償素子が前記第1の偏光子と前記目標領域との間に配置された反射素子であり、前記第1の偏光子から前記目標領域へ通過する光が前記目標領域に到達する前に前記反射素子により反射される、請求項1に記載の光学露光システム。
  19. 前記反射素子が第2の偏光子である、請求項18に記載の光学露光システム。
  20. 前記第1および第2の偏光子がマクニール偏光子である、請求項19に記載の光学露光システム。
  21. 前記目標領域に入射する前記光が照明軸を画定し、前記照明軸が前記目標領域に対して非垂直である、請求項1に記載の光学露光システム。
  22. 前記照明軸と前記目標領域との間の角度が前記目標領域に入射する光の方位偏光回転を実質的に最小限に抑えるように選択されている、請求項21に記載の光学露光システム。
  23. 光学配向層の配向方法であって、
    細長い光源を有する照明ユニットで光を生成することと、
    第1の偏光子を用いて前記細長い光源からの光を偏光することと、
    光学配向層を前記偏光で照明することと、
    前記光学配向層に入射する前記偏光の方位偏光回転を補償することと、を含む配向方法。
  24. 前記光を生成することがUV光を生成することである、請求項23に記載の配向方法。
  25. 少なくとも一方向で前記光学配向層に入射する前記光の発散を低減することをさらに含む、請求項23に記載の配向方法。
  26. 前記光の発散を低減することが、前記光を少なくとも1つの開口を通過させることである、請求項25に記載の配向方法。
  27. 前記光の発散を低減することが、前記光の発散を反射的に低減することである、請求項25に記載の配向方法。
  28. 前記細長い光源からの前記光を偏光することが、光を前記第1の偏光子を介して前記目標領域に透過させることである、請求項23に記載の配向方法。
  29. 前記細長い光源からの光を偏光するステップが、光を前記第1の偏光子により前記目標領域に反射するステップを含む、請求項23に記載の配向方法。
  30. 前記方位偏光回転を補償することが、前記光源から前記光学配向層に向けられた光内に偏光回転補償素子を配置することである、請求項23に記載の配向方法。
  31. 前記方位偏光回転を補償することが、前記第1の偏光子と前記光学配向層との間に光学的透明素子を配置することであり、該光学的透明素子が前記方位偏光回転を補償するように、選択された角度で前記光内に配置されている、請求項23に記載の配向方法。
  32. 前記光学的透明素子が第2の偏光子である、請求項31に記載の配向方法。
  33. 前記光学的透明素子が2つ以上の透過プレートのスタックである、請求項31に記載の配向方法。
  34. 前記方位偏光回転を補償することが、前記第1の偏光子と前記光学配向層との間に光学的反射素子を配置することであり、前記光学的反射素子が前記方位偏光回転を補償するように、選択された角度で前記光内に配置されている、請求項23に記載の配向方法。
  35. 前記照明ユニットからの光が前記光学配向層に非垂直に入射するように、前記照明ユニットおよび前記光学配向層のうちの1つを傾斜させることをさらに含み、前記方位偏光回転を補償することが、前記光学配向層を横切る光の方位偏光回転を実質的に最小限に抑えるように、チルト角を選択することである、請求項23に記載の配向方法。
  36. 前記照明ユニットからの光が前記光学配向層に非垂直に入射するように、前記照明ユニットおよび前記光学配向層のうちの1つを傾斜させることをさらに含み、前記方位偏光回転を補償することが、前記第1の偏光素子と前記光学配向層との間に補償素子を配置することと、前記光学配向層を横切る光の方位偏光回転を低減するために所望の角度で前記光が前記補償素子に入射するように前記補償素子を向けることとを含む、請求項23に記載の配向方法。
  37. 前記方位偏光回転を補償することが、前記第1の偏光子を通過せずに前記光学配向層へ通過する前記光の少なくとも一部が前記光源から前記偏光回転補償素子まで通過するように、前記第1の偏光子のそばに偏光回転補償素子を配置することを含む、請求項23に記載の配向方法。
  38. 前記第1の偏光子が第1の方向の照明軸に対して傾斜しているとともに、前記偏光回転補償素子が前記第1の方向と反対の第2の方向の前記照明軸に対して傾斜している、請求項37に記載の配向方法。
  39. 目標領域で光学配向層を露光する光学露光システムであって、
    第1の軸に平行な方向に細長い光源と、
    前記光源から前記目標領域へ通過する前記光の少なくとも一部を偏光するように配置された第1の偏光子と、
    前記第1の偏光子のそばに配置された偏光回転補償素子と、を備え、前記目標領域に到達するとともに前記第1の偏光子に入射しない前記光源からの前記光の少なくとも一部が前記偏光回転補償素子に入射し、前記第1の偏光子を介して前記目標領域に入射する光が前記目標領域を横切る第1の方位偏光回転プロファイルを有するとともに、前記偏光補償素子を介して前記目標領域に入射する光が、前記第1の方位偏光回転プロファイルを実質的に補償する第2の方位偏光回転プロファイルを有する光学露光システム。
  40. 前記偏光回転補償素子が第2の偏光子である、請求項39に記載の光学露光システム。
  41. 前記第1の偏光子が第1の方向のシステム軸に対して傾斜しているとともに、前記偏光回転補償素子が前記第1の方向と反対の第2の方向の前記システム軸に対して傾斜した面を有する、請求項39に記載の光学露光システム。
  42. 前記光源がUVランプである、請求項39に記載の光学露光システム。
  43. 前記第1の軸に実質的に平行な方向に細長い第1の開口を画定するように、前記光源と前記目標領域との間に配置された少なくとも一対の開口プレートをさらに備える、請求項39に記載の光学露光システム。
  44. 前記第1の軸に平行な面内の光を偏向するとともに前記第1の軸に垂直な面内の光を偏向するように、前記光源と前記目標領域との間に配置された反射構造をさらに備える、請求項39に記載の光学露光システム。
  45. 前記第1の偏光子から前記目標領域へ通過する前記光が前記第1の偏光子を透過する、請求項39に記載の光学露光システム。
  46. 前記第1の偏光子から前記目標領域へ通過する光が前記第1の偏光子により反射される、請求項39に記載の光学露光システム。
  47. 前記目標領域に入射する前記光が照明軸を画定し、前記照明軸が前記目標領域に対して非垂直である、請求項39に記載の光学露光システム。
  48. 前記照明軸と前記目標領域との間の角度が前記目標領域に入射する光の方位偏光回転を実質的に最小限に抑えるように選択されている、請求項47に記載の光学露光システム。
  49. 目標領域で光学配向層を露光する光学露光システムであって、
    第1の軸に平行な方向に細長い光源を有する照明ユニットと、前記光源から前記目標領域へ通過する照明光の少なくとも一部を偏光するように配置された第1の偏光子とを備え、前記照明光の照明軸が非垂直チルト角で目標領域に入射し、前記非垂直チルト角が、前記第1の軸に平行な方向で前記目標領域を横切る前記光の偏光の方位回転を低減するように選択されている、光学露光システム。
  50. 前記光源がUVランプである、請求項49に記載の光学露光システム。
  51. 前記照明ユニットが、前記目標領域の前記光の発散を低減するように1つ以上のビーム調整素子をさらに備える、請求項49に記載の光学露光システム。
  52. 前記1つ以上のビーム調整素子が、前記光源から前記目標領域へ通過する光を反射するように配置された反射構造を備える、請求項51に記載の光学露光システム。
  53. 目標領域で光学配向層を露光する光学露光システムであって、
    第1の軸に平行な方向に細長い光源であって、前記第1の軸に垂直である第2の軸に平行な方向に発光された光を前記目標領域に入射させる光源と、
    前記光源から前記目標領域へ通過する光の少なくとも一部を偏光するように配置された第1の偏光子と、
    前記光源と前記目標領域との間に配置された反射アセンブリであって、前記第2の軸に非平行な少なくとも1つの第1の反射面を有し、前記光源から前記目標領域へ前記第2の軸に非平行な方向に伝播する光の少なくとも一部を、前記少なくとも1つの第1の反射面により方向転換して、前記少なくとも1つの反射面により方向転換される前より前記第2の軸に平行にする反射アセンブリと、を備えた光学露光システム。
  54. 湾曲反射板をさらに備え、前記光源が前記湾曲反射板と前記反射アセンブリとの間に配置され、前記光源から前記湾曲反射板へ伝播する光が前記湾曲反射板により前記反射アセンブリに向かって反射される、請求項53に記載の光学露光システム。
  55. 前記湾曲反射板が放物状である、請求項54に記載の光学露光システム。
  56. 前記反射アセンブリが、前記光源から受け取った光を前記湾曲反射板へ反射するように配置された第2の反射面を備える、請求項54に記載の光学露光システム。
  57. 前記第2の反射面が光を前記光源から前記少なくとも1つの第1の反射面へ通過させる少なくとも1つの開口を画定する、請求項56に記載の光学露光システム。
  58. 前記第2の反射面が前記第1の軸に非平行である、請求項56に記載の光学露光システム。
  59. 前記第2の反射面が前記第1の軸に平行である、請求項56に記載の光学露光システム。
  60. 前記少なくとも1つの開口が前記湾曲反射板の焦点に近接している、請求項57に記載の光学露光システム。
  61. 前記少なくとも1つの第1の反射面が前記第2の軸に対して少なくとも10°の角度で配置されている、請求項53に記載の光学露光システム。
  62. 前記反射アセンブリが前記第2の軸に非平行な少なくとも2つの第1の表面を備える、請求項53に記載の光学露光システム。
  63. 前記反射アセンブリが前記光源に面する表面を備え、該表面が1つ以上の開口を有し、各開口が1つ以上のそれぞれの第1の反射面に関連し、光が前記光源から前記1つ以上の開口を介して前記それぞれの第1の反射面へ通過する、請求項53に記載の光学露光システム。
  64. 前記表面が2つ以上の開口を有し、前記2つ以上の開口が前記第1の軸に平行な線を画定するように前記表面に沿って配置されている、請求項63に記載の光学露光システム。
  65. 第1の軸に平行な方向に細長い光源から光を発光することであって、前記光源により前記第1の軸に垂直である第2の軸に平行な方向に発光された光を目標領域に入射することと、
    前記光源から前記目標領域に向けて発光された前記光の少なくとも一部を偏光することと、
    前記光源により前記第2の軸に非平行な方向に発光された光を、前記第1および第2の軸に非平行な少なくとも1つの第1の反射面を用いて、反射的に方向転換することであって、前記方向転換された光が前記少なくとも1つの反射面により方向転換される前より前記第2の軸に平行な方向に伝播することとを含む、目標領域の照明方法。
  66. 湾曲反射板を用いて、前記光源から前記目標領域を離れる方向に発光された光を前記目標領域に向かって戻るように反射することをさらに含む、請求項65に記載の照明方法。
  67. 前記第1の軸に平行な第2の反射面に入射する前記光の一部を、前記光源および前記湾曲反射板のうちの少なくとも1つに反射することをさらに含む、請求項66に記載の照明方法。
  68. 光を前記第2の反射面内の少なくとも1つの開口を透過させ、前記少なくとも1つの開口を透過した光を前記少なくとも1つの第1の反射面に入射することを含む請求項67に記載の照明方法。
  69. 前記湾曲反射板を用いて前記第2の反射面内に光の焦点を合わせることをさらに含む、請求項67に記載の照明方法。
  70. 前記少なくとも1つの第1の反射面が前記第2の軸に対して少なくとも10°の角度に配置されている、請求項65に記載の照明方法。
  71. 少なくとも2つの第1の反射面を用いて光を反射的に方向転換することをさらに含む、請求項65に記載の照明方法。
  72. 目標領域で光学配向層を露光する光学露光システムであって、
    第1の軸に平行な方向に細長い紫外光源であって、前記第1の軸に垂直である第2の軸に平行な方向に発光された光を前記目標領域に入射する紫外光源と、
    前記紫外光源から前記目標領域へ通過する光の少なくとも一部を偏光するように配置された第1の偏光子と、
    前記光源と前記目標領域との間に配置された少なくとも第1の対の翼であって、前記第1の軸に平行な方向に細長い開口を画定し、前記開口が光を前記光源から前記目標領域へ通過させる翼と、
    実質的に放物状断面を有するとともに前記第1の軸に平行な方向に細長い反射板であって、焦点を前記光源上にほぼ位置させるとともに、反射した前記光源からの光を前記開口を介して前記目標領域へ通過させるように配置されている反射板と、を備えている光学露光システム。
  73. 前記反射アセンブリが前記光源から受け取った光を前記湾曲反射板へ反射するように配置された第2の反射面を備える、請求項72に記載の光学露光システム。
  74. 前記第1の対の翼と前記目標領域との間に配置された第2の対の翼をさらに備え、前記第2の対の翼が前記第1の軸に平行な方向で細長い第2の開口を画定し、前記第2の開口が光を前記光源から前記目標領域へ通過させる、請求項72に記載の光学露光システム。
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