JP2008311324A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板11上の絶縁膜12に形成されたゲート形成溝13の内部にゲート絶縁膜16を介してゲート電極17が形成され、前記ゲート電極17の一方側の前記半導体基板11にソース領域14が形成され、他方側の前記半導体基板11にドレイン領域15が形成された半導体装置1において、前記ゲート電極17は、前記ゲート形成溝13内から前記絶縁膜12表面より突出して形成されたゲート電極本体部30と、前記ゲート電極本体部30の前記絶縁膜12表面より突出した部分の側壁に形成された導電性のサイドウォール18とを有することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
Claims (5)
- 半導体基板上の絶縁膜に形成されたゲート形成溝の内部にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成され、前記ゲート電極の一方側の前記半導体基板にソース領域が形成され、前記ゲート電極の他方側の前記半導体基板にドレイン領域が形成された半導体装置において、
前記ゲート電極は、
前記ゲート形成溝内から前記絶縁膜表面より突出して形成されたゲート電極本体部と、
前記ゲート電極本体部の前記絶縁膜表面より突出した部分の側壁に形成された導電性のサイドウォールとを有する
ことを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板上にダミーゲートを形成した後、前記ダミーゲートの両側における前記半導体基板にソース領域とドレイン領域を形成し、前記ダミーゲートを第1絶縁膜で埋め込む工程と、
前記第1絶縁膜の表面を除去して前記ダミーゲート表面を露出させた後、前記ダミーゲートを除去してゲート形成溝を形成する工程と、
前記ゲート形成溝の内面にゲート絶縁膜を形成した後、前記ゲート形成溝を埋め込むようにゲート電極本体部を形成する工程と、
前記ゲート電極本体部の上部が突出するように前記第1絶縁膜を除去する工程と、
前記第1絶縁膜上に突出させたゲート電極本体部を覆うように導電膜を形成した後、前記導電膜をエッチバックして、前記突出させたゲート電極本体部の側壁に前記導電膜からなる導電性のサイドウォールを形成する工程と
を順に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ダミーゲートをダミーゲート絶縁膜とダミーゲート本体部とを積層させて形成し、
前記ダミーゲートを除去して前記ゲート形成溝を形成するときに、前記ダミーゲート絶縁膜を除去せずそのまま残して前記ゲート絶縁膜とする
ことを特徴とする請求項2記載の半導体装置の製造方法。 - 前記ゲート電極本体部を形成する工程は、
前記ゲート形成溝の内面に仕事関数制御用の導電膜を形成する工程と、
前記仕事関数制御用の導電膜を介して前記ゲート形成溝を埋め込むように前記ゲート電極本体部の主要部を成す導電膜を形成する工程と
を有することを特徴とする請求項2記載の半導体装置の製造方法。 - 前記導電性のサイドウォールをタングステンで形成する
ことを特徴とする請求項2記載の半導体装置の製造方法。
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Citations (3)
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---|---|---|---|---|
JP2003188376A (ja) * | 2001-12-19 | 2003-07-04 | Takehide Shirato | Mis電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
JP2005116592A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-04-28 | Takehide Shirato | 電界効果トランジスタ |
JP2009515328A (ja) * | 2005-11-04 | 2009-04-09 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | ゲートに近接したコンタクト・ホールを有する半導体トランジスタ |
-
2007
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