JP2008311258A

JP2008311258A - 低誘電率の誘電材料の損傷を低減したマスキング材料の除去方法

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Publication number: JP2008311258A
Application number: JP2007154764A
Authority: JP
Inventors: Zhilin Huang; ファンジーリン; Siyi Li; リーシリ; Qingjun Zhou; ゾウキンギュン
Original assignee: Applied Materials Inc
Current assignee: Applied Materials Inc
Priority date: 2007-06-12
Filing date: 2007-06-12
Publication date: 2008-12-25

Abstract

【課題】低誘電率の材料の露出表面への損傷を最小化しながら、露出した低誘電率の材料を有する基板からマスキング材料を取り除く方法が提供される。
【解決手段】一実施形態において、基板からマスキング材料を取り除くための方法は、露出した低誘電率の材料及びマスキング材料を有する基板を提供し、第１の期間、還元化学反応物質から形成された第１のプラズマに前記マスキング材料を曝し、第２の期間、酸化化学反応物質から形成される第２のプラズマにマスキング材料を曝すことを含む。これらのステップは必要なだけ繰り返され、また、反対の順序に行われるかもしれない。選択的に、少なくとも１つの希釈ガスが酸化化学反応物質に追加されるかもしれない。
【選択図】図１

Description

発明の技術分野

本発明は主に集積回路の製造に係り、特に、集積回路の製造の際、低い誘電率を有する誘電体材料（以下、低誘電材料という）からマスキング材料を除去するための方法に関する。

関連技術の説明

集積回路は、単一のチップの上に数百万のコンポーネンツ（例えば、トランジスタ、キャパシタ、抵抗）を含みうる複雑なデバイスへと進化した。チップ設計の進化は、より高速な回路及びより高い回路集積率を、継続的に必要とする。より高い回路集積率の需要は、集積回路のコンポーネンツの大きさを削減することを必要とする。

集積回路のコンポーネンツの大きさが小さくなるにつれ（例えば、サブミクロンの大きさ）、そのようなコンポーネンツを作りこむのに用いられる材料は集積回路の電気特性により大きなインパクトをもたらす。例えば、低い抵抗性の金属の相互接続（例えば、銅及びアルミニウム）は、集積回路上のコンポーネンツの間での導電路を提供する。この金属の相互接続は、絶縁材料により、双方に電気的に絶縁されている。隣接する金属の相互接続の間の距離、及び／又は、絶縁材料の厚さがサブミクロンの大きさであると、容量結合が金属の相互接続の間で起こり得、これにより、クロストーク、及び／又は、抵抗−容量（ＲＣ）遅延を引き起こし、集積回路の全体の特性を劣化せしめる。隣接する金属の相互接続間の容量性結合を低減するために、低い誘電率の材料（例えば、約４．０より誘電率の低いもの）が用いられる。

残念ながら、低誘電率の材料は、従来の製造技術を用いて処理するのは簡単ではない。特に、特徴形状(フィーチャ)が低誘電率の材料層にエッチングされたのち、マスキング材料（即ち、フォトレジスト層）をストリップするのに用いられるプラズマ処理などのプラズマ処理の間の損傷に、低誘電率の材料は感応しやすい。例えば、フォトレジストを除去するための酸素プラズマを用いると、酸素は露出した低誘電率の材料の表面近くの炭素、及び／又は、水素と反応し、それらを除去し、これにより低誘電率の材料に損傷をもたらす。低誘電率の材料の変質は低誘電材料のシフトという結果となり、その部位における材料の誘電定数は変化する。

更に、この損傷は一般に、さらなる処理の問題を生じせしめる。例えば、フッ化水素酸に浸けるなどの残渣物の除去を行うという、次のウェットエッジステップにおいて、損傷した低誘電率の材料は意図せずして、同様に除去される。相互接続構造を形成する、若しくは、他の特徴形状を低誘電率の材料にエッチングするなどの製造プロセスにおいて、これは側壁の後退（プルバック）として知られる状況を生じせしめる。その低誘電率の材料の上に積まれるかもしれないキャッピング層などの、より感応しにくい層が存在すると、相互接続の特徴形状の部分を形成する、露出した低誘電率の材料の側壁面が非均一であることによって、相互接続の形状を完全にするために必要とされる次の導電性材料の堆積が困難となり、欠陥を有する相互接続の構造を含む集積回路、即ち、潜在的に完全なる失敗となってしまう。

従って、低誘電率の材料からマスキング材料を除去する改善された方法が望まれる。

発明の概要

低誘電率の材料の露出した表面への損傷を最小化するとともに、露出した低誘電率の材料を有する基板からマスキング材料を除去するための方法が提供される。一実施形態において、基板からマスキング材料を除去するための方法は、露出した低誘電率の材料及び除去されるべきマスキング材料を有する基板を提供し、第１の期間、還元化学反応物質から形成される第１のプラズマにマスキング材料を曝し、第２の期間、酸化化学反応物質から形成される第２のプラズマにマスキング材料を曝すことを含む。これらのステップは必要とされるだけ繰り返され、逆の順序にも行われうる。更に、少なくとも１つの希釈ガスが酸化化学反応物質に追加されるかもしれない。

別の実施形態において、プロセスチャンバ内で基板からマスキング材料を除去するための方法は、（ａ）露出した低誘電率の材料及び除去されるべきマスキング材料を有する基板を提供し、（ｂ）（ｂ１）第１の期間、還元化学反応物質から形成される第１のプラズマにマスキング材料を曝すことか、あるいは、（ｂ２）第２の期間、酸化化学反応物質から形成される第２のプラズマにマスキング材料を曝すことのいずれかを行い、（ｃ）ステップ（ｂ）において行われなかった、（ｂ１）又は（ｂ２）のステップを実行し、（ｄ）ステップ（ｂ）において最初に実行されたステップを繰り返すことを含む。

詳細な説明

本発明の実施形態は低誘電率の材料を処理する方法に関し、特に、露出した低誘電率の誘電体材料を有する基板からマスキング材料を除去することに関する。

図1は本発明の一実施形態に従って、低誘電率の材料からマスキング材料を除去するのに用いられる方法ステップの方法１００を図示する。図２Ａ〜Ｂはデュアルダマシンの相互接続製造シーケンスの異なる段階の間の相互接続の特徴形状を示す断面図である。本発明を最もよく理解するために、読者は図１及び図２Ａ〜Ｂを同時に参照すべきである。

方法１００は、露出した低誘電率の材料２２０及び除去されるべきマスキング材料２２２を有する基板２００が提供されるステップ１０２から始まる。基板２００はシリコン又は他の半導体の基板などのいかなる基板であってもよく、典型的には、その上に形成される少なくとも１つの低誘電率材料の層２０２を有する支持層２０４を含む。低誘電率の材料はカーボンがドープされたシリコンオキサイド（ＳｉＯＣ）、有機ポリマ（ポリイミド、パリレンなど）などのカーボンがドープされた低誘電率の材料であるかもしれない。トレンチ２１２、及び／又は、ビア２１０などの特徴形状は、典型的には、低誘電率の材料層２０２にエッチングされるか、若しくは、別の方法で形成され、これによりサイドウォール２１６などの低誘電率の材料層の部分が曝される。低誘電率の材料層２０２にその特徴形状がエッチングされるために、マスキング層２０８が低誘電率の材料層２０２の上に形成される（例えば、堆積されるか又はパターン化される）。マスキング層２０８は有機ポリマのようなフォトレジスト若しくは他の有機マスキング材料を含む。選択的に、キャッピング層２０６はマスキング層２０８の形成の前に、低誘電率の材料層２０２の上に堆積されるかもしれない。キャッピング層２０６は、低誘電率の材料層２０２に酸化膜が密着するのを助ける薄い酸化膜及び結合膜を含むかもしれない。基板２０２は、異なる、若しくは、追加の材料層を含むかもしれないし、ビア及びトレンチ以外の他の特徴形状が低誘電率の材料層２０２に形成されるかもしれない。

次に、ステップ１０４において、マスキング層２０８は還元化学反応物質から形成される第１のプラズマに曝される。還元化学反応物質はパッシベーション、又は、ポリマの堆積ガスを含む。パッシベーションガスは、窒素含有ガス若しくは水素含有ガスであるかもしれない。一実施形態においてパッシベーションガスはアンモニア（ＮＨ_３）、水素（Ｈ_２）、メタン（ＣＨ_４）、窒素（Ｎ_２）及びそれらの組み合わせの少なくとも１つを含む。還元化学反応物質による第１のプラズマに用いられる還元化学反応物質は特徴形状のサイドウォールにポリマを堆積せしめ、これによりストリッププロセスによる損傷からサイドウォールを保護する。より効果的には、還元化学反応は大きなオペレーショナルウィンドウを有し、他のストリップの化学反応に比べ、サイドウォール２１６などの露出した表面に対し、比較的小さい量だけ、低誘電率の材料層への損傷をもたらす。

一実施形態において、第１のプラズマは、約２ｍＴｏｒｒから約３００ｍＴｏｒｒの範囲のチャンバ内圧力の下で、約１００ｓｃｃｍから１０００ｓｃｃｍの全体のガス流量でパッシベーションガスを流し、約５０から約５００ワットの範囲で電力を供給することにより、形成される。マスキング層２０８は約１０から約１０００秒の間の期間の間、第１のプラズマに曝される。一実施形態において、プロセスの温度は約０〜６０℃に維持される。

ステップ１０４の後、方法１００はステップ１０６へ進み、そこにおいて、マスキング層２０８は酸化化学反応物質から形成される第２のプラズマに曝される。酸化化学反応物質は酸素含有ガスを含む。一実施形態において、酸素含有ガスは酸素（Ｏ_２）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ_２）、水蒸気（Ｈ_２Ｏ）、若しくはそれの組み合わせのうちの少なくとも１つを含む。第２のプラズマの酸化化学反応は、より高いストリップレートを有する傾向があり、ステップ１０４の第１のプラズマの還元化学反応より、フォトレジスト及び他の有機マスキング材料を取り除くのに、より良好な能力を有する傾向がある。更に、第２のプラズマの酸化化学反応物質は低誘電率の材料層２０２の露出した表面の近傍におかれた炭素又は水素と反応性が強い。しかしながら、ステップ１０６の間、低誘電率の材料の露出表面からの炭素及び／又は水素の除去は、ステップ１０４の間のこれらの表面上におけるポリマの堆積により最小化される。

一実施形態において、ステップ１０６は約１００ｍＴｏｒｒ以下のチャンバの圧力で、約１０から約３００秒の間、行われる。一実施形態において、方法が超低誘電（ＥＬＫ）の誘電材料（例えば、誘電率が約２．７未満の材料）に対して行われるとすると、ステップ１０６は約１０ｍＴｏｒｒ以下のチャンバの圧力、若しくは、約２ｍＴｏｒｒ以下のチャンバの圧力で、約１０秒から３００秒の間、行われる。この低圧力の環境は、コリジョンフリーのプラズマシースを維持する（即ち、プラズマ内のパーティクルのためのミーンフリーパス（平均自由行程）はプラズマのシースの厚さより、より長い）。荷電粒子がプラズマシースの電気電位の下、電極に引き寄せられ、エッチングされた特徴形状に接触すると、荷電粒子は基板に対し、ほぼ垂直となり（即ち、異方性エッチの状態）、シース内の他のパーティクルと衝突するチャンスはほとんどない。このようにエッチングされた垂直なサイドウォールは、荷電粒子による、極最小量の衝突にのみ、曝される。そのようなプロセス条件のもと、その特徴形状の垂直なサイドウォール上を化学的に活性な粒子によりランダムにアタックすることは更に少なくなる。また、チャンバ内のガスの量を制限することにより、サイドウォールの損傷を更に効果的に低減するように、全体のガス流量は少なく維持されるかもしれない。一実施形態において、プロセスチャンバ内の酸化化学反応物質のガス流量は約１０から５００ｓｃｃｍの範囲である。一実施形態において、チャンバ内の全体のガス流量は約２００ｓｃｃｍ未満である。また、プロセスチャンバに供給される電力は、できるだけ低いレベルのイオン及び中性の濃度を有する酸化プラズマを維持するのに最小化されるかもしれない。一実施形態において、ＲＦ電力チャンバへの入力は約２００ワット未満である。

更に、ステップ１０６の第２のプラズマは１つ以上の希釈ガスを含むかもしれない。この希釈ガスは、約１対１から５対１の間の、酸化化学反応物質に対する希釈ガスの割合となるように、酸化化学反応物質に追加されるかもしれない。一実施形態において、希釈ガスはヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、及びキセノン（Ｘｅ）のうちの少なくとも１つを含む。第２のプラズマの酸化化学反応物質に、希釈ガスを追加すると、効果的にプラズマ内の原子レベルの酸素濃度を希釈し、これにより露出した低誘電率の材料への損傷を低減しうる。更に、希釈ガスの添加は、効果的にプラズマへのイオン衝突ための物質を追加することとなり、これにより（存在すれば）キャッピング層２０６のエッチレートを増加せしめ、キャップのオーバーハング（低誘電率の材料及びキャップ層の双方のエッチングレートにおける差異に起因する低誘電率の材料のサイドウォールの形状をキャップ層が超えるような状態）を防止する。

ステップ１０６が終了すると、ステップ１０４が繰り返され、破線１０８により示されるように。この方法ステップの繰り返しは、マスキング層２０８が完全に取り除かれるまで継続される。完全に取り除かれると、方法１００は終了し、さらなる基板２００の処理が、例えば、集積回路の製造の終了をするために、継続される。上述の方法１００は、フォトレジスト若しくは有機材料を除去するために、還元化学反応物質から形成されるプラズマ（ステップ１０４）に続き、酸化化学反応物質から形成されるプラズマ（ステップ１０６）を用いるが、これらのステップは反対の順番に行われてもよい。例えば、方法１００が、ステップ１０６の酸化化学反応による損傷に対し、より敏感な、露出した低誘電率の材料を有する基板２００において行われるのであれば、方法１００はより効果的には、第１のステップとしてステップ１０４のポリマを堆積し、還元する化学反応を用いてもよい。選択的に、低誘電率の材料がより堅牢な所では、方法１００は、より効果的には、マスキング材料をより迅速に取り除くために、ステップ１０６から開始してもよい。

本発明の一実施形態において、方法１００は、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社から市販されているＥＮＡＢＬＥＲ（商標名）プロセスリアクタ、若しくは、他の適宜なプロセスリアクタにおいて実施される。図３は本発明の部分を実施するのに用いられるかもしれない、１つの適宜なプロセス（エッチ）リアクタ３０２の概略図を図示する。エッチリアクタ３０２は、一般にはカリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社から市販されているＣＥＮＴＵＲＡ（商標名）半導体ウエハ処理システムの処理モジュールとして用いられるかもしれない。

リアクタ３０２は一般にはプロセスチャンバ３１０及びコントローラ３４０を含む。チャンバ３１０は制御されたスロットルバルブ３２７及び排気ポンプ３３６を備えた高真空の容器である。更に、プロセスチャンバ３１０は、導電性の本体（壁）３３０、リッドアセンブリ３１３、ウエハのサポート支持ペデスタル３１６、セラミックのライナー３３１を含む。リッドアセンブリ３１３は一般にはシャワーヘッド３３２及び上部の電極３２８を含む。シャワーヘッド３３２は、上部電極３２８の上に搭載され、様々なガスが、特定のガス流量により、チャンバ３１０の反応容積に供給されるように、いくつかのガス分配ゾーンを含む。上部電極３２８はインピーダンス変換機３１９（例えば、四分の一波長のマッチングスタブ）を介して、超高周波（ＶＨＦ）の電源３１８に接続されている。このＶＨＦ電源３１８は一般には約１００ＭＨｚより大きい同調可能な周波数で３０００ワットまでの電力を供給することができる。

支持ペデスタル３１６は基板３００を支持するための静電チャック３２６を含む。動作状態で、基板３００は支持ペデスタル（即ち、カソード）３１６の上に載置される。静電チャック３２６はＤＣ電源３２０を用いて制御される。支持ペデスタル３１６は、マッチングネットワーク３２４を介して、バイアス源３２２に接続される。このバイアス源３２２は約５０ｋＨｚから１３．６ＭＨｚの同調可能な周波数で、５０００ワットの高周波（ＲＦ）電力（即ち、カソードのバイアスパワー）まで生成することができる。選択的に、ソース３２２は直流電源若しくはパルス出力する直流電源であってもよい。

チャンバウォール３３０は（例えば、アルミニウム（Ａｌ）、ステンレススティールなどの）金属から一般に形成され、リアクタ３０２の電気接地ターミナル３３４に接続される。セラミックライナー３３１は、プロセスチャンバ３１０のインシチュウによるクリーニングを行うためのものである。

プロセスガスは、シャワーヘッド３３２を介して、ガスパネル３３８からプロセスチャンバ３１０へ供給される。プロセスチャンバ３１０内のガス混合物３５０の圧力は、ガスパネル３３８、及び／又は、スロットルバルブ３２７を用いて制御されるかもしれない。ガス混合物３５０にＶＨＦ電源３１８からの電源が供給されることにより、チャンバ３１０の反応容積内でプラズマ３５１が点火される。

静電チャック３２６の温度を安定化し、基板３００の背面に形成されたチャネル及び静電チャック３２６の表面に形成された溝（図示せず）にガス源３４８からのヘリウム（Ｈｅ）ガスを流すことにより、基板３００の温度は制御される。ヘリウムガスは基板３００と静電チャック３２６との間の均一な熱伝導をもたらす。そのような熱制御を用いて、基板３００は１０℃から５００℃の範囲内の制御された温度に維持されうる。

上述のように、プロセスチャンバ３１０の制御を行うために、コントローラ３４０は、様々なチャンバ及びサブプロセッサを制御するための工業的に設定されうる一般用途のコンピュータプロセッサのような形態のいかなるものであってもよい。ＣＰＵ３４４のメモリ若しくはコンピュータが読むことができるメディア３４２は、局所的なものであろうと、遠隔的なものであろうと、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、リードオンリーメモリ（ＲＯＭ）、フロッピー（登録商標）ディスク、ハードディスク、他のいかなる形態のデジタル記録媒体などの市販のメモリの１つ以上のものであってもよい。サポート回路３４６は周知の方法によりプロセッサをサポートするためにＣＰＵ３４４に接続される。これらの回路はキャッシュ、電源供給、クロック回路、入出力回路、サブシステムなどを含む。

本発明方法１００は、一般にはソフトウェアルーチン３０４のようにメモリ３４２内に保持される。また、ソフトウェアルーチン３０４は、ＣＰＵ３４４により制御されているハードウェアから離れた所に存在する第２のＣＰＵ（図示せず）により保持及び／又は実行されるかもしれない。また、本発明の方法ステップのいくつか若しくは全てはハードウェア内で実行されるかもしれない。このように、本発明は、ソフトウェアの形でも実行されるし、例えば、ＡＳＩＣ(特定用途用集積回路)や他のタイプのハードウェア、若しくは、ソフトウェア及びハードウェアの組み合わせなどのハードウェア内におけるコンピュータシステムを用いても実行されうる。ＣＰＵ３４４により実行されるとき、ソフトウェアのルーチン３０４は、本発明のプロセスを実行するためにリアクタ３０２に本発明のプロセスを実行せしめ、メモリ３４２に一般的には保持される。また、ソフトウェアのルーチン３０４は、ＣＰＵ３４４により制御されているハードウェアから離れた場所におかれている第２のＣＰＵ（図示せず）により保持され、及び／又は、実行されるかもしれない。

基板３００がペデスタル３１６の上に位置決めされたのち、ソフトウェアのルーチン３０４は実行される。ＣＰＵ３４４により実行されるとき、ソフトウェアのルーチン３０４は、エッチングプロセスが実行されるように、チャンバの動作を制御する特定用途のコンピュータ（コントローラ）３４０に汎用のコンピュータを変換する。本発明のプロセスが、ソフトウェアのルーチンのように実行されているように説明されてきたが、本明細書において開示される方法のステップのいくつかは、ソフトウェアのコントローラによるのと同様に、ハードウェアにおいて実行されるかもしれない。このように本発明は、コンピュータシステム内で実行されるソフトウェアの形で実施されるし、特定用途の集積回路若しくは他のタイプのハードウェアの実行によりハードウェアにおいて実施されうるし、又はソフトウェア及びハードウェアの組み合わせにおいても実行されうる。

このように、露出した低誘電率の材料への損傷を最小化しながら、基板からフォトレジスト及び他の有機マスキング材料を除去するための方法が提供された。本方法の実施形態がデュアルダマシンの構造の形成に関連して用いられうるとして説明されているが、露出した低誘電率の材料を有する基板からフォトレジスト若しくは他の有機マスキング材料を取り除くことが必要とされている他のＩＣデバイス若しくは構造の製造プロセスに関連して本方法１００が用いられうることが理解されるべきである。本発明の実施形態に関連して説明がされてきたが、他の及び更なる本発明の実施形態がその基本範囲から逸脱することなく考え得り、本発明の範囲は特許請求の範囲に述べられる通りである。

本発明の上述された特徴が達成され、詳細に理解されうるように、上記に短く要約されたような、より特定的な本発明の説明が、添付の図面に図説された実施形態を参照してなされる。

しかしながら、添付の図面は本発明の典型的な実施形態のみを図説し、従ってその範囲を制限するものと考えられるべきではなく、本発明は他の同様に効果のある実施形態をも含むことを留意されたい。

本明細書に説明される発明の一実施形態に従い、低誘電率の材料の上に積まれたマスキング材料を除去するための方法ステップのシーケンスを示す図である。〜は本発明の一実施形態に従い、デュアルダマシンの相互接続の処理のシーケンスの異なる段階の間の基板の断面図である。本発明の部分を実施するのに用いられるプロセス（エッチ）リアクタを概略的に図示する概略図である。

理解を容易にするために、可能な限り、各図に共通な要素を指摘するために同じ参照番号が用いられている。

Claims

（ａ）露出した低誘電率の材料及び取り除かれるべきマスキング材料を有する基板を提供し、
（ｂ）第１の期間、還元化学反応物質から形成される第１のプラズマに前記マスキング材料を曝し、
（ｃ）第２の期間、酸化化学反応物質から形成される第２のプラズマに前記マスキング材料を曝すことを含むプロセスチャンバ内の基板からマスキング材料を除去するための方法。
前記還元化学反応物質は、アンモニア（ＮＨ_３）、水素（Ｈ_２）、メタン（ＣＨ_４）及び窒素（Ｎ_２）のうちの少なくとも１つを含む請求項１記載の方法。
還元化学反応物質のガス流量は、約１００〜１０００ｓｃｃｍであり、プロセスチャンバは約２ｍＴｏｒｒから３００ｍＴｏｒｒとの間の圧力に維持される請求項２記載の方法。
前記酸化化学反応物質は、酸素（Ｏ_２）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ_２）、水蒸気（Ｈ_２Ｏ）のうちの少なくとも１つを含む請求項１記載の方法。
前記酸化化学反応物質のガス流量は、約１０〜５００ｓｃｃｍの範囲であり、前記プロセスチャンバは約１００ｍＴｏｒｒ以下の圧力に維持される請求項４記載の方法。
前記第２のプラズマは、更に少なくとも１つの希釈ガスを含む請求項１記載の方法。
前記少なくとも１つの希釈ガスは、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、及びキセノン（Ｘｅ）のうちの少なくとも１つを含む請求項６記載の方法。
前記希釈ガスは、約１対１から５対１の間の、酸化化学反応物質に対する希釈ガスの割合で供給される請求項６記載の方法。
ステップ（ｃ）はステップ（ｂ）に先だって生じる請求項１記載の方法。
前記第１の期間は、約１０〜１０００秒の間であり、前記第２の機関は約１０〜３００秒の間である請求項１記載の方法。
更にステップ（ｂ）又は（ｃ）の少なくとも１つの先に起きるステップを繰り返すことを含む請求項１記載の方法。
ステップ（ｂ）若しくは（ｃ）の１つをまず実行し、
ステップ（ｂ）若しくは（ｃ）のうちの他のステップを実行し、
前記第１に実行されたステップを繰り返すことを更に含む請求項１記載の方法。
プロセスチャンバ内で、露出した低誘電率の誘電材料を有する基板から、マスキング材料を取り除くことを、コンピュータにより実行されたときに、プロセッシングシステムに行わせしめるソフトウェアを含むコンピュータで読取可能な媒体であって、
（ａ）第１の期間、還元化学反応物質から形成される第１のプラズマにマスキング材料を曝し、
（ｂ）第２の期間、酸化化学反応物質から形成される第２のプラズマに前記マスキング材料を曝すことを含む媒体。
前記還元化学反応物質は、アンモニア（ＮＨ_３）、水素（Ｈ_２）、メタン（ＣＨ_４）及び窒素（Ｎ_２）のうちの少なくとも１つを含む請求項１３記載のコンピュータで読取可能な媒体。
前記還元化学反応物質の流量は約１００〜１０００ｓｃｃｍであり、前記処理チャンバは約２ｍＴｏｒｒから３００ｍＴｏｒｒの間の圧力に維持される請求項１３記載のコンピュータで読取可能な媒体。
前記酸化化学反応物質は、酸素（Ｏ_２）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ_２）、及び水蒸気（Ｈ_２Ｏ）のうちの少なくとも１つを含む請求項１３記載のコンピュータで読取可能な媒体。
前記酸化化学反応物質の流量は約１０〜５００ｓｃｃｍの間であり、前記プロセスチャンバは約１００ｍＴｏｒｒ以下の圧力に維持されている請求項１３記載のコンピュータで読取可能な媒体。
前記第２のプラズマは更にヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、及びキセノン（Ｘｅ）のうちの少なくとも１つの希釈ガスを含む請求項１３記載のコンピュータで読取可能な媒体。
前記希釈ガスは、約１対１から５対１の間の、酸化化学反応物質に対する希釈ガスの割合において供給される請求項１８記載のコンピュータで読取可能な媒体。
前記第１の期間は約１０〜１０００秒の間であり、前記第２の期間は約１０〜３００秒の間である請求項１３記載のコンピュータで読取可能な媒体。
ステップ（ａ）若しくは（ｂ）のうちの少なくとも１つの前に生じたステップを繰り返すことを更に含む請求項１３記載のコンピュータで読取可能な媒体。