JP2008306149A - ウエハ支持ガラス - Google Patents
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Abstract
半導体ウエハ(SW)を接着して支持するとともに半導体ウエハから剥離できるように可撓性を備えたガラスプレート(GP)からなるウエハ支持ガラスを提供する。
【解決手段】
ガラスプレート(GP)は、半導体ウエハ(SW)に接着してこの半導体ウエハを支持するウエハ支持ガラスである。そして、半導体ウエハ(SW)に接着されたウエハ支持ガラスを剥離するため、ウエハ支持ガラスは所定角度以上曲がる。ウエハ支持ガラスは30度以上曲がると半導体ウエハに大きな力を与えないで剥離することができる。
【選択図】 図2C
Description
ウエハ支持ガラスが脆性材料であるため、そもそも半導体ウエハに接着されたウエハ支持ガラスを分離する際に、ウエハ支持ガラスを曲げて半導体ウエハから剥離するという考えはなかった。第1の観点では、所定角度以上に曲がるウエハ支持ガラスを提供することで半導体ウエハを曲げないで固定したままウエハ支持ガラスを剥離することができる。
第2の観点によるウエハ支持ガラスは、半導体ウエハに形成された半導体回路を破損することが無いように30度以上曲がる。その一方でウエハ支持ガラスを水平に保持しても、自重で曲がることがない。なお、最大曲げ角度がより大きくなればなるほどより小さい力で曲がり剥離し易いので最大曲げ角度の上限はない。
第3の観点では化学強化処理により圧縮応力層を形成する。ウエハ支持ガラスを曲げるとその外側の表面は引っ張り応力が加わるが、圧縮応力層がウエハ支持ガラスの表面に形成されているため引っ張り応力によるウエハ支持ガラスの割れを防ぐことができる。
Na2O又はLi2Oを含むと化学強化処理による圧縮応力層を形成することができる
第5の観点ではウエハ支持ガラスにコーティング層を設けることで圧縮応力層を形成している。化学強化処理がガラス内側に圧縮応力層を形成するのに対して、コーティング処理はガラス外側に圧縮応力層を形成している。
ウエハ支持ガラスの板厚が薄いと半導体ウエハ側の厚み制限が緩和され自由度が増えるため厚み上限はほぼ1.1mmが好ましい。また薄くなればなるほど最大曲げ角度は大きくなるが、0.3mm以下ではウエハ支持ガラスとして剛性を保つことができず半導体ウエハを安定的に支持できなかった。したがってウエハ支持ガラスの厚みは、0.3mm以上1.1mm以下であることが望ましい。また、圧縮応力層が15μm以下であると所定角度以上にウエハ支持ガラスを曲げることができず、逆に220μm以上であるとウエハ支持ガラス自体にソリやうねりが発生しやすくなる。
面取処理又は曲面処理を施しておかないと、化学強化処理を行う際にウエハ支持ガラスが破損するおそれがある。また、周縁部に面取りがされていないとウエハ支持ガラスの搬送時などで周縁部にキズが入りやすくなる。このキズはウエハ支持ガラスを曲げた際にクラックとして大きく伝播して行くので周縁部は面取り部又は曲面を形成している。
周縁部の算術平均粗さRaが440nmよりも大きいと、最大曲げ角度を小さくしてしまうような大きなキズなどが周縁部に存在することがある。このキズが存在するとウエハ支持ガラスを曲げた際にクラックが生じやすくなる。このため、算術平均粗さRaが440nm以下になるように研削加工又は研磨加工を施す。
ウエハ支持ガラスが半導体ウエハの所定直径よりも一回り大きい直径を有している円形であると、半導体ウエハ搬送時などに半導体ウエハが何かと衝突する前にウエハ支持ガラスがそのものに衝突する。このため、半導体ウエハ支持ガラスが破損することがあっても半導体ウエハを破損することがない。
<ガラスプレートの接着と剥離>
図1は、半導体回路が形成された半導体ウエハSWにウエハ支持ガラスとしてのガラスプレートGPを貼り付けてからガラスプレートGPを剥離するまでのフローチャートである。図2Aから図2Cは、フローチャートの各工程を示した断面図である。本実施形態では、半導体ウエハSWには、シリコン(Si)、ゲルマニウム(Ge)又はガリウム砒素(GaAs)などを結晶化されたウエハに対して適用できる。
ステップS17において、真空チャック35の真空引きを開放して真空チャック35から半導体ウエハSWを取り外す。その後半導体ウエハSWは、ダイシング工程などに搬送される。
上述したように、ガラスプレートGPは30°以上曲がることで半導体ウエハSWの半導体回路を破損することなく、両面接着フィルムADを有する半導体ウエハSWからガラスプレートGPを剥離することができる。すなわち、30°以上曲がっても割れないガラスプレートGPを用意しなければならない。以下にこの条件を満たす化学強化されたガラスプレートGPについて説明する。
ガラス基材は3種類用意した。それぞれをガラスNo.1、ガラスNo.2、ガラスNo.3と名付け、それぞれの組成は表1に示した。使用した原料は、酸化物、炭酸塩、硝酸塩及び水酸化物等を用いた。
(表1)
その後加熱した鉄板上にガラス融液を流し出した。同じく加熱したもう1つの鉄板を用いて、流れ出たガラス融液の上からすぐにプレスした。プレスされることにより、外径約210mmで厚さ約3mmに成形されたガラス基材を得ることができる。
図3(a)は、ガラスプレートGPを示した斜視図であり、(b)及び(c)はそのガラスプレートGPの端面(周縁部)の拡大図である。
図3(b)及び(c)に示すように端面は、面取処理又は曲面処理のいずれかの処理を施す。面取処理又は曲面処理を施しておかないと、前述した化学強化処理を行う際にガラスプレートGPが破損するおそれがある。
また、周縁部に面取りがされていないとガラスプレートGPの搬送時などで周縁部にキズが入りやすくなる。このキズはガラスプレートGPを曲げた際にクラックとして大きく伝播して行くので周縁部は面取り部CF又は曲面CCを形成している。
イオン交換法によるガラスの強化は高温でガラス中のアルカリイオンを溶融塩の他のアルカリイオンと交換しガラス表面に圧縮応力層を形成させる方法である。本実施形態においてガラスプレートGPは以下に説明するように、3種類のガラス基材に対して異なる処理を施すことで9種類のガラスプレートGPを製作した。
実施例1のガラスプレートGPは、まずガラスNo.1のガラス基材を徐冷した後、外形加工、端面研削加工、上下面研削加工、端面研磨加工、及び上下面研磨加工を施し、外径201mm、板厚み0.5mmのガラス形状加工物を形成して製造される。そして、ガラス形状加工物は380°Cに保ったKNO3(硝酸カリウム):NaNO3(硝酸ナトリウム)=60%:40%の混塩の処理浴中に3時間浸漬させられる。これにより、ガラス形状加工物の表面部は、Liイオン及びNaイオンと処理浴中のNaイオン及びKイオンとがそれぞれイオン交換させられ、ガラス形状加工物の表面部が化学強化させた実施例1のガラスプレートGPが完成する。
実施例1と同様に、実施例2のガラスプレートGPは、ガラスNo.1のガラス基材を徐冷した後、外形加工、端面研削加工、上下面研削加工、端面研磨加工、及び上下面研磨加工を施し、外径201mm、板厚み0.5mmのガラス形状加工物を形成して製造される。そして、ガラス形状加工物は380°Cに保ったKNO3:NaNO3=60%:40%の混塩の処理浴中に42時間浸漬させられる。つまり、実施例1と比較して浸漬時間を長くしてイオン交換をできるだけ多く施した実施例2のガラスプレートGPが完成する。
実施例3のガラスプレートGPは、ガラスNo.1のガラス基材を徐冷した後、外形加工、端面研削加工、上下面研削加工、端面研磨加工、及び上下面研磨加工を施し、外径201mm、板厚み1.0mmのガラス形状加工物を形成して製造される。ガラス形状加工物のイオン交換は実施例1と同じ処理が施される。つまり、実施例3のガラスプレートGPは板厚み1.0mmである点で実施例1のガラスプレートGPと異なる。
実施例4のガラスプレートGPは、ガラスNo.2のガラス基材を徐冷した後、外形加工、端面研削加工(600番仕上げ)、上下面研削加工、上下面研磨加工を施し、外径201mm、板厚み0.5mmのガラス形状加工物を形成して製造される。そして、ガラス形状加工物は380°Cに保ったKNO3:NaNO3=60%:40%の混塩の処理浴中に3時間浸漬させられる。これにより、ガラス形状加工物の表面部は、Liイオン及びNaイオンと処理浴中のNaイオン及びKイオンとがそれぞれイオン交換させられ、ガラス形状加工物の表面部が化学強化させた実施例4のガラスプレートGPが完成する。
実施例5のガラスプレートGPは、ガラスNo.2のガラス基材を徐冷した後、外形加工、端面研削加工(600番仕上げ)、上下面研削加工、上下面研磨加工を施し、外径201mm、板厚み0.5mmのガラス形状加工物を形成して製造される。そして、ガラス形状加工物は360°Cに保ったKNO3:NaNO3=60%:40%の混塩の処理浴中に3時間浸漬される。実施例4のガラス形状加工物と比べて、実施例5のガラス形状加工物は処理浴中の温度が低くイオン交換の反応が遅くなるようにしている。したがって、イオン交換の少ない実施例5のガラスプレートGPが完成する。
実施例6のガラスプレートGPは、ガラスNo.2のガラス基材を徐冷した後、外形加工、端面研削加工(600番仕上げ)、上下面研削加工、上下面研磨加工を施し、外径201mm、板厚み0.5mmのガラス形状加工物を形成して製造される。そして、ガラス形状加工物は400°Cに保ったKNO3:NaNO3=60%:40%の混塩の処理浴中に15時間浸漬される。実施例4のガラス形状加工物と比べて、実施例6のガラス形状加工物は処理浴中の温度が高く浸漬時間も長くしておりイオン交換の反応が多くなるようにしている。したがって、イオン交換の多い実施例6のガラスプレートGPが完成する。
実施例7のガラスプレートGPは、まずガラスNo.3のガラス基材を徐冷した後、外形加工、端面研削加工(600番仕上げ)、上下面研削加工、及び上下面研磨加工を施し、外径201mm、板厚み0.5mmのガラス形状加工物を形成して製造される。そして、ガラス形状加工物は430°Cに保ったKNO3=100%の処理浴中に20時間浸漬させられる。これにより、ガラス形状加工物の表面部は、Naイオンと処理浴中のKイオンとがそれぞれイオン交換させられ、ガラス形状加工物の表面部が化学強化させた実施例7のガラスプレートGPが完成する。
実施例8のガラスプレートGPは、まずガラスNo.3のガラス基材を徐冷した後、外形加工、端面研削加工(600番仕上げ)、上下面研削加工、及び上下面研磨加工を施し、外径201mm、板厚み0.5mmのガラス形状加工物を形成して製造される。そして、ガラス形状加工物は430°Cに保ったKNO3=100%の処理浴中に15時間浸漬させられる。つまり、実施例7と比較して浸漬時間を短くしてイオン交換を少なくした実施例8のガラスプレートGPが完成する。
実施例9のガラスプレートGPは、まずガラスNo.3のガラス基材を徐冷した後、外形加工、端面研削加工、上下面研削加工、端面研磨加工、及び上下面研磨加工を施し、外径201mm、板厚み0.5mmのガラス形状加工物を形成して製造される。その後は、実施例7のイオン交換と同じである。つまり、実施例9のガラスプレートGPは端面が研磨加工されているか端面研削加工(600番仕上げ)で終わっているかの点で実施例7のガラスプレートGPと異なる。
[比較例1のガラスプレートGP]
比較例1のガラスプレートGPは、まずガラスNo.1のガラス基材を徐冷した後、外形加工、端面研削加工、上下面研削加工、端面研磨加工、及び上下面研磨加工を施し、外径201mm、板厚み0.5mmのガラス形状加工物を形成して製造される。しかし化学強化処理はガラス形状加工物に対して一切行っていない。この点で実施例1のガラスプレートGPと異なる。
比較例2のガラスプレートGPは、ガラスNo.1のガラス基材を徐冷した後、外形加工、端面研削加工、上下面研削加工、端面研磨加工、及び上下面研磨加工を施し、外径201mm、板厚み1.0mmのガラス形状加工物を形成して製造される。化学強化処理はガラス形状加工物に対して一切行っていない。この点で実施例3のガラスプレートGPと異なる。
比較例3のガラスプレートGPは、ガラスNo.1のガラス基材を徐冷した後、外形加工、端面研削加工(400番仕上げ)、上下面研削加工、及び上下面研磨加工を施し、外径201mm、板厚み1.0mmのガラス形状加工物を形成して製造される。そして、ガラス形状加工物は380°Cに保ったKNO3:NaNO3=60%:40%の混塩の処理浴中に3時間浸漬させられる。実施例1のガラスプレートGPでは端面研磨加工が行われたが、比較例3のガラスプレートGPは端面研削加工(400番仕上げ)であり端面が粗くなっている。この点で比較例3のガラスプレートGPは実施例1のガラスプレートGPと異なる。
比較例4のガラスプレートGPは、ガラスNo.3のガラス基材を徐冷した後、外形加工、端面研削加工(600番仕上げ)、上下面研削加工及び上下面研磨加工を施し、外径201mm、板厚み0.5mmのガラス形状加工物を形成して製造される。そして、ガラス形状加工物は390°Cに保ったKNO3=100%の処理浴中に3時間浸漬させられる。比較例4のガラスプレートGPは、実施例7又は実施例8のガラスプレートGPと比較して処理浴中の温度が低く浸漬時間が短い点で異なっている。
比較例5のガラスプレートGPは、ガラスNo.3のガラス基材を徐冷した後、外形加工、端面研削加工(600番仕上げ)、上下面研削加工及び上下面研磨加工を施し、外径201mm、板厚み0.5mmのガラス形状加工物を形成して製造される。化学強化処理はガラス形状加工物に対して一切行っていない。この点で実施例7又は実施例8のガラスプレートGPと異なる。
以上を整理した表2を以下に示す。
(表2)
実施例1ないし実施例9のガラスプレートGP並びに比較例1ないし比較例5のガラスプレートGPについて圧縮応力層の厚みと最大曲げ角度とを測定した。各実施例又は各比較例とも3枚から4枚のガラスプレートGPに対して測定を行い、その平均値は以下の通りである。なお、圧縮応力層の厚み及び最大曲げ角度の測定方法は後述する。
実施例1のガラスプレートGPは、圧縮応力層の厚みが約100μmであり、最大曲げ角度は平均53°であった。なお、測定した4枚のガラスプレートGPの内、最大の最大曲げ角度は62°であり、30°以下になるものは無かった。
実施例2のガラスプレートGPは、圧縮応力層の厚みが約120μmであり、最大曲げ角度は平均55°であった。なお、測定したガラスプレートGPの内、最大曲げ角度が30°以下になるものは無かった。
実施例3のガラスプレートGPは、圧縮応力層の厚みが約100μmであり、最大曲げ角度は平均32°であった。なお、測定したガラスプレートGPの内、最大曲げ角度が30°以下になるものは無かった。
実施例4のガラスプレートGPは、圧縮応力層の厚みが約130μmであり、最大曲げ角度は平均48°であった。なお、測定したガラスプレートGPの内、最大曲げ角度が30°以下になるものは無かった。
実施例5のガラスプレートGPは、圧縮応力層の厚みが約100μmであり、最大曲げ角度は平均54°であった。なお、測定したガラスプレートGPの内、最大曲げ角度が30°以下になるものは無かった。
実施例6のガラスプレートGPは、圧縮応力層の厚みが約220μmであり、最大曲げ角度は平均32°であった。なお、測定したガラスプレートGPの内、最大曲げ角度が30°以下になるものは無かった。
実施例7のガラスプレートGPは、圧縮応力層の厚みが約25μmであり、最大曲げ角度は平均50°であった。なお、測定したガラスプレートGPの内、最大曲げ角度が30°以下になるものは無かった)。
[実施例8のガラスプレートGP]
実施例9のガラスプレートGPは、圧縮応力層の厚みが約24μmであり、最大曲げ角度は平均52°であった。なお、測定したガラスプレートGPの内、最大曲げ角度が30°以下になるものは無かった。
比較例1のガラスプレートGPは、圧縮応力層の厚みがなく、最大曲げ角度は平均18°であった。なお、測定したガラスプレートGPの内、最大曲げ角度が30°より大きな値になるものは無かった。
比較例2のガラスプレートGPは、圧縮応力層の厚みがなく、最大曲げ角度は平均13°であった。なお、測定したガラスプレートGPの内、最大曲げ角度が30°より大きな値になるものは無かった。
比較例3のガラスプレートGPは、圧縮応力層の厚みが約100μmであり、最大曲げ角度は平均15°であった。なお、測定したガラスプレートGPの内、最大曲げ角度が30°より大きな値になるものは無かった。
比較例4のガラスプレートGPは、圧縮応力層の厚みが約10μmであり、最大曲げ角度は平均25°であった。なお、4枚のガラスプレートGPの最大曲げ角度のバラツキが大きく、29°から18°までの範囲であった。
比較例5のガラスプレートGPは、圧縮応力層の厚みがなく、最大曲げ角度は平均20°であった。測定したガラスプレートGPの内、最大曲げ角度が30°より大きな値になるものは無かった。
以上の結果を表3に示す。
(表3)
<<ガラスプレートGPの最大曲げ角度>>
図1のステップS15で説明したように、最大曲げ角度が30°以上であれば、半導体ウエハSWからガラスプレートGPを剥離して分離させる際に、大きな力がかかることなく半導体回路を破損してしまうことがなかった。
実施例1のガラスプレートGPと比較例1のガラスプレートGPとは、同じガラス基材でさらに同じ形状で同じ端面処理を施しており、異なる点は実施例1のガラスプレートGPがイオン交換による化学強化処理が施されているのに対して、比較例1のガラスプレートGPがイオン交換による化学強化処理が施されていないところである。最大曲げ角度は、実施例1のガラスプレートGPが53°もあるのに対し、比較例1のガラスプレートGPは18°しかない。同様に、実施例3のガラスプレートGPと比較例2のガラスプレートGPとにおいては、それぞれの最大曲げ角度が32°と13°とであった。また同様に、実施例7のガラスプレートGPと比較例5のガラスプレートGPとにおいては、それぞれの最大曲げ角度が50°と20°とであった。つまり、イオン交換による化学強化処理を行うと、最大曲げ角度30°以上を容易に確保できる。
実施例1ないし実施例9及び比較例1ないし比較例5のガラスプレートGPは、厚さが0.5mm又は1.0mmで薄く、曲面であるため、端面の面粗さを容易に測定できない。そこで、ガラスNo.1、ガラスNo.2及びガラスNo.3、それぞれに対して、外径20mmで、厚さが1.0mmの上下面を研削処理品又は研磨処理品を作製し、その平面部である上下面の算術平均粗さRaを測定し、端面の面粗さの代用結果を得た。ガラスNo.1、ガラスNo.2及びガラスNo.3の種類の違いによる差異は見受けられなかった。
600番仕上げ研削処理品 :Ra=350〜440 nm
研磨処理品(光学研磨レベル) :Ra=1.0〜1.6 nm
なお、上記測定において測定装置は、Veeco社製の接触式粗さ計(型式:Dektak 6M)を用いた。算術平均粗さRa(nm)を用いて評価した。
実施例7及び実施例8と比較例4とは形状及びガラスプレートGP厚が同じで、端面が600番仕上げの研削処理である点で同じである。しかし、比較例4はイオン交換による化学強化処理の条件の融液温度が低く融液浸漬時間も短い点で実施例7及び実施例8と異なっている。比較例4のガラスプレートGPの圧縮応力層厚みは10μmであって、その時の最大曲げ角度は平均25°であった。比較例4のガラスプレートGPの複数枚の実験結果のバラツキも非常に大きく最低は18°のものもあった。半導体ウエハSWに粘着したガラスプレートGPを剥離させる際に、半導体回路が破損するなどの問題が起きないとする最大曲げ角度30°を確保することができなかった。これは、圧縮応力層厚みが10μmしかなかったために起きたと考えられる。また、比較例4の最大曲げ角度バラツキが大きい理由として、圧縮応力層厚みが10μmと小さい時には、少しの圧縮応力層厚みの数μmのバラツキの比率が、最大曲げ角度の大きなバラツキとして現れたと考えられる。
実施例1と実施例3は、ガラス基材、形状、端面処理及びイオン交換処理がすべて同じであり、実施例1のガラスプレートGPの板厚が0.5mmで、実施例3のガラスプレートGPの板厚が1.0mmである点で異なる。ぞれぞれの最大曲げ角度は53°、32°であった。ガラス板厚を薄くすればするほど最大曲げ角度は大きくなり、ガラス板厚を厚くすればするほど最大曲げ角度は小さくなると推定できる。上述したように最大曲げ角度は30°を確保したいため、補外計算からガラスプレートGPの板厚は、最大1.1mmであると予測できる。
図4は、ガラスプレートGPの圧縮応力層厚みの測定方法を示した図である。
化学強化による圧縮応力がガラスプレートGP内に存在すると、光弾性効果により圧縮応力部分は複屈折性を示す。直交させた偏光板の間にガラスプレートGPを載置させて、そのガラスプレートGPの向きを調整すると、暗視野中にくっきりと明るい領域が見えてくる。この明るい領域の幅を計測することで圧縮応力層厚みを測定することができる。圧縮応力層が比較的深く入った実施例1ないし実施例6及び比較例3(ガラスNo.1又はガラスNo.2)については、本方法で圧縮応力層厚みを測定した。圧縮応力層が比較的浅く入った実施例7ないし実施例9及び比較例4(ガラスNo.3)は、明るい領域が薄すぎて厚みを正しく計測できなかった。
実施例6はイオン交換が起こっている厚みを測定した。本法は圧縮応力層厚みの測定(その1)で作製した研磨ガラス片44を用いて、EPMA(Electron Probe Micro-Analysis:電子線マイクロアナリシス)によるナトリウム(Na)の線分析(線上の元素分析)を行った。EPMAとは、試料表面に約1μmに絞った電子線を照射して、試料と電子線の相互作用により発生する特性X線を検出する分析である。EPMAを用いたナトリウム(Na)の線分析とは、研磨ガラス片44の面48又は面49から、ガラス内側に向かって線上の元素分布分析をすることである。ガラス内側に向かった線上の距離と、検出したナトリウムの濃度分布から、イオン交換が起こっていない領域とリチウムとイオン交換が起こりナトリウムの濃度が増している領域との変曲点が特定できる。面48及び面49からその変曲点の位置まで距離を圧縮応力層とした。本方法による実施例6の圧縮応力層の厚みは220μmであった。
ガラスのような透明物体を直線偏光光が通過するとき、その物体に生じている力(本実施例では圧縮応力)によって光が影響を受ける。この影響を測定することで物体の内部に働く力を解析することできる。本法は光弾性解析法と呼ばれておりJIS規格(R−3222)として一般化されており表面応力計として市販されている。圧縮応力層が比較的浅く入った実施例7ないし実施例9及び比較例4(ガラスNo.3)は、光弾性解析法を使って圧縮応力層の厚みを測定した。図4(a)に示すガラスプレートGPをそのまま用いた。なお、本方法を使って、圧縮応力層が比較的深く入った実施例1ないし実施例6及び比較例3(ガラスNo.1又はガラスNo.2)の計測を試みたが、解析に必要な像を検出することができず、計測自体ができなかった。
図5は、ガラスプレートGPの曲げ角度の測定方法を示した図である。図5(a)において、厚み25×幅200×奥行き250mmの木板や鉄板などの硬質板61Aの上に、厚み3mm×幅200×奥行き250のゴムシートやビニールシートなどの軟質シート62Aを貼り付けた。同じ大きさの軟質シート62Bを貼り付けた同じ大きさの硬質板61Bを用意し、28mm*250mmの側面を合わせてA地点を基点に折り曲げの動きができるようにA地点付近に蝶番を取り付けてある。軟質シート62A付き硬質板61Aは動かないように固定し、軟質シート62B付き硬質板61BはA地点で折り曲げることができる。
実施形態1では、化学強化されたガラスプレートGPを説明した。化学強化されたガラスプレートGP以外に、コーティング強化されたガラスプレートGPであっても最大30°以上曲がるガラスプレートGPを提供することができる。以下にこの条件を満たすコーティング強化されたガラスプレートGPについて説明する。
コーティング強化されたガラスプレートGPに用いるガラス基材は上記実施形態1と同様のガラスNo.1、ガラスNo.2、ガラスNo.3を使用した。化学強化をする必要がないので、0.5mm厚又は1.0mm厚の低アルカリガラスもしくは無アルカリガラスであってもよい。実施形態1と同様に、0.3mm厚から1.1mm厚のガラス基材がウエハに接着して支持するガラス基材として好ましい。また、ガラス基材の端面処理は算術平均粗さRaが400nm以下に加工する。
ガラス基材の可撓性を向上させるためのコーティング剤は、ポリエーテルサルホンを有し、このコーティング剤の溶媒が芳香族炭化水素、ハロゲン化炭化水素、エステル類、ケトン類、ニトリル類、スルホキシド類のいずれかを含む。溶媒は、ポリエーテルサルホンをコーティング剤中で安定なものとするために、芳香族炭化水素、ハロゲン化炭化水素、エステル類、ケトン類、ニトリル類、スルホキシド類のいずれかに属する化学種から2種以上選択する。
DE … 厚み
DD … 厚さ
DT … ガラス用剥離テープ
GP … ガラスプレート(GP1,GP2 … 上下面)
L … 外径
PE … 端面(周縁部)
SW … 半導体ウエハ
31 … 研削装置(ダイヤモンドグラインダー)
35 … 真空チャック
42A,42B,43A,43B … ライン
44 … 研磨ガラス片
44T1,44T2,44T3 … 領域
44B1,44B2 … 不透過領域
47 … スライドガラス
45A,45B,49,48 … 面
51A,51B … 偏光板
53 … 光源
61A,61B … 硬質板
62A,62B … 軟質シート
65 … 半円柱硬質板
66 … 第2軟質シート
Claims (9)
- 半導体ウエハに接着してこの半導体ウエハを支持するウエハ支持ガラスであって、
前記半導体ウエハから前記ウエハ支持ガラスを剥離するため、所定角度以上曲がることを特徴とするウエハ支持ガラス。 - 前記所定角度は、最大曲げ角度で30度であることを特徴とする請求項1に記載のウエハ支持ガラス。
- 前記ウエハ支持ガラスは、化学強化処理による圧縮応力層を有することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のウエハ支持ガラス。
- 前記ウエハ支持ガラスは、Na2O又はLi2Oを含むことを特徴とする請求項3に記載のウエハ支持ガラス。
- 前記ウエハ支持ガラスは、コーティング処理によるコーティング層を有することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のウエハ支持ガラス。
- 前記ウエハ支持ガラスの板厚は0.3mm〜1.1mmであり、前記圧縮応力層の深さは15μm以上220μm以内であることを特徴とする請求項3ないし請求項5のいずれか一項に記載のウエハ支持ガラス。
- 前記ウエハ支持ガラスは、第1面、第2面及び周縁部を有し、
前記周縁部は面取り部又は前記第1面と第2面とを結ぶ曲面が形成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載のウエハ支持ガラス。 - 前記ウエハ支持ガラスの周縁部は、算術平均粗さが440nm以下であることを特徴とする請求項7に記載のウエハ支持ガラス。
- 前記半導体ウエハは所定直径を有する円形であり、前記ウエハ支持ガラスは前記所定直径よりも一回り大きい直径を有している円形であることを特徴とする請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載のウエハ支持ガラス。
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