WO2021241312A1 - 支持ガラス基板及びこれを用いた積層基板 - Google Patents

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良太 鈴木
健 結城
哲哉 村田
智憲 市丸
雄太 永野
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日本電気硝子株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a support glass substrate for supporting a processed substrate and a laminated substrate using the same, and specifically, a support glass substrate used for supporting the processed substrate in a semiconductor package (semiconductor device) manufacturing process and the support glass substrate thereof. Regarding the laminated substrate used.
  • the conventional wafer level package is manufactured by forming bumps in the state of a wafer and then individualizing them by dicing.
  • the conventional WLP has a problem that it is difficult to increase the number of pins and the semiconductor chip is easily chipped because the back surface of the semiconductor chip is exposed.
  • the fan-out type WLP can increase the number of pins, and by protecting the end portion of the semiconductor chip, it is possible to prevent the semiconductor chip from being chipped or the like. and,
  • a process of molding a plurality of semiconductor chips with a resin encapsulant to form a processed substrate, and then wiring to one surface of the processed substrate, a process of forming a solder bump, and the like are performed.
  • the supporting glass substrate may be damaged and an expensive processed substrate may not be usable. In order to avoid such a situation, it is important to increase the strength of the supporting glass substrate.
  • Lithium aluminosilicate-based glass is promising as a high-strength glass substrate (see Patent Document 1).
  • Lithium aluminosilicate-based glass generally has a higher Young's modulus than aluminoborosilicate-based glass, so that it has high mechanical strength and is likely to be less likely to be damaged when dropped.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and a technical problem thereof is to provide a support glass substrate which is unlikely to cause a dimensional change of a processed substrate and is not easily damaged when dropped, and a laminated substrate using the same. ..
  • the present inventors can solve the above technical problems by using lithium aluminosilicate-based glass as a supporting glass substrate and restricting the coefficient of thermal expansion within a predetermined range.
  • the supporting glass substrate of the present invention is a supporting glass substrate for supporting the processed substrate, which is a lithium aluminum nosilicate-based glass, and the content of Li 2 O in the glass composition is 0.02 to 25 mol%.
  • the average linear thermal expansion coefficient in the temperature range of 30 to 380 ° C. is 38 ⁇ 10 -7 / ° C. or higher and 160 ⁇ 10 -7 / ° C. or lower.
  • lithium aluminosilicate-based glass refers to glass containing SiO 2 , Al 2 O 3 , and Li 2 O in the glass composition.
  • the "average coefficient of linear thermal expansion in the temperature range of 30 to 380 ° C.” refers to a value obtained by measuring the average coefficient of thermal expansion using a dilatometer.
  • the supporting glass substrate of the present invention is a supporting glass substrate for supporting a processed substrate, and has a glass composition of mol%, SiO 2 50 to 80%, Al 2 O 3 4 to 25%, B 2. O 30 to 16%, Li 2 O 0.9 to 15%, Na 2 O 0 to 21%, K 2 O 0 to 15%, MgO 0 to 10%, ZnO 0 to 10%, P 2 O 5 It preferably contains 0 to 15%.
  • [Na 2 O] refers to the mol% content of Na 2 O.
  • Li 2 O] refers to the mol% content of Li 2 O.
  • [Al 2 O 3 ] refers to the mol% content of Al 2 O 3.
  • [B 2 O 3 ] refers to the mol% content of B 2 O 3.
  • [P 2 O 5 ] refers to the mol% content of P 2 O 5.
  • Li 2 O contains Li 2 O from the content of Na 2 O. It refers to the value obtained by dividing the amount obtained by subtracting the amount by the total amount of Al 2 O 3 , B 2 O 3 and P 2 O 5.
  • ([Na 2 O]? [Li 2 O]) / ([Al 2 O 3 ] + [B 2 O 3 ] + [P 2 O 5 ]) is Li 2 from the content of Na 2 O. It refers to the value obtained by dividing the amount obtained by subtracting the O content by the total amount of Al 2 O 3 , B 2 O 3 and P 2 O 5.
  • the supporting glass substrate of the present invention contains ([Li 2 O] + [Na 2 O] + [K 2 O]) in an amount of 12 mol% or more, and contains [SiO 2 ] + 1.2 ⁇ [P 2 O 5]. ] -3 x [Al 2 O 3 ] -2 x [Li 2 O] -1.5 x [Na 2 O]-[K 2 O]-[B 2 O 3 ] ⁇ -40% Is preferable.
  • [K 2 O] refers to the mol% content of K 2 O.
  • [SiO 2 ] refers to the mol% content of SiO 2.
  • [Li 2 O] + [Na 2 O] + [K 2 O]) refers to the total amount of Li 2 O, Na 2 O and K 2 O.
  • [SiO 2 ] + 1.2 ⁇ [P 2 O 5 ] -3 ⁇ [Al 2 O 3 ] -2 ⁇ [Li 2 O] -1.5 ⁇ [Na 2 O]-[K 2 O]-[B 2 O 3 ] is 3 times the content of Al 2 O 3 , 2 times the content of Li 2 O, and Na from the total of the content of SiO 2 and 1.2 times the content of P 2 O 5. It refers to a value obtained by reducing the content of 2 O by 1.5 times, the content of K 2 O, and the content of B 2 O 3.
  • the temperature at a high temperature viscosity of 10 2.5 dPa ⁇ s is preferably less than 1660 ° C.
  • the "temperature at a high temperature viscosity of 10 2.5 dPa ⁇ s" can be measured by, for example, a platinum ball pulling method.
  • the support glass substrate of the present invention has an overflow confluence surface at the center in the plate thickness direction, that is, is formed by an overflow downdraw method.
  • the "overflow down draw method” molten glass is overflowed from both sides of the refractory of the molded body, and the overflowed molten glass is drawn and molded downward while merging at the lower end of the refractory of the molded body to form a glass substrate. It is a manufacturing method.
  • the mass loss per unit surface area when immersed in a 5 mass% HCl aqueous solution heated to 80 ° C. for 24 hours is preferably 100.0 mg / cm 2 or less.
  • the mass loss per unit surface area when immersed in a 5 mass% NaOH aqueous solution heated to 80 ° C. for 6 hours is preferably 5.0 mg / cm 2 or less.
  • the supporting glass substrate of the present invention has a compressive stress layer on the glass surface.
  • a method of increasing the strength of the glass substrate a method of chemically strengthening the glass substrate is known (see Patent Document 2).
  • Patent Document 2 a method of increasing the strength of the tempered glass substrate.
  • the supporting glass substrate of the present invention has a compressive stress layer on the glass surface, and has a glass composition of mol%, SiO 2 50 to 80%, Al 2 O 3 4 to 25%, B 2 O 30 to. 16%, Li 2 O 0.9 ⁇ 15%, Na 2 O 0 super ⁇ 21%, K 2 O 0 ⁇ 15%, MgO 0 ⁇ 10%, ZnO 0 ⁇ 10%, P 2 O 5 0 ⁇ 15% Is preferably contained.
  • the compressive stress value on the outermost surface of the compressive stress layer is preferably 165 to 1000 MPa.
  • the "compressive stress value on the outermost surface” and the “stress depth” were measured from a phase difference distribution curve observed using, for example, a scattered light photoelastic stress meter SLP-1000 (manufactured by Orihara Seisakusho Co., Ltd.). Point to a value.
  • the stress depth refers to the depth at which the stress value becomes zero.
  • the refractive index of each measurement sample is 1.51 and the optical elastic constant is 30.1 [(nm / cm) / MPa].
  • the stress depth of the compressive stress layer is preferably 50 to 200 ⁇ m.
  • Lithium aluminosilicate glass is advantageous in obtaining deep stress depths.
  • a glass substrate made of lithium aluminosilicate glass is immersed in a molten salt containing NaNO 3 and the Li ions in the glass and the Na ions in the molten salt are exchanged with each other, a tempered glass substrate having a deep stress depth is obtained. Obtainable.
  • the supporting glass substrate of the present invention has a compressive stress layer on the glass surface, and has a glass composition of 17 mol% or more of Al 2 O 3 and 1 mol% or more of P 2 O 5 ([Li 2 O]. + [Na 2 O] + [K 2 O]) in 12 mol% or more, [SiO 2 ] + 1.2 x [P 2 O 5 ] -3 x [Al 2 O 3 ] -2 x [Li 2 It is preferable to satisfy the relationship of O] ⁇ 1.5 ⁇ [Na 2 O] ⁇ [K 2 O] ⁇ [B 2 O 3] ⁇ ⁇ 20 mol%.
  • the supporting glass substrate of the present invention has a compressive stress layer on the glass surface and has at least a first peak, a second peak, a first bottom, and a second bottom in the stress profile in the thickness direction.
  • the supporting glass substrate of the present invention has a wafer shape or a substantially disk shape having a diameter of 100 to 500 mm, a plate thickness of less than 2.0 mm, an overall plate thickness deviation (TTV) of 5 ⁇ m or less, and The amount of warpage is preferably 60 ⁇ m or less.
  • TTV overall plate thickness deviation
  • the "overall plate thickness deviation (TTV)” is the difference between the maximum plate thickness and the minimum plate thickness of the entire supporting glass substrate, and can be measured by, for example, SBW-331ML / d manufactured by Kobelco Kaken Co., Ltd.
  • the "warp amount” refers to the sum of the absolute value of the maximum distance between the highest point and the least squares focal plane in the entire support glass substrate and the absolute value of the lowest point and the least squares focal plane, for example, Kobelco. It can be measured by the Bow / Warp measuring device SBW-331M / Ld manufactured by Kaken.
  • the support glass substrate of the present invention has a substantially rectangular shape of ⁇ 200 mm or more, has a plate thickness of 1.0 mm or more, and has an overall plate thickness deviation (TTV) of 30 ⁇ m or less.
  • the support glass substrate of the present invention preferably has a corner angle of 89.0 to 91.0 ° when viewed from above.
  • the support glass substrate of the present invention preferably has a positioning portion on the outer peripheral portion, and it is more preferable that the positioning portion has any one of a notch structure, a chamfered structure, and a notch structure.
  • the laminate of the present invention is a laminate including at least a processed substrate and a supporting glass substrate for supporting the processed substrate, and the supporting glass substrate is preferably the above-mentioned supporting glass substrate.
  • the processed substrate preferably includes at least a semiconductor chip molded with a sealing material.
  • the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention includes a step of preparing a laminate including at least a processed substrate and a supporting glass substrate for supporting the processed substrate, and a step of processing the processed substrate.
  • the support glass substrate is the above-mentioned support glass substrate.
  • the processing process includes a step of wiring to one surface of the processed substrate.
  • the processing process includes a step of forming a solder bump on one surface of the processed substrate.
  • Glass substrates of the present invention has a glass composition, in mol%, SiO 2 50 ⁇ 65% , Al 2 O 3 8 ⁇ 25%, B 2 O 3 0 ⁇ 10%, Li 2 O 5.1 ⁇ 20%, Contains Na 2 O over 10 to 16.1%, K 2 O 0 to 15%, MgO 0.01 to 3%, CaO 0 to 10%, ZrO 2 0.01 to 10%, and a young rate of 80 GPa or more. It is characterized by being.
  • “Young's modulus” refers to a value calculated by a method based on JIS R1602-1995 "Resilient modulus test method for fine ceramics”.
  • the glass substrate of the present invention has a glass composition, in mol%, SiO 2 50 ⁇ 65% , Al 2 O 3 8 ⁇ 18%, B 2 O 3 0 ⁇ 10%, Li 2 O 20 ⁇ 25%, It contains Na 2 O 0.01 to 10%, K 2 O 0 to 15%, MgO 0 to 10%, CaO 0.01 to 10%, ZrO 20 to 10%, a young rate of 85 GPa or more, and breaking toughness. It is characterized in that K 1C is 0.80 MPa ⁇ m 0.5 or more.
  • fracture toughness K 1C refers to a value calculated by a method based on JIS R1607-2015 "Room temperature fracture toughness test method for fine ceramics".
  • the glass substrate of the present invention has a glass composition of mol%, SiO 2 64 to 76%, Al 2 O 3 4 to 15%, B 2 O 3 4 to 16%, Li 2 O 0.1 to 14%, Na 2 O 0.01 ⁇ 14%, K 2 O 0 ⁇ 15%, MgO 0 ⁇ 7%, CaO 0 ⁇ 7%, SrO 0 ⁇ 7%, BaO 0 ⁇ 7%, containing ZrO 2 0 ⁇ 10%
  • the young ratio is 60 GPa or more
  • the average linear thermal expansion coefficient in the temperature range of 30 to 380 ° C. is 38 ⁇ 10 -7 / ° C. or more
  • the average linear thermal expansion coefficient is 85 ⁇ 10 -7 / ° C. or less. ..
  • the glass substrate of the present invention has a glass composition of mol%, SiO 2 64 to 76%, Al 2 O 3 4 to 15%, B 2 O 3 4 to 16%, Li 2 O 0.1 to 14. %, Na 2 O 0.01 ⁇ 14 %, K 2 O 0 ⁇ 15%, MgO 0.01 ⁇ 7%, CaO 0.01 ⁇ 7%, SrO 0 ⁇ 7%, BaO 0 ⁇ 7%, ZrO 2
  • the Young's ratio is 60 GPa or more
  • the average linear thermal expansion coefficient in the temperature range of 30 to 380 ° C is 38 ⁇ 10 -7 / ° C or more, and 85 ⁇ 10 -7 / ° C or less. It is characterized by being.
  • the glass substrate of the present invention has a glass composition of mol%, SiO 2 64 to 76%, Al 2 O 3 4 to 15%, B 2 O 3 4 to 16%, Li 2 O 0.1 to 14. %, Na 2 O 0.01 ⁇ 14 %, K 2 O 0 ⁇ 15%, MgO 0 ⁇ 7%, CaO 0 ⁇ 7%, SrO 0.01 ⁇ 7%, BaO 0 ⁇ 7%, ZrO 2 0 ⁇ It contains 10%, has a Young rate of 60 GPa or more, and has an average linear thermal expansion coefficient of 38 ⁇ 10 -7 / ° C or more and 85 ⁇ 10 -7 / ° C or less in the temperature range of 30 to 380 ° C. It is characterized by.
  • the glass substrate of the present invention has a glass composition of mol%, SiO 2 64 to 76%, Al 2 O 3 4 to 15%, B 2 O 3 4 to 16%, Li 2 O 0.1 to 14. %, Na 2 O 0.01 ⁇ 14 %, K 2 O 0 ⁇ 15%, MgO 0.01 ⁇ 7%, CaO 0.01 ⁇ 7%, SrO 0.01 ⁇ 7%, BaO 0 ⁇ 7%, It contains 20 to 10% of ZrO, has a Young rate of 60 GPa or more, and has an average coefficient of linear thermal expansion of 38 ⁇ 10 -7 / ° C. or more and 85 ⁇ 10 -7 / ° C. or less in the temperature range of 30 to 380 ° C. It is characterized by being a thing.
  • the glass substrate of the present invention has a glass composition of mol%, SiO 2 64 to 76%, Al 2 O 3 4 to 15%, B 2 O 3 4 to 16%, Li 2 O 1.5 to 8 .5%, Na 2 O 0.01 ⁇ 14%, K 2 O 0 ⁇ 15%, MgO 0.01 ⁇ 7%, CaO 0.01 ⁇ 7%, SrO 0.01 ⁇ 7%, BaO 0 ⁇ 7 %, ZrO 20 to 10%, Young rate of 60 GPa or more, average linear thermal expansion coefficient of 38 x 10-7 / ° C or more in the temperature range of 30 to 380 ° C, and 85 x 10-7 / ° C or less. It is characterized by being.
  • the supporting glass substrate of the present invention is a lithium aluminosilicate-based glass, and the content of Li 2 O in the glass composition is 0.02 to 25 mol%.
  • Li 2 O is a component that lowers the high-temperature viscosity and enhances meltability and moldability, and is a component that enhances Young's modulus and fracture toughness K 1c . It is also a necessary component to increase the coefficient of thermal expansion.
  • Li 2 O is an ion exchange component, and in particular, is an essential component for ion exchange between Li ions contained in glass and Na ions in a molten salt to obtain a deep stress depth.
  • the suitable lower limit range of Li 2 O is 0.02 mol% or more, 0.03 mol% or more, 0.04 mol% or more, 0.05 mol% or more, 0.1 mol% or more, 0.2 mol.
  • % Or more 0.3 mol% or more, 0.4 mol% or more, 0.5 mol% or more, 0.9 mol% or more, 1 mol% or more, 1.5 mol% or more, 2 mol% or more, 3 mol % Or more, 4 mol% or more, 4.5 mol% or more, 4.9 mol% or more, 5 mol% or more, 5.1 mol% or more, 5.2 mol% or more, 5.5 mol% or more, 6. 5 mol% or more, 7 mol% or more, 7.3 mol% or more, 7.5 mol% or more, 7.8 mol% or more, particularly 8 mol% or more.
  • the Li 2 O content is 15% or more, particularly 20% or more. Therefore, the preferred upper limit of Li 2 O is 25 mol% or less, 24 mol% or less, 23 mol% or less, 22 mol% or less, 21 mol% or less, 20.5 mol% or less, 20.1 mol% or less, 20 mol% or less, 19.9 mol% or less, 19.8 mol% or less, 19 mol% or less, 18 mol% or less, 17 mol% or less, 16 mol% or less, 15 mol% or less, 13 mol% or less, 12 Mol% or less, 11.5 mol% or less, 11 mol% or less, 10.5 mol% or less, less than 10 mol%, 9.9 mol% or less, 9 mol% or less, 8.9 mol% or less, especially 8. It is 5% or less.
  • the coefficient of thermal expansion of the support glass substrate is regulated so as to match the coefficient of thermal expansion of the processed substrate. Specifically, when the proportion of the semiconductor chip in the processed substrate is small and the proportion of the encapsulant is large, it is preferable to increase the coefficient of thermal expansion of the supporting glass substrate, and conversely, in the processed substrate, the semiconductor chip When the ratio is large and the ratio of the encapsulant is small, it is preferable to reduce the coefficient of thermal expansion of the supporting glass substrate. Therefore, the average coefficient of linear thermal expansion of the supporting glass substrate in the temperature range of 30 to 380 ° C. is preferably 38 ⁇ 10 -7 / ° C. or higher, preferably 160 ⁇ 10 -7 / ° C.
  • the "coefficient of thermal expansion at 30 to 380 ° C.” refers to
  • the supporting glass substrate of the present invention has a glass composition of mol%, SiO 2 50 to 80%, Al 2 O 3 4 to 25%, B 2 O 30 to 16%, Li 2 O 0.9 to 15%. , Na 2 O 0 super ⁇ 21%, K 2 O 0 ⁇ 15%, MgO 0 ⁇ 10%, ZnO 0 ⁇ 10%, preferably contains P 2 O 5 0 ⁇ 15% .
  • the% indication means mol%.
  • SiO 2 is a component that forms a network of glass. If the content of SiO 2 is too small, it becomes difficult to vitrify, and the coefficient of thermal expansion becomes too high, so that the thermal impact resistance tends to decrease. Therefore, the preferable lower limit range of SiO 2 is 50% or more, 55% or more, 57% or more, 59% or more, and particularly 61% or more. On the other hand, if the content of SiO 2 is too large, the meltability and moldability tend to decrease, and the coefficient of thermal expansion becomes too low, making it difficult to match the coefficient of thermal expansion of the peripheral material. Therefore, the preferred upper limit range of SiO 2 is 80% or less, 70% or less, 68% or less, 66% or less, 65% or less, and particularly 64.5% or less.
  • Al 2 O 3 is a component that enhances strain point, Young's modulus, fracture toughness, and Vickers hardness, and is a component that enhances ion exchange performance. Therefore, the suitable lower limit range of Al 2 O 3 is 4% or more, 8% or more, 10% or more, 12% or more, 13% or more, 14% or more, 14.4% or more, 15% or more, 15.3%. As mentioned above, 15.6% or more, 16% or more, 16.5% or more, 17% or more, 17.5% or more, 18% or more, more than 18%, particularly 18.5% or more. On the other hand, if the content of Al 2 O 3 is too large, the high-temperature viscosity increases, and the meltability and moldability tend to decrease.
  • the preferred upper limit range of Al 2 O 3 is 25% or less, 21% or less, 20.5% or less, 20% or less, 19.9% or less, 19.5% or less, 19.0% or less, especially 18 It is 9.9% or less. If the content of Al 2 O 3 having a large influence on the ion exchange performance is set in a suitable range, it becomes easy to form a profile having a first peak, a second peak, a first bottom, and a second bottom.
  • B 2 O 3 is a component that lowers the high-temperature viscosity and density, stabilizes the glass, makes it difficult for crystals to precipitate, and lowers the liquidus temperature. If the content of B 2 O 3 is too small, the glass may become unstable and the devitrification resistance may decrease. Therefore, the suitable lower limit range of B 2 O 3 is 0% or more, 0.1% or more, 0.2% or more, 0.5% or more, 0.6% or more, 0.7% or more, 0.8%. As mentioned above, it is 0.9% or more, especially 1% or more. On the other hand, if the content of B 2 O 3 is too large, the stress depth may become shallow.
  • the preferred upper limit range of B 2 O 3 is 16% or less, 14% or less, 12% or less, 10% or less, 5% or less, 4% or less, 3.8% or less, 3.5% or less, 3. 3% or less, 3.2% or less, 3.1% or less, 3% or less, especially 2.9% or less. If the content of B 2 O 3 is set in a suitable range, it becomes easy to form a profile having a first peak, a second peak, a first bottom, and a second bottom.
  • Na 2 O is an ion exchange component, and is a component that lowers high-temperature viscosity and enhances meltability and moldability. Further, Na 2 O is a component that enhances devitrification resistance, and in particular, is a component that suppresses devitrification caused by a reaction with an alumina-based refractory. Furthermore, Na 2 O is also a component that increases the coefficient of thermal expansion. Therefore, the suitable lower limit range of Na 2 O is more than 0%, 3% or more, 4% or more, 5% or more, 6% or more, 7% or more, 7.5% or more, 8% or more, 8.5% or more. , 8.8% or more, 9% or more, especially more than 10%.
  • the preferred upper limit range of Na 2 O is 21% or less, 20% or less, 19% or less, particularly 18% or less, 16.1% or less, 14% or less, 15% or less, 13% or less, especially 11% or less. Is.
  • K 2 O is a component that lowers high-temperature viscosity and enhances meltability and moldability. However, if the content of K 2 O is too large, the coefficient of thermal expansion becomes too high, and the thermal impact resistance tends to decrease. In addition, the compressive stress value on the outermost surface tends to decrease. Further, K 2 O is also a component that increases the coefficient of thermal expansion. Thus, K 2 O preferred upper range 15% or less, 10% or less, 7% or less, 6% or less, 5% or less, 4% or less, 3%, 2%, 1.5% or less, 1 % Or less, less than 1%, 0.5% or less, especially less than 0.1%. Incidentally, when emphasizing the viewpoint of deep stress depth, K 2 suitable lower limit range of O 0% or more, 0.1% or more, 0.3% or more, particularly 0.5% or more.
  • the molar ratio [Li 2 O] / ([Na 2 O] + [K 2 O]) is preferably 0.0 to 15.4, 0.1 to 10.0, 0.2 to 5.0, 0. .3 to 3.0, 0.4 to 1.0, 0.5 to 0.9, especially 0.6 to 0.8. If the molar ratio [Li 2 O] / ([Na 2 O] + [K 2 O]) is too small, there is a risk that the ion exchange performance cannot be fully exhibited. In particular, the efficiency of ion exchange between Li ions contained in the glass and Na ions in the molten salt tends to decrease.
  • MgO is a component that lowers high-temperature viscosity to improve meltability and moldability, and increases strain points and Vickers hardness.
  • MgO is a component that has a large effect of improving ion exchange performance. be.
  • the suitable content of MgO is 0-10%, 0.01-7%, 0.05-5%, 0.1-4%, 0.2-3.5%, especially 0.5-3. Less than%.
  • ZnO is a component that enhances ion exchange performance, and is a component that has a particularly large effect of increasing the compressive stress value on the outermost surface. It is also a component that lowers the high temperature viscosity without lowering the low temperature viscosity. Suitable lower limit ranges of ZnO are 0% or more, 0.1% or more, 0.3% or more, 0.5% or more, 0.7% or more, and particularly 1% or more. On the other hand, if the ZnO content is too high, the glass tends to be phase-separated, the devitrification resistance is lowered, the density is high, and the stress depth is shallow.
  • suitable upper limit ranges of ZnO are 10% or less, 6% or less, 5% or less, 4% or less, 3% or less, 2% or less, 1.5% or less, 1.3% or less, 1.2% or less. Especially, it is 1.1% or less.
  • P 2 O 5 is a component that enhances the ion exchange performance, and is a component that particularly deepens the stress depth. Furthermore, it is a component that improves acid resistance. If the content of P 2 O 5 is too small, there is a risk that the ion exchange performance cannot be fully exhibited. In particular, the efficiency of ion exchange between Na ions contained in the glass and K ions in the molten salt tends to decrease, and the stress depth (DOL_ZERO K ) of the compressive stress layer tends to decrease. In addition, the glass may become unstable and the devitrification resistance may decrease.
  • the suitable lower limit range of P 2 O 5 is 0% or more, 0.1% or more, 0.4% or more, 0.7% or more, 1% or more, 1.2% or more, 1.4% or more, 1.6% or more, 2% or more, 2.3% or more, 2.5% or more, especially 3% or more.
  • the content of P 2 O 5 is too large, the glass tends to be phase-separated and the water resistance tends to decrease. Further, the stress depth in the ion exchange between the Li ion contained in the glass and the Na ion in the molten salt becomes too deep, and as a result, the compressive stress value (CS Na ) of the compressive stress layer tends to be small.
  • the preferred upper limit range of P 2 O 5 is 15% or less, 10% or less, 5% or less, 4.5% or less, and particularly 4% or less. If the content of P 2 O 5 is in a suitable range, it becomes easy to form a non-monotonic profile.
  • the alkali metal oxide is a component that lowers the high-temperature viscosity and enhances meltability and moldability, and is an ion exchange component. Therefore, the suitable lower limit range of the alkali metal oxide ([Li 2 O] + [Na 2 O] + [K 2 O]) is 5% or more, 6% or more, 7% or more, 8% or more, 9% or more. 10% or more, 11% or more, 12% or more, 13% or more, 14% or more, especially 15% or more. However, if the content of the alkali metal oxide ([Li 2 O] + [Na 2 O] + [K 2 O]) is too large, the coefficient of thermal expansion may increase. In addition, acid resistance may decrease.
  • suitable upper limit ranges of alkali metal oxides are 28% or less, 25% or less, 23% or less, 20% or less, 19% or less. Especially, it is 18% or less.
  • the molar ratio [Li 2 O] / [P 2 O 5 ] is preferably 0 or more, 0.1 to 30, 0.5 to 29, 0.9 to 28, 3.8 to 27, 4 to 26, 10 ⁇ 25, especially 15-20. If the molar ratio [Li 2 O] / [P 2 O 5 ] is too small, the efficiency of ion exchange between Li ions contained in the glass and Na ions in the molten salt tends to decrease. On the other hand, if the molar ratio [Li 2 O] / [P 2 O 5 ] is too large, devitrified crystals are likely to precipitate on the glass, making it difficult to form a plate by the overflow downdraw method or the like. In addition, "[Li 2 O] / [P 2 O 5 ]" refers to a value obtained by dividing the content of Li 2 O by the content of P 2 O 5.
  • the molar ratio ([Na 2 O]? [Li 2 O]) / ([Al 2 O 3 ] + [B 2 O 3 ] + [P 2 O 5 ]) is preferably 1.50 or less, 0.70. Below, 0.50 or less, 0.30 or less, 0.29 or less, 0.27 or less, 0.26 or less, 0.25 or less, 0.23 or less, 0.20 or less, particularly 0.15 or less. If the molar ratio ([Na 2 O]? [Li 2 O]) / ([Al 2 O 3 ] + [B 2 O 3 ] + [P 2 O 5 ]) is too large, the ion exchange performance will be fully exhibited. There is a risk that it will not be possible. In particular, Li ions contained in the glass and Na ions in the molten salt tend to reduce the efficiency of ion exchange.
  • the molar ratio ([B 2 O 3 ] + [Na 2 O]? [P 2 O 5 ]) / ([Al 2 O 3 ] + [Li 2 O]) is preferably 0.001 or more, 0.05. These are 0.15 or more, 0.25 or more, 0.30 or more, 0.35 or more, 0.40 or more, 0.42 or more, 0.43 or more, and particularly 0.45 or more. If the molar ratio ([B 2 O 3 ] + [Na 2 O]? [P 2 O 5 ]) / ([Al 2 O 3 ] + [Li 2 O]) is too small, devitrified crystals will precipitate on the glass. It becomes easier to form a plate by the overflow down draw method or the like.
  • ([SiO 2 ] + 1.2 ⁇ [P 2 O 5 ] -3 ⁇ [Al 2 O 3 ] -2 ⁇ [Li 2 O] -1.5 ⁇ [Na 2 O]-[K 2 O] -[B 2 O 3 ]) is preferably 50% or less, 40% or less, 30% or less, 20% or less, 15% or less, 10% or less, 5% or less, and particularly 0% or less.
  • CaO is a component that lowers high-temperature viscosity, improves meltability and moldability, and increases strain points and Vickers hardness without lowering devitrification resistance as compared with other components. ..
  • the preferred upper limit range of CaO is 10% or less, 8% or less, 7% or less, 6% or less, 5% or less, 4% or less, 3.5% or less, 3% or less, 2% or less, 1% or less. Less than 1%, 0.5% or less, especially 0.01-0.1%.
  • SrO and BaO are components that lower the high-temperature viscosity to improve meltability and moldability, and increase the strain point and Young's modulus, but if their contents are too large, the ion exchange reaction is likely to be inhibited. In addition, the density and coefficient of thermal expansion become unreasonably high, and the glass tends to be devitrified. Therefore, the suitable contents of SrO and BaO are 0 to 7%, 0 to 5%, 0 to 3%, 0 to 2%, 0 to 1.5%, 0 to 1%, and 0 to 0.5, respectively. %, 0-0.1%, especially 0.01-less than 0.1%.
  • ZrO 2 is a component that enhances Vickers hardness and also a component that enhances viscosity and strain points near the liquid phase viscosity. However, if the content is too large, the devitrification resistance may be significantly lowered. Therefore, the suitable content of ZrO 2 is 0 to 5%, 0 to 4%, 0 to 3%, 0 to 1.5%, 0-1%, and particularly 0.01 to 0.1%.
  • TiO 2 is a component that enhances ion exchange performance and a component that lowers high-temperature viscosity, but if the content thereof is too large, transparency and devitrification resistance tend to decrease. Therefore, the suitable content of TiO 2 is 0 to 3%, 0 to 1.5%, 0 to 1%, 0 to 0.1%, and particularly 0.001 to 0.1 mol%.
  • the suitable lower limit range of SnO 2 is 0.005% or more, 0.01% or more, particularly 0.1% or more, and the suitable upper limit range is 3% or less, 2% or less, particularly 1% or less. ..
  • Cl is a clarifying agent, but if its content is too high, it is a component that adversely affects the environment and equipment. Therefore, the suitable lower limit range of Cl is 0.001% or more, particularly 0.01% or more, and the suitable upper limit range is 0.3% or less, 0.2% or less, and particularly 0.1% or less.
  • one or more selected from the group of SO 3 and CeO 2 may be added in an amount of 0.001 to 1%.
  • Fe 2 O 3 is an impurity that is inevitably mixed from the raw material. Suitable upper limit ranges for Fe 2 O 3 are 2000 ppm or less (0.2% or less), 1500 ppm or less (0.15% or less), less than 1000 ppm (less than 0.1%), less than 800 ppm, less than 600 ppm, less than 400 ppm, in particular. It is less than 300 ppm. If the content of Fe 2 O 3 is too large, the transmittance of the cover glass tends to decrease. On the other hand, the preferable lower limit range of Fe 2 O 3 is 10 ppm or more, 20 ppm or more, 30 ppm or more, 50 ppm or more, 80 ppm or more, and 100 ppm or more. If the content of Fe 2 O 3 is too small, a high-purity raw material is used, so that the raw material cost rises and the product cannot be manufactured at low cost.
  • Rare earth oxides such as Nd 2 O 3 , La 2 O 3 , Y 2 O 3 , Nb 2 O 5 , Ta 2 O 5 , and Hf 2 O 3 are components that increase Young's modulus.
  • the raw material cost is high, and if a large amount is added, the devitrification resistance tends to decrease. Therefore, the suitable content of the rare earth oxide is 5% or less, 3% or less, 2% or less, 1% or less, 0.5% or less, and particularly 0.1% or less.
  • the supporting glass substrate of the present invention does not substantially contain As 2 O 3 , Sb 2 O 3, Pb O, and F as the glass composition. Further, from the viewpoint of environmental consideration, it is also preferable that Bi 2 O 3 is not substantially contained.
  • “Substantially free of " means that although the explicit component is not positively added as a glass component, the addition of an impurity level is permitted. Specifically, the content of the explicit component is 0. Refers to the case of less than 0.05%.
  • the supporting glass substrate of the present invention preferably has the following characteristics.
  • the support glass substrate of the present invention preferably has a temperature of less than 1800 ° C. at a high temperature viscosity of 10 2.5 dPa ⁇ s, and is less than 1660 ° C., 1640 ° C. or lower, less than 1620 ° C., 1600 ° C. or lower, particularly 1400 to 1590 ° C. Is preferable. If the temperature at a high temperature viscosity of 10 2.5 dPa ⁇ s is too high, the meltability and moldability deteriorate, and it becomes difficult to mold the molten glass into a plate shape.
  • Density is preferably 2.80 g / cm 3 or less, 2.70 g / cm 3 or less, 2.60 g / cm 3 or less, 2.58 g / cm 3 or less, 2.56 g / cm 3 or less, 2.55 g / cm 3 below, 2.53 g / cm 3 or less, 2.50 g / cm 3 or less, 2.49 g / cm 3 or less, 2.45 g / cm 3 or less, in particular 2.35 ⁇ 2.44g / cm 3. The lower the density, the lighter the tempered glass substrate.
  • the softening point is preferably 985 ° C or lower, 970 ° C or lower, 950 ° C or lower, 930 ° C or lower, 900 ° C or lower, 880 ° C or lower, 860 ° C or lower, and particularly 850 to 700 ° C.
  • the "softening point” refers to a value measured based on the method of ASTM C338.
  • the liquidus viscosity is preferably 10 3.0 or higher, 10 3.2 or higher, 10 3.4 or higher, 10 3.6 or higher, 10 3.74 dPa ⁇ s or higher, 10 4.5 dPa ⁇ s or higher, and 10 4.8 dPa ⁇ s or higher, 10 4.9 dPa ⁇ s or higher, 10 5.0 dPa ⁇ s or higher, 10 5.1 dPa ⁇ s or higher, 10 5.2 dPa ⁇ s or higher, 10 5.3 dPa ⁇ s or higher s or more, 10 5.4 dPa ⁇ s or more, especially 10 5.5 dPa ⁇ s or more.
  • liquid phase viscosity refers to a value obtained by measuring the viscosity at the liquid phase temperature by the platinum ball pulling method.
  • Liquid phase temperature means that the glass powder that has passed through a standard sieve of 30 mesh (500 ⁇ m) and remains in 50 mesh (300 ⁇ m) is placed in a platinum boat, held in a temperature gradient furnace for 24 hours, and then the platinum boat is taken out. The highest temperature at which devitrification (devitrification) was observed inside the glass by microscopic observation.
  • the Young's modulus is preferably 63 GPa or more, 65 GPa or more, 68 GPa or more, 70 GPa or more, 74 GPa or more, 75 to 100 GPa, 80 to 95 GPa, and particularly 85 to 90 GPa.
  • Young's modulus is low, the supporting glass substrate is easily damaged. Further, when the plate thickness is thin, the supporting glass substrate tends to bend.
  • Fracture toughness K 1c is preferably 0.80 MPa ⁇ m 0.5 or more, 0.81MPa ⁇ m 0.5 or more, 0.82 MPa ⁇ m 0.5 or more, 0.83 MPa ⁇ m 0.5 or more, 0. 84 MPa ⁇ m 0.5 or more, especially 0.85 MPa ⁇ m 0.5 or more. If the fracture toughness K 1c is low, the supporting glass substrate is easily damaged.
  • the loss of mass per unit surface area when immersed in 5 mass% HCl aqueous solution was heated to 80 ° C. 24 hours, preferably 100.0 mg / cm 2 or less, 90 mg / cm 2 or less , 80 mg / cm 2 or less, 70 mg / cm 2 or less, 60 mg / cm 2 or less, 50 mg / cm 2 or less, 40 mg / cm 2 or less, 30 mg / cm 2 or less, especially 20 mg / cm 2 or less.
  • the support glass substrate may come into contact with an acidic chemical solution in the semiconductor package manufacturing process, and it is preferable that the support glass substrate has high acid resistance from the viewpoint of preventing process defects.
  • the mass loss per unit surface area when immersed in a 5 mass% NaOH aqueous solution heated to 80 ° C. for 6 hours is preferably 5.0 mg / cm 2 or less, 4.9 mg / cm 2 or less, and 4.8 mg / cm. 2 or less, 4.7 mg / cm 2 or less, 4.6 mg / cm 2 or less, 4.5 mg / cm 2 or less, 4.0 mg / cm 2 or less, 3.0 mg / cm 2 or less, particularly 2.0 mg / cm 2 It is as follows.
  • the supporting glass substrate is often washed and recycled in the semiconductor package manufacturing process. At that time, the supporting glass substrate may come into contact with alkaline chemicals and detergents, and is required to have high alkali resistance.
  • the supporting glass substrate of the present invention preferably has the following shape.
  • the supporting glass substrate of the present invention preferably has a wafer shape or a substantially disk shape, and its diameter is preferably 100 mm or more and 500 mm or less, particularly preferably 150 mm or more and 450 mm or less. By doing so, it becomes easy to apply to the manufacturing process of the fan-out type WLP. If necessary, it may be processed into a shape other than that, for example, a rectangular shape.
  • the support glass substrate of the present invention preferably has a substantially rectangular shape, and its dimensions are preferably ⁇ 200 mm or more, ⁇ 220 to 750 mm, and particularly preferably ⁇ 250 to 500 mm. By doing so, it becomes easy to apply to the manufacturing process of the fan-out type PLP (panel level package). If necessary, it may be processed into other shapes such as triangles and trapezoids.
  • the plate thickness is preferably less than 2.0 mm, 1.5 mm or less, 1.2 mm or less, 1.1 mm or less, 1.0 mm or less, and particularly 0.9 mm or less. As the plate thickness becomes thinner, the mass of the laminated substrate becomes lighter, so that the handleability is improved. On the other hand, if the plate thickness is too thin, the strength of the supporting glass substrate itself decreases, and it becomes difficult to fulfill the function as the supporting substrate. Therefore, the plate thickness is preferably 0.1 mm or more, 0.2 mm or more, 0.3 mm or more, 0.4 mm or more, 0.5 mm or more, 0.6 mm or more, and particularly 0.7 mm or more.
  • the overall plate thickness deviation (TTV) is preferably 5 ⁇ m or less, 4 ⁇ m or less, 3 ⁇ m or less, 2 ⁇ m or less, 1 ⁇ m or less, and particularly 0.1 to less than 1 ⁇ m.
  • the arithmetic average roughness Ra is preferably 20 nm or less, 10 nm or less, 5 nm or less, 2 nm or less, 1 nm or less, and particularly 0.5 nm or less.
  • the higher the surface accuracy the easier it is to improve the processing accuracy.
  • the wiring accuracy can be improved, high-density wiring becomes possible.
  • the strength of the support glass substrate is improved, and the support glass substrate and the laminated substrate are less likely to be damaged. Furthermore, the number of times the support glass substrate can be reused can be increased.
  • the "arithmetic mean roughness Ra" can be measured by a stylus type surface roughness meter or an atomic force microscope (AFM).
  • the amount of warpage is preferably 60 ⁇ m or less, 55 ⁇ m or less, 50 ⁇ m or less, 1 to 45 ⁇ m, and particularly 5 to 40 ⁇ m.
  • the smaller the amount of warpage the easier it is to improve the accuracy of the processing. In particular, since the wiring accuracy can be improved, high-density wiring becomes possible.
  • the roundness is preferably 1 mm or less, 0.1 mm or less, 0.05 mm or less, and particularly preferably 0.03 mm or less.
  • the "roundness" is a value obtained by subtracting the minimum value from the maximum value of the outer shape, excluding the notch structure.
  • the support glass substrate of the present invention preferably includes a positioning portion, and the positioning portion is preferably any one of a notch structure, a chamfered structure, and a notch structure, particularly preferably a notch structure, and a deep portion of the notch structure. Is more preferably a substantially circular shape or a substantially V-groove shape in a plan view.
  • a positioning member such as a positioning pin is brought into contact with the notch structure of the support glass substrate, and the position of the support glass substrate can be easily fixed. As a result, the alignment between the support glass substrate and the processed substrate becomes easy.
  • the alignment of the entire laminated substrate becomes easy. Since the notch structure is in contact with the positioning member, cracks are likely to occur, but the support glass substrate of the present invention has high strength and is particularly effective when it has a notch structure.
  • the support glass substrate of the present invention it is preferable that all or a part of the edge region where the surface of the notch structure and the end face intersect is chamfered. As a result, damage originating from the notch structure can be effectively avoided.
  • all or part of the edge region where the surface and the end face of the notch structure intersect is chamfered, and the surface and the end face of the notch structure intersect. It is preferable that 50% or more of the edge region is chamfered, and more preferably 90% or more of the edge region where the surface and the end face of the notch structure intersect is chamfered. It is even more preferable that the entire edge region where the crosses intersect is chamfered. The larger the chamfered area in the notch structure, the lower the probability of damage originating from the notch structure.
  • the chamfer width of the notch structure in the surface direction is preferably 50 to 900 ⁇ m, 200 to 800 ⁇ m, 300 to 700 ⁇ m, 400 to 650 ⁇ m, and particularly 500 to 600 ⁇ m. If the chamfer width of the notch structure in the surface direction is too small, the supporting glass substrate is likely to be damaged starting from the notch structure. On the other hand, if the chamfering width of the notch structure in the surface direction is too large, the chamfering efficiency is lowered and the manufacturing cost of the supporting glass substrate tends to increase.
  • the chamfer width of the notch structure in the plate thickness direction is preferably 5 to 80%, 20 to 75%, 30 to 70%, 35 to 65%, particularly 40 to 60% of the plate thickness. If the chamfer width of the notch structure in the plate thickness direction is too small, the supporting glass substrate is likely to be damaged starting from the notch structure. On the other hand, if the chamfer width in the plate thickness direction of the notch structure is too large, the external force tends to concentrate on the end face of the notch structure, and the support glass substrate is easily damaged starting from the end face of the notch structure.
  • the angles of the corners when viewed from above are preferably 89.0 to 91.0 °, 89.1 to 90.9 °, 89. .2 to 90.8 °, 89.3 to 90.7 °, 89.4 to 90.6 °, especially 89.5 to 90.5 °.
  • the support glass substrate of the present invention is provided with an information identification unit having dots as a constituent unit on the surface of the support glass substrate.
  • the information identification unit has one or more elements selected from characters, symbols, two-dimensional codes, and figures, and the elements are composed of a plurality of dots.
  • the information identification unit preferably includes at least one information selected from the dimensions of the supporting glass substrate, the coefficient of linear thermal expansion, the lot, the total plate thickness deviation (TTV), the manufacturer name, the seller name, and the material code.
  • the "dimensions" include the thickness dimension of the supporting glass substrate, the outer diameter dimension, the dimension of the notch structure, and the like.
  • the outer diameter of the dots is preferably 0.05 to 0.20 mm, 0.07 to 0.13 mm or less, and particularly 0.09 to 0.11 mm. If the external dimensions of the dots are too small, the visibility of the information identification unit tends to decrease. On the other hand, if the external dimensions of the dots are too large, it becomes easy to secure the strength of the supporting glass substrate.
  • the distance between the centers of dots adjacent to each other is preferably 0.06 to 0.25 mm. If the distance between the centers of the dots adjacent to each other is too small, it becomes easy to secure the strength of the supporting glass substrate. On the other hand, if the distance between the centers of the dots adjacent to each other is too large, the visibility of the information identification unit tends to decrease.
  • the information identification unit preferably has dots as a constituent unit, and the shape of the dots is an annular groove.
  • the shape of the dot is an annular groove
  • the region surrounded by the annular groove remains without being removed by the laser, so that the strength of the region provided with the information identification portion is reduced. It is possible to prevent it as much as possible.
  • visibility does not significantly deteriorate even if the width dimension of the groove is reduced as long as the outer diameter dimension does not change. Therefore, if the width dimension is reduced without changing the outer diameter dimension of the groove, the area inside the groove can be increased by that amount, thereby maintaining the required strength while ensuring visibility. It will be possible.
  • the depth dimension of the groove forming the dot is preferably 2 to 30 ⁇ m. If the depth dimension of the groove is too small, the visibility of the information identification unit tends to decrease. On the other hand, if the depth dimension of the groove is too large, it becomes easy to secure the strength of the supporting glass substrate.
  • the information identification unit can be formed by various methods, but it is possible to irradiate a pulse laser and ablate the glass in the irradiation area to form the information identification unit, that is, to form the information identification unit by laser ablation. preferable. In this way, ablation can occur without accumulating excessive heat in the glass in the irradiated area. As a result, not only the length of cracks in the thickness direction but also the length of cracks in the surface direction extending from the dots can be reduced.
  • the supporting glass substrate of the present invention prepares a glass batch by mixing and mixing glass raw materials, puts the glass batch into a glass melting furnace, clarifies and stirs the obtained molten glass, and then forms a molding apparatus. It is preferable that the glass is supplied to the glass, molded into a plate shape, and manufactured.
  • the support glass substrate of the present invention preferably has an overflow confluence surface at the center in the plate thickness direction.
  • the surface of the support glass substrate which should be the surface, does not come into contact with the gutter-shaped refractory and is formed in a free surface state. Therefore, the total plate thickness deviation can be reduced to less than 2.0 ⁇ m, particularly less than 1.0 ⁇ m, by polishing a small amount. As a result, the manufacturing cost of the supporting glass substrate can be reduced.
  • the surface of the supporting glass substrate of the present invention is polished after being molded by the overflow downdraw method. By doing so, it becomes easy to regulate the total plate thickness deviation to less than 2.0 ⁇ m, 1.5 ⁇ m or less, 1.0 ⁇ m or less, and particularly 0.1 to less than 1.0 ⁇ m.
  • the supporting glass substrate of the present invention preferably has a compressive stress layer on the glass surface, and more preferably has a compressive stress layer by ion exchange. Forming a compressive stress layer on the glass surface makes it possible to reduce the probability of damage to the supporting glass substrate when the laminated substrate is dropped on the ground.
  • the compressive stress value on the outermost surface of the compressive stress layer is preferably 165 to 1000 MPa, 200 MPa or more, 220 MPa or more, 250 MPa or more, 280 MPa or more, 300 MPa or more, 310 MPa or more, especially 320 MPa or more.
  • the larger the compressive stress value on the outermost surface the higher the Vickers hardness.
  • the tensile stress inherent in the supporting glass substrate becomes extremely high, and there is a possibility that the dimensional change before and after the ion exchange treatment becomes large.
  • the compressive stress value on the outermost surface is preferably 1000 MPa or less, 900 MPa or less, 700 MPa or less, 680 MPa or less, 650 MPa or less, and particularly 600 MPa or less. If the ion exchange time is shortened or the temperature of the ion exchange solution is lowered, the compressive stress value on the outermost surface tends to increase.
  • the stress depth of the compressive stress layer is preferably 50 to 200 ⁇ m, 50 ⁇ m or more, 60 ⁇ m or more, 80 ⁇ m or more, 100 ⁇ m or more, and particularly 120 ⁇ m or more.
  • the deeper the stress depth the more difficult it is for the protrusions on the ground to reach the tensile stress layer of the supporting glass substrate when the laminated substrate is dropped, and it becomes possible to reduce the probability of damage to the supporting glass substrate.
  • the stress depth is too deep, there is a risk that the dimensional change will be large before and after the ion exchange treatment. Further, the compressive stress value on the outermost surface tends to decrease.
  • the stress depth is preferably 200 ⁇ m or less, 180 ⁇ m or less, 150 ⁇ m or less, and particularly 140 ⁇ m or less. If the ion exchange time is lengthened or the temperature of the ion exchange solution is raised, the stress depth tends to increase.
  • the ion exchange treatment is preferably performed a plurality of times.
  • a plurality of ion exchange treatments it is preferable to perform an ion exchange treatment of immersing in a molten salt containing a KNO 3 molten salt and then an ion exchange treatment of immersing in a molten salt containing a NaNO 3 molten salt. By doing so, it is possible to increase the compressive stress value on the outermost surface while ensuring a deep stress depth.
  • an ion exchange treatment of immersing in a NaNO 3 molten salt or a NaNO 3 and KNO 3 mixed molten salt
  • an ion exchange treatment of immersing in a KNO 3 and LiNO 3 mixed molten salt first. It is preferable to carry out the ion exchange step (2).
  • the non-monotonic stress profile shown in FIGS. 4 and 5, that is, the stress profile having at least the first peak, the second peak, the first bottom, and the second bottom can be formed. As a result, it is possible to significantly reduce the probability of damage to the supporting glass substrate when the laminated substrate is dropped.
  • Li ions contained in the glass and Na ions in the molten salt are ion-exchanged, and when a NaNO 3 and KNO 3 mixed molten salt is used, the Na ions contained in the glass and the molten salt are further exchanged.
  • the K ions inside exchange ions Here, the ion exchange between the Li ion contained in the glass and the Na ion in the molten salt is faster than the ion exchange between the Na ion contained in the glass and the K ion in the molten salt, and the ion exchange efficiency is high. high.
  • Na ions in the vicinity of the glass surface a shallow region from the outermost surface to 20% of the plate thickness
  • Li ions in the molten salt exchange ions and in addition, near the glass surface (from the outermost surface to the plate).
  • Na ions in the shallow region up to 20% of the thickness and K ions in the molten salt exchange ions. That is, in the second ion exchange step, K ions having a large ionic radius can be introduced while separating Na ions in the vicinity of the glass surface. As a result, the compressive stress value on the outermost surface can be increased while maintaining a deep stress depth.
  • the temperature of the molten salt is preferably 360 to 400 ° C., and the ion exchange time is preferably 30 minutes to 6 hours.
  • the temperature of the ion exchange solution is preferably 370 to 400 ° C., and the ion exchange time is preferably 15 minutes to 3 hours.
  • the concentration of NaNO 3 is preferably higher than the concentration of KNO 3 , and the second ion exchange.
  • the concentration of KNO 3 is higher than the concentration of LiNO 3.
  • the concentration of KNO 3 is preferably 0% by mass or more, 0.5% by mass or more, 1% by mass or more, 5% by mass or more, and 7% by mass. % Or more, 10% by mass or more, 15% by mass or more, particularly 20 to 90% by mass. If the concentration of KNO 3 is too high, the compressive stress value formed when the Li ion contained in the glass and the Na ion in the molten salt exchange ions may be too low. Further, if the concentration of KNO 3 is too low, it may be difficult to measure the stress with the surface stress meter FSM-6000.
  • the concentration of LiNO 3 is preferably more than 0 to 5% by mass, more than 0 to 3% by mass, more than 0 to 2% by mass, and particularly 0. It is 1 to 1% by mass. If the concentration of LiNO 3 is too low, it becomes difficult for Na ions to escape in the vicinity of the glass surface. On the other hand, if the concentration of LiNO 3 is too high, the compressive stress value formed by ion exchange between Na ions and K ions in the molten salt near the glass surface may decrease too much.
  • the laminated substrate of the present invention is a laminated substrate including at least a processed substrate and a supporting glass substrate for supporting the processed substrate, and the supporting glass substrate is the above-mentioned supporting glass substrate.
  • the laminated substrate of the present invention preferably has an adhesive layer between the processed substrate and the supporting glass substrate.
  • the adhesive layer is preferably a resin, and for example, a thermosetting resin, a photocurable resin (particularly an ultraviolet curable resin), or the like is preferable.
  • a fan-out type WLP having heat resistance that can withstand heat treatment in the manufacturing process is preferable.
  • an ultraviolet curable tape can also be used as an adhesive layer.
  • the laminated substrate of the present invention further has a release layer between the processed substrate and the support glass substrate, more specifically, between the processed substrate and the adhesive layer, or between the support glass substrate and the adhesive layer. It is preferable to have a layer. By doing so, it becomes easy to peel off the processed substrate from the supporting glass substrate after performing a predetermined processing treatment on the processed substrate. From the viewpoint of productivity, it is preferable to peel off the processed substrate by irradiation light such as laser light.
  • the laser light source an infrared light laser light source such as a YAG laser (wavelength 1064 nm) or a semiconductor laser (wavelength 780 to 1300 nm) can be used.
  • a resin that decomposes by irradiating the peeling layer with an infrared laser can be used.
  • a substance that efficiently absorbs infrared rays and converts them into heat can be added to the resin.
  • carbon black, graphite powder, fine particle metal powder, dye, pigment and the like can be added to the resin.
  • the peeling layer is composed of a material that causes "intra-layer peeling" or “interfacial peeling” due to irradiation light such as laser light. That is, when irradiated with light of a certain intensity, the interatomic or intermolecular bonding force in the atom or molecule disappears or decreases, ablation or the like occurs, and the material is composed of a material that causes peeling.
  • the components contained in the peeling layer are released as a gas and lead to separation by irradiation with irradiation light, and cases where the peeling layer absorbs light and becomes a gas and the vapor is released and leads to separation. There is.
  • the supporting glass substrate is preferably larger than the processed substrate.
  • the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention includes a step of preparing a laminated substrate including at least a processed substrate and a supporting glass substrate for supporting the processed substrate, and a step of processing the processed substrate.
  • the support glass substrate is the above-mentioned support glass substrate.
  • the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention further includes a step of transporting a laminated substrate. This makes it possible to increase the processing efficiency of the processing process. It should be noted that the "process of transporting the laminated substrate” and the “process of processing the processed substrate” do not have to be performed separately and may be performed at the same time.
  • the processing is preferably a process of wiring on one surface of the processed substrate or a process of forming solder bumps on one surface of the processed substrate.
  • the dimensions of the processed substrate are unlikely to change during these processes, so that these steps can be appropriately performed.
  • the processing includes processing to mechanically polish one surface of the processed substrate (usually the surface opposite to the supporting glass substrate), and processing to mechanically polish one surface of the processed substrate (usually what is the supporting glass substrate). It may be either a process of dry etching the surface on the opposite side or a process of wet etching one surface of the processed substrate (usually the surface on the opposite side of the supporting glass substrate).
  • the processed circuit board is less likely to warp and the rigidity of the laminated circuit board can be maintained. As a result, the above processing can be properly performed.
  • FIG. 1 is a conceptual perspective view showing an example of the laminated substrate 1 of the present invention.
  • the laminated substrate 1 includes a support glass substrate 10 and a processed substrate 11.
  • the support glass substrate 10 is attached to the processed substrate 11 in order to prevent the dimensional change of the processed substrate 11.
  • the support glass substrate 10 is a lithium aluminosilicate-based glass, the content of Li 2 O in the glass composition is 0.02 to 25 mol%, and the average linear thermal expansion coefficient in the temperature range of 30 to 380 ° C. Is 45 ⁇ 10 -7 / ° C or higher and 160 ⁇ 10 -7 / ° C or lower.
  • a release layer 12 and an adhesive layer 13 are arranged between the support glass substrate 10 and the processed substrate 11. The release layer 12 is in contact with the support glass substrate 10, and the adhesive layer 13 is in contact with the processed substrate 11.
  • the laminated substrate 1 is laminated and arranged in the order of the support glass substrate 10, the release layer 12, the adhesive layer 13, and the processed substrate 11.
  • the shape of the support glass substrate 10 is determined according to the processed substrate 11, but in FIG. 1, the shapes of the support glass substrate 10 and the processed substrate 11 are both wafer shapes.
  • amorphous silicon (a-Si) silicon oxide, silicic acid compound, silicon nitride, aluminum nitride, titanium nitride and the like are used for the release layer 12.
  • the release layer 12 is formed by plasma CVD, spin coating by a sol-gel method, or the like.
  • the adhesive layer 13 is made of a resin and is formed by coating, for example, by various printing methods, an inkjet method, a spin coating method, a roll coating method, or the like.
  • the adhesive layer 13 is dissolved and removed by a solvent or the like after the support glass substrate 10 is peeled from the processed substrate 11 by the peeling layer 12.
  • FIG. 2 is a conceptual cross-sectional view showing a manufacturing process of a fan-out type WLP.
  • FIG. 2A shows a state in which the adhesive layer 21 is formed on one surface of the support member 20. If necessary, a release layer may be formed between the support member 20 and the adhesive layer 21.
  • FIG. 2B a plurality of semiconductor chips 22 are attached onto the adhesive layer 21. At that time, the surface on the active side of the semiconductor chip 22 is brought into contact with the adhesive layer 21.
  • the semiconductor chip 22 is molded with the resin encapsulant 23.
  • As the sealing material 23 a material having little dimensional change after compression molding and dimensional change when molding wiring is used. Subsequently, as shown in FIGS.
  • the processed substrate 24 on which the semiconductor chip 22 is molded is separated from the support member 20, and then bonded and fixed to the support glass substrate 26 via the adhesive layer 25.
  • the surface opposite to the surface on the side where the semiconductor chip 22 is embedded is arranged on the support glass substrate 26 side.
  • the laminated substrate 27 can be obtained.
  • a release layer may be formed between the adhesive layer 25 and the support glass substrate 26.
  • a wiring 28 is formed on the surface of the processed substrate 24 on the side where the semiconductor chip 22 is embedded, and then a plurality of solder bumps 29 are formed. To form.
  • the processed substrate 24 is cut for each semiconductor chip 22 and subjected to a subsequent packaging step (FIG. 2 (g)).
  • FIG. 3 is a conceptual cross-sectional view showing a process of thinning a processed substrate by using a support glass substrate as a back grind substrate.
  • FIG. 3A shows the laminated substrate 30.
  • the laminated substrate 30 is laminated and arranged in the order of the support glass substrate 31, the release layer 32, the adhesive layer 33, and the processed substrate (silicon wafer) 34.
  • a plurality of semiconductor chips 35 are formed on the surface of the processed substrate on the side in contact with the adhesive layer 33 by a photolithography method or the like.
  • FIG. 3B shows a process of reducing the thickness of the processed substrate 34 by the polishing apparatus 36. By this step, the processed substrate 34 is mechanically polished and thinned to, for example, several tens of ⁇ m.
  • FIG. 3A shows the laminated substrate 30.
  • the laminated substrate 30 is laminated and arranged in the order of the support glass substrate 31, the release layer 32, the adhesive layer 33, and the processed substrate (silicon wafer) 34.
  • FIG. 3C shows a step of irradiating the release layer 32 with ultraviolet light 37 through the support glass substrate 31. After this step, as shown in FIG. 3D, the support glass substrate 31 can be separated. The separated support glass substrate 31 is reused as needed.
  • FIG. 3E shows a step of removing the adhesive layer 33 from the processed substrate 34. Through this step, the thinned processed substrate 34 can be collected.
  • Glass substrates of the present invention has a glass composition, in mol%, SiO 2 50 ⁇ 65% , Al 2 O 3 8 ⁇ 25%, B 2 O 3 0 ⁇ 10%, Li 2 O 5.1 ⁇ 20%, Contains Na 2 O over 10 to 16.1%, K 2 O 0 to 15%, MgO 0.01 to 3%, CaO 0 to 10%, ZrO 2 0.01 to 10%, and a young rate of 80 GPa or more. It is characterized by being.
  • the glass substrate of the present invention has a glass composition, in mol%, SiO 2 50 ⁇ 65% , Al 2 O 3 8 ⁇ 18%, B 2 O 3 0 ⁇ 10%, Li 2 O 20 ⁇ 25%, It contains Na 2 O 0.01 to 10%, K 2 O 0 to 15%, MgO 0 to 10%, CaO 0.01 to 10%, ZrO 20 to 10%, a young rate of 85 GPa or more, and breaking toughness. It is characterized in that K 1C is 0.80 MPa ⁇ m 0.5 or more. Since the technical features of the glass substrate of the present invention have already been described in the description column of the supporting glass substrate of the present invention, detailed description thereof will be omitted here.
  • the glass substrate of the present invention has a glass composition of mol%, SiO 2 64 to 76%, Al 2 O 3 4 to 15%, B 2 O 3 4 to 16%, Li 2 O 0.1 to 14%, Na 2 O 0.01 ⁇ 14%, K 2 O 0 ⁇ 15%, MgO 0 ⁇ 7%, CaO 0 ⁇ 7%, SrO 0 ⁇ 7%, BaO 0 ⁇ 7%, containing ZrO 2 0 ⁇ 10%
  • the young ratio is 60 GPa or more
  • the average linear thermal expansion coefficient in the temperature range of 30 to 380 ° C. is 38 ⁇ 10 -7 / ° C. or more
  • the average linear thermal expansion coefficient is 85 ⁇ 10 -7 / ° C. or less. ..
  • the glass substrate of the present invention has a glass composition of mol%, SiO 2 64 to 76%, Al 2 O 3 4 to 15%, B 2 O 3 4 to 16%, Li 2 O 0.1 to 14. %, Na 2 O 0.01 ⁇ 14 %, K 2 O 0 ⁇ 15%, MgO 0.01 ⁇ 7%, CaO 0.01 ⁇ 7%, SrO 0 ⁇ 7%, BaO 0 ⁇ 7%, ZrO 2
  • the Young's ratio is 60 GPa or more
  • the average linear thermal expansion coefficient in the temperature range of 30 to 380 ° C is 38 ⁇ 10 -7 / ° C or more, and 85 ⁇ 10 -7 / ° C or less. It is characterized by being.
  • the glass substrate of the present invention has a glass composition of mol%, SiO 2 64 to 76%, Al 2 O 3 4 to 15%, B 2 O 3 4 to 16%, Li 2 O 0.1 to 14. %, Na 2 O 0.01 ⁇ 14 %, K 2 O 0 ⁇ 15%, MgO 0 ⁇ 7%, CaO 0 ⁇ 7%, SrO 0.01 ⁇ 7%, BaO 0 ⁇ 7%, ZrO 2 0 ⁇ It contains 10%, has a Young rate of 60 GPa or more, and has an average linear thermal expansion coefficient of 38 ⁇ 10 -7 / ° C or more and 85 ⁇ 10 -7 / ° C or less in the temperature range of 30 to 380 ° C. It is characterized by.
  • the glass substrate of the present invention has a glass composition of mol%, SiO 2 64 to 76%, Al 2 O 3 4 to 15%, B 2 O 3 4 to 16%, Li 2 O 0.1 to 14. %, Na 2 O 0.01 ⁇ 14 %, K 2 O 0 ⁇ 15%, MgO 0.01 ⁇ 7%, CaO 0.01 ⁇ 7%, SrO 0.01 ⁇ 7%, BaO 0 ⁇ 7%, It contains 20 to 10% of ZrO, has a Young rate of 60 GPa or more, and has an average coefficient of linear thermal expansion of 38 ⁇ 10 -7 / ° C. or more and 85 ⁇ 10 -7 / ° C. or less in the temperature range of 30 to 380 ° C.
  • the glass substrate of the present invention has a glass composition of mol%, SiO 2 64 to 76%, Al 2 O 3 4 to 15%, B 2 O 3 4 to 16%, Li 2 O 1.5 to 8 .5%, Na 2 O 0.01 ⁇ 14%, K 2 O 0 ⁇ 15%, MgO 0.01 ⁇ 7%, CaO 0.01 ⁇ 7%, SrO 0.01 ⁇ 7%, BaO 0 ⁇ 7 %, ZrO 20 to 10%, Young rate of 60 GPa or more, average linear thermal expansion coefficient of 38 x 10-7 / ° C or more in the temperature range of 30 to 380 ° C, and 85 x 10-7 / ° C or less. It is characterized by being. Since the technical features of the glass substrate of the present invention have already been described in the explanation column of the supporting glass substrate of the present invention, detailed description thereof will be omitted here.
  • Tables 1 to 36 show the glass composition and glass characteristics of Examples (Samples No. 1 to 361) of the present invention.
  • "NA” means unmeasured
  • "Li / (Na + K)” is the molar ratio [Li 2 O] / ([Na 2 O] + [K 2 O]).
  • "Li + Na + K” means molar ratio [Li 2 O] + [Na 2 O] + [K 2 O]
  • “Li / P” means molar ratio [Li 2 O].
  • / [P 2 O 5 ] means, and "(Na-Li) / (Al + B + P)" is the molar ratio ([Na 2 O]?
  • Each sample in the table was prepared as follows. First, glass raw materials were prepared so as to have the glass composition shown in the table, and melted at 1600 ° C. for 21 hours using a platinum pot. Subsequently, the obtained molten glass was poured onto a carbon plate to form a flat plate, and then the temperature range between the slow cooling point and the strain point was cooled at 3 ° C./min to make a glass substrate (for strengthening). Glass substrate) was obtained. The surface of the obtained glass substrate was optically polished so that the plate thickness was 1.5 mm, and then various characteristics were evaluated.
  • Density ( ⁇ ) is a value measured by the well-known Archimedes method.
  • the temperature (10 2.5 dPa ⁇ s) at a high temperature viscosity of 10 2.5 dPa ⁇ s is a value measured by the platinum ball pulling method.
  • the softening point (Ts) is a value measured based on the method of ASTM C338.
  • the liquidus temperature (TL) passes through a standard sieve of 30 mesh (500 ⁇ m), the glass powder remaining in 50 mesh (300 ⁇ m) is placed in a platinum boat, held in a temperature gradient furnace for 24 hours, and then the platinum boat is taken out. The temperature was set to the highest temperature at which devitrification (devitrification) was observed inside the glass by microscopic observation.
  • the liquid phase viscosity (log ⁇ at TL) is a value obtained by measuring the viscosity at the liquid phase temperature by the platinum ball pulling method, and is expressed by log ⁇ after taking a logarithm.
  • Young's modulus (E) is calculated by a method based on JIS R1602-1995 "Test method for elastic modulus of fine ceramics".
  • each glass substrate was immersed in KNO 3 molten salt at 430 ° C. for 4 hours to perform ion exchange treatment to obtain a tempered glass substrate having a compressive stress layer on the glass surface, and then the glass surface was washed.
  • the surface stress meter FSM-6000 manufactured by KK Orihara Seisakusho
  • DOL_ZERO K is a depth at which the compressive stress value becomes zero.
  • the refractive index of each sample was 1.51 and the optical elastic constant was 30.1 [(nm / cm) / MPa].
  • each glass substrate is immersed in a NaNO 3 molten salt at 380 ° C. for 1 hour to perform ion exchange treatment to obtain a tempered glass substrate, and after cleaning the glass surface, scattered photoelastic stress.
  • the compressive stress value (CS Na ) and stress depth (DOL_ZERO Na ) on the outermost surface were calculated from the phase difference distribution curve observed using a total SLP-1000 (manufactured by Orihara Seisakusho Co., Ltd.).
  • DOL_ZERO Na is a depth at which the stress value becomes zero.
  • the refractive index of each sample was 1.51 and the optical elastic constant was 30.1 [(nm / cm) / MPa].
  • the sample No. Nos. 1 to 361 have a compressive stress value (CS K ) of 473 MPa or more in the outermost surface compressive stress layer when ion-exchanged with KNO 3 molten salt, and the outermost surface when ion-exchanged with NaNO 3 molten salt. Since the compressive stress value (CS Na ) of the compressive stress layer is 165 MPa or more, it is considered that any molten salt can be subjected to ion exchange treatment and is less likely to be damaged when dropped.
  • CS K compressive stress value
  • the sample No. in Table 1 The glass raw materials were prepared so as to have the glass compositions of 2 and 34, and melted at 1600 ° C. for 21 hours using a platinum pot. Subsequently, the obtained molten glass was poured onto a carbon plate to form a flat plate, and then the temperature range between the slow cooling point and the strain point was cooled at 3 ° C./min to obtain a glass substrate. .. Regarding the obtained glass substrate, the sample No. No. 2 has a plate thickness of 0.7 mm and a sample No. The surface of 34 was optically polished to a plate thickness of 0.8 mm.
  • an ion exchange treatment was performed by immersing the glass substrate in a NaNO 3 molten salt at 380 ° C. (NaNO 3 concentration 100% by mass) for 3 hours, and then in a mixed molten salt of KNO 3 and LiNO 3 at 380 ° C. Ion exchange treatment was performed by immersing in (LiNO 3 concentration 2.5% by mass) for 75 minutes. Further, after cleaning the surface of the obtained tempered glass substrate, it is strengthened using a scattered photoelastic stress meter SLP-1000 (manufactured by Orihara Seisakusho Co., Ltd.) and a surface stress meter FSM-6000 (manufactured by Orihara Seisakusho Co., Ltd.). When the stress profile of the glass substrate was measured, a non-monotonous stress profile similar to that in FIG. 4, that is, a stress profile having a first peak, a second peak, a first bottom, and a second bottom was obtained.
  • SLP-1000 scattered photoelastic stress meter S
  • the sample No. in Table 5 The glass raw materials were prepared so as to have a glass composition of 108 and 145, and melted at 1600 ° C. for 21 hours using a platinum pot. Subsequently, the obtained molten glass was poured onto a carbon plate to form a flat plate, and then the temperature range between the slow cooling point and the strain point was cooled at 3 ° C./min to obtain a glass substrate. .. The surface of the obtained glass substrate was optically polished to a thickness of 0.7 mm.
  • an ion exchange treatment was performed by immersing the glass substrate in a NaNO 3 molten salt at 380 ° C. (NaNO 3 concentration 100% by mass) for 3 hours, and then in a mixed molten salt of KNO 3 and LiNO 3 at 380 ° C. Ion exchange treatment was performed by immersing in (LiNO 3 concentration 1.5% by mass) for 45 minutes. Further, after cleaning the surface of the obtained tempered glass substrate, it is strengthened using a scattered photoelastic stress meter SLP-1000 (manufactured by Orihara Seisakusho Co., Ltd.) and a surface stress meter FSM-6000 (manufactured by Orihara Seisakusho Co., Ltd.).
  • a glass batch containing a glass raw material was placed in a platinum crucible so as to have the glass composition shown in the table, and then melted, clarified and homogenized at 1500 to 1700 ° C. for 24 hours.
  • stirring was performed using a platinum stirrer to homogenize the glass batch.
  • the molten glass was poured onto a carbon plate, formed into a plate shape, and then slowly cooled at a temperature near the slow cooling point for 30 minutes.
  • both surfaces thereof were polished by a polishing device. Specifically, both surfaces of the glass substrate were sandwiched between a pair of polishing pads having different outer diameters, and both surfaces of the glass substrate were polished while rotating the glass substrate and the pair of polishing pads together. During the polishing process, it was occasionally controlled so that a part of the glass substrate protruded from the polishing pad.
  • the polishing pad was made of urethane, the average particle size of the polishing slurry used in the polishing treatment was 2.5 ⁇ m, and the polishing speed was 15 m / min.
  • the total plate thickness deviation (TTV) and the amount of warpage were measured by SBW-331ML / d manufactured by Kobelco Kaken Co., Ltd.
  • TTV total plate thickness deviation
  • the warp amount is 28 ⁇ m, respectively, which are considered to be suitable as a supporting glass substrate.
  • the support glass substrate of the present invention is suitable as a support glass substrate for manufacturing WLP or PLP.
  • the support glass substrate of the present invention is used for applications requiring high mechanical strength, such as window glass, magnetic disk substrate, flat panel display substrate, flexible display substrate, and cover glass for solar cells. , Is expected to be applied to cover glass for solid-state image pickup elements and cover glass for automobiles.

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Abstract

本発明の支持ガラス基板は、加工基板を支持するための支持ガラス基板であって、リチウムアルミノシリケート系ガラスであり、ガラス組成中のＬｉ２Ｏの含有量が０．０２～２５モル％であり、３０～３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が３８×１０－７／℃以上、且つ１６０×１０－７／℃以下であることを特徴とする。

Description

支持ガラス基板及びこれを用いた積層基板
　本発明は、加工基板を支持するための支持ガラス基板及びこれを用いた積層基板に関し、具体的には、半導体パッケージ（半導体装置）の製造工程で加工基板の支持に用いる支持ガラス基板及びこれを用いた積層基板に関する。
　携帯電話、ノート型パーソナルコンピュータ、スマートフォン等の携帯型電子機器には、小型化及び軽量化が要求されている。これに伴い、これらの電子機器に用いられる半導体チップの実装スペースも厳しく制限されており、半導体チップの高密度な実装が課題になっている。そこで、近年では、三次元実装技術、すなわち半導体チップ同士を積層し、各半導体チップ間を配線接続することにより、半導体パッケージの高密度実装を図っている。
　また、従来のウエハレベルパッケージ（ＷＬＰ）は、バンプをウエハの状態で形成した後、ダイシングで個片化することにより作製されている。しかし、従来のＷＬＰは、ピン数を増加させ難いことに加えて、半導体チップの裏面が露出した状態で実装されるため、半導体チップの欠け等が発生し易いという問題があった。
　そこで、新たなＷＬＰとして、ｆａｎ　ｏｕｔ型のＷＬＰが提案されている。ｆａｎ　ｏｕｔ型のＷＬＰは、ピン数を増加させることが可能であり、また半導体チップの端部を保護することにより、半導体チップの欠け等を防止することができる。そして、
国際公開第２０１９／１５０６５４号 国際公開第２０２０／０１３９８４号
　ところで、ｆａｎ　ｏｕｔ型のＷＬＰでは、複数の半導体チップを樹脂の封止材でモールドして、加工基板を形成した後に、加工基板の一方の表面に配線する工程、半田バンプを形成する工程等を有する。
　これらの工程は、約２００～３００℃の熱処理を伴うため、封止材が変形して、加工基板が寸法変化する虞がある。加工基板が寸法変化すると、加工基板の一方の表面に対して、高密度に配線することが困難になり、また半田バンプを正確に形成することも困難になる。
　加工基板の寸法変化を抑制するために、支持基板としてガラス基板を用いることが有効である。しかし、ガラス基板を用いた場合であっても、加工基板の寸法変化が生じる場合があった。
　また、製造時にＷＬＰを誤って地面等に落とすと、支持ガラス基板が破損して、高価な加工基板を使用できなくなることがある。このような事態を回避するために、支持ガラス基板の強度を高めることが重要となる。
　高強度のガラス基板として、リチウムアルミノシリケート系ガラスが有望である（特許文献１参照）。リチウムアルミノシリケート系ガラスは、一般的に、アルミノホウケイ酸系ガラスよりもヤング率が高いため、機械的強度が高く、落下の際に破損し難い可能性が高い。
　本発明は、上記事情に鑑みなされたものであり、その技術的課題は加工基板の寸法変化を生じさせ難く、落下時に破損し難い支持ガラス基板及びこれを用いた積層基板を提供することである。
　本発明者等は、種々の実験を繰り返した結果、支持ガラス基板して、リチウムアルミノシリケート系ガラスを用いると共に、その熱膨張係数を所定範囲に規制することにより、上記技術的課題を解決し得ることを見出し、本発明として提案するものである。すなわち、本発明の支持ガラス基板は、加工基板を支持するための支持ガラス基板であって、リチウムアルミノシリケート系ガラスであり、ガラス組成中のＬｉ２Ｏの含有量が０．０２～２５モル％であり、３０～３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が３８×１０－７／℃以上、且つ１６０×１０－７／℃以下であることを特徴とする。ここで、「リチウムアルミノシリケート系ガラス」は、ガラス組成中にＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｌｉ２Ｏを含むガラスを指す。「３０～３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数」は、ディラトメーターを用いて、平均熱膨張係数を測定した値を指す。
　また、本発明の支持ガラス基板は、加工基板を支持するための支持ガラス基板であって、ガラス組成として、モル％で、ＳｉＯ２　５０～８０％、Ａｌ２Ｏ３　４～２５％、Ｂ２Ｏ３　０～１６％、Ｌｉ２Ｏ　０．９～１５％、Ｎａ２Ｏ　０超～２１％、Ｋ２Ｏ　０～１５％、ＭｇＯ　０～１０％、ＺｎＯ　０～１０％、Ｐ２Ｏ５　０～１５％を含有することが好ましい。
　また、本発明の支持ガラス基板は、モル比(［Ｎａ２Ｏ］?［Ｌｉ２Ｏ］)／(［Ａｌ２Ｏ３］＋［Ｂ２Ｏ３］＋［Ｐ２Ｏ５］)≦１．５０の関係を満たすことが好ましい。ここで、［Ｎａ２Ｏ］は、Ｎａ２Ｏのモル％含有量を指す。［Ｌｉ２Ｏ］は、Ｌｉ２Ｏのモル％含有量を指す。［Ａｌ２Ｏ３］は、Ａｌ２Ｏ３のモル％含有量を指す。［Ｂ２Ｏ３］は、Ｂ２Ｏ３のモル％含有量を指す。［Ｐ２Ｏ５］は、Ｐ２Ｏ５のモル％含有量を指す。(［Ｎａ２Ｏ］?［Ｌｉ２Ｏ］)／(［Ａｌ２Ｏ３］＋［Ｂ２Ｏ３］＋［Ｐ２Ｏ５］)は、Ｎａ２Ｏの含有量からＬｉ２Ｏの含有量を減じた量を、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３及びＰ２Ｏ５の合量で除した値を指す。
　また、本発明の支持ガラス基板は、モル比(［Ｂ２Ｏ３］＋［Ｎａ２Ｏ］?［Ｐ２Ｏ５］)／(［Ａｌ２Ｏ３］＋［Ｌｉ２Ｏ］)≧０．００１の関係を満たすことが好ましい。ここで、(［Ｎａ２Ｏ］?［Ｌｉ２Ｏ］)／(［Ａｌ２Ｏ３］＋［Ｂ２Ｏ３］＋［Ｐ２Ｏ５］)は、Ｎａ２Ｏの含有量からＬｉ２Ｏの含有量を減じた量を、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３及びＰ２Ｏ５の合量で除した値を指す。
　また、本発明の支持ガラス基板は、（［Ｌｉ２Ｏ］＋［Ｎａ２Ｏ］＋［Ｋ２Ｏ］）を１２モル％以上含有し、［ＳｉＯ２]＋１．２×［Ｐ２Ｏ５]－３×［Ａｌ２Ｏ３]－２×［Ｌｉ２Ｏ]－１．５×［Ｎａ２Ｏ]－［Ｋ２Ｏ]－［Ｂ２Ｏ３]≧－４０％の関係を満たすことが好ましい。ここで、［Ｋ２Ｏ］は、Ｋ２Ｏのモル％含有量を指す。［ＳｉＯ２］は、ＳｉＯ２のモル％含有量を指す。（［Ｌｉ２Ｏ］＋［Ｎａ２Ｏ］＋［Ｋ２Ｏ］）は、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏの合量を指す。［ＳｉＯ２]＋１．２×［Ｐ２Ｏ５]－３×［Ａｌ２Ｏ３]－２×［Ｌｉ２Ｏ]－１．５×［Ｎａ２Ｏ]－［Ｋ２Ｏ]－［Ｂ２Ｏ３]は、ＳｉＯ２の含有量とＰ２Ｏ５の１．２倍の含有量の合計から、Ａｌ２Ｏ３の３倍の含有量、Ｌｉ２Ｏの２倍の含有量、Ｎａ２Ｏの１．５倍の含有量、Ｋ２Ｏの含有量及びＢ２Ｏ３の含有量を減した値を指す。
　また、本発明の支持ガラス基板では、高温粘度１０２．５ｄＰａ・ｓにおける温度が１６６０℃未満であることが好ましい。ここで、「高温粘度１０２．５ｄＰａ・ｓにおける温度」は、例えば、白金球引き上げ法で測定することができる。
　また、本発明の支持ガラス基板は、板厚方向の中央部にオーバーフロー合流面を有すること、つまりオーバーフローダウンドロー法で成形されてなることが好ましい。ここで、「オーバーフローダウンドロー法」は、成形体耐火物の両側から溶融ガラスを溢れさせて、溢れた溶融ガラスを成形体耐火物の下端で合流させながら、下方に延伸成形してガラス基板を製造する方法である。
　また、本発明の支持ガラス基板では、８０℃に加温した５質量％ＨＣｌ水溶液に２４時間浸漬させた時の単位表面積当たりの質量損失が、１００．０ｍｇ／ｃｍ２以下であることが好ましい。
　また、本発明の支持ガラス基板では、８０℃に加温した５質量％ＮａＯＨ水溶液に６時間浸漬させた時の単位表面積当たりの質量損失が、５．０ｍｇ／ｃｍ２以下であることが好ましい。
　また、本発明の支持ガラス基板は、ガラス表面に圧縮応力層を有することが好ましい。ガラス基板の強度を高くする方法として、ガラス基板を化学強化処理する方法が知られている（特許文献２参照）。そして、強化ガラス基板の強度を高める方法として、圧縮応力層の応力深さを深くすることが有用である。詳述すると、積層基板が落下して、地面と衝突すると、地面の突起物が、支持ガラス基板に貫入し引っ張り応力層に到達して、支持ガラス基板が破損に至る虞がある。そこで、圧縮応力層の応力深さを深くすると、地面の突起物が引っ張り応力層まで到達し難くなり、支持ガラス基板の破損確率を低下させることが可能になる。
　また、本発明の支持ガラス基板は、ガラス表面に圧縮応力層を有し、ガラス組成として、モル％で、ＳｉＯ２　５０～８０％、Ａｌ２Ｏ３　４～２５％、Ｂ２Ｏ３　０～１６％、Ｌｉ２Ｏ　０．９～１５％、Ｎａ２Ｏ　０超～２１％、Ｋ２Ｏ　０～１５％、ＭｇＯ　０～１０％、ＺｎＯ　０～１０％、Ｐ２Ｏ５　０～１５％を含有することが好ましい。
　また、本発明の支持ガラス基板では、圧縮応力層の最表面の圧縮応力値が１６５～１０００ＭＰａであることが好ましい。ここで、「最表面の圧縮応力値」と「応力深さ」は、例えば、散乱光光弾性応力計ＳＬＰ－１０００（株式会社折原製作所製）を用いて観察される位相差分布曲線から測定した値を指す。そして、応力深さは、応力値がゼロになる深さを指す。なお、応力特性の算出に当たり、各測定試料の屈折率を１．５１、光学弾性定数を３０．１［（ｎｍ／ｃｍ）／ＭＰａ］とする。
　また、本発明の支持ガラス基板では、圧縮応力層の応力深さが５０～２００μｍであることが好ましい。リチウムアルミノシリケートガラスは、深い応力深さを得る上で有利である。特に、ＮａＮＯ３を含む溶融塩中に、リチウムアルミノシリケートガラスからなるガラス基板を浸漬し、ガラス中のＬｉイオンと溶融塩中のＮａイオンをイオン交換すると、深い応力深さを有する強化ガラス基板を得ることができる。
　また、本発明の支持ガラス基板は、ガラス表面に圧縮応力層を有し、ガラス組成として、Ａｌ２Ｏ３を１７モル％以上、Ｐ２Ｏ５を１モル％以上、（［Ｌｉ２Ｏ］＋［Ｎａ２Ｏ］＋［Ｋ２Ｏ］）を１２モル％以上含有し、［ＳｉＯ２]＋１．２×［Ｐ２Ｏ５]－３×［Ａｌ２Ｏ３]－２×［Ｌｉ２Ｏ]－１．５×［Ｎａ２Ｏ]－［Ｋ２Ｏ]－［Ｂ２Ｏ３]≧－２０モル％の関係を満たすことが好ましい。
　また、本発明の支持ガラス基板では、ガラス表面に圧縮応力層を有し、厚み方向の応力プロファイルが、少なくとも第１ピーク、第２ピーク、第１ボトム、第２ボトムを有することが好ましい。
　また、本発明の支持ガラス基板は、直径１００～５００ｍｍのウエハ形状又は略円板形状を有し、板厚が２．０ｍｍ未満であり、全体板厚偏差（ＴＴＶ）が５μｍ以下であり、且つ反り量が６０μｍ以下であることが好ましい。ここで、「全体板厚偏差（ＴＴＶ）」は、支持ガラス基板全体の最大板厚と最小板厚の差であり、例えばコベルコ科研社製のＳＢＷ－３３１ＭＬ／ｄにより測定可能である。「反り量」は、支持ガラス基板全体における最高位点と最小二乗焦点面との間の最大距離の絶対値と、最低位点と最小二乗焦点面との絶対値との合計を指し、例えばコベルコ科研社製のＢｏｗ／Ｗａｒｐ測定装置ＳＢＷ－３３１Ｍ／Ｌｄにより測定可能である。
　また、本発明の支持ガラス基板は、□２００ｍｍ以上の略矩形形状を有し、板厚が１．０ｍｍ以上であり、全体板厚偏差（ＴＴＶ）が３０μｍ以下であることが好ましい。
　また、本発明の支持ガラス基板は、上方から見た時の角部の角度が８９．０～９１．０°であることが好ましい。
　また、本発明の支持ガラス基板は、外周部に位置決め部を有することが好ましく、その位置決め部が、ノッチ構造、面取り構造、切り欠き構造の何れかであることが更に好ましい。
　本発明の積層体は、少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体であって、支持ガラス基板が上記の支持ガラス基板であることが好ましい。加工基板は、少なくとも封止材でモールドされた半導体チップを備えることが好ましい。
　本発明の半導体パッケージの製造方法は、少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体を用意する工程と、加工基板に対して、加工処理を行う工程と、を有すると共に、支持ガラス基板が上記の支持ガラス基板であることが好ましい。
　また、本発明の半導体パッケージの製造方法は、加工処理が、加工基板の一方の表面に配線する工程を含むことが好ましい。
　また、本発明の半導体パッケージの製造方法は、加工処理が、加工基板の一方の表面に半田バンプを形成する工程を含むことが好ましい。
　本発明のガラス基板は、ガラス組成として、モル％で、ＳｉＯ２　５０～６５％、Ａｌ２Ｏ３　８～２５％、Ｂ２Ｏ３　０～１０％、Ｌｉ２Ｏ　５．１～２０％、Ｎａ２Ｏ　１０超～１６．１％、Ｋ２Ｏ　０～１５％、ＭｇＯ　０．０１～３％、ＣａＯ　０～１０％、ＺｒＯ２　０．０１～１０％を含有し、ヤング率が８０ＧＰａ以上であることを特徴とする。ここで、「ヤング率」は、ＪＩＳ　Ｒ１６０２-１９９５「ファインセラミックスの弾性率試験方法」に準拠した方法で算出した値を指す。
　また、本発明のガラス基板は、ガラス組成として、モル％で、ＳｉＯ２　５０～６５％、Ａｌ２Ｏ３　８～１８％、Ｂ２Ｏ３　０～１０％、Ｌｉ２Ｏ　２０～２５％、Ｎａ２Ｏ　０．０１～１０％、Ｋ２Ｏ　０～１５％、ＭｇＯ　０～１０％、ＣａＯ　０．０１～１０％、ＺｒＯ２　０～１０％を含有し、ヤング率が８５ＧＰａ以上、破壊靭性Ｋ１Ｃが０．８０ＭＰａ・ｍ０．５以上であることを特徴とする。ここで、「破壊靭性Ｋ１Ｃ」は、ＪＩＳ　Ｒ１６０７-２０１５「ファインセラミックスの室温破壊じん（靱）性試験方法」に準拠した方法で算出した値を指す。
　本発明のガラス基板は、ガラス組成として、モル％で、ＳｉＯ２　６４～７６％、Ａｌ２Ｏ３　４～１５％、Ｂ２Ｏ３　４～１６％、Ｌｉ２Ｏ　０．１～１４％、Ｎａ２Ｏ　０．０１～１４％、Ｋ２Ｏ　０～１５％、ＭｇＯ　０～７％、ＣａＯ　０～７％、ＳｒＯ　０～７％、ＢａＯ　０～７％、ＺｒＯ２　０～１０％を含有し、ヤング率が６０ＧＰａ以上、３０～３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が３８×１０－７／℃以上、且つ８５×１０－７／℃以下であることであることを特徴とする。
　また、本発明のガラス基板は、ガラス組成として、モル％で、ＳｉＯ２　６４～７６％、Ａｌ２Ｏ３　４～１５％、Ｂ２Ｏ３　４～１６％、Ｌｉ２Ｏ　０．１～１４％、Ｎａ２Ｏ　０．０１～１４％、Ｋ２Ｏ　０～１５％、ＭｇＯ　０．０１～７％、ＣａＯ　０．０１～７％、ＳｒＯ　０～７％、ＢａＯ　０～７％、ＺｒＯ２　０～１０％を含有し、ヤング率が６０ＧＰａ以上、３０～３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が３８×１０－７／℃以上、且つ８５×１０－７／℃以下であることであることを特徴とする。
　また、本発明のガラス基板は、ガラス組成として、モル％で、ＳｉＯ２　６４～７６％、Ａｌ２Ｏ３　４～１５％、Ｂ２Ｏ３　４～１６％、Ｌｉ２Ｏ　０．１～１４％、Ｎａ２Ｏ　０．０１～１４％、Ｋ２Ｏ　０～１５％、ＭｇＯ　０～７％、ＣａＯ　０～７％、ＳｒＯ　０．０１～７％、ＢａＯ　０～７％、ＺｒＯ２　０～１０％を含有し、ヤング率が６０ＧＰａ以上、３０～３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が３８×１０－７／℃以上、且つ８５×１０－７／℃以下であることであることを特徴とする。
　また、本発明のガラス基板は、ガラス組成として、モル％で、ＳｉＯ２　６４～７６％、Ａｌ２Ｏ３　４～１５％、Ｂ２Ｏ３　４～１６％、Ｌｉ２Ｏ　０．１～１４％、Ｎａ２Ｏ　０．０１～１４％、Ｋ２Ｏ　０～１５％、ＭｇＯ　０．０１～７％、ＣａＯ　０．０１～７％、ＳｒＯ　０．０１～７％、ＢａＯ　０～７％、ＺｒＯ２　０～１０％を含有し、ヤング率が６０ＧＰａ以上、３０～３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が３８×１０－７／℃以上、且つ８５×１０－７／℃以下であることであることを特徴とする。
　また、本発明のガラス基板は、ガラス組成として、モル％で、ＳｉＯ２　６４～７６％、Ａｌ２Ｏ３　４～１５％、Ｂ２Ｏ３　４～１６％、Ｌｉ２Ｏ　１．５～８．５％、Ｎａ２Ｏ　０．０１～１４％、Ｋ２Ｏ　０～１５％、ＭｇＯ　０．０１～７％、ＣａＯ　０．０１～７％、ＳｒＯ　０．０１～７％、ＢａＯ　０～７％、ＺｒＯ２　０～１０％を含有し、ヤング率が６０ＧＰａ以上、３０～３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が３８×１０－７／℃以上、且つ８５×１０－７／℃以下であることであることを特徴とする。
本発明の積層基板の一例を示す概念斜視図である。 ｆａｎ　ｏｕｔ型のＷＬＰの製造工程を示す概念断面図である。 支持ガラス基板をバックグラインド基板に用いて、加工基板を薄型化する工程を示す概念断面図である。 第１ピーク、第２ピーク、第１ボトム、第２ボトムを有する応力プロファイルを例示する説明図である。 第１ピーク、第２ピーク、第１ボトム、第２ボトムを有する応力プロファイルを例示する他の説明図である。
　本発明の支持ガラス基板は、リチウムアルミノシリケート系ガラスであり、ガラス組成中のＬｉ２Ｏの含有量が０．０２～２５モル％である。Ｌｉ２Ｏは、高温粘度を低下させて、溶融性や成形性を高める成分であると共に、ヤング率や破壊靭性Ｋ１ｃを高める成分である。また熱膨張係数を高めるために必要な成分である。更にＬｉ２Ｏは、イオン交換成分であり、特にガラス中に含まれるＬｉイオンと溶融塩中のＮａイオンをイオン交換して、深い応力深さを得るために必須の成分である。一方で、Ｌｉ２Ｏの含有量が多過ぎると、ガラスの失透性が高くなり、透明なガラスが得られ難くなり、また製造コストも高くなる。よって、Ｌｉ２Ｏの好適な下限範囲は０．０２モル％以上、０．０３モル％以上、０．０４モル％以上、０．０５モル％以上、０．１モル％以上、０．２モル％以上、０．３モル％以上、０．４モル％以上、０．５モル％以上、０．９モル％以上、１モル％以上、１．５モル％以上、２モル％以上、３モル％以上、４モル％以上、４．５モル％以上、４．９モル％以上、５モル％以上、５．１モル％以上、５．２モル％以上、５．５モル％以上、６．５モル％以上、７モル％以上、７．３モル％以上、７．５モル％以上、７．８モル％以上、特に８モル％以上である。なお、ヤング率や破壊靭性Ｋ１ｃを優先的に高める場合、Ｌｉ２Ｏの含有量は１５％以上、特に２０％以上である。よって、Ｌｉ２Ｏの好適な上限範囲は２５モル％以下、２４モル％以下、２３モル％以下、２２モル％以下、２１モル％以下、２０．５モル％以下、２０．１モル％以下、２０モル％以下、１９．９モル％以下、１９．８モル％以下、１９モル％以下、１８モル％以下、１７モル％以下、１６モル％以下、１５モル％以下、１３モル％以下、１２モル％以下、１１．５モル％以下、１１モル％以下、１０．５モル％以下、１０モル％未満、９．９モル％以下、９モル％以下、８．９モル％以下、特に８．５％以下である。
　支持ガラス基板の熱膨張係数は、加工基板の熱膨張係数に整合するように規制されることが好ましい。具体的には、加工基板内で半導体チップの割合が少なく、封止材の割合が多い場合は、支持ガラス基板の熱膨張係数を上昇させることが好ましく、逆に、加工基板内で半導体チップの割合が多く、封止材の割合が少ない場合は、支持ガラス基板の熱膨張係数を低下させることが好ましい。よって、支持ガラス基板の３０～３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数は、３８×１０－７／℃以上、且つ１６０×１０－７／℃以下が好ましく、４５×１０－７／℃以上、且つ１５５×１０－７／℃以下、５０×１０－７／℃以上、且つ１５０×１０－７／℃以下、５５×１０－７／℃以上、且つ１４０×１０－７／℃以下、６０×１０－７／℃以上、且つ１３０×１０－７／℃以下、６５×１０－７／℃以上、且つ１２０×１０－７／℃以下、６５×１０－７／℃以上、且つ１１０×１０－７／℃以下、７０×１０－７／℃以上、且つ１０５×１０－７／℃以下、７５×１０－７／℃以上、且つ１００×１０－７／℃以下、８０×１０－７／℃以上、且つ９９×１０－７／℃以下、８５×１０－７／℃以上、且つ９８×１０－７／℃以下が好ましく、特に、８７×１０－７／℃以上、且つ９６×１０－７／℃以下が好ましい。なお、「３０～３８０℃における熱膨張係数」は、ディラトメーターを用いて、平均熱膨張係数を測定した値を指す。
　本発明の支持ガラス基板は、ガラス組成として、モル％で、ＳｉＯ２　５０～８０％、Ａｌ２Ｏ３　４～２５％、Ｂ２Ｏ３　０～１６％、Ｌｉ２Ｏ　０．９～１５％、Ｎａ２Ｏ　０超～２１％、Ｋ２Ｏ　０～１５％、ＭｇＯ　０～１０％、ＺｎＯ　０～１０％、Ｐ２Ｏ５　０～１５％を含有することが好ましい。以下の各成分の含有範囲の説明において、％表示は、モル％を意味する。
　ＳｉＯ２は、ガラスのネットワークを形成する成分である。ＳｉＯ２の含有量が少な過ぎると、ガラス化し難くなり、また熱膨張係数が高くなり過ぎて、耐熱衝撃性が低下し易くなる。よって、ＳｉＯ２の好適な下限範囲は５０％以上、５５％以上、５７％以上、５９％以上、特に６１％以上である。一方、ＳｉＯ２の含有量が多過ぎると、溶融性や成形性が低下し易くなり、また熱膨張係数が低くなり過ぎて、周辺材料の熱膨張係数に整合させ難くなる。よって、ＳｉＯ２の好適な上限範囲は８０％以下、７０％以下、６８％以下、６６％以下、６５％以下、特に６４．５％以下である。
　Ａｌ２Ｏ３は、歪点、ヤング率、破壊靱性、ビッカース硬度を高める成分であり、またイオン交換性能を高める成分である。よって、Ａｌ２Ｏ３の好適な下限範囲は４％以上、８％以上、１０％以上、１２％以上、１３％以上、１４％以上、１４．４％以上、１５％以上、１５．３％以上、１５．６％以上、１６％以上、１６．５％以上、１７％以上、１７．５％以上、１８％以上、１８％超、特に１８．５％以上である。一方、Ａｌ２Ｏ３の含有量が多過ぎると、高温粘度が上昇して、溶融性や成形性が低下し易くなる。また、ガラスに失透結晶が析出し易くなって、オーバーフローダウンドロー法等で板状に成形し難くなる。特に、成形体耐火物としてアルミナ系耐火物を用いて、オーバーフローダウンドロー法でガラス基板を成形する場合、アルミナ系耐火物との界面にスピネルの失透結晶が析出し易くなる。更に耐酸性も低下し、酸処理工程に適用し難くなる。よって、Ａｌ２Ｏ３の好適な上限範囲は２５％以下、２１％以下、２０．５％以下、２０％以下、１９．９％以下、１９．５％以下、１９．０％以下、特に１８．９％以下である。イオン交換性能への影響の大きいＡｌ２Ｏ３の含有量を好適な範囲にすれば、第１ピーク、第２ピーク、第１ボトム、第２ボトムを有するプロファイルを形成し易くなる。
　Ｂ２Ｏ３は、高温粘度や密度を低下させると共に、ガラスを安定化させて、結晶を析出させ難くし、液相温度を低下させる成分である。Ｂ２Ｏ３の含有量が少な過ぎると、ガラスが不安定になり、耐失透性が低下する虞もある。よって、Ｂ２Ｏ３の好適な下限範囲は０％以上、０．１％以上、０．２％以上、０．５％以上、０．６％以上、０．７％以上、０．８％以上、０．９％以上、特に１％以上である。一方、Ｂ２Ｏ３の含有量が多過ぎると、応力深さが浅くなる虞がある。特にガラス中に含まれるＮａイオンと溶融塩中のＫイオンのイオン交換の効率が低下し易くなり、圧縮応力層の応力深さ（ＤＯＬ_ＺＥＲＯＫ）が小さくなり易い。よって、Ｂ２Ｏ３の好適な上限範囲は１６％以下、１４％以下、１２％以下、１０％以下、５％以下、４％以下、３．８％以下、３．５％以下、３．３％以下、３．２％以下、３．１％以下、３％以下、特に２．９％以下である。Ｂ２Ｏ３の含有量を好適な範囲にすれば、第１ピーク、第２ピーク、第１ボトム、第２ボトムを有するプロファイルを形成し易くなる。
　Ｌｉ２Ｏの含有量や効果は、上述の通りである。
　Ｎａ２Ｏは、イオン交換成分であり、また高温粘度を低下させて、溶融性や成形性を高める成分である。またＮａ２Ｏは、耐失透性を高める成分であり、特にアルミナ系耐火物との反応で生じる失透を抑制する成分である。さらにＮａ２Ｏは熱膨張係数を高める成分でもある。よって、Ｎａ２Ｏの好適な下限範囲は０％超、３％以上、４％以上、５％以上、６％以上、７％以上、７．５％以上、８％以上、８．５％以上、８．８％以上、９％以上、特に１０％超である。一方、Ｎａ２Ｏの含有量が多過ぎると、熱膨張係数が高くなり過ぎて、耐熱衝撃性が低下し易くなる。またガラス組成の成分バランスが崩れて、かえって耐失透性が低下する場合がある。よって、Ｎａ２Ｏの好適な上限範囲は２１％以下、２０％以下、１９％以下、特に１８％以下、１６．１％以下、１４％以下、１５％以下、１３％以下、特に１１％以下である。
　Ｋ２Ｏは、高温粘度を低下させて、溶融性や成形性を高める成分である。しかし、Ｋ２Ｏの含有量が多過ぎると、熱膨張係数が高くなり過ぎて、耐熱衝撃性が低下し易くなる。また最表面の圧縮応力値が低下し易くなる。さらにＫ２Ｏは熱膨張係数を高める成分でもある。よって、Ｋ２Ｏの好適な上限範囲は１５％以下、１０％以下、７％以下、６％以下、５％以下、４％以下、３％以下、２％以下、１．５％以下、１％以下、１％未満、０．５％以下、特に０．１％未満である。なお、応力深さを深くする観点を重視すると、Ｋ２Ｏの好適な下限範囲は０％以上、０．１％以上、０．３％以上、特に０．５％以上である。
　モル比［Ｌｉ２Ｏ］／(［Ｎａ２Ｏ］＋［Ｋ２Ｏ］)は、好ましくは０．０～１５．４、０．１～１０．０、０．２～５．０、０．３～３．０、０．４～１．０、０．５～０．９、特に０．６～０．８である。モル比［Ｌｉ２Ｏ］／(［Ｎａ２Ｏ］＋［Ｋ２Ｏ］)が小さ過ぎると、イオン交換性能を十分に発揮できない虞が生じる。特にガラス中に含まれるＬｉイオンと溶融塩中のＮａイオンのイオン交換の効率が低下し易くなる。一方、モル比［Ｌｉ２Ｏ］／(［Ｎａ２Ｏ］＋［Ｋ２Ｏ］)が大き過ぎると、ガラスに失透結晶が析出し易くなって、オーバーフローダウンドロー法等で板状に成形し難くなる。なお、「［Ｌｉ２Ｏ］／(［Ｎａ２Ｏ］＋［Ｋ２Ｏ］)」は、Ｌｉ２Ｏの含有量をＮａ２ＯとＫ２Ｏの合量で除した値を指す。
　ＭｇＯは、高温粘度を低下させて、溶融性や成形性を高めたり、歪点やビッカース硬度を高める成分であり、アルカリ土類金属酸化物の中では、イオン交換性能を高める効果が大きい成分である。しかし、ＭｇＯの含有量が多過ぎると、耐失透性が低下し易くなり、特にアルミナ系耐火物との反応で生じる失透を抑制し難くなる。よって、ＭｇＯの好適な含有量は０～１０％、０．０１～７％、０．０５～５％、０．１～４％、０．２～３．５％、特に０．５～３％未満である。
　ＺｎＯは、イオン交換性能を高める成分であり、特に最表面の圧縮応力値を高める効果が大きい成分である。また低温粘性を低下させずに、高温粘性を低下させる成分である。ＺｎＯの好適な下限範囲は０％以上、０．１％以上、０．３％以上、０．５％以上、０．７％以上、特に１％以上である。一方、ＺｎＯの含有量が多過ぎると、ガラスが分相したり、耐失透性が低下したり、密度が高くなったり、応力深さが浅くなる傾向がある。よって、ＺｎＯの好適な上限範囲は１０％以下、６％以下、５％以下、４％以下、３％以下、２％以下、１．５％以下、１．３％以下、１．２％以下、特に１．１％以下である。
　Ｐ２Ｏ５は、イオン交換性能を高める成分であり、特に応力深さを深くする成分である。更に耐酸性も向上させる成分である。Ｐ２Ｏ５の含有量が少な過ぎると、イオン交換性能を十分に発揮できない虞が生じる。特にガラス中に含まれるＮａイオンと溶融塩中のＫイオンのイオン交換の効率が低下し易くなり、圧縮応力層の応力深さ（ＤＯＬ_ＺＥＲＯＫ）が小さくなり易い。またガラスが不安定になり、耐失透性が低下する虞もある。よって、Ｐ２Ｏ５の好適な下限範囲は０％以上、０．１％以上、０．４％以上、０．７％以上、１％以上、１．２％以上、１．４％以上、１．６％以上、２％以上、２．３％以上、２．５％以上、特に３％以上である。一方、Ｐ２Ｏ５の含有量が多過ぎると、ガラスが分相したり、耐水性が低下したりし易くなる。また、ガラス中に含まれるＬｉイオンと溶融塩中のＮａイオンのイオン交換における応力深さが深くなりすぎて、結果として圧縮応力層の圧縮応力値（ＣＳＮａ）が小さくなり易い。よって、Ｐ２Ｏ５の好適な上限範囲は１５％以下、１０％以下、５％以下、４．５％以下、特に４％以下である。Ｐ２Ｏ５の含有量を好適な範囲にすれば、非単調のプロファイルを形成し易くなる。
　アルカリ金属酸化物は、高温粘度を低下させて、溶融性や成形性を高める成分であり、イオン交換成分である。よって、アルカリ金属酸化物（［Ｌｉ２Ｏ］＋［Ｎａ２Ｏ］＋［Ｋ２Ｏ］）の好適な下限範囲は５％以上、６％以上、７％以上、８％以上、９％以上、１０％以上、１１％以上、１２％以上、１３％以上、１４％以上、特に１５％以上である。しかし、アルカリ金属酸化物の含有量（［Ｌｉ２Ｏ］＋［Ｎａ２Ｏ］＋［Ｋ２Ｏ］）が多過ぎると、熱膨張係数が高くなる虞がある。また耐酸性が低下する虞がある。よって、アルカリ金属酸化物（［Ｌｉ２Ｏ］＋［Ｎａ２Ｏ］＋［Ｋ２Ｏ］）の好適な上限範囲は２８％以下、２５％以下、２３％以下、２０％以下、１９％以下、特に１８％以下である。
　モル比［Ｌｉ２Ｏ］／［Ｐ２Ｏ５］は、好ましくは０以上、０．１～３０、０．５～２９、０．９～２８、３．８～２７、４～２６、１０～２５、特に１５～２０である。モル比［Ｌｉ２Ｏ］／［Ｐ２Ｏ５］が小さ過ぎると、ガラス中に含まれるＬｉイオンと溶融塩中のＮａイオンのイオン交換の効率が低下し易くなる。一方、モル比［Ｌｉ２Ｏ］／［Ｐ２Ｏ５］が大き過ぎると、ガラスに失透結晶が析出し易くなって、オーバーフローダウンドロー法等で板状に成形し難くなる。なお、「［Ｌｉ２Ｏ］／［Ｐ２Ｏ５］」は、Ｌｉ２Ｏの含有量をＰ２Ｏ５の含有量で除した値を指す。
　モル比(［Ｎａ２Ｏ］?［Ｌｉ２Ｏ］)／(［Ａｌ２Ｏ３］＋［Ｂ２Ｏ３］＋［Ｐ２Ｏ５］)は、好ましくは１．５０以下、０．７０以下、０．５０以下、０．３０以下、０．２９以下、０．２７以下、０．２６以下、０．２５以下、０．２３以下、０．２０以下、特に０．１５以下である。モル比(［Ｎａ２Ｏ］?［Ｌｉ２Ｏ］)／(［Ａｌ２Ｏ３］＋［Ｂ２Ｏ３］＋［Ｐ２Ｏ５］)が大き過ぎると、イオン交換性能を十分に発揮できない虞が生じる。特にガラス中に含まれるＬｉイオンと溶融塩中のＮａイオンがイオン交換の効率が低下し易くなる。
　モル比(［Ｂ２Ｏ３］＋［Ｎａ２Ｏ］?［Ｐ２Ｏ５］)／(［Ａｌ２Ｏ３］＋［Ｌｉ２Ｏ］)は、好ましくは０．００１以上、０．０５以上、０．１５以上、０．２５以上、０．３０以上、０．３５以上、０．４０以上、０．４２以上、０．４３以上、特に０．４５以上である。モル比(［Ｂ２Ｏ３］＋［Ｎａ２Ｏ］?［Ｐ２Ｏ５］)／(［Ａｌ２Ｏ３］＋［Ｌｉ２Ｏ］)が小さ過ぎると、ガラスに失透結晶が析出し易くなって、オーバーフローダウンドロー法等で板状に成形し難くなる。
　（［ＳｉＯ２]＋１．２×［Ｐ２Ｏ５]－３×［Ａｌ２Ｏ３]－２×［Ｌｉ２Ｏ]－１．５×［Ｎａ２Ｏ]－［Ｋ２Ｏ]－［Ｂ２Ｏ３]）は、好ましくは－４０％以上、－３０％以上、－２５％以上、－２２％以上、特に－２０％以上である。（［ＳｉＯ２]＋１．２×［Ｐ２Ｏ５]－３×［Ａｌ２Ｏ３]－２×［Ｌｉ２Ｏ]－１．５×［Ｎａ２Ｏ]－［Ｋ２Ｏ]－［Ｂ２Ｏ３]）が小さ過ぎると、耐酸性が低下し易くなる。一方、（［ＳｉＯ２]＋１．２×［Ｐ２Ｏ５]－３×［Ａｌ２Ｏ３]－２×［Ｌｉ２Ｏ]－１．５×［Ｎａ２Ｏ]－［Ｋ２Ｏ]－［Ｂ２Ｏ３]）が大き過ぎると、イオン交換性能を十分に発揮できない虞が生じる。よって、（［ＳｉＯ２]＋１．２×［Ｐ２Ｏ５]－３×［Ａｌ２Ｏ３]－２×［Ｌｉ２Ｏ]－１．５×［Ｎａ２Ｏ]－［Ｋ２Ｏ]－［Ｂ２Ｏ３]）は、好ましくは５０％以下、４０％以下、３０％以下、２０％以下、１５％以下、１０％以下、５％以下、特に０％以下である。
　上記成分以外にも、例えば以下の成分を添加してもよい。
　ＣａＯは、他の成分と比較して、耐失透性の低下を伴うことなく、高温粘度を低下させて、溶融性や成形性を高めたり、歪点やビッカース硬度を高めたりする成分である。しかし、ＣａＯの含有量が多過ぎると、イオン交換性能が低下したり、イオン交換処理時にイオン交換溶液を劣化させたりする虞がある。よって、ＣａＯの好適な上限範囲は１０％以下、８％以下、７％以下、６％以下、５％以下、４％以下、３．５％以下、３％以下、２％以下、１％以下、１％未満、０．５％以下、特に０．０１～０．１％未満である。
　ＳｒＯとＢａＯは、高温粘度を低下させて、溶融性や成形性を高めたり、歪点やヤング率を高める成分であるが、それらの含有量が多過ぎると、イオン交換反応が阻害され易くなることに加えて、密度や熱膨張係数が不当に高くなったり、ガラスが失透し易くなる。よって、ＳｒＯとＢａＯの好適な含有量は、それぞれ０～７％、０～５％、０～３％、０～２％、０～１．５％、０～１％、０～０．５％、０～０．１％、特に０．０１～０．１％未満である。
　ＺｒＯ２は、ビッカース硬度を高める成分であると共に、液相粘度付近の粘性や歪点を高める成分であるが、その含有量が多過ぎると、耐失透性が著しく低下する虞がある。よって、ＺｒＯ２の好適な含有量は０～５％、０～４％、０～３％、０～１．５％、０～１％、特に０．０１～０．１％である。
　ＴｉＯ２は、イオン交換性能を高める成分であり、また高温粘度を低下させる成分であるが、その含有量が多過ぎると、透明性や耐失透性が低下し易くなる。よって、ＴｉＯ２の好適な含有量は０～３％、０～１．５％、０～１％、０～０．１％、特に、０．００１～０．１モル％である。
　ＳｎＯ２は、イオン交換性能を高める成分であるが、その含有量が多過ぎると、耐失透性が低下し易くなる。よって、ＳｎＯ２は好適な下限範囲は０．００５％以上、０．０１％以上、特に０．１％以上であり、好適な上限範囲は３％以下、２％以下、特に１％以下である。
　Ｃｌは、清澄剤であるが、その含有量が多過ぎると、環境や設備に悪影響を与える成分である。よって、Ｃｌの好適な下限範囲は０．００１％以上、特に０．０１％以上であり、好適な上限範囲は０．３％以下、０．２％以下、特に０．１％以下である。
　清澄剤として、ＳＯ３、ＣｅＯ２の群（好ましくはＳＯ３の群）から選択された一種又は二種以上を０．００１～１％添加してもよい。
　Ｆｅ２Ｏ３は、原料から不可避的に混入する不純物である。Ｆｅ２Ｏ３の好適な上限範囲は２０００ｐｐｍ以下（０．２％以下）、１５００ｐｐｍ以下（０．１５％以下）、１０００ｐｐｍ未満（０．１％未満）、８００ｐｐｍ未満、６００ｐｐｍ未満、４００ｐｐｍ未満、特に３００ｐｐｍ未満である。Ｆｅ２Ｏ３の含有量が多過ぎると、カバーガラスの透過率が低下し易くなる。一方、Ｆｅ２Ｏ３の好適な下限範囲は、１０ｐｐｍ以上、２０ｐｐｍ以上、３０ｐｐｍ以上、５０ｐｐｍ以上、８０ｐｐｍ以上、１００ｐｐｍ以上である。Ｆｅ２Ｏ３の含有量が少な過ぎると、高純度原料を使用する為、原料コストが高騰し、製品を安価に製造できなくなる。
　Ｎｄ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５，Ｈｆ２Ｏ３等の希土類酸化物は、ヤング率を高める成分である。しかし、原料コストが高く、また多量に添加すると、耐失透性が低下し易くなる。よって、希土類酸化物の好適な含有量は５％以下、３％以下、２％以下、１％以下、０．５％以下、特に０．１％以下である。
　本発明の支持ガラス基板は、環境的配慮から、ガラス組成として、実質的にＡｓ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、ＰｂＯ、Ｆをそれぞれ含有しないことが好ましい。また、環境的配慮から、実質的にＢｉ２Ｏ３を含有しないことも好ましい。「実質的に～を含有しない」とは、ガラス成分として積極的に明示の成分を添加しないものの、不純物レベルの添加を許容する趣旨であり、具体的には、明示の成分の含有量が０．０５％未満の場合を指す。
　本発明の支持ガラス基板は、以下の特性を有することが好ましい。
　本発明の支持ガラス基板は、高温粘度１０２．５ｄＰａ・ｓにおける温度が１８００℃未満であることが好ましく、１６６０℃未満、１６４０℃以下、１６２０℃未満、１６００℃以下、特に１４００～１５９０℃が好ましい。高温粘度１０２．５ｄＰａ・ｓにおける温度が高過ぎると、溶融性や成形性が低下して、溶融ガラスを板状に成形し難くなる。
　密度は、好ましくは２．８０ｇ／ｃｍ３以下、２．７０ｇ／ｃｍ３以下、２．６０ｇ／ｃｍ３以下、２．５８ｇ／ｃｍ３以下、２．５６ｇ／ｃｍ３以下、２．５５ｇ／ｃｍ３以下、２．５３ｇ／ｃｍ３以下、２．５０ｇ／ｃｍ３以下、２．４９ｇ／ｃｍ３以下、２．４５ｇ／ｃｍ３以下、特に２．３５～２．４４ｇ／ｃｍ３である。密度が低い程、強化ガラス基板を軽量化することができる。
　軟化点は、好ましくは９８５℃以下、９７０℃以下、９５０℃以下、９３０℃以下、９００℃以下、８８０℃以下、８６０℃以下、特に８５０～７００℃である。なお、「軟化点」は、ＡＳＴＭ　Ｃ３３８の方法に基づいて測定した値を指す。
　液相粘度は、好ましくは１０３．０以上、１０３．２以上、１０３．４以上、１０３．６以上、１０３．７４ｄＰａ・ｓ以上、１０４．５ｄＰａ・ｓ以上、１０４．８ｄＰａ・ｓ以上、１０４．９ｄＰａ・ｓ以上、１０５．０ｄＰａ・ｓ以上、１０５．１ｄＰａ・ｓ以上、１０５．２ｄＰａ・ｓ以上、１０５．３ｄＰａ・ｓ以上、１０５．４ｄＰａ・ｓ以上、特に１０５．５ｄＰａ・ｓ以上である。なお、液相粘度が高い程、耐失透性が向上し、成形時に失透ブツが発生し難くなる。ここで、「液相粘度」とは、液相温度における粘度を白金球引き上げ法で測定した値を指す。「液相温度」とは、標準篩３０メッシュ（５００μｍ）を通過し、５０メッシュ（３００μｍ）に残るガラス粉末を白金ボートに入れて、温度勾配炉中に２４時間保持した後、白金ボートを取り出し、顕微鏡観察により、ガラス内部に失透（失透ブツ）が認められた最も高い温度とする。
　ヤング率は、好ましくは６３ＧＰａ以上、６５ＧＰａ以上、６８ＧＰａ以上、７０ＧＰａ以上、７４ＧＰａ以上、７５～１００ＧＰａ、８０～９５ＧＰａ、特に８５～９０ＧＰａである。ヤング率が低いと、支持ガラス基板が破損し易くなる。また板厚が薄い場合に、支持ガラス基板が撓み易くなる。
　破壊靭性Ｋ１ｃは、好ましくは０．８０ＭＰａ・ｍ０．５以上、０．８１ＭＰａ・ｍ０．５以上、０．８２ＭＰａ・ｍ０．５以上、０．８３ＭＰａ・ｍ０．５以上、０．８４ＭＰａ・ｍ０．５以上、特に０．８５ＭＰａ・ｍ０．５以上である。破壊靭性Ｋ１ｃが低いと、支持ガラス基板が破損し易くなる。
　本発明の支持ガラス基板において、８０℃に加温した５質量％ＨＣｌ水溶液に２４時間浸漬させた時の単位表面積当たりの質量損失は、好ましくは１００．０ｍｇ／ｃｍ２以下、９０ｍｇ／ｃｍ２以下、８０ｍｇ／ｃｍ２以下、７０ｍｇ／ｃｍ２以下、６０ｍｇ／ｃｍ２以下、５０ｍｇ／ｃｍ２以下、４０ｍｇ／ｃｍ２以下、３０ｍｇ／ｃｍ２以下、特に２０ｍｇ／ｃｍ２以下である。支持ガラス基板は、半導体パッケージ製造工程において、酸性の薬液に触れる可能性があり、工程不具合を防ぐ観点から耐酸性が高いことが好ましい。
　８０℃に加温した５質量％ＮａＯＨ水溶液に６時間浸漬させた時の単位表面積当たりの質量損失は、好ましくは５．０ｍｇ／ｃｍ２以下、４．９ｍｇ／ｃｍ２以下、４．８ｍｇ／ｃｍ２以下、４．７ｍｇ／ｃｍ２以下、４．６ｍｇ／ｃｍ２以下、４．５ｍｇ／ｃｍ２以下、４．０ｍｇ／ｃｍ２以下、３．０ｍｇ／ｃｍ２以下、特に２．０ｍｇ／ｃｍ２以下である。支持ガラス基板は、半導体パッケージ製造工程において、洗浄してリサイクルされることが多い。その際、支持ガラス基板はアルカリ性の薬液や洗剤に触れる可能性があり、耐アルカリ性が高いことが求められる。
　本発明の支持ガラス基板は、以下の形状を有することが好ましい。
　本発明の支持ガラス基板は、ウエハ形状又は略円板形状であることが好ましく、その直径は１００ｍｍ以上５００ｍｍ以下、特に１５０ｍｍ以上４５０ｍｍ以下が好ましい。このようにすれば、ｆａｎ　ｏｕｔ型のＷＬＰの製造工程に適用し易くなる。必要に応じて、それ以外の形状、例えば矩形形状等の形状に加工してもよい。
　本発明の支持ガラス基板は、略矩形形状であることも好ましく、その寸法は□２００ｍｍ以上、□２２０～７５０ｍｍ、特に□２５０～５００ｍｍが好ましい。このようにすれば、ｆａｎ　ｏｕｔ型のＰＬＰ（パネルレベルパッケージ）の製造工程に適用し易くなる。必要に応じて、それ以外の形状、例えば三角形、台形等の形状に加工してもよい。
　板厚は、好ましくは２．０ｍｍ未満、１．５ｍｍ以下、１．２ｍｍ以下、１．１ｍｍ以下、１．０ｍｍ以下、特に０．９ｍｍ以下である。板厚が薄くなる程、積層基板の質量が軽くなるため、ハンドリング性が向上する。一方、板厚が薄過ぎると、支持ガラス基板自体の強度が低下して、支持基板としての機能を果たし難くなる。よって、板厚は、好ましくは０．１ｍｍ以上、０．２ｍｍ以上、０．３ｍｍ以上、０．４ｍｍ以上、０．５ｍｍ以上、０．６ｍｍ以上、特に０．７ｍｍ超である。
　全体板厚偏差（ＴＴＶ）は、好ましくは５μｍ以下、４μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、１μｍ以下、特に０．１～１μｍ未満である。また算術平均粗さＲａは、好ましくは２０ｎｍ以下、１０ｎｍ以下、５ｎｍ以下、２ｎｍ以下、１ｎｍ以下、特に０．５ｎｍ以下である。表面精度が高い程、加工処理の精度を高め易くなる。特に配線精度を高めることができるため、高密度の配線が可能になる。また支持ガラス基板の強度が向上して、支持ガラス基板及び積層基板が破損し難くなる。更に支持ガラス基板の再利用回数を増やすことができる。なお、「算術平均粗さＲａ」は、触針式表面粗さ計又は原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により測定可能である。
　反り量は、好ましくは６０μｍ以下、５５μｍ以下、５０μｍ以下、１～４５μｍ、特に５～４０μｍである。反り量が小さい程、加工処理の精度を高め易くなる。特に配線精度を高めることができるため、高密度の配線が可能になる。
　ウエハ形状又は略円板形状の場合、真円度は、１ｍｍ以下、０．１ｍｍ以下、０．０５ｍｍ以下、特に０．０３ｍｍ以下が好ましい。真円度が小さい程、ｆａｎ　ｏｕｔ型のＷＬＰの製造工程に適用し易くなる。なお、「真円度」は、ノッチ構造を除き、外形の最大値から最小値を減じた値である。
　本発明の支持ガラス基板は、位置決め部を備えることが好ましく、位置決め部はノッチ構造、面取り構造、切り欠き構造の何れかであることが好ましく、特にノッチ構造であることが好ましく、ノッチ構造の深部は平面視で略円形状又は略Ｖ溝形状であることがより好ましい。これにより、支持ガラス基板のノッチ構造に位置決めピン等の位置決め部材を当接させて、支持ガラス基板を位置固定し易くなる。結果として、支持ガラス基板と加工基板の位置合わせが容易になる。特に、加工基板にもノッチ構造を形成して、位置決め部材を当接させると、積層基板全体の位置合わせが容易になる。なお、ノッチ構造は、位置決め部材が当接されるため、クラックが発生し易いが、本発明の支持ガラス基板は、強度が高いため、ノッチ構造を有する場合に特に有効である。
　支持ガラス基板のノッチ構造に位置決め部材を当接すると、ノッチ構造に応力が集中し易くなり、ノッチ構造を起点にして、支持ガラス基板が破損し易くなる。特に、支持ガラス基板が外力により湾曲した時に、その傾向が顕著になる。よって、本発明の支持ガラス基板は、ノッチ構造の表面と端面とが交差する端縁領域の全部又は一部が面取りされていることが好ましい。これにより、ノッチ構造を起点にした破損を有効に回避することができる。
　本発明のウエハ形状又は略円板形状の支持ガラス基板は、ノッチ構造の表面と端面とが交差する端縁領域の全部又は一部が面取りされており、ノッチ構造の表面と端面とが交差する端縁領域の５０％以上が面取りされていることが好ましく、ノッチ構造の表面と端面とが交差する端縁領域の９０％以上が面取りされていることがより好ましく、ノッチ構造の表面と端面とが交差する端縁領域の全部が面取りされていることが更に好ましい。ノッチ構造において面取りされている領域が大きい程、ノッチ構造を起点にした破損の確率を低減することができる。
　ノッチ構造の表面方向の面取り幅は、好ましくは５０～９００μｍ、２００～８００μｍ、３００～７００μｍ、４００～６５０μｍ、特に５００～６００μｍである。ノッチ構造の表面方向の面取り幅が小さ過ぎると、ノッチ構造を起点にして、支持ガラス基板が破損し易くなる。一方、ノッチ構造の表面方向の面取り幅が大き過ぎると、面取り効率が低下して、支持ガラス基板の製造コストが高騰し易くなる。
　ノッチ構造の板厚方向の面取り幅は、好ましくは板厚の５～８０％、２０～７５％、３０～７０％、３５～６５％、特に４０～６０％である。ノッチ構造の板厚方向の面取り幅が小さ過ぎると、ノッチ構造を起点にして、支持ガラス基板が破損し易くなる。一方、ノッチ構造の板厚方向の面取り幅が大き過ぎると、外力がノッチ構造の端面に集中し易くなり、ノッチ構造の端面を起点にして、支持ガラス基板が破損し易くなる。
　略矩形形状である場合、上方から見た時、すなわち支持ガラス基板を平面視した時の角部の角度は、好ましくは８９．０～９１．０°、８９．１～９０．９°、８９．２～９０．８°、８９．３～９０．７°、８９．４～９０．６°、特に８９．５～９０．５°である。角部の角度が９０°に近い程、支持ガラス基板の搬送時に正確に位置決めすることができる。
　本発明の支持ガラス基板は、支持ガラス基板の表面にドットを構成単位とする情報識別部を備えることが好ましい。情報識別部は、文字、記号、二次元コード、図形から選択される１種以上の要素を有するものであり、その要素が複数のドットで構成される。情報識別部は、支持ガラス基板の寸法、線熱膨張係数、ロット、全体板厚偏差（ＴＴＶ）、製造者名、販売者名、材質コードから選択される少なくとも１つの情報を含むことが好ましい。なお、「寸法」には、支持ガラス基板の厚み寸法、外径寸法、ノッチ構造の寸法等が含まれる。
　ドットの外径寸法は、好ましくは０．０５～０．２０ｍｍ、０．０７～０．１３ｍｍ以下、特に０．０９～０．１１ｍｍである。ドットの外形寸法が小さ過ぎると、情報識別部の視認性が低下し易くなる。一方、ドットの外形寸法が大き過ぎると、支持ガラス基板の強度を確保し易くなる。
　互いに隣り合うドットの中心間距離は０．０６～０．２５ｍｍが好ましい。互いに隣り合うドットの中心間距離が小さ過ぎると、支持ガラス基板の強度を確保し易くなる。一方、互いに隣り合うドットの中心間距離が大き過ぎると、情報識別部の視認性が低下し易くなる。
　情報識別部は、ドットを構成単位とし、そのドットの形状は環状の溝であることが好ましい。ドットの形状を環状の溝にすると、この環状の溝で囲まれた領域（溝より内側の領域）がレーザーにより除去されることなく残存するため、情報識別部が設けられた領域の強度低下を可及的に防止することが可能となる。また、環状の溝であれば、外径寸法が変わらない限り溝の幅寸法を小さくしても、視認性が大きく低下することもない。よって、溝の外径寸法を変えることなく幅寸法を小さくすれば、その分だけ溝よりも内側の領域を大きくすることができ、これにより視認性を確保しつつ所要の強度を維持することが可能となる。
　ドットを形成する溝の深さ寸法は２～３０μｍが好ましい。溝の深さ寸法が小さ過ぎると、情報識別部の視認性が低下し易くなる。一方、溝の深さ寸法が大き過ぎると、支持ガラス基板の強度を確保し易くなる。
　情報識別部は、種々の方法で形成し得るが、パルスレーザーを照射して、その照射領域のガラスをアブレーションして情報識別部を形成すること、つまりレーザーアブレーションにより情報識別部を形成することが好ましい。このようにすれば、照射領域のガラスに過剰な熱を蓄積させることなく、アブレーションを生じさせることができる。結果として、厚み方向のクラックの長さだけでなく、ドットから伸張する表面方向のクラックの長さを低減することができる。
　本発明の支持ガラス基板は、ガラス原料を調合、混合して、ガラスバッチを作製し、このガラスバッチをガラス溶融炉に投入した後、得られた溶融ガラスを清澄、攪拌した上で、成形装置に供給して、板状に成形し、作製されてなることが好ましい。
　本発明の支持ガラス基板は、板厚方向の中央部にオーバーフロー合流面を有することが好ましい。オーバーフローダウンドロー法では、支持ガラス基板の表面となるべき面は樋状耐火物に接触せず、自由表面の状態で成形される。このため、少量の研磨によって、全体板厚偏差を２．０μｍ未満、特に１．０μｍ未満まで低減することができる。結果として、支持ガラス基板の製造コストを低廉化することができる。
　本発明の支持ガラス基板は、オーバーフローダウンドロー法で成形した後に、表面を研磨されてなることが好ましい。このようにすれば、全体板厚偏差を２．０μｍ未満、１．５μｍ以下、１．０μｍ以下、特に０．１～１．０μｍ未満に規制し易くなる。
　本発明の支持ガラス基板は、ガラス表面に圧縮応力層を有することが好ましく、イオン交換による圧縮応力層を有することが更に好ましい。ガラス表面に圧縮応力層を形成すると、積層基板を地面に落下させた場合に、支持ガラス基板の破損確率を低下させることが可能になる。
　本発明の支持ガラス基板において、圧縮応力層の最表面の圧縮応力値は、好ましくは１６５～１０００ＭＰａ、２００ＭＰａ以上、２２０ＭＰａ以上、２５０ＭＰａ以上、２８０ＭＰａ以上、３００ＭＰａ以上、３１０ＭＰａ以上、特に３２０ＭＰａ以上である。最表面の圧縮応力値が大きい程、ビッカース硬度が高くなる。一方、表面に極端に大きな圧縮応力が形成されると、支持ガラス基板に内在する引っ張り応力が極端に高くなり、またイオン交換処理前後の寸法変化が大きくなる虞がある。このため、最表面の圧縮応力値は、好ましくは１０００ＭＰａ以下、９００ＭＰａ以下、７００ＭＰａ以下、６８０ＭＰａ以下、６５０ＭＰａ以下、特に６００ＭＰａ以下である。なお、イオン交換時間を短くしたり、イオン交換溶液の温度を下げれば、最表面の圧縮応力値が大きくなる傾向がある。
　圧縮応力層の応力深さは、好ましくは５０～２００μｍ、５０μｍ以上、６０μｍ以上、８０μｍ以上、１００μｍ以上、特に１２０μｍ以上である。応力深さが深い程、積層基板を落下させた際に、地面の突起物が支持ガラス基板の引っ張り応力層まで到達し難くなり、支持ガラス基板の破損確率を低下させることが可能になる。一方、応力深さが深過ぎると、イオン交換処理前後で寸法変化が大きくなる虞がある。更に最表面の圧縮応力値が低下する傾向がある。よって、応力深さは、好ましくは２００μｍ以下、１８０μｍ以下、１５０μｍ以下、特に１４０μｍ以下である。なお、イオン交換時間を長くしたり、イオン交換溶液の温度を上げれば、応力深さが深くなる傾向がある。
　イオン交換処理は、複数回行うことが好ましい。複数回のイオン交換処理として、ＫＮＯ３溶融塩を含む溶融塩に浸漬させるイオン交換処理を行った後、ＮａＮＯ３溶融塩を含む溶融塩に浸漬させるイオン交換処理を行うことが好ましい。このようにすれば、深い応力深さを確保しながら、最表面の圧縮応力値を高めることができる。
　特に、ＮａＮＯ３溶融塩又はＮａＮＯ３とＫＮＯ３混合溶融塩に浸漬させるイオン交換処理（第１のイオン交換工程）を行った後、ＫＮＯ３とＬｉＮＯ３混合溶融塩に浸漬させるイオン交換処理（第２のイオン交換工程）を行うことが好ましい。このようにすれば、図４、５に示す非単調の応力プロファイル、つまり少なくとも第１ピーク、第２ピーク、第１ボトム、第２ボトムを有する応力プロファイルを形成することができる。結果として、積層基板を落下させた際の支持ガラス基板の破損確率を大幅に低下させることが可能になる。
　第１のイオン交換工程では、ガラス中に含まれるＬｉイオンと溶融塩中のＮａイオンがイオン交換し、ＮａＮＯ３とＫＮＯ３混合溶融塩を用いる場合、更にガラス中に含まれるＮａイオンと溶融塩中のＫイオンがイオン交換する。ここで、ガラス中に含まれるＬｉイオンと溶融塩中のＮａイオンのイオン交換は、ガラス中に含まれるＮａイオンと溶融塩中のＫイオンのイオン交換よりもスピードが速く、イオン交換の効率が高い。第２のイオン交換工程では、ガラス表面近傍（最表面から板厚の２０％までの浅い領域）におけるＮａイオンと溶融塩中のＬｉイオンがイオン交換し、加えてガラス表面近傍（最表面から板厚の２０％までの浅い領域）におけるＮａイオンと溶融塩中のＫイオンがイオン交換する。すなわち、第２のイオン交換工程では、ガラス表面近傍におけるＮａイオンを離脱させつつ、イオン半径の大きいＫイオンを導入することができる。結果として、深い応力深さを維持しながら、最表面の圧縮応力値を高めることができる。
　第１のイオン交換工程では、溶融塩の温度は３６０～４００℃が好ましく、イオン交換時間は３０分～６時間が好ましい。第２のイオン交換工程では、イオン交換溶液の温度は３７０～４００℃が好ましく、イオン交換時間は１５分～３時間が好ましい。
　非単調の応力プロファイルを形成する上で、第１のイオン交換工程で用いるＮａＮＯ３とＫＮＯ３混合溶融塩では、ＮａＮＯ３の濃度がＫＮＯ３の濃度よりも高いことが好ましく、第２のイオン交換工程で用いるＫＮＯ３とＬｉＮＯ３混合溶融塩では、ＫＮＯ３の濃度がＬｉＮＯ３の濃度よりも高いことが好ましい。
　第１のイオン交換工程で用いるＮａＮＯ３とＫＮＯ３混合溶融塩において、ＫＮＯ３の濃度は、好ましくは０質量％以上、０．５質量％以上、１質量％以上、５質量％以上、７質量％以上、１０質量％以上、１５質量％以上、特に２０～９０質量％である。ＫＮＯ３の濃度が高過ぎると、ガラス中に含まれるＬｉイオンと溶融塩中のＮａイオンがイオン交換する際に形成される圧縮応力値が低下し過ぎる虞がある。また、ＫＮＯ３の濃度が低過ぎると、表面応力計ＦＳＭ－６０００による応力測定が困難になる虞がある。
　第２のイオン交換工程で用いるＫＮＯ３とＬｉＮＯ３混合溶融塩において、ＬｉＮＯ３の濃度は、好ましくは０超～５質量％、０超～３質量％、０超～２質量％、特に０．１～１質量％である。ＬｉＮＯ３の濃度が低過ぎると、ガラス表面近傍におけるＮａイオンが離脱し難くなる。一方、ＬｉＮＯ３の濃度が高過ぎると、ガラス表面近傍におけるＮａイオンと溶融塩中のＫイオンのイオン交換によって形成される圧縮応力値が低下し過ぎる虞がある。
　本発明の積層基板は、少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層基板であって、支持ガラス基板が上記の支持ガラス基板であることを特徴とする。本発明の積層基板は、加工基板と支持ガラス基板の間に、接着層を有することが好ましい。接着層は、樹脂であることが好ましく、例えば、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化樹脂）等が好ましい。またｆａｎ　ｏｕｔ型のＷＬＰの製造工程における熱処理に耐える耐熱性を有するものが好ましい。これにより、ｆａｎ　ｏｕｔ型のＷＬＰの製造工程で接着層が融解し難くなり、加工処理の精度を高めることができる。なお、加工基板と支持ガラス基板を容易に固定するため、紫外線硬化型テープを接着層として使用することもできる。
　本発明の積層基板は、更に加工基板と支持ガラス基板の間に、より具体的には加工基板と接着層の間に、剥離層を有すること、或いは支持ガラス基板と接着層の間に、剥離層を有することが好ましい。このようにすれば、加工基板に対して、所定の加工処理を行った後に、加工基板を支持ガラス基板から剥離し易くなる。加工基板の剥離は、生産性の観点から、レーザー光等の照射光により行うことが好ましい。レーザー光源として、ＹＡＧレーザー（波長１０６４ｎｍ）、半導体レーザー（波長７８０～１３００ｎｍ）等の赤外光レーザー光源を用いることができる。また、剥離層には赤外線レーザーを照射することで分解する樹脂を使用することができる。また、赤外線を効率良く吸収し、熱に変換する物質を樹脂に添加することもできる。例えば、カーボンブラック、グラファイト粉、微粒子金属粉末、染料、顔料等を樹脂に添加することもできる。
　剥離層は、レーザー光等の照射光により「層内剥離」又は「界面剥離」が生じる材料で構成される。つまり一定の強度の光を照射すると、原子又は分子における原子間又は分子間の結合力が消失又は減少して、アブレーション（ａｂｌａｔｉｏｎ）等を生じ、剥離を生じさせる材料で構成される。なお、照射光の照射により、剥離層に含まれる成分が気体となって放出されて分離に至る場合と、剥離層が光を吸収して気体になり、その蒸気が放出されて分離に至る場合とがある。
　本発明の積層基板において、支持ガラス基板は、加工基板よりも大きいことが好ましい。これにより、加工基板を支持する際に、両者の中心位置が僅かに離間した場合でも、支持ガラス基板から加工基板の縁部が食み出し難くなる。
　本発明の半導体パッケージの製造方法は、少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層基板を用意する工程と、加工基板に対して、加工処理を行う工程と、を有すると共に、支持ガラス基板が上記の支持ガラス基板であることを特徴とする。
　本発明の半導体パッケージの製造方法は、更に積層基板を搬送する工程を有することが好ましい。これにより、加工処理の処理効率を高めることができる。なお、「積層基板を搬送する工程」と「加工基板に対して、加工処理を行う工程」とは、別途に行う必要はなく、同時であってもよい。
　本発明の半導体パッケージの製造方法において、加工処理は、加工基板の一方の表面に配線する処理、或いは加工基板の一方の表面に半田バンプを形成する処理が好ましい。本発明の半導体パッケージの製造方法では、これらの処理時に加工基板が寸法変化し難いため、これらの工程を適正に行うことができる。
　加工処理として、上記以外にも、加工基板の一方の表面（通常、支持ガラス基板とは反対側の表面）を機械的に研磨する処理、加工基板の一方の表面（通常、支持ガラス基板とは反対側の表面）をドライエッチングする処理、加工基板の一方の表面（通常、支持ガラス基板とは反対側の表面）をウェットエッチングする処理の何れかであってもよい。なお、本発明の半導体パッケージの製造方法では、加工基板に反りが発生し難いと共に、積層基板の剛性を維持することができる。結果として、上記加工処理を適正に行うことができる。
　図面を参酌しながら、本発明を更に説明する。
　図１は、本発明の積層基板１の一例を示す概念斜視図である。図１では、積層基板１は、支持ガラス基板１０と加工基板１１とを備えている。支持ガラス基板１０は、加工基板１１の寸法変化を防止するために、加工基板１１に貼着されている。そして、支持ガラス基板１０は、リチウムアルミノシリケート系ガラスであり、ガラス組成中のＬｉ２Ｏの含有量が０．０２～２５モル％であり、３０～３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が４５×１０－７／℃以上であり、且つ１６０×１０－７／℃以下である。また、支持ガラス基板１０と加工基板１１との間には、剥離層１２と接着層１３が配置されている。剥離層１２は、支持ガラス基板１０と接触しており、接着層１３は、加工基板１１と接触している。
　図１から分かるように、積層基板１は、支持ガラス基板１０、剥離層１２、接着層１３、加工基板１１の順に積層配置されている。支持ガラス基板１０の形状は、加工基板１１に応じて決定されるが、図１では、支持ガラス基板１０及び加工基板１１の形状は、何れもウエハ形状である。剥離層１２は、非晶質シリコン（ａ－Ｓｉ）以外にも、酸化ケイ素、ケイ酸化合物、窒化ケイ素、窒化アルミ、窒化チタン等が用いられる。剥離層１２は、プラズマＣＶＤ、ゾル－ゲル法によるスピンコート等により形成される。接着層１３は、樹脂で構成されており、例えば、各種印刷法、インクジェット法、スピンコート法、ロールコート法等により塗布形成される。接着層１３は、剥離層１２により加工基板１１から支持ガラス基板１０が剥離された後、溶剤等により溶解除去される。
　図２は、ｆａｎ　ｏｕｔ型のＷＬＰの製造工程を示す概念断面図である。図２（ａ）は、支持部材２０の一方の表面上に接着層２１を形成した状態を示している。必要に応じて、支持部材２０と接着層２１の間に剥離層を形成してもよい。次に、図２（ｂ）に示すように、接着層２１の上に複数の半導体チップ２２を貼付する。その際、半導体チップ２２のアクティブ側の面を接着層２１に接触させる。次に、図２（ｃ）に示すように、半導体チップ２２を樹脂の封止材２３でモールドする。封止材２３は、圧縮成形後の寸法変化、配線を成形する際の寸法変化が少ない材料が使用される。続いて、図２（ｄ）、（ｅ）に示すように、支持部材２０から半導体チップ２２がモールドされた加工基板２４を分離した後、接着層２５を介して、支持ガラス基板２６と接着固定させる。その際、加工基板２４の表面の内、半導体チップ２２が埋め込まれた側の表面とは反対側の表面が支持ガラス基板２６側に配置される。このようにして、積層基板２７を得ることができる。なお、必要に応じて、接着層２５と支持ガラス基板２６の間に剥離層を形成してもよい。更に、得られた積層基板２７を搬送した後に、図２（ｆ）に示すように、加工基板２４の半導体チップ２２が埋め込まれた側の表面に配線２８を形成した後、複数の半田バンプ２９を形成する。最後に、支持ガラス基板２６から加工基板２４を分離した後に、加工基板２４を半導体チップ２２毎に切断し、後のパッケージング工程に供される（図２（ｇ））。
　図３は、支持ガラス基板をバックグラインド基板に用いて、加工基板を薄型化する工程を示す概念断面図である。図３（ａ）は、積層基板３０を示している。積層基板３０は、支持ガラス基板３１、剥離層３２、接着層３３、加工基板（シリコンウェハ）３４の順に積層配置されている。加工基板の接着層３３に接する側の表面には、半導体チップ３５がフォトリソグラフィー法等により複数形成されている。図３（ｂ）は、加工基板３４を研磨装置３６により薄型化する工程を示している。この工程により、加工基板３４は、機械的に研磨されて、例えば数十μｍまで薄型化される。図３（ｃ）は、支持ガラス基板３１を通して、剥離層３２に紫外光３７を照射する工程を示している。この工程を経ると、図３（ｄ）に示す通り、支持ガラス基板３１を分離することが可能になる。分離された支持ガラス基板３１は、必要に応じて、再利用される。図３（ｅ）は、加工基板３４から接着層３３を取り除く工程を示している。この工程を経ると、薄型化した加工基板３４を採取することができる。
　本発明のガラス基板は、ガラス組成として、モル％で、ＳｉＯ２　５０～６５％、Ａｌ２Ｏ３　８～２５％、Ｂ２Ｏ３　０～１０％、Ｌｉ２Ｏ　５．１～２０％、Ｎａ２Ｏ　１０超～１６．１％、Ｋ２Ｏ　０～１５％、ＭｇＯ　０．０１～３％、ＣａＯ　０～１０％、ＺｒＯ２　０．０１～１０％を含有し、ヤング率が８０ＧＰａ以上であることを特徴とする。また、本発明のガラス基板は、ガラス組成として、モル％で、ＳｉＯ２　５０～６５％、Ａｌ２Ｏ３　８～１８％、Ｂ２Ｏ３　０～１０％、Ｌｉ２Ｏ　２０～２５％、Ｎａ２Ｏ　０．０１～１０％、Ｋ２Ｏ　０～１５％、ＭｇＯ　０～１０％、ＣａＯ　０．０１～１０％、ＺｒＯ２　０～１０％を含有し、ヤング率が８５ＧＰａ以上、破壊靭性Ｋ１Ｃが０．８０ＭＰａ・ｍ０．５以上であることを特徴とする。本発明のガラス基板の技術的特徴は、本発明の支持ガラス基板の説明欄に既に記載済みであるため、ここでは詳細な説明を省略する。
　本発明のガラス基板は、ガラス組成として、モル％で、ＳｉＯ２　６４～７６％、Ａｌ２Ｏ３　４～１５％、Ｂ２Ｏ３　４～１６％、Ｌｉ２Ｏ　０．１～１４％、Ｎａ２Ｏ　０．０１～１４％、Ｋ２Ｏ　０～１５％、ＭｇＯ　０～７％、ＣａＯ　０～７％、ＳｒＯ　０～７％、ＢａＯ　０～７％、ＺｒＯ２　０～１０％を含有し、ヤング率が６０ＧＰａ以上、３０～３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が３８×１０－７／℃以上、且つ８５×１０－７／℃以下であることであることを特徴とする。また、本発明のガラス基板は、ガラス組成として、モル％で、ＳｉＯ２　６４～７６％、Ａｌ２Ｏ３　４～１５％、Ｂ２Ｏ３　４～１６％、Ｌｉ２Ｏ　０．１～１４％、Ｎａ２Ｏ　０．０１～１４％、Ｋ２Ｏ　０～１５％、ＭｇＯ　０．０１～７％、ＣａＯ　０．０１～７％、ＳｒＯ　０～７％、ＢａＯ　０～７％、ＺｒＯ２　０～１０％を含有し、ヤング率が６０ＧＰａ以上、３０～３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が３８×１０－７／℃以上、且つ８５×１０－７／℃以下であることであることを特徴とする。また、本発明のガラス基板は、ガラス組成として、モル％で、ＳｉＯ２　６４～７６％、Ａｌ２Ｏ３　４～１５％、Ｂ２Ｏ３　４～１６％、Ｌｉ２Ｏ　０．１～１４％、Ｎａ２Ｏ　０．０１～１４％、Ｋ２Ｏ　０～１５％、ＭｇＯ　０～７％、ＣａＯ　０～７％、ＳｒＯ　０．０１～７％、ＢａＯ　０～７％、ＺｒＯ２　０～１０％を含有し、ヤング率が６０ＧＰａ以上、３０～３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が３８×１０－７／℃以上、且つ８５×１０－７／℃以下であることであることを特徴とする。また、本発明のガラス基板は、ガラス組成として、モル％で、ＳｉＯ２　６４～７６％、Ａｌ２Ｏ３　４～１５％、Ｂ２Ｏ３　４～１６％、Ｌｉ２Ｏ　０．１～１４％、Ｎａ２Ｏ　０．０１～１４％、Ｋ２Ｏ　０～１５％、ＭｇＯ　０．０１～７％、ＣａＯ　０．０１～７％、ＳｒＯ　０．０１～７％、ＢａＯ　０～７％、ＺｒＯ２　０～１０％を含有し、ヤング率が６０ＧＰａ以上、３０～３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が３８×１０－７／℃以上、且つ８５×１０－７／℃以下であることであることを特徴とする。また、本発明のガラス基板は、ガラス組成として、モル％で、ＳｉＯ２　６４～７６％、Ａｌ２Ｏ３　４～１５％、Ｂ２Ｏ３　４～１６％、Ｌｉ２Ｏ　１．５～８．５％、Ｎａ２Ｏ　０．０１～１４％、Ｋ２Ｏ　０～１５％、ＭｇＯ　０．０１～７％、ＣａＯ　０．０１～７％、ＳｒＯ　０．０１～７％、ＢａＯ　０～７％、ＺｒＯ２　０～１０％を含有し、ヤング率が６０ＧＰａ以上、３０～３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が３８×１０－７／℃以上、且つ８５×１０－７／℃以下であることであることを特徴とする。なお、本発明のガラス基板の技術的特徴は、本発明の支持ガラス基板の説明欄に既に記載済みであるため、ここでは詳細な説明を省略する。
　以下、実施例に基づいて、本発明を説明する。なお、以下の実施例は、単なる例示である。本発明は、以下の実施例に何ら限定されない。
　表１～３６は、本発明の実施例（試料Ｎｏ．１～３６１）のガラス組成とガラス特性を示している。なお、表中で「Ｎ．Ａ．」は未測定を意味しており、「Ｌｉ／（Ｎａ＋Ｋ）」は、モル比［Ｌｉ２Ｏ］／(［Ｎａ２Ｏ］＋［Ｋ２Ｏ])を意味しており、「Ｌｉ＋Ｎａ＋Ｋ」は、モル比［Ｌｉ２Ｏ］＋［Ｎａ２Ｏ］＋［Ｋ２Ｏ]を意味しており、「Ｌｉ／Ｐ」は、モル比［Ｌｉ２Ｏ］／［Ｐ２Ｏ５］を意味しており、「(Ｎａ－Ｌｉ)／（Ａｌ＋Ｂ＋Ｐ）」は、モル比(［Ｎａ２Ｏ］?［Ｌｉ２Ｏ］)／(［Ａｌ２Ｏ３］＋［Ｂ２Ｏ３］＋［Ｐ２Ｏ５］)を意味しており、「（Ｂ＋Ｎａ－Ｐ）／（Ａｌ＋Ｌｉ）」は、モル比(［Ｂ２Ｏ３］＋［Ｎａ２Ｏ］?［Ｐ２Ｏ５］)／(［Ａｌ２Ｏ３］＋［Ｌｉ２Ｏ］)を意味しており、「Ｓｉ＋１．２Ｐ－３Ａｌ－２Ｌｉ－１．５Ｎａ－Ｋ－Ｂ」は、［ＳｉＯ２]＋１．２×［Ｐ２Ｏ５]－３×［Ａｌ２Ｏ３]－２×［Ｌｉ２Ｏ]－１．５×［Ｎａ２Ｏ]－［Ｋ２Ｏ]－［Ｂ２Ｏ３]を意味している。また、かっこ書きの値は、ガラス組成から予測される計算値である。
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　次のようにして表中の各試料を作製した。まず表中のガラス組成になるように、ガラス原料を調合し、白金ポットを用いて１６００℃で２１時間溶融した。続いて、得られた溶融ガラスをカーボン板の上に流し出して、平板形状に成形した後、徐冷点から歪点の間の温度域を３℃／分で冷却し、ガラス基板（強化用ガラス基板）を得た。得られたガラス基板について、板厚が１．５ｍｍになるように表面を光学研磨した後、種々の特性を評価した。
　密度（ρ）は、周知のアルキメデス法によって測定した値である。
　３０～３８０℃における熱膨張係数（α３０-３８０℃）は、ディラトメーターを用いて、平均熱膨張係数を測定した値である。
　高温粘度１０２．５ｄＰａ・ｓにおける温度（１０２．５ｄＰａ・ｓ）は、白金球引き上げ法で測定した値である。
　軟化点（Ｔｓ）は、ＡＳＴＭ　Ｃ３３８の方法に基づいて測定した値である。
　液相温度（ＴＬ）は、標準篩３０メッシュ（５００μｍ）を通過し、５０メッシュ（３００μｍ）に残るガラス粉末を白金ボートに入れて、温度勾配炉中に２４時間保持した後、白金ボートを取り出し、顕微鏡観察により、ガラス内部に失透（失透ブツ）が認められた最も高い温度とした。液相粘度（logη at TL）は、液相温度における粘度を白金球引き上げ法で測定した値であり、対数を取ってlogηで示したものである。
　ヤング率（Ｅ）は、ＪＩＳ　Ｒ１６０２-１９９５「ファインセラミックスの弾性率試験方法」に準拠した方法で算出したものである。
　破壊靭性Ｋ１Ｃは、ＪＩＳ　Ｒ１６０７-２０１５「ファインセラミックスの室温破壊じん（靱）性試験方法」に準拠した方法で算出したものである。
　耐酸性試験は、測定試料として５０×１０×１．０ｍｍの寸法に両面鏡面研磨加工したガラス試料を用い、中性洗剤及び純水で十分に洗浄した後、８０℃に加温した５質量％ＨＣｌ水溶液に２４時間浸漬させる場合に、浸漬前後の単位表面積当たりの質量損失（ｍｇ／ｃｍ２）を算出することで評価したものである。
　耐アルカリ性試験は、測定試料として５０×１０×１．０ｍｍの寸法に両面鏡面研磨加工したガラス試料を用い、中性洗剤及び純水で十分に洗浄した後、８０℃に加温した５質量％ＮａＯＨ水溶液に６時間浸漬させた場合に、浸漬前後の単位表面積当たりの質量損失（ｍｇ／ｃｍ２）を算出することで評価したものである。
　表から明らかなように、試料Ｎｏ．１～３６１は、３０～３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が３９．６×１０－７／℃以上、且つ１０７．４×１０－７／℃以下であり、ヤング率が６３ＧＰａ以上であり、且つ破壊靭性Ｋ１ｃが０．９１ＭＰａ・ｍ０．５以上であるため、加工基板の寸法変化を生じさせ難く、落下時に破損し難いものと考えられる。
　続いて、４３０℃のＫＮＯ３溶融塩中に、各ガラス基板を４時間浸漬することにより、イオン交換処理を行い、ガラス表面に圧縮応力層を有する強化ガラス基板を得た後、ガラス表面を洗浄した上で、表面応力計ＦＳＭ－６０００（株式会社折原製作所製）を用いて観察される干渉縞の本数とその間隔から最表面の圧縮応力層の圧縮応力値（ＣＳＫ）と応力深さ（ＤＯＬ_ＺＥＲＯＫ）を算出した。ここで、ＤＯＬ_ＺＥＲＯＫは、圧縮応力値がゼロになる深さである。なお、応力特性の算出に当たり、各試料の屈折率を１．５１、光学弾性定数を３０．１［（ｎｍ／ｃｍ）／ＭＰａ］とした。
　また、３８０℃のＮａＮＯ３溶融塩中に、各ガラス基板を１時間浸漬することにより、イオン交換処理を行い、強化ガラス基板を得た後、ガラス表面を洗浄した上で、散乱光光弾性応力計ＳＬＰ－１０００（株式会社折原製作所製）を用いて観察される位相差分布曲線から最表面の圧縮応力値（ＣＳＮａ）と応力深さ（ＤＯＬ_ＺＥＲＯＮａ）を算出した。ここで、ＤＯＬ_ＺＥＲＯＮａは、応力値がゼロになる深さである。なお、応力特性の算出に当たり、各試料の屈折率を１．５１、光学弾性定数を３０．１［（ｎｍ／ｃｍ）／ＭＰａ］とした。
　表から明らかなように、試料Ｎｏ．１～３６１は、ＫＮＯ３溶融塩でイオン交換処理した場合、最表面の圧縮応力層の圧縮応力値（ＣＳＫ）が４７３ＭＰａ以上であり、またＮａＮＯ３溶融塩でイオン交換処理した場合、最表面の圧縮応力層の圧縮応力値（ＣＳＮａ）が１６５ＭＰａ以上であるため、何れの溶融塩でもイオン交換処理が可能であり、落下時に破損が生じ難いものと考えられる。
　まず表１の試料Ｎｏ．２及び３４のガラス組成になるように、ガラス原料を調合し、白金ポットを用いて１６００℃で２１時間溶融した。続いて、得られた溶融ガラスをカーボン板の上に流し出して、平板形状に成形した後、徐冷点から歪点の間の温度域を３℃／分で冷却し、ガラス基板を得た。得られたガラス基板について、試料Ｎｏ．２は板厚０．７ｍｍ、試料Ｎｏ．３４は板厚０．８ｍｍになるように表面を光学研磨した。
　次に、ガラス基板を３８０℃のＮａＮＯ３溶融塩中（ＮａＮＯ３の濃度１００質量％）に３時間浸漬することによりイオン交換処理を行った後、３８０℃のＫＮＯ３とＬｉＮＯ３混合溶融塩中（ＬｉＮＯ３の濃度２．５質量％）に７５分間浸漬することによりイオン交換処理を行った。更に、得られた強化ガラス基板の表面を洗浄した上で、散乱光光弾性応力計ＳＬＰ－１０００（株式会社折原製作所製）及び表面応力計ＦＳＭ－６０００（株式会社折原製作所製）を用いて強化ガラス基板の応力プロファイルを測定したところ、何れも図４と同様の非単調の応力プロファイル、つまり第１ピーク、第２ピーク、第１ボトム、第２ボトムを有する応力プロファイルが得られた。
　まず表５の試料Ｎｏ．１０８及び１４５のガラス組成になるように、ガラス原料を調合し、白金ポットを用いて１６００℃で２１時間溶融した。続いて、得られた溶融ガラスをカーボン板の上に流し出して、平板形状に成形した後、徐冷点から歪点の間の温度域を３℃／分で冷却し、ガラス基板を得た。得られたガラス基板について、板厚０．７ｍｍになるように表面を光学研磨した。
　次に、ガラス基板を３８０℃のＮａＮＯ３溶融塩中（ＮａＮＯ３の濃度１００質量％）に３時間浸漬することによりイオン交換処理を行った後、３８０℃のＫＮＯ３とＬｉＮＯ３混合溶融塩中（ＬｉＮＯ３の濃度１．５質量％）に４５分間浸漬することによりイオン交換処理を行った。更に、得られた強化ガラス基板の表面を洗浄した上で、散乱光光弾性応力計ＳＬＰ－１０００（株式会社折原製作所製）及び表面応力計ＦＳＭ－６０００（株式会社折原製作所製）を用いて強化ガラス基板の応力プロファイルを測定したところ、何れも図５と同様の非単調の応力プロファイル、つまり第１ピーク、第２ピーク、第１ボトム、第２ボトムを有する応力プロファイルが得られた。よって、得られた強化ガラス基板は、落下時の破損確率が低いものと予想される。
　まず表中のガラス組成になるように、ガラス原料を調合したガラスバッチを白金坩堝に入れた後、１５００～１７００℃で２４時間溶融、清澄、均質化を行った。ガラスバッチの溶解に際しては、白金スターラーを用いて攪拌し、均質化を行った。次いで、溶融ガラスをカーボン板上に流し出して、板状に成形した後、徐冷点付近の温度で３０分間徐冷した。
　続いて、試料Ｎｏ．１～３６１に係るガラス基板をφ３００ｍｍ×０．８ｍｍ厚に加工した後、その両表面を研磨装置により研磨処理した。具体的には、ガラス基板の両表面を外径が相違する一対の研磨パットで挟み込み、ガラス基板と一対の研磨パッドを共に回転させながらガラス基板の両表面を研磨処理した。研磨処理の際、時折、ガラス基板の一部が研磨パッドから食み出すように制御した。なお、研磨パッドはウレタン製、研磨処理の際に使用した研磨スラリーの平均粒径は２．５μｍ、研磨速度は１５ｍ／分であった。得られた各研磨処理済みガラス基板について、コベルコ科研社製のＳＢＷ－３３１ＭＬ／ｄにより全体板厚偏差（ＴＴＶ）と反り量を測定した。その結果、全体板厚偏差（ＴＴＶ）がそれぞれ０．３８μｍであり、反り量がそれぞれ２８μｍであり、支持ガラス基板として好適であると考えられる。
　本発明の支持ガラス基板は、ＷＬＰやＰＬＰを製造するための支持ガラス基板として好適である。本発明の支持ガラス基板は、これらの用途以外にも、高い機械的強度が要求される用途、例えば窓ガラス、磁気ディスク用基板、フラットパネルディスプレイ用基板、フレキシブルディスプレイ用基板、太陽電池用カバーガラス、固体撮像素子用カバーガラス、車載用カバーガラスへの応用が期待される。
１、２７、３０　積層基板
１０、２６、３１　支持ガラス基板
１１、２４、３４　加工基板
１２、３２　剥離層
１３、２１、２５、３３　接着層
２０　支持部材
２２、３５　半導体チップ
２３　封止材
２８　配線
２９　半田バンプ
３６　研磨装置
３７　紫外光

Claims (32)

  1. 　加工基板を支持するための支持ガラス基板であって、リチウムアルミノシリケート系ガラスであり、ガラス組成中のＬｉ２Ｏの含有量が０．０２～２５モル％であり、３０～３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が３８×１０－７／℃以上、且つ１６０×１０－７／℃以下であることを特徴とする支持ガラス基板。
  2. 　加工基板を支持するための支持ガラス基板であって、ガラス組成として、モル％で、ＳｉＯ２　５０～８０％、Ａｌ２Ｏ３　４～２５％、Ｂ２Ｏ３　０～１６％、Ｌｉ２Ｏ　０．９～１５％、Ｎａ２Ｏ　０超～２１％、Ｋ２Ｏ　０～１５％、ＭｇＯ　０～１０％、ＺｎＯ　０～１０％、Ｐ２Ｏ５　０～１５％を含有することを特徴とする請求項１に記載の支持ガラス基板。
  3. 　モル比(［Ｎａ２Ｏ］?［Ｌｉ２Ｏ］)／(［Ａｌ２Ｏ３］＋［Ｂ２Ｏ３］＋［Ｐ２Ｏ５］)≦１．５０の関係を満たすことを特徴とする請求項１又は２に記載の支持ガラス基板。
  4. 　モル比(［Ｂ２Ｏ３］＋［Ｎａ２Ｏ］?［Ｐ２Ｏ５］)／(［Ａｌ２Ｏ３］＋[Ｌｉ２Ｏ］)≧０．００１の関係を満たすことを特徴とする請求項１～３の何れか一項に記載の支持ガラス基板。
  5. 　（[Ｌｉ２Ｏ］＋［Ｎａ２Ｏ］＋［Ｋ２Ｏ］）を１２モル％以上含有し、[ＳｉＯ２]＋１．２×[Ｐ２Ｏ５]－３×[Ａｌ２Ｏ３]－２×[Ｌｉ２Ｏ]－１．５×[Ｎａ２Ｏ]－[Ｋ２Ｏ]－[Ｂ２Ｏ３]≧－４０％の関係を満たすことを特徴とする請求項１～４の何れか一項に記載の支持ガラス基板。
  6. 　高温粘度１０２．５ｄＰａ・ｓにおける温度が１６６０℃未満であることを特徴とする請求項１～５の何れか一項に記載の支持ガラス基板。
  7. 　板厚方向の中央部にオーバーフロー合流面を有することを特徴とする請求項１～６の何れか一項に記載の支持ガラス基板。
  8. 　８０℃に加温した５質量％ＨＣｌ水溶液に２４時間浸漬させた時の単位表面積当たりの質量損失が、１００．０ｍｇ／ｃｍ２以下であることを特徴とする請求項１～７の何れか一項に記載の支持ガラス基板。
  9. 　８０℃に加温した５質量％ＮａＯＨ水溶液に６時間浸漬させた時の単位表面積当たりの質量損失が、５．０ｍｇ／ｃｍ２以下であることを特徴とする請求項１～８の何れか一項に記載の支持ガラス基板。
  10. 　ガラス表面に圧縮応力層を有することを特徴とする請求項１～９の何れか一項に記載の支持ガラス基板。
  11. 　ガラス表面に圧縮応力層を有し、ガラス組成として、モル％で、ＳｉＯ２　５０～８０％、Ａｌ２Ｏ３　４～２５％、Ｂ２Ｏ３　０～１６％、Ｌｉ２Ｏ　０．９～１５％、Ｎａ２Ｏ　０超～２１％、Ｋ２Ｏ　０～１５％、ＭｇＯ　０～１０％、ＺｎＯ　０～１０％、Ｐ２Ｏ５　０～１５％を含有することを特徴とする支持ガラス基板。
  12. 　圧縮応力層の最表面の圧縮応力値が１６５～１０００ＭＰａであることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の支持ガラス基板。
  13. 　圧縮応力層の応力深さが５０～２００μｍであることを特徴とする請求項１０～１２の何れか一項に記載の支持ガラス基板。
  14. 　ガラス表面に圧縮応力層を有し、ガラス組成として、Ａｌ２Ｏ３を１７モル％以上、Ｐ２Ｏ５を１モル％以上、（[Ｌｉ２Ｏ］＋［Ｎａ２Ｏ］＋［Ｋ２Ｏ］）を１２モル％以上含有し、[ＳｉＯ２]＋１．２×[Ｐ２Ｏ５]－３×[Ａｌ２Ｏ３]－２×[Ｌｉ２Ｏ]－１．５×[Ｎａ２Ｏ]－[Ｋ２Ｏ]－[Ｂ２Ｏ３]≧－２０モル％の関係を満たすことを特徴とする請求項１～１３の何れか一項に記載の支持ガラス基板。
  15. 　厚み方向の応力プロファイルが、少なくとも第１ピーク、第２ピーク、第１ボトム、第２ボトムを有することを特徴とする請求項１０～１４の何れか一項に記載の支持ガラス基板。
  16. 　直径１００～５００ｍｍのウエハ形状又は略円板形状を有し、板厚が２．０ｍｍ未満であり、全体板厚偏差（ＴＴＶ）が５μｍ以下であり、且つ反り量が６０μｍ以下であることを特徴とする請求項１～１５の何れかに記載の支持ガラス基板。
  17. 　□２００ｍｍ以上の略矩形形状を有し、板厚が１．０ｍｍ以上であり、全体板厚偏差（ＴＴＶ）が３０μｍ以下であることを特徴とする請求項１～１６の何れかに記載の支持ガラス基板。
  18. 　上方から見た時の角部の角度が８９．０～９１．０°であることを特徴とする請求項１７に記載の支持ガラス基板。
  19. 　外周部に位置決め部を有することを特徴とする請求項１～１８の何れかに記載の支持ガラス基板。
  20. 　位置決め部が、ノッチ構造、面取り構造、切り欠き構造の何れかであることを特徴とする請求項１９の何れかに記載の支持ガラス基板。
  21. 　少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体であって、支持ガラス基板が請求項１～２０の何れかに記載の支持ガラス基板であることを特徴とする積層体。
  22. 　加工基板が、少なくとも封止材でモールドされた半導体チップを備えることを特徴とする請求項１～２１の何れかに記載の積層体。
  23. 　少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体を用意する工程と、
    　加工基板に対して、加工処理を行う工程と、を有すると共に、支持ガラス基板が請求項１～２２の何れかに記載の支持ガラス基板であることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
  24. 　加工処理が、加工基板の一方の表面に配線する工程を含むことを特徴とする請求項２３に記載の半導体パッケージの製造方法。
  25. 　加工処理が、加工基板の一方の表面に半田バンプを形成する工程を含むことを特徴とする請求項２３又は２４に記載の半導体パッケージの製造方法。
  26. 　ガラス組成として、モル％で、ＳｉＯ２　５０～６５％、Ａｌ２Ｏ３　８～２５％、Ｂ２Ｏ３　０～１０％、Ｌｉ２Ｏ　５．１～２０％、Ｎａ２Ｏ　１０超～１６．１％、Ｋ２Ｏ　０～１５％、ＭｇＯ　０．０１～３％、ＣａＯ　０～１０％、ＺｒＯ２　０．０１～１０％を含有し、ヤング率が８０ＧＰａ以上であることを特徴とするガラス基板。
  27. 　ガラス組成として、モル％で、ＳｉＯ２　５０～６５％、Ａｌ２Ｏ３　８～１８％、Ｂ２Ｏ３　０～１０％、Ｌｉ２Ｏ　２０～２５％、Ｎａ２Ｏ　０．０１～１０％、Ｋ２Ｏ　０～１５％、ＭｇＯ　０～１０％、ＣａＯ　０．０１～１０％、ＺｒＯ２　０～１０％を含有し、ヤング率が８５ＧＰａ以上、破壊靭性Ｋ１Ｃが０．８０ＭＰａ・ｍ０．５以上であることを特徴とするガラス基板。
  28. 　ガラス組成として、モル％で、ＳｉＯ２　６４～７６％、Ａｌ２Ｏ３　４～１５％、Ｂ２Ｏ３　４～１６％、Ｌｉ２Ｏ　０．１～１４％、Ｎａ２Ｏ　０．０１～１４％、Ｋ２Ｏ　０～１５％、ＭｇＯ　０～７％、ＣａＯ　０～７％、ＳｒＯ　０～７％、ＢａＯ　０～７％、ＺｒＯ２　０～１０％を含有し、ヤング率が６０ＧＰａ以上、３０～３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が３８×１０－７／℃以上、且つ８５×１０－７／℃以下であることであることを特徴とするガラス基板。
  29. 　ガラス組成として、モル％で、ＭｇＯ　０．０１～７％、ＣａＯ　０．０１～７％を含有することを特徴とする請求項２８に記載のガラス基板。
  30. 　ガラス組成として、モル％で、ＳｒＯ　０．０１～７％、を含有することを特徴とする請求項２８に記載のガラス基板。
  31. ガラス組成として、モル％で、ＭｇＯ　０．０１～７％、ＣａＯ　０．０１～７％、ＳｒＯ　０．０１～７％、を含有することを特徴とする請求項２８に記載のガラス基板。
  32. 　ガラス組成として、モル％で、Ｌｉ２Ｏ　１．５～８．５％、ＭｇＯ　０．０１～７％、ＣａＯ　０．０１～７％、ＳｒＯ　０．０１～７％、を含有することを特徴とする請求項２８に記載のガラス基板。
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