JP2008305939A - 多結晶半導体膜の形成方法、薄膜トランジスタ、および薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 絶縁基板上において第1方向に沿って結晶成長した多結晶半導体膜を形成する本発明の方法では、第1方向に沿って第1の向き(Fas,Faf)に結晶成長した結晶粒(15a)と第1の向きとは逆の第2の向き(Fbs,Fbf)に結晶成長した結晶粒(15b)とが、第1方向と直交する第2方向に沿って間隔を隔てた複数の領域において他の領域よりも早く衝突するように、絶縁基板上における結晶成長を制御する。
【選択図】 図6
Description
前記第1方向に沿って第1の向きに結晶成長した結晶粒と前記第1の向きとは逆の第2の向きに結晶成長した結晶粒とが、前記第1方向と直交する第2方向に沿って間隔を隔てた複数の領域において他の領域よりも早く衝突するように、前記絶縁基板上における結晶成長を制御する多結晶半導体膜の形成方法を提供する。
前記所定の光強度分布を有する光として、所定の方向に沿って光強度がV字状に変化する分布であり且つ前記V字状に変化する光強度の勾配が前記所定の方向と直交する方向に沿って増減する分布の光を前記非単結晶半導体膜に照射する光学系を有する結晶化装置を提供する。
前記所定の光強度分布を有する光として、所定の方向に沿って光強度がV字状に変化する分布であり且つ前記V字状に変化する光強度の勾配が前記所定の方向と直交する方向に沿って増減する分布の光を前記非単結晶半導体膜に照射する結晶化方法を提供する。
前記光変調素子は、第1方向に細長く延びる帯状領域が前記第1方向と直交する第2方向に沿って繰り返し並ぶ基本パターンを有し、
前記帯状領域では、前記第1方向に沿って、第1位相値を有する第1領域と第2位相値を有する第2領域との割合が単位領域毎に変化し、
各単位領域内における前記第1領域の占有面積率の変化率は、帯状領域毎に前記第2方向に沿って増減している光変調素子を提供する。
前記光変調素子は、前記所定の方向に細長く延びる帯状領域が前記所定の方向と直交する方向に沿って繰り返し並ぶ基本パターンを有し、
前記帯状領域では、前記第1方向に沿って、第1位相値を有する第1領域と第2位相値を有する第2領域との割合が単位領域毎に変化し、
各単位領域内における前記第1領域の占有面積率の変化率は、帯状領域毎に前記第2方向に沿って増減している光変調素子を提供する。
2 照明系
3 結像光学系
4 被処理基板
5 基板ステージ
11 結晶核
12 多結晶半導体薄膜の領域
13 非晶質半導体薄膜の領域
14 結晶粒界
15 結晶粒
16 直線状でかつ連続的な隆起部分
17 絶縁層
18 TFT
19 結晶粒の衝突が最も早く起こる部分
20 ピラミッド状の隆起部分
Claims (12)
- 絶縁基板上において第1方向に沿って結晶成長した多結晶半導体膜を形成する方法であって、
前記第1方向に沿って第1の向きに結晶成長した結晶粒と前記第1の向きとは逆の第2の向きに結晶成長した結晶粒とが、前記第1方向と直交する第2方向に沿って間隔を隔てた複数の領域において他の領域よりも早く衝突するように、前記絶縁基板上における結晶成長を制御する多結晶半導体膜の形成方法。 - 前記絶縁基板上の非晶質半導体膜に所定の光強度分布の光を照射し、前記非晶質半導体膜の再結晶化により前記多結晶半導体膜を形成する請求項1に記載の多結晶半導体膜の形成方法。
- 請求項1または2に記載の形成方法により形成された前記多結晶半導体膜を活性層に用いた薄膜トランジスタ。
- 請求項1または2に記載の形成方法により形成された前記多結晶半導体膜を活性層に用いて薄膜トランジスタを製造する薄膜トランジスタの製造方法。
- 所定の光強度分布を有する光を非単結晶半導体膜に照射して結晶化半導体膜を生成する結晶化装置であって、
前記所定の光強度分布を有する光として、所定の方向に沿って光強度がV字状に変化する分布であり且つ前記V字状に変化する光強度の勾配が前記所定の方向と直交する方向に沿って増減する分布の光を前記非単結晶半導体膜に照射する光学系を有する結晶化装置。 - 前記光学系は、光変調素子を介した光に基づいて前記所定の光強度分布を前記非単結晶半導体膜上に形成する結像光学系を備えている請求項5に記載の結晶化装置。
- 所定の光強度分布を有する光を非単結晶半導体膜に照射して結晶化半導体膜を生成する結晶化方法であって、
前記所定の光強度分布を有する光として、所定の方向に沿って光強度がV字状に変化する分布であり且つ前記V字状に変化する光強度の勾配が前記所定の方向と直交する方向に沿って増減する分布の光を前記非単結晶半導体膜に照射する結晶化方法。 - 光変調素子を介した光を結像光学系により前記非単結晶半導体膜上に結像させて前記所定の光強度分布を形成する請求項7に記載の結晶化方法。
- 入射光に基づいて所定の光強度分布を形成する光変調素子であって、
前記光変調素子は、第1方向に細長く延びる帯状領域が前記第1方向と直交する第2方向に沿って繰り返し並ぶ基本パターンを有し、
前記帯状領域では、前記第1方向に沿って、第1位相値を有する第1領域と第2位相値を有する第2領域との割合が単位領域毎に変化し、
各単位領域内における前記第1領域の占有面積率の変化率は、帯状領域毎に前記第2方向に沿って増減している光変調素子。 - 請求項6に記載の結晶化装置または請求項8に記載の結晶化方法に用いられる光変調素子であって、
前記光変調素子は、前記所定の方向に細長く延びる帯状領域が前記所定の方向と直交する方向に沿って繰り返し並ぶ基本パターンを有し、
前記帯状領域では、前記第1方向に沿って、第1位相値を有する第1領域と第2位相値を有する第2領域との割合が単位領域毎に変化し、
各単位領域内における前記第1領域の占有面積率の変化率は、帯状領域毎に前記第2方向に沿って増減している光変調素子。 - 絶縁基板と、
この絶縁基板上に設けられた複数の島状多結晶半導体膜と、
これら複数の多結晶半導体膜の少なくとも2つの島状多結晶半導体膜に亘って設けられた薄膜トランジスタと、
前記絶縁基板上の前記薄膜トランジスタ間に設けられ、第1の向きに沿って結晶成長した多結晶半導体膜と前記第1の向きとは逆の第2の向きに結晶成長した多結晶半導体膜とが衝突して形成された島状隆起部とを具備してなることを特徴とする薄膜トランジスタ装置。 - 前記島状隆起部の外形寸法φと、半導体層を確実に絶縁可能な前記島状隆起部の間隔Sとの和が、前記複数の島状多結晶半導体膜の最小デザインルールDmよりも小さいことを特徴とする請求項11に記載の薄膜トランジスタ装置。
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