JP2008299353A - 液晶表示装置および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】透過領域Aと反射領域Nが並列に配置された液晶表示装置1Aであって、第1の基板101と、第2の基板102と、第1の基板101と第2の基板102間に配置された液晶層103とを有し、第1の基板101の反射領域Nには、位相差膜107が形成され、第2の基板102には、対向電極120と層間絶縁膜122,123と画素電極125とが少なくとも形成され、透過領域Aの液晶層103の厚さが反射領域Nの液晶層103の厚さより厚く、層間絶縁膜122,123は、透過領域側層間絶縁膜122が反射領域側層間絶縁膜123に延在されて反射領域側で重なり部分を有する。
【選択図】図11
Description
一方、反射型の液晶表示装置においては、バックライトを設けていないため、消費電力の増加という問題はないが、周囲光が暗い場合には、視認性が極端に低下するという問題もある。
その代表的なものが、透過領域と反射領域の液晶の駆動電圧を同じにすることである。
Vlcd=π・L/D √(K/εlcd)・・・(1)
そのため、駆動電圧は式(1)の液晶ギャップDより、駆動電圧は2倍が必要となる。つまり、透過領域と反射領域とは違う駆動電圧が必要となり、複雑な駆動方法、回路設計をとらざるを得なくなる。
特許文献1および2に開示された液晶表示装置は、FFS構造の画素電極と対向電極の基板の下に反射板を設ける構造であり、透過型への転用を前提としていないため、併用型の構造とはならない。
しかし、上記と同様に、反射と透過の駆動電圧を調整する手段を持っていない。そのため、駆動電圧が透過反射で最適化できない。
各画素部2PXLは、スイッチング素子として薄膜トランジスタ(TFT;thin film transistor)21と、TFT21のドレイン電極(またはソース電極)に画素電極が接続された液晶セルLC21と、TFT21のドレイン電極に一方の電極が接続された保持容量Cs21により構成されている。
これら画素部2PXLの各々に対して、走査線5−1〜5−mが各行ごとにその画素配列方向に沿って配線され信号線6−1〜6−nが各列ごとにその画素配列方向に沿って配線されている。
そして、各画素部2PXLのTFT21のゲート電極は、各行単位で同一の走査線(ゲート線)5−1〜5−mにそれぞれ接続されている。また、各画素部2PXLのソース電極(または、ドレイン電極)は、各列単位で同一の信号線6−1〜6−nに各々接続されている。
さらに、一般的な液晶表示装置においては、保持容量配線Csを独立に配線し、この保持容量配線と接続電極との間に保持容量Cs21を形成する。
そして、各画素部2PXLの液晶セルLC21の対向電極および保持容量Cs21の他方の電極には、コモン配線(共通配線)7を通してたとえば所定の直流電圧がコモン電圧VCOMとして与えられる。
あるいは、各画素部2PXLの液晶セルLC21の対向電極および保持容量Cs21の他方の電極には、たとえば1水平走査期間(1H)毎に極性が反転するコモン電圧VCOMが与えられる。
TFT21は、たとえば図2に示すようなボトムゲート構造、あるいは図3に示すようなトップゲート構造を有する。
TFT21Aは、ゲート絶縁膜202上に半導体膜(チャネル形成領域)204、並びに半導体膜204を挟んで一対のn+拡散層205,206が形成されている。半導体膜204上に層間絶縁膜207が形成され、さらに基板201、ゲート絶縁膜202、n+拡散層205,206、層間絶縁膜207を覆うように層間絶縁膜208が形成されている。
一方のn+拡散層205には、層間絶縁膜208に形成されたコンタクトホール209aを介してソース電極210が接続され、他方のn+拡散層206には、層間絶縁膜208に形成されたコンタクトホール209bを介してドレイン電極211が接続される。
ソース電極210およびドレイン電極211は、たとえばアルミニウム(Al)をパターニングしたものである。ソース電極210に信号線6が接続され、ドレイン電極211は図示しない接続電極を介して画素領域(画素電極)と接続される。
一方のn+拡散層223には、層間絶縁膜227およびゲート絶縁膜225に形成されたコンタクトホール228aを介してソース電極229が接続され、他方のn+拡散層224には、層間絶縁膜227およびゲート絶縁膜225に形成されたコンタクトホール228bを介してドレイン電極230が接続される。
すなわち、垂直駆動回路3から走査線5−1に対して走査パルスSP1が与えられたときには第1行目の各列の画素が選択され、走査線5−2に対して走査パルスSP2が与えられたときには第2行目の各列の画素が選択される。以下同様にして、走査線5−3,…,5−mに対して走査パルスSP3,…,SPmが順に与えられる。
そして、本実施形態の液晶表示装置1は、複雑な駆動方法、駆動回路を配置せずとも、一つの液晶の駆動電圧で駆動できるように、有効画素領域部2が、以下に具体的に説明する構造を有する。
以下、本実施形態に係る液晶表示装置1の具体的な構造について説明する。
図4は、本発明の第1の実施形態に係る反射透過併用型液晶表示装置のレイアウト平面図であり、図5は、本発明の第1の実施形態に係る反射透過併用型液晶表示装置の断面図である。
液晶表示装置1Aは透過領域Aと反射領域Bが並列的に形成され、透過領域Aの液晶層103の厚さ(第1液晶厚:第1基板間ギャップ)がD1に設定され、反射領域Bの液晶層103の厚さ(第2液晶厚:第2基板間ギャップ)がD2に設定されている。
液晶表示装置1Aにおいては、図5に示すように、D1>D2なる関係を満足するように構成される。
非位相差膜106は透過領域Aに形成され、位相差膜107は反射領域Bに形成される。非位相差膜106は、たとえば位相差膜を形成後(塗布後)、UV露光により選択的に露光して形成される。
透過領域Aでは、透過光TLが一度だけ通過するだけであり、位相差調整が不要なことから非位相差膜106が配置される。
これに対して、反射領域Bにおいては、入射光が一旦通過した後、さらに反射光RLが通過し、光路差が生じ、その結果、位相差を調整する必要があることから位相差膜107が配置される。
しかしながら、この位相差板に光出射側偏光板111側に、フィルム状の位相差板を、第1の透明基板101の外側にミクロンオーダーの画素毎に選択的に装着させることは、フィルムの延伸等を考慮すると困難である。
そのため、本実施形態においては、液晶のセル内に位相差膜107を選択的に形成して反射領域BをFFS型で形成することが可能となる。
本実施形態においては、第1の透明基板101上に位相差膜107を形成して段差構造を形成することを特徴としている。
内蔵の位相差膜107は、透過領域Aの垂直偏光に対して、1/2波長のリタデーション(円偏光)を行うことを特徴とする。
加えて、反射領域Bでの液晶層103のリタデーションは1/4波長である。
透過領域Aにおいて、光は液晶表示装置下面の偏光板127から入射して、その後液晶表示装置上面の偏光板111を通過して、観察者に認識される。
この光の違いから反射領域Bと透過領域Aでは暗表示となる光の位相差が1/4波長だけ異なる。これらを同一印可電圧にするために、反射領域Bと透過領域Aの位相差を4分の1波長シフトする必要がある。このため、反射領域Bのみ波長を4分の1シフトさせるための位相差部分(膜)が必要となる。
そして、非位相差膜106、位相差膜107、平坦化膜108上に垂直配向膜(第1の配向膜)109が形成されている。
また、第1の透明基板101の光出射側の第2面101b上には、粘着剤110を介して偏光板111が形成されている。
なお、走査配線112は、たとえばモリブデン(Mo)やタンタル(Ta)などの金属または合金をスパッタリングなどの方法で成膜して形成される。
絶縁膜114上の走査配線(ゲート電極)112と対向する領域にn型半導体層115が形成されている。半導体(薄膜)層115はn+拡散層であるソース電極部(S)1151とドレイン電極部(D)1152、並びにチャネル形成領域1153が形成されている。
半導体薄膜層115は、たとえばCVD法などで得られる低温ポリシリコンの薄膜により形成される。
ソース電極部(S)1151上には、たとえばアルミニウム(Al)からなる信号配線116(図1の信号線6に相当)が形成されている。また、ドレイン電極部1152上にたとえば信号配線116と同層のAlからなる導電部(接続電極)117が形成されている。
これらの走査配線(ゲート電極)112、半導体薄膜層115等により図1のTFT21が構成される。ここで示すTFT21は、ボトムゲート構造を有する。
そして、半導体薄膜層115、信号配線116、導電部117、および絶縁膜114上に層間絶縁膜118が形成されている。
そして、透過領域Aおよび反射領域Bの層間絶縁膜118上、並びにコンタクトホール119内、およびコンタクトホール19内の共通配線113上に、たとえばITOからなる透明の対向電極120が形成されている。
さらに、反射領域Bの対向電極120上に、高反射率の金属等の反射膜121が形成されている。そして、TFT領域と透過領域Aの層間絶縁膜118および対向電極120上に透明領域側層間絶縁膜(第1層間絶縁膜)122が形成され、反射領域Bの反射膜121上に反射領域側層間絶縁膜(第2層間絶縁膜)123が形成されている。
このように、第1層間絶縁膜122と第2層間絶縁膜123は並列的に形成されるが、透過領域Aの第1層間絶縁膜122の厚さL1と第2層間絶縁膜123の厚さL2が異なる。ここでは、L1(t1)>L2(t2)なる関係を満足する。
第1層間絶縁膜122および第2層間絶縁膜123上、並びにコンタクトホール124内、およびコンタクトホール124内の導電部117上に、たとえばITOからなる透明の画素電極125が形成されている。
画素電極125は、図4および図5に示すように、フリンジパターンとしてスリット状に形成した画素電極抜き部分1251が形成されている。
そして、第1層間絶縁膜122、第2層間絶縁膜123、画素電極125上に所定のラビング軸を有する水平配向膜126が形成されている。
また、第2の透明基板102の第2面102b側に偏光板127が形成されている。
式(1)に示されたように、Lはその電気力線(電界強度)をも示し、これら電気力線を制御するために液晶厚(D:基板間ギャップ)を設計する。
Vlcd=π・L/D √(K/εlcd)・・・(1)
電気力線が強ければギャップを広くし、弱ければ、ギャップを狭くするわけである。
図5に示すような、マルチギャップでは、透過領域Aと反射領域Bで相対的にギャップが決定されるため、第2の透明基板102(TFT基板)で駆動電圧を調整する工夫が必要となる。
本第1の実施形態においては、第1層間絶縁膜122の膜厚L1(t1)を第2層間絶縁膜123の膜厚L2(t2)より2倍以上にすることにより、反射領域Bで狭くなったギャップ、2分の1を相殺して、透過領域Aと反射領域Bの駆動電圧を一致させることを特徴とする。
ただし、本第1の実施形態においては、第1層間絶縁膜122と第2層間絶縁膜123の比誘電率が同じものを使用する。
また、図7は、本実施形態に係る層間絶縁膜と液晶駆動電圧との関係を示す図である。図7において、横軸が層間絶縁膜Lを、縦軸が液晶駆動電圧をそれぞれ示している。
また、図7において、<1>で示す直線は液晶セルギャップ(液晶厚)Dが1μmの場合の層間絶縁膜と液晶駆動電圧との関係を示し、<2>で示す直線は液晶セルギャップ(液晶厚)Dが2.25μmの場合の層間絶縁膜と液晶駆動電圧との関係を示し、<3>で示す直線は液晶セルギャップ(液晶厚)Dが4.5μmの場合の層間絶縁膜と液晶駆動電圧との関係を示し、<4>で示す直線は液晶セルギャップ(液晶厚)Dが7μmの場合の層間絶縁膜と液晶駆動電圧との関係を示している。
ここで、層間絶縁膜の膜厚は式(1)のLを示す。
このことから、図7に示すように、層間絶縁膜厚Lは、第1層間絶縁膜厚L1と第2層間絶縁膜厚L2の間で制限(制約)が発生する。
本実施形態においては、反射領域Bと透過領域Aの駆動電圧を一致させるためには、L2(反射領域)<L1(透過領域)の関係を満足することが必要である。
また、図7からモバイル機器や携帯電話等を考慮すると層間絶縁膜は、0.15μm以上であることが望ましい。
モバイル機器 ノートPC用途(駆動電圧4.5V)での条件は、1/5<L2/L1<1である。この場合、層間絶縁膜厚は0.2μm以上、1μm以下となる。
モニターPC用途(駆動電圧7.5V)での条件は、1/3<L2/L1<1である。この場合、層間絶縁膜厚は0.35μm以上、1μm以下となる。
TV用途での条件は1/2<L2/L1<1である。この場合、層間絶縁膜厚は0.5μm以上、1μm以下となる。
なお、t2=1/2x t1から多少ずれても、偏光板、コントラスト、視野角の最適化でt2=1/2x t1をみたさなくてもよい。
また、透過と反射の駆動電圧を一つにすることができるため、電源電圧数とこれに伴う駆動回路内のレベルシフタ回路が簡単な回路構成となる。
画素部の透過領域、反射領域の画素レイアウトが複雑なレイアウトが簡素化できる。そのため、高い透過率、反射率の画素レイアウトが可能となる。
駆動回路を単一電源で取り扱うため、駆動回路数が減少して、液晶表示装置のコストを下げることが可能となる。
図8は、本発明の第2の実施形態に係る反射透過併用型液晶表示装置の断面図である。
本第2の実施形態においては、第1層間絶縁膜122Bの比誘電率ε1は、第2層間絶縁膜123Bの比誘電率ε2に対して、2分の1以下にすることにより、反射領域で狭くなったギャップ2分の1を相殺して、透過領域Aと反射領域Bの駆動電圧を一致させることを特徴とする。
つまり、反射領域Bの電界強度を強くして、式(1)のLの常数を事実上、2分の1に削減する効果を持つ。ただし、上述したように、第1層間絶縁膜122Bと第2層間絶縁膜123Bの膜厚は同じものを使用する。
なお、ε2=2 x ε1から多少ずれても、偏光板、コントラスト、視野角の最適化でかならずしも、ε2=2 x ε1をみたさなくてもよい。
また、透過と反射の駆動電圧を一つにすることができるため、電源電圧数とこれに伴う駆動回路内のレベルシフタ回路が簡単な回路構成となる。
画素部の透過領域、反射領域の画素レイアウトが複雑なレイアウトが簡素化できる。そのため、高い透過率、反射率の画素レイアウトが可能となる。
駆動回路を単一電源で取り扱うため、駆動回路数が減少して、液晶表示装置のコストを下げることが可能となる。
図9は、本発明の第3の実施形態に係る反射透過併用型液晶表示装置の断面図である。
しかしながら、この位相差板に光出射側偏光板111側に、フィルム状の位相差板を、第1の透明基板101の外側にミクロンオーダーの画素毎に選択的に装着させることは、フィルムの延伸等を考慮すると困難である。
そのため、本実施形態においては、液晶のセル内に位相差膜107を選択的に形成して反射領域BをFFS型で形成することが可能となる。
本実施形態においては、第1の透明基板101上に位相差膜107を形成して段差構造を形成することを特徴としている。
内蔵の位相差膜107は、透過領域Aの垂直偏光に対して、1/2波長のリタデーション(円偏光)を行うことを特徴とする。
加えて、反射領域での液晶層103のリタデーションは1/4波長である。
透過領域Aにおいて、光は液晶表示装置下面の偏光板127から入射して、その後液晶表示装置上面の偏光板111を通過して、観察者に認識される。
この光の違いから反射領域と透過領域では暗表示となる光の位相差が1/4波長だけ異なる。これらを同一印可電圧にするために、反射領域と透過領域の位相差を4分の1波長シフトする必要がある。このため、反射領域Bのみ波長を4分の1シフトさせるための位相差部分(膜)が必要となる。
図10は、本発明の第4の実施形態に係る反射透過併用型液晶表示装置の断面図である。
図11は、本発明の第5の実施形態に係る反射透過併用型液晶表示装置の断面図である。
図12は、本発明の第6の実施形態に係る反射透過併用型液晶表示装置の断面図である。
かつ膜厚は、第1層間絶縁膜(1)122Fは1μmで、第2層間絶縁膜(2)は0.7μmである。
これにより、第1層間絶縁膜(1)を有する透過領域Aの駆動電圧は3.34V、第2層間絶縁膜(2)を有する反射領域Bの駆動電圧は3.24Vとなり、透過と反射の駆動電圧を略同一にすることができる。
図14は、本発明の第7の実施形態に係る反射透過併用型液晶表示装置のレイアウト平面図であり、図15は、本発明の第7の実施形態に係る反射透過併用型液晶表示装置の断面図である。
この場合、第1の透明電極101側の平坦化膜は不要である。
かつ、層間絶縁膜2を反射領域のマルチギャップ化を可能にするための段差部として形成する。
により形成され比誘電率3.9であり、第2層間絶縁膜(2)123GはTaO2により形成され比誘電率22である。
かつ膜厚は、第1層間絶縁膜(1)122Gは0.5μmで、第2層間絶縁膜(2)123Gは1μmである。
これにより、第1層間絶縁膜122Gを有する透過領域Aの駆動電圧は3.49V、第2層間絶縁膜(2)を有する反射領域Bの駆動電圧は4.39Vと、透過と反射の駆動電圧を略同一にすることができる。
かつ、透過領域Aの液晶厚(基板ギャップ)D1は3μm、反射領域Bの液晶厚(基板ギャップ)D2は2μmとすることができ、反射領域Bの層間絶縁膜で段差部が形成できる。
図17は、本発明の第8の実施形態に係る反射透過併用型液晶表示装置のレイアウト平面図であり、図18は、本発明の第8の実施形態に係る反射透過併用型液晶表示装置の断面図である。
図18においては、図5と異なる点は、第1の透明基板101側ではカラーフィルタ104上に配向膜105が形成された形態を有している。
また、第2の透明基板102側においては、反射膜121が形成されておらず、かつ、マルチギャップ構造を有していない。
図19は、本発明の第9の実施形態に係る反射透過併用型液晶表示装置のレイアウト平面図であり、図20は、本発明の第9の実施形態に係る反射透過併用型液晶表示装置の断面図である。
第1の透明基板101側においては、カラーフィルタ104上に平坦化膜108Iが形成され、その上に並列に非位相差膜106および位相差膜107が形成され、さらにそれらの上に配向膜109が形成されている。
また、第2の透明基板102においては、反射領域Bの絶縁膜114上に反射膜121が形成され、第1層間絶縁膜122Iと第2層間絶縁膜123I上に、互い櫛歯状に形成されて互いに対向するように、対向電極120Iと画素電極125Iが形成されている。
そして、画素電極125Iと対向電極120Iの間の線間隔を透過領域Aと反射領域Bで変えている。
また、第1の層間絶縁膜122Iの膜厚L2と第2の層間絶縁膜123Iの膜厚LとはL2 ≦1/2 x L1、の関係を満足している。
すなわち、本第9の実施形態によれば、IPS型で透過と反射の機能を持った液晶表示装置が形成できる。
また、透過と反射の駆動電圧を一つにすることができるため、電源電圧数とこれに伴う駆動回路内のレベルシフタ回路が簡単な回路構成となる。
画素部の透過領域、反射領域の画素レイアウトが複雑なレイアウトが簡素化できる。そのため、高い透過率、反射率の画素レイアウトが可能となる。
駆動回路を単一電源で取り扱うため、駆動回路数が減少して、液晶表示装置のコストを下げることが可能となる。
このような構成の携帯電話機において、表示部230にはたとえば液晶表示装置が用いられ、この液晶表示装置として、先述した実施形態に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置が用いられる。
Claims (3)
- 透過領域と反射領域を有する液晶表示装置であって、
第1の基板と、
第2の基板と、
上記第1の基板と上記第2の基板間に配置された液晶層と、
を有し、
上記第1の基板の反射領域には、位相差膜が形成され、
上記第2の基板には、対向電極と層間絶縁膜と画素電極とが少なくとも形成され、
上記透過領域の液晶層の厚さが上記反射領域の液晶層の厚さより厚く、
上記層間絶縁膜は、透過領域側層間絶縁膜が反射領域側層間絶縁膜に延在されて反射領域側で重なり部分を有する
液晶表示装置。 - 上記層間絶縁膜の比誘電率は、上記透過領域で上記反射領域より小さい
請求項1記載の液晶表示装置。 - 透過領域と反射領域を有する液晶表示装置を備えた電子機器であって、
上記液晶表示装置は、
第1の基板と、
第2の基板と、
上記第1の基板と上記第2の基板間に配置された液晶層と、
を有し、
上記第1の基板の反射領域には、位相差膜が形成され、
上記第2の基板には、対向電極と層間絶縁膜と画素電極とが少なくとも形成され、
上記透過領域の液晶層の厚さが上記反射領域の液晶層の厚さより厚く、
上記層間絶縁膜は、透過領域側層間絶縁膜が反射領域側層間絶縁膜に延在されて反射領域側で重なり部分を有する
電子機器。
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Publications (2)
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Country Status (1)
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