JP2008298768A - 比誘電率測定装置 - Google Patents

Abstract

【課題】比誘電率が低い液体状の被測定物の比誘電率及び広範囲において被測定物の比誘電率を正確に測定することが可能な比誘電率測定装置を提供することを目的とする。
【解決手段】比誘電率測定装置４０は、入力電極１２と出力電極１４との間に電気的に短絡した短絡伝搬路１６を有する第１弾性表面波素子１０と、入力電極２２と出力電極２４との間に格子状の凹凸構造２９が形成された格子状伝搬路２６を有する第２弾性表面波素子２０と、入力電極３２と出力電極３４との間に電気的に開放した開放伝搬路３６を有する第３弾性表面波素子３０とを備え、第１弾性表面波素子１０と第２弾性表面波素子２０と第３弾性表面波素子３０とは互いに並列に配されている。この比誘電率測定装置４０を用いることにより、比誘電率が低い被測定物の比誘電率を含めて、広範囲において被測定物４６の比誘電率を正確に測定することできる。
【選択図】図１

Description

本発明は、液体状の被測定物の比誘電率を測定する弾性表面波素子を有する比誘電率測定装置に関するものである。

一般に、弾性表面波素子は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられた櫛歯状電極指からなる入力電極及び出力電極を備えている。弾性表面波素子では、入力電極に電気信号が入力されると、電極指間に電界が発生し、圧電効果により弾性表面波が励振され、圧電基板上を伝搬していく。この弾性表面波のうち、伝搬方向と直交する方向に変位するすべり弾性表面波（SH-SAW:Shear horizontal Surface Acoustic Wave）を利用する弾性表面波素子を用いた各種物質の検出や物性値等の測定を行うための弾性波センサが研究されている（特許文献１、非特許文献１参照）。

弾性波センサでは、圧電基板上に置かれた測定対象である液体状の被測定物の領域が電気的に開放されている場合と、短絡されている場合とでは、出力電極から出力される出力信号の特性に差異があることを利用している。すなわち、圧電基板上の領域が開放されている場合の出力信号は、電気的相互作用及び力学的相互作用を受けており、圧電基板上の領域が短絡されている場合の出力信号は、力学的相互作用のみを受けている。従って、両出力信号から力学的相互作用を相殺し、電気的相互作用を抽出することにより、被測定物の誘電率や導電率を求めることができる。

特許第３４８１２９８号公報 羽藤逸文他２名、「ＳＡＷ発振器一体型ＳＡＷセンサシステムの開発」、信学技報、電子情報通信学会、２００３年２月

しかしながら、圧電基板上の開放されている表面領域を弾性表面波が伝搬する場合には、すべり弾性表面波は、圧電基板の表面近傍を潜り込みながら伝搬するバルク波となるために挿入損失が大きくなり、被測定物が比誘電率が低い場合には、正確に測定できないことがあった。

本発明は、上記の課題を考慮してなされたものであって、比誘電率が低い液体状の被測定物の比誘電率を含め、広範囲において被測定物の比誘電率を正確に測定することが可能な比誘電率測定装置を提供することを目的とする。

本発明に係る比誘電率測定装置は、入力電極と出力電極との間に電気的に短絡した短絡伝搬路を有する第１弾性表面波素子と、入力電極と出力電極との間に格子状の凹凸構造が形成された格子状伝搬路を有する第２弾性表面波素子とを備え、前記第１弾性表面波素子と前記第２弾性表面波素子とは並列に配され、前記短絡伝搬路及び前記格子状伝搬路に液体状の被測定物を負荷した状態において、前記各入力電極から同一の信号を入力し、前記各出力電極から出力された各出力信号の振幅比及び位相差から、前記被測定物の比誘電率を求めることを特徴とする。

本発明によれば、短絡伝搬路を有する第１弾性表面波素子と、格子状伝搬路を有する第２弾性表面波素子とを組み合わせて、液体状の被測定物の比誘電率を測定することにより、比誘電率が低い被測定物の比誘電率を正確に測定することができる。

また、他の本発明に係る比誘電率測定装置は、入力電極と出力電極との間に電気的に短絡した短絡伝搬路を有する第１弾性表面波素子と、入力電極と出力電極との間に格子状の凹凸構造が形成された格子状伝搬路を有する第２弾性表面波素子と、入力電極と出力電極との間に電気的に開放した開放伝搬路を有する第３弾性表面波素子とを備え、前記第１弾性表面波素子と前記第２弾性表面波素子と前記３弾性表面波素子とは互いに並列に配され、前記短絡伝搬路と前記格子状伝搬路と前記開放伝搬路に液体状の被測定物を負荷した状態において、前記第１弾性表面波素子と前記第２弾性表面波素子の前記各入力電極に同一の信号を入力し、前記第１弾性表面波素子と前記第２弾性表面波素子の前記各出力電極から出力された各出力信号の振幅比及び位相差から、又は、前記第１弾性表面波素子と前記第３弾性表面波素子の前記各入力電極に同一の信号を入力し、前記第１弾性表面波素子と前記第３弾性表面波素子の前記各出力電極から出力された各出力信号の振幅比及び位相差から、前記被測定物の比誘電率を求めることを特徴とする。

本発明によれば、短絡伝搬路を有する第１弾性表面波素子と、格子状伝搬路を有する第２弾性表面波素子と、開放伝搬路を有する第３弾性表面波素子とを組み合わせて、液体状の被測定物の比誘電率を測定することにより、比誘電率が低い被測定物の比誘電率を含めて、広範囲において被測定物の比誘電率を正確に測定することできる。

また、前記第１弾性表面波素子と前記第２弾性表面波素子の前記各出力信号の振幅比及び位相差から算出した前記被測定物の第１比誘電率と、前記第１弾性表面波素子と前記第３弾性表面波素子の前記各出力信号の振幅比及び位相差から算出した前記被測定物の第２比誘電率とのうち、前記第１弾性表面波素子と前記第２弾性表面波素子の前記各出力信号の振幅比に基づいて、前記第１比誘電率又は前記第２比誘電率を前記被測定物の比誘電率とする。

このように、振幅比から算出した減衰変化量に基づいて、被測定物の比誘電率を決めることにより、被測定物の比誘電率の測定精度を高めることができる。

さらに、前記第２比誘電率に対する前記第１弾性表面波素子と前記第３弾性表面波素子の前記各出力信号の振幅比が、前記第１比誘電率に対する前記第１弾性表面波素子と前記第２弾性表面波素子の前記各出力信号の振幅比よりも大きい場合に、前記第１比誘電率を前記被測定物の比誘電率とし、前記第２比誘電率に対する前記第１弾性表面波素子と前記第３弾性表面波素子の前記各出力信号の振幅比が、前記第１比誘電率に対する前記第１弾性表面波素子と前記第２弾性表面波素子の前記各出力信号の振幅比よりも小さい場合に、前記第２比誘電率を前記被測定物の比誘電率とする。

本発明によれば、短絡伝搬路を有する第１弾性表面波素子と、格子状伝搬路を有する第２弾性表面波素子とを組み合わせて、液体状の被測定物の比誘電率を測定することにより、比誘電率が低い被測定物の比誘電率を正確に測定することができる。また、短絡伝搬路を有する第１弾性表面波素子と、格子状伝搬路を有する第２弾性表面波素子と、開放伝搬路を有する第３弾性表面波素子とを組み合わせて、被測定物の比誘電率を測定することにより、比誘電率が低い被測定物の比誘電率を含めて、広範囲において被測定物の比誘電率を正確に測定することできる。さらに、振幅比から算出した減衰変化量に基づいて、被測定物の比誘電率を決めることにより、被測定物の比誘電率の測定精度を高めることができる。

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施形態に係る比誘電率測定装置４０の構成の説明図である。また、図２Ａ、図２Ｄは、図１のＩＩＡ−ＩＩＡ端面図であって、図２Ａは、被測定物を負荷する前の状態を示す図であり、図２Ｄは、被測定物を負荷した後の状態を示す図であり、図２Ｂ、図２Ｅは、図１のＩＩＢ−ＩＩＢ端面図であって、図２Ｂは、被測定物を負荷する前の状態を示す図であり、図２Ｅは、被測定物を負荷した後の状態を示す図であり、図２Ｃ、図２Ｆは、図１のＩＩＣ−ＩＩＣ端面図であって、図２Ｃは、被測定物を負荷する前の状態を示す図であり、図２Ｆは、被測定物を負荷した後の状態を示す図である。

図１に示すように、比誘電率測定装置４０は、第１弾性表面波素子１０と、第２弾性表面波素子２０と、第３弾性表面波素子３０と、高周波の電気信号を発生する発振器４８と、発振器４８からの電気信号を分配する分配器５０と、弾性表面波に対応した出力信号の振幅比及び位相差を測定する振幅比位相差検出器５６を備える。

第１弾性表面波素子１０は、入力電極１２及び出力電極１４を備え、入力電極１２と出力電極１４との間には、短絡伝搬路１６が形成されている。第２弾性表面波素子２０は、入力電極２２及び出力電極２４を備え、入力電極２２と出力電極２４との間には、格子状伝搬路２６が形成されている。第３弾性表面波素子３０は、入力電極３２及び出力電極３４を備え、入力電極３２と出力電極３４との間には、開放伝搬路３６が形成されている。また、第１弾性表面波素子１０、第２弾性表面波素子２０及び第３弾性表面波素子３０は、圧電基板４２上に互いに並列になるように配置されている。

入力電極１２、入力電極２２及び入力電極３２は、発振器４８から分配器５０、切替器５２を介して入力された電気信号によって、弾性表面波を励振させるために櫛形電極で構成されている。また、出力電極１４、出力電極２４及び出力電極３４は、入力電極１２、入力電極２２又は入力電極３２で励振され伝搬してきた弾性表面波を受信するために櫛形電極で構成されている。

短絡伝搬路１６、格子状伝搬路２６及び開放伝搬路３６は、圧電基板４２上に蒸着された金属膜４４で形成され、金属膜４４は電気的に短絡されている（図２Ａ〜図２Ｃ参照）。また、金属膜４４は、被測定物の比誘電率の測定精度を向上させるために、共通に接地されている。金属膜４４の材料は特に限られないが、被測定物４６に対して、化学的に安定している金で形成することが好ましい。

格子状伝搬路２６には、入力電極２２から出力される弾性表面波の伝搬方向（Ｘ方向）に対して垂直な方向に金属膜４４の一部を剥離して、圧電基板４２が露出するように形成された凹部２７がＸ方向に等間隔に設けられ、隣接する凹部２７の間に凸部２８が形成されている。つまり、格子状伝搬路２６には、Ｘ方向に凹部２７及び凸部２８から構成される凹凸構造２９が形成されて、圧電基板４２が露出している凹部２７は電気的に開放状態となっている。そして、主として、凹部２７に測定の対象となる被測定物４６が負荷される（図２Ｅ参照）。なお、凸部２８同士の間隔は、伝搬する弾性表面波の波長λよりも短いことが好ましく、より好ましくはλ／８である。

開放伝搬路３６には、金属膜４４の一部が剥離され、圧電基板４２が露出するように開放領域３８が形成されている。従って、圧電基板４２が露出している開放領域３８は電気的に開放状態となっている。なお、金属膜４４が残る部分については、短絡伝搬路１６、格子状伝搬路２６と同様に電気的に短絡状態となっている。

圧電基板４２は、すべり弾性表面波を伝搬することができれば、特に限られないが、３６度回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ₃であることが好ましい。

次に、比誘電率測定装置４０を用いた被測定物４６の比誘電率の測定について説明する。

まず、測定の対象である被測定物４６を短絡伝搬路１６、格子状伝搬路２６及び開放伝搬路３６に負荷する。短絡伝搬路１６では、被測定物４６は金属膜４４上に負荷され、格子状伝搬路２６では、凹部２７及び凸部２８から構成される凹凸構造２９が形成されているために、被測定物４６は主として凹部２７に負荷され、開放伝搬路３６では開放領域３８に負荷される（図２Ｄ〜図２Ｆ参照）。

次いで、短絡伝搬路１６と格子状伝搬路２６を伝搬する各弾性表面波に対応する出力信号の振幅比及び位相差を測定するために切替器５２を切り換えて、分配器５０と入力電極２２と接続するとともに、切替器５４を切り換えて、出力電極２４と振幅比位相差検出器５６を接続する。そして、発振器４８より電気信号を分配器５０で分配して、入力電極１２及び入力電極２２へ同一信号を入力する。入力電極１２では、入力された信号に基づいて弾性表面波が励振され、短絡伝搬路１６上を伝搬して、出力電極１４で受信される。同様に、入力電極２２では、入力された信号に基づいて弾性表面波が励振され、格子状伝搬路２６上を伝搬して、出力電極２４で受信される。

出力電極１４と出力電極２４で受信した弾性表面波から取り出した両出力信号を振幅比位相差検出器５６で比較し振幅比及び位相差を検出する。

出力電極１４からの出力信号には、力学的相互作用を示す信号成分が含まれ、出力電極２４からの出力信号には、電気的相互作用及び力学的相互作用を示す信号成分が含まれている。この両出力信号から検出した差分の信号は、力学的相互作用が相殺され、電気的相互作用にのみ対応する信号であり、この信号から検出した振幅比及び位相差に基づいて、被測定物４６の比誘電率（第１比誘電率）を算出する。

また、短絡伝搬路１６と開放伝搬路３６を伝搬する各弾性表面波に対応する出力信号の振幅比及び位相差を測定するために切替器５２を切り換えて、分配器５０と入力電極３２と接続するとともに、切替器５４を切り換えて、出力電極３４と振幅比位相差検出器５６を接続する。そして、発振器４８より、電気信号を分配器５０で分配して、入力電極１２及び入力電極３２へ同一信号を入力する。入力電極１２では、入力された信号に基づいて弾性表面波が励振され、短絡伝搬路１６上を伝搬して、出力電極１４で受信される。同様に、入力電極３２では、入力された信号に基づいて弾性表面波が励振され、開放伝搬路３６上を伝搬して、出力電極３４で受信される。

出力電極１４と出力電極３４で受信した弾性表面波から取り出した両出力信号を切替器５２で比較して振幅比及び位相差を検出し、この検出結果から被測定物４６の比誘電率（第２比誘電率）を算出する。

被測定物４６の具体的な算出は、以下に説明する摂動法による算出式によって行われる。標準液として純水を用いた場合に標準液の複素誘電率をε_t、比誘電率をε_r、真空の誘電率をε₀、導電率をσ、発振器５８から出力される信号の励振角周波数をωとすると、
ε_t＝ε_rε₀−ｊσ／ω…（１）
となる。ここで、標準液では導電率σ＝０であるために、式（１）は、
ε_t＝ε_rε₀…（２）
となる。

次に、測定対象である被測定物４６の複素誘電率をε_t’、比誘電率をε_r’、導電率をσ’とすると次式の関係となる。
ε_t'＝ε_r'ε₀−ｊσ'/ω…（３）

伝搬速度の速度変化量ΔＶ／Ｖ、減衰変化量Δα／ｋは、式（４）、式（５）で表される。
ΔＶ／Ｖ＝−Ｋ_s ²／２・[(σ'／ω)²＋ε₀(ε_r'−ε_r)(ε_r'ε₀＋ε_p ^T)]／[(σ'／ω)²＋(ε_r'ε₀＋ε_p ^T)²]…（４）
Δα／ｋ＝Ｋ_s ²／２・[(σ'／ω)(ε_rε₀＋ε_p ^T)]／[(σ'／ω)²＋(ε_r'ε₀＋ε_p ^T)²]…（５）

ここで、Ｖは、伝搬路を伝搬する弾性表面波の伝搬速度、ΔＶは、標準液に対する被測定物４６における弾性表面波の伝搬速度の変化量、αは、弾性表面波の伝搬減衰、Δαは、標準液に対する被測定物４６における弾性表面波の伝搬減衰の変化量、ｋは波数で、ｋ＝２π／λであり、ε_p ^Tは、実効誘電率である。

また、伝搬速度の速度変化量ΔＶ／Ｖ、減衰変化量Δα／ｋと、振幅比Δａｍｐ、位相差Δφとの関係は、伝搬路長の差をＬとすると、次式で表される。
ΔＶ／Ｖ＝Δφ／ｋＬ…（６）
Δα／ｋ＝ｌｎ（Δａｍｐ）／ｋＬ…（７）

振幅比位相差検出器５６で検出した出力信号の位相差Δφを式（６）に、振幅比Δａｍｐを式（７）に代入して、速度変化量ΔＶ／Ｖ、減衰変化量Δα／ｋを求め、さらに求めた速度変化量ΔＶ／Ｖを式（４）に、減衰変化量Δα／ｋを式（５）に代入して、式（４）、（５）の連立方程式から測定対象である被測定物４６の比誘電率ε_r’を求めることができる。なお、被測定物４６に対する振幅比位相差検出器５６で検出した出力信号の位相差Δφ、振幅比Δａｍｐは、予め被測定物４６と同様に標準液について検出した位相差、振幅比に対する変化量として規定化したうえで代入している。

次に、比誘電率測定装置４０を用いて算出したジオキサン（dioxane：Ｃ₄Ｈ₈Ｏ₂）の比誘電率の算出を説明する。図３Ａ、図３Ｂは、検出した位相差Δφ、振幅比Δａｍｐと、これらから算出した伝搬速度の速度変化量ΔＶ／Ｖ、減衰変化量Δα／ｋ及び比誘電率ε_r’との関係を示す図表であり、図３Ａは、短絡伝搬路１６と格子状伝搬路２６における検出結果であり、図３Ｂは、短絡伝搬路１６と開放伝搬路３６における検出結果である。また、図３Ｃは、質量パーセントｗｔ％を変化させた場合のジオキサンの比誘電率の理論値である。さらに、図４Ａは、質量パーセントｗｔ％と比誘電率との関係を示した図であり、図４Ｂは、比誘電率ε_r’と減衰変化量Δα／ｋとの関係を示した図である。

実際の条件としては、発振器４８からの入力信号の周波数を５０ＭＨｚ、伝搬速度を４１１０（ｍ／ｓ）とし、短絡伝搬路１６と格子状伝搬路２６との伝搬路長の差はＬ＝２ｍｍ、短絡伝搬路１６と開放伝搬路３６との伝搬路長の差はＬ＝４ｍｍとした。また、測定対象であるジオキサンについて、質量パーセントｗｔ％を変えて、５種類の被測定物に対して測定を行った。

図４Ａに示すように、短絡伝搬路１６と格子状伝搬路２６とを組み合わせて求めた比誘電率ε_r’と、短絡伝搬路１６と開放伝搬路３６とを組み合わせて求めた比誘電率ε_r’は、質量パーセントｗｔ％を変化させた場合の比誘電率ε_r’の理論値とほぼ等しい値をとることが確認できた。

また、ε_r’が小さな範囲では、比誘電率ε_r’の理論値と、短絡伝搬路１６と開放伝搬路３６とを組み合わせて求めた比誘電率ε_r’との誤差は、短絡伝搬路１６と格子状伝搬路２６とを組み合わせて求めた比誘電率ε_r’との誤差よりも大きくなっている（図４Ａ参照）。短絡伝搬路１６と開放伝搬路３６との組み合わせでは、所定以下の比誘電率では、開放伝搬路３６を伝搬するすべり弾性表面波が、圧電基板の表面近傍を潜り込みながら伝搬するバルク波となるために減衰変化量が大きくなると考えられる。

従って、短絡伝搬路１６と開放伝搬路３６とを組み合わせて求めた比誘電率ε_r’に対する減衰変化量Δα／ｋが、短絡伝搬路１６と格子状伝搬路２６とを組み合わせて求めた比誘電率ε_r’に対する減衰変化量Δα／ｋよりも大きい範囲においては、短絡伝搬路１６と格子状伝搬路２６とを組み合わせて求めた比誘電率ε_r’を被測定物４６の比誘電率とする。

また、短絡伝搬路１６と開放伝搬路３６とを組み合わせて求めた比誘電率ε_r’に対する減衰変化量Δα／ｋが、短絡伝搬路１６と格子状伝搬路２６とを組み合わせて求めた比誘電率ε_r’に対する減衰変化量Δα／ｋよりも小さい範囲においては、センサとしての感度が優れている短絡伝搬路１６と開放伝搬路３６との組み合わせにより求めた比誘電率ε_r’を被測定物４６の比誘電率とすることにより被測定物４６の比誘電率の測定精度を高めることができる。

図４Ｂからジオキサンの比誘電率ε_r’の算出においては、比誘電率ε_r’が約５２の値を境にして、短絡伝搬路１６と格子状伝搬路２６との組み合わせにおける減衰変化量Δα／ｋと短絡伝搬路１６と開放伝搬路３６との組み合わせにおける減衰変化量Δα／ｋの大小が逆転している。従って、求めた比誘電率ε_r’が５２以下の場合には、短絡伝搬路１６と格子状伝搬路２６との組み合わせから求めた比誘電率ε_r’を被測定物４６の比誘電率ε_r’とし、５２以上の場合には、短絡伝搬路１６と開放伝搬路３６との組み合わせから求めた比誘電率ε_r’を被測定物４６の比誘電率ε_r’とすることができる。

このように、減衰変化量Δα／ｋに基づいて、被測定物４６の比誘電率を決めることにより、被測定物の比誘電率の測定精度を高めることができる。

以上説明したように、この実施態様に係る比誘電率測定装置４０は、入力電極１２と出力電極１４との間に電気的に短絡した短絡伝搬路１６を有する第１弾性表面波素子１０と、入力電極２２と出力電極２４との間に格子状の凹凸構造２９が形成された格子状伝搬路２６を有する第２弾性表面波素子２０と、入力電極３２と出力電極３４との間に電気的に開放した開放伝搬路３６を有する第３弾性表面波素子３０とを備え、第１弾性表面波素子１０と第２弾性表面波素子２０と第３弾性表面波素子３０とは互いに並列に配されている。比誘電率測定装置４０において、短絡伝搬路１６と格子状伝搬路２６と開放伝搬路３６に被測定物４６を負荷し、入力電極１２、入力電極２２に同一の信号を入力し、出力電極１４、出力電極２４から出力された各出力信号の振幅比及び位相差から、又は、入力電極１２、入力電極３２に同一の信号を入力し、出力電極１４、出力電極３４から出力された各出力信号の振幅比及び位相差から、比誘電率が低い被測定物４６の比誘電率を含めて、広範囲において被測定物４６の比誘電率を正確に測定することできる。

なお、図１に示す第２弾性表面波素子２０の格子状伝搬路２６では、Ｘ方向に凹部２７及び凸部２８から構成される凹凸構造２９が形成されているが、さらに、図５Ａに示すようにＸ方向に対して垂直な方向に凹部２７Ａ及び凸部２８Ａから構成される凹凸構造２９Ａを追加した市松格子状伝搬路としてもよい。また、図５Ｂに示すように、格子状伝搬路２６として、Ｘ方向に対して斜めの方向に凹部２７Ｂ及び凸部２８Ｂから構成される凹凸構造２９Ｂを形成してもよい。

また、測定対象の液体状の被測定物は、特に限定されるものではなく、純液、混合液のいずれであってもよく、メタノール、エタノール等のアルコールの比誘電率を測定する場合に特に有効である。

また、本発明は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。

本発明の実施形態に係る比誘電率測定装置の構成の説明図である。 図２Ａ、図２Ｄは、図１のＩＩＡ−ＩＩＡ端面図であって、図２Ａは、被測定物を負荷する前の状態を示す図であり、図２Ｄは、被測定物を負荷した後の状態を示す図であり、図２Ｂ、図２Ｅは、図１のＩＩＢ−ＩＩＢ端面図であって、図２Ｂは、被測定物を負荷する前の状態を示す図であり、図２Ｅは、被測定物を負荷した後の状態を示す図であり、図２Ｃ、図２Ｆは、図１のＩＩＣ−ＩＩＣ端面図であって、図２Ｃは、被測定物を負荷する前の状態を示す図であり、図２Ｆは、被測定物を負荷した後の状態を示す図である。 図３Ａ、図３Ｂは、検出した位相差Δφ、振幅比Δａｍｐと、これらから算出した伝搬速度の速度変化量ΔＶ／Ｖ、減衰変化量Δα／ｋ及び比誘電率ε_r’との関係を示す図表であり、図３Ｃは、質量パーセントｗｔ％を変化させた場合のジオキサンの比誘電率の理論値である。 図４Ａは、質量パーセントｗｔ％と比誘電率との関係を示した図であり、図４Ｂは、比誘電率ε_r’と減衰変化量Δα／ｋとの関係を示した図である。 図５Ａ、図５Ｂは、格子状伝搬路の説明図である。

符号の説明

１０…第１弾性表面波素子 １２、２２、３２…入力電極
１４、２４、３４…出力電極 １６…短絡伝搬路
２０…第２弾性表面波素子 ２６…格子状伝搬路
２７、２７Ａ、２７Ｂ…凹部 ２８、２８Ａ、２８Ｂ…凸部
２９、２９Ａ、２９Ｂ…凹凸構造 ３０…第３弾性表面波素子
３６…開放伝搬路 ３８…開放領域
４０…比誘電率測定装置 ４２…圧電基板
４４…金属膜 ４６…被測定物
４８…発振器 ５０…分配器
５２、５４…切替器 ５６…振幅比位相差検出器

Claims (4)

1. 入力電極と出力電極との間に電気的に短絡した短絡伝搬路を有する第１弾性表面波素子と、
   入力電極と出力電極との間に格子状の凹凸構造が形成された格子状伝搬路を有する第２弾性表面波素子とを備え、
   前記第１弾性表面波素子と前記第２弾性表面波素子とは並列に配され、
   前記短絡伝搬路及び前記格子状伝搬路に液体状の被測定物を負荷した状態において、
   前記各入力電極から同一の信号を入力し、前記各出力電極から出力された各出力信号の振幅比及び位相差から、前記被測定物の比誘電率を求める
   ことを特徴とする比誘電率測定装置。
2. 入力電極と出力電極との間に電気的に短絡した短絡伝搬路を有する第１弾性表面波素子と、
   入力電極と出力電極との間に格子状の凹凸構造が形成された格子状伝搬路を有する第２弾性表面波素子と、
   入力電極と出力電極との間に電気的に開放した開放伝搬路を有する第３弾性表面波素子とを備え、
   前記第１弾性表面波素子と前記第２弾性表面波素子と前記３弾性表面波素子とは互いに並列に配され、
   前記短絡伝搬路と前記格子状伝搬路と前記開放伝搬路に液体状の被測定物を負荷した状態において、
   前記第１弾性表面波素子と前記第２弾性表面波素子の前記各入力電極に同一の信号を入力し、前記第１弾性表面波素子と前記第２弾性表面波素子の前記各出力電極から出力された各出力信号の振幅比及び位相差から、
   又は、前記第１弾性表面波素子と前記第３弾性表面波素子の前記各入力電極に同一の信号を入力し、前記第１弾性表面波素子と前記第３弾性表面波素子の前記各出力電極から出力された各出力信号の振幅比及び位相差から、前記被測定物の比誘電率を求める
   ことを特徴とする比誘電率測定装置。
3. 請求項２記載の比誘電率測定装置において、
   前記第１弾性表面波素子と前記第２弾性表面波素子の前記各出力信号の振幅比及び位相差から算出した前記被測定物の第１比誘電率と、
   前記第１弾性表面波素子と前記第３弾性表面波素子の前記各出力信号の振幅比及び位相差から算出した前記被測定物の第２比誘電率とのうち、
   前記第１弾性表面波素子と前記第２弾性表面波素子の前記各出力信号の振幅比に基づいて、前記第１比誘電率又は前記第２比誘電率を前記被測定物の比誘電率とする
   ことを特徴とする比誘電率測定装置。
4. 請求項３記載の比誘電率測定装置において、
   前記第２比誘電率に対する前記第１弾性表面波素子と前記第３弾性表面波素子の前記各出力信号の振幅比が、前記第１比誘電率に対する前記第１弾性表面波素子と前記第２弾性表面波素子の前記各出力信号の振幅比よりも大きい場合に、前記第１比誘電率を前記被測定物の比誘電率とし、
   前記第２比誘電率に対する前記第１弾性表面波素子と前記第３弾性表面波素子の前記各出力信号の振幅比が、前記第１比誘電率に対する前記第１弾性表面波素子と前記第２弾性表面波素子の前記各出力信号の振幅比よりも小さい場合に、前記第２比誘電率を前記被測定物の比誘電率とする
   ことを特徴とする比誘電率測定装置。

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