JP2008288143A - 転写方法および転写装置ならびに有機発光素子の製造方法 - Google Patents
転写方法および転写装置ならびに有機発光素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008288143A JP2008288143A JP2007134211A JP2007134211A JP2008288143A JP 2008288143 A JP2008288143 A JP 2008288143A JP 2007134211 A JP2007134211 A JP 2007134211A JP 2007134211 A JP2007134211 A JP 2007134211A JP 2008288143 A JP2008288143 A JP 2008288143A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transfer
- light emitting
- radiation
- substrate
- organic light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 43
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 42
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 42
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 38
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 121
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 50
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 38
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 13
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 6
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 114
- 239000010408 film Substances 0.000 description 35
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 31
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 13
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 10
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 7
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- XSUNFLLNZQIJJG-UHFFFAOYSA-N 2-n-naphthalen-2-yl-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C2C=CC=CC2=CC=1)C1=CC=CC=C1 XSUNFLLNZQIJJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBBOEUQHQHMVOK-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)N(C1=CC=CC=C1)C1=CC=C(C=C1)C=CC1=C(C=CC=C1)C1=CC=C(C=C1)C=CC1=CC=C(C=C1)N(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 Chemical group C1(=CC=CC=C1)N(C1=CC=CC=C1)C1=CC=C(C=C1)C=CC1=C(C=CC=C1)C1=CC=C(C=C1)C=CC1=CC=C(C=C1)N(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 FBBOEUQHQHMVOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021431 alpha silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013518 transcription Methods 0.000 description 1
- 230000035897 transcription Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
- G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
- G03B27/42—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera for automatic sequential copying of the same original
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】被転写層の形状や質を均一に形成することが可能な転写方法および転写装置、ならびに有機発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】転写装置１は、光学機構１０と、位置検出部１１と、高さ検出部１２と、制御部１３とを備えている。光学機構１０は、光源１００と、照明レンズ部１０１と、レーザ光分割部１０２と、結像レンズ部１０３とを有している。結像レンズ部１０３では、その焦点からのずれが中央部Ｃにおいて端部Ｅよりも大きくなるように構成されている。位置検出部１１で検出された位置情報に基づいて光学機構１０が走査され、高さ検出部１２で検出された高さＨに基づいて、結像レンズ部１０３の焦点の高さが転写基板２００に対して一定の高さに維持されるようになっている。
【選択図】図１
【解決手段】転写装置１は、光学機構１０と、位置検出部１１と、高さ検出部１２と、制御部１３とを備えている。光学機構１０は、光源１００と、照明レンズ部１０１と、レーザ光分割部１０２と、結像レンズ部１０３とを有している。結像レンズ部１０３では、その焦点からのずれが中央部Ｃにおいて端部Ｅよりも大きくなるように構成されている。位置検出部１１で検出された位置情報に基づいて光学機構１０が走査され、高さ検出部１２で検出された高さＨに基づいて、結像レンズ部１０３の焦点の高さが転写基板２００に対して一定の高さに維持されるようになっている。
【選択図】図１
Description
本発明は、例えば有機発光材料を含む転写層をレーザ照射によって転写する転写方法および転写装置、ならびにこれを用いた有機発光素子の製造方法に関する。
従来、有機発光素子の製造過程では、所定の領域に開口部を有するマスクを用いて、発光層などの有機層をパターニングする方法が一般的に用いられている。ところが、近年では、大型の有機発光素子が製造されるようになり、この場合パターニングに用いるマスクも大型となる。このため、マスクにたわみが生じアライメントの精度が悪くなるため、開口率が低下してしまう虞がある。そこで、有機層を蒸着させた転写基板にレーザ光を照射することにより、基板上に有機層を転写させる手法が提案されている（例えば特許文献１〜３参照）。
特開平９−１６７６８４号公報
特開２００２−２１６９５７号公報
特表２０００−５１５０８３号公報
特開２００６−９３１２７号公報
特開２００６−９３０７７号公報
特開２００３−２５７６４１号公報
また、熱転写に用いるレーザ光を帯形状に成形し、複数の画素に対して一括してレーザ光を照射することにより、タクトタイムを短縮する手法が提案されている（例えば、特許文献４，５参照）。また、特許文献６には、レーザ光の強度分布において、その中心部の強度を端部の強度よりも大きく設定することにより、所望の領域以外の領域に有機層が転写されることを防ぐ手法が提案されている。
しかしながら、上記特許文献の手法では、複数の画素に対して照射するレーザ光の強度分布が不均一であり、これに起因して被照射面（転写基板）での温度分布が不均一となる。このため、転写によって形成される有機層の幅、形状、膜質などにばらつきが生じ、その結果、有機発光素子の発光輝度にむらが発生するという問題があった。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、被転写層の形状や質を均一に形成することが可能な転写方法および転写装置、ならびに有機発光素子の製造方法を提供することにある。
本発明による第１の転写方法は、転写層が設けられた転写基板と複数の領域が配列してなる被転写体とを対向配置し、転写基板の側から輻射線を照射することにより転写層を複数の領域に転写する工程を含み、輻射線を、帯形状となるように成形し、その長軸方向における中央部の短軸幅を端部の短軸幅よりも大きくするものである。
本発明による第２の転写方法は、転写層が設けられた転写基板と複数の領域が配列してなる被転写体とを対向配置し、転写基板の側から輻射線を照射することにより転写層を複数の領域に転写する工程を含み、輻射線を、帯形状となるように成形し、その長軸方向における中央部の強度ピーク値を端部の強度ピーク値よりも低くするものである。
本発明による第１の転写方法では、転写層が設けられた転写基板に対し帯形状の輻射線を照射することにより、被転写体の複数の領域に一括して転写層が転写される。このように複数の領域に対して輻射線を照射すると、その中央部では端部よりも熱が溜まり温度が上昇し易くなる。このとき、帯形状の輻射線が長軸方向における中央部の短軸幅が端部の短軸幅よりも大きくなっていることにより、中央部と端部との間で温度差が生じにくくなり、被照射面全体として温度分布が均一となる。
本発明による第２の転写方法では、転写層が設けられた転写基板に対し帯形状の輻射線を照射することにより、被転写体の複数の領域に一括して転写層が転写される。このように複数の領域に対して輻射線を照射すると、その中央部では端部よりも熱が溜まり温度が上昇し易くなる。このとき、帯形状の輻射線が長軸方向における中央部の強度ピーク値が端部の強度ピーク値よりも低くなっていることにより、中央部と端部との間で温度差が生じにくくなり、被照射面全体として温度分布が均一となる。
本発明による転写装置は、転写層が形成された転写基板への輻射線の照射により転写層の被転写体への転写を行うものであって、転写基板に輻射線を照射する光学機構を備えている。光学機構は、輻射線を射出する光源と、輻射線を帯形状に成形する照明レンズ部と、照明レンズ部によって帯形状に成形された輻射線を、その長軸方向に複数の領域に分割する輻射線分割部と、輻射線分割部によって分割された輻射線を転写基板上に結像させる結像レンズ部とを有している。結像レンズ部は、焦点からのずれが中央部において端部よりも大きくなるように構成されているものである。
本発明による転写装置では、光源から射出され、照明レンズ部によって帯形状に成形された輻射線は、結像レンズ部によって転写基板上に結像される。このとき、結像レンズ部が長軸方向における中央部の焦点からのずれが端部よりも大きくなるように構成されていることにより、結像される輻射線の中央部の短軸幅が端部の短軸幅よりも大きくなると共に、中央部の強度ピーク値が端部の強度ピーク値よりも低くなる。よって、中央部と端部との間で温度差が生じにくくなり、被照射面全体の温度分布が均一となる。
また、転写基板上の位置を検出する位置検出部と、結像レンズ部の転写基板に対する高さを検出する高さ検出部とを備えるようにし、位置検出部によって検出された位置に基づいて光学機構を走査させると共に、高さ検出部で検出された高さに基づいて、結像レンズ部の焦点高さが転写基板に対して一定となるように構成されていることにより、順次走査される転写基板の各領域に対して、照射される輻射線の強度が一定に保たれる。
本発明による第１の有機発光素子の製造方法は、第1の転写方法を用いて有機発光材料を含む転写層を素子基板上に転写するものである。
本発明による第２の有機発光素子の製造方法は、第２の転写方法を用いて有機発光材料を含む転写層を素子基板上に転写するものである。
本発明による第１の転写方法によれば、転写層が設けられた転写基板に対し、長軸方向において中央部の短軸幅が端部の短軸幅よりも大きい帯形状となるように成形された輻射線を照射するようにしたので、被照射面全体の温度分布が均一となる。よって、被転写層の形状や質などを均一に形成することが可能となる。また、転写層として有機発光材料を含むようにすれば、輝度むらの発生が抑制された有機発光素子を製造することが可能となる。
本発明による第２の転写方法によれば、転写層が設けられた転写基板に対し、長軸方向における中央部の強度ピーク値が端部の強度ピーク値よりも低い帯形状となるように成形された輻射線を照射するようにしたので、被照射面全体の温度分布が均一となる。よって、被転写層の形状や質などを均一に形成することが可能となる。また、転写層として有機発光材料を含むようにすれば、輝度むらの発生が抑制された有機発光素子を製造することが可能となる。
本発明による転写装置によれば、輻射線を射出する光源と、輻射線を帯形状となるように成形する照明レンズ部と、照明レンズ部によって帯形状に成形された輻射線を長軸方向に複数の領域に分割する輻射線分割部と、輻射線分割部によって分割された輻射線を転写基板上に結像させる結像レンズ部とを有し、結像レンズ部は、帯形状の輻射線の長軸方向の中央部よりも端部において焦点が合うように構成されているので、輻射線の中央部の短軸幅が端部の短軸幅よりも大きくなると共に、輻射線の中央部の強度ピーク値が端部の強度ピーク値よりも低くなり、照射面全体の温度分布が均一となる。従って、被転写層の形状や質などを均一に形成することが可能となる。
また、転写基板上の位置を検出する位置検出部と、結像レンズ部の転写基板に対する高さを検出する高さ検出部とを備えるようにし、位置検出部によって検出された位置に基づいて光学機構を走査させると共に、高さ検出部で検出された高さに基づいて、結像レンズ部の焦点高さが転写基板に対して一定となるように構成すれば、順次走査される複数の領域に対して均一な強度で輻射線が照射される。従って、より複数の領域で被転写層の形状や質などを均一に形成することが可能となる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施の形態に係る転写装置１の全体構成を表すものである。図２は、転写装置１の光学機構１０の概略構成を表す断面図である。図３は、転写装置１の位置検出部１１と高さ検出部１２の配置構成を表す斜視図である。この転写装置１は、例えば、有機発光素子の製造において、発光層などの有機層をレーザ照射によりパターン転写するために用いられるものである。なお、本発明の転写方法は、本実施の形態に係る転写装置により具現化されるので、以下併せて説明する。また、以下の説明において、単に「中央部」といった場合には、長軸方向における中央部を示し、単に「端部」といった場合には、長軸方向における端部を示すものとする。
この転写装置１は、光学機構１０と、位置検出部１１と、高さ検出部１２と、制御部１３と、駆動機構部１３０とを備えている。転写装置１では、駆動機構部１３０の駆動に基づいて制御部１３が制御され、光学機構１０を、位置検出部１１の動作に基づいて走査しながら、転写基板２００に対してレーザ光（Ｌout）を照射することにより、転写基板２００に形成される転写層が素子基板３に転写されるようになっている。転写基板２００の転写層は、例えば有機発光材料を含んで構成され、素子基板３は、例えば複数の有機発光素子形成領域（画素）を有している。
光学機構１０は、光源１００と、照明レンズ部１０１と、レーザ光分割部１０２と、結像レンズ部１０３とを有している。光源１００は、例えばレーザ光などの輻射線を射出するものであり、例えば赤外光（例えば波長８０８ｎｍ）を発振するレーザダイオードなどが用いられる。このレーザ光の発振波長は、転写対象となる転写基板２００の転写層の材料や厚みなどによって決定されるものである。照明レンズ部１０１は、光源１００より射出されたレーザ光を帯形状に成形するものである。
レーザ光分割部１０２は、例えば複数の開口部１０２Ａを有しており、照明レンズ部１０１によって帯形状に成形されたレーザ光が、例えば素子基板３上の各画素の被転写領域に対応して分割されるようになっている。よって、このレーザ光分割部１０２の開口部１０２Ａの数（分割数）が、一度にレーザ照射できる画素の数に対応する。例えば、５つの開口部１０２Ａを設けることにより、一度に５つの画素に対応する領域にレーザ光が照射されることとなる。
結像レンズ部１０３は、レーザ光分割部１０２によって分割されたレーザ光を転写基板２００上に結像させるものである。この結像レンズ部１０３では、中央部における焦点からのずれが端部よりも大きくなるように構成されている。また、高さＨ方向（光軸に沿った方向）に可動となっており、後述の高さ検出部１２によって検出された高さＨに関する情報に基づいて、その焦点（結像位置）を転写基板２００に対して一定の高さに維持できるようになっている。
位置検出部１１は、転写基板２００に形成された位置マーク（図示せず）に基づいて転写基板２００上の位置を検出するものであり、例えばＣＣＤ（Charge Coupled Device：電荷結合素子）カメラが用いられる。位置検出部１１は、図３に示したように、光学機構１０の走査方向（進行方向）において、光学機構１０よりも前方に配置される。この位置検出部１１によって検出された位置に関する情報は、制御部１３に入力される。
高さ検出部１２は、光学機構１０の転写基板２００に対する高さＨを随時検出するようになっており、例えばレーザ方式の変位計が用いられる。この高さ検出部１２についても、上記位置検出部１１と同様に、光学機構１０よりも走査方向の前方に配置される。この高さ検出部１２によって検出された高さＨに関する情報は、制御部１３に入力される。
制御部１３は、位置検出部１１で検出した位置に関する情報に基づいて、光学機構１０を転写基板２００に対して走査させると共に、高さ検出部１２によって検出された高さＨに関する情報に基づいて、結像レンズ部１０３を高さＨ方向にシフトさせるものである。
ここで、図４および図５に、複数の画素の配列に対する光学機構１０の走査方法の一例を示す。図４に示したように、素子基板３において複数の画素が方向Ｄ１に沿って配列している場合、光学機構１０を、方向Ｄ１に沿って転写基板２００の一端から他端まで走査するようにする。このようにして一つ方向Ｄ１における走査が終了すると、光学機構１０を、方向Ｄ１と直交する方向Ｄ２に沿って移動させ、前回と異なる画素列に対して方向Ｄ１に沿って走査を行う。このとき、レーザ光分割部１０２の分割数に対応する数、例えば５つの画素列Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５に対して、一度（一方向）の走査で一括してレーザ照射が行われる。
あるいは、図５に示したように、転写基板２００の異なる領域Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３…ごとに、それぞれ光学機構１０を配置し、各領域Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３ごとに図４に示したような走査を同時に行うようにしてもよい。この場合、複数の光学機構１０が制御部１３によって制御され、それぞれのレーザ照射領域が重複しないように走査が行われる。なお、隣り合う領域同士で互いに反対方向に走査されるように光学機構１０を配置するようにしてもよい。
次に、このような構成を有する転写装置１の作用について説明する。
転写装置１では、位置検出部１１において、転写基板２００上に設けられた位置マークに基づいて位置が検出されると、この位置に関する情報は制御部１３に入力される。制御部１３では、位置に関する情報に基づいて光学機構１０を駆動して、転写基板２００上で走査が行われる。一方、光学機構１０では、制御部１３の制御により光源１００が駆動されるとレーザ光が発振され、照明レンズ部１０１において帯形状に成形される。この帯形状に成形されたレーザ光は、レーザ光分割部１０２に入射すると、その開口部１０２Ａによって画素単位に分割される。このようにして分割された帯形状のレーザ光が、結像レンズ部１０３において屈折されて転写基板２００側に結像される。これにより、転写基板２００に設けられた転写層が被転写体としての素子基板３に転写される。
ここで、図６および図７を参照して、光学機構１０の結像レンズ部１０３と高さ検出部１２との具体的な動作について説明する。図６は、結像レンズ部１０３の転写基板２００に対する高さＨと、転写基板２００上に結像されるレーザ光の短軸方向における幅（以下、単に短軸幅という）Ｄとの関係を表したものである。図７は、転写基板２００上に結像されるレーザ光の帯形状とその強度分布を表すものである。
図６に示したように、結像レンズ部１０３にレーザ光が入射すると、高さＨの大きさによって焦点（結像位置）からのずれが生じるため、この焦点からのずれに対応して短軸幅Ｄの大きさが変化する。また、結像レンズ部１０３では、レンズの収差によって中央部Ｃと端部Ｅとでその焦点ＦC，ＦEの高さが異なるものとなる。従って、中央部Ｃにおける焦点ＦCからのずれが端部Ｅにおける焦点ＦEからのずれよりも大きくなるように設定する。よって、例えば、中央部Ｃと端部Ｅとの焦点からのずれが等しくなるとき（中央部Ｃと端部Ｅとで短軸幅が等しい場合）の高さをＨ＝０（ゼロ）として、高さＨが０よりも小さくなるように結像レンズ部１０３をシフトすることにより、図７に示したような強度分布を有する帯形状のレーザ光が転写基板２００上に結像される。なお、図６における−方向は高さＨが小さくなる方向を示し、＋方向は高さＨが大きくなる方向を示している。
このように、結像レンズ部１０３において、中央部Ｃにおける焦点ＦCからのずれが端部Ｅにおける焦点ＦEからのずれよりも大きくなるように構成されていることにより、分割されたレーザ光の帯形状は、中央部Ｃでの短軸幅ＤCが端部Ｅでの短軸幅ＤEよりも大きくなる。また、短軸方向の強度分布は、中央部Ｃと端部Ｅとによって異なり、中央部Ｃでの強度分布ＰＳCのピーク値ＰCは、端部Ｅでの強度分布ＰＳEのピーク値ＰEよりも小さくなる。また、長軸方向の強度分布ＰＬでは、中央部Ｃよりも端部Ｅでの強度が高くなっている。
一方、高さ検出部１２では、光学機構１０の順次走査に伴って高さＨが検出される。そして、この高さＨに関する情報が制御部１３に入力されると、制御部１３では、図７に示したような強度分布を有する帯形状を結像させるような高さＨを基準高さＨ０として予め保持しておき、この基準高さＨ０と高さ検出部１２によって検出された高さＨとが比較されることにより、結像レンズ部１０３の転写基板２００に対する高さＨが常に基準高さＨ０となるように、結像レンズ部１０３がシフトされる。
よって、転写基板２００上を走査する結像レンズ部１０３の転写基板２００に対する高さＨが高さ検出部１２によって検出され、高さＨに関する情報が制御部１３に入力されると、結像レンズ部１０３は、その焦点の高さが転写基板２００に対して常に一定となるように高さＨ方向に沿ってシフトされる。
以上説明したように、転写装置１では、光学機構１０の結像レンズ部１０３が中央部Ｃにおける焦点ＦCからのずれが端部Ｅにおける焦点ＦEからのずれよりも大きくなるように構成することで、複数に分割されたレーザ光の帯形状は、中央部Ｃの短軸幅が端部Ｅの短軸幅よりも大きくなる。また、短軸方向の強度分布において、中央部Ｃでの強度ピーク値ＰCが端部Ｅでの強度ピーク値ＰEよりも小さくなる。一般に、複数の画素に対応する領域にレーザ光を照射すると、結像レンズ部１０３のレンズ構成や画素の配置等に起因して、中央部Ｃでは端部Ｅに比べて熱が溜まり温度が上昇し易くなる。本実施の形態では、レーザ光の帯形状において、中央部Ｃの短軸幅が端部Ｅの短軸幅よりも大きくなっていると共に、中央部Ｃでの短軸方向の強度ピーク値ＰCが端部Ｅでの短軸方向の強度ピーク値ＰEよりも小さくなっていることにより、中央部Ｃでのレーザ光のエネルギー密度が低くなり、中央部Ｃでの温度上昇が緩和される。従って、中央部Ｃと端部Ｅとの間で温度差が生じにくくなり、被照射面Ａ全体として温度分布が均一化される。これにより、被転写層の形状や質を均一とすることが可能となる。
また、位置検出部１１によって転写基板２００の位置を検出しつつ、制御部１３によって光学機構１０の走査を行うことにより、光学機構１０の転写基板２００に対する位置ずれが防止され、所望の領域に対して精度良くレーザ光を照射することができる。
さらに、高さ検出部１２によって結像レンズ部１０３の転写基板２００に対する高さＨを検出し、この高さＨに基づいて結像レンズ部１０３の焦点高さが常に一定となるように構成されていることにより、光学機構１０によって順次走査される転写基板２００の各領域に対して、照射される輻射線の強度が常に一定に保たれる。これにより、順次走査される複数の画素の走査方向に対して均一な強度でレーザ光を照射することができる。
また、光学機構１０において、レーザ光分割部１０２によって、帯形状のレーザ光を画素単位に分割することにより、一回のレーザ照射で複数の画素に一括して転写を行うことができる。このとき、レーザ光分割部１０２の開口部１０２Ａの数をより多く設けることにより、より多くの画素に対してレーザ光を一括照射することができる。一般に、一度に照射する画素の数を増加させたり、画素の配置密度を高くすると、中央部Ｃでは端部Ｅに比べて熱が溜まり易くなり温度分布が不均一となる。本実施の形態では、レーザ光の強度分布が最適化されているので、一度に照射される画素の数を増加させたり、画素の配置密度を高くした場合であっても、光学機構を複雑化することなく、均一な形状や質で被転写層を形成することができる。
次に、このような転写装置１の適用例について説明する。転写装置１は、例えば有機発光素子を備えた表示装置２の製造に用いることができる。
まず、図８を参照して表示装置２の構成について説明する。図８は、表示装置２の概略構成を表す断面図である。表示装置２は、薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられるものであり、例えば、駆動用基板２０上に、赤色の光を発生する赤色有機発光素子２０Ｒと、緑色の光を発生する緑色有機発光素子２０Ｇと、青色の光を発生する青色有機発光素子２０Ｂとが、順に繰り返し配置され、全体としてマトリクス状に形成されている。これらの赤色有機発光素子２０Ｒ、緑色有機発光素子２０Ｇおよび青色有機発光素子２０Ｂは、保護膜２８により被覆されており、接着層２９を介して封止用基板３０により封止されている。この表示装置２は、赤色有機発光素子２０Ｒ、緑色有機発光素子２０Ｇおよび青色有機発光素子２０Ｂのそれぞれが、封止用基板３０の上面より３色の光ＬＲ，ＬＧ，ＬＢを射出する上面発光型の表示装置である。
駆動用基板２０は、例えば、ＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）素子などのスイッチング素子と、このスイッチング素子に接続されるゲート線、ソース線などの配線と、これらを平坦化させる平坦化絶縁層（いずれも図示せず）などが積層されて構成されている。なお、平坦化絶縁層にはコンタクトホールが設けられており、ＴＦＴ素子と駆動基板１０上の赤色有機発光素子２０Ｒ、緑色有機発光素子２０Ｇおよび青色有機発光素子２０Ｂと電気的に接続されている。
赤色有機発光素子２０Ｒは、駆動用基板２０の側から、例えば、第１電極２１と、絶縁膜２２と、正孔注入層２３と、正孔輸送層２４と、赤色発光層２５Ｒと、青色発光層２５Ｂと、電子輸送層２６と、第２電極２７とが順に積層されたものである。緑色有機発光素子２０Ｇは、駆動用基板２０の側から、第１電極２１と、絶縁膜２２と、正孔注入層２３と、正孔輸送層２４と、緑色発光層２５Ｇと、青色発光層２５Ｂと、電子輸送層２６と、第２電極２７とが順に積層されたものである。青色有機発光素子２０Ｂは、駆動用基板２０の側から、第１電極２１と、絶縁膜２２と、正孔注入層２３と、正孔輸送層２４と、青色発光層２５Ｂと、電子輸送層２６と、第２電極２７とが順に積層されたものである。
第１電極２１は、例えば、アノード電極として機能し、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）および銀（Ａｇ）などの金属、あるいはこれらの金属の合金により構成され、単層構造であっても積層構造であってもよい。なお、下面発光型の場合には、例えば、ＩＴＯやＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）などの透明電極により構成するようにしてもよい。この第１電極２１は、例えば５０ｎｍ〜１０００ｎｍの厚みで形成されている。
絶縁膜２２は、赤色有機発光素子２０Ｒ、緑色有機発光素子２０Ｇおよび青色有機発光素子２０Ｂのそれぞれの素子間で電気的な絶縁を確保するものであり、例えばポリベンゾオキサゾール、ポリイミド、アクリルなど感光性樹脂により構成され、厚みは例えば２．０μｍである。この絶縁膜２２には、各発光領域に対応して開口部が設けられている。
正孔注入層２３、正孔輸送層２４および電子輸送層２６は、赤色有機発光素子２０Ｒ、緑色有機発光素子２０Ｇおよび青色有機発光素子２０Ｂの共通の層となっている。なお、これらの層は必要に応じて設けられ、発光色によりそれぞれ構成が異なっていてもよい。
正孔注入層２３は、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。この正孔注入層２３は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下、例えば２５ｎｍであり、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）あるいは４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）により構成されている。
正孔輸送層２４は、赤色発光層２５Ｒ、緑色発光層２５Ｇおよび青色発光層２５Ｂへの正孔輸送効率を高めるためのものである。この正孔輸送層２４Ａ２は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下、例えば３０ｎｍであり、４，４’−ビス（Ｎ−１−ナフチル−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（α−ＮＰＤ）により構成されている。
赤色発光層２５Ｒ、緑色発光層２５Ｇおよび青色発光層２５Ｂは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生する発光層として機能するものである。
赤色発光層２５Ｒは、赤色発光材料と、正孔輸送性材料、電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種とを含んでおり、厚みは、例えば１０〜１００ｎｍである。赤色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよく、例えば、ＡＤＮ（ジ（２−ナフチル）アントラセン）に、２，６−ビス［（４’−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されている。
緑色発光層２５Ｇは、緑色発光材料と、正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種とを含んでおり、厚みは、例えば１０〜１００ｎｍである。緑色発光材料は、緑色発光材料としては、蛍光性のものでも燐光性のものでもよく、例えば、ＡＤＮに、クマリン６（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を５重量％混合したものにより構成されている。
青色発光層２５Ｂは、青色発光材料と、正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種とを含んでおり、厚みは、例えば１０〜１００ｎｍである。青色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよく、ＡＤＮに、４，４’−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されている。
電子輸送層２６は、電子輸送効率を高めるためのものであり、例えば８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）により構成され、厚みは例えば２０ｎｍである。なお、この電子輸送層２６と第２電極２７との間に、電子注入効率を高めるために、例えば、ＬｉＦ、Ｌｉ2Ｏなどにより構成される電子注入層を設けるようにしてもよい。
第２電極２７は、例えば、カソード電極として機能し、例えば、透明電極または半透過性電極により構成され、厚みは、例えば、５ｎｍ〜５０ｎｍである。なお、上面発光型の場合、この第２電極は、有機層に対して電子を効率的に注入できるように、仕事関数の小さい材料によって構成されていることが好ましく、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金により構成されている。また、このような第２電極２７は、蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さい方法によって形成されることが好ましい。
保護膜２８は、赤色有機発光素子２０Ｒ、緑色有機発光素子２０Ｇおよび青色有機発光素子２０Ｂに水分や酸素などが侵入することを防止するためのものであり、透過水性および吸水性の低い材料により十分な膜厚で構成されている。また、保護膜２８は、赤色発光層２５Ｒ、緑色発光層２５Ｇおよび青色発光層２５Ｂで発生した光に対する透過性が高く、例えば８０％以上の透過率を有する材料により構成されている。このような保護膜２８は、例えば、厚みが２μｍ〜３μｍ程度であり、無機アモルファス性の絶縁性材料により構成されている。具体的には、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ），アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ），アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ1-x Ｎx ）およびアモルファスカーボン（α−Ｃ）が好ましい。これらの無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないので透水性が低く、良好な保護膜となる。また、保護膜２８は、ＩＴＯやＩＸＯのような透明導電材料により構成されていてもよい。
接着層２０は、例えば熱硬化型樹脂や紫外線硬化型樹脂などにより構成されている。
封止用基板３０は、赤色発光層２５Ｒ、緑色発光層２５Ｇおよび青色発光層２５Ｂで発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。
次に、図９〜図１７を参照して、表示装置２の製造方法について説明する。なお、図９および図１０は素子基板３の形成工程を工程順に表す図であり、図１１は転写基板２００の断面構成を表す図であり、図１２〜図１５はレーザ転写工程を工程順に示す図であり、図１６および図１７は、図１５に続く工程を示す図である。
まず、素子基板３を次のようにして形成する。図９（Ａ）に示したように、駆動用基板２０上に、例えばスパッタリング法により、第１電極２１を形成したのち、例えばフォトリソグラフィによるパターニング後、エッチングにより所定の形状に成形する。なお、駆動用基板２０には、図示しないＴＦＴ素子やゲート線、ソース線などの配線が配置されているため、これらを平坦化させる平坦化絶縁膜を形成し、この平坦化絶縁膜にコンタクトホールを形成し、駆動用基板２０と第１電極２１とが電気的に接続されるようにする。
続いて、図９（Ｂ）に示したように、駆動用基板２０の全面に対して、例えばスピンコート法により感光性樹脂を塗布し、例えばフォトリソグラフィ法により第１電極２１に対応する部分に開口部を設けた形状に成形したのち、焼成して、絶縁膜２２を形成する。
続いて、図１０に示したように、形成した第１電極２１および絶縁膜２２を覆うように、例えば蒸着法により、正孔注入層２３および正孔輸送層２４を順次成膜することにより、赤色素子形成領域２０Ｒ−１と、緑色素子形成領域２０Ｇ−１と、青色素子形成領域２０Ｂ−１とを有する素子基板３を形成する。
一方で、転写基板２００を次のようにして形成する。図１１に示したように、まず、ガラスなどの透明基板により構成されている基板２０１上に、例えばスパッタリング法により光吸収層２０２を十分な厚みで形成する。続いて、この光吸収層上に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長）法により、保護層２０３を形成することにより、転写基板２００を形成する。なお、光吸収層２０２は、光エネルギーを吸収して熱エネルギーに変換する材料、例えば、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）あるいはこれらを含む合金など吸収率の高い金属材料により構成されている。保護層２０３は、例えば、ＳｉＮxなどの非晶質シリコンにより構成され、光熱変換層３４の酸化を防止するようになっている。この転写基板２００の保護層２０３の側に、素子基板３上に転写させる転写層２０４が形成される。転写層２０４としては、赤色発光材料を含む赤色転写層２０４Ｒ、緑色発光材料を含む緑色転写層２０４Ｇおよび青色発光材料を含む青色転写層２０４Ｂが、例えば真空蒸着により形成される。
次いで、図１２に示したように、形成した素子基板３上に転写基板２００に形成された転写層２０４を転写させる。転写層２０４としては、まず、緑色発光材料を含む緑色転写層２０４Ｇを形成し、転写層２０４Ｇを素子基板３に対向させて配置し、素子基板３上の緑色素子形成領域２０Ｇ−１に対して、転写基板２００の側からレーザ光Ｌを照射する。このとき、本実施の形態の転写装置１を用いて、素子基板３上の複数の緑色素子形成領域２０Ｇ−１に対してレーザ光を照射するようにする。これにより、図１３に示したように、緑色素子形成領域２０Ｇ−１に、被転写層としての緑色発光層２５Ｇが形成される。続いて、図１４および図１５に示したように、赤色転写層２０４Ｒおよび青色転写層２０４Ｂを、上記と同様にして順に転写させることにより、図１６に示したように、赤色素子形成領域２０Ｒ−１、緑色素子形成領域２０Ｇ−１および青色素子形成領域２０Ｂ−１のそれぞれの領域に、赤色発光層２５Ｒ、緑色発光層２５Ｇおよび青色発光層２５Ｂが形成される。
続いて、図１７に示したように、例えば真空蒸着法により、電子輸送層２６と第２電極２７とを順次形成する。このようにして、駆動用基板２０上に、赤色有機発光素子２０Ｒ、緑色有機発光素子２０Ｇおよび青色有機発光素子２０Ｂを形成する。
このようにして、赤色有機発光素子２０Ｒ、緑色有機発光素子２０Ｇおよび青色有機発光素子２０Ｂを形成したのち、これらの上に保護膜２８を形成する。このとき、下地に対して影響を及ぼすことのない程度に、成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法、例えば蒸着法またはＣＶＤ法が好ましい。また、第２電極２７を大気に暴露することなく、第２電極２７の形成と連続的に行うことが好ましい。大気中の水分や酸素により、赤色有機発光素子２０Ｒ、緑色有機発光素子２０Ｇおよび青色有機発光素子２０Ｂが劣化してしまうのを抑制することができるからである。更に、赤色有機発光素子２０Ｒ、緑色有機発光素子２０Ｇおよび青色有機発光素子２０Ｂの輝度の低下を防止するため、保護膜２８の成膜温度は常温に設定することが好ましく、保護膜２８の剥がれを防止するために膜のストレスが最小になる条件で成膜することが望ましい。
最後に、保護膜２８の上に、接着層２０を形成し、この接着層２０を間にして封止用基板３０を貼り合わせる。以上により、図８に示した表示装置２を完成する。
以上のようにして製造される表示装置２では、駆動用基板２０上に形成される赤色有機発光素子２０Ｒ、緑色有機発光素子２０Ｇおよび青色有機発光素子２０Ｂにおいて、赤色発光層２５Ｒ、緑色発光層２５Ｇおよび青色発光層２５Ｂが、本実施の形態の転写装置１により転写されて形成されることにより、その形状や質が均一となる。従って、表示装置２全体として輝度むらが抑制され、均一な面発光を実現できる。
（変形例）
次に、本実施の形態の転写装置１の変形例について説明する。
次に、本実施の形態の転写装置１の変形例について説明する。
図１８は、本変形例に係る転写装置を用いて転写基板２００上に結像させたレーザ光の帯形状と強度分布について表すものである。本変形例では、レーザ光分割部以外は、上記転写装置１と同様の構成となっている。具体的には、レーザ光分割部の中央部において端部よりも光透過性が低くなるように構成されている（図示せず）。このような構成としては、例えば、中央部に配置される開口部に、光を反射させるような膜や光を吸収するような膜を設けるようにすればよい。このように、レーザ光分割部において、中央部で端部よりも光透過性が低くなるように構成することにより、中央部における強度ピーク値が端部における強度ピーク値よりも低くなる。よって、図１８に示したように、レーザ光の帯形状の短軸幅Ｄ0は中央部Ｃおよび端部Ｅで一定となっている一方、短軸方向の強度分布においては中央部の強度分布ＰＳCの強度ピーク値ＰCが端部の強度分布ＰＳEの強度ピーク値ＰEよりも小さくなる。また、長軸方向の強度分布ＰＬは、中央部で低く端部で高くなっている。従って、レーザ光の帯形状の中央部と端部との間に温度差が生じにくくなり、被転写層の形状や質を均一にすることができる。
（実施例）
次に、本実施の形態に係る表示装置２の実施例について説明する。
次に、本実施の形態に係る表示装置２の実施例について説明する。
実施例１として、図７に示したような強度分布を有する帯形状のレーザ光を用いて作製した表示装置の輝度むらについて評価を行った。この際、結像レンズ部１０３の転写基板２００に対する高さＨを−５０μｍとすると、中央部Ｃの短軸幅ＤCと端部Ｅの短軸幅ＤEとの比（ＤC／ＤE）を１．４、中央部Ｃの短軸方向の強度ピーク値ＰCと端部Ｅの短軸方向の強度ピーク値ＰEとの比（ＰC／ＰE）を０．７となった。また、レーザ光の波長を８０８ｎｍ、スキャン速度を２５０mm/secとした。但し、中央部Ｃと端部Ｅとで短軸幅が等しい場合を０とし、そこから高さＨが小さくなる方向を−（マイナス）の符号、高さＨが大きくなる方向を＋（プラス）の符号で表すものとする。
実施例２として、高さＨを−２５μｍとすると、短軸幅比ＤC／ＤEを１．３、強度ピーク比ＰC／ＰEを０．８となったこと以外は、上記実施例１と同様にして輝度むらについて評価を行った。実施例１および実施例２の結果を表１に示す。
実施例１，２の比較例１として、図１９に示した従来の帯形状のレーザ光を用いて作製した表示装置の輝度むらについて評価を行った。比較例１では、高さＨを０、すなわち中央部Ｃと端部Ｅとの間で短軸幅Ｄ0を一定（短軸幅比ＤC／ＤEは１．０）とした。この場合、上述したように、結像レンズ部の構成や結像レンズ部に用いるレンズの透過率分布により、強度ピーク値は端部よりも中央部において高くなるため、強度ピーク比ＰC／ＰEは、１．２となる。なお、その他の条件は上記実施例１と同様とした。
実施例１，２の比較例２，３として、図２０に示した帯形状のレーザ光を用いて作製した表示装置の輝度むらについて評価を行った。比較例２では、高さＨを＋２５μｍとして、短軸幅比ＤC／ＤEを０．８、強度ピーク比ＰC／ＰEを１．４とした。比較例３では、高さＨを＋５０μｍとすると、短軸幅比ＤC／ＤEを０．７、強度ピーク比ＰC／ＰEを１．４となった。なお、その他の条件は上記実施例１と同様とした。比較例１〜３の結果を、実施例１，２の結果と共に表１に示す。
表１に示したように、実施例１および実施例２では、輝度むらが十分に抑制された良好な表示結果となった。これに対し、比較例１では劣悪、比較例２，３では極めて劣悪な表示結果となった。この結果は、高さＨを０より大きくすることで、中央部Ｃの短軸幅ＤCが端部Ｅの短軸幅ＤEよりも大きく、短軸方向における強度ピーク値が中央部Ｃで端部Ｅよりも小さくなる帯形状のレーザ光を用いることにより、被転写層としての発光層の形状や質が均一に形成され、これにより表示装置全体としての輝度むらの発生が抑制されることを示している。
以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、レーザ光を照射することにより転写する場合について説明したが、例えばランプなど他の輻射線を照射するようにしてもよい。
また、上記実施の形態等では、転写装置１において、光学機構１０が転写基板２００上を移動することにより転写基板２００が走査される場合について説明したが、これに限定されず、例えば転写基板２００が載置されるステージ（図示せず）等を動かすことにより、光学機構１０に対して転写基板２００が走査されるように構成してもよい。
また、上記実施の形態等では、表示装置２が上面発光型である場合について説明したが、これに限定されず、透過型あるいは下面発光型であってもよい。また、第２電極２７を、カソード電極として用いる場合について説明したが、アノード電極として用いるようにしてもよい。例えば、透過型の場合、第２電極をアノード電極として用いるときには、反射率の高い導電性材料により構成され、第２電極をカソード電極として用いるときには、仕事関数が小さく、かつ反射率の高い導電性材料により構成されるようにする。
また、上記実施の形態等では、レーザ光分割部１０２の開口部１０２Ａの数を５つとした場合について説明したが、これに限定されず、少なくとも２つ以上であれば本発明の効果は達成される。但し、開口部１０２Ａの数は、表示領域全体の画素数やサイズによって決定されることが好ましい。例えば、一般のディスプレイやテレビの規格では、１０２４×７６８や、１９２０×１０８０などのように８の倍数や１０の倍数になっていることが多いため、このような画素数を有する表示装置を作製する場合には、この画素数を割り切ることのできる数、例えば８の倍数や１０の倍数の個数分、開口部１０２Ａが設けられていることが好ましい。
また、上記実施の形態等では、スキャン速度２５０mm/secとしたが、これに限定されず、要求されるエネルギー密度と画素配列に対する転写膜の位置精度によって、例えば５０〜１０００mm/sec程度でのスキャンが可能である。
また、上記実施の形態等では、中央部Ｃと端部Ｅとで短軸幅が等しい場合を高さ０（ゼロ）とし、そこから高さＨが小さくなる方向を−（マイナス）の符号、高さＨが大きくなる方向を＋（プラス）の符号で表したとき、−の方向に結像レンズ部をシフトさせて高さＨを設定することにより中央部Ｃよりも端部Ｅにおいて焦点からのずれが小さくなるようにしたが、これに限定される訳ではない。例えば、結像レンズ部の構成によっては、＋の方向に結像レンズ部をシフトさせて高さＨを設定することにより、中央部Ｃよりも端部Ｅにおいて焦点からのずれが小さくなるようにすることも可能である。
また、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法，成膜条件およびレーザ光Ｌの照射条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法，成膜条件および照射条件としてもよい。
また、上記実施の形態等では、赤色有機発光素子２０Ｒ，緑色有機発光素子２０Ｇおよび青色有機発光素子２０Ｂの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。例えば、第１電極２１と正孔注入層２３との間に、酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ2 Ｏ3 ），ＩＴＯなどからなる正孔注入用薄膜層を備えていてもよい。
１…転写装置、２…表示装置、３…素子基板、２０Ｒ…赤色有機発光素子、２０Ｇ…緑色有機発光素子、２０Ｂ…青色有機発光素子、２０…駆動用基板、２１…第１電極、２２…絶縁膜、２３…正孔注入層、２４…正孔輸送層、２５Ｒ…赤色発光層、２５Ｇ…緑色発光層、２５Ｂ…青色発光層、２６…電子輸送層、２７…第２電極、２８…保護膜、２９…接着層、３０…封止用基板、２００…転写基板。
Claims (11)
- 転写層が設けられた転写基板と複数の領域が配列してなる被転写体とを対向配置し、前記転写基板の側から輻射線を照射することにより前記転写層を前記複数の領域に転写する工程を含み、
前記輻射線を、帯形状となるように成形し、その長軸方向における中央部の短軸幅を端部の短軸幅よりも大きくする
ことを特徴とする転写方法。 - 転写層が設けられた転写基板と複数の領域が配列してなる被転写体とを対向配置し、前記転写基板の側から輻射線を照射することにより前記転写層を前記複数の領域に転写する工程を含み、
前記輻射線を、帯形状となるように成形し、その長軸方向における中央部の強度ピーク値を端部の強度ピーク値よりも低くする
ことを特徴とする転写方法。 - 前記輻射線を、前記複数の領域に対応して設けられた開口部を有するマスクを介して照射する
ことを特徴とする請求項２記載の転写方法。 - 転写層が形成された転写基板への輻射線の照射により前記転写層の被転写体への転写を行う転写装置であって、
前記転写基板に輻射線を照射する光学機構を備え、
前記光学機構は、
輻射線を射出する光源と、
前記輻射線を帯形状に成形する照明レンズ部と、
前記照明レンズ部によって帯形状に成形された輻射線を、その長軸方向に複数の領域に分割する輻射線分割部と、
前記輻射線分割部によって分割された輻射線を前記転写基板上に結像させる結像レンズ部とを有し、
前記結像レンズ部は、焦点からのずれが中央部において端部よりも大きくなるように構成されている
ことを特徴とする転写装置。 - 前記転写基板上の位置を検出する位置検出部を備え、
前記位置検出部によって検出された位置に基づいて、前記光学機構が前記転写基板の各領域を走査するようになっている
ことを特徴とする請求項４記載の転写装置。 - 前記結像レンズ部の前記転写基板に対する高さを検出する高さ検出部を備え、
前記結像レンズ部は、前記高さ方向に沿って可動となっており、前記高さ検出部によって検出された高さに基づいて、前記焦点の前記転写基板に対する高さが一定となるように構成されている
ことを特徴とする請求項５記載の転写装置。 - 前記被転写体が複数の画素を配列してなるものであり、
前記光学機構が、前記画素の配列方向に沿って走査するようになっている
ことを特徴とする請求項５記載の転写装置。 - 前記光学機構が、前記被転写体の画素配列のうち互いに異なる画素配列ごとに複数設けられている
ことを特徴とする請求項５記載の転写装置。 - 前記輻射線分割部の中央部に配置された開口部が、端部に配置された開口部よりも、光透過性が低くなるように構成されている
ことを特徴とする請求項４記載の転写装置。 - 基板上に赤色有機発光素子と緑色有機発光素子と青色有機発光素子とを備えた表示装置の製造方法であって、
発光材料を含む転写層が設けられた転写基板と複数の素子形成領域が配列してなる素子基板とを対向させて配置し、前記転写基板の側から輻射線を照射することにより前記転写層を前記複数の素子形成領域に転写する工程を含み、
前記輻射線を、帯形状となるように成形し、長軸方向における中央部の短軸幅を端部の短軸幅よりも大きくする
ことを特徴とする有機発光素子の製造方法。 - 基板上に赤色有機発光素子と緑色有機発光素子と青色有機発光素子とを備えた表示装置の製造方法であって、
発光材料を含む転写層が設けられた転写基板と複数の素子形成領域が配列してなる素子基板とを対向させて配置し、前記転写基板の側から輻射線を照射することにより前記転写層を前記複数の素子形成領域に転写する工程を含み、
前記輻射線を、帯形状となるように成形し、長軸方向における中央部の強度ピーク値を端部の強度ピーク値よりも低くする
ことを特徴とする有機発光素子の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007134211A JP4420065B2 (ja) | 2007-05-21 | 2007-05-21 | 転写方法および転写装置ならびに有機発光素子の製造方法 |
| TW097115597A TW200906213A (en) | 2007-05-21 | 2008-04-28 | Transfer method, transfer apparatus, and method of manufacturing organic light emitting element |
| KR1020080046523A KR20080102982A (ko) | 2007-05-21 | 2008-05-20 | 전사 방법 및 전사 장치 및 유기 발광 소자의 제조 방법 |
| US12/123,803 US20080292994A1 (en) | 2007-05-21 | 2008-05-20 | Transfer method, transfer apparatus, and method of manufacturing organic light emitting element |
| CN2008101079265A CN101340746B (zh) | 2007-05-21 | 2008-05-21 | 转移方法、转移设备以及制造有机发光元件的方法 |
| US13/280,595 US20120040292A1 (en) | 2007-05-21 | 2011-10-25 | Transfer method, transfer apparatus, and method of manufacturing organic light emitting element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007134211A JP4420065B2 (ja) | 2007-05-21 | 2007-05-21 | 転写方法および転写装置ならびに有機発光素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008288143A true JP2008288143A (ja) | 2008-11-27 |
| JP4420065B2 JP4420065B2 (ja) | 2010-02-24 |
Family
ID=40072732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007134211A Expired - Fee Related JP4420065B2 (ja) | 2007-05-21 | 2007-05-21 | 転写方法および転写装置ならびに有機発光素子の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20080292994A1 (ja) |
| JP (1) | JP4420065B2 (ja) |
| KR (1) | KR20080102982A (ja) |
| CN (1) | CN101340746B (ja) |
| TW (1) | TW200906213A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014137956A (ja) * | 2013-01-18 | 2014-07-28 | Ulvac Japan Ltd | レーザ転写装置 |
| JP2014137592A (ja) * | 2013-06-25 | 2014-07-28 | Ulvac Japan Ltd | 分割素子及びレーザ転写装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014110143A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-12 | Samsung Display Co Ltd | 有機ｅｌ素子 |
| KR102409763B1 (ko) * | 2019-10-02 | 2022-06-20 | 에이피시스템 주식회사 | 전사장치 및 전사방법 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100342653B1 (ko) * | 2000-08-24 | 2002-07-03 | 김순택 | 유기 전계발광소자의 제조 방법 |
| US6610455B1 (en) * | 2002-01-30 | 2003-08-26 | Eastman Kodak Company | Making electroluminscent display devices |
| US20030162108A1 (en) * | 2002-01-30 | 2003-08-28 | Eastman Kodak Company | Using spacer elements to make electroluminscent display devices |
| US7291365B2 (en) * | 2004-05-27 | 2007-11-06 | Eastman Kodak Company | Linear laser light beam for making OLEDS |
-
2007
- 2007-05-21 JP JP2007134211A patent/JP4420065B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-04-28 TW TW097115597A patent/TW200906213A/zh unknown
- 2008-05-20 US US12/123,803 patent/US20080292994A1/en not_active Abandoned
- 2008-05-20 KR KR1020080046523A patent/KR20080102982A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-05-21 CN CN2008101079265A patent/CN101340746B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-10-25 US US13/280,595 patent/US20120040292A1/en not_active Abandoned
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014137956A (ja) * | 2013-01-18 | 2014-07-28 | Ulvac Japan Ltd | レーザ転写装置 |
| JP2014137592A (ja) * | 2013-06-25 | 2014-07-28 | Ulvac Japan Ltd | 分割素子及びレーザ転写装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101340746B (zh) | 2010-12-08 |
| CN101340746A (zh) | 2009-01-07 |
| TW200906213A (en) | 2009-02-01 |
| US20120040292A1 (en) | 2012-02-16 |
| US20080292994A1 (en) | 2008-11-27 |
| JP4420065B2 (ja) | 2010-02-24 |
| KR20080102982A (ko) | 2008-11-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4449890B2 (ja) | 転写用基板および転写方法ならびに表示装置の製造方法 | |
| JP4600569B2 (ja) | ドナー基板および表示装置の製造方法 | |
| JP5003826B2 (ja) | ドナー基板、パターニング方法およびデバイスの製造方法 | |
| JP5013048B2 (ja) | 赤色有機発光素子およびこれを備えた表示装置 | |
| US6284307B1 (en) | Color organic EL display and fabrication method thereof | |
| JP4957929B2 (ja) | ドナー基板および表示装置の製造方法 | |
| JP2007173145A (ja) | 転写用基板、転写方法、および有機電界発光素子の製造方法 | |
| JP2005235741A (ja) | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 | |
| JP2006309994A (ja) | 転写用基板および転写方法ならびに表示装置の製造方法 | |
| JP4396864B2 (ja) | 表示装置およびその製造方法 | |
| US20150001495A1 (en) | Donor substrate for transfer and manufacturing method of organic light emitting diode display | |
| JP6329711B1 (ja) | 有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ表示装置の製造方法 | |
| US7993806B2 (en) | Transfer substrate, and fabrication process of organic electroluminescent devices | |
| JP2008034280A (ja) | 表示装置の製造方法 | |
| JP4420065B2 (ja) | 転写方法および転写装置ならびに有機発光素子の製造方法 | |
| JP2008311103A (ja) | 表示装置の製造方法および表示装置 | |
| US20080188156A1 (en) | Method for Structuring a Light Emitting Device | |
| JP2008140621A (ja) | 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法 | |
| JP2006309955A (ja) | 有機電界発光素子の製造方法および有機電界発光素子 | |
| JP2008270271A (ja) | ドナー基板およびドナー基板の作製方法 | |
| JP2008108431A (ja) | Ｅｌ発光素子 | |
| JP2012079555A (ja) | 有機ｅｌ装置および印刷装置 | |
| JP5258669B2 (ja) | 成膜方法及び転写用基板 | |
| JP5093392B2 (ja) | ドナー基板およびこれを用いた転写方法、表示装置の製造方法、並びに表示装置の製造システム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090413 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090416 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090528 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091110 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091123 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121211 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121211 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |