JP2008287793A - 光情報記録媒体および光情報処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】リードオンリー型の光情報記録媒体において、容易に記録された情報を再生不可能とする光情報記録媒体を提供する。
【解決手段】光情報記録媒体１は、情報が記録された基板２と、情報を再生するための再生レーザ光６を反射する反射膜３とが積層されており、反射膜３によって反射された再生レーザ光６に基づいて、基板２に記録された情報を再生する構成である。さらに、光情報記録媒体１は、加熱されることにより酸素を放出する情報消去膜４が反射膜３に積層されており、反射膜３は、情報消去膜４から放出される酸素によって酸化されるとともに、再生レーザ光６の波長に対する透過率が高くなる。
【選択図】図１

Description

本発明は、リードオンリー型の光情報記録媒体において、記録された情報を再生不可能とする光情報記録媒体および光情報処理装置に関するものである。

近年、情報のデジタル化の発展に伴い、画像、映像、音楽、テキストといったデータを保存、管理するために、多種多様な記録媒体が利用されている。その記録媒体の一つとして、光情報記録媒体が利用されている。

光情報記録媒体は、その容量、および記録、再生の形態、記録膜の種類等の違いにより、多くの種類のものが市場に出回っている。例えば、光ディスクとしては、ＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、光磁気ディスクとしては、ＭＯ、ＭＤ等がある。用途として分類すれば、例えば、音楽提供においてはＣＤが利用されており、映画提供においてはＤＶＤが利用されている。また、一般のユーザが上記データを保管、管理するために、例えば、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ等が一般的に利用されている。

このように、多種多様な光情報記録媒体が利用されるにあたり、一人のユーザが保有する光ディスクの枚数も増えている。その中には、機密情報や個人データなどを記録した光ディスクもあり、このような光ディスクは情報漏洩の恐れから容易に廃棄することができない。そのため、必要がなくなった光ディスクを簡単に廃棄することができないのが実情である。

光ディスクの廃棄に伴う情報の漏洩を防ぐために、例えば光ディスクの記録面にキズをつけたり、光ディスクを折り曲げたりまたは切ったりして、光ディスクを物理的に破損させるという作業を行うことで、再生を不可能にする手段が従来から一般的に行われている。

しかしながら、上述したように光ディスクを物理的に破損させるためには、例えばその処理をするための特殊な工具が必要となるために、非常に面倒であるのは言うまでもない。そこで、光ディスクを、物理的に破損をさせて情報の再生を不可能にする手段以外の手段で、記録された情報の再生を不可能にする方法が、特許文献１に開示されている。

特許文献１には、ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ＋Ｒのような、情報記録が一度だけ可能なライトワンス型の光ディスクに記録された情報を再生不可能にする情報記録装置が開示されている。

上記情報記録装置は、まずユーザからデータ再生不可能化処理の指示を受け取ると、情報再生時の発光量でレーザ光を光ディスクに照射し、該光ディスクのトラック情報記憶領域のトラック情報を再生し、そのトラック情報からデータが記録された情報記録領域を検出する。そして、上記情報記録装置は、情報記録時の発光量でレーザ光を、光ディスクの情報記憶領域に対して照射する。

情報記録時の発光量は、光ディスクの記録面にピットを形成するためのパワー量であり、該光ディスクの記録領域において、化学変化されていなかった部分に対しても化学的変化を発生させるものである。

したがって、上記情報記録装置では、情報再生の際は、元に記録されていた情報の化学変化と後から発生させた化学変化とは同等に扱われて判別できなくなるので、両者が混ざった意味のない情報になり、元の情報の再生を不可能にすることができ、情報漏洩を防ぐことができる。
特開２００４−７１０２８号公報（公開日：平成１６年３月４日）

しかしながら、特許文献１に記載された上記情報記録装置におけるデータ再生不可能化処理は、ライトワンス型の光情報記録媒体に対してのみ有効なものであり、例えばＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ、ＤＶＤ−ＲＯＭといった、基板自体に情報が記録されているリードオンリー型の光情報記録媒体の場合には、情報を消去することができない。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、リードオンリー型の光情報記録媒体において、容易に記録された情報を再生不可能とする光情報記録媒体および光情報処理装置を提供することにある。

本発明の光情報記録媒体は、上記課題を解決するために、情報が記録された基板と、情報を再生するための再生レーザ光を反射する反射膜とが積層されており、該反射膜によって反射された該再生レーザ光に基づいて、該基板に記録された情報を再生する光情報記録媒体であって、加熱されることにより酸素を放出する情報消去膜が上記反射膜に積層されており、上記反射膜は、上記情報消去膜から放出される酸素によって酸化されるとともに、上記再生レーザ光の波長に対する透過率が高くなることを特徴としている。

情報に対応した凹凸形状のピットおよび／または溝が基板に形成されたリードオンリー型の光情報記録媒体では、記録された情報を消去するためには、基板の形状を変化させなければならず困難であった。

そこで、本発明の光情報記録媒体では、加熱することにより酸素を放出する情報消去膜を反射膜に積層させている。この構成により、情報消去膜を加熱することにより放出された酸素は、該情報消去膜と接して設けられている反射膜を酸化させる。反射膜は酸化されると再生レーザ光の波長に対する透過率が高くなるために、再生レーザ光を光情報記録媒体に照射しても、該再生レーザ光の多くが反射膜を透過してしまい、情報を再生することができない。

したがって、本発明の光情報記録媒体は、光情報記録媒体を物理的に破壊するための特殊な工具や装置等を用いずに、リードオンリー型の光情報記録媒体に記録された情報を容易に再生不可能化することができる。

また、本発明の光情報記録媒体では、上記情報消去膜は、金属酸化物からなる構成であってもよい。

金属酸化物は、光触媒等の分野において一般的に用いられる材料であり、容易に入手可能であり、廃棄時の環境負荷も小さい。また、金属酸化物は、一般的なスパッタ法等により膜形成することが可能であるために、製造プロセスやコストを低減することができる。

したがって、本発明の上記構成のように、情報消去膜を金属酸化物から構成することにより、安価で、かつ、容易に情報消去膜を形成することができる。

また、本発明の光情報記録媒体では、上記情報消去膜は、酸化亜鉛若しくは酸化チタンの単体、またはそれらのいずれかを含む合金からなる構成であってもよい。

酸化亜鉛若しくは酸化チタンの単体、またはそれらいずれかを含む合金は、加熱処理されると容易に酸素を脱離する。そのため、本発明の光情報記録媒体において、情報消去膜を上記材料によって構成することにより、情報消去膜を他の材料によって構成した場合と比較して、情報消去膜を加熱するための熱エネルギー量を低減することができる。また、情報消去膜を上記材料によって構成することにより、再生の繰り返しに対する、光情報記録媒体の耐久性を向上させることができる。

また、本発明の光情報記録媒体では、上記反射膜は、半導体の単体または半導体を含む合金からなる構成であってもよい。

情報消去膜を加熱するために、例えば、光源から出射されたレーザ光を用いる場合がある。具体的には、上記レーザ光の一部が反射膜で吸収されることにより、反射膜において熱が生じ、その熱が情報消去膜に伝導することにより、情報消去膜が加熱される。

このように、情報消去膜を加熱するために光源から出射されたレーザ光を用いる場合、本発明の上記構成のように、反射膜を半導体の単体または半導体を含む合金から構成することにより、反射膜の熱伝導率が低くなり、レーザ光を吸収して発生した熱が熱伝導によって放出されにくい。そのため、より弱い発光量を有するレーザ光を用いて、光情報記録媒体に記録された情報の再生不可能化を実現することができ、消費電力を低減することができる。

また、本発明の光情報記録媒体では、上記半導体は、シリコンまたはゲルマニウムであってもよい。

半導体の中でも、シリコンおよびゲルマニウムは、半導体産業において一般的に用いられる材料であり、容易に入手可能であり、廃棄時の環境負荷も小さい。そこで、本発明の上記構成により、より弱い発光量を有するレーザ光を用いて、光情報記録媒体に記録された情報の再生不可能化を実現することができるだけでなく、安価で、かつ、容易に反射膜を形成することができる。

本発明の光情報処理装置は、上述した光情報記録媒体に記録された情報を再生または再生不可能化する光情報処理装置であって、上記再生レーザ光と、上記情報を再生不可能化するための消去レーザ光とを出射する光源と、上記情報を再生する場合は上記再生レーザ光を出射し、該情報を再生不可能化する場合は上記消去レーザ光を出射するように、上記光源を切り換える光源制御手段とを備えることを特徴としている。

本発明の光情報処理装置では、再生レーザ光および消去レーザ光を出射する光源を備えており、該光源は、光情報記録媒体に記録された情報を再生する場合は再生レーザ光を出射し、該情報を再生不可能化する場合は上記消去レーザ光を出射するように、光源制御手段によって切り換えられる。

これにより、光情報記録媒体に記録された情報を再生する場合は、光源制御手段によって光源に再生レーザ光を出射させることにより、該再生レーザ光が光情報記録媒体の反射膜によって反射され、記録された情報を再生することができる。

また、光情報記録媒体に記録された情報を再生不可能化したい場合には、光源制御手段によって光源に消去レーザ光を出射させることにより、情報消去膜から酸素が放出され、反射膜が酸化される。その結果、反射膜の透過率が高くなり、光情報記録媒体に記録された情報を再生するために、再生レーザ光を光情報記録媒体に照射しても、該再生レーザ光の多くが反射膜を透過してしまい、記録された情報を再生することが不可能となる。

したがって、本発明の光情報処理装置は、再生レーザ光および消去レーザ光の２つのレーザ光を用いることにより、リードオンリー型の光情報記録媒体に記録された情報を容易に再生および再生不可能化することができる。

また、特許文献１の情報記録装置では、データ再生不可能化処理を行う際、有機色素やメーカ等による媒体の種類毎に、情報記録時のレーザ光の発光量（レーザパワー）を切り換える必要がある。そのため、あらゆる種類の媒体に対応させるために、レーザ光の発光量の使用領域が広い半導体レーザを使用する必要がある。

しかしながら、本発明の光情報処理装置では、光源から出射される消去レーザ光の発光量を、光情報記録媒体の情報消去膜が酸素脱離を起こす閾値で規定することができる。そのため、上記光情報処理装置は、情報消去膜を構成する材料を決定することにより、あらゆる種類の媒体に記録された情報の再生不可能化するための消去レーザ光の発光量を、一様に定めることができる。

したがって、光源から出射される消去レーザ光の発光量を媒体に応じて切り換えたり、最適化したりする必要がなく、容易に光情報記録媒体に記録された情報の再生不可能化を行うことができる。

また、本発明の光情報処理装置では、上記消去レーザ光は、上記情報消去膜が酸素脱離する閾値よりも強い発光量を有していてもよい。

光情報記録媒体に照射される消去レーザ光は、発光量が強くなるに伴い、情報消去膜からの酸素の放出量が増大する。したがって、本発明の上記構成により、情報消去膜から多量の酸素が放出され、反射膜の透過率を大きく変化させることが可能になる。その結果、上記光情報処理装置では、光情報記録媒体に記録された情報の再生不可能化をより確実にすることができる。

また、本発明の光情報処理装置では、上記光源は、上記再生レーザ光を出射するための第１光源および上記消去レーザ光を出射するための第２光源からなってもよい。

１つの光源で再生レーザ光および消去レーザ光を出射する場合、光源が出射可能なレーザ光の発光量の出力範囲は数ｍＷ〜数Ｗと広い必要がある。しかしながら、このようなレーザ光の発光量の出力範囲が広い光源は高価なために、製造コストが高くなってしまう。

そこで、本願発明の上記構成により、再生レーザ光を出射する第１光源と、消去レーザ光を出射する第２光源とを用いることにより、第１光源および第２光源では、それぞれレーザ光の出射可能な発光量の出力範囲は狭くてよく、安価な光源を用いることができる。その結果、本発明の光情報処理装置を安価に製造することが可能となる。

また、本発明の光情報処理装置では、上記消去レーザ光を、上記光情報記録媒体に記録された情報領域に対して照射させる照射領域調整部を備えていてもよい。

光情報記録媒体に記録された情報を再生不可能化するためには、消去レーザ光を情報が記録されている領域のみに照射すればよい。そこで、本発明の光情報処理装置では、照射領域調整部を備えることにより、光情報記録媒体に記録された情報を再生不可能化するための最低限の領域に消去レーザ光を照射することができ、消費電力を低減することが可能となる。

本発明の光情報記録媒体は、以上のように、情報が記録された基板と、情報を再生するための再生レーザ光を反射する反射膜とが積層されており、該反射膜によって反射された該再生レーザ光に基づいて、該基板に記録された情報を再生する光情報記録媒体であって、加熱されることにより酸素を放出する情報消去膜が上記反射膜に積層されており、上記反射膜は、上記情報消去膜から放出される酸素によって酸化されるとともに、上記再生レーザ光の波長に対する透過率が高くなることを特徴としている。

本発明の光情報記録媒体では、加熱することにより酸素を放出する情報消去膜を反射膜に積層させている。この構成により、情報消去膜を加熱することにより放出された酸素は、該情報消去膜と接して設けられている反射膜を酸化させる。反射膜は酸化されると再生レーザ光の波長に対する透過率が高くなるために、再生レーザ光を光情報記録媒体に照射しても、該再生レーザ光の多くが反射膜を透過してしまい、情報を再生することができない。

したがって、本発明の光情報記録媒体は、光情報記録媒体を物理的に破壊するための特殊な工具や装置等を用いずに、リードオンリー型の光情報記録媒体に記録された情報を容易に再生不可能化することができる。

本発明の一実施形態について図１〜図１０に基づいて説明すると以下の通りである。

〔光情報記録媒体〕
まず、本発明に係る光情報記録媒体の一実施例について図１〜図３を参照して説明する。図１は、本実施形態の光情報記録媒体１の層構造を示す断面図である。

光情報記録媒体１は、図１に示すように、基板２と、反射膜３と、情報消去膜４と、透明樹脂層５とがこの順に積層されている。光情報記録媒体１は、光源から出射された、光情報記録媒体１に記録された情報を再生するための発光量（再生レーザパワー）を有する再生レーザ光６が透明樹脂層５側から照射される構成である。

本実施形態の光情報記録媒体１の特徴点は、反射膜３に接して情報消去膜４が積層されている点である。情報消去膜４は、後述するように、光源から出射された、光情報記録媒体１に記録された情報を再生不可能化するための発光量（消去レーザパワー）を有する消去レーザ光の加熱作用により、再生レーザ光６の波長に対する反射膜３の透過性を変化させ、光情報記録媒体１からの情報再生を不可能にする。

本実施形態の光情報記録媒体１は、ＣＤ(Compact Disc)、ＣＤ−ＲＯＭ(Compact Disc Read Only Memory)、ＤＶＤ(Digital Versatile Disc)、ＤＶＤ−ＲＯＭ(Digital Versatile Disc Read Only Memory)等の再生専用の光情報記録媒体として好適に用いられる。

基板２は、情報を記録するものであり、一方の表面上に情報に対応した凹凸形状のピットや案内用の溝等が形成されている。基板２の表面上に形成されたピットおよび溝は、両方とも形成されていてもよいし、いずれか一方のみが形成されていてもよい。

すなわち、光情報記録媒体１は、基板２上に情報が凹凸形状のピットで記録されている、再生専用の光情報記録媒体である。光情報記録媒体１に記録された情報の再生は、再生用のレーザ光である再生レーザ光６を光情報記録媒体１に入射させ、基板２に形成された上記ピットによる反射率変化を読み取ることによって行われる。

基板２の厚みとしては、０．１ｍｍ〜１．２ｍｍ程度が好適に用いられるが、特に限定されるものではない。また、上記ピットの形状としては、ピッチが０．１μｍ〜１．６μｍ程度、基板２表面からの高低差が３０ｎｍ〜２００ｎｍ程度であることが好ましい。また、上記案内用の溝の形状としては、ピッチが０．３μｍ〜１．６μｍ程度、基板２表面からの深さが３０ｎｍ〜２００ｎｍ程度であることが好ましい。

基板２を構成する材料としては、例えば、ガラス、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、熱可塑型ポリイミド、ＰＥＴ、ＰＥＮ、ＰＥＳ等の熱可塑性透明樹脂、熱硬化型ポリイミド、紫外線硬化型アクリル樹脂等の熱硬化性透明樹脂、金属等、およびそれらの組み合わせが好適に用いられる。また、基板２を構成する材料の光学的特性は、透明でも不透明であってもよく、特に限定されるものではない。

反射膜３は、光源から光情報記録媒体１に再生レーザ光６が照射された場合、再生レーザ光６を反射することにより、基板２に記録された情報を再生させるものである。

また、反射膜３は、光源から光情報記録媒体１に上記消去レーザ光が照射された場合、該消去レーザ光の一部を吸収し、熱を生じることにより、情報消去膜４を加熱するものである。後述するが、情報消去膜４は所定の温度で加熱されると酸素を放出する構成であり、反射膜３によって加熱された情報消去膜４は、酸素を放出し、反射膜３を酸化する。酸化された反射膜３は、再生レーザ光６の波長に対してほぼ透明な酸化膜を形成し、光情報記録媒体１に再生レーザ光６を照射したとしても、再生レーザ光６の多くが反射膜３を透過してしまい、情報を再生することができない。

なお、ほぼ透明とは、酸化された反射膜３の透過率が、酸化される前よりも情報再生が不可能になる程度に高くなることとする。また、上記消去レーザ光は、再生レーザ光６よりも高い出力を有するものであり、該消去レーザ光を光情報記録媒体１へ入射させることにより、情報消去膜４に含まれる酸化物から酸素を放出させることを可能にする程度に高い出力を有するものである。

反射膜３は、スパッタまたは蒸着等の成膜手段を用いて、基板２のピットが形成されている側の表面上に形成されている。反射膜３の膜厚は、再生レーザ光６の波長に対して、光情報記録媒体１に記録された情報を再生するために必要な反射率を実現できる膜厚であればよく、５ｎｍ〜１００ｎｍ程度であることが好ましい。

また、反射膜３を構成する材料としては、再生レーザ光６の波長に対して光情報記録媒体１に記録された情報を再生するために必要な反射率を有し、かつ、酸素と結合して形成される酸化物がほぼ透明である材料であればよい。具体的には、反射膜３は、例えば、Ａｌ、Ｔａ等の金属の単体、Ｓｉ、Ｇｅ等の半導体の単体若しくはそれらのいずれかを含む合金、または他の元素を一部含む合金からなることが好ましい。

反射膜３を上記材料で構成することにより、反射膜３の熱伝導率が低くなり、上記消去レーザ光を吸収して発生した熱が熱伝導によって外部に放出されにくい。そのため、より弱い発光量を有する消去レーザ光を用いて、光情報記録媒体１に記録された情報の再生不可能化を実現することができ、消費電力を低減することができる。

情報消去膜４は、反射膜３において生じた熱により加熱されると、酸素を脱離・放出するものである。情報消去膜４は、スパッタまたは蒸着等の成膜手段を用いて、反射膜３の基板２が設けられている側とは反対側に形成されている。情報消去膜４の膜厚は、５ｎｍ〜２００ｎｍ程度であることが好ましいが、特に限定されるものではない。

情報消去膜４は、再生レーザ光６および上記消去レーザ光を反射膜３に到達させるために、少なくとも再生レーザ光６および該消去レーザ光の波長に対してほぼ透明であることが望ましい。しかしながら、情報消去膜４は、上記構成に限定されるものではなく、光情報記録媒体１において所望の反射率変化が得られるのであれば、不透明なものであってもかまわない。情報消去膜４を構成する材料としては、加熱されることにより酸素を放出することが可能な材料であればよく、金属酸化物が好適に用いられる。上記金属酸化物としては、特に、酸化チタン（ＴｉＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ゲルマニウム（ＣｅＯ）等の単体、またはそれらのいずれかを含む材料が好適に用いられる。

上記材料は加熱処理されると容易に酸素を脱離するために、情報消去膜４を上記材料によって構成することにより、情報消去膜４を他の材料によって構成した場合と比較して、より弱い消去ビームを用いて情報消去膜４を加熱することができ、消費電力を低減することができる。さらに、情報消去膜４を上記材料によって構成することにより、再生の繰り返しに対する、光情報記録媒体１の耐久性を向上させることができる。

透明樹脂層５は、微小な塵埃等が光情報記録媒体１に付着することにより、情報再生が妨害されることを防止するものであり、情報消去膜４の反射膜３が設けられている側とは反対側に形成されている。透明樹脂層５の層厚としては、１μｍ〜１００μｍ程度であることが好ましい。ただし、光情報記録媒体１に適当な強度を付与したい場合には、透明樹脂層５の層厚は０．１ｍｍ〜１．２ｍｍ程度であってもよい。

透明樹脂層５は、再生レーザ光６および上記消去レーザ光を反射膜３に到達させるために、少なくとも再生レーザ光６および該消去レーザ光の波長に対してほぼ透明であり、再生レーザ光６および該消去レーザ光の入射を妨げない構成であればよい。

透明樹脂層５を構成する材料としては、例えばポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、熱可塑型ポリイミド、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエーテルニトリル）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）等の熱可塑性透明樹脂（プラスチック）、熱硬化型ポリイミド、紫外線硬化型アクリル樹脂等の熱硬化性透明樹脂、およびそれらの組み合わせを用いることができる。また、透明樹脂層５は、例えばガラスや、ガラスと透明樹脂とを組み合わせた材料からなる層等を用いてもよく、厚みは、０．１ｍｍ〜１．２ｍｍ程度が適当である。

なお、本実施形態の光情報記録媒体１は、再生レーザ光６が照射される側から、透明樹脂層５、情報消去膜４、反射膜３、基板２の順に積層されている構成であるが、本発明はこれに限られず、反射膜３と情報消去膜４とが接して設けられている構成であればよい。

つまり、図２に示す光情報記録媒体１１のように、再生レーザ光６が照射される側から、透明樹脂層５、反射膜３、情報消去膜４、基板２の順に積層されていてもよいし、図３に示す光情報記録媒体１２のように、再生レーザ光６が照射される側から、基板２、反射膜３、情報消去膜４、透明樹脂層５の順に積層されていてもよい。

図２に示す光情報記録媒体１１のような構成とする場合は、上記消去レーザ光を透明樹脂層５側から照射すると、反射膜３の透明樹脂層５と接している側の表面において熱が発生する。すなわち、反射膜３で生じた熱が情報消去膜４に伝播するためには、反射膜３の膜厚の分だけ熱が伝播する必要があり、膜厚による熱の損失が考えられる。そのため、光情報記録媒体１１に対して照射される上記消去レーザ光の発光量強度は、光情報記録媒体１に対して照射される上記消去レーザ光の発光量強度と比較して、より強い必要がある。

また、図２に示す光情報記録媒体１１のような構成とする場合は、再生レーザ光６は情報消去膜４を通過せずに反射膜３に照射されるために、情報消去膜４は再生レーザ光６の波長に対して不透明であってもかまわない。

また、図３に示す光情報記録媒体１２のような構成とする場合は、再生レーザ光６および上記消去レーザ光が反射膜３に到達するためには、基板２を透過する必要がある。そのため、光情報記録媒体１２において、基板２は再生レーザ光６および上記消去レーザ光を透過可能な透過率を有することが望ましい。

また、図３に示す光情報記録媒体１２のような構成とする場合は、再生レーザ光６は情報消去膜４および透明樹脂層５を通過せずに反射膜３に照射されるために、情報消去膜４および透明樹脂層５は再生レーザ光６の波長に対して不透明であってもかまわない。

〔光情報処理装置〕
次に、上述した本発明の光情報記録媒体に記録された情報の再生および再生不可能化を行うために用いられる、本発明の光情報処理装置の一実施例について図４を参照して説明する。図４は、本実施形態の光情報処理装置２１の概略構成を示す図である。なお、以下の説明において、本発明の光情報記録媒体としては上述した光情報記録媒体１を用いる。

まず、一般的な光情報処理装置の構成について説明する。一般的な光情報処理装置は、レーザ光源と、集光光学手段と、相対運動手段と、光電変換手段と、サーボ手段と、アドレス情報検出手段と、再生信号復調回路とから構成されている。上記構成部材のうち、レーザ光源、集光光学手段、光電変換手段およびサーボ手段は、上記相対運動手段によって光情報記録媒体と相対運動を行う光学ヘッド内に収納されている。また、レーザ光源および光電変換手段は、集光光学手段と別のケースに収納することもできる。

レーザ光源は、光情報記録媒体に記録された情報を再生するためのレーザ光を出射するものであり、例えば波長４０５ｎｍのレーザ光を出射する半導体レーザ等が用いられる。

集光光学手段は、上記レーザ光源から出射されたレーザ光をビーム状にして、光情報記録媒体上に集光するものであり、集光レンズや、ビームスプリッタ等の光学部品を含んでいる。

相対運動手段は、上記集光光学手段と光情報記録媒体とを相対運動させるものである。具体的には、上記光情報処理装置には、上記相対運動手段として、上記集光光学手段を移動させるためのリニアアクチュエータやスイングアーム等と、光情報記録媒体を動かすためのスピンドルモータ等とが搭載されている。上記相対運動は、光情報記録媒体が回転または平行移動する運動、および、上記集光光学手段に含まれる集光レンズが、その光軸に直角方向に移動する運動の少なくとも一方を含んでいる。

光電変換手段は、上記レーザ光源から出射されたレーザ光が光情報記録媒体において反射された反射光レベルの高低を電気信号に変換するものである。

サーボ手段は、上記レーザ光源から出射されたレーザ光のオートフォーカスおよびトラッキングを行うものである。

アドレス情報検出手段は、光情報記録媒体上に設けられたアドレス情報マークを再生することにより得られる電気信号から、アドレス情報を検出するものである。

再生信号復調回路は、光情報記録媒体の反射光より記録情報を再生するものである。

なお、上記光情報処理装置は、収差の発生による光スポットの劣化を防止するために、集光されるレーザ光と光情報記録媒体とのなす角度を調節するための手段をさらに備えていてもよい。

次に、本実施形態の光情報処理装置２１について説明する。光情報処理装置２１は、上述した一般的な光情報処理装置とほぼ同一の構成であるが、光学ヘッド２２に搭載された半導体レーザ（光源）２３に特徴を有している。そこで、以下に光学ヘッド２２の構成について具体的に説明する。

光学ヘッド２２は、図４に示すように、半導体レーザ２３と、コリメートレンズ２４と、ビーム整形プリズム２５と、ビームスプリッタ２６と、対物レンズ２７と、検出光学系２８とから構成されている。

半導体レーザ２３は、光情報記録媒体１に記録された情報を再生および再生不可能化するためのレーザ光を出射するものである。半導体レーザ２３は、上記レーザ光として、光情報記録媒体１に記録された情報を再生するための発光量（再生レーザパワー）を有する再生レーザ光６と、光情報記録媒体１に記録された情報を再生不可能化するための発光量（消去レーザパワー）を有する消去レーザ光とを出射する構成である。上記消去レーザ光は、光情報記録媒体１の情報消去膜４から酸素を脱離・放出することが可能なように、再生レーザ光６よりも強い発光量に設定されている。

また、半導体レーザ２３は、図示しない光源制御部を備えており、ユーザから情報再生指示を受けた場合は再生レーザ光６を出射し、ユーザから情報再生不可能化指示を受けた場合は消去レーザ光を出射するように該光源制御部によって切り換えられる。

半導体レーザ２３から出射された再生レーザ光６および消去レーザ光は、コリメートレンズ２４によってほぼ平行光に変換され、ビーム整形プリズム２５によって光強度の分布をほぼ円形に整形される。このほぼ円形の平行光は、ビームスプリッタ２６を透過した後、対物レンズ２７によって光情報記録媒体１上の一点に集光され、光スポットを形成する。光情報記録媒体１で反射された反射光は、ビームスプリッタ２６で分岐され、検出光学系２８に導かれる。そして、スピンドルモータ２９は、光情報記録媒体１を回転させることにより、上記光スポットを光情報記録媒体１上で走査させる。

なお、半導体レーザ２３から再生レーザ光６が出射されている場合には、検出光学系２８は、光情報記録媒体１で反射された反射光の偏光方向の変化や、反射光強度の変化等から信号を識別し、光情報記録媒体１上に記録された記録マークを読み取る。

また、検出光学系２８は、光情報記録媒体１の記録マークを読み取るのと同時に、上記光スポットの光情報記録媒体１に対しての焦点ずれ信号とトラック位置ずれ信号とを検出し、対物レンズ２７の駆動系にフィードバックすることにより上記光スポットの位置ずれを補正する。なお、対物レンズの開口数（ＮＡ）は、例えば０．８５に設定する。

本実施形態の光情報処理装置２１は、図４に示すように、半導体レーザ２３を含む光学系が１つの場合の構成について説明しているが、本発明はこれに限られない。１つの光学系で再生レーザ光６および消去レーザ光を出射する場合、半導体レーザが出射可能なレーザ光の発光量の出力範囲は数ｍＷ〜数Ｗと広い必要がある。しかしながら、このようなレーザ光の発光量の出力範囲が広い半導体レーザは高価なために、製造コストが高くなってしまう。

そこで、本発明の光情報処理装置では、再生レーザ光６を出射するための半導体レーザを含む光学系と、上記消去レーザ光を出射するための半導体レーザを含む光学系とを、別々に２つ搭載した構成であってもかまわない。

このとき、上記各光学系に搭載された半導体レーザは、レーザ波長が異なっていてもよい。例えば、再生レーザ光６を出射するための半導体レーザとして、より小さい凹凸形状を読み取るために、波長４０５ｎｍ、発光量の出力範囲がコンマ数ｍＷ〜数ｍＷの半導体レーザを使用してもよい。また、上記消去レーザ光を出射するための半導体レーザとして、波長８００ｎｍ、発光量の出力範囲が数Ｗの半導体レーザを使用してもよい。

これにより、上記各光学系では、上記各半導体レーザが出射するレーザ光の発光量の出力範囲は狭くてよく、安価な光源を用いることができる。その結果、光情報処理装置２１は、安価に製造することが可能となる。

〔光情報再生不可能化処理〕
次に、本発明の光情報処理装置を用いて、本発明の光情報記録媒体に記録された情報を再生不可能化するための処理（光情報再生不可能化処理）について図５（ａ）〜（ｅ）を参照して具体的に説明する。なお、以下の説明において、本発明の光情報記録媒体としては上述した光情報記録媒体１を、本発明の光情報処理装置としては上述した光情報処理装置２１を用いる。図５（ａ）〜（ｅ）は、光情報記録媒体１に消去レーザ光７を照射した場合における、反射膜３と情報消去膜４との間の反応を説明する断面図である。

また、光情報記録媒体１は、情報消去膜４がＴｉＯ_２膜、反射膜３がＧｅ膜であるものとする。さらに、透明樹脂層５は、反射膜３の透明化のメカニズムについてほとんど影響がないため、以下の説明および図５（ａ）〜（ｅ）においては省略する。

光情報処理装置２１は、ユーザから光情報記録媒体１に記録された情報を消去するように指示を受けた場合、データを消去するための発光量（消去レーザパワー）を有する消去レーザ光７を出射するように、半導体レーザ２３を上記光源制御部によって設定する。

そして、半導体レーザ２３から出射された消去レーザ光７は、コリメートレンズ２４によってほぼ平行光に変換され、さらにビーム整形プリズム２５によって光強度の分布をほぼ円形に整形される。このほぼ円形の平行光は、ビームスプリッタ２６を透過した後、対物レンズ２７によって光情報記録媒体１上の一点に集光され、光スポットを形成する。そして、光情報処理装置２１は、光情報記録媒体１をスピンドルモータ２９によって回転させることにより、対物レンズ２７によって形成された光スポットを走査させる。

対物レンズ２７によって集光された消去レーザ光７は、図５（ａ）に示すように、光情報記録媒体１の情報消去膜４を透過し、反射膜３まで到達する。反射膜３に到達した消去レーザ光７は、その一部が反射膜３において吸収され、熱が発生する。

そして、反射膜３で発生した熱は、情報消去膜４に伝播し、情報消去膜４の温度が所定の温度まで上昇すると、図５（ｂ）に示すように、情報消去膜４の構成材料であるＴｉＯ_２から酸素の脱離反応が起こる。情報消去膜４から放出された酸素は、図５（ｃ）に示すように、反射膜３と情報消去膜４との界面にまで移動し、該界面上を拡散しながら蓄積される。

そして、上記界面に蓄積された酸素は、図５（ｄ）に示すように、Ｇｅから構成された反射膜３中に移動を始め、Ｇｅ原子と結合する。さらに、半導体レーザ２３から光情報記録媒体１に対して消去レーザ光７を照射し続けることにより、情報消去膜４から放出される酸素と、反射膜３中のＧｅ原子との結合をより進めることができる。

その結果、図５（ｅ）に示すように、反射膜３中のＧｅ原子が酸化され、酸化ゲルマニウム（ＧｅＯまたはＧｅＯ_２）膜が形成される。酸化ゲルマニウムは再生レーザ光６の波長に対してほぼ透明であるために、再生レーザ光６を光情報記録媒体１に入射させたとしても、再生レーザ光６の多くは反射膜３で反射されずに透過してしまい、情報の再生に必要な反射率を得ることができない。そのため、本実施形態の光情報再生不可能化処理により、光情報記録媒体１に記録された情報の再生が不可能となる。

また、反射膜３に到達した消去レーザ光７は、その一部が反射膜３に吸収されずに、反射さされる。そのため、反射膜３によって反射された消去レーザ光７の一部は、ビームスプリッタ２６で分岐され、検出光学系２８に導かれる。検出光学系２８は、光スポットの光情報記録媒体１に対しての焦点ずれ信号とトラック位置ずれ信号とを検出し、対物レンズ２７の駆動系にフィードバックすることにより光スポットの位置ずれを補正する。

なお、上述した光情報再生不可能化処理は、光情報処理装置２１が、例えば、図示しないアクチュエータ（照射領域調整部）を用いて、光学ヘッド２２を光情報記録媒体１上に対して移動させることにより、光情報記録媒体１に記録された情報領域に対して行われる。

光情報記録媒体１に記録された情報を再生不可能化するためには、消去レーザ光７を情報が記録されている領域のみに照射すればよい。そこで、光情報処理装置２１を上述したような構成にすることにより、光情報記録媒体１に記録された情報を再生不可能化するための最低限の領域に消去レーザ光７を照射することができ、消費電力を低減することが可能となる。

以上のように、光情報再生不可能化処理では、光情報記録媒体１の反射膜３は酸化されるために、再生レーザ光６の波長に対してほぼ透明な酸化膜となる。そのため、光情報再生不可能化処理後に、光情報処理装置２１が光情報記録媒体１に記録された情報の再生を行うために、再生レーザ光６を光情報記録媒体１に照射したとしても、再生レーザ光６の多くは反射膜３を透過してしまい、情報再生は不可能と判断され行われない。

すなわち、光情報再生不可能化処理により、光情報記録媒体１に記憶された情報再生を不可能化することができ、情報漏洩を防止することが可能となる。

〔光情報再生不可能化処理の検証〕
ここで、上述した光情報再生不可能化処理について、光情報記録媒体１の代わりに、図６に示す、基板２と、反射膜３と、情報消去膜４とがこの順に積層されたサンプル基板１０１を用い、基板２の材料、反射膜３の材料、情報消去膜４の材料および加熱温度の４つの条件を変えて、半導体レーザ２３から照射された再生レーザ光６のサンプル基板１０１における透過率の変化について第１検証実験〜第３検証実験を行い、図７〜図１０を参照して説明する。

なお、光情報再生不可能化処理において、光情報記録媒体１の透明樹脂層５はほとんど影響がないために、第１検証実験および第２検証実験では、透明樹脂層５が省略されたサンプル基板１０１を用いている。ただし、第３検証実験では、実際の使用状況により近づけるために、サンプル基板１０１の情報消去膜４に透明樹脂層５を積層させたものを用いている。

〔第１検証実験〕
まず、本発明の光情報記録媒体および光情報処理装置を用いた、該光情報記録媒体の情報再生不可能化を検証するための第１検証実験では、サンプル基板１０１の各構成部材の材料として、基板２の材料として石英基板を、反射膜３の材料としてシリコン（Ｓｉ）を、情報消去膜４の材料として酸化チタン（ＴｉＯ_２）を用いている。

上述した材料から構成されるサンプル基板１０１は、基板２の石英基板上に、マグネトロンスパッタ装置を用いて、反射膜３であるＳｉ膜を膜厚５０ｎｍで形成した後、Ｓｉ膜上に情報消去膜４であるＴｉＯ_２膜を膜厚１２０ｎｍで形成する。

なお、反射膜３の形成は、投入電力２００Ｗ、Ａｒ流量１６ｓｃｃｍの条件下で、ＲＦスパッタを行っている。また、情報消去膜４の形成は、投入電力２００Ｗ、Ａｒ流量１６ｓｃｃｍの条件下で、ＲＦスパッタを行っている。また、反射膜３および情報消去膜４の膜厚は、光情報処理装置２１の半導体レーザ２３から出射された再生レーザ光６の波長が４０５ｎｍで実施できるように調整されている。

上記方法によって形成されたサンプル基板１０１を、３つの条件で加熱処理することにより、サンプル１〜３を作成する。サンプル１はサンプル基板１０１を電気炉にて温度９００℃で３０分間加熱処理しており、サンプル２はサンプル基板１０１を電気炉にて温度６００℃で３０分間加熱処理しており、サンプル３はサンプル基板１０１を加熱処理していない。以下にサンプル１〜３の上記４つの条件をまとめる。
（サンプル１）石英基板／Ｓｉ膜５０ｎｍ／ＴｉＯ_２膜１２０ｎｍ／９００℃加熱処理
（サンプル２）石英基板／Ｓｉ膜５０ｎｍ／ＴｉＯ_２膜１２０ｎｍ／６００℃加熱処理
（サンプル３）石英基板／Ｓｉ膜５０ｎｍ／ＴｉＯ_２膜１２０ｎｍ／加熱処理無し
次に、上記サンプル１〜３の透過率スペクトルを分光器によって測定した結果について、図７を参照して説明する。図７は、サンプル１〜３における、分光器の測定光の波長と、該測定光がサンプル基板１０１を透過する透過率との関係を示したグラフである。なお、透過率スペクトルは、３００ｎｍ〜８００ｎｍの波長領域で測定している。

図７に示すように、サンプル１の透過率は、サンプル２およびサンプル３と比較して、全ての波長において高い透過率を示していることが分かる。特に、半導体レーザ２３から出射される波長４０５ｎｍの再生レーザ光６に対する透過率は、サンプル１が３０.４％、サンプル２が６．７％、サンプル３が６．３％であり、サンプル２およびサンプル３がほぼ同一の透過率を示しているのに対し、サンプル１は著しく高い透過率を示している。

図７に示す結果より、ＴｉＯ_２から構成される情報消去膜４が酸素を脱離・放出するためには、少なくとも６００℃よりも高い温度を情報消去膜４に与える必要があると考えられる。すなわち、サンプル１では、サンプル基板１０１を９００℃で加熱処理しているために、情報消去膜４から酸素が脱離・放出され、Ｓｉから構成された反射膜３が酸化され、酸化Ｓｉ膜が形成される。その結果、反射膜３が再生レーザ光６の波長に対してほぼ透明となり、半導体レーザ２３から出射された再生レーザ光６の多くは反射膜３を透過してしまい、光情報記録媒体１に記録された情報を再生することが不可能となる。

これに対し、サンプル基板１０１を６００℃で加熱処理したサンプル２および加熱処理していないサンプル３では、情報消去膜４から酸素が脱離されず、Ｓｉから構成された反射膜３が酸化されない。その結果、半導体レーザ２３から出射された再生レーザ光６は、反射膜３によって反射され、光情報記録媒体１に記録された情報を再生する。

以上の結果から、ＴｉＯ_２から構成される情報消去膜４が酸素を脱離・放出するためには、少なくとも６００℃よりも高い温度を情報消去膜４に与える必要があることが分かる。したがって、再生レーザ光６の発光量（レーザパワー）を、再生レーザ光６を光情報記録媒体１に照射することによって情報消去膜４へ与えられる温度が６００℃以下になるように設定することで、光情報記録媒体１に記録された情報を再生する際に、情報消去膜４から酸素が脱離・放出されない。そのため、光情報記録媒体１に記録された情報を安定して再生することが可能となると考えられる。

また、サンプル１〜３において、反射膜３の透過率をさらに高く変化させる、すなわちより透明化するためには、サンプル基板１０１をより高温で加熱する、または加熱時間を長くすることにより実現できると考えられる。これは、サンプル基板１０１をより高温で加熱することにより、情報消去膜４からの酸素の脱離がより頻繁に生じるためであり、さらに、サンプル基板１０１をより長時間加熱することにより、反射膜３の酸化がより促進されるためである。

〔第２検証実験〕
次に、本発明の光情報記録媒体および光情報処理装置を用いた、該光情報記録媒体の情報再生不可能化を検証するための第２検証実験では、サンプル基板１０１の各構成部材の材料として、基板２の材料として石英基板を、反射膜３の材料としてシリコン（Ｓｉ）を、情報消去膜４の材料として酸化亜鉛（ＺｎＯ）を用いている。第２検証実験では、情報消去膜４の材料として酸化亜鉛を用いている点で第１検証実験と異なっている。

すなわち、第２検証実験では、情報消去膜４として、ＴｉＯ_２以外の材料を用いて構成した場合であっても、本発明の光情報記録媒体の再生不可能化を実現可能であるか否かについて検証している。

上述した材料から構成されるサンプル基板１０１は、基板２の石英基板上に、マグネトロンスパッタ装置を用いて、反射膜３であるＳｉ膜を膜厚５０ｎｍで形成した後、Ｓｉ膜上に情報消去膜４であるＺｎＯ膜を膜厚１２０ｎｍで形成する。

なお、反射膜３の形成は、投入電力２００Ｗ、Ａｒ流量１６ｓｃｃｍで、ＲＦスパッタを行っている。また、情報消去膜４の形成は、投入電力２００Ｗ、Ａｒ流量１６ｓｃｃｍ／Ｏ_２流量１ｓｃｃｍで、ＲＦスパッタを行っている。また、反射膜３および情報消去膜４の膜厚は、光情報処理装置２１の半導体レーザ２３から出射された再生レーザ光の波長が４０５ｎｍで実施できるように調整されている。

上記方法によって形成されたサンプル基板１０１を、３つの条件で加熱処理することにより、サンプル４〜６を作成する。サンプル４はサンプル基板１０１を電気炉にて温度９００℃で３０分間加熱処理しており、サンプル５はサンプル基板１０１を電気炉にて温度６００℃で３０分間加熱処理しており、サンプル６はサンプル基板１０１を加熱処理していない。以下にサンプル４〜６の上記４つの条件をまとめる。
（サンプル４）石英基板／Ｓｉ膜５０ｎｍ／ＺｎＯ膜１２０ｎｍ／９００℃加熱処理
（サンプル５）石英基板／Ｓｉ膜５０ｎｍ／ＺｎＯ膜１２０ｎｍ／６００℃加熱処理
（サンプル６）石英基板／Ｓｉ膜５０ｎｍ／ＺｎＯ膜１２０ｎｍ／加熱処理無し
次に、上記サンプル４〜６の透過スペクトルを分光器によって測定した結果について、図８を参照して説明する。図８は、サンプル４〜６における、分光器の測定光の波長と、該測定光がサンプル基板１０１を透過する透過率との関係を示したグラフである。なお、透過率スペクトルは、３００ｎｍ〜８００ｎｍの波長領域で測定している。

図８に示すように、９００℃で加熱処理したサンプル４の透過率は、サンプル５およびサンプル６と比較して、全ての波長において高い透過率を示しているのが分かる。特に、半導体レーザ２３から出射された波長４０５ｎｍの再生レーザ光６に対する透過率は、サンプル４が２９．７％、サンプル５が７．１％、サンプル６が６．７％であり、サンプル５およびサンプル６がほぼ同一の透過率を示しているのに対し、サンプル４は著しく高い透過率を示している。

これは、第１検証実験と同様に、９００℃で加熱処理したサンプル４では、反射膜３を構成するＳｉが、情報消去膜４を構成するＺｎＯから脱離した酸素により酸化され、再生レーザ光６の波長に対してほぼ透明な酸化Ｓｉ膜となったからであると考えられる。したがって、情報消去膜４は、ＴｉＯ_２から構成された場合に限られず、ＺｎＯから構成された場合であっても、本発明の光情報記録媒体の再生不可能化を実現可能である。

以上の結果から、ＺｎＯから構成される情報消去膜４も、ＴｉＯ_２から構成される情報消去膜４と同様に、酸素を脱離・放出するためには、６００℃よりも高い温度を与える必要があることが分かる。したがって、再生レーザ光６の発光量（レーザパワー）を、再生レーザ光６を光情報記録媒体１に照射することによって情報消去膜４へ与えられる温度が６００℃以下になるように設定することで、光情報記録媒体１に記録された情報を再生する際に、情報消去膜４から酸素が脱離・放出されない。そのため、光情報記録媒体１に記録された情報を安定して再生することが可能となると考えられる。

〔第３検証実験〕
次に、本発明の光情報記録媒体および光情報処理装置を用いた、該光情報記録媒体の情報再生不可能化を検証するための第３検証実験では、サンプル基板１０１の各構成部材の材料として、基板２の材料としてポリカーボネート基板を、反射膜３の材料としてゲルマニウム（Ｇｅ）を、情報消去膜４の材料として酸化チタン（ＴｉＯ_２）を用いている。第３検証実験では、基板２の材料としてポリカーボネート基板および反射膜３の材料としてゲルマニウムを用いている点で第１検証実験と異なっている。

上述した材料から構成されるサンプル基板１０１は、基板２のφ１３０ｍｍのポリカーボネート製樹脂基板上に、マグネトロンスパッタ装置を用いて、反射膜３であるＧｅ膜を膜厚５０ｎｍで形成した後、Ｇｅ膜上に情報消去膜４であるＴｉＯ_２膜を膜厚１２０ｎｍで形成する。

なお、反射膜３の形成は、投入電力２００Ｗ、Ａｒ流量１６ｓｃｃｍで、ＲＦスパッタを行っている。また、情報消去膜４の形成は、投入電力２００Ｗ、Ａｒ流量１６ｓｃｃｍで、ＲＦスパッタを行っている。また、反射膜３および情報消去膜４の膜厚は、光情報処理装置２１の半導体レーザ２３から出射された再生レーザ光の波長が４０５ｎｍで実施できるように調整されている。

そして、形成されたサンプル基板１０１の情報消去膜４上に、透明樹脂層５として膜厚約８０μｍのポリカーボネートシートを、透明粘着剤を用いて貼り付ける。このとき、透明樹脂層５、すなわちポリカーボネートシートおよび透明粘着剤の層厚が約１００μｍになるように、透明粘着剤の厚みを調整する。

次に、ディスク初期化装置を用い、透明樹脂層５を備えたサンプル基板１０１に、パワー２．０Ｗ、線速１．８ｍ／ｓｅｃ、送りピッチ２μｍの条件で消去レーザ光７を照射することにより、サンプル基板１０１を加熱処理する。ここでは、上記ディスク初期化装置として、パルステック社のＯＤＩ−１０００を用いている。以下にサンプル７およびサンプル８の上記４つの条件をまとめる。
（サンプル７）ポリカーボネート製基板／Ｇｅ膜５０ｎｍ／ＴｉＯ_２膜１２０ｎｍ／消去レーザ光７による基板加熱処理有り
（サンプル８）ポリカーボネート製基板／Ｇｅ膜５０ｎｍ／ＴｉＯ_２膜１２０ｎｍ／消去レーザ光７による基板加熱処理無し
次に、上記サンプル７およびサンプル８の反射スペクトルおよび透過スペクトルを分光器によって測定した結果について、図９および図１０を参照して説明する。図９は、サンプル７およびサンプル８における、分光器の測定光の波長と、該測定光がサンプル基板１０１で反射される反射率との関係を示したグラフである。図１０は、サンプル７およびサンプル８における、分光器の測定光の波長と、該測定光がサンプル基板１０１を透過する透過率との関係を示したグラフである。なお、上記反射率スペクトルおよび上記透過率スペクトルは、３００ｎｍ〜８００ｎｍの波長領域で測定している。

図９に示すように、消去レーザ光７による加熱処理を行ったサンプル７の反射率は、消去レーザ光７による加熱処理を行っていないサンプル８の反射率と比較して、全ての波長において低い反射率を示しているのが分かる。特に、半導体レーザ２３から出射された波長４０５ｎｍの再生レーザ光６に対する反射率は、サンプル７が６．８％、サンプル８が１７．６％である。

これは、第１検証実験および第２検証実験と同様に、反射膜３を構成するＧｅが酸化されて酸化Ｇｅ膜が形成された結果、反射膜３は透明化し、再生レーザ光６に対する反射率が著しく低下したためであると考えられる。具体的には、サンプル基板１０１に消去レーザ光７を照射することにより、情報消去膜４が加熱され、情報消去膜４から酸素が脱離・放出される。そして、情報消去膜４から放出された酸素によって反射膜３を構成しているＧｅが酸化され、再生レーザ光６の波長に対してほぼ透明な酸化Ｇｅ膜が形成される。その結果、半導体レーザ２３から出射された再生レーザ光６の多くは反射膜３を透過してしまい、反射膜３の再生レーザ光６に対する反射率は低下する。

さらに、図１０に示すように、消去レーザ光７による加熱処理を行ったサンプル７の透過率は、消去レーザ光７による加熱処理を行っていないサンプル８の透過率と比較して、全ての波長において著しく高い透過率を示しているのが分かる。特に、半導体レーザ２３から出射された波長４０５ｎｍの再生レーザ光６に対する透過率は、サンプル７が５２．５％、サンプル８が１．１％である。

すなわち、サンプル基板１０１に消去レーザ光７を照射することにより、反射膜３が酸化され、再生レーザ光６に対してほぼ透明になっていることが分かる。

以上の結果から、サンプル基板１０１全体を加熱処理することによって情報消去膜４を加熱した場合だけでなく、消去レーザ光７をサンプル基板１０１に照射することによって情報消去膜４を加熱した場合でも、情報消去膜４から酸素が放出され、反射膜３を酸化することが可能であることが分かる。そして、反射膜３が酸化された結果、反射膜３の再生レーザ光６の波長に対する透過率が高くなり、ほぼ透明となる。そのため、半導体レーザ２３から出射された再生レーザ光６の多くは反射膜３を透過してしまい、光情報記録媒体１に記録された情報を再生することが不可能となる。

以上のように、第１検証実験〜第３検証実験から、光情報記録媒体１に記録された情報を再生するために用いられる再生レーザ光６では、比較的発光量が弱いために、再生不可能化は起こらないことが分かる。これに対し、光情報記録媒体１に記録された情報を再生不可能化するための消去レーザ光７は、比較的発光量が強いために、再生不可能化が起こることが分かる。すなわち、光情報記録媒体１に記録された情報を再生する場合には、誤って再生不可能化してしまうことがなく、安定した再生が行われる。

光情報記録媒体に記録された情報を再生するために最低限必要な反射率を、一般的に十数％とすると、本実施形態の光情報記録媒体１においては、情報再生不可能化処理によりそれ以下の反射率にすることが可能になる。そのため、情報再生不可能化処理を行った本発明の光情報記録媒体では、記録された情報を再生するために必要な反射率が得られず、情報再生を不可能化することができる、その結果、本実施形態の光情報記録媒体１および光情報処理装置２１は、光情報記録媒体１に記録された情報が漏洩することを防止することが可能となる。

本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

光情報記録媒体１は、ＣＤ(Compact Disc)、ＣＤ−ＲＯＭ(Compact Disc Read Only Memory)、ＤＶＤ(Digital Versatile Disc)、ＤＶＤ−ＲＯＭ(Digital Versatile Disc Read Only Memory)等の再生専用の光情報記録媒体として好適に用いられる。

本発明に係る光情報記録媒体の一実施例の層構造を示す断面図である。 本発明に係る光情報記録媒体のその他の実施例の層構造を示す断面図である。 本発明に係る光情報記録媒体のさらに他の実施例の層構造を示す断面図である。 本発明に係る光情報処理装置の一実施例の概略構成を示す図である。 光情報記録媒体に消去レーザ光を照射した場合における、反射膜と情報消去膜との間の反応を説明する断面図である。 光情報再生不可能化処理の検証に用いられるサンプル基板の層構造を示す断面図である。 サンプル１〜３における、分光器の測定光の波長と、該測定光がサンプル基板を透過する透過率との関係を示したグラフである。 サンプル４〜６における、分光器の測定光の波長と、該測定光がサンプル基板を透過する透過率との関係を示したグラフである。 サンプル７およびサンプル８における、分光器の測定光の波長と、該測定光がサンプル基板で反射される反射率との関係を示したグラフである。 サンプル７およびサンプル８における、分光器の測定光の波長と、該測定光がサンプル基板を透過する透過率との関係を示したグラフである。

符号の説明

１、１１、１２ 光情報記録媒体
２ 基板
３ 反射膜
４ 情報消去膜
５ 透明樹脂層
６ 再生レーザ光
７ 消去レーザ光
２１ 光情報処理装置
２２ 光学ヘッド
２３ 半導体レーザ（光源）
２４ コリメートレンズ
２５ ビーム整形プリズム
２６ ビームスプリッタ
２７ 対物レンズ
２８ 検出光学系
２９ スピンドルモータ
１０１ サンプル基板

Claims (9)

1. 情報が記録された基板と、該情報を再生するための再生レーザ光を反射する反射膜とが積層されており、該反射膜によって反射された該再生レーザ光に基づいて、該基板に記録された情報を再生する光情報記録媒体において、
   加熱されることにより酸素を放出する情報消去膜が前記反射膜に積層されており、
   前記反射膜は、前記情報消去膜から放出される酸素によって酸化されるとともに、前記再生レーザ光の波長に対する透過率が高くなることを特徴とする光情報記録媒体。
2. 前記情報消去膜は、金属酸化物からなることを特徴とする請求項１に記載の光情報記録媒体。
3. 前記情報消去膜は、酸化亜鉛若しくは酸化チタンの単体、またはそれらのいずれかを含む合金からなることを特徴とする請求項１または２に記載の光情報記録媒体。
4. 前記反射膜は、半導体の単体または半導体を含む合金からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の光情報記録媒体。
5. 前記半導体は、シリコンまたはゲルマニウムであることを特徴とする請求項４に記載の光情報記録媒体。
6. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の光情報記録媒体に記録された情報を再生または再生不可能化する光情報処理装置であって、
   前記再生レーザ光と、前記情報を再生不可能化するための消去レーザ光とを出射する光源と、
   前記情報を再生する場合は前記再生レーザ光を出射し、該情報を再生不可能化する場合は前記消去レーザ光を出射するように、前記光源を切り換える光源制御手段とを備えることを特徴とする光情報処理装置。
7. 前記消去レーザ光は、前記情報消去膜が酸素脱離する閾値よりも強い発光量を有していることを特徴とする請求項６に記載の光情報処理装置。
8. 前記光源は、前記再生レーザ光を出射するための第１光源および前記消去レーザ光を出射するための第２光源からなることを特徴とする請求項６または７に記載の光情報処理装置。
9. 前記消去レーザ光を、前記光情報記録媒体に記録された情報領域に対して照射させる照射領域調整部を備えることを特徴とする請求項６〜８のいずれか１項に記載の光情報処理装置。

Images