JP2008280212A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2008280212A5
JP2008280212A5 JP2007125848A JP2007125848A JP2008280212A5 JP 2008280212 A5 JP2008280212 A5 JP 2008280212A5 JP 2007125848 A JP2007125848 A JP 2007125848A JP 2007125848 A JP2007125848 A JP 2007125848A JP 2008280212 A5 JP2008280212 A5 JP 2008280212A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
single crystal
producing
pulling
dopant
rectifying member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007125848A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008280212A (ja
JP5172202B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2007125848A priority Critical patent/JP5172202B2/ja
Priority claimed from JP2007125848A external-priority patent/JP5172202B2/ja
Priority to US12/515,730 priority patent/US8110042B2/en
Priority to PCT/JP2008/058483 priority patent/WO2008142993A1/ja
Priority to DE112008000033.6T priority patent/DE112008000033B4/de
Publication of JP2008280212A publication Critical patent/JP2008280212A/ja
Publication of JP2008280212A5 publication Critical patent/JP2008280212A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5172202B2 publication Critical patent/JP5172202B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Description

本発明の単結晶の製造方法は、上部に不活性ガスが導入される導入部を有するチャンバと、このチャンバ内に配置され半導体融液に揮発性ドーパントを添加して生成されたドーパント添加融液を収納可能な坩堝と、種子結晶を前記ドーパント添加融液に接触させた後に引き上げることにより単結晶を製造する引き上げ部と、を備えた引き上げ装置を利用して、前記単結晶を製造する単結晶の製造方法であって、前記チャンバ内に導入される不活性ガスの流量を４０L/min〜４００L/min、前記チャンバ内の圧力を５３３２Pa〜７９９８０Paに設定した条件で前記単結晶を製造する際に、前記坩堝内の前記ドーパント添加融液の自由表面直上における前記不活性ガスの流速が速くなるに従って前記単結晶の酸素濃度が低下する関係に基づいて、前記単結晶における前記引き上げ方向の所定位置の前記酸素濃度を制御することを特徴とする。
また、本発明の単結晶の製造方法では、前記引き上げ装置は、筒状あるいは上下両端に開口部を有する逆円錐台状に形成され、前記坩堝の上方に配置された整流部材を備え、前記引き上げ部は、種子結晶を前記ドーパント添加融液に接触させた後に前記整流部材内を通過させる状態で引き上げることにより単結晶を製造することが好ましい。

Claims (1)

  1. 請求項１に記載の単結晶の製造方法であって、
    前記引き上げ装置は、筒状あるいは上下両端に開口部を有する逆円錐台状に形成され、前記坩堝の上方に配置された整流部材を備え、
    前記引き上げ部は、種子結晶を前記ドーパント添加融液に接触させた後に前記整流部材内を通過させる状態で引き上げることにより単結晶を製造する
    ことを特徴とする単結晶の製造方法。
JP2007125848A 2007-05-10 2007-05-10 単結晶の製造方法 Active JP5172202B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007125848A JP5172202B2 (ja) 2007-05-10 2007-05-10 単結晶の製造方法
US12/515,730 US8110042B2 (en) 2007-05-10 2008-05-07 Method for manufacturing single crystal
PCT/JP2008/058483 WO2008142993A1 (ja) 2007-05-10 2008-05-07 単結晶の製造方法
DE112008000033.6T DE112008000033B4 (de) 2007-05-10 2008-05-07 Verfahren zum Herstellen eines Einkristalls

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007125848A JP5172202B2 (ja) 2007-05-10 2007-05-10 単結晶の製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2008280212A JP2008280212A (ja) 2008-11-20
JP2008280212A5 true JP2008280212A5 (ja) 2010-12-16
JP5172202B2 JP5172202B2 (ja) 2013-03-27

Family

ID=40031708

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007125848A Active JP5172202B2 (ja) 2007-05-10 2007-05-10 単結晶の製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8110042B2 (ja)
JP (1) JP5172202B2 (ja)
DE (1) DE112008000033B4 (ja)
WO (1) WO2008142993A1 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5226496B2 (ja) * 2008-12-17 2013-07-03 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 シリコン単結晶引上装置
JP5934218B2 (ja) 2010-09-03 2016-06-15 ジーテイーエイテイー・アイピー・ホールデイング・エルエルシーＧＴＡＴ ＩＰ Ｈｏｌｄｉｎｇ ＬＬＣ ガリウム、インジウムまたはアルミニウムでドープされたケイ素の単結晶
KR101252915B1 (ko) * 2010-09-06 2013-04-09 주식회사 엘지실트론 단결정 잉곳 제조방법
KR101303422B1 (ko) * 2011-03-28 2013-09-05 주식회사 엘지실트론 단결정 잉곳의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단결정 잉곳과 웨이퍼
US9499924B2 (en) * 2011-09-01 2016-11-22 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method for manufacturing silicon single crystal
KR101384060B1 (ko) 2012-08-03 2014-04-09 주식회사 엘지실트론 실리콘 단결정 잉곳 성장 방법
CN113417003A (zh) * 2021-06-22 2021-09-21 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 能够降低头部氧含量的大直径单晶硅生产方法及装置
JP7359241B2 (ja) * 2022-03-15 2023-10-11 株式会社Sumco シリコン単結晶の製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0777994B2 (ja) * 1989-11-16 1995-08-23 信越半導体株式会社 単結晶の酸素濃度コントロール方法及び装置
US5292487A (en) * 1991-04-16 1994-03-08 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Czochralski method using a member for intercepting radiation from raw material molten solution and apparatus therefor
JP2978607B2 (ja) * 1991-09-17 1999-11-15 新日本製鐵株式会社 シリコン単結晶の製造方法
JP2760932B2 (ja) * 1993-03-29 1998-06-04 科学技術振興事業団 単結晶引上げ用Ｓｉ融液の酸素濃度制御方法
EP0625595B1 (en) * 1993-03-29 2001-09-19 Research Development Corporation Of Japan Control of oxygen concentration in single crystal pulled up from melt containing group-V element
JP2691393B2 (ja) 1993-12-28 1997-12-17 科学技術振興事業団 単結晶引上げ用Ｓｉ融液の調整方法
US5477805A (en) * 1993-12-28 1995-12-26 Research Development Corporation Of Japan Preparation of silicon melt for use in pull method of manufacturing single crystal
JPH09227275A (ja) 1996-02-28 1997-09-02 Sumitomo Sitix Corp ドープ剤添加装置
US5904768A (en) * 1996-10-15 1999-05-18 Memc Electronic Materials, Inc. Process for controlling the oxygen content in silicon wafers heavily doped with antimony or arsenic
JP3787452B2 (ja) * 1999-02-10 2006-06-21 株式会社Ｓｕｍｃｏ シリコン単結晶の製造方法
EP1193333A4 (en) * 2000-02-28 2006-10-04 Shinetsu Handotai Kk METHOD FOR PRODUCING SILICON CRYSTALS AND SILICON CRYSTAL
DE10250822B4 (de) 2002-10-31 2006-09-28 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung eines mit leichtflüchtigem Fremdstoff dotierten Einkristalls aus Silicium
JP4153293B2 (ja) * 2002-12-17 2008-09-24 コバレントマテリアル株式会社 シリコン単結晶引上方法
JP2007112663A (ja) * 2005-10-20 2007-05-10 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 半導体単結晶製造装置および製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008280212A5 (ja)
WO2011148373A8 (en) Controllable buoyant system and method
WO2011028408A3 (en) Patient transfer device
RU2014126432A (ru) Способ получения поликристаллического кремния и реактор для получения поликристаллического кремния
JP2012216794A5 (ja) 酸化物半導体膜の形成方法
TW200734450A (en) Chemical solution
EP2039653A3 (en) Reactor for polycrystalline silicon and polycrystalline silicon production method
JP2013112566A5 (ja)
WO2010062549A3 (en) Substrate for artificial turf
TW200639281A (en) Process for producing a silicon single crystal with controlled carbon content
WO2009016911A1 (ja) 半導体単結晶の製造装置
WO2008142993A1 (ja) 単結晶の製造方法
CN107709634A (zh) 单晶硅的制造方法
JP2009033148A5 (ja)
JP2011140421A5 (ja)
CN103553052B (zh) 一种多晶硅逆向凝固装置及方法
WO2012040558A3 (en) Furnace tap hole flow control and tapper system and method of using the same
WO2011117442A8 (es) Dispositivo de riego por exudación y/o goteo, aplicable a macetas y a plantaciones exteriores en tierra
WO2014106643A3 (en) Inlet stratification device
JP2006212024A5 (ja)
SG161185A1 (en) Contact patterning method with transition etch feedback
CN205329208U (zh) 一种直拉单晶硅的Sb掺杂装置
CN203177165U (zh) 一种新型酒精灯
CN203030878U (zh) 一种铅液中转釜
CN204058655U (zh) 一种可视升降式单晶炉