JP2008277631A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008277631A JP2008277631A JP2007121131A JP2007121131A JP2008277631A JP 2008277631 A JP2008277631 A JP 2008277631A JP 2007121131 A JP2007121131 A JP 2007121131A JP 2007121131 A JP2007121131 A JP 2007121131A JP 2008277631 A JP2008277631 A JP 2008277631A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- underfill
- semiconductor device
- semiconductor chip
- dielectric constant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明の半導体装置は、Pbフリー半田でバンプ接続したフリップチップ型半導体装置であって、半導体チップの直下に形成したアンダーフィルは、25℃での弾性率が6GPa〜8GPaで、ガラス転移温度以下での線膨張係数が35ppm/K以下であり、チップの外周またはチップのコーナーに形成したアンダーフィルは、25℃での弾性率が6GPa以下で、ガラス転移温度以下での線膨張係数が50ppm/K以下である。
【選択図】図1
Description
アンダーフィル樹脂は、ビスフェノールA型エポキシ樹脂1000g、フェニレンジアミン230g、反応性希釈剤としてヘキサンジオールジグリシジルエーテル154g、平均粒径1μmの球状シリカを3本ロールで混合分散して作製した。球状シリカは、表1に示す配合率になるように調製し、接着性向上を目的として、グリシドキシプロピルトリメトキシシラン23gを配合し、応力緩和剤として、シリコーンゴム154gを配合した。このようにして、硬化後、25℃での弾性率と、ガラス転移温度以下での線膨張係数が表1に示すようなアンダーフィル樹脂A1,A2,B〜Eを作製した。
2種類のアンダーフィル樹脂を使い分けず、アンダーフィル樹脂Bをチップ直下およびチップの外周の両方に形成した以外は実施例1と同様にして、半導体装置を作製し、実施例1と同様に評価した結果、チップの誘電体層が破壊されていることがわかった。アンダーフィルの物性と評価の結果を表2に示す。
比較例1と同様に、同一のアンダーフィル樹脂をチップ直下およびチップの外周の両方に形成して、半導体装置を作製し、比較例1と同様に評価した。比較例2では、アンダーフィルCを使用し、比較例3では、アンダーフィルDを使用し、比較例4では、アンダーフィルEを使用した。しかし、比較例2〜4では、冷熱ヒートサイクル試験を500サイクル実施しただけで、チップの誘電体層が破壊された。アンダーフィルの物性と評価の結果を表2に示す。
半導体チップの直下にアンダーフィル樹脂A1を注入し、半導体チップの外周にアンダーフィル樹脂Bを塗布した以外は実施例1と同様に半導体装置を作製し、実施例1と同様に評価した。その結果、冷熱ヒートサイクル試験を2000サイクル行なったが、誘電体層は破壊されなかった。つまり、低誘電率層とPbフリー半田を組み合わせた半導体装置において、優れた信頼性が得られた。アンダーフィルの物性と評価の結果を表2に示す。
半導体チップの配線層における誘電体層の比誘電率が2.4である半導体チップを実装した以外は実施例2と同様にして半導体装置を作製し、実施例2と同様に評価した。その結果、冷熱ヒートサイクル試験を2000サイクル行なったが、誘電体層は破壊されなかった。したがって、脆弱な低誘電体層からなる半導体チップとPbフリー半田を組み合わせた半導体装置においても、高い信頼性を有する半導体装置を提供できることがわかった。
Claims (3)
- 半導体チップの低誘電率配線層と基板の配線層とをPbフリー半田でバンプ接続した後、チップと基板との間にアンダーフィルを形成したフリップチップ型半導体装置であって、
チップの直下に形成したアンダーフィルは、25℃での弾性率が6GPa〜8GPaで、ガラス転移温度以下での線膨張係数が35ppm/K以下であり、
チップの外周またはチップのコーナーに形成したアンダーフィルは、25℃での弾性率が6GPa以下で、ガラス転移温度以下での線膨張係数が50ppm/K以下である半導体装置。 - チップの外周またはチップのコーナーに形成したアンダーフィルは、ビスフェノールA型エポキシ樹脂と、芳香族アミン系硬化剤と、シリコーン系応力緩和剤とシリカ粒子を含む材料により形成された請求項1に記載の半導体装置。
- 半導体チップの配線層における誘電体層は、比誘電率が3.0以下である請求項1または2に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007121131A JP2008277631A (ja) | 2007-05-01 | 2007-05-01 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007121131A JP2008277631A (ja) | 2007-05-01 | 2007-05-01 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008277631A true JP2008277631A (ja) | 2008-11-13 |
Family
ID=40055222
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007121131A Pending JP2008277631A (ja) | 2007-05-01 | 2007-05-01 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008277631A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010177394A (ja) * | 2009-01-29 | 2010-08-12 | Hitachi Metals Ltd | 半導体装置 |
JP2013141027A (ja) * | 2013-04-15 | 2013-07-18 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
US8710651B2 (en) | 2009-10-14 | 2014-04-29 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10313022A (ja) * | 1997-03-10 | 1998-11-24 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
2007
- 2007-05-01 JP JP2007121131A patent/JP2008277631A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10313022A (ja) * | 1997-03-10 | 1998-11-24 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010177394A (ja) * | 2009-01-29 | 2010-08-12 | Hitachi Metals Ltd | 半導体装置 |
US8710651B2 (en) | 2009-10-14 | 2014-04-29 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2013141027A (ja) * | 2013-04-15 | 2013-07-18 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2012191062A (ja) | 半導体装置 | |
JP6018967B2 (ja) | 熱硬化性封止樹脂シート及び電子部品パッケージの製造方法 | |
JP2011176278A5 (ja) | ||
TWI480326B (zh) | 用於含低k介電質之半導體裝置中作為底填密封劑之可固化樹脂組合物 | |
JP2001230341A (ja) | 半導体装置 | |
WO2016125537A1 (ja) | フィルム状接着剤、それを用いた半導体装置 | |
JP2010262973A (ja) | 半導体装置 | |
JP2012021086A (ja) | 液状封止樹脂組成物および半導体装置 | |
JP4417122B2 (ja) | シート状半導体封止用樹脂組成物 | |
JP2007511101A (ja) | Low−k誘電体含有半導体デバイスと共に使用される電子パッケージング材料 | |
JPH10289969A (ja) | 半導体装置およびそれに用いる封止用樹脂シート | |
JP2008277631A (ja) | 半導体装置 | |
US20080265435A1 (en) | Structure and method for stress reduction in flip chip microelectronic packages using underfill materials with spatially varying properties | |
JP4876935B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP5274744B2 (ja) | フィルム状接着剤及びこれを用いた半導体装置 | |
JP2003128874A (ja) | 液状樹脂組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP5105099B2 (ja) | 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物、及びそれをアンダーフィル材として用いて封止したフリップチップ型半導体装置 | |
JP2003212963A (ja) | 熱硬化性液状封止樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2010192525A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2001207031A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2000269387A (ja) | 半導体封止用樹脂及びこれを用いた半導体装置 | |
JP5614022B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物、半導体封止充てん用樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2011079905A (ja) | エポキシ樹脂組成物、半導体封止充てん用樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2007284471A (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
WO2011158468A1 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100407 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20100526 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120326 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120403 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120731 |