JP2008277622A - 熱電変換モジュールとその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】熱電変換モジュールの製造方法は、p型半導体未焼成体30とn型半導体未焼成体31との間に中間材未焼成体32を介在させる介在工程と、中間材未焼成体32を間に介在させたp型半導体未焼成体30とn型半導体未焼成体31とを焼成する焼成工程と、p型半導体未焼成体30が焼成されることにより得られたp型半導体11とn型半導体未焼成体31が焼成されることにより得られたn型半導体12を配線電極にて電気的に直列に接続する工程と、を含む。
【選択図】図1
Description
V=(αn+αp)(TH−TL) (1)
Qp=ΠI (2)
請求項1記載の発明の要旨は、p型半導体未焼成体とn型半導体未焼成体との間に中間材未焼成体を介在させる介在工程と、中間材未焼成体を間に介在させたp型半導体未焼成体とn型半導体未焼成体とを焼成する焼成工程と、p型半導体未焼成体が焼成されることにより得られたp型半導体とn型半導体未焼成体が焼成されることにより得られたn型半導体を配線電極にて電気的に直列に接続する工程と、を含むことを特徴とする熱電変換モジュールの製造方法に存する。
請求項2記載の発明の要旨は、介在工程において、基板上に複数のp型半導体未焼成体充填用孔と複数のn型半導体未焼成体充填用孔が設けられた中間材未焼成体の層を印刷する工程と、p型半導体未焼成体充填用孔にp型半導体未焼成体の層を印刷する工程と、n型半導体未焼成体充填用孔にn型半導体未焼成体の層を印刷する工程と、を所定の厚さになるまで繰り返して行うことを特徴とする請求項1記載の熱電変換モジュールの製造方法に存する。
請求項3記載の発明の要旨は、介在工程は、シート状のp型半導体未焼成体とシート状の中間材未焼成体とシート状のn型半導体未焼成体を交互に重ねプレスした積層体を作製することにより行い、介在工程と焼成工程の間に、積層体を複数の積層体片に切断する工程と、中間材未焼成体を間に挟んで積層体片をプレスする工程とを含むことを特徴とする請求項1記載の熱電変換モジュールの製造方法に存する。
請求項4記載の発明の要旨は、中間材未焼成体は、焼成することによりセラミックスとなることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の熱電変換モジュールの製造方法に存する。
請求項5記載の発明の要旨は、中間材未焼成体は、焼成することによりガラスとなることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の熱電変換モジュールの製造方法に存する。
請求項6記載の発明の要旨は、中間材未焼成体は、焼成することにより空隙を含むセラミックスとなることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の熱電変換モジュールの製造方法に存する。
請求項7記載の発明の要旨は、中間材未焼成体は、焼成することにより空隙を含むガラスとなることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の熱電変換モジュールの製造方法に存する。
請求項8記載の発明の要旨は、中間材未焼成体は、焼成することにより骨材部分と接着部分と空隙を含む高抵抗体となることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の熱電変換モジュールの製造方法に存する。
請求項9記載の発明の要旨は、骨材部分はセラミックスであり、接着部分はガラスであることを特徴とする請求項8記載の熱電変換モジュールの製造方法に存する。
請求項10記載の発明の要旨は、中間材未焼成体は、焼成することにより軟化点の異なる少なくとも2種類のガラスと空隙を含む高抵抗体となることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の熱電変換モジュールの製造方法に存する。
請求項11記載の発明の要旨は、請求項1〜10のいずれか1項に記載の熱電変換モジュールの製造方法により作製されたことを特徴とする熱電変換モジュールに存する。
以下、本発明を実施例に基づき説明する。
本実施例では、図1に示すp型半導体11にCuOを10wt%添加した(Mn0.5Ni0.5)3O4を用い、n型半導体12にTa2O5を10wt%添加したCa0.4Mn0.6O3を用い、中間材に10wt%のZrO2(骨材部分)と90wt%のSiO2を主成分とし添加物としてB2O3、Al2O3系を含むガラス(接着部分)を用いた熱電変換モジュール10の作製例を示す。
本実施例では、図1に示すp型半導体11にCuOを10wt%添加した(Mn0.5Co0.5)3O4を用い、n型半導体12にZnOを1wt%添加した(Ca0.4Mn0.6)O3を用い、中間材に50wt%のAl2O3と50wt%の(Ca0.3Mn0.7)3O4からなるセラミックスを用いた熱電変換モジュール10の作製例を示す。
11 p型半導体
12 n型半導体
13 電極
14 電極
15 中間材
Claims (11)
- p型半導体未焼成体とn型半導体未焼成体との間に中間材未焼成体を介在させる介在工程と、
前記中間材未焼成体を間に介在させた前記p型半導体未焼成体と前記n型半導体未焼成体とを焼成する焼成工程と、
前記p型半導体未焼成体が焼成されることにより得られたp型半導体と前記n型半導体未焼成体が焼成されることにより得られたn型半導体を配線電極にて電気的に直列に接続する工程と、
を含むことを特徴とする熱電変換モジュールの製造方法。 - 前記介在工程において、
基板上に複数のp型半導体未焼成体充填用孔と複数のn型半導体未焼成体充填用孔が設けられた前記中間材未焼成体の層を印刷する工程と、
前記p型半導体未焼成体充填用孔にp型半導体未焼成体の層を印刷する工程と、
前記n型半導体未焼成体充填用孔にn型半導体未焼成体の層を印刷する工程と、
を所定の厚さになるまで繰り返して行うことを特徴とする請求項1記載の熱電変換モジュールの製造方法。 - 前記介在工程は、
シート状の前記p型半導体未焼成体とシート状の前記中間材未焼成体とシート状の前記n型半導体未焼成体を交互に重ねプレスした積層体を作製することにより行い、
前記介在工程と前記焼成工程の間に、
前記積層体を複数の積層体片に切断する工程と、
前記中間材未焼成体を間に挟んで前記積層体片をプレスする工程とを含むことを特徴とする請求項1記載の熱電変換モジュールの製造方法。 - 前記中間材未焼成体は、焼成することによりセラミックスとなることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の熱電変換モジュールの製造方法。
- 前記中間材未焼成体は、焼成することによりガラスとなることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の熱電変換モジュールの製造方法。
- 前記中間材未焼成体は、焼成することにより空隙を含むセラミックスとなることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の熱電変換モジュールの製造方法。
- 前記中間材未焼成体は、焼成することにより空隙を含むガラスとなることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の熱電変換モジュールの製造方法。
- 前記中間材未焼成体は、焼成することにより骨材部分と接着部分と空隙を含む高抵抗体となることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の熱電変換モジュールの製造方法。
- 前記骨材部分はセラミックスであり、前記接着部分はガラスであることを特徴とする請求項8記載の熱電変換モジュールの製造方法。
- 前記中間材未焼成体は、焼成することにより軟化点の異なる少なくとも2種類のガラスと空隙を含む高抵抗体となることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の熱電変換モジュールの製造方法。
- 請求項1〜10のいずれか1項に記載の熱電変換モジュールの製造方法により作製されたことを特徴とする熱電変換モジュール。
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JP2014090101A (ja) * | 2012-10-30 | 2014-05-15 | Shigeyuki Tsurumi | 熱電変換素子 |
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