JP2008275758A - 液晶表示装置用反射板の製造方法、液晶表示装置及び液晶表示装置用アレイ基板 - Google Patents

液晶表示装置用反射板の製造方法、液晶表示装置及び液晶表示装置用アレイ基板 Download PDF

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Abstract

【課題】 少ない工程数、且つ、低コストで、反射板の下側の凹凸形状を形成することが可能な液晶表示装置用反射板の製造方法を提供する。
【解決手段】 島状又は網目状の有機膜パターン21(又は22)を形成する。有機膜パターン21(22)を有機溶剤の蒸気雰囲気に曝すことにより溶融させて凹凸形状の凹凸膜11に加工する。加工された有機膜パターンを覆う反射電極12を形成する。短い工程数で、精密なプロセス管理を行うことなく、良好な反射特性を持つ反射板を製造することができる。
【選択図】 図4

Description

本発明は、液晶表示装置用反射板の製造方法、液晶表示装置及び液晶表示装置用アレイ基板に関する。
携帯機器などの普及に伴って、外光が弱いところではバックライトからの光を透過させ、外光の強いところでは外光を反射電極で反射させて表示を行う半透過型液晶表示装置が実用化されている。
また、低消費電力化を狙って、バックライトを持たず、常に外光を反射電極で反射させて表示を行う反射型液晶表示装置も実用化されている。
これらの液晶表示装置は、外光を反射するための反射電極を各画素の全領域又は一部の領域に備えている。
その反射電極に良好な反射表示特性を持たせるために、反射電極は、凹凸形状の膜を覆うように形成されている。反射電極の下側の凹凸形状は、適度に外光を散乱するような良好な傾斜角分布のものとする必要がある。
このため、より良好な反射表示特性を得るため様々な凹凸形状の製法が提案されている。
図6は、凸パターン形成と層間膜パターン形成の2回のフォトリソ工程を経て凹凸形状を形成する例(特許文献1)を示す図である。
すなわち、特許文献1の技術では、先ず、図6(a)に示すように、1回目のフォトリソグラフィー工程(有機膜塗布、露光、現像及びエッチング)により、第1の有機膜パターン(凸パターン)101を形成し、次に、図6(b)に示すように、第1の有機膜パターン101を覆う第2の有機膜パターン(層間膜パターン)102を2回目のフォトリソグラフィー工程(有機膜塗布、露光、現像及びエッチング)により形成する。これにより、第2の有機膜パターン102の表面形状を凹凸形状に形成する。
また、図7は、ハーフトーン露光又は2回露光により形成した2段階の厚さの有機膜を熱により変形させることによって凹凸形状を形成する例(特許文献2)を示す図である。
すなわち、特許文献2の技術では、先ず、図7(a)に示すように、ハーフトーン露光又は2回露光により、2段階の膜厚の有機膜パターン103を形成し、次に、有機膜パターン103を加熱することにより、図7(b)に示すように凹凸形状に変形させる。
特開2006−053303号公報(第5頁) 特開2002−169171号公報(第8頁)
しかしながら、図6に示す従来技術では、2回のフォトリソグラフィー工程を必要とするため工程数が多いという問題があった。
また、図7に示す従来技術では、ハーフトーン露光を行う場合には高価なハーフトーンマスクを必要とするため製造コストが高くなるという問題があった。
また、図7に示す従来技術において、2回の露光を行う場合には工程数が多いという問題があった。
本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたもので、少ない工程数、且つ、低コストで、反射板の下側の凹凸形状を形成することが可能な液晶表示装置用反射板の製造方法、液晶表示装置及び液晶表示装置用アレイ基板を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明の液晶表示装置用反射板の製造方法は、反射型又は半透過型の液晶表示装置の反射板を製造する方法において、島状の複数の有機膜パターンを形成する第1の工程と、前記複数の有機膜パターンを蒸気雰囲気に曝すことにより溶融させて凹凸形状に加工する第2の工程と、前記第2の工程により加工された有機膜パターンを覆う反射板を形成する第3の工程と、を備えることを特徴としている。
本発明の液晶表示装置用反射板の製造方法においては、前記第1の工程では、1〜10μm角の複数の有機膜パターンを2〜30μmの間隔でランダムな配置で形成することが好ましい。
また、本発明の液晶表示装置用反射板の製造方法は、反射型又は半透過型の液晶表示装置の反射板を製造する方法において、網目状の有機膜パターンを形成する第1の工程と、前記有機膜パターンを蒸気雰囲気に曝すことにより溶融させて凹凸形状に加工する第2の工程と、前記第2の工程により加工された有機膜パターンを覆う反射板を形成する第3の工程と、を備えることを特徴としている。
本発明の液晶表示装置用反射板の製造方法においては、前記第1の工程では、幅が1〜10μmで長さが2〜30μmのライン状のパターンをランダムな網目状となるよう連結したような形状の有機膜パターンを形成することが好ましい。
本発明の液晶表示装置用反射板の製造方法においては、前記有機膜パターンは有機溶剤に溶解するものであり、前記第2の工程で用いる蒸気雰囲気は、有機溶剤の蒸気雰囲気であることが好ましい一例である。
或いは、本発明の液晶表示装置用反射板の製造方法においては、前記有機膜パターンは水溶性のものであり、前記第2の工程で用いる蒸気雰囲気は、水蒸気雰囲気、又は、水を主成分とする水溶液の蒸気雰囲気であることも好ましい。
本発明の液晶表示装置用反射板の製造方法においては、前記第2の工程では、有機膜パターンを平均傾斜角3〜15°の凹凸形状に加工することが好ましい。
本発明の液晶表示装置用反射板の製造方法においては、前記第2の工程の前又は後の少なくとも一方に、前記有機膜パターンを熱により溶融させる工程を備えることも好ましい。
また、本発明の液晶表示装置は、反射型又は半透過型の液晶表示装置において、本発明の製造方法により製造された反射板を備えることを特徴としている。
また、本発明の液晶表示装置用アレイ基板は、反射型又は半透過型の液晶表示装置用アレイ基板において、本発明の製造方法により製造された反射板を備えることを特徴としている。
本発明によれば、島状又は網目状の有機膜パターンを蒸気雰囲気に曝すことにより溶融させて凹凸形状に加工し、この有機膜パターンを覆う反射板を形成することにより、反射型又は半透過型の液晶表示装置の反射板を製造することができる。よって、短い工程数で、精密なプロセス管理を行うことなく、良好な反射特性を持つ反射板、これを備える液晶表示装置又は液晶表示装置用アレイ基板を製造することができる。
以下、図面を参照して、本発明に係る実施形態について説明する。
図1は実施形態に係る半透過型液晶表示装置の1画素を構成する半透過型TFT100の断面図である。
図1に示すように、半透過型TFT100は、ガラス基板1と、このガラス基板1上に形成されたゲート電極2と、このゲート電極2を覆うようにガラス基板1上に成膜されたゲート絶縁膜3と、このゲート絶縁膜3上に形成された、例えばa−Si(アモルファスシリコン)からなる半導体層4と、この半導体層4上に形成されたna−Si層5と、これら半導体層4及びna−Si層5を覆うようにゲート絶縁膜3上に形成されたソース電極6a及びドレイン電極6bと、このソース電極6a及びドレイン電極6bを覆うようにゲート絶縁膜3上に成膜されたパッシベーション膜7と、このパッシベーション膜7上に成膜された平坦化膜8と、パッシベーション膜7及び平坦化膜8を貫通するコンタクトホール9を介してドレイン電極6bと電気的に接続されているとともに、平坦化膜8上にも延在するように形成された透明電極10と、平坦化膜8上における透明電極10の形成領域を避けて形成された凹凸膜11と、この凹凸膜11を覆うとともに、透明電極10に電気的に接続するよう該透明電極11の端部を覆うように形成された反射電極(反射板)12と、を備えて構成されている。
凹凸膜11は、反射電極12に適度な凹凸を与えるためのものである。すなわち、凹凸膜11上に反射電極12が形成されたことにより、該反射電極12は、凹凸膜11の凹凸形状を反映した形状となっている。
次に、凹凸膜11の製造方法について詳細に説明する。
例えば、先ず、半透過型TFT100の各構成要素のうち、ゲート電極2、ゲート絶縁膜3、半導体層4、na−Si層5、ソース電極/ドレイン電極6a、6b、パッシベーション膜7及び平坦化膜8をガラス基板1上に形成した後で、有機膜をスピンコート法などを用いて1〜3μmの厚さで平坦化膜8上に塗布し、100℃から150℃の温度でプリベークする。
ここで、有機膜としては、有機溶剤に溶解するものと水溶性のものとがある。
有機溶剤に溶解する有機膜としては、例えば、有機系材料と溶媒としての有機溶剤とを含有するものを用いることが挙げられるが、或いは、無機系材料と溶媒としての有機溶剤とを含有するものを用いても良い。
有機溶剤に溶解する有機膜を構成する有機系材料としては、例えば、アクリル、ポリイミド、ポリアクリルアミドなどの樹脂或いは高分子有機材料を用いることができる。高分子有機材料としては他にも種々のものがあり、ポリビニル系ではポリビニルケイ皮酸エステルがある。ゴム系では、環化ポリイソプレンや環化ポリブタジエンにビスアジド化合物を混合したものがある。ノボラック樹脂系では、クレゾールノボラック樹脂とナフトキノンジアジド−5−スルフォン酸エステルを混合したものがある。アクリル酸の共重合樹脂系では、ポリアミド酸がある。
有機膜を構成する無機系材料としては、例えば、シロキサン、ポリシロキサン、ポリシラン、カルボシラン、シリコン、無機ガラスなどを用いることができる。
溶媒として用いられる有機溶剤としては、例えば、アルコール類、エーテル類、エステル類、ケトン類、グリコール類、アルキレングリコール類、アルコキシアルコール類、グリコールエーテル類などの各溶剤が挙げられる。
また、水溶性の有機膜の材料としては、ポリアクリル酸、ポリビニルアセタール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンイミン、ポリエチレンオキシド、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリビニルアミン、ポリアリルアミン、オキサゾリン基含有水溶性樹脂、水溶性メラミン樹脂、水溶性尿素樹脂、アルキッド樹脂、スルホンアミドの何れか1種を用いるか、又は、これらのうちの何れか2種以上の混合物を用いることができる。
次に、この有機膜上にレジストを塗布した後、露光及び現像をこの順に行うことにより、島状、または網目状のレジストパターンを形成する。
島状のレジストパターンは、例えば、1〜10μm角の複数のパターンが2〜30μmの間隔でにランダムな向きに配置されたものである。
また、網目状のレジストパターンは、幅が1〜10μmで長さが2〜30μmのライン状のパターンをランダムな網目状となるよう連結したような形状のものである。各網目の形状は、例えば、三角形、四角形、六角形或いはその他の多角形であることが好ましい一例であるが、曲線により囲まれた形状であっても良い。
各網目の形状を多角形状にする場合の各頂点の位置(ライン状のパターンの連結部の位置)は、網目を形成する多角形が正多角形にならないよう、ある程度ランダムに配置されることが望ましい。これは、各頂点が規則的な配置だと、反射光により干渉縞が生じてしまうためである。
次に、ドライエッチングなどにより、有機膜をレジストパターンと同じ形状に加工し、レジストを剥離する。これにより、島状の複数の有機膜パターン21(図2)又は網目状の有機膜パターン22(図3)が得られる。
次に、この基板を、有機膜パターン(有機膜パターン21又は22)を溶解させる蒸気雰囲気に曝すことにより、該有機膜パターン(有機膜パターン21又は22)を流動化させ、滑らかな凹凸形状に変形させる(図4(a)→図4(b))。
すなわち、有機膜パターンが有機溶剤に溶解する場合には、該有機膜パターンを後述する何れかの有機溶剤の蒸気雰囲気に曝すことにより溶融させて、図4(b)に示すような凹凸形状の凹凸膜11に変形させる。
同様に、有機膜パターンが水溶性の場合には、該有機膜パターンを後述するように、水蒸気雰囲気、又は、水を主成分とする水溶液の蒸気雰囲気に曝すことにより溶融させて、図4(b)に示すような凹凸形状の凹凸膜11に変形させる。
島状の有機膜パターン21の場合、このような蒸気雰囲気処理において溶融することにより隣のパターンと一体化する結果、図4(b)に示す形状の凹凸膜11となる。
同様に、網目状の有機膜パターン22の場合も、このような蒸気雰囲気処理において溶融することにより、各ライン状の部分が隣のライン状の部分と一体化する結果、図4(b)に示す形状の凹凸膜11となる。
ここで、このように有機膜パターンを溶融させて凹凸形状に加工する蒸気雰囲気処理に用いられる蒸気雰囲気の材料の例を説明する。
1.有機溶剤に溶解する有機膜パターンに対する蒸気雰囲気処理に用いられる蒸気雰囲気の材料としての有機溶剤の例
以下では、上位概念としての有機溶剤と、具体的な下位概念の有機溶剤とに分けて示す。(Rはアルキル基又は置換アルキル基、Arはフェニル基又はフェニル基以外の芳香環を示す)
・アルコール類(R−OH)
・アルコキシアルコール類
・エーテル類(R−O−R、Ar−O−R、Ar−O−Ar)
・エステル類
・ケトン類
・グリコール類
・アルキレングリコール類
・グリコールエーテル類
上記有機溶剤の具体例(下位概念)としては、次のようなものがある。
・CHOH、COH、CH(CH)XOH
・イソプロピルアルコール(IPA)
・エトキシエタノール
・メトキシアルコール
・長鎖アルキルエステル
・モノエタノールアミン(MEA)
・アセトン
・アセチルアセトン
・ジオキサン
・酢酸エチル
・酢酸ブチル
・トルエン
・メチルエチルケトン(MEK)
・ジエチルケトン
・ジメチルスルホキシド(DMSO)
・メチルイソブチルケトン(MIBK)
・ブチルカルビトール
・n−ブチルアセテート(nBA)
・ガンマーブチロラクトン
・エチルセロソルブアセテート(ECA)
・乳酸エチル
・ピルビン酸エチル
・2−ヘプタノン(MAK)
・3−メトキシブチルアセテート
・エチレングリコール
・プロピレングリコール
・ブチレングリコール
・エチレングリコールモノエチルエーテル
・ジエチレングリコールモノエチルエーテル
・エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート
・エチレングリコールモノメチルエーテル
・エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート
・エチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル
・ポリエチレングリコール
・ポリプロレングリコール
・ポリブチレングリコール
・ポリエチレングリコールモノエチルエーテル
・ポリジエチレングリコールモノエチルエーテル
・ポリエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート
・ポリエチレングリコールモノメチルエーテル
・ポリエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート
・ポリエチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル
・メチル−3−メトキシプロピオネート(MMP)
・プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)
・プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)
・プロピレングリコールモノプロピルエーテル(PGP)
・プロピレングリコールモノエチルエーテル(PGEE)
・エチル−3−エトキシプロピオネート(FEP)
・ジプロピレングリコールモノエチルエーテル
・トリプロピレングリコールモノエチルエーテル
・ポリプロピレングリコールモノエチルエーテル
・プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート
・3−メトキシプロピオン酸メチル
・3−エトキシプロピオン酸エチル
・N−メチル−2−ピロリドン(NMP)
2.水溶性の有機膜パターンに対する蒸気雰囲気処理に用いられる蒸気雰囲気の材料の例
(a)水
(b)水を主成分とする水溶液
有機膜パターンを溶融させて凹凸形状に加工する蒸気雰囲気処理に用いられる蒸気雰囲気の材料としては、例えば、上記のものが挙げられる。
ここで、有機膜パターンの変形量は、有機膜パターンを蒸気雰囲気に曝す時間を調節することによりで制御することができる。凹凸の平均傾斜角は3°〜15°が望ましい。
また、有機膜パターンを蒸気雰囲気に曝して凹凸形状に加工する工程の前又は後の一方又は両方において、有機膜パターンを熱により流動変形させる処理(熱により溶融させる処理)を行うこととしても良い。
次に、この基板をオーブンなどで200℃〜250℃の温度で焼き固める。
次に、凹凸膜11の上に、例えばAlなどの光沢のある導電性材料からなる反射電極12(反射膜)を成膜する。
これにより、反射型または半透過型液晶表示装置の反射板を得ることができる。
なお、凹凸膜11と透明電極10の形成順序は、どちらが先でも良い。また、図1では反射電極12を透明電極10の後で形成した例(反射電極12の端部が透明電極10の端部を覆った例)を示しているが、反射電極12を透明電極10の前に形成しても良い(反射電極12の端部が透明電極10の端部に覆われても良い。)
ここで、有機膜パターンを上記のように蒸気雰囲気に曝して変形させる手法は、有機膜パターンを熱により変形させる手法に比べて有機膜パターンの変形量が大きく、蒸気雰囲気に曝す時間を調節することにより変形量も容易に制御できるため、凹凸形状の設計自由度が格段に大きい。
有機膜パターンを有機溶剤の蒸気雰囲気に曝す処理の実行時間の長さと有機膜パターンの変形量との関係を図5に示す。
図5から、有機膜パターンを有機溶剤の蒸気雰囲気に曝す時間を調節することにより、その変形量を線形的に制御できることが分かる。
以上のような実施形態によれば、1回のフォトリソグラフィー工程で島状又は網目状に形成した有機膜パターンを、有機溶剤の蒸気雰囲気に曝すことにより、有機膜パターンに有機溶剤を吸収させ流動性を与え、リフォームさせて、良好な傾斜角分布の凹凸形状を持つ反射板を得ることができる。
或いは、1回のフォトリソグラフィー工程で島状又は網目状に形成した有機膜パターンを、水蒸気雰囲気、又は、水を主成分とする水溶液の蒸気雰囲気に曝すことにより、有機膜パターンに流動性を与え、リフォームさせて、良好な傾斜角分布の凹凸形状を持つ反射板を得ることができる。
なお、上記の実施形態では、レジストパターンを介して有機膜をエッチングすることにより該有機膜を有機膜パターンに加工する例を説明したが、有機膜として感光性機能を持つものを用いれば、有機膜を塗布後、露光、現像を行うことによって、島状又は網目状の有機膜パターンに加工することができ、その有機膜パターンを有機溶剤の蒸気雰囲気に曝すことにより、上記の実施形態と同様の凹凸膜11を形成することができる。
また、図2には、島状の有機膜パターン21として、正方形状のパターンを例示しているが、長方形状、ライン状(例えば、幅が1〜10μmで長さが2〜30μm)或いはその他の形状の島状のパターンであっても良い。
また、上記の実施形態では、半透過型の液晶表示装置を説明したが、本発明は、この例に限らず、反射型の液晶表示装置に上記の実施形態で説明した凹凸膜11及び反射電極12を形成しても良い。
また、上記の実施形態では、半透過型の液晶表示装置を説明したが、本発明は、半透過型の液晶表示装置用アレイ基板(図1に示すような半透過型TFT100を複数備えてなるアレイ基板)にも適用可能であり、同様に、反射型の液晶表示装置用アレイ基板にも適用可能である。
実施形態に係る半透過型液晶表示装置の1画素を構成する半透過型TFT100の断面図である。 島状の有機膜パターンを例を示す平面図である。 網目状の有機膜パターンを例を示す平面図である。 蒸気雰囲気に曝す前(a)と後(b)の有機膜パターンの形状を示す断面図である。 有機膜パターンを有機溶剤の蒸気雰囲気に曝す処理の実行時間の長さと有機膜パターンの変形量との関係を示す図である。 凸パターン形成と層間膜パターン形成の2回のフォトリソ工程を経て凹凸形状を形成する従来技術(特許文献1)を示す図である。 ハーフトーン露光又は2回露光により形成した2段階の厚さの有機膜を熱により変形させることによって凹凸形状を形成する従来技術(特許文献2)を示す図である。
符号の説明
11 凹凸膜(凹凸形状の有機膜パターン)
12 反射電極(反射板)
21 島状の有機膜パターン
22 網目状の有機膜パターン

Claims (10)

  1. 反射型又は半透過型の液晶表示装置の反射板を製造する方法において、
    島状の複数の有機膜パターンを形成する第1の工程と、
    前記複数の有機膜パターンを蒸気雰囲気に曝すことにより溶融させて凹凸形状に加工する第2の工程と、
    前記第2の工程により加工された有機膜パターンを覆う反射板を形成する第3の工程と、
    を備えることを特徴とする液晶表示装置用反射板の製造方法。
  2. 前記第1の工程では、1〜10μm角の複数の有機膜パターンを2〜30μmの間隔でランダムな配置で形成することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用反射板の製造方法。
  3. 反射型又は半透過型の液晶表示装置の反射板を製造する方法において、
    網目状の有機膜パターンを形成する第1の工程と、
    前記有機膜パターンを蒸気雰囲気に曝すことにより溶融させて凹凸形状に加工する第2の工程と、
    前記第2の工程により加工された有機膜パターンを覆う反射板を形成する第3の工程と、
    を備えることを特徴とする液晶表示装置用反射板の製造方法。
  4. 前記第1の工程では、幅が1〜10μmで長さが2〜30μmのライン状のパターンをランダムな網目状となるよう連結したような形状の有機膜パターンを形成することを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置用反射板の製造方法。
  5. 前記有機膜パターンは有機溶剤に溶解するものであり、
    前記第2の工程で用いる蒸気雰囲気は、有機溶剤の蒸気雰囲気であることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の液晶表示装置用反射板の製造方法。
  6. 前記有機膜パターンは水溶性のものであり、
    前記第2の工程で用いる蒸気雰囲気は、水蒸気雰囲気、又は、水を主成分とする水溶液の蒸気雰囲気であることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の液晶表示装置用反射板の製造方法。
  7. 前記第2の工程では、有機膜パターンを平均傾斜角3〜15°の凹凸形状に加工することを特徴とする請求項1乃至6の何れか一項に記載の液晶表示装置用反射板の製造方法。
  8. 前記第2の工程の前又は後の少なくとも一方に、前記有機膜パターンを熱により溶融させる工程を備えることを特徴とする請求項1乃至7の何れか一項に記載の液晶表示装置用反射板の製造方法。
  9. 反射型又は半透過型の液晶表示装置において、請求項1乃至8の何れか一項に記載の製造方法により製造された反射板を備えることを特徴とする液晶表示装置。
  10. 反射型又は半透過型の液晶表示装置用アレイ基板において、請求項1乃至8の何れか一項に記載の製造方法により製造された反射板を備えることを特徴とする液晶表示装置用アレイ基板。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009024133A (ja) * 2007-07-23 2009-02-05 Technical Research & Development Institute Ministry Of Defence 材料の化学スムージング法及びデバイス

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001305555A (ja) * 2000-04-20 2001-10-31 Sharp Corp 液晶表示装置およびその製造方法
JP2002334830A (ja) * 2000-06-12 2002-11-22 Nec Kagoshima Ltd パターン形成方法及びそれを用いた表示装置の製造方法
JP2003021827A (ja) * 2001-07-10 2003-01-24 Nec Kagoshima Ltd 有機膜の平坦化方法及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法
JP2003215574A (ja) * 2002-01-24 2003-07-30 Fujitsu Display Technologies Corp 反射型液晶表示装置
JP2003282422A (ja) * 2002-03-27 2003-10-03 Nec Kagoshima Ltd レジスト・パターン形成方法
JP2003344841A (ja) * 2002-05-29 2003-12-03 Nec Lcd Technologies Ltd 反射型液晶表示装置
JP2006039351A (ja) * 2004-07-29 2006-02-09 Nec Lcd Technologies Ltd 液晶表示装置及びその設計方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2714993B2 (ja) * 1989-12-15 1998-02-16 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置
US6462794B1 (en) * 1998-10-14 2002-10-08 Hitachi, Ltd. Image forming unit, enlarging unit, optical parts, and image display apparatus having these components
JP3670577B2 (ja) * 2000-01-26 2005-07-13 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
WO2002010806A1 (fr) * 2000-07-28 2002-02-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Feuille reflechissante, son procede de fabrication et unite d'affichage y faisant appel
JP4195217B2 (ja) * 2001-11-29 2008-12-10 ティーピーオー ホンコン ホールディング リミテッド 反射体形成方法、反射構造体及び液晶表示装置
KR100617032B1 (ko) * 2003-05-30 2006-08-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
JP4089631B2 (ja) * 2003-09-16 2008-05-28 ソニー株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
JP4947510B2 (ja) * 2004-12-24 2012-06-06 Nltテクノロジー株式会社 アクティブマトリクス型表示装置及びその製造方法
JP4883525B2 (ja) * 2006-08-02 2012-02-22 Nltテクノロジー株式会社 反射板及び液晶表示装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001305555A (ja) * 2000-04-20 2001-10-31 Sharp Corp 液晶表示装置およびその製造方法
JP2002334830A (ja) * 2000-06-12 2002-11-22 Nec Kagoshima Ltd パターン形成方法及びそれを用いた表示装置の製造方法
JP2003021827A (ja) * 2001-07-10 2003-01-24 Nec Kagoshima Ltd 有機膜の平坦化方法及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法
JP2003215574A (ja) * 2002-01-24 2003-07-30 Fujitsu Display Technologies Corp 反射型液晶表示装置
JP2003282422A (ja) * 2002-03-27 2003-10-03 Nec Kagoshima Ltd レジスト・パターン形成方法
JP2003344841A (ja) * 2002-05-29 2003-12-03 Nec Lcd Technologies Ltd 反射型液晶表示装置
JP2006039351A (ja) * 2004-07-29 2006-02-09 Nec Lcd Technologies Ltd 液晶表示装置及びその設計方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009024133A (ja) * 2007-07-23 2009-02-05 Technical Research & Development Institute Ministry Of Defence 材料の化学スムージング法及びデバイス

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