JP2008266732A - 真空蒸着装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の真空蒸着装置1は、磁界形成手段40と、第一、第二の同軸型真空アーク蒸着源11、12とを有している。磁界形成手段40は、N極平面43とS極平面44の間に、第一、第二の同軸型真空アーク蒸着源11、12の放出口36が位置するように、第一、第二の同軸型真空アーク蒸着源11、12に近づけられているので、真空槽10内部の他の部材と設置場所が競合せず、成膜に最適な磁界が形成されるように設置することができる。
【選択図】図4
Description
この真空蒸着装置102は、真空槽110を有しており、真空槽110の内部には、同軸型真空アーク蒸着源111が配置されており、真空槽110内を真空排気系119により真空排気し、同軸型真空アーク蒸着源111を動作させると、同軸型真空アーク蒸着源111の先端から、真空槽110内に薄膜材料の蒸気が放出されるようになている。
磁界形成手段115の内部には、平行磁界が形成されており、平板状の二枚の磁石により、同軸型真空アーク蒸着源111から放出された蒸気の進行方向に平行磁界を形成しており、蒸気と共に放出された電子が平行磁界を通過する際に、ローレンツ力によって進行方向が曲げられる。
同軸型真空アーク蒸着源111から蒸気と共に飛び出した巨大粒子(液滴)は、電荷に対する質量が大きく、クーロン力によって曲げられず、直進するので基板には到達せず、基板表面に液滴混入の無い薄膜を形成することができる。
本発明は真空蒸着装置であって、前記N極平面と前記S極平面の間隔は、前記アノード電極の根本側よりも先端側の方が広くされた真空蒸着装置である。
通常、真空槽内部には、蒸気の飛行方向に沿って、防着板のような他の部材を取り付ける必要があり、磁界形成手段をアノード電極から離れた場所に配置する場合、他の部材と設置場所が重なり、最適な設置が困難である。
この真空蒸着装置1は、真空槽10を有している。真空槽10の内部には1乃至複数子の取り付けポート(窪み)が設けられいる。ここでは、一つの取り付けポート29が設けられており、該取り付けポート29の内部には、第一、第二の同軸型真空アーク蒸着源11、12が配置されているが、第一、第二の同軸型真空アーク蒸着源11、12を別々の取り付けポートの内部に配置してもよい。
アノード電極21は筒状(ここでは円筒状)であり、蒸着源本体22は棒状であり、蒸着源本体22はアノード電極21の内部に配置されている。
蒸着源本体22は、蒸着材料から成るカソード電極31と、棒状電極32と、トリガ電極33と、絶縁筒34とを有している。
トリガ電極33はリング状であり、絶縁筒34の外周のカソード電極31に近く、カソード電極31とは離間した位置に嵌め込まれている。
アノード電極21と、カソード電極31と、絶縁筒34と、棒状電極32の中心軸線は一致するように配置されている。符号39はその中心軸線を示している。
このN極用ヨーク板41とS極用ヨーク板42は、表面が互いに向き合って配置されており、放出口36は、N極用ヨーク板41とS極用ヨーク板42の表面の間に配置されている。
アノード電極21の内部で放出口36方向に向けて飛行する電子は、アノード電極21内部に形成された磁界を通過する間に進行方向が曲げられ、放出口36から斜め方向に放出される。
アノード電極21内のプラズマ中に含まれる蒸着材料粒子のうち、電荷質量比が小さな巨大荷電粒子や中性粒子は、放出口36から放出される電子から受けるクーロン力はゼロ又は弱く、カソード電極31の側面から放出されると直進し、アノード電極21の側面に衝突してそこに付着する。
微小荷電粒子の飛行方向には、基板ホルダ18に保持された成膜対象物17が位置しており、微小荷電粒子が成膜対象物17表面に到達する。
微小荷電粒子が到達する位置や、微小荷電粒子が到達する面積は、角度θの大きさによって、変更することが可能である。
Claims (2)
- 真空槽と、同軸型真空アーク蒸着源とを有し、
前記同軸型真空アーク蒸着源は、
筒状のアノード電極と、
前記アノード電極内に配置されたカソード電極と、
前記アノード電極内で前記カソード電極とは絶縁して配置されたトリガ電極と、
互いに向き合わされたN極平面とS極平面とを有する磁界形成手段を有し、
前記アノード電極の先端は、前記N極平面と前記S極平面の間に配置された真空蒸着装置。 - 前記N極平面と前記S極平面の間隔は、前記アノード電極の根本側よりも先端側の方が広くされた請求項1記載の真空蒸着装置。
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Citations (4)
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---|---|---|---|---|
JPH07150340A (ja) * | 1993-11-29 | 1995-06-13 | Nissin Electric Co Ltd | 薄膜形成装置 |
JPH08505434A (ja) * | 1992-10-19 | 1996-06-11 | フラウンホッファー−ゲゼルシャフト ツァ フェルダールング デァ アンゲヴァンテン フォアシュンク エー.ファオ. | プラズマ補助高速電子ビーム蒸発用の装置 |
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