JP2008266388A

JP2008266388A - ダイボンディング用熱硬化性フィルム及びこれを用いた半導体装置の製造方法

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Publication number: JP2008266388A
Application number: JP2007108242A
Authority: JP
Inventors: Shin Teraki; 慎寺木; Junichi Kaneko; 淳一金子; Hidenori Iida; 英典飯田; Satoko Takahashi; 聡子高橋
Original assignee: Namics Corp
Current assignee: Namics Corp
Priority date: 2007-04-17
Filing date: 2007-04-17
Publication date: 2008-11-06
Anticipated expiration: 2027-04-17
Also published as: JP5080847B2

Abstract

【課題】ダイシング時にチップ等の接着性に優れ、かつピックアップ時にはダイシングテープとの剥離が可能で、硬化した後には半導体チップ等と、基板又はリードフレーム等と、の接着性に優れ、チップ又は基板若しくはリードフレーム等との間のボイド発生が抑制されるダイボンディング用熱硬化性フィルムが提供する。
【解決手段】（Ａ）ビニル基が結合したフェニル基を両末端に持つポリエーテルと、（Ｂ）熱可塑性エラストマー及び／又はゴムと、を含む、ダイボンディング用熱硬化性フィルムである。
【選択図】なし

Description

本発明は、半導体装置に用いるダイボンディング用熱硬化性フィルム及びこれを用いる半導体装置の製造方法に関するものである。

一般に、ＩＣなどの半導体の組立工程は、パターン形成された半導体ウェハーを、チップにダイシングする工程と、チップの基板等へのダイボンディング工程と、チップを封止する工程からなる。ダイシング工程は、半導体ウェハーをダイシングテープに貼り付け固定し、所望のチップ形状にダイシングを行う工程であり、ダイボンディング工程は、チップをダイシングテープからピックアップし、基板又はリードフレーム等に固定、接着する工程であり、チップ封止工程は、チップを封止用樹脂等で基板又はリードフレーム等と封止する工程である。

上記工程に使用されるフィルムには、ダイシング時にダイシングテープからのチップ飛び等が発生しないよう、チップとの接着強度が要求され、しかも、チップをピックアップする際にはダイシングテープから容易に剥離でき、その上、ダイボンディング後にはチップと基板等と、の十分な接着強度が要求される。

これらの目的を達成するため、紫外線、電子線などの放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基、エポキシ基含有基、及びカルボキシル基をそれぞれ有するアクリル系粘着剤が開示されている（特許文献１等参照）。

しかしながら、ダイシング後のピックアップ時のフィルムからのウェハーの剥離を避けるために、ダイシング時にウェハーとの接着力が十分で、しかもピックアップ時にはダイシングテープとの剥離が可能で、さらに、硬化後には、チップ又は基板等と十分な接着強度を有し、かつチップ又は基板等との間にボイドが抑制されたダイボンディング用熱硬化性フィルムは、まだ実用化されていない。

特開２００３−２６１８３８号公報

本発明は、ダイボンディング時にはチップが剥離しないよう、チップとの十分な接着力を有し、かつピックアップ時にはダイシングテープとの剥離が可能で、硬化後にはチップ及び基板若しくはリードフレーム等と十分な接着力を有し、さらにチップ又は基板若しくはリードフレーム等との間のボイド発生が抑制されるダイボンディング用熱硬化性フィルムを提供すること、を課題とする。

本発明は、（Ａ）以下の一般式（１）で示されるビニル化合物と、

（式中、
Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆、Ｒ₇は同一又は異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ハロゲン化アルキル基又はフェニル基であり、
−（Ｏ−Ｘ−Ｏ）−は構造式（２）で示され、ここで、Ｒ₈、Ｒ₉、Ｒ₁₀、Ｒ₁₄、Ｒ₁₅は、同一又は異なってもよく、ハロゲン原子又は炭素数６以下のアルキル基又はフェニル基であり、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂、Ｒ₁₃は、同一又は異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数６以下のアルキル基又はフェニル基であり、
−（Ｙ−Ｏ）−は構造式（３）で示される１種類の構造、又は構造式（３）で示される２種類以上の構造がランダムに配列したものであり、ここで、Ｒ₁₆、Ｒ₁₇は同一又は異なってもよく、ハロゲン原子又は炭素数６以下のアルキル基又はフェニル基であり、Ｒ₁₈、Ｒ₁₉は同一又は異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数６以下のアルキル基又はフェニル基であり、
Ｚは炭素数１以上の有機基であり、場合により酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子を含むこともあり、
ａ、ｂは少なくともいずれか一方が０でない、０〜３００の整数を示し、
ｃ、ｄは０又は１の整数を示す。）
（Ｂ）熱可塑性エラストマー及び／又はゴムと、
を含む、ダイボンディング用熱硬化性フィルムに関する。

さらに、本発明は、ダイボンディング用熱硬化性フィルムが、ダイシングテープに積層されてなる、積層フィルムに関する。また、ダイボンディング用熱硬化性フィルム又は積層フィルムを用いた、半導体装置の製造方法に関する。

本発明によれば、ダイシング時にチップ等の接着性に優れ、かつピックアップ時にはダイシングテープとの剥離が可能で、硬化した後には半導体チップ等と、基板又はリードフレーム等と、の接着性に優れ、チップ又は基板若しくはリードフレーム等との間のボイドが抑制されるダイボンディング用熱硬化性フィルムが提供される。また、該ダイボンディング用熱硬化性フィルムを硬化して得られる樹脂は、弾性率が低く、かつ高周波領域で低誘電率・低誘電正接を有し、半導体装置の製造等において、極めて有用である。

本発明のダイボンディング用熱硬化性フィルムは、成分（Ａ）として、上記の一般式（１）で示されるビニル化合物を含む。これらの化合物は、特開２００４−５９６４４号公報に記載されたとおりである。

一般式（１）で示されるビニル化合物の−（Ｏ−Ｘ−Ｏ）−についての構造式（２）において、Ｒ_８、Ｒ_９、Ｒ_１０、Ｒ_１４、Ｒ_１５は、好ましくは、炭素数３以下のアルキル基であり、Ｒ_１１、Ｒ_１２、Ｒ_１３は、好ましくは、水素原子又は炭素数３以下のアルキル基である。具体的には、構造式（４）が挙げられる。

−（Ｙ−Ｏ）−についての構造式（３）において、Ｒ_１６、Ｒ_１７は、好ましくは、炭素数３以下のアルキル基であり、Ｒ_１８、Ｒ_１９は、好ましくは、水素原子又は炭素数３以下のアルキル基である。具体的には、構造式（５）又は（６）が挙げられる。

Ｚは、炭素数３以下のアルキレン基が挙げられ、具体的には、メチレン基である。

ａ、ｂは少なくともいずれか一方が０でない、０〜３００の整数を示し、好ましくは０〜３０の整数を示す。

数平均分子量１０００〜３０００である一般式（１）のビニル化合物が好ましい。数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）により、標準ポリスチレンによる検量線を用いた値とする。

上記の一般式（１）のビニル化合物は、単独でも、２種以上組み合わせて用いてもよい。

本発明のダイボンディング用熱硬化性フィルムは、成分（Ｂ）として、熱可塑性エラストマー及び／又はゴムを含む。熱可塑性エラストマーとしては、スチレン系熱可塑性エラストマー、例えばスチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体等、オレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリエステル系熱可塑性エラストマー等が挙げられる。

ゴムとしては、スチレン−ブタジエンゴム、ブチルゴム、ブタジエンゴム、アクリルゴム等が挙げられ、好ましくは、スチレン−ブタジエンゴムである。

硬化物の弾性率の点から熱可塑性エラストマーが好ましい。特に、基板の凹凸への埋め込み性及び誘電率の点から、スチレン系熱可塑性エラストマーが好ましい。例えば、ポリスチレンブロック−ブタジエンブロック−スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）、スチレンブロック−イソプレンブロック−スチレンブロック共重合体（ＳＩＳ）が好ましい。

スチレン系熱可塑性エラストマーとしては、成分（Ａ）との相溶性の観点から、スチレン重合体ブロックとオレフィン重合体ブロックのブロック共重合体であると好ましい。

例えば、ポリスチレンブロック−ポリ（エチレン／プロピレン）ブロック共重合体（ＳＥＰ）、ポリスチレンブロック-ポリ（エチレン/プロピレン）ブロック-ポリスチレンブロック共重合体（ＳＥＰＳ）、ポリスチレンブロック-ポリ（エチレン/ブチレン）ブロック-ポリスチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ）、ポリスチレンブロック-ポリ（エチレン-エチレン/プロピレン）ブロック-ポリスチレンブロック共重合体（ＳＥＥＰＳ）が好ましい。スチレン系熱可塑性エラストマーは、重量平均分子量は、３０，０００〜２００，０００であるものが好ましい。重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）により、標準ポリスチレンによる検量線を用いた値とする。

また、スチレン重合体ブロックとオレフィン重合体ブロックのブロック共重合体を使用すると、ＵＶ硬化型ダイシングテープと積層したとき、ＵＶ照射によりダイシングテープとダイボンディング用熱硬化性フィルム間の接着力が減少し、チップのピックアップ作業が容易になり得る。

熱可塑性エラストマー及び／又はゴムは、単独でも、２種以上組み合わせて用いてもよい。

成分（Ａ）と成分（Ｂ）の重量割合は、１０：９０〜９０：１０であることが好ましく、硬化物が低誘電率・低誘電正接と低弾性率をバランスよく備えるためには、より好ましくは４０：６０〜６０：４０であり、特に好ましくは、４５：５５〜５５：４５である。

ダイボンディング用熱硬化性フィルムの厚みは、５０μｍ以下であることが好ましく、例えば２〜５０μｍとすることができる。昨今の電子部品の薄型化への対応の点から、３０μｍ以下が好ましく、より好ましく２０μｍ以下である。また、基板等の凹凸への埋め込み性の観点からは５μｍ以上が好ましい。

ダイボンディング用熱硬化性フィルムの粘度は、基板等の凹凸への埋め込み性が良好で、シリコン等のチップの破損を抑制し、かつダイボンディング用熱硬化性フィルムへのピンホール等の発生を抑制する観点から、１５０〜２００℃での温度の粘度が１０〜１０⁵Ｐａ・ｓであることが好ましい。上記粘度が１０Ｐａ・ｓ以上であると、チップを基板等にマウントするとき等に、ダイボンディング用熱硬化性フィルムのはみ出し量が抑えられ、又は、ダイボンディング用熱硬化性フィルムがチップ側面を這上し、ワイヤーボンディングパッド等を汚損する傾向も小さい。また、上記粘度が１０⁵Ｐａ・ｓ以下であると、基板等の凹凸への埋め込み性が良好で、チップ又は基板等とダイボンディング用熱硬化性フィルムとの間の空隙率も抑えられやすい。さらに好ましくは、１０²〜１０⁴Ｐａ・ｓである。

ダイボンディング用熱硬化性フィルムは、ダイシングテープとの接着強度が２×１０^-6〜２×１０^-4Ｐａであると、ダイシング後のチップをピックアップ作業が良好となり、好ましい。

ダイボンディング用熱硬化性フィルムは、ダイシングテープを備えることが好ましく、ハンドリング性の観点から、ダイシングテープ上にダイボンディング用熱硬化性フィルムが積層されているとさらに好ましい。

ダイボンディング用熱硬化性フィルムは、ダイシングテープを介し、放射照度が１００〜２５０ｍＷ/ｃｍ²、積算光量が５０〜３０００ｍJ/ｃｍ²で紫外線を照射した後のダイシングテープとの接着強度が２×１０^-6〜２×１０^-4Ｐａであると、紫外線照射によるダイシングテープの硬化に伴うダイシングテープの接着力が低下し、ダイシング後のチップのピックアップ作業が良好となり、さらに好ましい。

なお、ダイボンディング用熱硬化性フィルムは、本発明の効果を損なわない範囲で、無機フィラー、粘着性付与剤、消泡剤、流動調整剤、成膜補助剤、分散助剤等の添加剤を含むことができる。

ダイボンディング用熱硬化性フィルムは、硬化触媒を使用しなくとも加熱のみによって硬化することができる。

次に、上記ダイボンディング用熱硬化性フィルム１の製造方法について、説明する。
上記ダイボンディング用熱硬化性フィルム１は、成分（Ａ）及び（Ｂ）を含む原料を、有機溶剤に溶解又は分散させてワニスとし、得られたワニスを所望の支持体に塗布・乾燥させて形成することができる。

有機溶剤としては、芳香族系溶剤、例えばトルエン、キシレン等、ケトン系溶剤、例えばメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等が挙げられる。有機溶剤は、単独でも、２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、有機溶剤の使用量は、特に限定されないが、好ましくは、固形分が２０〜５０重量％となるように使用することが好ましい。作業性の点から、ワニスは、１００〜２０００ｍＰａ・ｓの粘度の範囲であることが好ましい。粘度は、Ｅ型粘度計を用いて、回転数５ｒｐｍ、２５℃で測定した値とする。

支持体は、特に限定されず、銅、アルミニウム等の金属箔、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂等の有機フィルム等が挙げられる。支持体はシリコーン系化合物等で離型処理されていてもよい。

さらに、図１に示すように、ダイシングテープ２を、ダイボンディング用熱硬化性フィルム１の支持体とし、積層フィルムとすることも可能である。

ワニスを塗布する方法は、特に限定されないが、薄膜化・膜厚制御の点からはマイクログラビア法、スロットダイ法、ドクターブレード法が好ましい。マイクログラビア法により、例えば、厚み５０μｍ以下のダイボンディング用熱硬化性フィルムを得ることができる。

乾燥条件は、ワニスに使用される有機溶剤の種類や量、塗布の厚み等に応じて、適宜、設定することができ、例えば、５０〜１２０℃で、１〜３０分程度とすることができる。

このようにして得られたダイボンディング用熱硬化性フィルム１は、良好な保存性を有する。

さらに、上記ダイボンディング用熱硬化性フィルム１は、埋め込み性がよく、基板等の凹凸への埋め込み性が良好である。またレーザーによる穴あけ等の加工性にも優れている。

ダイボンディング用熱硬化性フィルム１は未硬化の状態であり、さらに硬化させることができる。硬化条件は、適宜、設定することができ、例えば、１５０〜２５０℃で、１０〜１２０分程度とすることができる。

この硬化物は、高周波領域で低誘電率・低誘電正接を有しており、例えば、温度２５℃、周波数５ＧＨｚの条件で、誘電率４以下、誘電正接０．０２５以下のレベルとすることができる。さらに、例えば、成分（Ａ）及び（Ｂ）の配合割合等の制御を通じて、誘電率２．６以下、誘電正接０．００５以下のレベルを達成することもできる。

また、この硬化物は、低弾性率であり、応力緩和にも寄与することができ、加工上、ハンドリングがしやすい。例えば、動的粘弾性測定による弾性率として、温度２５℃で、３．５ＧＰａ以下にすることができる。さらに、例えば、成分（Ａ）及び（Ｂ）の配合割合等の制御を通じて、１．５ＧＰａ以下のレベルを達成することもできる。

次に、図２に基づいて、上記ダイボンディング用熱硬化性フィルム１の使用方法について説明するが、本願発明の実施の形態は以下に限定されない。

まず、ダイボンディング用熱硬化性フィルム１を、パターン形成されたシリコン等の半導体ウェハー３へ貼り付ける（図２（Ａ））。貼り付けは、半導体ウェハー３にダイボンディング用熱硬化性フィルム１を密着させて行うが、ロール、又はプレス等により熱圧着することにより行ってもよい。

次に、ダイボンディング用熱硬化性フィルム１に半導体ウェハー３を貼り付けた面と反対の面に、ダイシングテープ２を貼り付ける（図２（Ｂ））。この貼り付けは、図２（Ａ）の貼り付けと同様に行うことができる。

上記貼り付け後、半導体ウェハー３とダイボンディング用熱硬化性フィルム１と、を所望の形状にダイシングする（図２（Ｃ））。このとき、ダイシングテープ２の一部又は全部をダイシングしてもよい。このダイシング工程は、通常の半導体装置の製造工程で使用する工程と同様であってよい。

ダイシングテープ２にＵＶ硬化型を用いる場合には、ダイシングテープ２を介して紫外線を照射することができる（図２（Ｄ））。この工程により、次のダイボンディング工程での半導体チップ４及びダイボンディング用熱硬化性フィルム１のピックアップの作業性を向上させることが可能である。なお、ダイシングテープ２が、加熱剥離型、感圧（弱粘着）型等の場合には、この工程は省略することができる。

次に、ダイボンディング工程に移る。この工程では、まず、ダイシングした半導体チップ４及びダイボンディング用熱硬化性フィルム片１０を、マウンターのヘッド５で吸着等して、ダイシングテープ２からピックアップする（図２（Ｅ））。

上記ピックアップした半導体チップ４及びダイボンディング用熱硬化性フィルム片１０を、基板６にマウントする（図２（Ｆ））。このとき、温度１２０〜１５０℃、荷重２００〜１０００ｇ、２〜２０秒でダイボンディングすることが好ましい。なお、基板６の替わりにリードフレーム等にマウントすることもできるし、基板６及びリードフレーム等とともにマウントすることも可能である。

次に、ダイボンディング用熱硬化性フィルム片１０を加熱により硬化させる（図２（Ｇ））。

上記工程の後、必要に応じて、ワイヤーボンディングなどの配線を行った後、市販の封止用樹脂等を用い、チップを封止し、半導体装置を製造することができる。なお、上記工程は、必要でなければ、一部を省略することも可能である。

以下、実施例により、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。表示は、断りのない限り、重量部である。

表１に示す配合で、トルエンを溶剤としてワニスを調製した（固形分約３０重量％）。得られたワニスを、厚さ３８μｍ、幅３２０ｍｍのポリエチレンテレフタレート製フィルム上に、厚み２５±１μｍ、幅３００ｍｍとなるようマイクログラビアコーターで塗布し、７０℃、１０分間の後、１２０℃、５分間の条件で乾燥させて、ダイボンディング用熱硬化性フィルム（以下、フィルムと記す）を得た。

（相溶性観察）
上記調製時のワニスの外観とフィルム形成後の外観を目視で観察し、相溶性を判断した。その結果を表１に示す。ワニス及びフィルムのいずれにも白濁が観察されない場合に、相溶性○、ワニス又はフィルムの少なくとも一方に白濁が観察された場合には×とした。実施例１〜３は、良好な相溶性を示した。

（フィルムのクラック観察）
上記乾燥後のフィルムを外径８６ｍｍ、幅３５０ｍｍの紙管に巻き取った。乾燥後及び巻き取り後のフィルムをクラック発生の有無を目視で観察した。その結果を表１に示す。乾燥後、巻き取り後ともにクラックが発生しなかったものを○とした。実施例１〜３は、フィルムにクラックが発生しないことを示した。

（硬化発生ボイドの観察）
次に、幅１０ｍｍ、長さ１０ｍｍの上記フィルムを幅５ｍｍ、長さ５ｍｍ、厚さ１ｍｍのガラス板で挟み、温度１２０℃、荷重５００ｇで１０秒間熱圧着し、試験片を作製した。上記試験片を、１２０℃、１５０℃、１８０℃、２００℃、２５０℃の各温度で１２０分間加熱し、フィルム硬化中、又は硬化後の高温保持で、ボイドが発生するか否かの評価を行った。上記加熱後に顕微鏡を用い、４０倍の倍率でボイドの有無を確認した。その結果を表１に示す。ボイドの発生が確認されないときを○、ボイドの発生が確認されたときを×とした。実施例１〜３は、フィルム内部及びフィルムとガラス板との界面にボイドが発生しなかったことを示す。

（基板等への埋込み性評価）
幅５ｍｍ、長さ５ｍｍの上記フィルムを貼り付けた幅５ｍｍ、長さ５ｍｍ、厚さ１ｍｍのガラスチップを、パターン上へレジストが形成された５〜３０μmの凹凸のあるＦＲ−４基板上へ、温度１８０℃、荷重５００ｇで１０秒間マウントし、試験片を作製した。試験片のガラスチップを顕微鏡により４０倍の倍率で空隙の有無を確認した。その結果を表１に示す。ガラスチップとＦＲ−４基板との間の空隙率が２％未満のときを○、空隙率が２％以上のときを×とした。実施例１〜３は、基板への埋め込み性が良好で、フィルムと基板との界面に空隙の発生が観察されなかったことを示す。

（ＵＶ硬化型ダイシングテープを用いたときのピックアップ性試験）
幅１０ｍｍ、長さ１０ｍｍの上記フィルムと幅１０ｍｍ、長さ１０ｍｍ、厚さ０．７５ｍｍのシリコンチップとを室温で貼り付けた。上記フィルムのシリコンチップを貼り付けた面と反対の面をリンテック社製ＵＶ硬化型ダイシングテープと接着させ、試験片を作製した。上記試験片のダイシングテープ面にＵＶ光を照射した。上記ＵＶ光は、メタルハライドランプで、放射照度が２００ｍＷ/cm²、積算光量が１８００ｍＪ/ｃｍ²となるように照射した。その後、シリコンチップのほぼ中央部に、直径が約５ｍｍの治具を取り付けた。上記ダイシングテープを固定し、卓上型オートグラフ（アイコーエンジニアリング社製、型番１６０５HTP）に取り付けた治具で引張り、室温（２５℃）で引張り強度を測定した。その結果を表１に示す。ピックアップ時にシリコンチップ内、及びフィルム内での破壊が発生しないよう、シリコンチップ、及びフィルムの材料強度を考慮し、引張り強度が１Ｎ／（１０ｍｍ×１０ｍｍ）未満のときを○、１Ｎ／（１０ｍｍ×１０ｍｍ）以上のときを×とした。実施例１〜３は○であった。実施例１〜３は試験片作成の段階（硬化前）では、優れたテープとの接着性を示した。

次に、硬化後のフィルムの特性試験を行った。特に、記載がないときの硬化条件は、温度１８０℃で、１２０分間である。

（チップ及び基板との接着性試験）
幅２ｍｍ、長さ２ｍｍの上記フィルムを貼り付けた幅２ｍｍ、長さ２ｍｍ、厚さ０．７５ｍｍのシリコンチップをガラスエポキシ製基板上に、フィルム面を下にして、温度１８０℃、荷重５００ｇでダイボンディングした。ダイボンディング後、温度１８０℃で１２０分硬化させ、試験片を作製した。ワイヤーボンディング時の作業温度を考慮し、温度１８０℃で、上記試験片を、ボンドテスター（アークテック社製、型番：万能型ボンドテスターシリーズ４０００）を用い、剪断速度０．１ｍｍ／秒で、剪断強度を測定した。その結果を表１に示す。剪断強度が１０Ｎ／（２ｍｍ×２ｍｍ）以上のときを○、１０Ｎ／（２ｍｍ×２ｍｍ）未満のときを×とした。実施例１〜３は、○であった。

（ガラス転移温度と弾性率の測定）
ガラス転移温度（Ｔｇ）と、２５℃での貯蔵弾性率と、を動的粘弾性測定（ＤＭＡ）により、周波数１０Ｈｚ（引張りモード）で測定した。結果を表２に示す。

（高温での弾性率測定）
フィルムを幅１０ｍｍ、長さ４０ｍｍに切断後、硬化させ、試験片とした。この試料をセイコーインスツルメンツ社製（型番EXSTAR6000 DMS）を用い、ＤＭＡ法（動的粘弾性測定）で、つかみ幅１５ｍｍ、昇温速度３℃／分、周波数１０Ｈｚ、引張りモードで、２２０℃の貯蔵弾性率を測定した。その結果を表１に示す。ワイヤーボンディング時の変形が大きくならないよう、弾性率が１０ＭＰａ以上のときを○、１０ＭＰａ未満のときを×とした。実施例１〜３は、○であった。

（誘電率と誘電正接の測定）
次に、硬化させた後のフィルムを４０ｍｍ×１００ｍｍに切り取り、直径約２ｍｍの筒状にして、誘電率（ε）、誘電正接（ｔａｎδ）を、空洞共振器を用いて、温度２５℃、周波数５ＧＨｚで測定した。結果を表２に示す。

比較例として、表１に示す配合で、トルエンを溶剤として樹脂組成物のワニスを調製した（固形分約３０重量％）。他は、実施例１〜５と同様に試験を行った。比較例１では空隙率が×、比較例２、３では剪断強度と弾性率が×評価であった。

本発明のダイボンディング用熱硬化性フィルムとダイシングテープとの積層フィルムの模式図である。本発明のダイボンディングフィルムの使用方法の一例である。

符号の説明

１ダイボンディング用熱硬化性フィルム
２ダイシングテープ
３半導体ウェハー
４半導体チップ
５マウンターのヘッド
６基板
７配線
８レジスト
１０ダイボンディング用熱硬化性フィルム片

Claims

（Ａ）以下の一般式（１）で示されるビニル化合物と、

（式中、
Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｒ_６、Ｒ_７は同一又は異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ハロゲン化アルキル基又はフェニル基であり、
−（Ｏ−Ｘ−Ｏ）−は構造式（２）で示され、ここで、Ｒ_８、Ｒ_９、Ｒ_１０、Ｒ_１４、Ｒ_１５は、同一又は異なってもよく、ハロゲン原子又は炭素数６以下のアルキル基又はフェニル基であり、Ｒ_１１、Ｒ_１２、Ｒ_１３は、同一又は異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数６以下のアルキル基又はフェニル基であり、
−（Ｙ−Ｏ）−は構造式（３）で示される１種類の構造、又は構造式（３）で示される２種類以上の構造がランダムに配列したものであり、ここで、Ｒ_１６、Ｒ_１７は同一又は異なってもよく、ハロゲン原子又は炭素数６以下のアルキル基又はフェニル基であり、Ｒ_１８、Ｒ_１９は同一又は異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数６以下のアルキル基又はフェニル基であり、
Ｚは炭素数１以上の有機基であり、場合により酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子を含むこともあり、
ａ、ｂは少なくともいずれか一方が０でない、０〜３００の整数を示し、
ｃ、ｄは０又は１の整数を示す。）
（Ｂ）熱可塑性エラストマー及び／又はゴムと、
を含む、ダイボンディング用熱硬化性フィルム。
成分（Ｂ）が、スチレン系熱可塑性エラストマーである、請求項１記載のダイボンディング用熱硬化性フィルム。
成分（Ｂ）が、スチレンブロック−ブタジエンブロック−スチレンブロック共重合体、スチレンブロック−イソプレンブロック−スチレンブロック共重合体である、請求項２のダイボンディング用熱硬化性フィルム。
成分（Ｂ）が、スチレン系重合体ブロックとオレフィン重合体ブロックのブロック共重合体である、請求項２記載のダイボンディング用熱硬化性フィルム。
成分（Ｂ）が、ポリスチレンブロック−ポリ（エチレン／プロピレン）ブロック共重合体、ポリスチレンブロック-ポリ（エチレン/プロピレン）ブロック-ポリスチレンブロック共重合体、ポリスチレンブロック-ポリ（エチレン/ブチレン）ブロック-ポリスチレンブロック共重合体、又はポリスチレンブロック-ポリ（エチレン-エチレン/プロピレン）ブロック-ポリスチレンブロック共重合体である、請求項４記載のダイボンディング用熱硬化性フィルム。
成分（Ａ）と成分（Ｂ）の重量割合が、４０：６０〜６０：４０である、請求項１〜５のいずれか１項記載のダイボンディング用熱硬化性フィルム。
厚さが、５〜３０μｍである、請求項１〜６のいずれか１項記載のダイボンディング用熱硬化性フィルム。
１５０〜２００℃での温度の粘度が、１０〜１０⁵Ｐａ・ｓである、請求項１〜７のいずれか１項記載のダイボンディング用熱硬化性フィルム。
請求項１〜８のいずれか１項記載のダイボンディング用熱硬化性フィルムを用いて、半導体チップと基板又はリードフレームを接着してなる半導体装置。
請求項１〜８のいずれか１項記載のダイボンディング用熱硬化性フィルムが、ダイシングテープに積層されてなる、積層フィルム。
ダイボンディング用熱硬化性フィルムとダイシングテープとの接着強度が、２×１０^−６〜２×１０⁻⁴Ｐａである、請求項１０記載の積層フィルム。
ダイシングテープを介し、放射照度が１００〜２５０ｍＷ/ｃｍ²、積算光量が５０〜３０００ｍJ/ｃｍ²で紫外線を照射した後のダイボンディング用熱硬化性フィルムとダイシングテープとの接着強度が、２×１０^-6〜２×１０^-4Ｐａである、請求項１１記載の積層フィルム。
請求項１〜８のいずれか１項記載のダイボンディング用熱硬化性フィルムの一方の面にウェハーを接着し、ウェハーが接着された面と反対の面にダイシングテープを接着し、ウェハーとダイボンディング用熱硬化性フィルムとを少なくともダイシングし、場合により、ダイシングテープを介して紫外線を照射し、ダイシングしたウェハーとダイボンディング用熱硬化性フィルムをピックアップし、ダイボンディング用熱硬化性フィルム付きチップを基板へ熱圧着した後、ダイボンディング用熱硬化性フィルムを硬化させることを含む、半導体装置の製造方法。
請求項１０〜１２のいずれか１項記載の積層フィルムのダイボンディング用熱硬化性フィルムとウェハーを接着し、ウェハーとダイボンディング用熱硬化性フィルムとを少なくともダイシングし、場合により、ダイシングテープを介して紫外線を照射し、ダイシングしたウェハーとダイボンディング用熱硬化性フィルムをピックアップし、ダイボンディング用熱硬化性フィルム付きチップを基板へ熱圧着した後、ダイボンディング用熱硬化性フィルムを硬化させることを含む、半導体装置の製造方法。
請求項１３又は１４記載の製造方法で得られる、半導体装置。