JP2008266099A - Iii族窒化物半導体製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】III 族窒化物半導体製造装置は、圧力容器10の内部に反応容器11を有する構成である。反応容器11には、窒素を供給する供給管14、反応容器11からの排気のための排出管15が接続している。排出管15にはトラップ16を設けられている。トラップ16は、Na蒸気を冷却により凝縮させて除去するためのものである。ここで、排出管15はトラップ16に向かう下り傾斜を有している。そのため、Naを効率的に除去することができる。
【選択図】図1
Description
11:反応容器
12a、12b、12c:加熱装置
13:断熱容器
14、17、27:供給管
15、18:排出管
16:トラップ
14v、15v、17v、18v:バルブ
Claims (5)
- III 族金属とそのIII 族金属とは異なる金属とを融解した状態で保持する反応容器と、前記反応容器を加熱する加熱装置と、で構成されたIII 族窒化物半導体製造装置において、
前記反応容器内に少なくとも窒素を含む気体を供給するための供給管と当該反応容器からの排気のための排出管を有し、
前記排出管には前記III 族金属とは異なる金属を除去するトラップ器具を有し、
前記排出管は、前記トラップ器具側に向かう下り傾斜を有する、
ことを特徴とするIII 族窒化物半導体製造装置。 - 前記III 族窒化物半導体製造装置は、圧力容器を有し、
前記反応容器と前記加熱装置は前記圧力容器内に設置されていることを特徴とする請求項1に記載のIII 族窒化物半導体製造装置。 - 前記排出管は、前記圧力容器に窒素を含む気体を供給するための配管に接続されていることを特徴とする請求項2に記載のIII 族窒化物半導体製造装置。
- 前記トラップ器具は、前記圧力容器内に設けられていることを特徴とする請求項2または請求項3に記載のIII 族窒化物半導体製造装置。
- 前記III 族金属はガリウムであり、前記III 族金属とは異なる金属はナトリウムであることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体製造装置。
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