JP2008263111A - 固体撮像素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】余分な工数を増加させることなく、シェーディング特性を改善し、かつスミアを低減することにより、画面全体で良好な画質を得ることができるＣＣＤ固体撮像素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】受光部３と、ＣＣＤ転送チャネル１９と、ＣＣＤ転送チャネルに所定の電位を印加する電荷転送電極５と、電荷転送電極と酸化膜４を介して形成されたシャント電極６とを備えるＣＣＤ固体撮像素子において、撮像領域の中央部の画素で電荷転送電極の略中央にシャント電極を形成し、撮像領域の周辺部の画素で電荷転送電極の中央から端縁にずらしてシャント電極を形成する。
【選択図】図１

Description

本発明は固体撮像素子及びその製造方法に関する。詳しくは、受光部上に層内レンズを有する固体撮像素子及びその製造方法に係るものである。

現在、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）固体撮像素子では、ＣＣＤ固体撮像素子内にカラーフィルターを形成し、このカラーフィルターの上にマイクロレンズを形成した、いわゆるオンチップマイクロレンズ構造を採用することで、入射光をオンチップマイクロレンズで集光して受光部の感度の向上を図っている。

近年、ＣＣＤ固体撮像素子の画素の微細化に伴って、感度を向上させる必要が生じており、オンチップマイクロレンズによる集光だけでは充分ではなく、特に撮像領域の端縁付近の画素で感度が低下して画像が暗くなる、いわゆる感度シェーディング現象が顕著になってきている。

そこで、受光部の直上において積層構造の内部にもレンズを形成する、いわゆる層内レンズという技術が提案されており、この層内レンズは、例えば、電荷転送電極の段差を利用してリフロー処理によって形成された凹部上に高屈折率層を形成することにより構成されるものが挙げられる。

図４は層内レンズが形成された従来のＣＣＤ固体撮像素子を説明するための模式図であり、図４（ａ）は撮像領域の中央部の画素の模式的な断面図を示し、図４（ｂ）は撮像領域の周辺部、即ち、端縁付近の画素の模式的な断面図を示している。
図４で示すＣＣＤ固体撮像素子５０は、半導体基板５１の表面にフォトダイオードから成る受光部５２及びＣＣＤ転送チャネル５３が形成されており、半導体基板５１上には酸化膜５４を介して多結晶シリコンから成る電荷転送電極５５が形成されている。また、電荷転送電極５５上には酸化膜５４を介して層間絶縁膜５６が形成され、層間絶縁膜５６上には遮光膜５７が形成されている。この遮光膜５７には、受光部５２上に開口部５７ａが形成され、受光部５２に光が入射できるように構成されている。

また、遮光膜５７を覆って全面的に例えばＢＰＳＧ（ホウ素・リン・珪酸ガラス）から成るリフロー膜５８が成膜され、このリフロー膜５８の受光部５２上の部分に、リフロー処理により凹部５８ａが形成されている。このリフロー膜５８上には、例えばプラズマＣＶＤ法により成膜されたＳｉＮ膜から成る高屈折率層５９が形成されており、受光部５２上にリフロー膜５８の凹部５８ａをレンズ面とする層内レンズ６０が形成されている。なお、高屈折率層５９上には、パッシベーション膜６１、カラーフィルター層６２、平坦化膜６３及びオンチップマイクロレンズ６４が形成されている。

また、オンチップマイクロレンズ６４は、撮像領域の周辺部、即ち端縁付近の画素、例えば撮像領域の左端付近の画素では、図４（ａ）に示す様に画素の中心から右にずらして形成されている。これにより、斜めに入射する光を受光部５２に効率的に導くことができるのである。

そして、上記した様に、受光部５２上に高屈折率層５９による層内レンズ６０が形成されていることから、オンチップマイクロレンズ６４で集光した光を更に層内レンズ６０により集光し、効率的に受光部５２に入射させることができるのである。この様にして従来のＣＣＤ固体撮像素子では感度の向上を図っている。

しかし、近年では更に画素の微細化が進み、加えて内視鏡や携帯用パーソナルコンピュータ等において射出瞳距離の非常に短い対物レンズが使用されるようになり、この射出瞳距離の短小化に伴い、撮像領域の周辺部において、より傾斜して光が入射する様になってきている。

例えば、図４（ｂ）に示した撮像領域の端縁付近の画素における斜め入射光の光路を図５に示すが、オンチップマイクロレンズ６４内の比較的外側を通過する斜め入射光Ｌは、層内レンズ６０のレンズ面５８ａで屈折して、遮光膜５７の受光部５２上への張り出し部に当たってしまい、受光部５２には入射しないことがあり得る。なお、図５中の鎖線は、オンチップマイクロレンズ６４の中心付近に入射する光の光路を示している。

この様に、撮像領域の端縁付近の画素で感度が低下するので、感度シェーディングを生じ、得られる画像の端縁付近が影の様になってしまうのである。

このために、上述したオンチップマイクロレンズ６４の位置をずらし、かつ受光部５２上に層内レンズ６０を形成するという方法のみでは、感度シェーディング対策が不充分となってきている。

また、斜めに入射する光が多いと、遮光膜５７と半導体基板５１の表面との間に光が漏れ込み、ＣＣＤ転送チャネル５３に入り込む光が増えて、いわゆるスミアが増大することになる。

この様な問題に対して、シェーディング特性を改善し、かつスミアを低減することにより、画面全体で良好な画質を得るために、遮光膜上にダミーパターンを形成して受光部上に非対称の層内レンズを形成する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

図６は遮光膜上にダミーパターンを形成した受光部上に非対称の層内レンズを形成した従来のＣＣＤ固体撮像素子を説明するための模式図であり、図６（ａ）は撮像領域の中央部の画素の模式的な断面図を示し、図６（ｂ）は撮像領域の周辺部、即ち、端縁付近の画素の模式的な断面図を示している。
図６で示す様に、受光部５２の間の画素間の部分の遮光膜５７上に、電荷転送電極５５よりも幅が狭いパターンとされたダミーパターン７０が形成されている。ここで、撮像領域の中央部の画素では、電荷転送電極５５及び遮光膜５７の略中央にダミーパターン７０が形成され（図６（ａ）参照。）、撮像領域の周辺部の画素、例えば撮像領域の左端付近の画素では、電荷転送電極５５及び遮光膜５７の右側にずれてダミーパターンが形成されている。

上記の様にダミーパターン７０を形成することにより、ダミーパターン７０の上のリフロー膜５８の凹凸形状が撮像領域の中央部と周辺部とでずれて形成され、画面全体で良好な画質を得ることができるのである。
具体的には、例えば、図６（ｂ）に示した撮像領域の端縁付近の画素における斜め入射光の光路を図７に示すが、ダミーパターン７０を右側にずらして形成したことにより、層内レンズ６０の左側の曲面の傾斜が急になり、オンチップマイクロレンズ６４の比較的外側を通過する斜め入射光Ｌは、層内レンズ６０の左側の曲面で屈折する際に、遮光膜５７の受光部５２上の張り出し部には当たらずに受光部５２において有効に取り込まれることとなるのである。

特開２００１−１９６５６８号公報

しかしながら、遮光膜上にダミーパターンを形成することによって受光部上に非対称の層内レンズを形成するＣＣＤ固体撮像素子では、ダミーパターンを形成するために、余分な工数が必要となってしまい、工数の低減という観点からは必ずしも妥当な方法であるとは言い難い。

本発明は以上の点に鑑みて創案されたものであって、余分な工数を増加させることなく、シェーディング特性を改善し、かつスミアを低減することにより、画面全体で良好な画質を得ることができる固体撮像素子及びその製造方法を提供することを目的とするものである。

上記の目的を達成するために、本発明に係る固体撮像素子では、マトリクス状に配列された受光部と、該受光部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部と、該電荷転送部に所定の電位を印加する第１の電極と、該第１の電極上の一部に絶縁層を介して形成された第２の電極と、前記受光部、第１の電極及び第２の電極を被覆すると共に、前記受光部上に凹部が形成されたリフロー膜とを備える固体撮像素子において、撮像領域の周辺部における第１の電極に対する第２の電極の相対位置が、撮像領域の中央部における第１の電極に対する第２の電極の相対位置とは異なる。

ここで、撮像領域の周辺部における第１の電極に対する第２の電極の相対位置が、撮像領域の中央部における第１の電極に対する第２の電極の相対位置と異なることによって、固体撮像素子の周辺減光の影響を抑制することができ、撮像領域の中央部と周辺部との感度均一性を向上させることが可能となる。

また、上記の目的を達成するために、本発明に係る固体撮像素子の製造方法では、マトリクス状に配列された受光部と、該受光部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部とを有する半導体基板に、前記電荷転送部に所定の電位を印加する第１の電極を形成する工程と、該第１の電極上の一部に絶縁層を介して第２の電極を形成する工程と、前記受光部、第１の電極及び第２の電極を被覆するリフロー膜を形成し、該リフロー膜にリフロー処理を行なう工程とを備える固体撮像素子の製造方法において、前記第２の電極は、撮像領域の周辺部における前記第１の電極に対する相対位置と、撮像領域の中央部における前記第１の電極に対する相対位置とを異ならせて形成する。

ここで、第２の電極を、撮像領域の周辺部における第１の電極に対する相対位置と、撮像領域の中央部における第１の電極に対する相対位置とを異ならせて形成することによって、固体撮像素子の周辺減光の影響を抑制することができ、撮像領域の中央部と周辺部との感度均一性を向上させることが可能となる。

本発明の固体撮像素子及びその製造方法では、余分な工数を増加させることなく、シェーディング特性を改善し、かつスミアを低減することにより、画面全体で良好な画質を得ることができる。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明し、本発明の理解に供する。
図１は本発明を適用した固体撮像素子の一例であるＣＣＤ固体撮像素子を説明するための模式図であり、図１（ａ）は撮像領域の中央部の画素の模式的な断面図を示し、図１（ｂ）は撮像領域の周辺部、即ち、端縁付近の画素の模式的な断面図を示している。また、図２は図１に示すＣＣＤ固体撮像素子の模式的な平面図であり、図２（ａ）は撮像領域の中央部の画素の模式的な平面図を示し、図２（ｂ）は撮像領域の周辺部の画素の模式的な平面図を示している。なお、図１（ａ）は図２（ａ）中のＸ−Ｘ'で示す領域における模式的な断面図であり、図１（ｂ）は図２（ｂ）中のＸ−Ｘ'で示す領域における模式的な断面図である。

図１及び図２で示すＣＣＤ固体撮像素子１は、例えば、シリコンから成る半導体基板２の表面に、フォトダイオードから成る受光部３が配され、半導体基板２上に熱酸化により形成された酸化膜４を介して多結晶シリコンから成る電荷転送電極５が形成されている。この電荷転送電極５上には酸化膜４を介して多結晶シリコンから成るシャント電極６が形成されており、電荷転送電極５とシャント電極６とは、汎用のリソグラフィー技術及びエッチング技術によって酸化膜４に形成されたコンタクトホール７で電気的に接続されている。

なお、電荷転送電極５は第１の電極の一例であり、シャント電極６は第２の電極の一例である。そして、電荷転送電極５とシャント電極６とが並列配線構造を形成し、いわゆるシャント構造を形成するために、電荷転送電極の低抵抗化を図ることができるのである。

また、電荷転送電極５、シャント電極６及び受光部３上には、酸化膜４が形成され、これらの上に層間絶縁膜８（例えばＣＶＤ法（化学的気相成長法）による酸化膜）が形成されている。更に、層間絶縁膜８の上には、アルミニウム膜或いは高融点金属膜（例えば、タングステンＷ、モリブデンＭｏ、タンタルＴａ）から成る遮光膜９が形成されている。なお、遮光膜９には受光部３上に開口部１０が形成されて、受光部３に光が入射できる様に構成されている。

また、遮光膜９を覆って全面的に例えばＢＰＳＧ（ホウ素・リン・珪酸ガラス）から成るリフロー膜１１が形成され、このリフロー膜１１の受光部３上の部分に、リフロー処理により凹部１２が形成されている。更に、リフロー膜１１上に、例えばプラズマＣＶＤ法により成膜されたＳｉＮ膜から成る高屈折率層１３が形成されて、受光部３上にリフロー膜１１の凹部１２をレンズ面とする層内レンズ１４を形成している。

また、高屈折率層１３上にはパッシベーション膜１５が成膜されて、その上にカラーフィルター層１６が形成されている。更に、カラーフィルター層１６の上には平坦化膜１７を介してオンチップマイクロレンズ１８が形成されている。

また、半導体基板２内にはＣＣＤ転送チャネル１９が形成され、受光部３とＣＣＤ転送チャネル１９の間にはチャネルストップ領域（図示せず）が形成されている。なお、ＣＣＤ転送チャネルは電荷転送部の一例である。

オンチップマイクロレンズ１８は、撮像領域の周辺部の画素では、図１（ｂ）で示す様に、画素の中心からずらして形成されており、上述した従来のＣＣＤ固体撮像素子と同様に、斜めからの入射光を集光して受光部３に効率的に入射させることができる様に構成されている。また、受光部３上に高屈折率層１３による層内レンズ１４が形成されていることにより、オンチップマイクロレンズ１４で効率的に集光した光を更に層内レンズ１４で集光して、効率的に受光部３に入射させることができる様に構成されている点も上記の従来のＣＣＤ固体撮像素子と同様である。

さて、本発明を適用したＣＣＤ固体撮像素子では、電荷転送電極５上に酸化膜４を介して形成されたシャント電極６は、電荷転送電極５よりも幅が狭く形成されており、撮像領域の中央部の画素では、電荷転送電極５の略中央にシャント電極６が形成され（図１（ａ）、図２（ａ）参照。）、撮像領域の周辺部の画素、例えば撮像領域の左付近の画素では、電荷転送電極５の左側にずれてシャント電極６が形成されている（図１（ｂ）、図２（ｂ）参照。）。具体的には、撮像領域の中央部から端縁に向かうに従って、シャント電極６の形成位置を電荷転送電極５の中央から徐々にずらして構成されている。即ち、シャント電極６の電荷転送電極５の中央からのずれ量を、中央部から端縁に向かって順次増大する様に構成している。なお、図示は省略しているが、撮像領域の右付近の画素では、電荷転送電極５の右側にずれてシャント電極６が形成されている。

ここで、本実施例では、撮像領域の中央部の画素で電荷転送電極５の略中央にシャント電極６が形成され、撮像領域の周辺部の画素で電荷転送電極５の中央から端縁にずれてシャント電極６が形成される場合を例に挙げて説明を行なっているが、撮像領域の周辺部のシャント電極６を電荷転送電極５の中央からずらして形成することで、撮像領域の周辺部の層内レンズ１４がずれて形成され、結果として撮像領域の周辺減光を抑制することができ、撮像領域の中央部と周辺部の感度の均一性を図ることができれば充分である。そして、周辺減光を抑制するために、撮像領域の周辺部の層内レンズ１４を中央方向にずらすべきか、端縁方向にずらすべきかという点については、層内レンズ１４を構成する素材によっても異なってくると考えられる。従って、本実施例では撮像領域の周辺部では電荷転送電極５の中央から端縁にずれてシャント電極６が形成される場合を例に挙げて説明を行なったが、撮像領域の周辺部において電荷転送電極５の中央から中央側にずれてシャント電極６が形成されることによって撮像領域の周辺減光を低減することができる場合もあり得るために、撮像領域の周辺部のシャント電極のずらす方向は端縁側に限定されるものでは無い。

なお、「撮像領域の中央部の画素で電荷転送電極５の略中央にシャント電極６が形成され、撮像領域の周辺部の画素で電荷転送電極５の中央から端縁にずれてシャント電極６が形成されること」は、「撮像領域の周辺部における第１の電極に対する第２の電極の相対位置が、撮像領域の中央部における第１の電極に対する第２の電極の相対位置とは異なること」の一例であり、「撮像領域の中央部から端縁に向かうに従って、シャント電極６の形成位置を電荷転送電極５の中央から徐々にずらして構成すること」は「第１の電極に対する第２の電極の相対位置が、撮像領域の中央部から周辺部に向かって、順次撮像領域の中央部方向若しくは周辺部方向にずれていること」の一例である。

ここで、撮像領域の中央部の画素では、電荷転送電極５の略中央にシャント電極６が形成され、撮像領域の周辺部の画素では、画素転送電極５の中央から端縁にずれてシャント電極６が形成されているのは、撮像領域の周辺部の斜め入射光を有効に受光部に集光することで撮像領域の中央部と周辺部との感度均一性を向上させるためであり、撮像領域の中央部の画素で電荷転送電極５の略中央にシャント電極６が形成され、撮像領域の周辺部の画素で電荷転送電極５の中央から端縁にずれてシャント電極６が形成されることで、撮像領域の中央部と周辺部との感度均一性が向上するのであれば、必ずしもシャント電極６の形成位置を電荷転送電極５の中央から徐々にずらして構成する必要は無いが、撮像領域の中央部と周辺部との光の入射角の違いによって生じるシェーディングが順次変化し、即ちなだらかに変化し、撮像領域の中央部から周辺部に行くに従い順次周辺減光が生じるために、シャント電極６の形成位置を電荷転送電極５の中央から徐々にずらして構成して方が好ましい。

また、撮像領域の中央部から周辺部に行くに従って、シャント電極６の形成位置を電荷転送電極５の中央部から周辺部に行くに従ってずらしていく場合に、数個ずつあるいは数十個ずつ同じずれのシャント電極６を形成し、撮像領域の中央部から周辺部に行くに従い段階的にシャント電極６のずれ量が大きくなる様に形成するという方式を採用すると実際の設計上は好ましいものとなる。なお、「撮像領域の中央部から周辺部に行くに従い段階的にシャント電極６のずれ量が大きくなる様に形成すること」は、「第１の電極に対する第２の電極の相対位置が、撮像領域の中央部から周辺部に向かって、段階的に撮像領域の中央部方向若しくは周辺部方向にずれていること」の一例である。

以下、上記の様に構成されたＣＣＤ固体撮像素子の製造方法について説明を行なう。即ち、本発明を適用した固体撮像素子の製造方法の一例について説明を行なう。
図１及び図２に示すＣＣＤ固体撮像素子の製造方法では、先ず、汎用的な手法を用いて受光部３、ＣＣＤ転送チャネル１９、チャネルストップ領域（図示せず）等が形成されている半導体基板２上に熱酸化により酸化膜４を形成し、続いて、多結晶シリコンから成る電荷転送電極５を形成する。また、電荷転送電極５の上に酸化膜４を形成する（図３（ａ）参照。）。

次に、酸化膜４に電荷転送電極５と後述するシャント電極６とを電気的に接続するためのコンタクトホール７を形成した後に、シャント電極６を形成するための多結晶シリコン層を撮像領域全体に形成する。続いて、撮像領域の中央部から端縁に向かうに従って、シャント電極６の形成位置が電荷転送電極５の中央から徐々にずれる位置となる様に、シャント電極６の形成位置のみに多結晶シリコンが残存する様に多結晶シリコン層をエッチング除去してシャント電極６を形成する。次に、熱酸化法によって酸化膜４を成膜すると共に、ＣＶＤ法によって層間絶縁膜８として機能する酸化膜を成膜する（図３（ｂ）参照。）。

更に、層間絶縁膜８の上に、受光部３上に開口部１０が形成されたアルミニウム膜或いは高融点金属膜から成る遮光膜９を形成し（図３（ｃ）参照。）、続いて、層内レンズ１４の形状を決定するリフロー膜１１としてＢＰＳＧを形成し、熱処理であるリフロー処理を施すことで受光部３上にレンズ面となる凹部１２を形成する（図３（ｄ）参照。）。

また、リフロー膜１１の上に、層内レンズ１４の材料となる高屈折率層１３として例えばプラズマＳｉＮ膜を形成した後、レジストのエッチングバックにより平坦化を行なう。更に、パッシベーション膜１５としてプラズマＳｉＮ膜を形成し、その上にカラーフィルター層１６、平坦化層１７、オンチップマイクロレンズ１８を順次形成する。なお、オンチップマイクロレンズ１８は、撮像領域内の画素の位置により、周辺部に行くに従って画素中心からオンチップマイクロレンズ１８をずらして形成する。この様にして図１及び図２に示したＣＣＤ固体撮像素子を得ることができる。

本発明を適用したＣＣＤ固体撮像素子及びその製造方法では、撮像領域の中央部から端縁に向かうに従って、シャント電極６の形成位置を電荷転送電極５の中央から徐々にずらして構成しているために、撮像領域の中央部から端縁に向かうに従って、層内レンズ１４が徐々に受光部３の中心から端縁にずれて形成されることとなり、斜め入射光を層内レンズ１４で集光させて効率的に受光部３に導くことができる。

また、シャント電極６の形成位置を電荷転送電極５の中央から徐々にずらすことによって、撮像領域の中央部から端縁に向かうに従って、層内レンズ１４を徐々に受光部３の中心から端縁にずらして形成しており、特段の工程を追加することなく、斜め入射光を層内レンズ１４で集光させて効率的に受光部３に導くことを実現できる。

また、撮像領域の中央部から周辺部に向かうに従い、シャント電極６のずれ量を大きくしているために、各画素の入射光の状態に応じて効果的に受光部３に入射光を導くことが出来、ＣＣＤ固体撮像素子のセルサイズの微小化に伴う感度シェーディングを抑制することが期待できると共に、斜め入射光が効率的に受光部３に導かれることにより、遮光膜９を半導体基板２との間に漏れ込む光量を低減することができ、スミアの悪化をも抑制することができる。

従って、本発明を適用したＣＣＤ固体撮像素子及びその製造方法では、特段の工数の追加を行なうことなく、感度シェーディング及びスミアの悪化を抑制して、画質の改善を図ることができる。

本発明を適用した固体撮像素子の一例であるＣＣＤ固体撮像素子を説明するための模式図である。 図１に示すＣＣＤ固体撮像素子の模式的な平面図である。 本発明を適用した固体撮像素子の製造方法の一例を説明するための模式図である。 層内レンズが形成された従来のＣＣＤ固体撮像素子を説明するための模式図である。 図４（ｂ）に示した撮像領域の端縁付近の画素における斜め入射光の光路を説明するための図である。 遮光膜上にダミーパターンを形成した受光部上に非対称の層内レンズを形成した従来のＣＣＤ固体撮像素子を説明するための模式図である。 図６（ｂ）に示した撮像領域の端縁付近の画素における斜め入射光の光路を説明するための図である。

符号の説明

１ ＣＣＤ固体撮像素子
２ 半導体基板
３ 受光部
４ 酸化膜
５ 電荷転送電極
６ シャント電極
７ コンタクトホール
８ 層間絶縁膜
９ 遮光膜
１０ 開口部
１１ リフロー膜
１２ 凹部
１３ 高屈折率層
１４ 層内レンズ
１５ パッシベーション膜
１６ カラーフィルター層
１７ 平坦化膜
１８ オンチップマイクロレンズ
１９ ＣＣＤ転送チャネル

Claims (6)

1. マトリクス状に配列された受光部と、
   該受光部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部と、
   該電荷転送部に所定の電位を印加する第１の電極と、
   該第１の電極上の一部に絶縁層を介して形成された第２の電極と、
   前記受光部、第１の電極及び第２の電極を被覆すると共に、前記受光部上に凹部が形成されたリフロー膜とを備える固体撮像素子において、
   撮像領域の周辺部における第１の電極に対する第２の電極の相対位置が、撮像領域の中央部における第１の電極に対する第２の電極の相対位置とは異なる
   ことを特徴とする固体撮像素子。
2. 前記第１の電極に対する前記第２の電極の相対位置が、撮像領域の中央部から周辺部に向かって、順次撮像領域の中央部方向若しくは周辺部方向にずれている
   ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
3. 前記第１の電極に対する前記第２の電極の相対位置が、撮像領域の中央部から周辺部に向かって、段階的に撮像領域の中央部方向若しくは周辺部方向にずれている
   ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
4. マトリクス状に配列された受光部と、該受光部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部とを有する半導体基板に、前記電荷転送部に所定の電位を印加する第１の電極を形成する工程と、
   該第１の電極上の一部に絶縁層を介して第２の電極を形成する工程と、
   前記受光部、第１の電極及び第２の電極を被覆するリフロー膜を形成し、該リフロー膜にリフロー処理を行なう工程とを備える固体撮像素子の製造方法において、
   前記第２の電極は、撮像領域の周辺部における前記第１の電極に対する相対位置と、撮像領域の中央部における前記第１の電極に対する相対位置とを異ならせて形成する
   ことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
5. 前記第２の電極は、前記第１の電極に対する相対位置が撮像領域の中央部から周辺部に向かって、順次撮像領域の中央部方向若しくは周辺部方向にずらして形成する
   ことを特徴とする請求項４に記載の固体撮像素子の製造方法。
6. 前記第２の電極は、前記第１の電極に対する相対位置が撮像領域の中央部から周辺部に向かって、段階的に撮像領域の中央部方向若しくは周辺部方向にずらして形成する
   ことを特徴とする請求項４に記載の固体撮像素子の製造方法。

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