JP2008263041A - 半導体装置の製造方法、半導体装置、固体撮像素子、mosトランジスタおよび電子情報機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電荷転送電極となる導電性材料膜上に第1絶縁膜を形成し、電荷転送部5およびフォトダイオード部4となる各領域を同時に開口した第1マスク層を形成する。この第1マスク層をマスクとして選択的にイオン注入を行って、電荷転送部5とフォトダイオード部4とを形成する。さらに、第1マスク層の側壁に第2絶縁膜からなる第2マスク層を形成し、この第1マスク層および第2マスク層をマスクとして導電性材料膜をエッチングして、電荷転送電極8を形成する。これによって、フォトダイオード部4と電荷転送電極8との位置関係だけではなく、垂直電荷転送部5と、電荷転送電極4またはフォトダイオード部との位置関係を正確に形成できる。
【選択図】図2
Description
(実施形態1)
図1は、本発明の実施形態1に係る固体撮像素子の要部構成例を模式的に示す平面図であり、図2は、図1のA−A’線縦断面図である。
(実施形態2)
本実施形態2の固体撮像素子20Aの製造方法について、図3〜図6および図10〜図12を用いて詳細に説明する。
(実施形態3)
上記実施形態1では、図2において、フォトダイオード部4の端面bとゲート電極8の端面cとのオーバーラップ部分の距離が隣接ゲート電極8で左右対称の場合について説明し、上記実施形態2では、ゲート電極8を自己整合的にイオン注入しているのでフォトダイオード部4の端面bとゲート電極8の端面cとは同じ位置に形成されていることから、フォトダイオード部4の端面bとゲート電極8の端面cとの位置関係が隣接ゲート電極8で左右対称の場合について説明したが、本実施形態3では、フォトダイオード部4の両端部分のオーバーラップ距離が隣接ゲート電極8で意図的に左右対称にしていない場合である。
(a1−b1)の絶対値<(a2−b2)の絶対値
さらに説明すると、本実施形態3のCCD型の固体撮像素子20Bは、撮像領域に2次元状に複数の受光部が設けられ、各受光部を構成するフォトダイオード部4で光電変換された信号電荷が電荷転送部5に読み出されて順次電荷転送される。この場合に、フォトダイオード部4と電荷転送部5とは、半導体基板上または半導体領域2上にイオン注入により形成され、電荷転送部5上にゲート絶縁膜7を介して電荷転送電極であるゲート電極8が設けられている。電荷転送部5とゲート電極8の各端面位置a、cはそれぞれ、フォトダイオード部4の端面位置bを基準として製造時の同一マスクを用いることによってそれぞれ距離が一定値に規定されている。このゲート電極8は、その一部がフォトダイオード部4上に平面視でオーバーラップされている。隣接するフォトダイオード部4間の領域上にゲート電極8が設けられ、ゲート電極8の一部のフォトダイオード部4へのオーバーラップ量が、電荷転送部5への読み出し側(a1〜c1)よりも素子分離側(a2〜c2)で距離として長くなるように、隣接するフォトダイオード部4の左右で異なっている。なお、このオーバーラップ量の左右での異なり度合いは、第1マスク層11の形成時に距離関係を調整して形成することができる。
(実施形態4)
上記実施形態1〜3では、本発明の固体撮像素子およびその製造方法をCCD型固体撮像素子20、20Aおよび20Bおよびその製造方法に適用した場合について説明したが、本実施形態4では、本発明の固体撮像素子およびその製造方法をCMOS型の固体撮像装置20Cおよびその製造方法に適用した場合について説明する。
(実施形態5)
上記実施形態1〜4では、特に説明しなかったが、上記実施形態1〜4の固体撮像装置20,20A、20Bおよび20Cの少なくともいずれかを撮像部に用いた例えばデジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、監視カメラ、ドアホンカメラ、車載カメラ、テレビジョン電話用カメラおよび携帯電話用カメラなどの画像入力カメラ、スキャナ、ファクシミリ、カメラ付き携帯電話装置などの画像入力デバイスを有した電子情報機器について説明する。
2 p型ウェル領域
3、32 チャンネルストップ部
4 n型(n+)不純物領域(フォトダイオード部)
5 垂直電荷転送チャンネル領域
6 電荷読み出し部
7 ゲート絶縁膜
8、31 ゲート電極(電荷転送電極)
8a 導電性材料膜
9 絶縁膜
10 遮光膜
11a 第1絶縁膜
11 第1マスク
12、13、15 レジストパターン
14 第2マスク
20、20A,20B、20C 固体撮像素子
Claims (22)
- 半導体基板上または基板上に形成された半導体領域上に、ゲート絶縁膜を介して導電性材料膜を成膜し、該導電性材料膜上に第1絶縁膜を成膜する導電性材料膜・第1絶縁膜成膜工程と、
第1不純物注入領域と第2不純物注入領域となる各領域に対応した該第1絶縁膜の領域を同時に開口してパターン形成することにより第1マスク層を形成する第1マスク層形成工程と、
該第1マスク層をマスクとして選択的にイオン注入することにより該第1導電型半導体基板または該第1導電型半導体領域に該第1不純物注入領域と該第2不純物注入領域を形成する第1および第2不純物注入領域形成工程と、
該第1不純物注入領域に対応した第1マスク層の開口部が第2絶縁膜で覆われ、該第2不純物注入領域に対応した第1マスク層の開口部の側壁が該第2絶縁膜で覆われた第2マスク層を形成する第2マスク層形成工程と、
該第1マスク層および該第2マスク層を用いて該導電性材料膜をエッチングすることにより信号転送電極を形成する信号転送電極形成工程とを有する半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上または基板上に形成された半導体領域上に、ゲート絶縁膜を介して導電性材料膜を成膜し、該導電性材料膜上に第1絶縁膜を成膜する導電性材料膜・第1絶縁膜成膜工程と、
第1不純物注入領域と第2不純物注入領域となる各領域に対応した該第1絶縁膜の領域を同時に開口してパターン形成することにより第1マスク層を形成する第1マスク層形成工程と、
該第2不純物注入領域となる領域に対応した該第1マスク層の開口部を覆う被覆膜および該第1マスク層を用いてイオン注入することにより該第1導電型半導体基板または該第1導電型半導体領域に該第1不純物注入領域を形成する第1不純物注入領域形成工程と、
当該被覆膜を取り除いた後に、該第1不純物注入領域となる領域に対応した該第1マスク層の開口部を覆う被覆膜および該第1マスク層を用いて該導電性材料膜をエッチングすることにより電荷転送電極を形成する電荷転送電極形成工程と、
当該被覆膜および該第1マスク層を用いてイオン注入することにより該第1導電型半導体基板または該第1導電型半導体領域に該第2不純物注入領域を形成する第2不純物注入領域形成工程とを有する半導体装置の製造方法。 - 前記第1マスク層形成工程は、前記第1絶縁膜上に前記第1不純物注入領域と前記第2不純物注入領域となる各領域に対応した領域をそれぞれ開口させたレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして該第1絶縁膜をエッチングすることにより該第1マスク層を形成する請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1および第2不純物注入領域形成工程は、前記第1不純物注入領域となる領域に対応した前記第1マスク層の開口部を被覆する第1レジストパターンを形成して、該第1レジストパターンおよび前記第1マスク層を用いてイオン注入を行うことにより第2不純物注入領域を形成する第2不純物注入領域形成工程と、該第1レジストパターンを除去した後に、該第2不純物注入領域となる領域に対応した該第1マスク層の開口部を被覆する第2レジストパターンを形成して、該第2レジストパターンおよび該第1マスク層を用いてイオン注入を行うことにより該第1不純物注入領域を形成する第1不純物注入領域形成工程とを有する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2マスク層形成工程は、前記第1マスク層が形成された基板部上に前記第2絶縁膜を成膜し、前記第2不純物注入領域に対応した開口部を有するレジストパターンを用いて該第2絶縁膜をエッチングバックすることにより該第1マスク層の開口部の側壁に該第2マスク層を残す請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1絶縁膜および前記第2絶縁膜は、窒化シリコン膜である請求項1または5に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記導電性材料膜はポリシリコン膜またはアモルファスシリコンである請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1不純物注入領域は、電荷信号を転送するための電荷転送部であり、前記第2不純物注入領域は、被写体光を受光して光電変換するフォトダイオード部であり、前記信号転送電極は、該フォトダイオード部から該電荷転送部に電荷信号を読み出すための信号読み出し電極であって、CCD型イメージセンサを構成している請求項1〜7のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記導電性材料膜・第1絶縁膜成膜工程の前に、前記半導体基板または前記基板上に形成された半導体領域に、選択的にイオン注入を行うことにより、素子分離用のチャンネルストップ部と、前記フォトダイオード部で発生した信号電荷を前記電荷転送部に読み出すための電荷読み出し部とを形成する工程をさらに有する請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記信号転送電極の下方に前記チャンネルストップ部、前記電荷転送部および前記電荷読み出し部が位置しており、該信号転送電極間の前記半導体基板または前記半導体領域に前記フォトダイオード部が位置している請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1不純物注入領域は、転送された信号電荷を信号電圧に変換する信号電圧変換部であり、前記第2不純物注入領域は、被写体光を受光して光電変換するフォトダイオード部であり、前記信号転送電極は、該フォトダイオード部から該信号電圧変換部に電荷信号を読み出すための信号読み出し電極であって、CMOS型イメージセンサを構成している請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1不純物注入領域はドレイン領域であり、前記第2不純物注入領域はソース領域であり、前記信号転送電極はゲート電極であって、MOSトランジスタを構成している請求項1〜7のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 撮像領域に2次元状に複数の受光部が設けられ、各受光部を構成するフォトダイオード部で光電変換された信号電荷が電荷転送部に読み出されて順次電荷転送されるCCD型の固体撮像素子において、
該フォトダイオード部と該電荷転送部とは、半導体基板上または基板上に形成された半導体領域上にイオン注入により形成され、該電荷転送部上にゲート絶縁膜を介して電荷転送電極が設けられ、
該電荷転送部と該電荷転送電極の各端面位置はそれぞれ、該フォトダイオード部の端面位置を基準として製造時の同一マスクを用いることによってそれぞれ距離が規定されている固体撮像素子。 - 前記電荷転送電極は、その一部が前記フォトダイオード部に平面視でオーバーラップされている請求項13に記載の固体撮像素子。
- 隣接する前記フォトダイオード部間の領域上に前記電荷転送電極が設けられ、該電荷転送電極の一部の該フォトダイオード部へのオーバーラップ量が、該電荷転送部への読み出し側よりも素子分離側で距離として長くなるように、該隣接するフォトダイオード部で異なっている請求項13または14に記載の固体撮像素子。
- 撮像領域に2次元状に複数の受光部が設けられ、各受光部を構成するフォトダイオード部で光電変換された信号電荷が信号電圧変換部に読み出され、該信号電圧変換部で変換された信号電圧に応じて増幅された信号が出力信号として読み出されるCMOS型の固体撮像素子において、
該フォトダイオード部と該信号電圧変換部とは、半導体基板上または基板上に形成された半導体領域上にイオン注入により形成され、該フォトダイオード部と該信号電圧変換部間の領域上にゲート絶縁膜を介して、該フォトダイオード部から該信号電圧変換部に信号電荷を読み出すための電荷転送電極が設けられ、
該フォトダイオード部から最も近い該信号電圧変換部と該電荷転送電極の各端面位置はそれぞれ、該フォトダイオード部の端面位置を基準として製造時の同一マスクを用いることによってそれぞれ規定されている固体撮像素子。 - 前記電荷転送電極は、その一部が前記フォトダイオード部に平面視でオーバーラップされている請求項16に記載の固体撮像素子。
- ソース領域とドレイン領域間の領域上にゲート絶縁膜を介して、該ソース領域と該ドレイン領域間で信号を転送するためのゲート電極が設けられているMOSトランジスタにおいて、
該ソース領域と該ドレイン領域とは、半導体基板上または基板上に形成された半導体領域上にイオン注入により形成され、
該ソース領域と該ドレイン領域のいずれか一方の端面から最も近い他方の端面と該ゲート電極の端面の位置はそれぞれ、該ソース領域と該ドレイン領域のいずれか一方の端面位置を基準として製造時の同一マスクによってそれぞれ規定されているMOSトランジスタ。 - 前記ゲート電極は、その一部が前記ソース領域と該ドレイン領域の少なくともいずれか一方に平面視でオーバーラップされている請求項18に記載のMOSトランジスタ。
- 信号転送電極へのゲート電圧の印加によって第2不純物注入領域と第1不純物注入領域間で信号または信号電荷を読み出し可能とする半導体装置において、
該第1不純物注入領域と該第2不純物注入領域とは、半導体基板上または基板上に形成された半導体領域上にイオン注入により形成され、
該第1不純物注入領域と該第2不純物注入領域のいずれか一方の端面から最も近い他方の端面と該信号転送電極の端面の位置はそれぞれ、該第1不純物注入領域と該第2不純物注入領域のいずれか一方の端面位置を基準として製造時の同一マスクを用いることによってそれぞれ規定されている半導体装置。 - 前記信号転送電極は、その一部が前記第1不純物注入領域と前記第2不純物注入領域のの少なくともいずれか一方に平面視でオーバーラップされている請求項20に記載の半導体装置。
- 請求項13〜17のいずれかに記載の固体撮像素子または/および請求項18または19に記載のMOSトランジスタを撮像部または/および回路部に用いた電子情報機器。
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