JP2008262877A - Manufacturing method of back plate for plasma display panel - Google Patents

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Yoichi Mori
陽一 森
Takuya Hamaguchi
卓也 浜口
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Dai Nippon Printing Co Ltd
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Dai Nippon Printing Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a back plate for a PDP capable of obtaining a back plate for a PDP with stepped ribs by a simple method. <P>SOLUTION: The manufacturing method of the back plate for a PDP comprises a blast mask forming process forming a sand blast mask composed of a mask pattern for longitudinal ribs formed in the same pattern shapes as longitudinal ribs in an area in which longitudinal ribs on a rib material layer are formed, a lateral rib pattern in an area in which lateral ribs on the rib material layer are formed, and a mask pattern for lateral ribs formed in shapes of different non-continuous patterns by forming, exposing and developing a resist layer on the rib material layer of a member for back plate formation having formed a substrate, address electrodes formed on the substrate, a dielectric layer formed so as to cover the address electrodes, and the rib material layer formed on the dielectric layer, and a sand blast treatment process forming the longitudinal ribs and the lateral ribs by carrying out sand blast treatment on the rib material layer on which the sand blast mask is formed. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、段差リブを有するプラズマディスプレイパネル用背面板(以下、「PDP用背面板」と称する場合がある。)の製造方法、および上記製造方法に用いられるPDP用背面板形成用基板に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a back plate for a plasma display panel having a stepped rib (hereinafter sometimes referred to as “PDP back plate”), and a PDP back plate forming substrate used in the manufacturing method.

プラズマディスプレイパネル(以下、「PDP」と称する場合がある。)に用いられる背面板は、通常図4に示すように、基板10と、基板10上に形成されたアドレス電極20と、アドレス電極20上に形成された誘電体層30と、誘電体層30上に形成されたリブ40と、リブ40で囲まれた領域に形成された蛍光体層80(80R、80G、80B)と、を有する。また、従来のPDP用背面板は、図5(a)に示すようにストライプ状のリブ40を有するものが主流であったが、近年、輝度向上の観点から、図5(b)に示すように、縦方向のリブおよび横方向のリブを有するマトリクスリブ41を備えたPDP用背面板が提案されている。   As shown in FIG. 4, a back plate used for a plasma display panel (hereinafter sometimes referred to as “PDP”) is usually a substrate 10, an address electrode 20 formed on the substrate 10, and an address electrode 20. It has a dielectric layer 30 formed thereon, a rib 40 formed on the dielectric layer 30, and a phosphor layer 80 (80R, 80G, 80B) formed in a region surrounded by the rib 40. . In addition, the conventional PDP back plate has a mainstream having striped ribs 40 as shown in FIG. 5 (a). However, in recent years, as shown in FIG. In addition, a PDP back plate having matrix ribs 41 having longitudinal ribs and lateral ribs has been proposed.

マトリクスリブを備えたPDP用背面板は、ストライプ状のリブを備えたPDP用背面板と比較して、単位面積あたりの蛍光体量を増加させることができるため、輝度向上を図ることができるという利点を有する。また、このようなマトリクスリブを備えたPDP用背面板の中でも、縦リブと横リブの高さが異なるリブ(段差リブ)を備えたPDP用背面板に関する技術が知られている。段差リブを設けることにより、製造工程における蛍光面形成の容易化を図ることができる。さらに、パネル封着時における排気がスムーズになるという利点も有している。   The PDP back plate having matrix ribs can increase the amount of phosphor per unit area as compared with the PDP back plate having striped ribs, so that the luminance can be improved. Have advantages. In addition, among PDP back plates having such matrix ribs, a technology related to a PDP back plate having ribs (stepped ribs) having different heights between vertical ribs and horizontal ribs is known. By providing the step ribs, the phosphor screen can be easily formed in the manufacturing process. In addition, there is an advantage that the exhaust during the panel sealing is smooth.

このような段差リブを有するPDP用背面板の製造方法として、例えば特許文献1に、ドライフィルムレジスト(DFR)のラミネート、製版、サンドブラストを2回行うことにより、段差リブを形成する方法が開示されている。しかしながら、特にこの方法においては、2回目のDFRのラミネートが困難であるという問題があった。すなわち、1回目のサンドブラストによりマトリクスリブを形成した後に、さらに、マトリクスリブの上底面にDFRをラミネートすると、リブの端部がローラー圧で欠けてしまうという問題があった。また、ラミネート圧力が高いと、既に形成されたマトリクスリブの穴部にDFRが入り込み、DFRの膜厚を均一とすることが困難になり、露光・現像を適切に行うことができないという問題があった。さらに、マトリクスリブの穴部に侵入したDFRは剥離工程において完全に除去されない危険性もある。一方、ラミネート圧が低いと、密着不良を起こして、現像時あるいはブラスト時にDFRが剥離してしまうという問題があった。   As a method of manufacturing a PDP back plate having such a step rib, for example, Patent Document 1 discloses a method of forming a step rib by performing dry film resist (DFR) lamination, plate making, and sandblasting twice. ing. However, particularly in this method, there is a problem that the second DFR lamination is difficult. That is, after forming the matrix rib by the first sand blasting and further laminating DFR on the upper bottom surface of the matrix rib, there is a problem that the end of the rib is chipped by the roller pressure. Further, when the laminating pressure is high, DFR enters into the holes of the already formed matrix ribs, making it difficult to make the DFR film thickness uniform, and there is a problem that exposure and development cannot be performed properly. It was. Furthermore, there is a risk that the DFR that has entered the hole of the matrix rib is not completely removed in the peeling process. On the other hand, when the laminating pressure is low, there is a problem that adhesion failure occurs and the DFR is peeled off during development or blasting.

別の問題としては、2回目の露光のアライメントが困難であるという問題が挙げられる。1層目のDFRの露光位置精度は、アドレス電極に対してのリブの相対位置精度が確保出来れば十分で、アドレス電極のパット部(放電部分に当たる位置に形成される略四角形もしくは略六角形の部分)が縦リブの間に入るレベルの精度が出れば十分である。しかしながら、この程度のアライメント精度で2層目のDFR露光を行ってしまうと、縦リブからDFRがずれてしまい、ブラストの際に縦リブのエッジ部分が研削されてしまう。また、2枚のDFRを使うので、設備、材料の両面でコストが高くなるという問題もあった。そのため、これらの問題を解決することができるPDP用背面板の製造方法が望まれていた。   Another problem is that alignment of the second exposure is difficult. The exposure position accuracy of the DFR of the first layer is sufficient if the relative position accuracy of the rib with respect to the address electrode can be ensured, and the pad portion of the address electrode (substantially rectangular or substantially hexagonal formed at the position corresponding to the discharge portion). It is sufficient if the accuracy of the level that the portion) enters between the vertical ribs is obtained. However, if the DFR exposure of the second layer is performed with this degree of alignment accuracy, the DFR is displaced from the vertical rib, and the edge portion of the vertical rib is ground during blasting. In addition, since two DFRs are used, there is a problem that costs increase in both the equipment and the material. Therefore, a method for manufacturing a back plate for PDP that can solve these problems has been desired.

なお、特許文献2においては、同一高さの隔壁を形成する前工程と、前記隔壁に高低差を設ける後工程とを有するプラズマディスプレイパネルの製造方法が開示されている。   Patent Document 2 discloses a method for manufacturing a plasma display panel, which includes a pre-process for forming barrier ribs having the same height and a post-process for providing a height difference in the barrier ribs.

特許第3440907号公報Japanese Patent No. 3440907 特開2001−236891号公報JP 2001-236891 A

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、縦リブと、上記縦リブより高さの低い横リブとを有するPDP用背面板を簡便な方法で得ることができるPDP用背面板の製造方法を提供することを主目的とするものである。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and a PDP back plate having a vertical rib and a horizontal rib having a height lower than the vertical rib can be obtained by a simple method. The main purpose is to provide a manufacturing method.

本発明は、基板と、上記基板上に形成されたアドレス電極と、上記アドレス電極を覆うように形成された誘電体層と、上記誘電体層上に形成された、縦リブおよび上記縦リブよりも低い横リブとからなる段差リブとを有するプラズマディスプレイ用背面板の製造方法であって、上記基板と、上記基板上に形成された上記アドレス電極と、上記アドレス電極を覆うように形成された上記誘電体層と、上記誘電体層上にリブ材料層とが形成された背面板形成用部材の上記リブ材料層上に、レジスト層を形成し、露光および現像することにより、上記リブ材料層上の上記縦リブを形成する領域に前記縦リブと同一のパターン状に形成された縦リブ用マスクパターンと、上記リブ材料層上の上記横リブを形成する領域に前記横リブのパターンとは異なる非連続のパターン状に形成された横リブ用マスクパターンとからなるサンドブラストマスクを形成するブラストマスク形成工程と、上記サンドブラストマスクが形成されたリブ材料層に対してサンドブラスト処理を行うことにより、上記縦リブおよび上記横リブを形成するサンドブラスト処理工程と、を有することを特徴とするプラズマディスプレイパネル用背面板の製造方法を提供する。   The present invention includes a substrate, an address electrode formed on the substrate, a dielectric layer formed so as to cover the address electrode, a longitudinal rib formed on the dielectric layer, and the longitudinal rib. A method of manufacturing a back plate for a plasma display having a step rib composed of a low lateral rib, wherein the substrate, the address electrode formed on the substrate, and the address electrode are formed to cover the substrate. The rib material layer is formed by forming a resist layer on the rib material layer of the back plate forming member in which the dielectric layer and the rib material layer are formed on the dielectric layer, and exposing and developing the resist layer. The vertical rib mask pattern formed in the same pattern as the vertical rib in the region where the vertical rib is formed, and the pattern of the horizontal rib in the region where the horizontal rib is formed on the rib material layer Different A blast mask forming step for forming a sand blast mask composed of a lateral rib mask pattern formed in a discontinuous pattern, and a sand blast treatment for the rib material layer on which the sand blast mask is formed, thereby performing the vertical blast treatment. And a sandblasting process for forming the ribs and the lateral ribs.

本発明においては、上記縦リブ用マスクパターンおよび横リブ用マスクパターンからなるサンドブラストマスクを用いてリブ材料層をサンドブラスト処理する。縦リブを形成する領域では、縦リブのパターンと同一のパターン状の縦リブ用マスクパターンが形成されており、縦リブ用マスクパターンが形成された領域では、サンドブラスト処理した際に、リブ材料層が削られてしまうことがないものとすることができる。一方、横リブを形成する領域には、非連続なパターン状の上記横リブ用マスクパターンが形成されていることから、サンドブラスト処理した際に、横リブを形成する領域のリブ材料層の削られ方を制御することができる。これにより、サンドブラスト処理が終了した際、縦リブよりも高さの低い横リブを形成することができ、段差リブを有するプラズマディスプレイパネル用背面板を製造することができる。また本発明においては、高さの異なる縦リブと横リブとを同一のレジスト層を用いて1回のサンドブラスト処理により形成することが可能であり、製造効率等の面からも好ましいものとすることができる。   In the present invention, the rib material layer is sandblasted using the sandblast mask composed of the vertical rib mask pattern and the horizontal rib mask pattern. In the region where the vertical rib is formed, a vertical rib mask pattern having the same pattern as the vertical rib pattern is formed, and in the region where the vertical rib mask pattern is formed, the rib material layer is formed when sandblasting is performed. Can be prevented from being cut away. On the other hand, since the lateral rib mask pattern is formed in the region where the lateral rib is formed, the rib material layer in the region where the lateral rib is formed is removed when sandblasting is performed. Can be controlled. Thereby, when the sandblasting process is completed, a horizontal rib having a height lower than that of the vertical rib can be formed, and a back plate for a plasma display panel having a step rib can be manufactured. In the present invention, vertical ribs and horizontal ribs having different heights can be formed by a single sandblasting process using the same resist layer, which is preferable from the viewpoint of manufacturing efficiency and the like. Can do.

上記発明においては、上記横リブ用マスクパターンが、浮島状の微細パターンの集合体とされていることが好ましい。これにより、横リブ用マスクパターン領域のリブ材料層の削られ方を精度よく制御することができ、目的とする高さに横リブを形成することができるからである。   In the invention described above, the lateral rib mask pattern is preferably an aggregate of floating island-like fine patterns. This is because it is possible to accurately control how the rib material layer in the lateral rib mask pattern region is cut, and the lateral rib can be formed at a target height.

上記発明においては、上記横リブ用マスクパターンの内側領域における上記横リブ用マスクパターンの長さ方向に隣接する上記微細パターン同士のパターン間隔が、上記横リブ用マスクパターンの側部領域における上記パターン間隔より広いことが好ましい。またさらに、上記横リブ用マスクパターンの内側領域における上記微細パターンの面積が、上記横リブ用マスクパターンの側部領域における前記微細パターンの面積より小さいものとされることが好ましい。またさらに、上記横リブ用マスクパターンの内側領域における上記微細パターンの上記パターン間隔が、上記横リブ用マスクパターンの側部領域における上記微細パターンの上記パターン間隔より広く、上記横リブ用マスクパターンの内側領域における上記微細パターンの面積が、上記横リブ用マスクパターンの側部領域における上記微細パターンの面積より、小さいことが好ましい。上記横リブ用マスクパターンの形状を上記パターン状とすることにより、サンドブラスト処理した際、上記横リブ用マスクパターン領域のリブ材料層の削られ方を、内側領域と側部領域とで等しくすることができる。したがって、目的とする高さ、かつ均一な高さに横リブを形成することが可能となるからである。   In the above invention, the pattern interval between the fine patterns adjacent to each other in the length direction of the horizontal rib mask pattern in the inner region of the horizontal rib mask pattern is the pattern in the side region of the horizontal rib mask pattern. It is preferable that the interval is wider. Furthermore, it is preferable that an area of the fine pattern in an inner region of the lateral rib mask pattern is smaller than an area of the fine pattern in a side region of the lateral rib mask pattern. Still further, the pattern spacing of the fine pattern in the inner region of the lateral rib mask pattern is wider than the pattern spacing of the fine pattern in the side region of the lateral rib mask pattern, and The area of the fine pattern in the inner region is preferably smaller than the area of the fine pattern in the side region of the lateral rib mask pattern. By making the shape of the lateral rib mask pattern the above pattern shape, when sandblasting is performed, the rib material layer in the lateral rib mask pattern region is shaved in the inner region and the side region. Can do. Therefore, it is possible to form the lateral ribs at a target height and a uniform height.

また上記発明は、上記レジスト層形成工程前に、形成する上記横リブの高さに応じて、上記微細パターンのパターン間隔または面積を調整し、上記横リブ用マスクパターンの形状を決定する横リブ用マスクパターン決定工程を有することが好ましい。これにより、上記横リブを目的とする高さに精度よく形成することが可能となるからである。   Further, the present invention provides a lateral rib for adjusting the pattern interval or area of the fine pattern according to the height of the lateral rib to be formed and determining the shape of the lateral rib mask pattern before the resist layer forming step. It is preferable to have a mask pattern determining step. This is because the horizontal rib can be accurately formed at the intended height.

また本発明は、基板と、上記基板上に形成されたアドレス電極と、上記アドレス電極を覆うように形成された誘電体層と、上記誘電体層上に形成されたリブ材料層と、上記リブ材料層上に形成され、上記リブ材料層をサンドブラスト処理するためのサンドブラストマスクとを有するプラズマディスプレイパネル用背面板形成用基板であって、上記サンドブラストマスクは、ライン状に複数本形成された縦リブ用マスクパターンと、隣接する上記縦リブ用マスクパターン同士を連結するライン上に非連続なパターン状に形成された横リブ用マスクパターンとから構成されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル用背面板形成用基板を提供する。   The present invention also provides a substrate, an address electrode formed on the substrate, a dielectric layer formed so as to cover the address electrode, a rib material layer formed on the dielectric layer, and the rib A substrate for forming a back plate for a plasma display panel, which is formed on a material layer and has a sandblast mask for sandblasting the rib material layer, wherein the sandblast mask includes a plurality of vertical ribs formed in a line shape. A back plate for a plasma display panel, comprising: a mask pattern for horizontal ribs; and a mask pattern for horizontal ribs formed in a discontinuous pattern on a line connecting adjacent mask patterns for vertical ribs A forming substrate is provided.

本発明によれば、上記縦リブ用マスクパターンおよび横リブ用マスクパターンから構成されるサンドブラストマスクを有することから、このプラズマディスプレイパネル用背面板形成用基板をサンドブラスト処理して形成される縦リブの高さと横リブの高さとを異なるものとすることができ、効率よく段差リブを有するプラズマディスプレイパネル用背面板形成用基板を形成可能なものとすることができる。   According to the present invention, since it has a sandblast mask composed of the mask pattern for vertical ribs and the mask pattern for horizontal ribs, the vertical ribs formed by sandblasting the substrate for forming a back plate for plasma display panel are provided. The height and the height of the lateral rib can be made different, and the substrate for forming a back plate for a plasma display panel having a step rib can be formed efficiently.

本発明においては、段差リブを有するプラズマディスプレイパネル用背面板を簡便な工程で効率よく製造することができる。   In the present invention, a back panel for a plasma display panel having a step rib can be efficiently manufactured by a simple process.

本発明は段差リブを有するプラズマディスプレイパネル用背面板の製造方法、および上記製造方法に用いられるPDP用背面板形成用基板に関する。以下、図を用いて詳しく説明する。   The present invention relates to a method for manufacturing a back plate for a plasma display panel having stepped ribs, and a substrate for forming a back plate for a PDP used in the manufacturing method. This will be described in detail below with reference to the drawings.

1.背面板形成用部材形成工程
本実施形態における背面板形成用部材形成工程について説明する。本実施形態における背面板形成用部材形成工程は、基板と、上記基板上に形成された上記アドレス電極と、上記アドレス電極を覆うように形成された上記誘電体層と、上記誘電体層上に形成されたリブ材料層とが形成された背面板形成用部材を形成する工程である。図2は、本実施形態における背面板形成用部材を形成する工程を示す斜視図である。まず、基板10上にアドレス電極20を形成するアドレス電極形成工程(図2(a))を行い、続いてアドレス電極20を覆うように誘電体層30を形成する誘電体層形成工程(図2(b))を行う。次に、誘電体層30上にリブ材料層42を形成するリブ材料層形成工程(図2(c))を行なうことにより背面板形成用部材100を形成することができる。なお、図2は背面板形成用部材の一部を示すものであり、理解を助けるために寸法比率が実際のものとは異なる。
以下、背面板形成用部材を形成するための上記各工程について詳細に説明する。
1. Back plate forming member forming step The back plate forming member forming step in this embodiment will be described. The back plate forming member forming step in the present embodiment includes a substrate, the address electrode formed on the substrate, the dielectric layer formed to cover the address electrode, and the dielectric layer. This is a step of forming a back plate forming member formed with the formed rib material layer. FIG. 2 is a perspective view showing a process of forming a back plate forming member in the present embodiment. First, an address electrode forming step (FIG. 2A) for forming the address electrode 20 on the substrate 10 is performed, and then a dielectric layer forming step for forming the dielectric layer 30 so as to cover the address electrode 20 (FIG. 2). (B)) is performed. Next, the back plate forming member 100 can be formed by performing a rib material layer forming step (FIG. 2C) for forming the rib material layer 42 on the dielectric layer 30. FIG. 2 shows a part of the member for forming the back plate, and the dimensional ratio is different from the actual one to help understanding.
Hereinafter, each of the above steps for forming the back plate forming member will be described in detail.

(1)アドレス電極形成工程
まず、本実施形態におけるアドレス電極形成工程について説明する。本実施形態におけるアドレス電極形成工程は、基板10上にアドレス電極20を形成する工程である。
(1) Address Electrode Formation Step First, the address electrode formation step in this embodiment will be described. The address electrode forming step in the present embodiment is a step of forming the address electrode 20 on the substrate 10.

本実施形態に用いられる基板10の材料としては、所定の耐熱性を有するものであれば特に限定されるものではなく、一般的なPDP用背面板に用いられる基板の材料と同様のものを使用することができる。具体的には、ガラス等を挙げることができ、中でも、誘電体やリブ材の焼成時等に生じるひずみが小さい高歪点ガラスが好ましい。   The material of the substrate 10 used in the present embodiment is not particularly limited as long as it has a predetermined heat resistance, and the same material as the substrate used for a general PDP back plate is used. can do. Specific examples include glass and the like. Among them, high strain point glass that generates a small amount of distortion during firing of a dielectric or rib material is preferable.

本実施形態に用いられるアドレス電極20の材料としては、導電性を有するものであれば特に限定されるものではなく、一般的なPDP用背面板に用いられるアドレス電極の材料と同様のものを使用することができる。具体的には、Ag等の金属を挙げることができる。また、本実施形態に用いられるアドレス電極20は、金属薄膜を積層したものであっても良く、具体的には、Cr/Cu/Cr等の3層の金属薄膜を有するもの等を挙げることができる。   The material of the address electrode 20 used in the present embodiment is not particularly limited as long as it has conductivity, and the same material as that of the address electrode used for a general PDP back plate is used. can do. Specific examples include metals such as Ag. Further, the address electrode 20 used in the present embodiment may be a laminate of metal thin films, and specifically includes an electrode having a three-layer metal thin film such as Cr / Cu / Cr. it can.

基板10上にアドレス電極20を形成する方法としては、例えばフォトペースト法、スクリーン印刷法および薄膜法等を挙げることができ、中でもフォトペースト法が好ましい。上記フォトペースト法としては、具体的には、感光性樹脂を含有するAgペーストをスクリーン印刷法で基板全面に塗布し、乾燥させ、次に所定のパターンで露光、現像を行い、最後に焼成する方法等を挙げることができる。一方、上記薄膜法としては、具体的には、スパッタリング法で基板全面にCr/Cu/Crの3層の金属薄膜を形成し、その金属薄膜の最表層にレジストを塗布し乾燥させ、次に所定のパターンで露光、現像を行い、露出した金属薄膜をエッチングし、最後にレジストを剥離する方法等を挙げることができる。   Examples of a method for forming the address electrode 20 on the substrate 10 include a photo paste method, a screen printing method, a thin film method, and the like. Among these, the photo paste method is preferable. Specifically, as the photo paste method, Ag paste containing a photosensitive resin is applied to the entire surface of the substrate by a screen printing method, dried, then exposed and developed in a predetermined pattern, and finally fired. The method etc. can be mentioned. On the other hand, as the thin film method, specifically, a Cr / Cu / Cr three-layer metal thin film is formed on the entire surface of the substrate by a sputtering method, a resist is applied to the outermost layer of the metal thin film, and then dried. Examples include a method of performing exposure and development with a predetermined pattern, etching the exposed metal thin film, and finally removing the resist.

(2)誘電体層形成工程
次に、本実施形態における誘電体層形成工程について説明する。本実施形態における誘電体層形成工程は、上記アドレス電極20を覆うように誘電体層30を形成する工程である。
(2) Dielectric Layer Formation Step Next, the dielectric layer formation step in this embodiment will be described. In the present embodiment, the dielectric layer forming step is a step of forming the dielectric layer 30 so as to cover the address electrodes 20.

本実施形態に用いられる誘電体層30の材料としては、所望の誘電率を有するものであれば特に限定されるものではなく、一般的なPDP用背面板に用いられる誘電体層の材料と同様のものを使用することができる。   The material of the dielectric layer 30 used in the present embodiment is not particularly limited as long as it has a desired dielectric constant, and is the same as the material of the dielectric layer used for a general PDP back plate. Can be used.

誘電体層30を形成する方法としては、スクリーン印刷法等を挙げることができるが、他にスリットダイコート法や、ベースフィルム上に誘電体層が積層されたフィルムを上記アドレス電極20を覆うようにラミネートするラミネート法が挙げられる。本実施形態においては、上記誘電体層を形成した後に、乾燥を行うが、必要に応じて、誘電体層の焼成を行っても良い。   Examples of the method of forming the dielectric layer 30 include a screen printing method and the like. In addition, a slit die coating method or a film in which a dielectric layer is laminated on a base film is covered with the address electrode 20. The laminating method which laminates is mentioned. In the present embodiment, the dielectric layer is formed and then dried, but the dielectric layer may be fired as necessary.

(3)リブ材料層形成工程
次に、本実施形態におけるリブ材料層形成工程について説明する。本実施形態におけるリブ材料層形成工程は、上記誘電体層30上にリブ材料層42を形成する工程である。上記リブ材料層42を形成する方法としては、リブ材料層形成用材料をスリットダイコータ法により上記誘電体層上に塗布し、乾燥する方法を挙げることができる。なお、塗布はロールコータ法等で行ってもよい。
(3) Rib material layer formation process Next, the rib material layer formation process in this embodiment is demonstrated. The rib material layer forming step in the present embodiment is a step of forming the rib material layer 42 on the dielectric layer 30. Examples of the method for forming the rib material layer 42 include a method in which a rib material layer forming material is applied onto the dielectric layer by a slit die coater method and dried. Application may be performed by a roll coater method or the like.

本工程により形成されるリブ材料層42の膜厚としては、目的とする縦リブの高さに応じて適宜選択され、通常100μm〜300μm程度、中でも120μm〜160μmの程度とすることができる。また上記リブ材料層42を形成するためのリブ材料層形成用材料として、例えばガラスペースト等が用いられる。上記ガラスペーストは、通常、BiO、ZnO、B等の平均粒径3μm程度のガラスフリット、TiO、Al等の無機成分からなるフィラー、ペーストにするための樹脂成分および溶剤を含有する。 The film thickness of the rib material layer 42 formed by this step is appropriately selected according to the intended height of the longitudinal rib, and is usually about 100 μm to 300 μm, and more preferably about 120 μm to 160 μm. Further, as the rib material layer forming material for forming the rib material layer 42, for example, glass paste or the like is used. The glass paste is usually a glass frit having an average particle diameter of about 3 μm such as BiO 2 , ZnO, B 2 O 3 , a filler composed of an inorganic component such as TiO 2 , Al 2 O 3, a resin component for making a paste, and Contains solvent.

なお、本実施形態における背面板形成用部材としては、基板と、アドレス電極と、誘電体層と、リブ材料層とを有するものであればその構成等は特に限定されるものではなく、必要に応じて適宜他の部材を有していてもよい。   The configuration of the back plate forming member in the present embodiment is not particularly limited as long as it has a substrate, an address electrode, a dielectric layer, and a rib material layer. Depending on the situation, other members may be appropriately provided.

2.ブラストマスク形成工程
次に、本実施形態におけるブラストマスク形成工程について説明する。本実施形態におけるブラストマスク形成工程は、背面板形成用部材の上記リブ材料層上に、レジスト層を形成し、露光および現像することにより、上記リブ材料層上の上記縦リブを形成する領域に上記縦リブと同一のパターン状に形成された縦リブ用マスクパターンと、上記リブ材料層上の上記横リブを形成する領域に上記横リブのパターンとは異なる非連続のパターン状に形成された横リブ用マスクパターンとからなるサンドブラストマスクを形成する工程である。
2. Blast Mask Formation Step Next, the blast mask formation step in this embodiment will be described. In the blast mask forming step in the present embodiment, a resist layer is formed on the rib material layer of the back plate forming member, exposed to light and developed, so that the vertical rib on the rib material layer is formed in the region. The mask pattern for vertical ribs formed in the same pattern as the vertical ribs and the discontinuous pattern different from the pattern of the horizontal ribs in the region where the horizontal ribs are formed on the rib material layer It is a step of forming a sandblast mask composed of a lateral rib mask pattern.

本実施形態におけるブラストマスク形成工程について図面を用いて説明する。図1(a)〜(c)は、本実施形態のブラストマスク形成工程の製造方法を示す斜視図である。まず図1(a)に示すように、基板10と、基板10上に形成されたアドレス電極20と、アドレス電極20を覆うように形成された誘電体層30と、誘電体層30上に形成され、リブ材料を含有するリブ材料層42とを有する背面板形成用部材100を準備する。   The blast mask forming process in this embodiment will be described with reference to the drawings. 1A to 1C are perspective views showing a manufacturing method in the blast mask forming process of the present embodiment. First, as shown in FIG. 1A, a substrate 10, an address electrode 20 formed on the substrate 10, a dielectric layer 30 formed so as to cover the address electrode 20, and formed on the dielectric layer 30. The back plate forming member 100 having the rib material layer 42 containing the rib material is prepared.

次に、図1(b)に示すように、上記リブ材料層42上にドライフィルムレジストを貼り合わせることにより、上記リブ材料層42をレジスト層50で被覆する工程を行なう。続いてこのレジスト層50をマスク露光および現像し、図1(c)に示すように、縦リブと同一のパターン状に形成された縦リブ用マスクパターン51xと、横リブを形成する領域に横リブのパターンとは異なる非連続のパターン状に形成された横リブ用マスクパターン51yとからなるサンドブラストマスク51を形成する工程を行なう。なお、図1(a)〜(c)は背面板形成用部材の一部を示すものであり、理解を助けるために寸法比率が実際のものとは異なる。
以下、サンドブラストマスク51を形成するための上記各工程について詳細に説明する。
Next, as shown in FIG. 1B, a step of coating the rib material layer 42 with a resist layer 50 by bonding a dry film resist onto the rib material layer 42 is performed. Subsequently, the resist layer 50 is subjected to mask exposure and development, and as shown in FIG. 1 (c), the vertical rib mask pattern 51x formed in the same pattern as the vertical rib and the horizontal rib are formed in the region. A step of forming a sandblast mask 51 composed of a lateral rib mask pattern 51y formed in a discontinuous pattern different from the rib pattern is performed. 1A to 1C show a part of the back plate forming member, and the dimensional ratio is different from the actual one to help understanding.
Hereinafter, each process for forming the sandblast mask 51 will be described in detail.

本実施形態におけるレジスト層の形成方法について説明する。本実施形態においてレジスト層を形成する工程は、基板10と、上記基板上に形成された上記アドレス電極20と、上記アドレス電極20を覆うように形成された上記誘電体層30と、上記誘電体層30上にリブ材料層42が形成された背面板形成用部材100の上記リブ材料層上に、レジスト層50を形成する工程である。   A method for forming a resist layer in the present embodiment will be described. In the present embodiment, the step of forming a resist layer includes the substrate 10, the address electrode 20 formed on the substrate, the dielectric layer 30 formed so as to cover the address electrode 20, and the dielectric In this step, a resist layer 50 is formed on the rib material layer of the back plate forming member 100 in which the rib material layer 42 is formed on the layer 30.

本実施形態において、上記リブ材料層42上にレジスト層50を形成する方法としては、ベースフィルム上にネガ型のアルカリ可溶レジスト等が積層されたドライフィルムレジストを、上記リブ材料層にラミネートする方法が挙げられるが、特に限定されるものではなく、塗布法等を用いてもよい。上記リブ材料層42上に形成されるレジスト層50としては、後述する露光および現像が可能なものであればよく、一般的なプラズマディスプレイを製造する際に用いられるものと同様のものを用いることができる。また上記レジストの膜厚としても、一般的なプラズマディスプレイを製造する際と同様とすることができる。   In this embodiment, as a method of forming the resist layer 50 on the rib material layer 42, a dry film resist in which a negative alkali-soluble resist or the like is laminated on a base film is laminated on the rib material layer. Although there is a method, it is not particularly limited, and a coating method or the like may be used. The resist layer 50 formed on the rib material layer 42 may be any resist layer that can be exposed and developed as will be described later, and the same one as that used when manufacturing a general plasma display is used. Can do. The film thickness of the resist can be the same as that in manufacturing a general plasma display.

本工程において形成される縦リブ用マスクパターンは、縦リブを形成する領域のリブ材料層上に形成されるものであり、縦リブ用マスクパターンの形状としては、目的とする縦リブのパターンと同一、すなわち複数のライン状とされる。各ラインの幅としては、通常、30μm〜120μm程度、中でも50μm〜80μm程度とされる。また上記複数のラインは、通常、平行に形成される。   The mask pattern for vertical ribs formed in this step is formed on the rib material layer in the region where the vertical ribs are formed, and the shape of the mask pattern for vertical ribs is the target vertical rib pattern and The same, that is, a plurality of lines. The width of each line is usually about 30 μm to 120 μm, especially about 50 μm to 80 μm. The plurality of lines are usually formed in parallel.

また本工程において形成される横リブ用マスクパターンは、リブ材料層の横リブを形成する領域に形成されるものであり、横リブ用マスクパターンの形状としては、目的とする横リブのパターンとは異なる非連続のパターン状とされる。本実施形態でいう横リブのパターンとは異なる非連続のパターン状に形成するとは、目的とする横リブのパターンを2つ以上の微細パターンに分割した形状に形成することをいう。   Further, the horizontal rib mask pattern formed in this step is formed in the rib material layer in the region where the horizontal rib is formed, and the shape of the horizontal rib mask pattern is the same as the pattern of the desired horizontal rib. Are different discontinuous patterns. Forming in a discontinuous pattern different from the pattern of the horizontal ribs referred to in the present embodiment means forming the target horizontal rib pattern into a shape divided into two or more fine patterns.

上記横リブ用マスクパターンを構成する微細パターンの形状は、後述するサンドブラスト処理した際に、縦リブよりも高さの低い横リブを形成可能な形状であれば特に限定されるものではなく、例えば横リブを形成する領域に、浮島状の微細パターンが多数形成されているものとすることができる。これにより、サンドブラスト処理の際、後述する微細パターンのなくなり方のバラツキを抑えることができる。浮島状の微細パターンの形状としては、円形、楕円形、正方形、長方形、長方形の角を丸めたもの、台形等とすることができる。また、これらの微細パターンの形状を複数組合わせて横リブ用マスクパターンを形成してもよい。なお本実施形態においては特に上記横リブ用マスクパターンを構成する微細パターンが縦リブ用マスクパターンと接していないことが好ましい。接していると、後述するサンドブラスト処理した際に、縦リブ用マスクパターンに接している横リブ用マスクパターンのレジストが残ってしまい、その部分の横リブが縦リブと同一の高さとなってしまうからである。   The shape of the fine pattern constituting the mask pattern for the horizontal rib is not particularly limited as long as it can form a horizontal rib having a height lower than that of the vertical rib when sandblasting described later is performed. Many floating island-like fine patterns can be formed in the region where the lateral ribs are formed. Thereby, in the sandblasting process, it is possible to suppress variations in how the fine pattern described later disappears. As the shape of the floating island-shaped fine pattern, a circular shape, an elliptical shape, a square shape, a rectangular shape, a rounded rectangular shape, a trapezoid shape, or the like can be used. Also, a horizontal rib mask pattern may be formed by combining a plurality of these fine pattern shapes. In the present embodiment, it is particularly preferable that the fine pattern constituting the horizontal rib mask pattern is not in contact with the vertical rib mask pattern. If they are in contact, the resist of the horizontal rib mask pattern that is in contact with the vertical rib mask pattern will remain when sandblasting, which will be described later, and the horizontal rib of that portion will have the same height as the vertical rib Because.

また上記各横リブ用マスクパターンは同一の形状の微細パターンの集合体とされているものであってもよく、また異なる形状の微細パターンの集合体とされているものであってもよい。本実施形態における横リブ用マスクパターンの1態様としては、図3(a)の平面図に示すように、上記横リブ用マスクパターン51yの側部領域(図中、点線で囲まれたpで示される領域)に形成されている微細パターンの面積より、上記横リブ用マスクパターン51yの内側領域(図中、qで示される領域)に形成されている微細パターンの面積が小さいものとされているものである。上記横リブ用マスクパターンの側部領域とは、横リブ用マスクパターンの内、サンドブラストマスクパターン51の無い領域(図中、oで示される領域)に隣接する外側の2つの領域をいうこととし、横リブ用マスクパターンの内側領域とは、横リブ用マスクパターンの側部領域に挟まれる領域をいうこととする。なお、図3(a)および(b)はPDP用背面板形成用基板の一部を示すものであり、理解を助けるために寸法比率が実際のものとは異なり、ハッチングも省略してある。   Each of the horizontal rib mask patterns may be an aggregate of fine patterns having the same shape, or may be an aggregate of fine patterns having different shapes. As one aspect of the mask pattern for horizontal ribs in this embodiment, as shown in the plan view of FIG. 3A, the side area of the mask pattern 51y for horizontal ribs (in the figure, p surrounded by a dotted line) The area of the fine pattern formed in the inner area (area indicated by q in the figure) of the lateral rib mask pattern 51y is smaller than the area of the fine pattern formed in the area shown in FIG. It is what. The lateral region of the lateral rib mask pattern refers to two regions outside the lateral rib mask pattern adjacent to the region without the sandblast mask pattern 51 (the region indicated by o in the figure). The inner region of the lateral rib mask pattern is a region sandwiched between the side regions of the lateral rib mask pattern. FIGS. 3A and 3B show a part of the PDP back plate forming substrate. In order to facilitate understanding, the dimensional ratio is different from the actual one, and hatching is also omitted.

また本実施形態における横リブ用マスクパターンの別の1態様としては、図3(b)の平面図に示すように、上記横リブ用マスクパターン51yの内側領域(図中、qで示される領域)における上記横リブ用マスクパターン51yの長さ方向に隣接する上記微細パターン同士のパターン間隔(図中、sで示される距離)が、上記横リブ用マスクパターン51yの側部領域(図中、点線で囲まれたpで示される領域)における上記パターン間隔(図中、rで示される距離)より広いものとされているものである。ここで、上記横リブ用マスクパターンの長さ方向とは、縦リブ用マスクパターンとの直交方向をいうこととする。   As another aspect of the horizontal rib mask pattern in the present embodiment, as shown in the plan view of FIG. 3B, the inner area of the horizontal rib mask pattern 51y (the area indicated by q in the figure). ) In the length direction of the lateral rib mask pattern 51y in the length direction (distance indicated by s in the figure) is a side region (in the figure, The pattern interval (the distance indicated by r in the figure) in the region indicated by p surrounded by a dotted line is larger. Here, the length direction of the mask pattern for horizontal ribs means a direction orthogonal to the mask pattern for vertical ribs.

また本実施形態における横リブ用マスクパターンの更なる別の1態様は、上記横リブ用マスクパターンの内側領域における上記微細パターンの上記パターン間隔が、上記横リブ用マスクパターンの側部領域における上記微細パターンの上記パターン間隔より広く、上記横リブ用マスクパターンの内側領域における上記微細パターンの面積が、上記横リブ用マスクパターンの側部領域における上記微細パターンの面積より、小さいものとされているものである。   According to still another aspect of the lateral rib mask pattern in the present embodiment, the pattern interval of the fine pattern in the inner region of the lateral rib mask pattern is the same as that in the side region of the lateral rib mask pattern. The area of the fine pattern in the inner area of the lateral rib mask pattern is smaller than the area of the fine pattern in the side area of the lateral rib mask pattern. Is.

横リブ用マスクパターンを非連続なパターン状とすることにより、縦リブよりも高さの低い横リブを形成することが出来る理由を説明する。プラズマディスプレイを製造する際に用いられる、一般的なレジスト層はブラスト処理によっては研削されないため、縦リブを形成する領域のリブ材料層は研削されない。これに対して、横リブ用マスクパターンの形状を非連続のパターン状とすると、ブラスト処理の際に、各微細パターン間に研削材が入り込み、その下のリブ材料層が若干研削される。各微細パターン自体は研削されなくとも、この各微細パターン間のリブ材料層の研削が進むことにより、結果的に、微細パターンがリブ材料層上からなくなり、その後は、横リブを形成する領域のリブ材料層全体が研削されることとなる。したがって、ライン状の縦リブ用マスクパターンと非連続なパターン状の横リブ用マスクパターンを組み合わせることにより、縦リブと、縦リブよりも高さの低い横リブを1回のブラスト処理で形成することが可能となる。   The reason why the horizontal rib having a height lower than that of the vertical rib can be formed by making the horizontal rib mask pattern discontinuous will be described. Since a general resist layer used in manufacturing a plasma display is not ground by blasting, a rib material layer in a region where a vertical rib is formed is not ground. On the other hand, if the shape of the mask pattern for the lateral ribs is a discontinuous pattern, the abrasive enters between the fine patterns during the blasting process, and the rib material layer below is slightly ground. Even if each fine pattern itself is not ground, the grinding of the rib material layer between the fine patterns proceeds, and as a result, the fine pattern disappears from the rib material layer, and thereafter, the region where the lateral rib is formed is The entire rib material layer is ground. Accordingly, by combining the line-shaped vertical rib mask pattern and the discontinuous pattern horizontal rib mask pattern, the vertical rib and the horizontal rib having a height lower than the vertical rib are formed by one blasting process. It becomes possible.

次に、横リブを形成する領域内で微細パターンを変化させることによる効果を説明する。微細パターンの面積が等しければ、隣りあう微細パターンどうしが遠い、すなわちパターン間隔が広いほうが、サンドブラスト処理によって微細パターンのレジスト層が剥離しやすい。パターン間隔が広いほど研削材が抜けやすくなるので新たな研削材が微細パターン間に入り込みやすく、リブ材料層が研削されやすいためと考えられる。1つの微細パターンについて、隣接する微細パターンとの間隔に広いものと狭いものがある場合、狭い間隔に影響される傾向がある。間隔が狭く、リブ材料層が研削されにくいと、微細パターンが剥離し難いためと考えられる。また1つの微細パターンについて、横リブ用マスクパターンの長さ方向に隣接する微細パターンとの間隔と、縦リブ用マスクパターン方向に隣接する微細パターンとの間隔とでは、横リブ用マスクパターンの長さ方向の間隔に影響される傾向がある。これは、通常使用されるブラスト用ノズルがスリット状であり、ノズルの長手方向が縦リブの方向と垂直方向になっており、そのためブラスト噴流は基板に衝突したあと縦リブに沿う方向に気流が流れていく傾向が強く、レジスト微細パターンの剥離がこの気流方向に影響を受け、横リブ用マスクパターンの長さ方向の間隔が開くほど、この気流により微細パターン端部よりレジストが捲られ易くなるためと考えられる。   Next, the effect of changing the fine pattern in the region where the lateral rib is formed will be described. If the area of the fine pattern is equal, the fine pattern resist layer is more easily peeled off by sandblasting when the adjacent fine patterns are far from each other, that is, when the pattern interval is wider. This is probably because the wider the pattern interval, the easier it is for the abrasive to come off, so that the new abrasive easily enters between the fine patterns and the rib material layer is easily ground. When one fine pattern has a wide space and a narrow space between adjacent fine patterns, it tends to be affected by the narrow space. It is considered that the fine pattern is difficult to peel off when the interval is narrow and the rib material layer is difficult to be ground. Further, for one fine pattern, the length of the horizontal rib mask pattern is determined by the distance between the fine pattern adjacent in the length direction of the horizontal rib mask pattern and the fine pattern adjacent in the vertical rib mask pattern direction. There is a tendency to be affected by the distance in the vertical direction. This is because the normally used blast nozzle has a slit shape, and the longitudinal direction of the nozzle is perpendicular to the direction of the longitudinal rib, so that the blast jet flows into the direction along the longitudinal rib after colliding with the substrate. The tendency to flow is strong, the peeling of the resist fine pattern is affected by this air flow direction, and the longer the gap in the length direction of the mask pattern for the lateral ribs, the more easily the resist is beaten from the edge of the fine pattern by this air flow. This is probably because of this.

一方、微細パターン間隔が等しければ、面積の大きい微細パターンと比べて、面積の小さい微細パターンのレジスト層の方が外力に弱く、サンドブラスト処理によって剥離しやすい。面積が小さいほどリブ材料層との密着力が小さくなるためと考えられる。上記のように、微細パターンの剥離しやすさに対する、微細パターン間隔の変化の影響と、微細パターンの面積の変化の影響とは、それぞれメカニズムが異なる。したがって、微細パターン間隔の変化と微細パターンの面積の変化とを組み合わせることで、微細パターンの剥離しやすさを更に精密に制御することが可能となる。したがって、微細パターンの面積やパターン間隔を調整することにより、横リブの高さを調整することが可能となる。   On the other hand, if the fine pattern intervals are equal, the resist layer having a small pattern with a small area is weaker to external force than the fine pattern having a large area, and is easily peeled off by sandblasting. This is probably because the smaller the area, the smaller the adhesion with the rib material layer. As described above, the influence of the change in the fine pattern interval and the influence of the change in the area of the fine pattern on the ease of peeling of the fine pattern have different mechanisms. Therefore, by combining the change in the fine pattern interval and the change in the area of the fine pattern, it becomes possible to control the ease of peeling of the fine pattern more precisely. Therefore, the height of the lateral rib can be adjusted by adjusting the area of the fine pattern and the pattern interval.

また、横リブを形成する領域をサンドブラスト処理すると、横リブ用マスクパターンの内側領域と比較して、横リブ用マスクパターンの側部領域が研削されやすい。これは縦リブ用マスクパターンと横リブ用マスクパターンとに囲まれた領域(サンドブラストマスクが形成されていない領域)に研削材が入り込みやすい影響をうけるためと考えられる。横リブの頂部は平らに形成されることが好ましいことから、上記微細パターンの面積を、横リブ用マスクパターンの内側領域と比較して側部領域で大きくしたり、上記微細パターンのパターン間隔を内側領域と比較して側部領域で狭いものとしたりすることが好ましい。   In addition, when the region where the lateral rib is formed is sandblasted, the side region of the lateral rib mask pattern is more easily ground than the inner region of the lateral rib mask pattern. This is presumably because the abrasive tends to enter the region surrounded by the vertical rib mask pattern and the horizontal rib mask pattern (the region where the sandblast mask is not formed). Since the tops of the horizontal ribs are preferably formed flat, the area of the fine pattern is increased in the side area compared to the inner area of the mask pattern for the horizontal ribs, and the pattern interval of the fine pattern is increased. It is preferable that the side region is narrower than the inner region.

上記横リブ用マスクパターンを構成する個々の微細パターンの大きさや形状、密度等については、目的とする横リブの高さや、レジストの種類等に合わせて適宜選択される。 上記横リブ用マスクパターンの側部側の微細パターンのパターン間隔としては、15μm〜70μm程度、中でも25μm〜40μm程度とされることが好ましく、上記横リブ用マスクパターンの内側の微細パターンのパターン間隔としては15μm〜80μm程度、中でも25μm〜60μm程度とされることが好ましい。   The size, shape, density, etc. of the individual fine patterns constituting the lateral rib mask pattern are appropriately selected according to the intended height of the lateral rib, the type of resist, and the like. The pattern spacing of the fine pattern on the side of the lateral rib mask pattern is preferably about 15 μm to 70 μm, more preferably about 25 μm to 40 μm. The pattern spacing of the fine pattern inside the lateral rib mask pattern Is preferably about 15 μm to 80 μm, more preferably about 25 μm to 60 μm.

上記横リブ用マスクパターンを構成する個々の微細パターンの大きさとしては、通常幅が80μm以下、中でも60μm〜30μm程度、特に50μm〜40μm程度である。また、上底面の面積が側部側で900μm〜4900μm程度、中でも900μm〜2500μm程度とされることが好ましく、内側で900μm〜6400μm程度、中でも900μm〜3600μm程度とされることが好ましい。なお、上記上底面の面積とは各微細パターンのリブ材料層と反対側の面の面積をいうこととする。 The size of each fine pattern constituting the lateral rib mask pattern is usually 80 μm or less, particularly about 60 μm to 30 μm, and particularly about 50 μm to 40 μm. Moreover, 900μm 2 ~4900μm 2 approximately in the area of the upper bottom surface side portion, among them 900 .mu.m it is preferred to be a 2 ~2500μm 2 approximately, 900μm 2 ~6400μm 2 about inside, is a inter alia 900μm 2 ~3600μm 2 about It is preferable. The area of the upper bottom surface means the area of the surface opposite to the rib material layer of each fine pattern.

ここで、本工程において上記レジストを露光および現像し、上記形状の横リブ用マスクパターンおよび縦リブ用マスクパターンからなるサンドブラストマスクを形成する方法としては、一般的なフォトマスク等を用いて上記レジストを露光した後、現像する方法等とすることができ、一般的なレジストの露光現像方法と同様とすることができる。   Here, as a method of exposing and developing the resist in this step and forming a sandblast mask composed of the horizontal rib mask pattern and the vertical rib mask pattern having the above-mentioned shape, the resist is formed using a general photomask or the like. After the exposure, a method of developing, etc. can be used, and it can be the same as a general resist exposure and development method.

(プラズマディスプレイパネル用背面板形成用基板)
次に、本実施形態におけるプラズマディスプレイパネル用背面板形成用基板について図1(c)を用いて説明する。
本実施形態のPDP用背面板形成用基板101は、基板10と、基板10上に形成されたアドレス電極20と、アドレス電極20を覆うように形成された誘電体層30と、誘電体層30上に形成され、リブ材料を含有するリブ材料層42と、リブ材料層42上に形成されたサンドブラストマスク51とを有するものである。上記サンドブラストマスク51は、ライン状に複数、それぞれが平行に形成されている縦リブ用マスクパターン51xと、上記縦リブ用マスクパターン51xと直交するようなライン上に、隣接する上記縦リブ用マスク51xどうしを連結するように非連続なパターン状に形成された横リブ用マスクパターン51yとから構成される。
(Substrate for forming the back plate for plasma display panels)
Next, a substrate for forming a back plate for a plasma display panel in the present embodiment will be described with reference to FIG.
The PDP back plate forming substrate 101 of this embodiment includes a substrate 10, an address electrode 20 formed on the substrate 10, a dielectric layer 30 formed so as to cover the address electrode 20, and a dielectric layer 30. It has a rib material layer 42 formed thereon and containing a rib material, and a sandblast mask 51 formed on the rib material layer 42. The sandblast mask 51 includes a plurality of vertical rib mask patterns 51x formed in parallel, and the adjacent vertical rib masks on a line orthogonal to the vertical rib mask pattern 51x. The horizontal rib mask pattern 51y is formed in a discontinuous pattern so as to connect the 51x.

本実施形態におけるプラズマディスプレイパネル用背面板形成用基板をサンドブラスト処理した場合、縦リブを形成する領域では、リブ材料層が削られてしまうことがないものとすることができる。一方、横リブを形成する領域には、非連続なパターン状の上記横リブ用マスクパターンが形成されていることから、研削が抑制され、横リブ用マスクパターンがなくなってからは、横リブを形成する領域が全体的に研削されるものとすることができる。これにより、縦リブおよび横リブ以外の領域のサンドブラスト処理が終了した際、横リブを形成する領域では、リブ材料層がある程度削られているものとすることができ、縦リブの高さと横リブの高さとが異なるPDP用背面板を製造することができる。また本実施形態のPDP用背面板形成用基板を用いることにより、簡便な工程で高さの異なる縦リブと横リブとを一括して形成することが可能となる、という利点も有する。   When the back plate forming substrate for plasma display panel in the present embodiment is sandblasted, the rib material layer can be prevented from being scraped in the region where the vertical rib is formed. On the other hand, in the region where the horizontal rib is formed, the mask pattern for the horizontal rib is formed in a discontinuous pattern, so that the grinding is suppressed and the horizontal rib is removed after the mask pattern for the horizontal rib disappears. The area to be formed can be ground entirely. As a result, when the sandblasting process for the regions other than the vertical ribs and the horizontal ribs is completed, the rib material layer can be cut to some extent in the region where the horizontal ribs are formed. PDP rear plates having different heights can be manufactured. In addition, by using the PDP back plate forming substrate of the present embodiment, there is an advantage that it is possible to collectively form vertical ribs and horizontal ribs having different heights by a simple process.

3.サンドブラスト処理工程
次に、本実施形態におけるにおけるサンドブラスト処理形成工程について説明する。本実施形態におけるにおけるサンドブラスト処理工程は、上記サンドブラストマスクが形成されたリブ材料層に対して、サンドブラスト処理を行うことにより、上記縦リブおよび上記横リブを形成する工程である。
3. Sandblasting process Next, the sandblasting process in the present embodiment will be described. The sand blasting process in the present embodiment is a process of forming the vertical ribs and the horizontal ribs by performing a sand blasting process on the rib material layer on which the sand blast mask is formed.

図1(d)〜(e)は、本実施形態のサンドブラスト処理工程を示す斜視図である。図1(d)に示すように、縦リブ用マスクパターン51xおよび横リブ用マスクパターン51yからなるサンドブラストマスク51を備えたリブ材料層42に対して、研削材を用いて均等にサンドブラスト処理を行なうサンドブラスト処理工程を行なう。これにより、サンドブラストマスクが形成されていない領域のリブ材料層42は完全に除去される。また縦リブ用マスクパターン51xが形成されている領域のリブ材料層42は、サンドブラスト処理により研削されず、縦リブ43xとすることができる。一方、横リブ用マスクパターン51yが形成されていた領域は、サンドブラスト処理により横リブ用マスクパターンがなくなり、リブ材料層42が一部研削された横リブ43yとすることができる。その後、上記縦リブ用マスクパターン51xを剥離すると、図1(e)に示すような、縦リブ43xおよび横リブ43yから構成される段差リブ43を備えたプラズマディスプレイパネル用背面板102が得られる。なお、上記横リブ43yは、隣接する2本の縦リブ43xを連結するようにライン状に形成されるものであり、通常、上記縦リブ43xおよび横リブ43yは直交するように形成される。   1D to 1E are perspective views showing the sandblasting process of the present embodiment. As shown in FIG. 1 (d), the rib material layer 42 having the sandblast mask 51 composed of the longitudinal rib mask pattern 51x and the lateral rib mask pattern 51y is uniformly sandblasted using an abrasive. Sand blasting process is performed. Thereby, the rib material layer 42 in the region where the sandblast mask is not formed is completely removed. Further, the rib material layer 42 in the region where the vertical rib mask pattern 51x is formed is not ground by the sandblasting process, and can be formed into the vertical rib 43x. On the other hand, the region where the lateral rib mask pattern 51y has been formed can be the lateral rib 43y in which the lateral rib mask pattern is eliminated by sandblasting and the rib material layer 42 is partially ground. Thereafter, when the vertical rib mask pattern 51x is peeled off, a plasma display panel back plate 102 having stepped ribs 43 composed of vertical ribs 43x and horizontal ribs 43y as shown in FIG. 1E is obtained. . The horizontal ribs 43y are formed in a line shape so as to connect two adjacent vertical ribs 43x, and the vertical ribs 43x and the horizontal ribs 43y are normally formed to be orthogonal to each other.

本実施形態においては、上記縦リブ用マスクパターンおよび横リブ用マスクパターンからなるサンドブラストマスクを用いてリブ材料層をサンドブラスト処理する。縦リブ用マスクパターンが形成されている領域では、リブ材料層がサンドブラスト処理による影響を受けず、当初の膜厚でリブ材料層が残存することとなる。またサンドブラストマスクが形成されていない領域では、直ちにリブ材料層の研削が開始され、完全にリブ材料層が除去されることとなる。またさらに、横リブ用マスクパターンが形成されている領域では、横リブ用マスクパターンの存在により研削が抑制され、横リブ用マスクパターンが無くなってからは、横リブを形成する領域のリブ材料層が全体的に研削されることとなる。すなわち、横リブを形成する領域のリブ材料層の研削開始時間が、サンドブラストマスクが形成されていない領域より遅いことから、サンドブラスト処理を終了した時点で、リブ材料層が所定の膜厚残存するものとすることができる。なおこれは、上記横リブ用マスクパターンが非連続なパターン状、すなわち微細パターン状に形成されていることから、物理的な外力に弱く、サンドブラスト処理の途中で剥離飛散除去可能であることを利用している。以上のことから、本実施形態によれば、一度のサンドブラスト処理により、縦リブ、および上記縦リブより高さの低い横リブを一括して形成することが可能であり、簡便な工程で効率よくPDP用背面板を製造することができる。   In the present embodiment, the rib material layer is sandblasted using the sandblast mask composed of the vertical rib mask pattern and the horizontal rib mask pattern. In the region where the vertical rib mask pattern is formed, the rib material layer is not affected by the sandblasting process, and the rib material layer remains at the initial film thickness. In the area where the sandblast mask is not formed, the rib material layer is immediately ground and the rib material layer is completely removed. Further, in the region where the lateral rib mask pattern is formed, grinding is suppressed due to the presence of the lateral rib mask pattern, and after the lateral rib mask pattern disappears, the rib material layer in the region where the lateral rib is formed Will be ground as a whole. That is, since the grinding start time of the rib material layer in the region where the lateral rib is formed is slower than the region where the sandblast mask is not formed, the rib material layer remains at a predetermined thickness when the sandblasting process is finished. It can be. This is because the lateral rib mask pattern is formed in a discontinuous pattern, that is, in a fine pattern, so that it is weak against physical external force and can be peeled and scattered during the sandblasting process. is doing. From the above, according to the present embodiment, it is possible to collectively form the vertical rib and the horizontal rib having a height lower than that of the vertical rib by a single sandblasting process, and efficiently in a simple process. A back plate for PDP can be manufactured.

本工程においては通常、サンドブラストマスクが形成されていない領域にリブ材料層がなくなるまで、研削を行なうが、目的とする横リブの高さに応じて適宜終了時間を調整してもよい。   In this step, grinding is usually performed until no rib material layer is left in the region where the sandblast mask is not formed, but the end time may be appropriately adjusted according to the intended height of the lateral rib.

本工程におけるサンドブラスト処理方法としては、通常、ほぼ垂直方向から研削材をリブ材料層に吹きつけ、リブ材料層を研削する方法とすることができる。研削材の材料としては、一般的なサンドブラスト処理に用いられる研削材と同様であり、例えばダイアモンド、アルミナ、炭化シリコン、炭酸カルシウム、ガラスビーズ、ステンレス等を挙げることができる。また、研削材のブラスト圧力等の加工条件については、一般的なサンドブラストにおける条件と同様である。   As a sandblasting method in this step, a method of spraying an abrasive on the rib material layer from a substantially vertical direction and grinding the rib material layer can be generally used. The material of the abrasive is the same as that used for general sandblasting, and examples thereof include diamond, alumina, silicon carbide, calcium carbonate, glass beads, and stainless steel. Further, the processing conditions such as the blast pressure of the abrasive are the same as those in general sand blasting.

また本実施形態においては、通常、サンドブラスト処理が終わった後に、縦リブ用マスクパターンをリブ材料層から剥離する剥離処理を行う。この剥離処理は、一般的な剥離液を用いて行うことができる。   In this embodiment, usually, after the sandblasting process is finished, a peeling process for peeling the vertical rib mask pattern from the rib material layer is performed. This stripping treatment can be performed using a general stripping solution.

4.焼成工程
次に、本実施形態における焼成工程について説明する。本実施形態における焼成工程は、上記サンドブラスト処理工程後に、縦リブおよび横リブを焼成する工程である。これにより、リブ材料が溶融し一体となり、ガラス質のリブが形成されると同時に、リブ内に含まれる有機物が焼失し、実質的に無機物からなるリブが形成される。
4). Next, the firing process in this embodiment will be described. The firing step in the present embodiment is a step of firing the vertical ribs and the horizontal ribs after the sandblasting process. As a result, the rib material is melted and united to form a vitreous rib, and at the same time, organic substances contained in the rib are burned out, and a rib substantially made of an inorganic substance is formed.

焼成によりリブの寸法は変動しても形状はほぼ維持されるため、縦リブ43xおよび横リブ43yを焼成する焼成工程を行うことにより、図1(e)に示すような、段差リブを備えたプラズマディスプレイパネル用背面板102が得られる。   Since the shape is substantially maintained even if the rib dimensions are changed by firing, a step rib as shown in FIG. 1E is provided by performing a firing step of firing the vertical rib 43x and the horizontal rib 43y. A back plate 102 for a plasma display panel is obtained.

焼成温度、焼成時間および焼成方法等の条件については、一般的なPDP用背面板における条件と同様であるので、ここでの説明は省略する。   The conditions such as the firing temperature, firing time, firing method, and the like are the same as those for a general PDP back plate, and thus the description thereof is omitted here.

5.その他の工程
本実施形態は、上述した背面板形成用部材製造工程、ブラストマスク形成工程、サンドブラスト処理工程、および焼成工程以外に必要に応じて適宜他の工程を有していてもよく、通常、上記焼成工程後に、上記段差リブで囲まれた領域に蛍光体層を形成する蛍光体層形成工程を有するものとされる。上記蛍光体層を形成する方法としては、例えばスクリーン印刷法およびディスペンス法等を挙げることができる。また、本実施形態においては、上述した各工程の後に、表面を洗浄する洗浄工程を行っても良い。
5. Other Steps The present embodiment may have other steps as appropriate in addition to the above-described back plate forming member manufacturing step, blast mask forming step, sand blasting step, and firing step as appropriate. After the firing step, a phosphor layer forming step of forming a phosphor layer in a region surrounded by the step ribs is provided. Examples of the method for forming the phosphor layer include a screen printing method and a dispensing method. Moreover, in this embodiment, you may perform the washing | cleaning process which wash | cleans the surface after each process mentioned above.

また本実施形態においては特に、上記ブラストマスク形成工程前に、上記横リブ用マスクパターンを構成する微細パターンの形状や密度等を調整し、横リブ用マスクパターンの形状を決定する横リブ用マスクパターン決定工程を有することが好ましい。以下、上記横リブ用マスクパターン決定工程について説明する。   Further, in the present embodiment, in particular, before the blast mask forming step, a lateral rib mask for determining the shape of the lateral rib mask pattern by adjusting the shape and density of the fine pattern constituting the lateral rib mask pattern. It is preferable to have a pattern determination process. Hereinafter, the mask pattern determining step for the lateral rib will be described.

(横リブ用マスクパターン決定工程)
本実施形態における横リブ用マスクパターン決定工程は、上記ブラストマスク形成工程前に行われる工程であり、上記横リブ用マスクパターンを構成する微細パターンの面積やパターン間隔等を調整し、横リブ用マスクパターンの形状を決定する工程である。
(Mask pattern determination process for horizontal ribs)
The lateral rib mask pattern determining step in the present embodiment is a step performed before the blast mask forming step, adjusting the area of fine patterns constituting the lateral rib mask pattern, the pattern interval, etc. This is a step of determining the shape of the mask pattern.

上記横リブ用マスクパターンの形状の決定方法としては、上記リブ材料層と同様の層の上に、微細パターンを種々のパターン間隔で配置したテストパターンや、種々の面積を有する微細パターンからなるテストパターン等を作成し、上記サンドブラスト処理工程で行われるサンドブラスト処理と同様にサンドブラスト処理を行う。通常のブラスト時間の10%程度の時間毎に基板を取り出し、どのタイミングでパターンが欠損していくか確認する。また最終的に形成される横リブの高さを勘案して横リブ用マスクパターンを構成する微細パターンの面積やパターン間隔を決定する工程とすることができる。また、使用するドライフィルムおよび露光機によるレジストパターンの太り、現像機の方式や現像条件によるパターン形状やエッジ部、パターン間隔部の抜け状態が異なるので、これらを上記のテストで確認し、微細パターンの面積とパターン間隔を決定する。   As a method of determining the shape of the mask pattern for the lateral rib, a test pattern comprising a micropattern arranged at various pattern intervals on the same layer as the rib material layer or a micropattern having various areas is used. A pattern or the like is created, and the sandblasting process is performed in the same manner as the sandblasting process performed in the sandblasting process. The substrate is taken out every 10% of the normal blasting time, and it is confirmed at which timing the pattern is lost. Moreover, it can be set as the process of determining the area and pattern space | interval of the fine pattern which comprise the mask pattern for horizontal ribs in consideration of the height of the horizontal rib finally formed. In addition, the thickness of the resist pattern by the dry film and the exposure machine to be used, the pattern shape, the edge part, and the pattern gap part depending on the developing machine method and development conditions are different. Determine the area and pattern spacing.

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。   The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention, and any device that exhibits the same function and effect is the present invention. It is included in the technical scope of the invention.

以下に実験例および実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to experimental examples and examples.

[実験例1]
下記の方法により、基板上にリブ材料層形成用組成物を作製した。
(1)フリット混合物の作製
下記の要領でフリット混合物の作製を行った。
・ガラスフリットMB−10A(松波硝子工業製,d50=2.6μm) …80部
・フィラー(α−アルミナRA−30(岩谷化学工業製、d50=1.0μm))
…10部
・顔料(ダイピロキサイドブラック#9510(大日精化工業製)) …10部
これらを弗素樹脂製の容器に入れ、ペイントコンディショナーRC−5000(レッドデビル社製)により15分間混合し、フリット混合物を作製した。
[Experiment 1]
A composition for forming a rib material layer was produced on a substrate by the following method.
(1) Preparation of frit mixture The frit mixture was prepared in the following manner.
Glass frit MB-10A (manufactured by Matsunami Glass Industry, d 50 = 2.6 μm) ... 80 parts Filler (α-alumina RA-30 (manufactured by Iwatani Chemical Industry, d 50 = 1.0 μm))
... 10 parts-Pigment (Dypyroxide Black # 9510 (manufactured by Dainichi Seika Kogyo)) ... 10 parts These are put in a fluororesin container and mixed for 15 minutes with a paint conditioner RC-5000 (manufactured by Red Devil). A frit mixture was made.

(2)リブ材料層用組成物の作製
上記フリット混合物に下記の添加物を加えて、リブ材料層用組成物を作製した。
・上記フリット混合物 …80部
・エトセルSTD−100FP(ダウ・ケミカル社製) …1.44部
・ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート(純正化学製) 9部
・スクリーンオイル759(奥野製薬工業製) …9部
これらを均一に混合した後、三本ロールミル(井上製作所製、C−4・3/4×10)にて混練しリブ材料層用組成物を作製した。
(2) Production of Rib Material Layer Composition A rib material layer composition was produced by adding the following additives to the frit mixture.
・ The above frit mixture: 80 parts ・ Etocel STD-100FP (manufactured by Dow Chemical Co., Ltd.) ... 1.44 parts ・ Diethylene glycol monobutyl ether acetate (manufactured by Junsei Kagaku) 9 parts Were uniformly mixed, and then kneaded by a three roll mill (manufactured by Inoue Seisakusho, C-4 · 3/4 × 10) to prepare a rib material layer composition.

上記リブ材料層用組成物をスクリーンオイル759(奥野製薬工業製)で希釈しシェアーレート15[1/sec]、22℃で500ポイズに粘度調整し、ブレードコーターによりコーティング、乾燥を行い、膜厚160μmのベタ膜を作製した。ベタ膜が形成された基板を80℃に加熱しベタ膜上に膜厚40μmのドライフィルムレジスト(東京応化工業製、OSBRフィルムBF−605)をラミネートした。   The above rib material layer composition is diluted with screen oil 759 (Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.), adjusted to a viscosity of 500 poise at a shear rate of 15 [1 / sec] and 22 ° C., coated and dried with a blade coater, and film thickness A 160 μm solid film was prepared. The substrate on which the solid film was formed was heated to 80 ° C., and a 40 μm dry film resist (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., OSBR film BF-605) was laminated on the solid film.

その後、上記レジスト層を、プロキシ露光機を用いてパターン露光した後、無水炭酸ナトリウム0.5%水溶液を用い、温度35℃でスプレー現像を行った。露光は図6(a)〜(d)に示す様な枠つき露光マスクパターン(テストパターン)111を用いて行った。テストパターンは、微細パターンの間隔を30μmとして、30μm角、40μm角、50μm角、60μm角の正方形パターンを配置した。これにより、それぞれ一辺が33μm、43μm、53μm、63μmの正方形の微細パターンとそれらを囲む枠が形成されたブラストマスクを得た。なお、本実験例では上記レジスト層の膜厚が40μmであることから、アスペクト比を考慮して上記正方形パターンの一辺を30μm以上とした。   Thereafter, the resist layer was subjected to pattern exposure using a proxy exposure machine, and then spray development was performed at a temperature of 35 ° C. using a 0.5% aqueous solution of anhydrous sodium carbonate. The exposure was performed using a framed exposure mask pattern (test pattern) 111 as shown in FIGS. The test pattern was a 30 μm square, a 40 μm square, a 50 μm square, and a 60 μm square square pattern with a fine pattern interval of 30 μm. As a result, a blast mask was obtained in which square fine patterns each having a side of 33 μm, 43 μm, 53 μm, and 63 μm and a frame surrounding them were formed. In this experimental example, since the film thickness of the resist layer is 40 μm, one side of the square pattern is set to 30 μm or more in consideration of the aspect ratio.

次に、平均粒径8μmの溶融アルミナA−#800(不二見研磨材工業製)を用い、不二製作所製の電子ディスプレイ用大型チャンバーブラスト装置にてサンドブラスト処理を行った。圧力設定を0.7kgf/cmとし、ノズルを移動速度400mm/秒で基板の送り方向に垂直に往復移動させ、基板送り速度500mm/分とした。基板がサンドブラスト装置を1回通過する(1パス)毎に、ブラストマスクのテストパターンの様子を観察した結果を表1に示す。 Next, sandblasting was performed with a large chamber blasting device for electronic display manufactured by Fuji Seisakusho using fused alumina A- # 800 (Fujimi Abrasives Industries Co., Ltd.) having an average particle size of 8 μm. The pressure was set to 0.7 kgf / cm 2 , and the nozzle was reciprocated perpendicularly to the substrate feeding direction at a moving speed of 400 mm / second to set the substrate feeding speed to 500 mm / min. Table 1 shows the result of observing the state of the test pattern of the blast mask every time the substrate passes through the sandblasting apparatus once (one pass).

Figure 2008262877
Figure 2008262877

上記実験例1の結果から、微細パターンの面積が小さいほど、サンドブラスト処理の際に微細パターンが飛びやすい(剥離しやすい)ことが確認できた。   From the results of Experimental Example 1, it was confirmed that the smaller the area of the fine pattern, the easier the fine pattern to fly (easy to peel) during the sandblast treatment.

[実験例2]
上記実験例1と同様にして、リブ材料層用組成物のベタ膜上にブラストマスクを得た。露光は図7に示す様な枠つき露光マスクパターン(テストパターン)111を用いて行った。テストパターンは、40μm角の正方形パターンを隣接する正方形パターンとの間隔が3μm、5μm、10μm、15μm、20μm、30μm、50μm、100μmとなるように配置した。これにより、上記間隔で配置された正方形の微細パターンとそれらを囲む枠が形成されたブラストマスクを得た。微細パターンは、それぞれ一辺が43μmとなった。なお、本実験例では上記レジスト層の膜厚が40μmであることから、アスペクト比を考慮して上記正方形パターンの一辺を40μmとした。
[Experiment 2]
In the same manner as in Experimental Example 1, a blast mask was obtained on the solid film of the composition for the rib material layer. The exposure was performed using a framed exposure mask pattern (test pattern) 111 as shown in FIG. The test patterns were arranged so that the intervals between the square patterns of 40 μm square and the adjacent square patterns were 3 μm, 5 μm, 10 μm, 15 μm, 20 μm, 30 μm, 50 μm, and 100 μm. As a result, a blast mask in which square fine patterns arranged at the intervals and a frame surrounding them was formed was obtained. Each fine pattern had a side of 43 μm. In this experimental example, since the film thickness of the resist layer is 40 μm, one side of the square pattern is set to 40 μm in consideration of the aspect ratio.

次に、実験例1と同様にしてサンドブラスト処理を行った。基板がサンドブラスト装置を1回通過する(1パス)毎に、ブラストマスクのテストパターンの様子を観察した結果を表2に示す。   Next, sandblasting was performed in the same manner as in Experimental Example 1. Table 2 shows the result of observing the state of the test pattern of the blast mask every time the substrate passes through the sand blasting device once (one pass).

Figure 2008262877
Figure 2008262877

上記実験例2の結果から、微細パターンの間隔が広いほど、サンドブラスト処理の際に微細パターンが飛びやすい(剥離しやすい)ことが確認できた。   From the results of Experimental Example 2, it was confirmed that the fine pattern was more likely to fly (easy to be peeled off) during the sandblast treatment as the fine pattern interval was wider.

[製造例]
基板、アドレス電極、誘電体層、およびリブ材料層を有する背面板形成用部材を下記の方法により作製し、さらに下記の方法により上記リブ材料層上にレジスト層を形成した。
(1)フリット混合物の作製
下記の要領でフリット混合物の作製を行った。
・ガラスフリットMB−10A(松波硝子工業製,d50=2.6μm) …80部
・フィラー(α−アルミナRA−30(岩谷化学工業製、d50=1.0μm))
…10部
・顔料(ダイピロキサイドブラック#9510(大日精化工業製)) …10部
これらを弗素樹脂製の容器に入れ、ペイントコンディショナーRC−5000(レッドデビル社製)により15分間混合し、フリット混合物を作製した。
[Production example]
A member for forming a back plate having a substrate, an address electrode, a dielectric layer, and a rib material layer was prepared by the following method, and a resist layer was formed on the rib material layer by the following method.
(1) Preparation of frit mixture The frit mixture was prepared in the following manner.
Glass frit MB-10A (manufactured by Matsunami Glass Industry, d 50 = 2.6 μm) ... 80 parts Filler (α-alumina RA-30 (manufactured by Iwatani Chemical Industry, d 50 = 1.0 μm))
... 10 parts-Pigment (Dypyroxide Black # 9510 (manufactured by Dainichi Seika Kogyo)) ... 10 parts These are put in a fluororesin container and mixed for 15 minutes with a paint conditioner RC-5000 (manufactured by Red Devil). A frit mixture was made.

(2)リブ材料層用組成物の作製
上記フリット混合物に下記の添加物を加えて、リブ材料層用組成物を作製した。
・上記フリット混合物 …80部
・エトセルSTD−100FP(ダウ・ケミカル社製) …1.44部
・ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート(純正化学製) 9部
・スクリーンオイル759(奥野製薬工業製) …9部
これらを均一に混合した後、三本ロールミル(井上製作所製、C−4・3/4×10)にて混練しリブ材料層用組成物を作製した。
(2) Production of Rib Material Layer Composition A rib material layer composition was produced by adding the following additives to the frit mixture.
・ The above frit mixture: 80 parts ・ Etocel STD-100FP (manufactured by Dow Chemical Co., Ltd.) ... 1.44 parts ・ Diethylene glycol monobutyl ether acetate (manufactured by Junsei Kagaku) 9 parts Were uniformly mixed, and then kneaded by a three roll mill (manufactured by Inoue Seisakusho, C-4 · 3/4 × 10) to prepare a rib material layer composition.

(3)レジスト層付背面板形成用部材の作製
1030×1600mmのガラス基板上にアドレス電極としてD−590−HV−MOD(イー・エス・エル日本製)をスクリーン印刷にて電極パターン状に印刷、焼成し、膜厚2μm、線幅45μm、ピッチ170μmの電極を形成した。次に、このアドレス電極上に誘電体層としてPLS−3232(日本電気硝子製)をスクリーン印刷にて印刷し、乾燥、焼成して膜厚10μmの誘電体層を形成した。次いで、上記リブ材料層用組成物をスクリーンオイル759(奥野製薬工業製)で希釈しシェアーレート15[1/sec]、22℃で500ポイズに粘度調整し、ダイコーターによりコーティング、乾燥を行い、膜厚160μmのベタ膜を作製した。ベタ膜が形成された基板を80℃に加熱しベタ膜上に膜厚40μmドライフィルムレジスト(東京応化工業製、OSBRフィルムBF−605)をラミネートした。
(3) Production of member for forming back plate with resist layer D-590-HV-MOD (manufactured by LS Japan Co., Ltd.) is printed in an electrode pattern on a 1030 × 1600 mm glass substrate as an address electrode by screen printing. Then, an electrode having a film thickness of 2 μm, a line width of 45 μm, and a pitch of 170 μm was formed. Next, PLS-3232 (manufactured by Nippon Electric Glass) was printed on the address electrodes as a dielectric layer by screen printing, dried and fired to form a dielectric layer having a thickness of 10 μm. Next, the rib material layer composition is diluted with screen oil 759 (Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.), adjusted to a viscosity of 500 poise at a shear rate of 15 [1 / sec] and 22 ° C., coated with a die coater, and dried. A solid film having a thickness of 160 μm was prepared. The substrate on which the solid film was formed was heated to 80 ° C., and a 40 μm-thick dry film resist (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., OSBR film BF-605) was laminated on the solid film.

[実施例1]
製造例で得られたレジスト層付背面板形成用部材に、プロキシ露光機を用いてパターン露光を行った。露光のパターンは図8(a)に示す様に、縦リブ間ピッチ330μm、縦リブ幅60μm、横リブ用マスクパターンに相当する露光エリアの微細パターンは一辺が50μmの長方形、横リブ用マスクパターンの長さ方向に隣接する微細パターン同士の空隙の幅は30μmとした。なお、図8(a)は露光パターンの一部を示すものである。露光終了後、無水炭酸ナトリウム0.5%水溶液を用い、温度35℃でスプレー現像を行った。これにより、横リブ用マスクパターンとして一辺が53μmの長方形状の浮島状横リブ用マスクパターンをもつブラストマスクが形成された。
次に、平均粒径8μmの溶融アルミナA−#800(不二見研磨材工業製)を用い、圧力を0.5kgf/cmに設定し、不二製作所製の電子ディスプレイ用大型チャンバーブラスト装置にてサンドブラスト処理を行った。縦リブ間のブラストマスクの無い部分のリブ材料層が無くなるまで研削を行ったところ、縦リブに相当する部分のリブ材料層は完全に残った。一方、横リブに相当する部分は、浮島状に製版した横リブ用マスクパターンがブラスト中にリブ材料層から剥離し、途中からブラストによる研削が行われて、縦リブより高さが低くなった。これにより段差リブ形状が形成された。次いで水酸化ナトリウム1%水溶液を用いて液温30℃にてブラストマスクを剥離した。この後、ピーク温度575℃、保持時間20分、全焼成時間2時間で焼成を行った。得られた段差リブの縦リブと横リブの高さの差はおよそ35μmであった。1つの横リブ内での高さのバラツキはレンジで20μmであった。
[Example 1]
The resist layer-attached back plate forming member obtained in the production example was subjected to pattern exposure using a proxy exposure machine. As shown in FIG. 8A, the exposure pattern is a rectangular pattern having a pitch between vertical ribs of 330 μm, a vertical rib width of 60 μm, and a fine pattern of an exposure area corresponding to a mask pattern for horizontal ribs. The width of the space between the fine patterns adjacent in the length direction was 30 μm. FIG. 8A shows a part of the exposure pattern. After completion of the exposure, spray development was performed at a temperature of 35 ° C. using a 0.5% aqueous solution of anhydrous sodium carbonate. As a result, a blast mask having a rectangular floating island-shaped lateral rib mask pattern with a side of 53 μm was formed as the lateral rib mask pattern.
Next, using fused alumina A- # 800 (manufactured by Fujimi Abrasive Co., Ltd.) with an average particle size of 8 μm, the pressure was set to 0.5 kgf / cm 2 , and a large chamber blast apparatus for electronic display made by Fuji Seisakusho was used. The sandblast treatment was performed. When grinding was performed until there was no rib material layer in the portion without the blast mask between the vertical ribs, the rib material layer in the portion corresponding to the vertical ribs remained completely. On the other hand, the portion corresponding to the horizontal ribs was peeled off from the rib material layer during blasting, and the mask pattern for horizontal ribs made in a floating island shape was ground, and grinding by blasting was performed in the middle, making the height lower than the vertical ribs. . Thereby, a step rib shape was formed. Subsequently, the blast mask was peeled off using a 1% aqueous solution of sodium hydroxide at a liquid temperature of 30 ° C. Thereafter, firing was performed at a peak temperature of 575 ° C., a holding time of 20 minutes, and a total firing time of 2 hours. The difference in height between the vertical rib and the horizontal rib of the obtained step rib was about 35 μm. The variation in height within one horizontal rib was 20 μm in range.

[実施例2]
製造例で得られたレジスト層付背面板形成用部材に、プロキシ露光機を用いてパターン露光を行った。露光のパターンは図8(b)に示す様に、縦リブ間ピッチ330μm、縦リブ幅60μmとした。横リブ用マスクパターンに相当する露光エリアのうち、側部領域の微細パターンは一辺が50μmの長方形、パターン間隔は30μmとした。また内側領域の微細パターンは一辺が36μmの長方形、パターン間隔はおよそ25μmとした。なお、図8(b)は露光パターンの一部を示すものである。露光終了後、実施例1と同様にして現像を行った。これにより一辺がそれぞれ53μm、38μmの長方形状の浮島状横リブ用マスクパターンをもつブラストマスクが形成された。
次に、実施例1と同様にしてサンドブラスト処理、ブラストマスクの剥離、焼成を行った。得られた段差リブの縦リブと横リブの高さの差はおよそ40μmであった。1つの横リブ内での高さのバラツキはレンジで10μmであった。実施例1と比較して、横リブの頂部を平坦に形成できた。
[Example 2]
The resist layer-attached back plate forming member obtained in the production example was subjected to pattern exposure using a proxy exposure machine. As shown in FIG. 8B, the exposure pattern was such that the pitch between vertical ribs was 330 μm and the vertical rib width was 60 μm. Of the exposure area corresponding to the lateral rib mask pattern, the fine pattern in the side region is a rectangle with a side of 50 μm, and the pattern interval is 30 μm. The fine pattern in the inner region was a rectangle having a side of 36 μm, and the pattern interval was about 25 μm. FIG. 8B shows a part of the exposure pattern. After the exposure was completed, development was performed in the same manner as in Example 1. As a result, a blast mask having a rectangular floating island-shaped horizontal rib mask pattern with sides of 53 μm and 38 μm was formed.
Next, sandblasting, peeling of the blast mask, and baking were performed in the same manner as in Example 1. The difference in height between the vertical rib and the horizontal rib of the obtained step rib was approximately 40 μm. The variation in height within one horizontal rib was 10 μm in range. Compared with Example 1, the top of the lateral rib could be formed flat.

[実施例3]
製造例で得られたレジスト層付背面板形成用部材に、プロキシ露光機を用いてパターン露光を行った。露光のパターンは図9(a)に示す様に、縦リブ間ピッチ330μm、縦リブ幅60μmとした。横リブ用マスクパターンに相当する露光エリアのうち、側部領域の微細パターンは一辺が50μm、パターン間隔は30μmとした。また内側領域の微細パターンは一辺が50μm、パターン間隔はおよそ57μmとした。なお、図9(a)は露光パターンの一部を示すものである。露光終了後、実施例1と同様にして現像を行った。これにより一辺がそれぞれ53μm、38μmの微細パターン形状の浮島状横リブ用マスクパターンをもつブラストマスクが形成された。
次に、実施例1と同様にしてサンドブラスト処理、ブラストマスクの剥離、焼成を行った。得られた段差リブの縦リブと横リブの高さの差はおよそ40μmであった。1つの横リブ内での高さのバラツキはレンジで10μmであった。実施例1と比較して、横リブの頂部を平坦に形成できた。
[Example 3]
The resist layer-attached back plate forming member obtained in the production example was subjected to pattern exposure using a proxy exposure machine. As shown in FIG. 9A, the pattern of exposure was such that the pitch between vertical ribs was 330 μm and the vertical rib width was 60 μm. Of the exposure area corresponding to the mask pattern for lateral ribs, the fine pattern in the side region has a side of 50 μm and a pattern interval of 30 μm. The fine pattern in the inner region was 50 μm on a side and the pattern interval was about 57 μm. FIG. 9A shows a part of the exposure pattern. After the exposure was completed, development was performed in the same manner as in Example 1. As a result, a blast mask having a mask pattern for floating island-shaped horizontal ribs having a fine pattern of 53 μm and 38 μm on each side was formed.
Next, sandblasting, peeling of the blast mask, and baking were performed in the same manner as in Example 1. The difference in height between the vertical rib and the horizontal rib of the obtained step rib was approximately 40 μm. The variation in height within one horizontal rib was 10 μm in range. Compared with Example 1, the top of the lateral rib could be formed flat.

[実施例4]
製造例で得られたレジスト層付背面板形成用部材に、プロキシ露光機を用いてパターン露光を行った。露光のパターンは図9(b)に示す様に、縦リブ間ピッチ160μm、縦リブ幅50μm、横リブに相当する露光エリアの微細パターンは一辺が50μm、微細パターン間の空隙の幅は30μmとした。なお、図9(b)は露光パターンの一部を示すものである。露光終了後、実施例1と同様にして現像を行った。これにより一辺が53μmの微細パターン形状の浮島状パターンをもつブラストマスクが形成された。
次に、実施例1と同様にしてサンドブラスト処理、ブラストマスクの剥離、焼成を行った。得られた段差リブの縦リブと横リブの高さの差はおよそ30μmであった。1つの横リブ内での高さのバラツキはレンジで10μmであった。比較的狭い縦リブ間ピッチの場合でも、横リブ用マスクパターンを用いることで、段差リブを形成できた。
[Example 4]
The resist layer-attached back plate forming member obtained in the production example was subjected to pattern exposure using a proxy exposure machine. As shown in FIG. 9B, the exposure pattern has a pitch between the vertical ribs of 160 μm, the vertical rib width of 50 μm, the fine pattern of the exposure area corresponding to the horizontal rib is 50 μm on one side, and the gap width between the fine patterns is 30 μm. did. FIG. 9B shows a part of the exposure pattern. After the exposure was completed, development was performed in the same manner as in Example 1. As a result, a blast mask having a fine island-shaped floating island pattern with a side of 53 μm was formed.
Next, sandblasting, peeling of the blast mask, and baking were performed in the same manner as in Example 1. The difference in height between the vertical rib and the horizontal rib of the obtained step rib was about 30 μm. The variation in height within one horizontal rib was 10 μm in range. Even in the case of a relatively narrow pitch between vertical ribs, a step rib can be formed by using a mask pattern for horizontal ribs.

本発明のPDP用背面板の製造方法の一例を示す工程図である。It is process drawing which shows an example of the manufacturing method of the backplate for PDP of this invention. 本発明のPDP用背面板の製造方法に用いられる背面板形成用部材の製造方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of the member for backplate formation used for the manufacturing method of the backplate for PDP of this invention. 本発明に用いられる横リブ用マスクパターンを説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the mask pattern for horizontal ribs used for this invention. 従来のPDP用背面板を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the conventional back plate for PDP. 従来のPDP用背面板を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the conventional back plate for PDP. 本発明の実験例の露光マスクパターンを示す概略図であるIt is the schematic which shows the exposure mask pattern of the experiment example of this invention. 本発明の実験例の露光マスクパターンを示す概略図であるIt is the schematic which shows the exposure mask pattern of the experiment example of this invention. 本発明の実施例の露光マスクパターンを示す概略図である。It is the schematic which shows the exposure mask pattern of the Example of this invention. 本発明の実施例の露光マスクパターンを示す概略図である。It is the schematic which shows the exposure mask pattern of the Example of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

10 … 基板
20 … アドレス電極
30 … 誘電体層
42 … リブ材料層
43 … 段差リブ
43x… 縦リブ
43y… 横リブ
50 … レジスト
51… サンドブラストマスクパターン
51x… 縦リブ用マスクパターン
51y… 横リブ用マスクパターン
100 … プラズマディスプレイパネル用背面板形成用部材
101 … プラズマディスプレイパネル用背面板形成用基板
102 … プラズマディスプレイパネル用背面板
111 … 露光マスクパターン
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Board | substrate 20 ... Address electrode 30 ... Dielectric layer 42 ... Rib material layer 43 ... Step rib 43x ... Vertical rib 43y ... Horizontal rib 50 ... Resist 51 ... Sandblast mask pattern 51x ... Mask pattern for vertical ribs 51y ... Mask for horizontal ribs Pattern 100 ... Back plate forming member for plasma display panel 101 ... Back plate forming substrate for plasma display panel 102 ... Back plate for plasma display panel 111 ... Exposure mask pattern

Claims (7)

基板と、前記基板上に形成されたアドレス電極と、前記アドレス電極を覆うように形成された誘電体層と、前記誘電体層上に形成された、縦リブおよび前記縦リブよりも高さの低い横リブからなる段差リブとを有するプラズマディスプレイ用背面板の製造方法であって、
前記基板と、前記基板上に形成された前記アドレス電極と、前記アドレス電極を覆うように形成された前記誘電体層と、前記誘電体層上にリブ材料層とが形成された背面板形成用部材の前記リブ材料層上に、レジスト層を形成し、露光および現像することにより、前記リブ材料層上の前記縦リブを形成する領域に前記縦リブと同一のパターン状に形成された縦リブ用マスクパターンと、前記リブ材料層上の前記横リブを形成する領域に前記横リブのパターンと異なる非連続のパターン状に形成された横リブ用マスクパターンとからなるサンドブラストマスクを形成するブラストマスク形成工程と、
前記サンドブラストマスクが形成されたリブ材料層に対してサンドブラスト処理を行うことにより、前記縦リブおよび前記横リブを形成するサンドブラスト処理工程と、
を有することを特徴とするプラズマディスプレイパネル用背面板の製造方法。
A substrate, an address electrode formed on the substrate, a dielectric layer formed so as to cover the address electrode, a longitudinal rib formed on the dielectric layer, and a height higher than the longitudinal rib A method of manufacturing a back plate for a plasma display having a step rib made of a low lateral rib,
For forming a back plate in which the substrate, the address electrode formed on the substrate, the dielectric layer formed to cover the address electrode, and a rib material layer are formed on the dielectric layer By forming a resist layer on the rib material layer of the member, exposing and developing, a vertical rib formed in the same pattern as the vertical rib in a region where the vertical rib is formed on the rib material layer A blast mask for forming a sandblast mask comprising a mask pattern for a rib and a mask pattern for a lateral rib formed in a discontinuous pattern different from the pattern of the lateral rib in a region where the lateral rib is formed on the rib material layer Forming process;
A sandblasting process for forming the vertical ribs and the horizontal ribs by performing a sandblasting process on the rib material layer on which the sandblast mask is formed;
A method for manufacturing a back plate for a plasma display panel.
前記横リブ用マスクパターンが、浮島状の微細パターンの集合体とされていることを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル用背面板の製造方法。   2. The method for manufacturing a back plate for a plasma display panel according to claim 1, wherein the lateral rib mask pattern is an aggregate of floating island-shaped fine patterns. 前記横リブ用マスクパターンの内側領域における前記横リブ用マスクパターンの長さ方向に隣接する前記微細パターン同士のパターン間隔が、前記横リブ用マスクパターンの側部領域における前記パターン間隔より広いことを特徴とする請求項2に記載のプラズマディスプレイパネル用背面板の製造方法。   The pattern interval between the fine patterns adjacent in the length direction of the lateral rib mask pattern in the inner region of the lateral rib mask pattern is wider than the pattern interval in the side region of the lateral rib mask pattern. The manufacturing method of the back plate for plasma display panels of Claim 2 characterized by the above-mentioned. 前記横リブ用マスクパターンの内側領域における前記微細パターンの面積が、前記横リブ用マスクパターンの側部領域における前記微細パターンの面積より、小さいことを特徴とする請求項2に記載のプラズマディスプレイパネル用背面板の製造方法。   3. The plasma display panel according to claim 2, wherein an area of the fine pattern in an inner region of the lateral rib mask pattern is smaller than an area of the fine pattern in a side region of the lateral rib mask pattern. Method for manufacturing a back plate. 前記横リブ用マスクパターンの内側領域における前記微細パターンの前記パターン間隔が、前記横リブ用マスクパターンの側部領域における前記微細パターンの前記パターン間隔より広く、前記横リブ用マスクパターンの内側領域における前記微細パターンの面積が、前記横リブ用マスクパターンの側部領域における前記微細パターンの面積より、小さいことを特徴とする請求項2に記載のプラズマディスプレイパネル用背面板の製造方法。   The pattern interval of the fine pattern in the inner region of the lateral rib mask pattern is wider than the pattern interval of the fine pattern in the side region of the lateral rib mask pattern, and in the inner region of the lateral rib mask pattern. 3. The method of manufacturing a back plate for a plasma display panel according to claim 2, wherein an area of the fine pattern is smaller than an area of the fine pattern in a side region of the lateral rib mask pattern. 前記ブラストマスク形成工程前に、形成する前記横リブの高さに応じて、前記微細パターンの前記パターン間隔および面積を調整し、前記横リブ用マスクパターンの形状を決定する横リブ用マスクパターン決定工程を有することを特徴とする請求項2から請求項5までのいずれかの請求項に記載のプラズマディスプレイパネル用背面板の製造方法。   Before the blast mask forming step, the pattern spacing and area of the fine pattern are adjusted according to the height of the lateral rib to be formed, and the shape of the lateral rib mask pattern is determined. 6. The method for manufacturing a back plate for a plasma display panel according to claim 2, further comprising a step. 基板と、前記基板上に形成されたアドレス電極と、前記アドレス電極を覆うように形成された誘電体層と、前記誘電体層上に形成されたリブ材料層と、前記リブ材料層上に形成され、前記リブ材料層をサンドブラスト処理するためのサンドブラストマスクとを有するプラズマディスプレイパネル用背面板形成用基板であって、
前記サンドブラストマスクは、ライン状に複数本形成された縦リブ用マスクパターンと、隣接する前記縦リブ用マスクパターン同士を連結するライン上に非連続なパターン状に形成された横リブ用マスクパターンとから構成されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル用背面板形成用基板。
A substrate, an address electrode formed on the substrate, a dielectric layer formed to cover the address electrode, a rib material layer formed on the dielectric layer, and formed on the rib material layer And a back plate forming substrate for a plasma display panel having a sand blast mask for sand blasting the rib material layer,
The sandblast mask includes a plurality of vertical rib mask patterns formed in a line, and a horizontal rib mask pattern formed in a discontinuous pattern on a line connecting adjacent vertical rib mask patterns. A substrate for forming a back plate for a plasma display panel, comprising:
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