JP2009170166A - Manufacturing method of back plate for plasma display panel, back plate for plasma display panel, and laminate used for manufacture of back plate for plasma display panel - Google Patents

Manufacturing method of back plate for plasma display panel, back plate for plasma display panel, and laminate used for manufacture of back plate for plasma display panel Download PDF

Info

Publication number
JP2009170166A
JP2009170166A JP2008004751A JP2008004751A JP2009170166A JP 2009170166 A JP2009170166 A JP 2009170166A JP 2008004751 A JP2008004751 A JP 2008004751A JP 2008004751 A JP2008004751 A JP 2008004751A JP 2009170166 A JP2009170166 A JP 2009170166A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
rib
rib layer
layer
blast
uneven
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2008004751A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hirohisa Hara
博 久 原
Shinichi Sakano
野 真 一 坂
Naomichi Miyagawa
川 直 通 宮
Yuji Anzai
在 祐 二 安
Kazukimi Kawahara
原 一 公 川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DAP Technology KK
Original Assignee
DAP Technology KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by DAP Technology KK filed Critical DAP Technology KK
Priority to JP2008004751A priority Critical patent/JP2009170166A/en
Publication of JP2009170166A publication Critical patent/JP2009170166A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method capable of manufacturing a back plate for plasma display panel having level difference matrix ribs easily and accurately. <P>SOLUTION: The manufacturing method comprises a process to form a rib layer 40 on a rib-forming substrate 20, a process to form a rib layer with concavo-convex 45 from the rib layer by injecting a blast material 75, and a process to form a level difference matrix rib 30 from the rib layer with concavo-convex 45 by injecting the blast material 75. The rib layer with concavo-convex 45 includes a plurality of linear projection parts 46 extending along a first direction. The level difference matrix rib 30 includes a plurality of first ribs 34 which include the linear projection parts and extend along the first direction and a plurality of second ribs 38 which extend along a second direction between the first ribs and are lower than the first ribs. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、複数の第1リブおよび第1リブ間を延びる複数の第2リブを含むマトリクスリブを有するプラズマディスプレイパネル用背面板を製造する方法に係り、とりわけ、第2リブが第1リブよりも低くなっている段差マトリクスリブを有するプラズマディスプレイパネル用背面板を容易かつ精度良く製造することができる製造方法に関する。   The present invention relates to a method of manufacturing a back plate for a plasma display panel having a plurality of first ribs and a matrix rib including a plurality of second ribs extending between the first ribs. The present invention relates to a manufacturing method that can easily and accurately manufacture a back plate for a plasma display panel having a stepped matrix rib that is low.

また、本発明は、プラズマディスプレイパネル用背面板、および、プラズマディスプレイパネル用背面板の製造に用いられる積層体に関する。   Moreover, this invention relates to the laminated body used for manufacture of the backplate for plasma display panels, and the backplate for plasma display panels.

プラズマディスプレイパネル(以下、PDPとも呼ぶ)に用いられる背面板は、リブ形成用基板と、リブ形成用基板上に所定のパターンで配列されたリブと、リブ形成用基板およびリブの側面上に形成された蛍光体層と、を有している。一般的に、リブ形成用基板は、ガラス基板と、ガラス基板上に配列された電極(アドレス電極とも呼ばれる)と、電極を覆うようにしてガラス基板上に積層された誘電体層と、を含んでいる。   A back plate used in a plasma display panel (hereinafter also referred to as PDP) is formed on a rib forming substrate, ribs arranged in a predetermined pattern on the rib forming substrate, and the rib forming substrate and rib side surfaces. A phosphor layer. In general, a rib forming substrate includes a glass substrate, electrodes arranged on the glass substrate (also referred to as address electrodes), and a dielectric layer laminated on the glass substrate so as to cover the electrodes. It is out.

この背面板は、電極を有する前面板と重ね合われて、PDPを構成するようになる。背面板と前面板との間の空間は、一旦排気された後にキセノン等の希ガスを充填され、放電空間として機能する。この放電空間でプラズマ放電を起こすと、紫外線が発生し、この紫外線が蛍光体に到達すると可視光が発生する。そして、放電空間での放電を制御することにより、PDPが表示装置として機能するようになる。   The back plate is overlapped with the front plate having electrodes to form a PDP. The space between the back plate and the front plate is once evacuated and then filled with a rare gas such as xenon and functions as a discharge space. When plasma discharge occurs in this discharge space, ultraviolet rays are generated, and visible light is generated when the ultraviolet rays reach the phosphor. By controlling the discharge in the discharge space, the PDP functions as a display device.

従来のPDP用背面板として、ストライプ状のリブを有した背面板や、複数の第1リブおよび第1リブと交差する複数の第2リブからなるマトリクス状のリブを有した背面板が、用いられてきた。このうち、マトリクスリブによれば、ストライプリブと比較して蛍光体を支持する面積を広げることが可能となる。このため、マトリクスリブを有する背面板は、輝度向上の観点において優れている。   As a conventional PDP back plate, a back plate having striped ribs or a back plate having matrix-shaped ribs composed of a plurality of first ribs and a plurality of second ribs intersecting with the first ribs is used. Has been. Among these, the matrix rib can increase the area for supporting the phosphor as compared with the stripe rib. For this reason, the back plate having matrix ribs is excellent in terms of improving luminance.

一方、近年においては、第2リブが第1リブよりも低くなっている段差マトリクスリブを有した背面板が注目を集めている(例えば、特許文献1および特許文献2)。この段差マトリクスリブを有した背面板は、蛍光体の支持面積を増やせるだけでなく、前面板と重ね合わせた後の排気工程を容易に行うことができる、といった利点も有している。
特開平7−282730号公報 特許第3440907号
On the other hand, in recent years, back plates having stepped matrix ribs in which the second ribs are lower than the first ribs have attracted attention (for example, Patent Documents 1 and 2). The back plate having the step matrix ribs has an advantage that not only the support area of the phosphor can be increased, but also the exhaust process after being superimposed on the front plate can be easily performed.
JP-A-7-282730 Japanese Patent No. 3440907

ところで、背面板の製造、前面板の製造および背面板と前面板との組み合わせ等を含むプラズマディスプレイパネルの全製造工程内において、所定の寸法精度内のリブを形成することは、最も困難な工程のうちの一つとなっている。しかも、段差マトリクスリブの作製は、ストライプリブや通常のマトリクスリブの作製と比較して、極めて複雑かつ困難となっている。このため、PDPの製造において、段差マトリクスリブを如何に容易に形成するかが、極めて重要な技術的課題となっている。   By the way, in the entire manufacturing process of the plasma display panel including the manufacturing of the back plate, the manufacturing of the front plate and the combination of the back plate and the front plate, it is the most difficult process to form the rib within the predetermined dimensional accuracy. It has become one of In addition, the production of the stepped matrix rib is extremely complicated and difficult as compared with the production of the stripe rib and the normal matrix rib. For this reason, in manufacturing the PDP, how to easily form the step matrix ribs is an extremely important technical issue.

特許文献1の第3実施形態では、流動性を有したペーストの塗布およびペーストの乾燥(レジスト層の形成)、レジストパターニング(製版)、パターニングされたレジストをブラストマスクとして用いたブラスト加工、ブラストマスクの除去といった一連の作業を、二回繰り返すことにより、リブ形成用基板上に段差マトリクスリブを形成している。この方法によれば、一回目のブラスト加工によって凹凸を形成された被加工層上に、流動性を有したペーストが延び広がることができる。しかしながら、レジスト層の表面を平坦にすることができるものの、被加工層の凹凸によってレジスト層の厚みは一定とはならない。このため、形成されたレジスト層のパターニング精度が低下してしまう。そもそも、ペーストの塗布およびペーストの乾燥によってレジスト層を形成することは、ドライフィルムレジスト(DFR)を用いることと比較して、極めて煩雑であるとともに、装置も大型化かつ複雑化してしまう。そして、この結果、PDP用背面板の製造コストの上昇を招いてしまう。フラットパネルディスプレイ全分野において低価格化が強く要望されている今日において、このことは極めて深刻な問題となる。   In the third embodiment of Patent Document 1, application of paste having fluidity and drying of the paste (formation of resist layer), resist patterning (plate making), blasting using the patterned resist as a blast mask, and blast mask The step matrix ribs are formed on the rib forming substrate by repeating a series of operations such as removal of the ribs twice. According to this method, the paste having fluidity can be spread and spread on the layer to be processed in which the irregularities are formed by the first blasting. However, although the surface of the resist layer can be flattened, the thickness of the resist layer is not constant due to the unevenness of the layer to be processed. For this reason, the patterning precision of the formed resist layer will fall. In the first place, forming a resist layer by applying a paste and drying the paste is extremely complicated as compared to using a dry film resist (DFR), and the apparatus becomes large and complicated. As a result, the manufacturing cost of the back plate for PDP increases. This is a very serious problem in today's market where there is a strong demand for lower prices in all flat panel displays.

その一方で、特許文献2の第1実施形態にように、DFRの積層および製版により、一回目のブラスト加工で凹凸を形成された被加工層上に、二回目のブラスト加工用のブラストマスクを形成する場合にも、種々の不具合が生じ得る。例えば、一回目のブラスト加工によって形成された凹凸に起因し、DFRが部分的に潰れてしまう。また、ラミネート圧力によって、DFRの厚みが、被加工層の凹部上と凸部上との間で相違してしまう。この結果、DFRの製版を精度良く行うことができなくなってしまう。   On the other hand, as in the first embodiment of Patent Document 2, a blast mask for the second blasting process is formed on the processed layer on which the irregularities are formed by the first blasting process by DFR lamination and plate making. Also when forming, various malfunctions may occur. For example, the DFR is partially crushed due to the unevenness formed by the first blasting. Moreover, the thickness of DFR will differ between the recessed part and convex part of a to-be-processed layer by lamination pressure. As a result, DFR plate making cannot be performed with high accuracy.

本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、段差マトリクスリブを有するプラズマディスプレイパネル用背面板を容易かつ精度良く製造することができる製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in consideration of such points, and an object of the present invention is to provide a manufacturing method capable of easily and accurately manufacturing a back panel for a plasma display panel having stepped matrix ribs.

また、本発明は、容易かつ精度良く製造され得るプラズマディスプレイパネル用背面板を提供することを目的とする。   Another object of the present invention is to provide a back plate for a plasma display panel that can be easily and accurately manufactured.

さらに、本発明は、ディスプレイパネル用背面板を製造する際に用いられる積層体であって、プラズマディスプレイパネル用背面板を容易かつ精度良く製造することを可能とする積層体に関する。   Furthermore, the present invention relates to a laminate used for manufacturing a display panel back plate, which can easily and accurately manufacture a plasma display panel back plate.

本発明による第1のプラズマディスプレイパネル用背面板の製造方法は、リブ形成用基板上にリブ層を形成する工程と、前記リブ層上に第1のドライフィルムレジストを積層する工程と、前記第1のドライフィルムレジストをパターニングして、前記リブ形成用基板上の第1方向に沿って延びる複数の線状部を含む第1ブラストマスクを、前記リブ層上に形成する工程と、前記第1ブラストマスク側から前記リブ層へブラスト材を噴射して、前記リブ層のうちの前記第1ブラストマスクに覆われていない部分を、その全厚み未満の厚み分だけ、削り、第1方向に沿って延びる複数の線状突出部を含む凹凸付リブ層を形成する工程と、前記凹凸付リブ層上から前記第1ブラストマスクを除去する工程と、前記凹凸付リブ層上に第2のドライフィルムレジストを積層する工程と、前記第2のドライフィルムレジストをパターニングして、前記第1方向に沿って延びる複数の第1パターン部と、前記第1方向と交差する前記リブ形成用基板上の第2方向に沿って第1パターン部間を延びる複数の第2パターン部と、を含む第2ブラストマスクを、前記凹凸付リブ層上に形成する工程と、前記第2ブラストマスク側から前記リブ層へブラスト材を噴射して、前記線状突出部を含み前記第1方向に沿って延びる複数の第1リブと、前記第2方向に沿って前記第1リブ間を延び、前記リブ形成用基板からの高さが前記第1リブよりも低い複数の第2リブと、を含む段差マトリクスリブを形成する工程と、を備え、前記第2ブラストマスクの前記第1パターン部の幅は、前記第1ブラストマスクの前記線状部の幅よりも狭いことを特徴とする。   A first method for manufacturing a back plate for a plasma display panel according to the present invention includes a step of forming a rib layer on a rib forming substrate, a step of laminating a first dry film resist on the rib layer, Patterning one dry film resist to form a first blast mask including a plurality of linear portions extending along a first direction on the rib forming substrate on the rib layer; A blast material is sprayed from the blast mask side to the rib layer, and a portion of the rib layer that is not covered with the first blast mask is shaved by a thickness less than the total thickness, along the first direction. Forming a concavo-convex rib layer including a plurality of linear protrusions extending, a step of removing the first blast mask from the concavo-convex rib layer, and a second dry film on the concavo-convex rib layer. Laminating a photoresist, patterning the second dry film resist, a plurality of first pattern portions extending along the first direction, and a first pattern on the rib forming substrate intersecting the first direction. A step of forming a second blast mask including a plurality of second pattern portions extending between the first pattern portions along two directions on the uneven rib layer, and the rib layer from the second blast mask side. A plurality of first ribs including the linear protrusions and extending along the first direction, and extending between the first ribs along the second direction, and the rib forming substrate. Forming a step matrix rib including a plurality of second ribs having a height from the first rib lower than the first rib, and the width of the first pattern portion of the second blast mask is set to 1 blast mask Characterized in that narrower than the width of the serial linear portion.

本発明による第1のプラズマディスプレイパネル用背面板の製造方法の前記第2のドライフィルムレジストを積層する工程において、前記凹凸付リブ層の前記線状突出部に接触するとともに隣り合う二つの線状突出部の間においても前記凹凸付リブ層に接触するようにして、第2のドライフィルムレジストが前記凹凸付リブ層上に積層されてもよい。   In the step of laminating the second dry film resist of the first method for manufacturing a back plate for a plasma display panel according to the present invention, two linear shapes that are in contact with and adjacent to the linear protrusions of the uneven rib layer. The second dry film resist may be laminated on the uneven rib layer so as to be in contact with the uneven rib layer even between the protrusions.

本発明による第2のプラズマディスプレイパネル用背面板の製造方法は、リブ形成用基板上にリブ層を形成する工程と、前記リブ層上に第1のドライフィルムレジストを積層する工程と、前記第1のドライフィルムレジストをパターニングして、前記リブ形成用基板上の第1方向に沿って延びる複数の線状部を含む第1ブラストマスクを、前記リブ層上に形成する工程と、前記第1ブラストマスク側から前記リブ層へブラスト材を噴射して、前記リブ層のうちの前記第1ブラストマスクに覆われていない部分を、その全厚み未満の厚み分だけ、削り、第1方向に沿って延びる複数の線状突出部を含む凹凸付リブ層を形成する工程と、前記凹凸付リブ層上から前記第1ブラストマスクを除去する工程と、前記凹凸付リブ層の前記線状突出部に接触するとともに隣り合う二つの線状突出部の間においても前記凹凸付リブ層に接触するようにして、第2のドライフィルムレジストを前記凹凸付リブ層上に積層する工程と、前記第2のドライフィルムレジストをパターニングして、前記第1方向に沿って延びる複数の第1パターン部と、前記第1方向と交差する前記リブ形成用基板上の第2方向に沿って第1パターン部間を延びる複数の第2パターン部と、を含む第2ブラストマスクを、前記凹凸付リブ層上に形成する工程と、前記第2ブラストマスク側から前記リブ層へブラスト材を噴射して、前記線状突出部を含み前記第1方向に沿って延びる複数の第1リブと、前記第2方向に沿って前記第1リブ間を延び、前記リブ形成用基板からの高さが前記第1リブよりも低い複数の第2リブと、を含む段差マトリクスリブを形成する工程と、を備えることを特徴とする。   A second method for manufacturing a back plate for a plasma display panel according to the present invention includes a step of forming a rib layer on a rib forming substrate, a step of laminating a first dry film resist on the rib layer, Patterning one dry film resist to form a first blast mask including a plurality of linear portions extending along a first direction on the rib forming substrate on the rib layer; A blast material is sprayed from the blast mask side to the rib layer, and a portion of the rib layer that is not covered with the first blast mask is shaved by a thickness less than the total thickness, along the first direction. Forming a concavo-convex rib layer including a plurality of linear protrusions extending in a step, removing the first blast mask from the concavo-convex rib layer, and forming the ridge protrusion on the concavo-convex rib layer. Contact And laminating a second dry film resist on the uneven rib layer so as to be in contact with the uneven rib layer between two adjacent linear protrusions, and the second dry The film resist is patterned to extend between the first pattern portions extending along the first direction and between the first pattern portions along the second direction on the rib forming substrate that intersects the first direction. A step of forming a second blast mask including a plurality of second pattern portions on the uneven rib layer; and jetting a blast material from the second blast mask side to the rib layer to form the linear protrusion A plurality of first ribs including a portion extending along the first direction, and extending between the first ribs along the second direction, the height from the rib forming substrate being lower than the first rib. A plurality of second ribs and Forming a stepped matrix rib comprising, characterized in that it comprises a.

本発明による第1または第2のプラズマディスプレイパネル用背面板の製造方法において、前記第2ブラストマスクの前記第2パターン部は、前記第1パターン部に接続する両端部の間の中間部において、前記凹凸付リブ層に接触するようにしてもよい。   In the first or second method for manufacturing a back plate for a plasma display panel according to the present invention, the second pattern portion of the second blast mask is at an intermediate portion between both ends connected to the first pattern portion. You may make it contact the said uneven | corrugated rib layer.

また、本発明による第1または第2のプラズマディスプレイパネル用背面板の製造方法において、前記凹凸付リブ層を形成する工程において単位時間に噴射されるブラスト材の噴射量は、前記段差マトリクスリブを形成する工程において単位時間に噴射されるブラスト材の噴射量の1/100以上1/5以下であるようにしてもよい。   Further, in the first or second method for manufacturing a back plate for a plasma display panel according to the present invention, the injection amount of the blast material injected per unit time in the step of forming the uneven rib layer is the step matrix rib. You may make it be 1/100 or more and 1/5 or less of the injection quantity of the blast material injected in unit time in the process to form.

さらに、本発明による第1または第2のプラズマディスプレイパネル用背面板の製造方法において、前記リブ層を形成する工程は、前記リブ形成用基板上に第1リブ層を形成する工程と、前記第1リブ層上に、前記第1リブ層よりもブラスト加工性の低い第2リブ層を形成する工程と、前記第2リブ層上に、前記第2リブ層よりもブラスト加工性の高い第3リブ層を形成する工程と、を有し、前記凹凸付リブ層を形成する工程において、前記第3リブ層が削られ、前記第2のドライフィルムレジストを前記凹凸付リブ層上に積層する工程において、前記第2のドライフィルムは、前記隣り合う二つの線状突出部の間において前記第2リブ層に接触するように配置されてもよい。   Furthermore, in the first or second method for manufacturing a back plate for a plasma display panel according to the present invention, the step of forming the rib layer includes the step of forming the first rib layer on the rib forming substrate, Forming a second rib layer having a lower blast workability than the first rib layer on the first rib layer; and a third having a higher blast workability than the second rib layer on the second rib layer. Forming a rib layer, and in the step of forming the uneven rib layer, the third rib layer is shaved and the second dry film resist is laminated on the uneven rib layer. The second dry film may be disposed so as to contact the second rib layer between the two adjacent linear protrusions.

このような本発明による第1または第2のプラズマディスプレイパネル用背面板の製造方法において、前記第1リブ層のブラスト加工性は、前記第3リブ層のブラスト加工性よりも高くしてもよい。また、このような本発明による第1または第2のプラズマディスプレイパネル用背面板の製造方法において、前記第1リブ層のブラスト加工性は、前記第2リブ層のブラスト加工性の1.5倍以上100倍以下であるようにしてもよい。さらに、本発明による第1または第2のプラズマディスプレイパネル用背面板の製造方法において、前記第3リブ層のブラスト加工性は、前記第2リブ層のブラスト加工性の1.1倍以上20倍以下であるようにしてもよい。   In the first or second plasma display panel manufacturing method according to the present invention, the blast workability of the first rib layer may be higher than the blast workability of the third rib layer. . In the first or second method for manufacturing a back plate for a plasma display panel according to the present invention, the blast workability of the first rib layer is 1.5 times the blast workability of the second rib layer. It may be 100 times or less. Further, in the first or second method for manufacturing a back plate for a plasma display panel according to the present invention, the blasting property of the third rib layer is 1.1 times or more and 20 times the blasting property of the second rib layer. You may make it be the following.

本発明によるプラズマディスプレイパネル用背面板は、上述したいずれかの製造方法によって製造されることを特徴とする。   The back plate for a plasma display panel according to the present invention is manufactured by any one of the manufacturing methods described above.

本発明による第1の積層体は、ブラスト加工を用いてプラズマディスプレイパネル用背面板を製造する際に用いられる積層体であって、リブ形成用基板と、前記リブ形成用基板上に形成され、前記リブ形成用基板上の第1方向に沿って延びる複数の線状突出部を含む凹凸付リブ層と、前記凹凸付リブ層上に積層されたドライフィルムレジストと、を備え、前記ドライフィルムレジストは、前記凹凸付リブ層の前記線状突出部に接触するとともに隣り合う二つの線状突出部の間においても前記凹凸付リブ層に接触していることを特徴とする。   A first laminate according to the present invention is a laminate used when manufacturing a back panel for a plasma display panel using blasting, and is formed on a rib forming substrate and the rib forming substrate, The dry film resist comprising: an uneven rib layer including a plurality of linear protrusions extending along a first direction on the rib forming substrate; and a dry film resist laminated on the uneven rib layer. Is in contact with the linear protrusion of the uneven rib layer, and is also in contact with the uneven rib layer between two adjacent linear protrusions.

本発明による第2の積層体は、ブラスト加工を用いてプラズマディスプレイパネル用背面板を製造する際に用いられる積層体であって、リブ形成用基板と、前記リブ形成用基板上に形成され、前記リブ形成用基板上の第1方向に沿って延びる複数の線状突出部を含む凹凸付リブ層と、前記凹凸付リブ層上に形成されたブラストマスクと、を備え、前記ブラストマスクは、前記凹凸付リブ層の前記線状突出部に接触するとともに隣り合う二つの線状突出部の間においても前記凹凸付リブ層に接触していることを特徴とする。   The second laminate according to the present invention is a laminate used when manufacturing a back plate for a plasma display panel using blasting, and is formed on a rib forming substrate and the rib forming substrate, An uneven rib layer including a plurality of linear protrusions extending along a first direction on the rib forming substrate, and a blast mask formed on the uneven rib layer, the blast mask comprising: In addition to being in contact with the linear protrusions of the uneven rib layer, the uneven rib layer is also in contact between two adjacent linear protrusions.

本発明による第2の積層体において、前記ブラストマスクは、前記第1方向に沿って延びる複数の第1パターン部と、前記第1方向と交差する前記リブ形成用基板上の第2方向に沿って第1パターン部間を延びる複数の第2パターン部と、を含み、前記第1パターン部は、前記凹凸付リブ層の前記線状突出部上に配置され、前記第2パターン部は、前記第1パターン部に接続する両端部の間の中間部において、前記凹凸付リブ層に接触しているようにしてもよい。   In the second laminate according to the present invention, the blast mask extends along a second direction on the rib forming substrate that intersects the first direction with a plurality of first pattern portions extending along the first direction. A plurality of second pattern portions extending between the first pattern portions, wherein the first pattern portions are disposed on the linear protrusions of the uneven rib layer, and the second pattern portions are You may make it contact the said uneven | corrugated rib layer in the intermediate part between the both ends connected to a 1st pattern part.

また、本発明による第2の積層体において、前記ブラストマスクは、前記第1方向に沿って延びる複数の第1パターン部と、前記第1方向と交差する前記リブ形成用基板上の第2方向に沿って第1パターン部間を延びる複数の第2パターン部と、を含み、前記第1パターン部の幅は、前記線状突出部の平坦な端面の幅よりも狭くなっていてもよい。   In the second laminate according to the present invention, the blast mask has a plurality of first pattern portions extending along the first direction, and a second direction on the rib forming substrate that intersects the first direction. A plurality of second pattern portions extending between the first pattern portions along the first and second pattern portions, wherein the width of the first pattern portion may be narrower than the width of the flat end surface of the linear protrusion.

本発明によれば、第2ブラストマスクの第1パターン部の幅は、第1ブラストマスクの線状部の幅よりも狭くなっている。このため、精度良くパターニングされた第2ブラストマスクが凹凸付リブ層上に形成され得る。この結果、所望の形状の段差マトリクスリブを有したプラズマディスプレイパネル用背面板を容易かつ精度良く製造することができる。   According to the present invention, the width of the first pattern portion of the second blast mask is narrower than the width of the linear portion of the first blast mask. For this reason, the 2nd blast mask patterned accurately can be formed on an uneven | corrugated rib layer. As a result, it is possible to easily and accurately manufacture a back panel for a plasma display panel having a stepped matrix rib having a desired shape.

発明を実施するための形態BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。なお、本件明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比を、実物のそれと変更し誇張してある。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings attached to the present specification, for the sake of illustration and ease of understanding, the scale and vertical / horizontal dimension ratios are appropriately changed and exaggerated as appropriate.

図1乃至図16は本発明によるプラズマディスプレイパネル用背面板の製造方法の一実施の形態を説明するための図である。   FIG. 1 to FIG. 16 are views for explaining an embodiment of a method for manufacturing a back plate for a plasma display panel according to the present invention.

<PDP用背面板>
このうち図1および図2は、プラズマディスプレイパネル用背面板の製造方法により製造され得るプラズマディスプレイパネル用背面板の一例を示す斜視図および断面図である。また、図3は、図1および図2に示されたプラズマディスプレイパネル用背面板のリブ形成用基板を説明するための図である。なお、図1は、プラズマディスプレイパネル用背面板の中央部における一部分を示す部分斜視図である。また、図2に示された断面は、図1のII−II線に沿った断面に対応している。まず、図1乃至図3を参照して、本実施の形態による製造方法を用いて製造され得るプラズマディスプレイパネル用背面板(以下において、PDP用背面板とも呼ぶ)について説明する。
<Back plate for PDP>
Among these, FIG. 1 and FIG. 2 are a perspective view and a sectional view showing an example of a back plate for a plasma display panel that can be manufactured by a method for manufacturing a back plate for a plasma display panel. FIG. 3 is a view for explaining a rib forming substrate of the back plate for the plasma display panel shown in FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a partial perspective view showing a part of the central portion of the plasma display panel back plate. Moreover, the cross section shown by FIG. 2 respond | corresponds to the cross section along the II-II line | wire of FIG. First, a plasma display panel back plate (hereinafter also referred to as a PDP back plate) that can be manufactured using the manufacturing method according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.

図1および図2に示すように、PDP用背面板10は、リブを支持するようになる部材である板状のリブ形成用基板(背面板用基板)20と、リブ形成用基板20の一方の面20a上に形成された段差マトリクスリブ30と、を有している。また、図2に示すように、PDP用背面板10は、リブ形成用基板20の一方の面20a上および段差マトリクスリブ30の側面上に形成された蛍光体層18を、さらに有している。   As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the PDP back plate 10 includes a plate-shaped rib forming substrate (back plate substrate) 20 that is a member that supports the ribs, and one of the rib forming substrates 20. Step matrix ribs 30 formed on the surface 20a. As shown in FIG. 2, the PDP back plate 10 further includes a phosphor layer 18 formed on one surface 20 a of the rib forming substrate 20 and on the side surface of the step matrix rib 30. .

まず、リブ形成用基板20について説明する。リブ形成用基板20は、PDP用背面板に用いられ得る種々の既知なリブ形成用基板を用いることができる。   First, the rib forming substrate 20 will be described. As the rib forming substrate 20, various known rib forming substrates that can be used for the back plate for PDP can be used.

一例として、図3(a)および図3(b)に示すように、リブ形成用基板20は、板状の支持基板22と、支持基板22の一方の面上の所定の領域に形成された電極24と、支持基板22の一方の面上に積層された誘電体層26と、を含んでいる。支持基板22は、焼成工程における加熱を考慮して、耐熱性を有する材料、例えばガラスから構成される。図3(a)に示すように、電極24は、いわゆるアドレス電極として機能するよう、支持基板22の一方の面上にストライプ状の形態で配置され得る。このような電極24は、種々の導電性材料、例えば銀から構成され得る。また、誘電体26は、アドレス電極24を覆うようにして、所定の誘電率を有する材料を支持基板22の一方の面上に成膜することによって、形成され得る。   As an example, as shown in FIGS. 3A and 3B, the rib forming substrate 20 is formed in a plate-like support substrate 22 and a predetermined region on one surface of the support substrate 22. An electrode 24 and a dielectric layer 26 laminated on one surface of the support substrate 22 are included. The support substrate 22 is made of a heat-resistant material, for example, glass in consideration of heating in the firing process. As shown in FIG. 3A, the electrodes 24 can be arranged in a striped form on one surface of the support substrate 22 so as to function as so-called address electrodes. Such an electrode 24 may be composed of various conductive materials such as silver. The dielectric 26 can be formed by depositing a material having a predetermined dielectric constant on one surface of the support substrate 22 so as to cover the address electrodes 24.

なお、図3に示されたリブ形成用基板20は、以下のようにして製造され得る。まず、ガラス等からなる支持基板22を準備し、この支持基板22の一方の面上に感光性材料を含んだ導電性ペーストからなる層を形成する。このときの塗布装置としては、スクリーン印刷機や種々のコーター等の既知の装置を採用することができる。その後、フォトリソグラフィー技術を用いた露光および現像を行い、導電性ペースト層を所望のパターンにパターニングする。次に、焼成により銀ペーストを焼結することにより、支持基板22上に電極24が形成される(図3(a)参照)。   The rib forming substrate 20 shown in FIG. 3 can be manufactured as follows. First, a support substrate 22 made of glass or the like is prepared, and a layer made of a conductive paste containing a photosensitive material is formed on one surface of the support substrate 22. As the coating device at this time, known devices such as a screen printing machine and various coaters can be employed. Thereafter, exposure and development using a photolithography technique are performed, and the conductive paste layer is patterned into a desired pattern. Next, the electrode 24 is formed on the support substrate 22 by sintering the silver paste by firing (see FIG. 3A).

その後、所望の誘電率を有する材料を、電極24を覆うようにして支持基板22の一方の面上に塗工する。このとき、スクリーン印刷機や種々のコーター等の種々の既知な機器を用いて、支持基板22上に成膜することができる。その後、焼成を行うことによって、所望の誘電率を有する材料から誘電体層26が形成されるようになる。以上のようにして、図3(b)に示されたリブ形成用基板20が得られる。   Thereafter, a material having a desired dielectric constant is applied on one surface of the support substrate 22 so as to cover the electrode 24. At this time, the film can be formed on the support substrate 22 using various known devices such as a screen printing machine and various coaters. Thereafter, the dielectric layer 26 is formed from a material having a desired dielectric constant by firing. As described above, the rib forming substrate 20 shown in FIG. 3B is obtained.

次に、段差マトリクスリブ30について説明する。段差マトリクスリブ30は、PDP用背面板に用いられ得る種々の既知な構成を取り得る。段差マトリクスリブ30は、リブ形成用基板20の一方の面20a上、図示する例においては、誘電体層26上に形成されている。図1に示すように、段差マトリクスリブ30は、リブ形成用基板20の板面上の第1方向に沿って延びる第1リブ34と、第1方向と交差するリブ形成用基板20の板面上の第2方向に沿って延びる第2リブ38と、を有している。第1リブ34は、第1方向に直交する方向に沿って略一定の間隔を空け、複数形成されている。第2リブ38は、隣り合う二つの第1リブ34間を第2方向に沿って延びている。第2リブ38は、第2方向に直交する方向に沿って略一定の間隔を空けて複数形成されている。   Next, the step matrix rib 30 will be described. The step matrix rib 30 can take various known configurations that can be used for the PDP back plate. The step matrix ribs 30 are formed on one surface 20 a of the rib forming substrate 20, in the illustrated example, on the dielectric layer 26. As shown in FIG. 1, the step matrix rib 30 includes a first rib 34 extending along a first direction on the plate surface of the rib forming substrate 20 and a plate surface of the rib forming substrate 20 intersecting the first direction. And a second rib 38 extending along the second direction. A plurality of first ribs 34 are formed at substantially constant intervals along a direction orthogonal to the first direction. The second rib 38 extends between the two adjacent first ribs 34 in the second direction. A plurality of second ribs 38 are formed at substantially constant intervals along a direction orthogonal to the second direction.

本発明において必須ではないが、図示する例において、第1方向および第2方向は互いに直交している。なお、本願において、「交差」とは、直角に交わること(直交すること)、および、90°以外の角度で互いに傾斜して交わること、の両方を含むものとする。   Although not essential in the present invention, in the illustrated example, the first direction and the second direction are orthogonal to each other. In the present application, “intersection” includes both intersecting at right angles (perpendicular) and intersecting at an angle other than 90 °.

そして、図1および図2に示すように、第2リブ38のリブ形成用基板20からの高さ(より厳密には、リブ形成用基板20の板面の法線に沿った第2リブ38の基端部から頂部までの長さ)は、第1リブ34のリブ形成用基板20からの高さよりも低くなっている。第1リブ34の高さと第2リブ38の高さの差は、上述したように、完成したPDP用背面板10をPDP用前面板と組み合わせた後に、隣り合う二つの第1リブ34間の全域を、第1方向における一方の側または両側から排気することができる程度に設定され得る。また、第2リブ38の高さは、蛍光体の支持面積を十分に増大させることを可能とし得るように、設定され得る。一例として、第2リブ38の高さを、第1リブ34の高さの1/5〜95/100程度に設定することができる。   1 and 2, the height of the second rib 38 from the rib forming substrate 20 (more precisely, the second rib 38 along the normal of the plate surface of the rib forming substrate 20). The length from the base end part to the top part of the first rib 34 is lower than the height of the first rib 34 from the rib forming substrate 20. The difference between the height of the first rib 34 and the height of the second rib 38 is, as described above, between the two adjacent first ribs 34 after combining the completed PDP back plate 10 with the PDP front plate. The entire region can be set to such an extent that it can be exhausted from one side or both sides in the first direction. In addition, the height of the second rib 38 can be set so as to make it possible to sufficiently increase the support area of the phosphor. As an example, the height of the second rib 38 can be set to about 1/5 to 95/100 of the height of the first rib 34.

また、第1リブ34および第2リブ38の具体的な形状や寸法については、PDP用背面板に用いられ得る種々の既知な構成を取り得る。例えば、第1リブ34および第2リブ38は、その長手方向に直交する断面において、四角形形状、より厳密には台形形状、さらに厳密には等脚台形形状とすることができる。また、第1リブ34および第2リブ38の焼成後における頂部(リブ形成用基板20から離れる側の部分)の幅は、5μm〜120μmとすることができる。さらに、第1リブ34および第2リブ38の配置ピッチは、50μm〜2000μmとすることができる。さらに、第1リブ34および第2リブ38の焼成後における高さは、20μm〜300μmとすることができる。   Moreover, about the specific shape and dimension of the 1st rib 34 and the 2nd rib 38, the various known structure which can be used for the backplate for PDP can be taken. For example, the first rib 34 and the second rib 38 can have a quadrangular shape, more strictly a trapezoidal shape, more strictly an isosceles trapezoidal shape, in a cross section orthogonal to the longitudinal direction. Moreover, the width | variety of the top part (part on the side away from the board | substrate 20 for rib formation) after baking of the 1st rib 34 and the 2nd rib 38 can be 5 micrometers-120 micrometers. Furthermore, the arrangement pitch of the 1st rib 34 and the 2nd rib 38 can be 50 micrometers-2000 micrometers. Furthermore, the height after baking of the 1st rib 34 and the 2nd rib 38 can be 20 micrometers-300 micrometers.

このような段差マトリクスリブ30は、後述する製造方法に対応し、例えば、ガラスフリットと無機粉体とを含む混合物から構成される。   Such a step matrix rib 30 corresponds to a manufacturing method described later, and is composed of, for example, a mixture containing glass frit and inorganic powder.

蛍光体層18は、隣り合う二つの第1リブ34および隣り合う二つの第2リブ38によって囲まれたリブ形成用基板20の一方の面20a上、第1リブ34の側面上、および、第2リブ38の側面上に支持されている。蛍光体層18の構成は、PDP用背面板に用いられ得る種々の既知な構成を採用することができる。   The phosphor layer 18 is formed on the one surface 20a of the rib forming substrate 20 surrounded by the two adjacent first ribs 34 and the two adjacent second ribs 38, on the side surface of the first rib 34, and on the first surface. 2 is supported on the side surface of the rib 38. As the structure of the phosphor layer 18, various known structures that can be used for the back plate for PDP can be adopted.

<PDP用背面板の製造方法>
次に、主に図4乃至図16を参照して、プラズマディスプレイパネル用背面板の製造方法について、この製造方法の実施に用いられる製造装置の一例とともに、説明する。
<Method for manufacturing back plate for PDP>
Next, with reference mainly to FIG. 4 thru | or FIG. 16, the manufacturing method of the back plate for plasma display panels is demonstrated with an example of the manufacturing apparatus used for implementation of this manufacturing method.

本実施の形態において、PDP用背面板の製造方法は、リブ形成用基板20上にリブ層(リブ形成材料層)40を形成するリブ層形成工程(図4(a)参照)と、リブ層40を削って、リブ形成用基板20上の第1方向に沿って延びる複数の線状突出部46を含む凹凸付リブ層45を形成する第1ブラスト加工工程(図4(d)参照)と、凹凸付リブ層45を削って、線状突出部46の少なくとも一部分を含み第1方向に沿って延びる複数の第1リブ34と、第2方向に沿って第1リブ34間を延びる複数の第2リブ38と、を含む段差マトリクスリブ30を形成する第2ブラスト加工工程(図5(d)参照)と、を備えている。さらに詳細には、PDP用背面板の製造方法は、リブ層30上に第1のドライフィルムレジスト54を積層する第1レジスト積層工程(図4(b)参照)と、第1のドライフィルムレジスト54をパターニングして第1ブラストマスク50をリブ層30上に形成する第1ブラストマスク形成工程(図4(c)参照)と、を第1ブラスト加工工程の前にさらに備え、形成された凹凸付リブ層45上から第1ブラストマスク50を除去する工程を第1ブラスト加工工程後にさらに備えている。また、PDP用背面板の製造方法は、凹凸付リブ層45上に第2のドライフィルムレジスト59を積層する第2レジスト積層工程(図5(b)参照)と、第2のドライフィルムレジスト59をパターニングして第2ブラストマスク55を凹凸付リブ層45上に形成する第2ブラストマスク形成工程(図5(c)参照)と、を第2ブラスト加工工程の前にさらに備え、形成された段差マトリクスリブ30上から第2ブラストマスク55を除去する工程を第2ブラスト加工工程後にさらに備えている。   In the present embodiment, the manufacturing method of the PDP back plate includes a rib layer forming step (see FIG. 4A) for forming a rib layer (rib forming material layer) 40 on the rib forming substrate 20, and a rib layer. A first blasting step (see FIG. 4D) of cutting 40 to form an uneven rib layer 45 including a plurality of linear protrusions 46 extending in the first direction on the rib forming substrate 20; A plurality of first ribs 34 extending along the first direction including at least a part of the linear protrusion 46 by cutting the uneven rib layer 45 and a plurality of extending between the first ribs 34 along the second direction. And a second blasting step (see FIG. 5D) for forming the step matrix ribs 30 including the second ribs 38. More specifically, the PDP back plate manufacturing method includes a first resist lamination step (see FIG. 4B) of laminating a first dry film resist 54 on the rib layer 30, and a first dry film resist. The first blast mask forming step (see FIG. 4C) for patterning 54 to form the first blast mask 50 on the rib layer 30 is further provided before the first blasting step, and the formed irregularities A step of removing the first blast mask 50 from the ribbed layer 45 is further provided after the first blasting step. In addition, the method for manufacturing the PDP back plate includes a second resist layering step (see FIG. 5B) for stacking a second dry film resist 59 on the uneven rib layer 45, and a second dry film resist 59. And a second blast mask forming step (see FIG. 5C) for forming a second blast mask 55 on the uneven rib layer 45 by patterning and forming a second blast mask 55 before the second blast processing step. A step of removing the second blast mask 55 from the step matrix rib 30 is further provided after the second blasting step.

また、この製造方法の実行に用いられ得るPDP用背面板の製造装置70は、製造方法に対応して、リブ形成用基板20上にリブ層40を形成するリブ層形成装置71と、ドライフィルムレジスト54,59を積層する積層装置72と、ドライフィルムレジスト54,59をパターニングしてブラストマスク50,55を形成するマスク形成装置と、リブ形成用基板20上のリブ層40へブラストマスク50,55側からブラスト材75を噴射するブラスト加工装置80と、ブラストマスク50を除去する除去装置と、を備えている。以下、各工程について、各工程で用いられる装置(手段)とともに説明していく。   Further, a PDP back plate manufacturing apparatus 70 that can be used in the execution of this manufacturing method includes a rib layer forming apparatus 71 that forms the rib layer 40 on the rib forming substrate 20 and a dry film corresponding to the manufacturing method. A laminating device 72 for laminating resists 54 and 59, a mask forming device for patterning the dry film resists 54 and 59 to form blast masks 50 and 55, and a blast mask 50 to the rib layer 40 on the rib forming substrate 20 A blasting device 80 for spraying the blast material 75 from the 55 side and a removing device for removing the blast mask 50 are provided. Hereinafter, each process will be described together with devices (means) used in each process.

(リブ層形成工程)
まず、リブ層形成工程について説明する。リブ層形成工程においては、まず、リブ形成用基板20を準備し、次に、リブ形成用基板20の誘電体層26上に、第1リブ34および第2リブ38をなすようになるリブ層(リブ形成材料層)40を形成する。
(Rib layer forming process)
First, the rib layer forming step will be described. In the rib layer forming step, first, the rib forming substrate 20 is prepared, and then the rib layer that forms the first rib 34 and the second rib 38 on the dielectric layer 26 of the rib forming substrate 20. (Rib forming material layer) 40 is formed.

本実施の形態においては、リブ層形成工程は、リブ形成用基板20上に第1リブ層41を形成する工程と、第1リブ層41上に、第1リブ層41よりもブラスト加工性の低い第2リブ層42を形成する工程と、第2リブ層42上に、第2リブ層42よりもブラスト加工性の高い第3リブ層43を形成する工程と、を含んでいる。すなわち、図6に示すように、形成されたリブ層40は、第1リブ層41と、第2リブ層42と、第3リブ層43と、を含む三層構造となっている。   In the present embodiment, the rib layer forming step includes a step of forming the first rib layer 41 on the rib forming substrate 20 and a blast processability on the first rib layer 41 as compared with the first rib layer 41. A step of forming a low second rib layer 42 and a step of forming a third rib layer 43 having a higher blast workability than the second rib layer 42 on the second rib layer 42. That is, as shown in FIG. 6, the formed rib layer 40 has a three-layer structure including a first rib layer 41, a second rib layer 42, and a third rib layer 43.

ここで、ブラスト加工性とは、同一のブラスト加工条件により比較対象となる層へブラスト材75を噴射した場合における、切削量によって評価する。なお、評価に当たり、切削量の測定は、比較対象層間において同一の方法(例えば、走査型電子顕微鏡(SEM)による断面像の確認等)で行うこととする。そして、同一条件での切削量が多い場合に、ブラスト加工性が高い(良い)と評価し、同一条件での切削量が少ない場合に、ブラスト加工性が低い(悪い)と評価する。また、二つ以上の層間でブラスト加工性を対比する場合、同一条件での切削量(切削深さ)を用いて対比する。例えば、一方の層の切削深さが30μmで、同一ブラスト加工条件における他方の層の切削深さが10μmである場合、一方の層のブラスト加工性は他方の層のブラスト加工性の3倍である、と評価する。   Here, the blast workability is evaluated by the amount of cutting when the blast material 75 is injected to the layer to be compared under the same blasting conditions. In the evaluation, the cutting amount is measured by the same method (for example, confirmation of a cross-sectional image by a scanning electron microscope (SEM)) between the comparison target layers. When the cutting amount under the same condition is large, the blast workability is evaluated as high (good), and when the cutting amount under the same condition is small, the blast workability is evaluated as low (bad). Moreover, when comparing blast workability between two or more layers, it compares using the cutting amount (cutting depth) on the same conditions. For example, when the cutting depth of one layer is 30 μm and the cutting depth of the other layer under the same blasting conditions is 10 μm, the blasting property of one layer is three times the blasting property of the other layer. Evaluate that there is.

本件発明者らは、鋭意研究を重ねることによって、第1リブ層41のブラスト加工性が、第2リブ層42のブラスト加工性の1.5倍以上100倍以下、さらに好ましくは、2倍以上25倍以下であることが、好ましいことを知見した。すなわち、第2リブ層42を10μm削る間に、同一のブラスト加工条件により、第1リブ層41が15μm〜1000μm、さらに好ましくは20μm〜250μm削られるようになっていることが好ましい。また、第3リブ層43のブラスト加工性が、第2リブ層42のブラスト加工性の1.1倍以上20倍以下であることが好ましく、1.5倍以上10倍以下であることがさらに好ましいことも、知見された。これらの点については、その理由を後に詳述する。   The inventors of the present invention have conducted intensive research, whereby the blast workability of the first rib layer 41 is 1.5 times or more and 100 times or less, more preferably 2 times or more of the blast workability of the second rib layer 42. It has been found that it is preferable to be 25 times or less. That is, while the second rib layer 42 is cut by 10 μm, the first rib layer 41 is preferably cut by 15 μm to 1000 μm, more preferably 20 μm to 250 μm, under the same blasting conditions. Further, the blast workability of the third rib layer 43 is preferably 1.1 to 20 times the blast workability of the second rib layer 42, and more preferably 1.5 to 10 times. It was also found to be preferable. The reason for these will be described in detail later.

第1乃至第3のリブ層41,42,43は、例えば、溶剤を含んだリブ層形成組成物48を塗工し、リブ層形成組成物48を乾燥させて溶剤を除去することにより、形成され得る。リブ層形成組成物48の塗工方法および塗工装置としては、従来既知の種々の方法および装置を用いることができる。例えば、リブ層形成装置71が、ダイコーター(図6参照)やスクリーン印刷機等を塗工装置71aとして含み、この塗工装置71aによって、第1乃至第3のリブ層41,42,43をなすようになるリブ層形成組成物48がリブ形成用基板20上に塗工されていくようにしてもよい。このような方法によれば、リブ形成用基板20上に、それぞれ均一な膜厚を有した第1乃至第3のリブ層41,42,43を形成し、これにより、リブ形成用基板20の板面上において均一な膜厚を有したリブ層40を得ることができる。   The first to third rib layers 41, 42, 43 are formed by, for example, applying a rib layer forming composition 48 containing a solvent, drying the rib layer forming composition 48, and removing the solvent. Can be done. As a coating method and a coating apparatus for the rib layer forming composition 48, various conventionally known methods and apparatuses can be used. For example, the rib layer forming device 71 includes a die coater (see FIG. 6), a screen printing machine or the like as the coating device 71a, and the first to third rib layers 41, 42, 43 are formed by the coating device 71a. The rib layer forming composition 48 to be formed may be applied onto the rib forming substrate 20. According to such a method, the first to third rib layers 41, 42, 43 having uniform film thicknesses are formed on the rib forming substrate 20, respectively. The rib layer 40 having a uniform film thickness on the plate surface can be obtained.

リブ層形成組成物48としては、PDP用背面板10のリブに用いられている種々の既知な組成物を、リブ層40の形成方法(リブ層形成組成物48の塗工方法)に応じて適宜選択することができる。一例として、リブ層形成組成物48が、上述したガラスフリットおよび無機粉体と、樹脂成分と、溶剤と、を含むようにしてもよい。ガラスフリットは後述する焼成工程において、骨材として機能する無機粉体に融着して、第1リブ34および第2リブ38を形成するようになる。樹脂成分は、リブ層形成組成物48中においてバインダーとして機能する。溶剤は、リブ層形成組成物48の塗工方法に応じて省くことが可能である。また、リブ層形成組成物48が、無機顔料等のさらに他の成分を含むようにしてもよい。   As the rib layer forming composition 48, various known compositions used for the ribs of the PDP back plate 10 are selected according to the method for forming the rib layer 40 (the method for applying the rib layer forming composition 48). It can be selected appropriately. As an example, the rib layer forming composition 48 may include the glass frit and inorganic powder described above, a resin component, and a solvent. The glass frit is fused to an inorganic powder functioning as an aggregate in a firing process described later to form the first rib 34 and the second rib 38. The resin component functions as a binder in the rib layer forming composition 48. The solvent can be omitted depending on the coating method of the rib layer forming composition 48. Further, the rib layer forming composition 48 may further include other components such as an inorganic pigment.

なお、例えば、樹脂成分の含有割合を調節することによって、リブ層形成組成物48から形成される第1乃至第3リブ層41,42,43のブラスト加工性を調整することができる。具体的には、樹脂成分の含有量を増加させることにより、当該リブ層形成組成物48から形成されるリブ層のブラスト加工性を低くすることができ、樹脂成分の含有量を減少させることにより、当該リブ層形成組成物48から形成されるリブ層のブラスト加工性を高くすることができる。ただし、これに限られず、別の方法を用いて、各リブ層41,42,43のブラスト加工性を操作するようにしてもよい。   For example, the blast processability of the first to third rib layers 41, 42, 43 formed from the rib layer forming composition 48 can be adjusted by adjusting the content ratio of the resin component. Specifically, by increasing the resin component content, the blast processability of the rib layer formed from the rib layer forming composition 48 can be lowered, and by reducing the resin component content. The blasting property of the rib layer formed from the rib layer forming composition 48 can be increased. However, it is not restricted to this, You may make it operate the blast workability of each rib layer 41,42,43 using another method.

ところで、第1乃至第3リブ層41,42,43の各厚みは種々設定することができる。ただし、後述するように第2リブ38の高さを高精度に制御する観点から、第2リブ38が、第3リブ層43からなる部分を除く、第1リブ層41からなる部分と第2リブ層42からなる部分とから構成されるようにすることが好ましい。この場合、第1リブ34と第2リブ38との高低差は、第3リブ層43の厚さによって決定されるようになる。また、比較的にブラスト加工により切削しにくい第2リブ層42の厚みが厚いと、ブラスト加工工程に要する時間が長くなってしまう。これらの点を考慮して、第1リブ層41の乾燥後における厚さを10μm〜250μm程度とし、第2リブ層42の乾燥後における厚さを1μm〜30μm程度とし、第3リブ層43の乾燥後における厚さを5μm〜150μm程度としてもよい。   By the way, each thickness of the 1st thru | or 3rd rib layer 41,42,43 can be set variously. However, from the viewpoint of controlling the height of the second rib 38 with high accuracy as will be described later, the second rib 38 excludes the portion formed of the third rib layer 43 and the second rib 38 and the second rib 38. It is preferable to be constituted by a portion made of the rib layer 42. In this case, the height difference between the first rib 34 and the second rib 38 is determined by the thickness of the third rib layer 43. In addition, if the thickness of the second rib layer 42 that is relatively difficult to cut by blasting is large, the time required for the blasting process becomes long. Considering these points, the thickness of the first rib layer 41 after drying is set to about 10 μm to 250 μm, the thickness of the second rib layer 42 after drying is set to about 1 μm to 30 μm, and the third rib layer 43 The thickness after drying may be about 5 μm to 150 μm.

(第1レジスト積層工程および第1ブラストマスク形成工程)
次に、第1レジスト積層工程および第1ブラストマスク形成工程について説明する。この二つの工程により、リブ形成用基板20上に形成されたリブ層40上に、所定のパターンを有した第1ブラストマスク50が形成されるようになる。
(First resist laminating step and first blast mask forming step)
Next, a 1st resist lamination process and a 1st blast mask formation process are demonstrated. By these two steps, the first blast mask 50 having a predetermined pattern is formed on the rib layer 40 formed on the rib forming substrate 20.

具体的には、図4(b)に示すように、第1レジスト積層工程として、リブ形成用基板20上に形成されたリブ層40上に、耐ブラスト加工性を有したドライフィルムレジスト(DFR)54を積層する。第1ドライフィルムレジスト54の積層方法および積層装置としては、従来既知の種々の方法および装置を用いることができる。例えば、積層装置72が、押圧ローラー72a(図7参照)等をラミネータとして含み、このラミネータによって、第1ドライフィルムレジスト54が、例えば熱圧着によって、リブ層40上に積層されていくようにしてもよい。このような積層装置は、後述する第2レジスト層積層工程においても用いられ得る。   Specifically, as shown in FIG. 4B, as a first resist laminating step, a dry film resist (DFR) having blasting resistance is formed on the rib layer 40 formed on the rib forming substrate 20. ) 54 is laminated. As the method and apparatus for laminating the first dry film resist 54, various conventionally known methods and apparatuses can be used. For example, the laminating device 72 includes a pressing roller 72a (see FIG. 7) or the like as a laminator, and the laminator causes the first dry film resist 54 to be laminated on the rib layer 40 by, for example, thermocompression bonding. Also good. Such a laminating apparatus can also be used in the second resist layer laminating step described later.

このような方法によれば、溶剤を含むレジスト形成組成物をリブ層40上に塗工し、その後に、このレジスト形成組成物を乾燥させてレジスト層を形成することと比較して、極めて簡便かつ短時間でレジスト層を形成することができる。なお、第1ドライフィルムレジスト54としては、耐ブラスト加工性を有した種々の既知のものを使用することができる。   According to such a method, the resist-forming composition containing a solvent is applied onto the rib layer 40, and then the resist-forming composition is dried to form a resist layer, which is extremely simple. In addition, the resist layer can be formed in a short time. In addition, as the 1st dry film resist 54, the various known thing which has blast-proof property can be used.

次に、第1ドライフィルムレジスト54を製版し、所定のパターンを有するブラストマスク50を形成する。具体的には、第1ブラストマスク形成工程として、フォトリソグラフィー技術を用いた露光および現像を行い、第1ドライフィルムレジスト54を所望のパターンにパターニングする。この結果、図4(c)に示すように、第1方向に沿って延びる複数の線状部51を含む第1ブラストマスク50が形成されるようになる。線状部51の幅は、第1方向に沿った各位置において変化することなく、一定の値を取るようになっている。後述するように、第1ブラストマスク50の各線状部51は、リブ層40のうちの第1リブ34を形成するようになる部分上に形成される。   Next, the first dry film resist 54 is made to form a blast mask 50 having a predetermined pattern. Specifically, as the first blast mask forming step, exposure and development using a photolithography technique are performed to pattern the first dry film resist 54 into a desired pattern. As a result, as shown in FIG. 4C, a first blast mask 50 including a plurality of linear portions 51 extending along the first direction is formed. The width of the linear portion 51 is set to a constant value without changing at each position along the first direction. As will be described later, each linear portion 51 of the first blast mask 50 is formed on a portion of the rib layer 40 where the first rib 34 is to be formed.

なお、このような第1ブラストマスク50の形成方法にともない、図示しないマスク形成装置は、ドライフィルムレジスト54のパターニングに用いられる露光装置および現像装置等を含むようになる。これらの装置類としては、従来既知の種々の装置を用いることができる。また、このようなマスク形成装置は、後述する第2ブラストマスク形成工程においても用いられ得る。   In accordance with such a method of forming the first blast mask 50, a mask forming apparatus (not shown) includes an exposure apparatus and a developing apparatus used for patterning the dry film resist 54. As these devices, various conventionally known devices can be used. Such a mask forming apparatus can also be used in a second blast mask forming process to be described later.

(第1ブラスト加工工程)
次に、形成された第1ブラストマスク50側からリブ層40へブラスト材75を噴射し、リブ層40から凹凸付リブ層45を形成する第1ブラスト加工工程について説明する。第1ブラスト加工工程においては、リブ層40のうちの第1ブラストマスク50に覆われていない部分が、リブ層40の全厚み未満の厚み分だけ削られるようになる。
(First blasting process)
Next, the 1st blasting process in which the blast material 75 is sprayed to the rib layer 40 from the formed 1st blast mask 50 side, and the uneven | corrugated rib layer 45 is formed from the rib layer 40 is demonstrated. In the first blasting process, a portion of the rib layer 40 that is not covered with the first blast mask 50 is cut by a thickness less than the total thickness of the rib layer 40.

まず、主に図13乃至図16を参照して、第1ブラスト加工工程に用いられるブラスト加工装置80について説明する。なお、ここで説明するブラスト加工装置80は、後述する第2ブラスト加工工程においても用いられ得る。   First, a blasting apparatus 80 used in the first blasting process will be described mainly with reference to FIGS. 13 to 16. In addition, the blasting apparatus 80 demonstrated here can be used also in the 2nd blasting process mentioned later.

図13および図14に示すように、ブラスト加工装置80は、ブラスト材75を噴射するブラストノズル85と、ブラストノズル85に連結された配管81と、配管81に連結された圧縮ガス源82およびブラスト材供給源83と、被加工体Wを保持する保持装置88と、を有している。このブラスト加工装置80においては、圧縮ガス源82からガスを供給するとともにブラスト材供給源83からブラスト材75を供給するようになっている。供給されたブラスト材75は圧縮ガスとともに、ブラストノズル85から噴射され、保持装置88に保持された被加工体Wに衝突する。この結果、被加工体Wがブラスト材75によって切削されていくようになっている。ここで、本実施の形態における被加工体Wは、リブ形成用基板20とリブ層40とブラストマスク50(55)との積層体であって、実際に切削されるのはリブ層40である。   As shown in FIG. 13 and FIG. 14, the blasting device 80 includes a blast nozzle 85 for injecting a blast material 75, a pipe 81 connected to the blast nozzle 85, a compressed gas source 82 and a blast connected to the pipe 81. A material supply source 83 and a holding device 88 that holds the workpiece W are provided. In this blast processing apparatus 80, gas is supplied from a compressed gas source 82 and blast material 75 is supplied from a blast material supply source 83. The supplied blast material 75 is jetted from the blast nozzle 85 together with the compressed gas, and collides with the workpiece W held by the holding device 88. As a result, the workpiece W is cut by the blast material 75. Here, the workpiece W in the present embodiment is a laminate of the rib forming substrate 20, the rib layer 40, and the blast mask 50 (55), and it is the rib layer 40 that is actually cut. .

ブラストノズル85は、図示しない保持手段を介して保持されている。保持手段は、ブラストノズル85の被加工体Wに対する相対位置を調節することができる。これにより、ブラストノズル85の被加工体Wに対する高さ位置(リブ形成用基板20の板面の法線に沿った位置)、被加工体Wに対する平面方向位置(リブ形成用基板20の板面上における位置)を制御することができる。   The blast nozzle 85 is held via holding means (not shown). The holding means can adjust the relative position of the blast nozzle 85 with respect to the workpiece W. As a result, the height position of the blast nozzle 85 with respect to the workpiece W (position along the normal of the plate surface of the rib forming substrate 20) and the planar position with respect to the workpiece W (plate surface of the rib forming substrate 20). (Position on) can be controlled.

なお、ブラストノズル85の吐出口86の形態は、特に限定されず、例えばスリット状、円状、楕円状および多角形状等の種々の既知な形態を採用することができる。このうち、被加工体Wを広範囲に渡って一度に加工することができ、これにより、均一かつ効率的な加工を実現することができることから、図15に示すように、ブラストノズル85がスリット状の開口86を有していることが好ましい。この場合の吐出口86の幅(吐出口86の長手方向に直交する方向の開口幅)は、例えば50μm〜10000μmの範囲内、好ましくは100μm〜5000μmの範囲内とすることができる。また、図16に示すように、略円形の吐出口86を有する複数の吐出機構を並列配置してノズル85を構成するようにしてもよい。このようなノズル85によっても、被加工体Wを広範囲に渡って一度に加工することができ、これにより、均一かつ効率的な加工を実現することができる。   The form of the discharge port 86 of the blast nozzle 85 is not particularly limited, and various known forms such as a slit shape, a circular shape, an elliptical shape, and a polygonal shape can be employed. Among these, since the workpiece W can be processed at once at a wide range, and thereby uniform and efficient processing can be realized, the blast nozzle 85 has a slit shape as shown in FIG. It is preferable to have the opening 86. In this case, the width of the discharge port 86 (opening width in the direction orthogonal to the longitudinal direction of the discharge port 86) can be set in the range of 50 μm to 10000 μm, preferably in the range of 100 μm to 5000 μm, for example. Further, as shown in FIG. 16, the nozzle 85 may be configured by arranging a plurality of discharge mechanisms having substantially circular discharge ports 86 in parallel. Also with such a nozzle 85, the workpiece W can be processed at once at a wide range, whereby uniform and efficient processing can be realized.

次に、このようなブラスト加工装置80を用いて実行される第1ブラスト加工工程について説明する。   Next, the 1st blasting process performed using such a blasting apparatus 80 is demonstrated.

第1ブラスト加工工程では、ブラストノズル85からブラスト材75を噴射して、リブ層40を切削する。このとき、ブラストノズル85を保持する保持手段は、リブ形成用基板20の板面の略法線NLに沿ってブラスト材75が噴射されるように、ブラストノズル85を保持装置88に保持されたリブ形成用基板20とリブ層40とブラストマスク50との積層体Wに対して位置決めする。なお、ブラスト材75はブラストノズル85からある程度の幅を持って噴射されるようになるが、ここでは、ある程度の幅のうちの中心方向が、リブ形成用基板20の板面の法線に概ね平行となるように、ブラストノズル85の位置を調整することを意味している。   In the first blast processing step, the blast material 75 is sprayed from the blast nozzle 85 to cut the rib layer 40. At this time, the holding means for holding the blast nozzle 85 holds the blast nozzle 85 in the holding device 88 so that the blast material 75 is jetted along the substantially normal line NL of the plate surface of the rib forming substrate 20. Positioning is performed with respect to the laminate W of the rib forming substrate 20, the rib layer 40, and the blast mask 50. The blast material 75 is ejected from the blast nozzle 85 with a certain width, but here, the central direction of the certain width is approximately the normal of the plate surface of the rib forming substrate 20. This means that the position of the blast nozzle 85 is adjusted so as to be parallel.

第1ブラスト加工において用いられるブラスト材75としては、特に限定されないが、例えばダイアモンド、アルミナ、炭化シリコン、炭酸カルシウム、ガラスビーズ、ステンレス等が挙げられる。また、ブラスト材75の粒径は、特に限定されないが、例えば3μm〜200μmの範囲内、好ましくは7μm〜100μmの範囲内とすることができる。   The blast material 75 used in the first blasting is not particularly limited, and examples thereof include diamond, alumina, silicon carbide, calcium carbonate, glass beads, stainless steel, and the like. The particle size of the blast material 75 is not particularly limited, but can be, for example, in the range of 3 μm to 200 μm, preferably in the range of 7 μm to 100 μm.

また、第1ブラスト加工工程において、ブラストノズル85からブラスト材75が噴射される際の噴射圧力や、ブラスト材75の噴射量等のブラスト加工条件は、リブ層40をブラスト加工する際における通常の設定値を採用することができる。さらに、第1ブラスト加工工程において、ブラストノズル85の吐出口86と切削対象となるリブ層40との離間距離も、リブ層をブラスト加工する際における通常の設定値を採用することができる。   Also, in the first blasting process, the blasting conditions such as the injection pressure when the blasting material 75 is injected from the blast nozzle 85 and the injection amount of the blasting material 75 are the normal blasting conditions when the rib layer 40 is blasted. A set value can be adopted. Further, in the first blasting process, a normal setting value when blasting the rib layer can be adopted as the separation distance between the discharge port 86 of the blast nozzle 85 and the rib layer 40 to be cut.

そして、第1ブラスト加工工程においては、ブラストノズル85と、保持装置88に保持された被加工体(積層体)Wと、の相対位置を、リブ形成用基板20の板面上において変化させ、ブラスト材75が被加工体Wの全域に噴射されるようになる。例えば、リブ形成用基板20の板面の法線方向から観察した場合に、ブラストノズル85が図14の点線で示す経路に沿って、切削対象となるリブ層40の直上方を移動するよう、ブラストノズル85およびリブ形成用基板20上のリブ層40が相対移動する。以上のようにして、リブ形成用基板20の板面の法線方向からブラスト材75がリブ層40の全領域に対して噴射されていく。   In the first blasting process, the relative position between the blast nozzle 85 and the workpiece (laminate) W held by the holding device 88 is changed on the plate surface of the rib forming substrate 20, The blast material 75 is injected over the entire area of the workpiece W. For example, when observed from the normal direction of the plate surface of the rib forming substrate 20, the blast nozzle 85 moves along the path indicated by the dotted line in FIG. The rib layer 40 on the blast nozzle 85 and the rib forming substrate 20 moves relative to each other. As described above, the blast material 75 is sprayed to the entire area of the rib layer 40 from the normal direction of the plate surface of the rib forming substrate 20.

なお、本件で用いる「直上」とは、リブ形成用基板20の板面の法線に沿った上方(リブ形成用基板20よりもブラストマスク(ドライフィルムレジスト)側)を意味し、「直下」とは、リブ形成用基板20の板面の法線に沿った下方(ブラストマスク(ドライフィルムレジスト)よりもリブ形成用基板20側)を意味するものとする。   As used herein, “directly above” means an upper side (normally to the blast mask (dry film resist) side of the rib forming substrate 20) along the normal of the plate surface of the rib forming substrate 20, and “directly below”. The term “below” means a downward direction along the normal line of the plate surface of the rib forming substrate 20 (the rib forming substrate 20 side relative to the blast mask (dry film resist)).

このようにしてリブ形成用基板20の法線NLの方向に沿って噴射されたブラスト材75は、第1ブラストマスク50、あるいは、リブ層40のうちの第1ブラストマスク50によって覆われていない部分に衝突する。この結果、リブ層40のうちの第1ブラストマスク50によって覆われていない部分が、ブラスト材75によって削られていく。ただし、第1ブラスト加工工程においては、リブ層40の第1ブラストマスク50によって覆われていない部分をリブ層40の全厚み未満の厚み分だけ削る。すなわち、リブ層40の第1ブラストマスク50によって覆われていない部分を削り取って、リブ形成用基板20の一方の面20aを露出させてしまうことはない。より具体的には、図8に示すように、第1ブラスト加工工程において、第3リブ層43からなる部分が削り取られ、第2リブ層42が露出するようになる。ここで、図8は、リブ形成用基板20の法線NLと第2方向とに沿った断面での第1ブラスト加工工程中の一状態を示している。   Thus, the blast material 75 sprayed along the direction of the normal line NL of the rib forming substrate 20 is not covered by the first blast mask 50 or the first blast mask 50 of the rib layer 40. Collide with part. As a result, a portion of the rib layer 40 that is not covered by the first blast mask 50 is scraped by the blast material 75. However, in the first blasting step, the portion of the rib layer 40 that is not covered by the first blast mask 50 is cut by a thickness less than the total thickness of the rib layer 40. That is, the portion of the rib layer 40 that is not covered by the first blast mask 50 is not scraped off and the one surface 20a of the rib forming substrate 20 is not exposed. More specifically, as shown in FIG. 8, in the first blasting process, the portion made of the third rib layer 43 is scraped off, and the second rib layer 42 is exposed. Here, FIG. 8 shows one state during the first blasting process in a cross section along the normal line NL and the second direction of the rib forming substrate 20.

上述したように、第2リブ層42のブラスト加工性は、リブ層40の表面層をなす第3リブ層43のブラスト加工性よりも低くなっている。したがって、第3リブ層43からなる部分が除去され第2リブ層42からなる部分が露出してくると、ブラスト加工による切削性が大きく変化し、ブラスト条件が一定であれば第2リブ層42の切削にはより長い時間を要するようになる。このため、第3リブ層43からなる部分が除去され、第2リブ層42からなる部分が露出している状態で、第1ブラスト加工工程におけるブラスト材75の噴射を停止することは極めて容易となっている。   As described above, the blast workability of the second rib layer 42 is lower than the blast workability of the third rib layer 43 that forms the surface layer of the rib layer 40. Therefore, when the portion made of the third rib layer 43 is removed and the portion made of the second rib layer 42 is exposed, the machinability by blasting changes greatly. If the blasting conditions are constant, the second rib layer 42 It takes a longer time to cut. For this reason, it is extremely easy to stop the injection of the blast material 75 in the first blasting process in a state in which the portion made of the third rib layer 43 is removed and the portion made of the second rib layer 42 is exposed. It has become.

以上のようにして、リブ層40の第1ブラストマスク50によって覆われている部分を残しながら、リブ層40の第1ブラストマスク50によって覆われていない部分が除去される。言い換えると、第1ブラストマスク50の線状部51の直下以外におけるリブ層40の厚みが薄くなる。これにより、図4(d)および図8に示すように、第1ブラストマスク50の線状部51の直下に位置する線状突出部46を有した凹凸付リブ層45が形成される。   As described above, the portion of the rib layer 40 that is not covered with the first blast mask 50 is removed while the portion of the rib layer 40 that is covered with the first blast mask 50 is left. In other words, the thickness of the rib layer 40 other than directly below the linear portion 51 of the first blast mask 50 is reduced. Thereby, as shown in FIG. 4D and FIG. 8, the uneven rib layer 45 having the linear protrusions 46 located immediately below the linear part 51 of the first blast mask 50 is formed.

ところで、図8に示すように、リブ形成用基板20の法線方向に沿って移動(飛行)してきたブラスト材75は、リブ層40に衝突して、不規則な方向に跳ね返るようになる。跳ね返ったブラスト材75a,75bの一部は、リブ層40のうちの第1ブラストマスク50の線状部51直下に位置する部分に衝突する。このとき、ブラスト材75a,75bが十分な移動速度を有していれば、リブ層40のうちの、本来削られることのない第1ブラストマスク50の線状部51直下に位置する部分が削られていくことになる。すなわち、リブ層40のうちの第1ブラストマスク50の線状部51の直下に位置する部分も、リブ層40に衝突して跳ね返ったブラスト材75によって、側方から削り込まれてしまう(以下において、この側方への削り込みをサイドエッチとも呼ぶ)。すなわち、ここでいう「リブ層40のうちの第1ブラストマスク50に覆われていない部分を削る」とは、リブ層40のうちの第1ブラストマスク50に覆われていない部分のみを削ることではない。少なくとも、第1ブラストマスク50の線状部51直下の部分への側方削り込みを排除するものではない。   By the way, as shown in FIG. 8, the blast material 75 that has moved (flyed) along the normal direction of the rib forming substrate 20 collides with the rib layer 40 and bounces back in an irregular direction. Part of the bounced blast material 75a, 75b collides with a portion of the rib layer 40 located immediately below the linear portion 51 of the first blast mask 50. At this time, if the blast materials 75a and 75b have a sufficient moving speed, the portion of the rib layer 40 that is located immediately below the linear portion 51 of the first blast mask 50 that is not originally cut is removed. It will be done. That is, a portion of the rib layer 40 that is located immediately below the linear portion 51 of the first blast mask 50 is also scraped from the side by the blast material 75 that has bounced off the rib layer 40 and bounced (hereinafter referred to as the “blank layer”). In this case, this side cutting is also called side etching). That is, “to cut a portion of the rib layer 40 that is not covered with the first blast mask 50” means to cut only a portion of the rib layer 40 that is not covered with the first blast mask 50. is not. It does not exclude at least side cutting into a portion immediately below the linear portion 51 of the first blast mask 50.

とりわけ、本実施の形態においては、上述したように、リブ層40の表面層をなす第3リブ層43の下方に、ブラスト加工性の低い、すなわち、ブラスト加工によって削られにくい第2リブ層42が配置されている。したがって、第2リブ層42が露出してから第1ブラスト加工工程が終了するまでの間、第2リブ層42に入射して反射したブラスト材75a,75bは、図8に示すように、第2リブ層42よりも上方に位置し、第2リブ層42よりも削り取られやすい第3リブ層43を側方から削り込むようになる。すなわち、側方削り込みにより、リブ層40のうちの第1ブラストマスク50の線状部51直下に位置する部分における切削が進んでしまいやすくなっている。   In particular, in the present embodiment, as described above, below the third rib layer 43 forming the surface layer of the rib layer 40, the second rib layer 42 having low blast workability, that is, difficult to be scraped by blast work. Is arranged. Therefore, during the period from the exposure of the second rib layer 42 to the end of the first blasting process, the blast materials 75a and 75b that are incident on and reflected by the second rib layer 42 are, as shown in FIG. The third rib layer 43, which is located above the second rib layer 42 and is more easily scraped than the second rib layer 42, is cut from the side. That is, the side cutting makes it easy for the portion of the rib layer 40 that is located immediately below the linear portion 51 of the first blast mask 50 to proceed.

なお、図4(d)および図8に示すように、以上のようにして形成された凹凸付リブ層45上には、第1ブラストマスク50の線状部51が配置されたままとなっている。この第1ブラストマスク50の線状部51は、凹凸付リブ層45上に第2のドライフィルムレジスト59を積層する前に除去される。第1ブラストマスク50の線状部51の除去方法としては、PDP用背面板の製造において用いられ得る種々の既知の方法を採用することができる。例えば、苛性ソーダを用いて第1ブラストマスク50の線状部51を除去することができる。この場合のブラストマスク除去装置は、苛性ソーダを噴射する噴射機構あるいは苛性ソーダを貯留する苛性ソーダ貯留槽を含むようになる。このようにして、リブ形成用基板20の一方の面20a上に凹凸付リブ層45が露出するようになる(図5(a)参照)。   As shown in FIGS. 4D and 8, the linear portion 51 of the first blast mask 50 remains disposed on the uneven rib layer 45 formed as described above. Yes. The linear portion 51 of the first blast mask 50 is removed before the second dry film resist 59 is laminated on the uneven rib layer 45. As a method for removing the linear portion 51 of the first blast mask 50, various known methods that can be used in the manufacture of the PDP back plate can be employed. For example, the linear portion 51 of the first blast mask 50 can be removed using caustic soda. The blast mask removing apparatus in this case includes an injection mechanism for injecting caustic soda or a caustic soda storage tank for storing caustic soda. In this way, the uneven rib layer 45 is exposed on the one surface 20a of the rib forming substrate 20 (see FIG. 5A).

(第2レジスト積層工程および第2ブラストマスク形成工程)
次に、第2レジスト積層工程および第2ブラストマスク形成工程について説明する。この二つの工程により、リブ形成用基板20上に形成された凹凸付リブ層45上に、所定のパターンを有した第2ブラストマスク55が形成されるようになる。
(Second resist lamination step and second blast mask formation step)
Next, a 2nd resist lamination process and a 2nd blast mask formation process are demonstrated. Through these two steps, the second blast mask 55 having a predetermined pattern is formed on the uneven rib layer 45 formed on the rib forming substrate 20.

まず、図5(b)に示すように、第2レジスト積層工程として、リブ形成用基板20上に形成された凹凸付リブ層45上に、耐ブラスト加工性を有した第2ドライフィルムレジスト(DFR)59を積層する。上述したように、凹凸付リブ層45は、第1方向に沿って延びる複数の線状突出部46を有している。したがって、第2ドライフィルムレジスト59は、凹凸付リブ層45の凹凸面上に配置されるようになる。具体的には、図9に示すように、第2ドライフィルムレジスト59が、線状突出部46において凹凸付リブ層45に接触するとともに、隣り合う二つの線状突出部46の間の少なくとも一部分においても凹凸付リブ層45に接触するようにして、凹凸付リブ層45上に配置される。   First, as shown in FIG. 5B, as a second resist laminating step, a second dry film resist having blasting resistance (on the uneven rib layer 45 formed on the rib forming substrate 20). DFR) 59 is laminated. As described above, the uneven rib layer 45 has a plurality of linear protrusions 46 extending along the first direction. Accordingly, the second dry film resist 59 is disposed on the uneven surface of the uneven rib layer 45. Specifically, as shown in FIG. 9, the second dry film resist 59 is in contact with the uneven rib layer 45 at the linear protrusion 46 and at least a portion between two adjacent linear protrusions 46. In FIG. 5, it is arranged on the uneven rib layer 45 so as to be in contact with the uneven rib layer 45.

なお、図4および図5は、図1に示された部分に対応する部分を示す図であって、PDP用背面板の製造方法の概略的に説明するための模式図である。そして、図5(b)においては、第2ドライフィルムレジスト59と凹凸付リブ層45との相対位置関係を説明することを目的としており、第2ドライフィルムレジスト59と凹凸付リブ層45との接触状態は正確には図示されていない。第2ドライフィルムレジスト59と凹凸付リブ層45との接触状態については、図9を参照されたい。ここで図9は、図8に対応する断面において、第2ブラストマスク形成後における被加工体の一状態を示す図である。   4 and 5 are diagrams showing a portion corresponding to the portion shown in FIG. 1, and are schematic views for schematically explaining a method of manufacturing a PDP back plate. In FIG. 5B, the purpose is to explain the relative positional relationship between the second dry film resist 59 and the uneven rib layer 45, and the second dry film resist 59 and the uneven rib layer 45. The contact state is not shown precisely. Refer to FIG. 9 for the contact state between the second dry film resist 59 and the uneven rib layer 45. Here, FIG. 9 is a diagram showing one state of the workpiece after the formation of the second blast mask in the cross section corresponding to FIG.

このような第2ドライフィルムレジスト59の積層は、上述した第1ドライフィルムレジスト54の積層と同様の装置を用いて同様の方法で実行することができる。   Such lamination of the second dry film resist 59 can be performed by the same method using the same apparatus as the lamination of the first dry film resist 54 described above.

このような方法によれば、溶剤を含むレジスト形成組成物をリブ層40上に塗工し、その後に、このレジスト形成組成物を乾燥させてレジスト層を形成することなく、凹凸付リブ層45上におけるレジスト層(第2ドライフィルムレジスト59)の厚みを一定にすることが可能となる。   According to such a method, the uneven rib layer 45 is formed without applying a resist-forming composition containing a solvent on the rib layer 40 and then drying the resist-forming composition to form a resist layer. It becomes possible to make the thickness of the resist layer (second dry film resist 59) above constant.

次に、第2ドライフィルムレジスト59を製版し、所定のパターンを有するブラストマスク50を形成する。具体的には、第2ブラストマスク形成工程として、フォトリソグラフィー技術を用いた露光および現像を行い、第2ドライフィルムレジスト59を所望のパターンにパターニングする。第2ブラストマスク55の形成に用いられるマスク形成装置は、第1ブラストマスク50の形成に用いられ得る装置を用いることができる。   Next, the second dry film resist 59 is made to form a blast mask 50 having a predetermined pattern. Specifically, as the second blast mask forming step, exposure and development using a photolithography technique are performed to pattern the second dry film resist 59 into a desired pattern. As a mask forming apparatus used for forming the second blast mask 55, an apparatus that can be used for forming the first blast mask 50 can be used.

ここで、第2ブラストマスク形成工程において形成される第2ブラストマスク55の形状について、主に図10および図11を参照して、説明する。図10および図11は、第2ブラストマスク形成後における第2ブラストマスク55、凹凸付リブ層45およびリブ形成用基板20の積層体Wを示す断面図および部分平面図である。なお、図8、図9、図10、および、図12で示された断面は、図11におけるA−A線に沿った断面に対応する。   Here, the shape of the second blast mask 55 formed in the second blast mask forming step will be described mainly with reference to FIGS. 10 and 11. 10 and 11 are a cross-sectional view and a partial plan view showing a laminated body W of the second blast mask 55, the uneven rib layer 45, and the rib forming substrate 20 after the second blast mask is formed. 8, 9, 10, and 12 correspond to the cross section taken along the line AA in FIG. 11.

図11に示すように、得られた第2ブラストマスク55は、形成対象となる段差マトリクスリブ30の平面視(リブ形成用基板20の法線NLに沿った方向からの視野)における形状に対応して、平面視においてマトリクス状に形成されている。すなわち、第2ブラストマスク55は、第1リブ34に対応するように配置された複数の第1パターン部56と、第2リブ38に対応するように配置され、隣り合う二つの第1パターン部56間を延びる複数の第2パターン部57と、を有するようになる。第1パターン部56は、図10および図11に示すように、凹凸付リブ層45の線状突出部46上を、リブ形成用基板20上の第1方向と平行に延びている。一方、図11に示すように、第2パターン部57はリブ形成用基板20上の第2方向と平行に延びている。   As shown in FIG. 11, the obtained second blast mask 55 corresponds to the shape of the step matrix rib 30 to be formed in plan view (view from the direction along the normal line NL of the rib forming substrate 20). Thus, it is formed in a matrix in a plan view. That is, the second blast mask 55 is disposed so as to correspond to the plurality of first pattern portions 56 corresponding to the first ribs 34 and the second rib 38, and two adjacent first pattern portions. A plurality of second pattern portions 57 extending between 56. As shown in FIGS. 10 and 11, the first pattern portion 56 extends on the linear protruding portion 46 of the rib layer 45 with unevenness in parallel with the first direction on the rib forming substrate 20. On the other hand, as shown in FIG. 11, the second pattern portion 57 extends in parallel with the second direction on the rib forming substrate 20.

とりわけ、本実施の形態においては、図9に示すように、第2ドライフィルムレジスト59が、線状突出部46において凹凸付リブ層45に接触するとともに、隣り合う二つの線状突出部46の間の少なくとも一部分においても凹凸付リブ層45に接触するようにして、凹凸付リブ層45上に配置されている。この結果、第2ドライフィルムレジスト59は、凹凸付リブ層45上において、略一定の厚みを有するようになっている。したがって、図17に示すように、第2ドライフィルムレジスト59が凹凸付リブ層45上において一定の厚みとなっていない場合と比較し、フォトリソグラフィー技術によって、所望のパターンを有した第2ブラストマスクを精度良く作製することができる。   In particular, in the present embodiment, as shown in FIG. 9, the second dry film resist 59 is in contact with the uneven rib layer 45 in the linear protrusion 46 and the two adjacent linear protrusions 46. At least a part of the rib is disposed on the uneven rib layer 45 so as to be in contact with the uneven rib layer 45. As a result, the second dry film resist 59 has a substantially constant thickness on the uneven rib layer 45. Therefore, as shown in FIG. 17, the second blast mask having a desired pattern is formed by photolithography, compared with the case where the second dry film resist 59 does not have a constant thickness on the uneven rib layer 45. Can be manufactured with high accuracy.

また、本実施の形態においては、図8、図10および図11に示すように、第2ブラストマスク55の第1パターン部56の幅w2は、第1ブラストマスク50の線状部51の幅w1よりも狭くなっている。ここで、図11には、凹凸付リブ層45上から除去される前の状態における第1ブラストマスク50の線状部51が二点鎖線で示されている。このような本実施の形態によれば、図8に示すように、側方削り込み(サイドエッチ)によって、凹凸付リブ層45の線状突出部46の端面の幅w3が第1ブラスとマスク50の線状部51の幅w1より狭くなっていたとしても、図10に示すように、凹凸付リブ層45の線状突出部46の平坦な端面上に、第2ブラストマスク55の第1パターン部56を形成することが可能となる。すなわち、第2ドライフィルムレジスト59のうちの凹凸付リブ層45の線状突出部46の平坦な端面上に位置している部分から、第2ブラストマスク55の第1パターン部56が形成されるようになる。このため、フォトリソグラフィー技術を用いて第1パターン部56を精度良く形成することが可能となる。   In the present embodiment, as shown in FIGS. 8, 10, and 11, the width w <b> 2 of the first pattern portion 56 of the second blast mask 55 is the width of the linear portion 51 of the first blast mask 50. It is narrower than w1. Here, in FIG. 11, the linear portion 51 of the first blast mask 50 in a state before being removed from the uneven rib layer 45 is indicated by a two-dot chain line. According to this embodiment, as shown in FIG. 8, the width w3 of the end surface of the linear protrusion 46 of the uneven rib layer 45 is set to the first brass and the mask by side cutting (side etching). Even if it is narrower than the width w1 of the 50 linear portions 51, as shown in FIG. 10, the first blast mask 55 first is formed on the flat end surface of the linear protrusion 46 of the uneven rib layer 45. The pattern portion 56 can be formed. That is, the first pattern portion 56 of the second blast mask 55 is formed from a portion of the second dry film resist 59 located on the flat end surface of the linear protrusion 46 of the uneven rib layer 45. It becomes like this. For this reason, it becomes possible to form the 1st pattern part 56 accurately using a photolithographic technique.

また、上述したように、第2ドライフィルムレジスト59は、線状突出部46だけでなく、隣り合う二つの線状突出部46間の少なくとも一部分においても凹凸付リブ層45と接触している。したがって、図10に示すように、第2ブラストマスク55の第2パターン部57は、第1パターン部56に接続する両端部57a,57aの間の中間部57bにおいて、凹凸付リブ層45に固定される。すなわち、凹凸を有する凹凸付リブ層45上に形成された第2ブラストマスク55は、第1パターン部56だけでなく第2パターン部57部においても凹凸付リブ層45に固定されている。このため、第2ブラストマスク55は、全体的に見て強固に凹凸付リブ層45へ固定される。   Further, as described above, the second dry film resist 59 is in contact with the uneven rib layer 45 not only at the linear protrusion 46 but also at least at a part between the two adjacent linear protrusions 46. Accordingly, as shown in FIG. 10, the second pattern portion 57 of the second blast mask 55 is fixed to the uneven rib layer 45 at an intermediate portion 57 b between both end portions 57 a and 57 a connected to the first pattern portion 56. Is done. That is, the second blast mask 55 formed on the uneven rib layer 45 having unevenness is fixed to the uneven rib layer 45 not only in the first pattern portion 56 but also in the second pattern portion 57 portion. For this reason, the second blast mask 55 is firmly fixed to the uneven rib layer 45 as a whole.

なお、上述してきたように、凹凸付リブ層45の第2ドライフィルムレジスト59を積層される面には凹凸が形成されている。しかしながら、この凹凸は、凹凸付リブ層45の線状突出部46によって形成されるものであり、この線状突出部46の配列は極めて単純であるとともに線状突出部46の突出高さは大きくはない。このため、第2ドライフィルムレジスト59の一部を削除して第2ブラストマスク55を形成した場合、形成された第2ブラストマスク55と凹凸付リブ層45との間に、第2ドライフィルムレジスト59から除去された不要部分が残留してしまう可能性は極めて低い。   As described above, the surface of the rib layer 45 with unevenness on which the second dry film resist 59 is laminated has unevenness. However, the irregularities are formed by the linear projections 46 of the rib layer 45 with irregularities, and the arrangement of the linear projections 46 is very simple and the projection height of the linear projections 46 is large. There is no. Therefore, when the second blast mask 55 is formed by removing a part of the second dry film resist 59, the second dry film resist is formed between the formed second blast mask 55 and the uneven rib layer 45. The possibility that the unnecessary part removed from 59 remains is very low.

(第2ブラスト加工工程)
次に、形成された第2ブラストマスク55側から凹凸付リブ層45へブラスト材75を噴射し、凹凸付リブ層45から段差マトリクスリブ30を形成する第2ブラスト加工工程について説明する。第2ブラスト加工工程においては、凹凸付リブ層45のうちの第2ブラストマスク55に覆われていない部分が削られるようになる。
(Second blasting process)
Next, a second blasting process in which the blast material 75 is sprayed from the formed second blast mask 55 side to the uneven rib layer 45 to form the step matrix rib 30 from the uneven rib layer 45 will be described. In the second blasting process, a portion of the uneven rib layer 45 that is not covered with the second blast mask 55 is shaved.

第2ブラスト加工工程に用いられるブラスト加工装置は、上述した第1ブラスト加工工程において用いられたブラスト加工装置80と同一とすることができる。また、第2ブラスト加工工程において、ブラストノズル85からブラスト材75が噴射される際の噴射圧力や、ブラスト材75の噴射量等のブラスト加工条件は、第1ブラスト加工工程と同様に選択され得る。さらに、第2ブラスト加工工程において、ブラストノズル85の吐出口86と切削対象となる凹凸付リブ層45との離間距離も、第1ブラスト加工工程と同様に選択され得る。   The blasting apparatus used in the second blasting process can be the same as the blasting apparatus 80 used in the first blasting process described above. Further, in the second blasting process, the blasting conditions such as the injection pressure when the blasting material 75 is injected from the blast nozzle 85 and the injection amount of the blasting material 75 can be selected in the same manner as in the first blasting process. . Further, in the second blasting process, the distance between the discharge port 86 of the blast nozzle 85 and the uneven rib layer 45 to be cut can be selected in the same manner as in the first blasting process.

ただし、ブラスト材75の噴射量については、第2ブラスト加工工程におけるブラスト材75の単位時間あたりの噴射量は、第1ブラスト加工工程におけるブラスト材75の単位時間あたりの噴射量よりも多いことが好ましい。具体的には、第1ブラスト加工工程におけるブラスト材75の単位時間あたりの噴射量が、第2ブラスト加工工程におけるブラスト材75の単位時間あたりの噴射量の1/100以上1/5以下となっていることが好ましい。第2ブラスト加工工程においては、第1ブラスト加工工程で積極的に切削されることのなかった比較的ブラスト加工性の低い第2リブ層42を切削することになる。また、第1ブラスト加工工程における噴射量を低くすることにより、第2リブ層42を切削してしまうことを効果的に防止し、所望の形状を有した凹凸付リブ層45を安定して精度良く作製することができる。その一方で、第1ブラスト加工工程における噴射量を少なくし過ぎると、第1ブラスト加工工程の加工時間が長時間化する。以上のことから、第1ブラスト加工工程におけるブラスト材75の噴射量および第2ブラスト加工工程におけるブラスト材75を上記範囲に設定しておくことが好ましい。   However, with respect to the injection amount of the blast material 75, the injection amount per unit time of the blast material 75 in the second blast processing step may be larger than the injection amount per unit time of the blast material 75 in the first blast processing step. preferable. Specifically, the injection amount per unit time of the blast material 75 in the first blast processing step is 1/100 or more and 1/5 or less of the injection amount per unit time of the blast material 75 in the second blast processing step. It is preferable. In the second blasting step, the second rib layer 42 having a relatively low blasting property that was not actively cut in the first blasting step is cut. In addition, by reducing the injection amount in the first blasting process, it is possible to effectively prevent the second rib layer 42 from being cut, and the uneven rib layer 45 having a desired shape can be stably accurate. It can be manufactured well. On the other hand, if the injection amount in the first blasting process is too small, the processing time in the first blasting process becomes longer. From the above, it is preferable to set the injection amount of the blast material 75 in the first blasting process and the blast material 75 in the second blasting process in the above ranges.

このような条件の下、第2ブラスト加工工程として、ブラストノズル85と、保持装置88に保持された被加工体(積層体)Wと、の相対位置を、リブ形成用基板20の板面上において変化させ、ブラスト材75が被加工体Wの全域に噴射される。このとき、ブラスト材75はリブ形成用基板20の板面の法線NLに沿って噴射される。なお、第1ブラスト加工工程の説明でも言及したが、ブラスト材75はブラストノズル85からある程度の幅を持って噴射されるようになる。そしてここでは、ある程度の幅のうちの中心方向が、リブ形成用基板20の板面の法線に概ね平行となることを意味している。   Under such conditions, as a second blasting process, the relative position between the blast nozzle 85 and the workpiece (laminate) W held by the holding device 88 is determined on the plate surface of the rib forming substrate 20. The blast material 75 is sprayed over the entire area of the workpiece W. At this time, the blast material 75 is injected along the normal line NL of the plate surface of the rib forming substrate 20. As mentioned in the description of the first blasting process, the blast material 75 is injected from the blast nozzle 85 with a certain width. Here, it means that the center direction of a certain width is substantially parallel to the normal line of the plate surface of the rib forming substrate 20.

このようにしてリブ形成用基板20の法線NLの方向に沿って噴射されたブラスト材75は、第2ブラストマスク55、あるいは、凹凸付リブ層45のうちの第2ブラストマスク55によって覆われていない部分に衝突する。この結果、図12に示すように、凹凸付リブ層45のうちの第2ブラストマスク55によって覆われていない部分が、ブラスト材75によって削られ、凹凸付リブ層45の下方に位置していたリブ形成用基板20が露出するようになる。なお、ここでいう「凹凸付リブ層45のうちの第2ブラストマスク55に覆われていない部分を削る」とは、凹凸付リブ層45のうちの第2ブラストマスク55に覆われていない部分のみを削ることではなく、凹凸付リブ層45のうちの第2ブラストマスク55に覆われている部分が例えばサイドエッチにより削られることを排除しない。   The blast material 75 thus sprayed along the direction of the normal line NL of the rib forming substrate 20 is covered by the second blast mask 55 or the second blast mask 55 of the uneven rib layer 45. Collide with parts that are not. As a result, as shown in FIG. 12, the portion of the uneven rib layer 45 that is not covered with the second blast mask 55 is scraped by the blast material 75 and is located below the uneven rib layer 45. The rib forming substrate 20 is exposed. Here, “to remove a portion of the uneven rib layer 45 that is not covered with the second blast mask 55” means a portion of the uneven rib layer 45 that is not covered with the second blast mask 55. It is not excluded that the portion covered with the second blast mask 55 in the rib layer 45 with unevenness is not removed by, for example, side etching.

上述したように、また、図11によく示されているように、第2ブラストマスク55は、平面視において(リブ形成用基板20の法線に沿って観察した場合において)、マトリクス状に形成されている。したがって、第2ブラスト加工によって、凹凸付リブ層45は、平面視においてマトリクス状の輪郭を有するように切削される。より詳細に説明すると、第2ブラストマスク55の第1パターン部56の直下に、第1方向に沿って延びる複数の第1リブ34が残留し、第2ブラストマスク55の第2パターン部57の直下に、第2方向に沿って延びる複数の第2リブ38が残留する。   As described above and as well shown in FIG. 11, the second blast mask 55 is formed in a matrix in a plan view (when observed along the normal line of the rib forming substrate 20). Has been. Therefore, the uneven rib layer 45 is cut by the second blasting process so as to have a matrix-like outline in plan view. More specifically, a plurality of first ribs 34 extending in the first direction remain immediately below the first pattern portion 56 of the second blast mask 55, and the second pattern portion 57 of the second blast mask 55 A plurality of second ribs 38 extending along the second direction remain immediately below.

なお、図10および図11に示すように、第2ブラストマスク55の第1パターン部56は、凹凸付リブ層45の線状突出部46上に位置している。したがって、第2ブラスト加工において、線状突出部46は上方から積極的に削られることはなく、第2ブラスト加工工程後に、ブラスト加工前の高さを有したまま残存するようになる。つまり、線状突出部46の少なくともその一部分が第1リブ34を形成するようになり、第1リブ34のリブ形成用基板20からの高さは、リブ層40の全厚みと同一になる。一方、第2ブラストマスク55の第2パターン部57は、凹凸付リブ層45の隣り合う二つの線状突出部46の間を延びている。すなわち、第2パターン部57は、凹凸付リブ層45のうちの第3リブ層43を削り取られた領域の直上方に位置している。このため、第2リブ38のリブ形成用基板20の高さは、第1リブ層41と第2リブ層42との厚みを足し合わせた高さとなる。すなわち、第2リブ38の高さは、第1リブ34の高さよりも第3リブ層43の厚み分だけ低くなる。   As shown in FIGS. 10 and 11, the first pattern portion 56 of the second blast mask 55 is located on the linear protrusion 46 of the uneven rib layer 45. Therefore, in the second blasting process, the linear protrusions 46 are not actively scraped from above, and remain after the second blasting process with the height before the blasting process. That is, at least a part of the linear protrusion 46 forms the first rib 34, and the height of the first rib 34 from the rib forming substrate 20 is the same as the total thickness of the rib layer 40. On the other hand, the second pattern part 57 of the second blast mask 55 extends between two adjacent linear protrusions 46 of the rib layer 45 with unevenness. That is, the second pattern portion 57 is located immediately above the region where the third rib layer 43 of the uneven rib layer 45 is scraped. Therefore, the height of the rib forming substrate 20 of the second rib 38 is a height obtained by adding the thicknesses of the first rib layer 41 and the second rib layer 42. That is, the height of the second rib 38 is lower than the height of the first rib 34 by the thickness of the third rib layer 43.

以上のようにして、凹凸付リブ層45の第2ブラストマスク55によって覆われていない部分が除去され、凹凸付リブ層45の第2ブラストマスク55によって覆われている部分が残る。これにより、図5(d)および図12に示すように、凹凸付リブ層45から、第1リブ34と、第1リブ34よりも高さの低い第2リブ38と、を有した段差マトリクスリブ30が形成されるようになる。   As described above, the portion of the uneven rib layer 45 not covered by the second blast mask 55 is removed, and the portion of the uneven rib layer 45 covered by the second blast mask 55 remains. Accordingly, as shown in FIG. 5D and FIG. 12, the step matrix having the first rib 34 and the second rib 38 having a height lower than that of the first rib 34 from the uneven rib layer 45. Ribs 30 are formed.

とりわけ、本実施の形態によれば、上述したように、第2ドライフィルムレジスト59が、線状突出部46において凹凸付リブ層45に接触するとともに、隣り合う二つの線状突出部46の間の少なくとも一部分においても凹凸付リブ層45に接触するようにして、凹凸付リブ層45上に配置されている。この結果、図17に示すように、第2ドライフィルムレジスト59が凹凸付リブ層45上において一定と厚みとなっていない場合と比較し、フォトリソグラフィー技術によって、所望のパターンを有した第2ブラストマスク55を精度良く作製することができる。さらに、上述したように、第2ブラストマスク55の第1パターン部56は、凹凸付リブ層45の線状突出部46の平坦な端面上に形成される。この結果、フォトリソグラフィー技術を用いて第1パターン部56を精度良く作製することができる。これらのことから、精度良く作製された第2ブラストマスク55を用いて、凹凸付リブ層45を精度良く切削し、所望の輪郭を有した段差マトリクスリブ30を作製することができる。   In particular, according to the present embodiment, as described above, the second dry film resist 59 is in contact with the uneven rib layer 45 at the linear protrusion 46 and between the two adjacent linear protrusions 46. At least a part of the rib is disposed on the uneven rib layer 45 so as to be in contact with the uneven rib layer 45. As a result, as shown in FIG. 17, the second blast having a desired pattern is formed by a photolithography technique as compared with the case where the second dry film resist 59 does not have a constant thickness on the uneven rib layer 45. The mask 55 can be manufactured with high accuracy. Furthermore, as described above, the first pattern portion 56 of the second blast mask 55 is formed on the flat end surface of the linear protrusion 46 of the uneven rib layer 45. As a result, the first pattern portion 56 can be accurately manufactured using a photolithography technique. For these reasons, the uneven rib layer 45 can be cut with high accuracy using the second blast mask 55 manufactured with high accuracy, and the stepped matrix rib 30 having a desired contour can be manufactured.

また、上述したように、本実施の形態においては、第2ブラストマスク55の第2パターン部57は、第1パターン部56に接続する両端部57a,57aの間の中間部57bにおいて、凹凸付リブ層45に接触している。したがって、第2パターン部57の直下に形成される第2リブ38には、上方からブラスト材75が衝突しない。このため、第2リブ38が平坦な上面を有するようにすることができる。また、上述したように、第2ブラストマスク55の第1パターン部56だけでなく第2パターン部57も凹凸付リブ層45に固定されている。この結果、第2ブラストマスク55は、凹凸付リブ層45の凹凸面上に配置されているにもかかわらず、凹凸付リブ層45に対して強固に固定されている。したがって、第2ブラスト加工工程中におけるブラスト材75の噴射によって、第2ブラストマスク55の一部分が、凹凸付リブ層45から剥がれてしまうことや、凹凸付リブ層45に対して移動してしまうこと等を効果的に防止することが可能となる。これにより、所望の形状を有する段差マトリクスリブ30を、さらに安定してさらに精度良く作製することが可能となる。   Further, as described above, in the present embodiment, the second pattern portion 57 of the second blast mask 55 is provided with unevenness at the intermediate portion 57b between both end portions 57a and 57a connected to the first pattern portion 56. It is in contact with the rib layer 45. Therefore, the blast material 75 does not collide with the second rib 38 formed immediately below the second pattern portion 57 from above. For this reason, the 2nd rib 38 can be made to have a flat upper surface. Further, as described above, not only the first pattern portion 56 of the second blast mask 55 but also the second pattern portion 57 is fixed to the uneven rib layer 45. As a result, the second blast mask 55 is firmly fixed to the uneven rib layer 45 despite being disposed on the uneven surface of the uneven rib layer 45. Therefore, a portion of the second blast mask 55 is peeled off from the uneven rib layer 45 or moved relative to the uneven rib layer 45 by the injection of the blast material 75 during the second blasting process. And the like can be effectively prevented. As a result, the step matrix rib 30 having a desired shape can be manufactured more stably and with higher accuracy.

さらに、第2ブラスト加工工程中に、凹凸付リブ層45の線状突出部46を覆っている第2ブラストマスク55の第1パターン部56の幅w2は、第1ブラストマスク50の線状部51の幅w1よりも狭くなっている。したがって、図10および図12を比較することより理解され得るように、第2ブラスト加工工程中、線状突出部51の高さは変化しないものの、線状突出部51の幅は狭くなっていく。すなわち、第2ブラスト加工工程において、線状突出部46を先端部として含むようになる第1リブ34の幅をブラスト切削することができる。このような方法によれば、第1リブ34の寸法ばらつきを低減して、第1リブ34をより精度良く形成することができる。   Furthermore, the width w2 of the first pattern portion 56 of the second blast mask 55 covering the linear protrusion 46 of the uneven rib layer 45 during the second blast processing step is the linear portion of the first blast mask 50. 51 is narrower than the width w1. Therefore, as can be understood by comparing FIG. 10 and FIG. 12, the height of the linear protrusion 51 does not change during the second blasting process, but the width of the linear protrusion 51 becomes narrower. . That is, in the second blasting step, the width of the first rib 34 that includes the linear protrusion 46 as the tip can be blast cut. According to such a method, the first rib 34 can be formed with higher accuracy by reducing the dimensional variation of the first rib 34.

なお、本実施の形態によれば、上述したように、リブ層40の表面層をなす第3リブ層43の下方には、ブラスト加工性の低い、すなわち、ブラスト加工によって削られにくい第2リブ層42が配置されている。このため、第2リブ層42の切削に時間がかかり、第2ブラスト加工工程においても、凹凸付リブ層45の線状突出部46が側方削り込み(サイドエッチ)によっていくらか切削される。そこで、本件発明者らが鋭意研究を重ねたところ、上述したように、第3リブ層43のブラスト加工性は、第2リブ層42のブラスト加工性の1.1倍以上20倍以下に設定されていることが好ましく、1.5倍以上10倍以下に設定されていることがさらに好ましい。第2リブ層42のブラスト加工性が、第3リブ層43のブラスト加工性に比較して低過ぎると、つまり、第3リブ層43と比較して第2リブ層42が削られにく過ぎると、ブラスト加工工程中における側方削り込み(サイドエッチ)が促進され過ぎ、得られた第1リブ34の第3リブ層43からなる部分が第2リブ層42からなる部分と比較して大きく削り込まれる。これにより、図18に示すように、第1リブ34の外輪郭に凹凸が形成され、可視光を発する蛍光体層18を支持する面として不都合が生じる。   According to the present embodiment, as described above, below the third rib layer 43 forming the surface layer of the rib layer 40, the second rib having low blast workability, that is, difficult to be cut by blast work. Layer 42 is disposed. For this reason, it takes time to cut the second rib layer 42, and in the second blasting process, the linear protrusion 46 of the uneven rib layer 45 is cut somewhat by side cutting. Therefore, as a result of extensive research by the present inventors, as described above, the blast workability of the third rib layer 43 is set to 1.1 to 20 times the blast workability of the second rib layer 42. It is preferable that it is set to 1.5 times or more and 10 times or less. If the blast workability of the second rib layer 42 is too low compared to the blast workability of the third rib layer 43, that is, the second rib layer 42 is too difficult to be cut compared to the third rib layer 43. Then, side cutting during the blasting process is promoted too much, and the portion of the obtained first rib 34 made of the third rib layer 43 is larger than the portion made of the second rib layer 42. It is cut out. As a result, as shown in FIG. 18, irregularities are formed on the outer contour of the first rib 34, which causes inconvenience as a surface for supporting the phosphor layer 18 that emits visible light.

一方、第3リブ層43のブラスト加工性が、第2リブ層42のブラスト加工性に対して低過ぎると、つまり、第3リブ層43が削られにく過ぎると、第1ブラスト加工工程において、第3リブ層43からなる部分のみを切削することが難しくなり、第2リブ層42の一部または全部が削れてしまうことになる。この結果、第2リブ38の高さがばらついてしまう。また、第3リブ層43のブラスト加工性が、第2リブ層42のブラスト加工性に対して低過ぎると、つまり、第3リブ層43が削られにく過ぎると、第1ブラスト加工工程において、第3リブ層43を削り取るのに長時間を要するようになる。すなわち、生産性を悪化させてしまう。   On the other hand, if the blast workability of the third rib layer 43 is too low with respect to the blast workability of the second rib layer 42, that is, if the third rib layer 43 is too difficult to be cut, Then, it becomes difficult to cut only the portion made of the third rib layer 43, and a part or all of the second rib layer 42 is cut. As a result, the height of the second rib 38 varies. Further, if the blast workability of the third rib layer 43 is too low with respect to the blast workability of the second rib layer 42, that is, if the third rib layer 43 is too difficult to be cut, It takes a long time to scrape off the third rib layer 43. That is, productivity is deteriorated.

さらに、本件発明者らがブラスト加工性について鋭意研究を重ねたところ、上述したように、第1リブ層41のブラスト加工性は第2リブ層42のブラスト加工性の1.5倍以上100倍以下に設定されていることが好ましく、2倍以上25倍以下に設定されていることがさらに好ましい。結果として、第1リブ層41のブラスト加工性は、第3リブ層43のブラスト加工性よりも高いことが好ましいことになる。   Furthermore, when the present inventors have made extensive studies on blast workability, as described above, the blast workability of the first rib layer 41 is 1.5 times to 100 times the blast workability of the second rib layer 42. It is preferably set as follows, and more preferably set at 2 times or more and 25 times or less. As a result, it is preferable that the blast workability of the first rib layer 41 is higher than the blast workability of the third rib layer 43.

第1リブ層41のブラスト加工性が、第2リブ層42のブラスト加工性に比較して高過ぎると、つまり、第2リブ層42と比較して第1リブ層41が削られやす過ぎると、第2ブラスト加工工程中における第1リブ層41への側方削り込み(サイドエッチ)が促進され過ぎ、得られた第1リブ34および第2リブ38の第1リブ層41からなる部分が第2リブ層42からなる部分と比較して大きく削り込まれる。これにより、第1リブ34の外輪郭(図18参照)および第2リブ38の外輪郭に凹凸が形成され、可視光を発する蛍光体層18を支持する面として不都合が生じる。   If the blast workability of the first rib layer 41 is too high compared to the blast workability of the second rib layer 42, that is, if the first rib layer 41 is too easy to be cut compared to the second rib layer 42. Further, side cutting into the first rib layer 41 during the second blasting process is promoted too much, and a portion of the first rib 34 and the second rib 38 obtained from the first rib layer 41 is obtained. Compared with the portion made of the second rib layer 42, it is greatly sharpened. As a result, irregularities are formed in the outer contour of the first rib 34 (see FIG. 18) and the outer contour of the second rib 38, which causes inconvenience as a surface for supporting the phosphor layer 18 that emits visible light.

一方、第1リブ層41のブラスト加工性が、第2リブ層42のブラスト加工性に対して低過ぎると、つまり、第1リブ層41が削られにく過ぎると、第2ブラスト加工工程において、第1リブ層41を削り取るのに長時間を要するようになる。すなわち、生産性を悪化させてしまう。   On the other hand, if the blast workability of the first rib layer 41 is too low with respect to the blast workability of the second rib layer 42, that is, if the first rib layer 41 is too hard to be cut, It takes a long time to scrape off the first rib layer 41. That is, productivity is deteriorated.

(その他の工程)
以上のようにしてリブ形成用基板20上に段差マトリクスリブ30が形成された後、段差マトリクス30上から第2ブラストマスク55が除去される。第2ブラストマスク55が除去されると、リブ形成用基板20の一方の面20a上に段差マトリクスリブ30が露出するようになる(図1参照)。なお、第2ブラストマスク55の除去は、第1ブラストマスク50を凹凸付リブ層45上から除去する装置と同一の装置を用い、第1ブラストマスク50を凹凸付リブ層45上から除去する方法と同様に行うことができる。
(Other processes)
After the step matrix ribs 30 are formed on the rib forming substrate 20 as described above, the second blast mask 55 is removed from the step matrix 30. When the second blast mask 55 is removed, the step matrix ribs 30 are exposed on one surface 20a of the rib forming substrate 20 (see FIG. 1). The second blast mask 55 is removed by using the same apparatus as the apparatus for removing the first blast mask 50 from the uneven rib layer 45 and removing the first blast mask 50 from the uneven rib layer 45. Can be done as well.

次に、リブ形成用基板20上の段差マトリクスリブ30を焼成する。その後に、段差マトリクスリブ30の側面およびリブ形成用基板20の一方の面20a上に蛍光体層18を形成する。蛍光体層18の形成方法は、PDP用背面板の製造において用いられ得る種々の既知の方法、例えばスクリーン印刷による成膜方法を採用することができる。   Next, the step matrix ribs 30 on the rib forming substrate 20 are baked. Thereafter, the phosphor layer 18 is formed on the side surfaces of the step matrix ribs 30 and the one surface 20 a of the rib forming substrate 20. As a method for forming the phosphor layer 18, various known methods that can be used in the production of a PDP back plate, for example, a film formation method by screen printing can be employed.

以上のようにして、図2に示されたプラズマディスプレイパネル用背面板10が得られる。   As described above, the plasma display panel back plate 10 shown in FIG. 2 is obtained.

<本実施の形態の作用効果の概要>
以上のような本実施の形態によれば、第1ブラスト加工として、ストライプ状の第1ブラストマスク50越しにリブ層40へ向けてブラスト材75を噴射することにより、複数の線状突出部46を有する凹凸付リブ層45が形成される。そして、この凹凸付リブ層45上に、第2ドライフィルムレジスト59が積層される。このとき、線状突出部46の突出高さは、リブ層40の全厚み未満、より詳細には、後に形成される第1リブ34と第2リブ38との高低差分に過ぎない。また、複数の線状突出部46は、マトリクス状のような複雑な形状ではなく、ストライプ状に過ぎない。結果として、凹凸付リブ層45の線状突出部46に接触するとともに隣り合う二つの線状突出部46の間においても凹凸付リブ層45に接触するようにして、第2のドライフィルムレジスト59を凹凸付リブ層45上にラミネートすることが、可能となる。
<Summary of effects of the present embodiment>
According to the present embodiment as described above, as the first blasting process, the blast material 75 is sprayed toward the rib layer 40 through the striped first blast mask 50, whereby a plurality of linear protrusions 46 are formed. A concave-convex rib layer 45 is formed. Then, a second dry film resist 59 is laminated on the uneven rib layer 45. At this time, the projecting height of the linear projecting portion 46 is less than the total thickness of the rib layer 40, more specifically, the height difference between the first rib 34 and the second rib 38 formed later. Further, the plurality of linear protrusions 46 are not a complicated shape such as a matrix shape, but only a stripe shape. As a result, the second dry film resist 59 is brought into contact with the linear protrusion 46 of the uneven rib layer 45 and also in contact with the uneven rib layer 45 between two adjacent linear protrusions 46. Can be laminated on the uneven rib layer 45.

この場合、第2ドライフィルムレジスト59は凹凸付リブ層45上でうねっているものの、線状突出部46の直上において第2ドライフィルムレジスト59が潰されてしまうことを防止することができる。また、凹凸付リブ層45上において第2ドライフィルムレジスト59の厚みを略一定に維持することもできる。これにより、フォトリソグラフィー技術を用いた露光および現像をこの第2ドライフィルムレジスト59に施して、第2ブラストマスク55を精度良く形成することができる。   In this case, although the second dry film resist 59 undulates on the uneven rib layer 45, it is possible to prevent the second dry film resist 59 from being crushed immediately above the linear protrusion 46. Further, the thickness of the second dry film resist 59 can be maintained substantially constant on the uneven rib layer 45. Thus, exposure and development using a photolithography technique can be performed on the second dry film resist 59, and the second blast mask 55 can be formed with high accuracy.

また、凹凸付リブ層45の線状突出部46はストライプ状に配列されており、凹凸付リブ層45は段差を有するものの比較的に単純な形状となっている。このため、マトリクス状にパターニングされたリブ層上のDFRを露光および現像する場合とは異なり(例えば、特許3440352号公報中の第1実施形態のような場合)、第2ドライフィルムレジスト59のパターニング時に除去される部分が、凹凸付リブ層45の段差にひっかかって凹凸付リブ層45上に残留してしまうことを防止することができる。したがって、第2ドライフィルムレジスト59の不要部分によって、ブラスト加工精度が低下してしまうことを効果的に防止することができる。   The linear protrusions 46 of the uneven rib layer 45 are arranged in stripes, and the uneven rib layer 45 has a relatively simple shape although it has a step. Therefore, unlike the case of exposing and developing the DFR on the rib layer patterned in a matrix (for example, the case of the first embodiment in Japanese Patent No. 3340352), the patterning of the second dry film resist 59 is performed. It is possible to prevent a portion that is sometimes removed from remaining on the uneven rib layer 45 by being caught by the step of the uneven rib layer 45. Therefore, it is possible to effectively prevent the blast processing accuracy from being reduced due to the unnecessary portion of the second dry film resist 59.

さらに、形成された第2ブラストマスク55は、第1方向に沿った第1パターン部56と、第1方向とは交差する第2方向に沿った第2パターン部47と、を含むマトリクス状となっている。そして、第2ブラストマスク55は、第1パターン部46および第2パターン部47において凹凸付リブ層45に接触して固定されている。したがって、凹凸を有する凹凸付リブ層45上に配置されたストライプ状のブラストマスク(例えば、特許3440352号公報中の第1実施形態におけるブラストマスク)と比較して、この第2ブラストマスク55は凹凸付リブ層45上に格段に安定して保持されるようになる。この結果、第2のブラスト加工中に第2ブラストマスク55が凹凸付リブ層45から剥がれてしまうことが効果的に防止されるようになる。   Further, the formed second blast mask 55 has a matrix shape including a first pattern portion 56 along the first direction and a second pattern portion 47 along the second direction intersecting the first direction. It has become. The second blast mask 55 is fixed in contact with the uneven rib layer 45 in the first pattern portion 46 and the second pattern portion 47. Therefore, the second blast mask 55 is uneven as compared with a striped blast mask (for example, the blast mask in the first embodiment of Japanese Patent No. 3340352) disposed on the uneven rib layer 45 having unevenness. On the ribbed layer 45, it is held remarkably stably. As a result, it is possible to effectively prevent the second blast mask 55 from being peeled off from the uneven rib layer 45 during the second blasting process.

なお、得られたマトリクス状のリブ30において、第2ブラストマスク55の第1パターン部56の直下には、線状突出部46を含み、リブ層40の厚みと同じ高さを有する第1リブ34が形成される。一方、第2ブラストマスク55の第2パターン部57の直下には、第1ブラスト加工において削られた厚み分だけ、第1リブ34よりも高さが低くなっている第2リブ38が形成される。このようにして、複数の第1リブ34と、隣り合う二つの第1リブ34間を延び、第1リブ34よりも高さが低い第2リブ38と、からなる段差マトリクスリブ30を有したプラズマディスプレイパネル用背面板10を容易かつ精度良く製造することができる。   In the obtained matrix-like rib 30, the first rib including the linear protrusion 46 immediately below the first pattern portion 56 of the second blast mask 55 and having the same height as the thickness of the rib layer 40. 34 is formed. On the other hand, a second rib 38 having a height lower than that of the first rib 34 is formed immediately below the second pattern portion 57 of the second blast mask 55 by the thickness cut in the first blasting process. The In this manner, the step matrix rib 30 including the plurality of first ribs 34 and the second ribs 38 extending between the two adjacent first ribs 34 and having a height lower than that of the first ribs 34 is provided. The back plate 10 for a plasma display panel can be manufactured easily and accurately.

<変形例>
上述した実施の形態に関し、本発明の要旨の範囲内で種々の変更が可能である。以下、変形例の一例について説明する。
<Modification>
Various modifications can be made within the scope of the gist of the present invention with respect to the above-described embodiment. Hereinafter, an example of a modification will be described.

上述した実施の形態において、リブ層40が第1乃至第3リブ層41,42,43の三層を含んでいる例を示したが、これに限られず、リブ層40の層構成を適宜変更することができる。例えば、リブ層40が単一層から形成されているようにしてもよい。このような変形例においても、第1ブラスト加工工程中に、リブ層40のうちの第1ブラストマスク50に覆われていない部分を、その全厚み未満の任意の厚み分だけ、削ることによって、最終的に段差マトリクスリブ30を得ることができる。   In the above-described embodiment, the example in which the rib layer 40 includes the three layers of the first to third rib layers 41, 42, and 43 has been described. can do. For example, the rib layer 40 may be formed from a single layer. Even in such a modification, during the first blasting process, by cutting the portion of the rib layer 40 that is not covered by the first blast mask 50 by an arbitrary thickness less than the total thickness, Finally, the step matrix rib 30 can be obtained.

また、上述した実施の形態において、第2ブラストマスク55の第1パターン部56の幅w2が、第1ブラストマスク50の線状部51の幅w2よりも狭くなっている例を示したが、これに限られず、例えば、第1パターン部56の幅w2が線状部51の幅w2以上となっていてもよい。   In the embodiment described above, the example in which the width w2 of the first pattern portion 56 of the second blast mask 55 is narrower than the width w2 of the linear portion 51 of the first blast mask 50 has been shown. For example, the width w2 of the first pattern portion 56 may be greater than or equal to the width w2 of the linear portion 51.

さらに、上述した実施の形態において、図10に示されているように、第2ブラストマスク55の第1パターン部56の幅w2が、凹凸付リブ層45の線状突出部46の平坦面の幅よりも狭くなっている例を示したが、これに限られず、第1パターン部56の幅w2が、凹凸付リブ層45の線状突出部46の平坦面の幅以上となっていてもよい。   Further, in the above-described embodiment, as shown in FIG. 10, the width w2 of the first pattern portion 56 of the second blast mask 55 is equal to the flat surface of the linear protrusion 46 of the uneven rib layer 45. Although an example in which the width is smaller than the width has been shown, the present invention is not limited to this, and the width w2 of the first pattern portion 56 is not less than the width of the flat surface of the linear protrusion 46 of the uneven rib layer 45. Good.

図1は、プラズマディスプレイパネル用背面板の一例を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an example of a back plate for a plasma display panel. 図2は、プラズマディスプレイパネル用背面板の一例を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of a back plate for a plasma display panel. 図3(a)および(b)は、図1に示されたプラズマディスプレイパネル用背面板に組み込まれたリブ形成用基板を説明するための図であって、図3(b)はリブ形成用基板を示す斜視図であり、図3(a)は誘電体層を省いた状態におけるリブ形成用基板を示す斜視図である。FIGS. 3A and 3B are diagrams for explaining a rib forming substrate incorporated in the back plate for the plasma display panel shown in FIG. 1, and FIG. FIG. 3A is a perspective view showing a substrate, and FIG. 3A is a perspective view showing a rib forming substrate in a state where a dielectric layer is omitted. 図4、本発明によるプラズマディスプレイパネル用背面板の製造方法の一実施の形態を説明するための模式図である。FIG. 4 is a schematic view for explaining an embodiment of a method for manufacturing a back plate for a plasma display panel according to the present invention. 図5、本発明によるプラズマディスプレイパネル用背面板の製造方法の一実施の形態を説明するための模式図であり、図4に示された工程後における製造方法を説明するための図である。FIG. 5 is a schematic diagram for explaining an embodiment of a method for producing a back plate for a plasma display panel according to the present invention, and is a diagram for explaining a production method after the step shown in FIG. 図6は、プラズマディスプレイパネル用背面板の製造方法のリブ層形成工程を説明するための図である。FIG. 6 is a diagram for explaining a rib layer forming step of the method for manufacturing the back plate for a plasma display panel. 図7は、プラズマディスプレイパネル用背面板の製造方法のレジスト積層工程を説明するための図である。FIG. 7 is a diagram for explaining a resist laminating process of the method for manufacturing the back plate for a plasma display panel. 図8は、第1ブラスト加工中における被加工体の一状態を、第2方向とリブ形成用基板の法線とに沿った断面において、示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a state of the workpiece during the first blasting in a cross section along the second direction and the normal line of the rib forming substrate. 図9は、第2レジスト積層工程後における被加工体の状態を、第2方向とリブ形成用基板の法線とに沿った断面において、示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a state of the workpiece after the second resist laminating process in a cross section along the second direction and the normal line of the rib forming substrate. 図10は、第2ブラストマスク形成工程後における被加工体の状態を、第2方向とリブ形成用基板の法線とに沿った断面において、示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a state of the workpiece after the second blast mask forming step in a cross section along the second direction and the normal line of the rib forming substrate. 図11は、第2ブラストマスク形成工程後における被加工体の状態を示す平面図である。FIG. 11 is a plan view showing a state of the workpiece after the second blast mask forming step. 図12は、第2ブラスト加工工程後における被加工体の状態を、第2方向とリブ形成用基板の法線とに沿った断面において、示す図である。FIG. 12 is a diagram illustrating a state of the workpiece after the second blasting process in a cross section along the second direction and the normal line of the rib forming substrate. 図13は、ブラスト加工装置の概略構成を示す側面図である。FIG. 13 is a side view showing a schematic configuration of the blast processing apparatus. 図14は、図13に示されたブラスト加工装置の概略構成を示す平面図である。FIG. 14 is a plan view showing a schematic configuration of the blasting apparatus shown in FIG. 図15は、図13および図14に示されたブラスト加工装置に組み込まれ得るノズルの一例を示す斜視図である。FIG. 15 is a perspective view showing an example of a nozzle that can be incorporated in the blasting apparatus shown in FIGS. 13 and 14. 図16は、図13および図14に示されたブラスト加工装置に組み込まれ得るノズルの他の例を示す斜視図である。FIG. 16 is a perspective view showing another example of a nozzle that can be incorporated in the blasting apparatus shown in FIGS. 13 and 14. 図17は、第2ドライフィルムレジストの好ましくない積層状態を説明するための図である。FIG. 17 is a diagram for explaining an undesirable lamination state of the second dry film resist. 図18は、第1リブの好ましくない例を説明するための断面図である。FIG. 18 is a cross-sectional view for explaining an undesirable example of the first rib.

符号の説明Explanation of symbols

10 プラズマディスプレイパネル用背面板(PDP用背面板)
20 リブ形成用基板
30 段差マトリクスリブ
34 第1リブ
38 第2リブ
39 先端部分
40 リブ層
41 第1リブ層
42 第2リブ層
43 第3リブ層
45 凹凸付リブ層
46 線状突出部
50 第1ブラストマスク
51 線状部
55 第2ブラストマスク
56 第1パターン部
57 第2パターン部
70 プラズマディスプレイパネル用背面板の製造装置
71 リブ形成装置
75 ブラスト材
80 ブラスト加工装置
10 Back plate for plasma display panel (back plate for PDP)
20 Rib forming substrate 30 Step matrix rib 34 First rib 38 Second rib 39 Tip portion 40 Rib layer 41 First rib layer 42 Second rib layer 43 Third rib layer 45 Concave rib layer 46 Linear protrusion 50 First DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Blast mask 51 Linear part 55 2nd blast mask 56 1st pattern part 57 2nd pattern part 70 Manufacturing apparatus 71 of the back plate for plasma display panels Rib formation apparatus 75 Blast material 80 Blast processing apparatus

Claims (14)

リブ形成用基板上にリブ層を形成する工程と、
前記リブ層上に第1のドライフィルムレジストを積層する工程と、
前記第1のドライフィルムレジストをパターニングして、前記リブ形成用基板上の第1方向に沿って延びる複数の線状部を含む第1ブラストマスクを、前記リブ層上に形成する工程と、
前記第1ブラストマスク側から前記リブ層へブラスト材を噴射して、前記リブ層のうちの前記第1ブラストマスクに覆われていない部分を、その全厚み未満の厚み分だけ、削り、第1方向に沿って延びる複数の線状突出部を含む凹凸付リブ層を形成する工程と、
前記凹凸付リブ層上から前記第1ブラストマスクを除去する工程と、
前記凹凸付リブ層上に第2のドライフィルムレジストを積層する工程と、
前記第2のドライフィルムレジストをパターニングして、前記第1方向に沿って延びる複数の第1パターン部と、前記第1方向と交差する前記リブ形成用基板上の第2方向に沿って第1パターン部間を延びる複数の第2パターン部と、を含む第2ブラストマスクを、前記凹凸付リブ層上に形成する工程と、
前記第2ブラストマスク側から前記リブ層へブラスト材を噴射して、前記線状突出部を含み前記第1方向に沿って延びる複数の第1リブと、前記第2方向に沿って前記第1リブ間を延び、前記リブ形成用基板からの高さが前記第1リブよりも低い複数の第2リブと、を含む段差マトリクスリブを形成する工程と、を備え、
前記第2ブラストマスクの前記第1パターン部の幅は、前記第1ブラストマスクの前記線状部の幅よりも狭い
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル用背面板の製造方法。
Forming a rib layer on the rib forming substrate;
Laminating a first dry film resist on the rib layer;
Patterning the first dry film resist to form a first blast mask including a plurality of linear portions extending along a first direction on the rib forming substrate on the rib layer;
A blast material is sprayed from the first blast mask side to the rib layer, and a portion of the rib layer that is not covered with the first blast mask is shaved by a thickness less than the total thickness, Forming an uneven rib layer including a plurality of linear protrusions extending along a direction;
Removing the first blast mask from the uneven rib layer;
Laminating a second dry film resist on the uneven rib layer;
Patterning the second dry film resist, a plurality of first pattern portions extending along the first direction, and a first along a second direction on the rib forming substrate intersecting the first direction. Forming a second blast mask including a plurality of second pattern portions extending between the pattern portions on the uneven rib layer;
A blast material is sprayed from the second blast mask side to the rib layer, a plurality of first ribs including the linear protrusions and extending along the first direction, and the first along the second direction. Forming a step matrix rib that includes a plurality of second ribs extending between the ribs and having a plurality of second ribs having a height from the rib forming substrate lower than that of the first ribs,
The method for manufacturing a back plate for a plasma display panel, wherein the width of the first pattern portion of the second blast mask is narrower than the width of the linear portion of the first blast mask.
前記第2のドライフィルムレジストを積層する工程において、前記凹凸付リブ層の前記線状突出部に接触するとともに隣り合う二つの線状突出部の間においても前記凹凸付リブ層に接触するようにして、第2のドライフィルムレジストが前記凹凸付リブ層上に積層される
ことを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル用背面板の製造方法。
In the step of laminating the second dry film resist, it is in contact with the linear protrusions of the uneven rib layer and also in contact with the uneven rib layer between two adjacent linear protrusions. The method for producing a back plate for a plasma display panel according to claim 1, wherein a second dry film resist is laminated on the rib layer with unevenness.
リブ形成用基板上にリブ層を形成する工程と、
前記リブ層上に第1のドライフィルムレジストを積層する工程と、
前記第1のドライフィルムレジストをパターニングして、前記リブ形成用基板上の第1方向に沿って延びる複数の線状部を含む第1ブラストマスクを、前記リブ層上に形成する工程と、
前記第1ブラストマスク側から前記リブ層へブラスト材を噴射して、前記リブ層のうちの前記第1ブラストマスクに覆われていない部分を、その全厚み未満の厚み分だけ、削り、第1方向に沿って延びる複数の線状突出部を含む凹凸付リブ層を形成する工程と、
前記凹凸付リブ層上から前記第1ブラストマスクを除去する工程と、
前記凹凸付リブ層の前記線状突出部に接触するとともに隣り合う二つの線状突出部の間においても前記凹凸付リブ層に接触するようにして、第2のドライフィルムレジストを前記凹凸付リブ層上に積層する工程と、
前記第2のドライフィルムレジストをパターニングして、前記第1方向に沿って延びる複数の第1パターン部と、前記第1方向と交差する前記リブ形成用基板上の第2方向に沿って第1パターン部間を延びる複数の第2パターン部と、を含む第2ブラストマスクを、前記凹凸付リブ層上に形成する工程と、
前記第2ブラストマスク側から前記リブ層へブラスト材を噴射して、前記線状突出部を含み前記第1方向に沿って延びる複数の第1リブと、前記第2方向に沿って前記第1リブ間を延び、前記リブ形成用基板からの高さが前記第1リブよりも低い複数の第2リブと、を含む段差マトリクスリブを形成する工程と、を備える
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル用背面板の製造方法。
Forming a rib layer on the rib forming substrate;
Laminating a first dry film resist on the rib layer;
Patterning the first dry film resist to form a first blast mask including a plurality of linear portions extending along a first direction on the rib forming substrate on the rib layer;
A blast material is sprayed from the first blast mask side to the rib layer, and a portion of the rib layer that is not covered with the first blast mask is shaved by a thickness less than the total thickness, Forming an uneven rib layer including a plurality of linear protrusions extending along a direction;
Removing the first blast mask from the uneven rib layer;
The second dry film resist is made to be in contact with the linear protrusions of the uneven rib layer and in contact with the uneven rib layer between two adjacent linear protrusions, so that the second dry film resist is provided with the uneven ribs. Laminating on the layer;
Patterning the second dry film resist, a plurality of first pattern portions extending along the first direction, and a first along a second direction on the rib forming substrate intersecting the first direction. Forming a second blast mask including a plurality of second pattern portions extending between the pattern portions on the uneven rib layer;
A blast material is sprayed from the second blast mask side to the rib layer, a plurality of first ribs including the linear protrusions and extending along the first direction, and the first along the second direction. Forming a step matrix rib including a plurality of second ribs extending between the ribs and having a plurality of second ribs having a height from the rib forming substrate lower than that of the first ribs. Method for manufacturing a back plate.
前記第2ブラストマスクの前記第2パターン部は、前記第1パターン部に接続する両端部の間の中間部において、前記凹凸付リブ層に接触している
ことを特徴とする請求項2または3に記載のプラズマディスプレイパネル用背面板の製造方法。
The said 2nd pattern part of a said 2nd blast mask is contacting the said uneven | corrugated rib layer in the intermediate part between the both ends connected to a said 1st pattern part. The manufacturing method of the backplate for plasma display panels as described in any one of.
前記凹凸付リブ層を形成する工程において単位時間に噴射されるブラスト材の噴射量は、前記段差マトリクスリブを形成する工程において単位時間に噴射されるブラスト材の噴射量の1/100以上1/5以下である
ことを特徴とする請求項1乃至4に記載のプラズマディスプレイパネル用背面板の製造方法。
The injection amount of the blast material injected per unit time in the step of forming the uneven rib layer is 1/100 or more of the injection amount of the blast material injected per unit time in the step of forming the step matrix rib. 5. The method for manufacturing a back plate for a plasma display panel according to claim 1, wherein the number is 5 or less.
前記リブ層を形成する工程は、前記リブ形成用基板上に第1リブ層を形成する工程と、前記第1リブ層上に、前記第1リブ層よりもブラスト加工性の低い第2リブ層を形成する工程と、前記第2リブ層上に、前記第2リブ層よりもブラスト加工性の高い第3リブ層を形成する工程と、を有し、
前記凹凸付リブ層を形成する工程において、前記第3リブ層が削られ、
前記第2のドライフィルムレジストを前記凹凸付リブ層上に積層する工程において、前記第2のドライフィルムは、前記隣り合う二つの線状突出部の間において前記第2リブ層に接触するように配置される
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイパネル用背面板の製造方法。
The step of forming the rib layer includes a step of forming a first rib layer on the rib forming substrate, and a second rib layer having a lower blast workability than the first rib layer on the first rib layer. And forming a third rib layer having a higher blasting property than the second rib layer on the second rib layer, and
In the step of forming the uneven rib layer, the third rib layer is shaved,
In the step of laminating the second dry film resist on the uneven rib layer, the second dry film is in contact with the second rib layer between the two adjacent linear protrusions. 6. The method for manufacturing a back plate for a plasma display panel according to claim 1, wherein the back plate is disposed.
前記第1リブ層のブラスト加工性は、前記第3リブ層のブラスト加工性よりも高い
ことを特徴とする請求項6に記載のプラズマディスプレイパネル用背面板の製造方法。
The method for manufacturing a back plate for a plasma display panel according to claim 6, wherein the blasting property of the first rib layer is higher than the blasting property of the third rib layer.
前記第1リブ層のブラスト加工性は、前記第2リブ層のブラスト加工性の1.5倍以上100倍以下である
ことを特徴とする請求項6または7に記載のプラズマディスプレイパネル用背面板の製造方法。
8. The back plate for a plasma display panel according to claim 6, wherein the blast workability of the first rib layer is not less than 1.5 times and not more than 100 times the blast workability of the second rib layer. 9. Manufacturing method.
前記第3リブ層のブラスト加工性は、前記第2リブ層のブラスト加工性の1.1倍以上20倍以下である
ことを特徴とする請求項6乃至8のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイパネル用背面板の製造方法。
9. The plasma according to claim 6, wherein the blasting property of the third rib layer is 1.1 to 20 times the blasting property of the second rib layer. A manufacturing method of a back panel for a display panel.
請求項1乃至9に記載された製造方法によって製造された
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル用背面板。
A back plate for a plasma display panel manufactured by the manufacturing method according to claim 1.
ブラスト加工を用いてプラズマディスプレイパネル用背面板を製造する際に用いられる積層体であって、
リブ形成用基板と、
前記リブ形成用基板上に形成され、前記リブ形成用基板上の第1方向に沿って延びる複数の線状突出部を含む凹凸付リブ層と、
前記凹凸付リブ層上に積層されたドライフィルムレジストと、を備え、
前記ドライフィルムレジストは、前記凹凸付リブ層の前記線状突出部に接触するとともに隣り合う二つの線状突出部の間においても前記凹凸付リブ層に接触している
ことを特徴とする積層体。
A laminate used in manufacturing a back plate for a plasma display panel using blasting,
A rib forming substrate;
An uneven rib layer including a plurality of linear protrusions formed on the rib forming substrate and extending along a first direction on the rib forming substrate;
A dry film resist laminated on the uneven rib layer,
The dry film resist is in contact with the linear protrusions of the uneven rib layer and is also in contact with the uneven rib layer between two adjacent linear protrusions. .
ブラスト加工を用いてプラズマディスプレイパネル用背面板を製造する際に用いられる積層体であって、
リブ形成用基板と、
前記リブ形成用基板上に形成され、前記リブ形成用基板上の第1方向に沿って延びる複数の線状突出部を含む凹凸付リブ層と、
前記凹凸付リブ層上に形成されたブラストマスクと、を備え、
前記ブラストマスクは、前記凹凸付リブ層の前記線状突出部に接触するとともに隣り合う二つの線状突出部の間においても前記凹凸付リブ層に接触している
ことを特徴とする積層体。
A laminate used in manufacturing a back plate for a plasma display panel using blasting,
A rib forming substrate;
An uneven rib layer including a plurality of linear protrusions formed on the rib forming substrate and extending along a first direction on the rib forming substrate;
A blast mask formed on the uneven rib layer,
The laminated body, wherein the blast mask is in contact with the linear protrusions of the uneven rib layer and is also in contact with the uneven rib layer between two adjacent linear protrusions.
前記ブラストマスクは、前記第1方向に沿って延びる複数の第1パターン部と、前記第1方向と交差する前記リブ形成用基板上の第2方向に沿って第1パターン部間を延びる複数の第2パターン部と、を含み、
前記第1パターン部は、前記凹凸付リブ層の前記線状突出部上に配置され、
前記第2パターン部は、前記第1パターン部に接続する両端部の間の中間部において、前記凹凸付リブ層に接触している
ことを特徴とする請求項12に記載の積層体。
The blast mask includes a plurality of first pattern portions extending along the first direction and a plurality of first pattern portions extending along a second direction on the rib forming substrate intersecting the first direction. A second pattern portion,
The first pattern portion is disposed on the linear protrusion of the uneven rib layer,
The laminate according to claim 12, wherein the second pattern portion is in contact with the uneven rib layer at an intermediate portion between both end portions connected to the first pattern portion.
前記ブラストマスクは、前記第1方向に沿って延びる複数の第1パターン部と、前記第1方向と交差する前記リブ形成用基板上の第2方向に沿って第1パターン部間を延びる複数の第2パターン部と、を含み、
前記第1パターン部の幅は、前記線状突出部の平坦な端面の幅よりも狭い
ことを特徴とする請求項12または13に記載の積層体。
The blast mask includes a plurality of first pattern portions extending along the first direction and a plurality of first pattern portions extending along a second direction on the rib forming substrate intersecting the first direction. A second pattern portion,
14. The laminate according to claim 12, wherein a width of the first pattern portion is narrower than a width of a flat end surface of the linear protrusion.
JP2008004751A 2008-01-11 2008-01-11 Manufacturing method of back plate for plasma display panel, back plate for plasma display panel, and laminate used for manufacture of back plate for plasma display panel Withdrawn JP2009170166A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008004751A JP2009170166A (en) 2008-01-11 2008-01-11 Manufacturing method of back plate for plasma display panel, back plate for plasma display panel, and laminate used for manufacture of back plate for plasma display panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008004751A JP2009170166A (en) 2008-01-11 2008-01-11 Manufacturing method of back plate for plasma display panel, back plate for plasma display panel, and laminate used for manufacture of back plate for plasma display panel

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009170166A true JP2009170166A (en) 2009-07-30

Family

ID=40971126

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008004751A Withdrawn JP2009170166A (en) 2008-01-11 2008-01-11 Manufacturing method of back plate for plasma display panel, back plate for plasma display panel, and laminate used for manufacture of back plate for plasma display panel

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009170166A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6482575B2 (en) Method of preparing barrier rib master pattern for barrier rib transfer and method of forming barrier ribs
JP2000057941A (en) Manufacture for substrate structural body used for assembling of display panel, and sheet shaped transfer material
JP2009170166A (en) Manufacturing method of back plate for plasma display panel, back plate for plasma display panel, and laminate used for manufacture of back plate for plasma display panel
JP2009170168A (en) Method of manufacturing back plate for plasma display panel, blasting device, back plate for plasma display panel, and laminate used for manufacture of back plate for plasma display panel
KR100736238B1 (en) Pannel for flat panel display
JP2009170164A (en) Method of manufacturing back plate for plasma display panel, and back plate for plasma display panel
JP2003303542A (en) Barrier rib forming method of plasma display panel
JP2008221164A (en) Paste coating device and method
US20030077545A1 (en) Multi-gap mask, method for manufacturing same and method for manufacturing component part by using same
KR100730574B1 (en) Fabrication Method of Barrier Rib for Plasma Display Panel Using Roll-Forming Process
JP3631594B2 (en) Method for manufacturing plasma display panel
KR100925093B1 (en) Plasma display panel manufacturing method
JP2010009976A (en) Method of manufacturing back face plate for plasma display panel
JP2007200617A (en) Barrier rib forming method of plasma display panel
JP3429933B2 (en) Method for forming partition of display panel
KR100467076B1 (en) Method of Fabricating the Barrier Rib on Plasma Display Panel
JP4176711B2 (en) Method for manufacturing rear substrate for plasma display panel
KR20110002403A (en) Photo mask blank, method for manufacturing photo mask blank, and photo mask
JPH04259728A (en) Method of forming electrode for plasma display panel
JP2006318657A (en) Manufacturing method of rugged base plate with phosphor layer and rugged base plate
JPH04282531A (en) Manufacture of gas discharge type display panel
KR20120007953A (en) Device for removing resist and mask blank and method for manufacturing omask blank
KR100730209B1 (en) Method of forming lower dielectric layer of plasma display panel in plural number cutting method
JP3984390B2 (en) Plasma display panel rib repair method
JP2010027578A (en) Method of manufacturing back plate for plasma display panel

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20110405