KR20120007953A - Device for removing resist and mask blank and method for manufacturing omask blank - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An apparatus for removing a resist film, a mask blank, and a method for manufacturing a mask blank are provided to produce a high quality mask blank by eliminating an unnecessary resist film from a peripheral region. CONSTITUTION: An apparatus for removing a resist film includes a dissolution agent supply nozzle(23) and an exhaust unit The dissolution agent supply nozzle supplies a dissolution agent, dissolving the resist film, to an edge of a substrate. The exhaust unit is arranged to be adjacent to the edge of the substrate. The exhaust unit inhales the resist film dissolved with the dissolution agent and discharges. The exhaust unit includes a top inhaler(21) and a low inhaler(22).

Description

레지스트막 제거장치, 마스크 블랭크 및 마스크 블랭크의 제조 방법{Device for removing resist and mask blank and method for manufacturing omask blank} Device for removing resist and mask blank and method for manufacturing omask blank}

본 발명은 레지스트막 제거장치와, 마스크 블랭크의 제조 방법 및 마스크 블랭크에 관한 것이다.The present invention relates to a resist film removing apparatus, a manufacturing method of a mask blank, and a mask blank.

반도체 디바이스를 제조하기 위한 리소그래피 공정에서 사용되는 포토마스크는 마스크 블랭크로부터 금속막 등을 패터닝함으로써 제조된다. 마스크 블랭크는 사각형의 기판 위에 차광막, 반투광막, 위상 시프트막 등이 형성되고, 그 위에 레지스트막이 균일하게 코팅된 것이다. 현재 사용되고 있는 포토마스크 블랭크는 일반적으로 기판 위에 한 층 이상의 금속막을 형성하고, 금속막 위에 레지스트 용액을 떨어뜨린 후 기판을 회전시켜서 레지스트 용액이 기판의 가장자리로 넓게 퍼지게 하여 레지스트 용액이 금속막 위에 균일하게 도포되도록 하는 방법으로서 제조된다. 이와 같은 방법으로 레지스트막을 형성하는 장치를 소위 스핀 코팅 장치라 부른다.The photomask used in the lithography process for manufacturing a semiconductor device is manufactured by patterning a metal film or the like from a mask blank. In the mask blank, a light shielding film, a semi-transmissive film, a phase shift film, and the like are formed on a rectangular substrate, and a resist film is uniformly coated thereon. Currently used photomask blanks generally form one or more layers of metal film on a substrate, drop the resist solution on the metal film, and then rotate the substrate so that the resist solution spreads widely over the edge of the substrate so that the resist solution is evenly spread over the metal film. It is prepared as a method to be applied. An apparatus for forming a resist film in this manner is called a spin coating apparatus.

스핀 코팅 장치를 이용하여 금속막 위에 레지스트막을 형성하면, 레지스트 용액의 표면 장력과 기판 내외의 건조 속도 차이때문에 기판의 외주 부분에 레지스트막이 비정상적으로 두꺼워지게 되는데, 이것을 흔히 에지 비드(Edge Bead)라고 부른다. 에지 비드의 폭은 기판의 회전 속도, 레지스트 용액의 점도 등 코팅 조건에 따라 달라지지만, 기판의 측면으로부터 대략 2㎜ 이하의 폭을 갖는다. When a resist film is formed on a metal film by using a spin coating apparatus, the resist film becomes abnormally thick at the outer circumferential portion of the substrate due to the surface tension of the resist solution and the difference in drying speed between the substrate and the substrate. This is commonly referred to as an edge bead. . The width of the edge bead depends on the coating conditions such as the rotational speed of the substrate, the viscosity of the resist solution, but has a width of approximately 2 mm or less from the side of the substrate.

마스크 블랭크는 적재시나 생산시에 저장 케이스나 저장 카세트 등에 적재되거나 수납되는데, 이 과정에서 에지 비드를 포함하는 불필요한 레지스트막이 충격에 의해 기판으로부터 떨어져 나와 다른 표면에 달라붙어 파티클로 작용할 수 있다. The mask blank is loaded or stored in a storage case, a cassette or the like at the time of loading or production. In this process, an unnecessary resist film including an edge bead may be separated from the substrate by an impact and stick to another surface to act as a particle.

또한, 전자선(E-Beam) 묘화를 이용하여 레지스트 패턴을 형성할 때, 그 아래의 금속막이 차지업(Charge up)되는 것을 방지하기 위하여, 전자선 묘화기의 전극 단자가 금속막의 외주 부분에 접촉할 수 있도록, 기판의 외주 부분의 레지스트막을 제거하여 금속막이 노출되도록 할 필요가 있고, 종래 이러한 레지스트막을 제거하는 여러가지 방법이 제시되었다. 그 중 하나는, 제거하고자 하는 영역의 레지스트막에 노광광을 반복 조사하여 노광된 레지스트막을 제거하는 방법이 있고, 또는 제거하고자 하는 영역에 레지스트막을 용해시키는 용해제를 분사하여 레지스트막을 제거하는 방법이 있다. In addition, when forming a resist pattern by using an electron beam (E-Beam) drawing, in order to prevent the metal film below it from charging up, an electrode terminal of the electron beam drawing machine may contact the outer peripheral portion of the metal film. In order to be able to do so, it is necessary to remove the resist film of the outer peripheral portion of the substrate so that the metal film is exposed, and various methods of removing such a resist film have been proposed in the past. One of them is a method of removing an exposed resist film by repeatedly irradiating exposure light to a resist film of a region to be removed, or a method of removing a resist film by spraying a solvent that dissolves the resist film in a region to be removed. .

종래 용해제를 분사하여 불필요한 레지스트막을 제거하는 장치(10)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 레지스트막이 형성된 마스크 블랭크(100)를 회전시키면서, 외부척(12)과 내부척(13) 사이의 공간으로 용해제(14)를 공급하여 마스크 블랭크(100)의 외주 부분에 접촉시킨다. 용해제(14)에 접촉된 레지스트막은 용해되어 마스크 블랭크(100)로 부터 떨어져 나와, 기류에 의해 외부로 배출된다. In the conventional apparatus 10 for spraying a solvent to remove an unnecessary resist film, as shown in FIG. 1, the space between the outer chuck 12 and the inner chuck 13 is rotated while rotating the mask blank 100 on which the resist film is formed. The solvent 14 is supplied and brought into contact with the outer circumferential portion of the mask blank 100. The resist film in contact with the dissolving agent 14 is dissolved and separated from the mask blank 100 and discharged to the outside by the airflow.

상기 장치(10)를 이용하여 에지 비드를 포함하는 불필요한 레지스트막이 제거된 마스크 블랭크(100)는 도 2의 (a)에 도시된 바와 같이, 평면에서 보았을 때 모서리(corner) 부분(C)의 레지스트막(130)이 사이드 부분의 레지스트막(130)보다 과도하게 제거되어 둥근 형태로 된다. 이것은 기판(110)의 회전으로 발생하는 원심력에 의해 모서리 부분(C)에 용해제가 집중되기 때문이다. 이러한 마스크 블랭크(100)는 패턴을 형성할 수 있는 유효 패턴 영역이 작아져서, 포토마스크로 제조할 때 효율성을 떨어뜨린다. The mask blank 100 in which the unnecessary resist film including the edge beads is removed by using the apparatus 10 is a resist of the corner portion C when viewed in plan view, as shown in FIG. The film 130 is removed more excessively than the resist film 130 in the side portion to have a rounded shape. This is because the solvent is concentrated in the corner portion C by the centrifugal force generated by the rotation of the substrate 110. Such a mask blank 100 has a small effective pattern area capable of forming a pattern, which reduces efficiency when fabricating a photomask.

또한, 상기 장치(10)를 이용하여 불필요한 레지스트막이 제거된 마스크 블랭크(100)는, 도 2의 (a)에서 A-A'선의 단면도인 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 레지스트막(130)의 가장자리 부분이 높이 솟아나 두꺼운 막 두께를 갖는다. 이렇게 높이 솟아 오른 레지스트막(130)의 가장자리 부분은 적재 및 이송 중에 충격에 의해 떨어져 나와 파티클로 작용하는 문제점을 발생시킨다.In addition, the mask blank 100 in which the unnecessary resist film is removed using the apparatus 10 is a resist film as shown in FIG. 2 (b) which is a cross-sectional view taken along the line A-A 'in FIG. 2 (a). The edge portion of 130 soars high and has a thick film thickness. The edge portion of the resist film 130 soaring high may cause a problem of falling off by impact during loading and conveying and acting as a particle.

따라서, 본 발명의 목적은 유효 패턴 영역이 감소되지 않고, 에지 비드를 포함하는 불필요한 레지스트막이 효과적으로 제거할 수 있는 레지스트막 제거장치와, 레지스트막이 효과적으로 제거된 마스크 블랭크 및 그의 제조 방법을 제공하는데 있다. Accordingly, it is an object of the present invention to provide a resist film removing apparatus in which an effective pattern region is not reduced, and an unnecessary resist film including edge beads can be effectively removed, a mask blank from which the resist film is effectively removed, and a method of manufacturing the same.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 에지 비드를 포함하는 불필요한 레지스트막을 효과적으로 제거할 수 있도록 구조가 개선된 레지스트막 제거장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide an apparatus for removing a resist film having an improved structure to effectively remove an unnecessary resist film including an edge bead.

또한, 본 발명의 목적은 레지스트막을 효과적으로 제거할 수 있는 마스크 블랭크 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 마스크 블랭크를 제공하는 것이다.It is also an object of the present invention to provide a mask blank manufacturing method capable of effectively removing the resist film and a mask blank produced by the method.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 레지스트막 제거장치는 레지스트막이 형성되어 있는 기판에서 상기 기판의 가장자리에 형성되어 있는 레지스트막을 제거하기 위한 것으로, 상기 기판의 가장자리로 상기 레지스트막을 용해하는 용해제를 공급하는 용해제 공급노즐과, 상기 기판의 가장자리에 인접하게 배치되며, 상기 용해제에 의해 용해된 레지스트막을 흡입하여 배출하는 배출수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the resist film removing apparatus according to the present invention is for removing a resist film formed at the edge of the substrate from the substrate on which the resist film is formed, and a solvent for dissolving the resist film at the edge of the substrate. And a discharging means for supplying a dissolving agent supply nozzle to be supplied, and discharge means for sucking and discharging a resist film dissolved by the dissolving agent.

본 발명에 따르면, 상기 배출수단은, 상기 기판의 가장자리의 상측에 배치되는 상부 흡입기와, 상기 기판의 측면에 배치되는 하부 흡입기를 포함하는 것이 바람직하다.According to the present invention, the discharge means preferably includes an upper inhaler disposed above the edge of the substrate, and a lower inhaler disposed on the side of the substrate.

본 발명에 따르면, 상기 상부 흡입기 및 상기 하부 흡입기에는 일방향으로 길게 혀성되며, 상기 용해된 레지스트막을 흡입하는 슬릿이 형성되어 있으며, 상기 슬릿의 폭은 0.03mm ~ 0.3mm이며, 상기 상부 흡입기와 상기 기판 사이의 간격은 0.03mm ~ 0.3mm이며, 상기 하부 흡입기와 상기 기판 사이의 간격은 0.03mm ~ 0.3mm이며, 상기 상부 흡입기 및 상기 하부 흡입기의 흡입압력은 5KPa ~ 100KPa인 것이 바라직하다.According to the present invention, the upper inhaler and the lower inhaler are long in one direction, the slits are formed to suck the dissolved resist film, the width of the slit is 0.03mm ~ 0.3mm, the upper inhaler and the substrate The spacing between 0.03mm and 0.3mm, the spacing between the lower inhaler and the substrate is 0.03mm ~ 0.3mm, the suction pressure of the upper inhaler and the lower inhaler is preferably 5KPa ~ 100KPa.

본 발명에 따른 마스크 블랭크 제조 방법은 사각형 기판의 주 표면 상에 한 층 이상의 금속막이 형성되고, 상기 금속막 상에 레지스트막이 형성된 마스크 블랭크의 제조 방법으로서, 상기 금속막 상에 레지스트 용액을 떨어뜨리고 상기 기판을 회전시켜 상기 금속막 전체 면에 상기 레지스트 용액이 퍼지게 하여 레지스트막을 형성하는 공정과, 상기 기판의 회전을 정지한 상태에서, 상기 기판의 가장자리에 상기 레지스트막을 용해시키는 용해제를 분사시켜, 상기 기판의 가장자리를 포함하는 영역의 레지스트막을 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.The method of manufacturing a mask blank according to the present invention is a method of manufacturing a mask blank in which at least one metal film is formed on a main surface of a rectangular substrate, and a resist film is formed on the metal film, wherein a resist solution is dropped on the metal film. Rotating the substrate to spread the resist solution over the entire surface of the metal film to form a resist film; and dissolving a resist to dissolve the resist film at the edge of the substrate while the rotation of the substrate is stopped; And removing the resist film in the region including the edge of the film.

본 발명에 따르면, 상기 용해제에 의해 용해된 레지스트막을 흡입기로 흡입하여 제거하는 것이 바람직하다.According to the present invention, it is preferable to inhale and remove the resist film dissolved by the solubilizer with an inhaler.

본 발명에 따르면, 상기 레지스트막을 제거하는 공정은 상기 기판의 네 변에 대하여 각각 순차적으로 수행하는 것이 바람직하다.According to the present invention, the step of removing the resist film is preferably performed sequentially on each of the four sides of the substrate.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 레지스트막을 제거하는 공정은 상기 기판의 두 변 이상에 대하여 동시에 수행하는 것이 바람직하다.In addition, according to the present invention, it is preferable that the process of removing the resist film is performed simultaneously on two or more sides of the substrate.

본 발명에 따른 마스크 블랭크는 사각형 기판의 주 표면 상에 한 층 이상의 금속막이 형성되고, 상기 금속막 상에 레지스트막이 형성된 마스크 블랭크로서, 상기 레지스트막은 상기 기판의 가장자리로부터 일부 영역이 제거되어 있되, 상기 레지스트막의 모서리 부분이 직각인 것을 특징으로 한다.The mask blank according to the present invention is a mask blank in which at least one metal film is formed on a main surface of a rectangular substrate and a resist film is formed on the metal film, wherein the resist film is partially removed from an edge of the substrate. The edge portion of the resist film is perpendicular to each other.

본 발명에 따른 마스크 블랭크는 사각형 기판의 주 표면 상에 한 층 이상의 금속막이 형성되고, 상기 금속막 상에 레지스트막이 형성된 마스크 블랭크로서, 상기 레지스트막은 상기 기판의 종단으로부터 일부 영역이 제거되어 있고, 상기 기판의 가장자리 부분의 막 두께는 상기 기판의 중앙부의 막 두께에 10,000Å을 더한 두께 이하인 것을 특징으로 한다.The mask blank according to the present invention is a mask blank in which at least one metal film is formed on a main surface of a rectangular substrate, and a resist film is formed on the metal film, wherein the resist film is partially removed from an end of the substrate. The film thickness of the edge portion of the substrate is characterized by being less than or equal to the thickness of 10,000 kPa plus the film thickness of the central portion of the substrate.

본 발명에 따른 마스크 블랭크는 사각형 기판의 주 표면 상에 한 층 이상의 금속막이 형성되고, 상기 금속막 상에 레지스트막이 형성된 마스크 블랭크로서, 상기 레지스트막은 상기 기판의 가장자리로부터 일부 영역이 제거되어 있되, 상기 레지스트막의 모서리 부분이 직각이며, 상기 레지스트막의 가장자리의 두께는 상기 레지스트막의 중앙부의 두께에 10,000Å을 더한 두께 이하인 것을 특징으로 한다.The mask blank according to the present invention is a mask blank in which at least one metal film is formed on a main surface of a rectangular substrate and a resist film is formed on the metal film, wherein the resist film is partially removed from an edge of the substrate. The edge portion of the resist film is perpendicular to each other, and the thickness of the edge of the resist film is equal to or less than the thickness of 10,000 mm to the thickness of the center portion of the resist film.

본 발명의 마스크 블랭크는 외주 영역의 불필요한 레지스트막이 제거되어, 마스크 블랭크의 적재 또는 수납 시 충격에 의해 떨어져 나와 다른 표면에 달라붙어 파티클로 작용하는 문제점이 발생하지 않으므로, 고품질의 마스크 블랭크로 제조될 수 있다.The mask blank of the present invention can be manufactured with a high quality mask blank because the unnecessary resist film of the outer peripheral region is removed, and thus the problem of the particles being separated and stuck to other surfaces due to impact during loading or storing of the mask blank does not occur. have.

그리고, 에지 비드를 포함하는 불필요한 레지스트막이 제거된 본 발명의 마스크 블랭크는, 평면에서 보았을 때 레지스트막의 모서리 부분이 직각인 형상으로 제거되어 있어, 유효 패턴 영역의 면적이 넓어져서 많은 양의 패턴을 형성할 수 있으므로 포토마스크의 효율성이 높아진다.  The mask blank of the present invention, in which an unnecessary resist film including an edge bead is removed, is removed in a shape where the edge portion of the resist film is perpendicular to each other in plan view, and the area of the effective pattern region is widened to form a large amount of patterns. This can increase the efficiency of the photomask.

또한, 기판을 회전시키지 않고 흡입 배출하여 에지 비드를 제거하므로, 종래 에지 비드가 제거된 후 가장자리 부분이 비정상적으로 높이 솟아나는 형태가 발생하지 않는다.In addition, since the edge beads are removed by suction and discharge without rotating the substrate, a shape in which the edge portion rises abnormally high after the conventional edge beads are removed does not occur.

도 1은 종래 에지 비드 제거 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 종래 에지 비드 제거 장치로 에지 비드가 제거된 마스크 블랭크의 평면도 및 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 레지스트막 제거장치의 개략적인 사시도이다.
도 4는 도 3에 도시된 레지스트막 제거장치의 개략적인 단면도이다.
도 5는 본 발명의 레지스트막 제거장치로 에지 비드가 제거된 마스크 블랭크의 평면도 및 단면도이다.
도 6은 불필요한 레지스트막이 제거된 마스크 블랭크를 알파 스텝 표면 분석기(Alpha Step Surface Profiler)으로 측정한 데이터이다.1 is a schematic cross-sectional view of a conventional edge bead removal device.
2 is a plan view and a cross-sectional view of a mask blank from which edge beads have been removed with a conventional edge bead removal device.
3 is a schematic perspective view of a resist film removing apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a schematic cross-sectional view of the resist film removing apparatus shown in FIG. 3.
5 is a plan view and a cross-sectional view of a mask blank from which edge beads are removed with the resist film removing apparatus of the present invention.
FIG. 6 is data obtained by measuring a mask blank from which an unnecessary resist film is removed using an Alpha Step Surface Profiler.

이하, 본 발명을 실시하기 위한 최선의 형태를 첨부된 도면에 기초하여 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the best form for implementing this invention is demonstrated based on attached drawing.

본 발명은 사각형 기판의 주 표면 상에 한 층 이상의 금속막이 형성되고, 상기 금속막 상에 레지스트막이 형성된 마스크 블랭크 및 이를 제조하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다. 이때, 상기 레지스트막은 상기 기판의 종단으로부터 일부 영역이 제거되어 있고, 평면에서 보았을 때 모서리 부분이 직각이고, 전체적으로 대략 사각형인 형상이며, 가장자리 부분의 막 두께는 중앙부의 막 두께에 10,000Å을 더한 두께 이하인 것이 바람직하다.The present invention relates to a mask blank in which at least one metal film is formed on a main surface of a rectangular substrate, and a resist film is formed on the metal film, and an apparatus and method for manufacturing the same. In this case, the resist film has a portion removed from the end of the substrate, and when viewed in a plan view, the edge portion is perpendicular to each other and has a generally rectangular shape, and the thickness of the edge portion is 10,000 에 plus the thickness of the center portion. It is preferable that it is the following.

이하, 이와 같은 본 발명의 마스크 블랭크(100)를 제조하기 위한 레지스트막 제거장치에 관하여 설명한다.Hereinafter, a resist film removal apparatus for manufacturing the mask blank 100 of the present invention will be described.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 레지스트막 제거장치의 개략적인 사시도이고, 도 4는 도 3에 도시된 레지스트막 제거장치의 개략적인 단면도이다.3 is a schematic perspective view of a resist film removing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of the resist film removing apparatus shown in FIG. 3.

도 3 및 도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 레지스트막 제거장치는 용해제 공급노즐(23)과, 배출수단을 포함한다.3 and 4, the resist film removing apparatus according to the present embodiment includes a solvent supply nozzle 23 and a discharge means.

용해제 공급노즐(23)은 에지 비드를 포함하는 불필요한 레지스트막(130)을 용해시키기 위해 마스크 블랭크(100)의 측면 위쪽에서, 용해제 공급노즐의 끝이 마스크 블랭크(100)의 가장자리를 향하도록 비스듬하게 배치된다. 이때, 마스크 블랭크(100)의 레지스트막(130)은 스핀 코팅된 후에, 기판(110)의 측면 일부에 형성되기 때문에, 용해제가 기판(110)의 가장자리의 상면뿐 아니라 기판의 측면에도 공급될 수 있도록 용해제 공급 노즐(23)의 끝이 기판(110)의 측면을 향하여 배치되는 것이 바람직하다. 기판(110)의 가장자리(즉, 기판의 단부)의 상면으로 공급된 용해제는 기판 가장자리의 상면에 형성된 레지스트막을 용해시키고, 기판의 측면으로 공급된 용해제는 측면을 따라 흘러 기판(110)의 측면의 레지스트막(130)을 용해시킨다. 이때, 용해제 공급노즐(23)은 하나의 노즐이 좌우로 이동하면서 용해제를 뿌리도록 하거나, 둘 이상의 여러개의 노즐이 설치되어 동시에 용해제를 뿌리도록 할 수도 있다.The solvent supply nozzle 23 is obliquely above the side of the mask blank 100 to dissolve the unnecessary resist film 130 including the edge beads, with the end of the solvent supply nozzle facing the edge of the mask blank 100. Is placed. At this time, since the resist film 130 of the mask blank 100 is spin-coated and is formed on a portion of the side surface of the substrate 110, the solvent may be supplied to the side surface of the substrate as well as the top surface of the edge of the substrate 110. Preferably, the end of the solvent supply nozzle 23 is disposed toward the side of the substrate 110. The dissolving agent supplied to the upper surface of the edge of the substrate 110 (ie, the end of the substrate) dissolves the resist film formed on the upper surface of the substrate edge, and the dissolving agent supplied to the side of the substrate flows along the side of the substrate 110. The resist film 130 is dissolved. In this case, the solvent supply nozzle 23 may spray one solvent while moving one nozzle to the left or right, or two or more nozzles may be installed to spray the solvent at the same time.

배출수단은, 용해제에 의해 용해된 레지스트막 및 용해제를 흡입하여 외부로 배출하기 위한 것으로, 본 실시예의 경우 배출수단은 상부 흡입기(21)와, 하부 흡입기(22)를 포함한다. 상부 흡입기(21)는 기판 가장자리의 상측에 배치되며, 이 상부 흡입기에는 일방향으로 길게 형성된 슬릿이 형성되어 있다. 그리고, 이 슬릿을 통해 기판의 가장자리에서 용해된 레지스트막 및 용해제가 흡입 및 배출된다. 하부 흡입기(22)는 기판의 측면에 배치되며, 이 하부 흡입기에는 기판의 모서리를 따라 길게 형성된 슬릿이 형성되어 있다. 그리고, 이 슬릿을 통해 기판의 측면에서 용해된 레지스트막이 흡입 및 배출된다. The discharging means sucks out the resist film and the dissolving agent dissolved by the dissolving agent, and in the present embodiment, the discharging means includes an upper inhaler 21 and a lower inhaler 22. The upper inhaler 21 is disposed above the edge of the substrate, and the upper inhaler is formed with slits elongated in one direction. Through this slit, the resist film and the solvent dissolved at the edge of the substrate are sucked and discharged. The lower inhaler 22 is disposed on the side of the substrate, and the lower inhaler 22 is formed with slits elongated along the edge of the substrate. Through this slit, the resist film dissolved on the side of the substrate is sucked in and discharged.

한편, 상부 흡입기 및 하부 흡입기는 기판과 인접하게 배치되는데, 이때 상부 흡입기 및 하부 흡입기와 기판(110)과의 거리는 0.03㎜~3㎜의 범위인 것이 바람직하다. 또한, 상부 흡입기 및 하부 흡입기의 슬릿 폭은 0.03㎜~0.3㎜인 것이 바람직하며, 이때 슬릿의 흡입 압력은 5KPa~100KPa인 것이 바람직하다.Meanwhile, the upper inhaler and the lower inhaler are disposed adjacent to the substrate, and the distance between the upper inhaler and the lower inhaler and the substrate 110 is preferably in the range of 0.03 mm to 3 mm. In addition, it is preferable that the slit width of the upper inhaler and the lower inhaler is 0.03 mm to 0.3 mm, and the suction pressure of the slit is preferably 5 KPa to 100 KPa.

한편, 제거되는 레지스트막(130)의 폭은 용해제 공급 노즐(23)과 상부 흡입기(21) 및 하부 흡입기(22)의 위치 및 흡입 압력을 조정함으로써 조절할 수 있다. 이때, 제거되는 레지스트막(130)의 폭은 에지 비드의 폭보다 큰 것이 바람직하다. 에지 비드의 폭은 레지스트막(130)의 형성 시 레지스트 용액의 점도, 기판의 회전 속도, 회전 시간 등 코팅 조건에 따라 달라지지만, 일반적으로 기판(110)의 가장자리(즉, 기판의 종단)으로부터 대략 0.5㎜ 내지 2㎜의 폭을 갖는다. 따라서, 본 발명에 따라 제거되는 레지스트막(130)의 폭은 기판(110)의 종단(즉, 기판 가장자리끝)으로으로부터 2㎜ 이내인 것이 바람직하다. 제거되는 레지스트막(130)의 폭이 너무 크면 포토마스크에서 유효 패턴 영역의 면적이 좁아지므로, 2㎜ 이하인 것이 바람직하다.On the other hand, the width of the resist film 130 to be removed can be adjusted by adjusting the position and suction pressure of the solvent supply nozzle 23, the upper inhaler 21 and the lower inhaler 22. At this time, the width of the resist film 130 to be removed is preferably larger than the width of the edge bead. The width of the edge bead depends on the coating conditions such as the viscosity of the resist solution, the rotational speed of the substrate, and the rotation time when the resist film 130 is formed. It has a width of 0.5 mm to 2 mm. Accordingly, the width of the resist film 130 removed in accordance with the present invention is preferably within 2 mm from the end of the substrate 110 (ie, the edge of the substrate). If the width of the resist film 130 to be removed is too large, the area of the effective pattern region in the photomask is narrowed, and therefore it is preferably 2 mm or less.

한편, 상술한 레지스트막 제거장치(20)는 마스크 블랭크(100)를 회전시키지 않고 정지되어 있는 상태에서 불필요한 레지스트막(130)을 제거하는 공정을 수행한다. On the other hand, the resist film removing apparatus 20 described above performs a process of removing the unnecessary resist film 130 in a state of being stopped without rotating the mask blank 100.

또한, 상기 공정은 마스크 블랭크(100)의 네 변의 각각에 대하여 독립적으로 수행하고, 각 변에 대하여 순차적으로 수행하거나 두 변 이상에 대하여 동시에 수행할 수 있다. 두 변 이상에 대하여 상기 공정을 동시에 수행하는 경우, 레지스트막 제거장치(20)는 해당 변에 대응하여 상부 흡입기(21), 하부 흡입기(22) 및 용해제 공급 노즐(23)을 복수로 구비할 수 있다.In addition, the process may be performed independently for each of the four sides of the mask blank 100, and may be sequentially performed for each side or simultaneously for two or more sides. In the case where the process is simultaneously performed on two or more sides, the resist film removing apparatus 20 may include a plurality of upper inhalers 21, lower inhalers 22, and a solvent supply nozzle 23 corresponding to the corresponding sides. have.

불필요한 레지스트막(130)을 제거하는 공정을 두 변 이상에 대하여 동시에 수행하는 경우, 서로 마주보는 두 변에 대하여 동시에 수행한 후, 나머지 두 변에 대하여 상기 공정을 수행하는 것이 레지스트막(130)의 모서리를 직각인 형상으로 하고, 전체적으로 대략 사각형인 형상으로 만드는데 바람직하다. When the process of removing the unnecessary resist film 130 is simultaneously performed on two or more sides, it is performed simultaneously on two sides facing each other and then performing the process on the other two sides of the resist film 130. It is preferable to make a corner at right angles and to make it a substantially rectangular shape as a whole.

본 발명에서 사용되는 용해제는 특별히 한정되지 않고 종래 공지된 재료를 사용할 수 있다. 바람직하게는, 용해제는 아세톤, PGME, 톨루엔, 부틸 아세테이트, PGMA, IPA MAK, EL, DIGLYME 및 TMAH로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 재료를 포함할 수 있다. The dissolving agent used by this invention is not specifically limited, A conventionally well-known material can be used. Preferably, the solubilizer may comprise one or more materials selected from the group consisting of acetone, PGME, toluene, butyl acetate, PGMA, IPA MAK, EL, DIGLYME and TMAH.

한편, 본 발명에 따른 마스크 블랭크의 제조 방법은 위에서 설명한 레지스트막 제거장치의 작동과정에 모두 나타나 있으므로, 이에 관해서는 별도로 설명하지 않도록 한다.On the other hand, the manufacturing method of the mask blank according to the present invention are all shown in the operation process of the resist film removing apparatus described above, it will not be described separately.

이하, 도 5를 참조하여 본 발명의 마스크 블랭크(100)를 설명한다. Hereinafter, the mask blank 100 of the present invention will be described with reference to FIG. 5.

도 5의 (a)는 본 발명의 마스크 블랭크(100)의 평면도이고, 도 5의 (b)는 도 5의 (a)에서 B-B'선을 절단한 단면도이다. FIG. 5A is a plan view of the mask blank 100 of the present invention, and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along line BB ′ in FIG. 5A.

본 발명의 마스크 블랭크(100)는 도 3 및 도 4에 도시된 레지스트막 제거장치(20)를 이용하여 제조된 것으로서, 사각형 기판(110)의 주 표면 상에 한 층 이상의 금속막(120)과, 금속막(120) 상에 레지스트막(130)이 형성되고, 레지스트막(130)은 기판(110)의 종단으로부터 일부 영역이 제거되어 있고, 평면에서 보았을 때 모서리 부분이 직각이고, 전체적으로 사각형인 형상을 갖는다. 또한, 본 발명의 마스크 블랭크(100)는 레지스트막(130)의 가장자리 부분의 막 두께는 중앙부의 막 두께에 10,000Å을 더한 두께 이하인 것이 바람직하다. The mask blank 100 of the present invention is manufactured by using the resist film removing apparatus 20 shown in FIGS. 3 and 4, and includes one or more layers of the metal film 120 on the main surface of the rectangular substrate 110. The resist film 130 is formed on the metal film 120, and a portion of the resist film 130 is removed from the end of the substrate 110. It has a shape. In the mask blank 100 of the present invention, it is preferable that the film thickness of the edge portion of the resist film 130 is equal to or smaller than the thickness of 10,000 mm to the film thickness of the center portion.

본 발명에서 사용되는 기판(110)은 일반적으로 반도체 제조용 마스크 블랭크에 사용되는 6×6×0.25 inch의 정사각형 기판인 것이 바람직하지만, 기판의 크기에는 제한이 없다. The substrate 110 used in the present invention is generally preferably a 6 × 6 × 0.25 inch square substrate used for a mask blank for semiconductor manufacturing, but the size of the substrate is not limited.

금속막(120)은 적어도 하나 이상의 금속을 포함하는 막으로서, 노광광을 대부분 차광하는 차광막, 노광광의 반사를 저감하는 반사방지막, 노광광에 대하여 소정의 투과율을 갖는 반투광막, 노광광의 위상을 변화시키는 위상시프트막, 노광광을 반사하는 반사막, 및 노광광을 흡수하는 흡수막 중 어느 하나 이상의 기능성 막을 포함한다. 금속막(120)은 하나 이상의 금속을 포함하는 타겟을 이용한 스퍼터링 방법에 의해 형성될 수 있다. The metal film 120 is a film containing at least one metal, and includes a light shielding film that shields most of the exposure light, an antireflection film that reduces the reflection of the exposure light, a semi-transmissive film having a predetermined transmittance with respect to the exposure light, and a phase of the exposure light. And a functional film of any one or more of a phase shift film to be changed, a reflection film to reflect exposure light, and an absorption film to absorb exposure light. The metal film 120 may be formed by a sputtering method using a target including one or more metals.

본 발명의 마스크 블랭크(100)는 금속막(120)과 레지스트막(130) 사이에 레지스트 하지 반사방지막(BARC:Bottom Anti-Reflective Coating), 도전성막 등의 막이 더 형성될 수 있고, 레지스트막 위에 레지스트 상층 반사방지막(TARL:Top Anti-Reflective Layer), 레지스트 상층 보호막 등이 더 형성될 수 있다. In the mask blank 100 of the present invention, a film such as a bottom anti-reflective coating (BARC), a conductive film, or the like may be further formed between the metal film 120 and the resist film 130. A top anti-reflective layer (TARL), an upper resist layer, or the like may be further formed.

본 발명에서 말하는 마스크 블랭크(100)는 투과형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 블랭크를 모두 가리킨다. 투과형 마스크 블랭크는 차광막이 형성된 포토마스크 블랭크, 위상시프트막이 형성된 위상시프트 마스크 블랭크, 반투광막이 형성된 반투과 마스크 블랭크 등을 포함하고, 반사형 마스크 블랭크는 기판으로서 열팽창계수의 작은 것을 사용하여, 이 기판 위에 다층 반사막, 흡수막을 갖는 것이다. 따라서, 본 발명에서는 투과형 마스크 블랭크를 예로 설명하지만, 반사형 마스크 블랭크에도 적용이 가능하다. The mask blank 100 referred to in the present invention refers to both a transmissive mask blank and a reflective mask blank. The transmissive mask blank includes a photomask blank with a light shielding film, a phase shift mask blank with a phase shift film, a transflective mask blank with a translucent film, and the like, and the reflective mask blank uses a small thermal expansion coefficient as a substrate. It has a multilayer reflective film and an absorption film on it. Therefore, although the transmissive mask blank is described as an example in the present invention, it is also applicable to the reflective mask blank.

레지스트막(130)은 금속막(120) 위에 레지스트 용액을 떨어뜨리고 기판(110)을 회전시켜 레지스트 용액이 금속막(120)의 전체면에 넓게 퍼지게 하는 스핀 코팅 장치에 의해 형성된다. 스핀 코팅 장치에 의해 형성된 레지스트막(130)은 레지스트 용액이 금속막(120)의 전체면에 넓게 퍼지고, 기판(110)의 측면까지 흘러내린다. 본 발명의 마스크 블랭크(100)는 이와 같이 기판(110)의 측면에 형성된 불필요한 레지스트막(130)도 제거된 것이 바람직하다. The resist film 130 is formed by a spin coating apparatus to drop the resist solution on the metal film 120 and rotate the substrate 110 to spread the resist solution over the entire surface of the metal film 120. In the resist film 130 formed by the spin coating apparatus, the resist solution spreads widely on the entire surface of the metal film 120 and flows down to the side surface of the substrate 110. In the mask blank 100 of the present invention, it is preferable that the unnecessary resist film 130 formed on the side surface of the substrate 110 is thus removed.

레지스트막(130)의 두께는 레지스트막(130) 형성 시 레지스트 용액의 점도, 회전 속도 및 회전 시간 등의 코팅 조건에 따라 달라지는데, 대략 1000Å 내지 5000Å의 두께를 갖는다. The thickness of the resist film 130 depends on coating conditions such as viscosity, rotation speed, and rotation time of the resist solution when the resist film 130 is formed, and has a thickness of about 1000 kPa to 5000 kPa.

본 발명의 마스크 블랭크(100)는 기판(110)의 주표면 테두리에 형성된 에지 비드를 포함하는 불필요한 레지스트막(130)이 제거된 것이다. 이때, 레지스트막(130)은 기판(110)의 각 변의 종단(즉, 가장자리)으로부터 대략 일정한 폭 만큼 제거되는데, 이때 제거되는 폭은 0.5㎜ 이상 2㎜ 이하인 것이 바람직하다. 각 변에 제거된 레지스트막(130)의 폭은 반드시 동일할 필요는 없다. In the mask blank 100 of the present invention, the unnecessary resist film 130 including edge beads formed on the main surface edge of the substrate 110 is removed. At this time, the resist film 130 is removed by a substantially constant width from the end (that is, the edge) of each side of the substrate 110, and at this time, the removed width is preferably 0.5mm or more and 2mm or less. The width of the resist film 130 removed at each side is not necessarily the same.

한편, 레지스트막의 제거 공정 이후, 기판 상에 남아있는 레지스트막(130)은 마스크 블랭크(100)를 평면 방향으로 보았을 때, 도 5에 도시된 바와 같이 모서리 부분(C)이 직각으로 형성된다. 종래 에지 비드가 제거된 마스크 블랭크(100)는 기판을 회전시키면서 용해제를 공급하는 에지 비드 제거 장치를 이용하기 때문에, 용해제가 레지스트막의 모서리 부분에 상대적으로 집중되어 레지스트막의 모서리 부분이 과도하게 제거됨으로써, 도 2의 (a)에 도시된 바와 같이 모서리 부분(C)이 둥근 형태를 띄게 되지만, 본 발명의 레지스트막(130)은 기판(110)을 회전시키지 않고 정지된 상태에서 마스크 블랭크(100)의 네 변의 각각에 대하여 독립적으로 불필요한 레지스트막(130)을 제거하기 때문에, 모서리 부분(C)이 직각 형상으로 되고, 전체적으로 직사각형 형상이 된다. 따라서, 본 발명의 마스크 블랭크(100)는 패턴을 형성할 수 있는 유효 패턴 영역의 면적이 넓어져서 많은 양의 패턴을 형성할 수 있게 된다. On the other hand, after the removal process of the resist film, when the mask blank 100 is viewed in the planar direction of the resist film 130 remaining on the substrate, the corner portions C are formed at right angles as shown in FIG. 5. Since the mask blank 100 in which the edge bead is removed conventionally uses an edge bead removal device that supplies a dissolving agent while rotating the substrate, the dissolving agent is concentrated relatively to the edge portion of the resist film, so that the edge portion of the resist film is excessively removed. As shown in (a) of FIG. 2, the corner portion C is rounded, but the resist film 130 of the present invention is not rotated without rotating the substrate 110. Since the unnecessary resist film 130 is removed independently of each of the four sides, the corner portion C becomes a rectangular shape and becomes a rectangular shape as a whole. Therefore, the mask blank 100 of the present invention can form a large amount of patterns by increasing the area of the effective pattern region capable of forming a pattern.

또한, 본 발명의 마스크 블랭크(100)에서 레지스트막(130)은 가장자리 부분의 막 두께는 중앙부의 막 두께에 10,000Å을 더한 두께 이하이다. 종래 에지 비드가 제거된 마스크 블랭크(100)는 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 에지 비드를 포함하는 불필요한 레지스트막(130)이 제거된 레지스트막(130)의 가장자리 부분이 높이 솟아나 중앙부의 막 두께에 15,000Å을 더한 두께 이상을 띄게 되지만, 본 발명의 레지스트막(130)은 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이, 레지스트막(130)의 가장자리 부분의 막 두께를 감소시킬 수 있다. In the mask blank 100 of the present invention, the thickness of the resist film 130 is equal to or less than the thickness of 10,000 mm to the thickness of the center portion. In the mask blank 100 in which the edge bead is removed, the edge portion of the resist film 130 from which the unnecessary resist film 130 including the edge bead is removed is high, as shown in FIG. The thickness of 15,000 막 or more is added to the film thickness of the film, but the resist film 130 of the present invention can reduce the film thickness of the edge portion of the resist film 130, as shown in FIG. have.

본 발명의 마스크 블랭크(100)는 회전이 정지되어 있는 상태에서, 용해제를 공급하고 용해된 레지스트막(130)을 흡입하여 배출하기 때문에, 레지스트막(130)의 가장자리 부분이 팽창하지 않는다. 따라서, 본 발명의 마스크 블랭크(100)는 종래와 같이 레지스트막(130)의 가장자리 부분이 떨어져 나가는 파티클을 최소화시킬 수 있다. Since the mask blank 100 of the present invention supplies the solvent and sucks out the dissolved resist film 130 while the rotation is stopped, the edge portion of the resist film 130 does not expand. Therefore, the mask blank 100 of the present invention can minimize the particles from which the edge portion of the resist film 130 is separated as in the prior art.

도 6은 에지 비드를 포함하는 불필요한 레지스트막이 제거된 마스크 블랭크를 알파 스텝 표면 분석기(Alpha Step Surface Profiler)으로 측정한 데이터이다. 도 6의 (a)는 본 발명의 레지스트막 제거장치를 이용하여 제조된 마스크 블랭크에 대한 데이터이고, 도 6의 (b)는 도 1에 도시된 종래 에지 비드 제거 장치를 이용하여 제조된 종래 마스크 블랭크에 대한 데이터이다. 스핀 코팅 방식으로 금속막 위에 레지스트막을 약 5,000Å의 두께로 형성한 동일한 마스크 블랭크를 이용하여, 기판의 종단으로부터 약 1.9㎜의 레지스트막을 제거하였다. 도 6의 (a)에 도시된 본 발명의 마스크 블랭크는 레지스트막의 가장자리 부분이 5,000Å보다 약간 낮은 두께를 갖는 대체로 균일한 막 두께를 나타내는 반면에, 도 6의 (b)에 도시된 종래 마스크 블랭크는 레지스트막의 가장자리 약 1000㎛ 부분이 15,000Å의 막 두께로 높이 솟아나 있다. 이러한 종래 마스크 블랭크는 레지스트막의 가장자리 부분이 약한 충격에도 쉽게 떨어져 나오게 되고, 떨어져 나온 레지스트막은 다른 표면에 달라붙어 파티클로 작용하게 된다. 본 발명의 마스크 블랭크는 이러한 파티클이 발생되지 않기 때문에 마스크 블랭크의 품질이 향상된다. FIG. 6 is data obtained by measuring a mask blank from which an unnecessary resist film including edge beads is removed, using an Alpha Step Surface Profiler. FIG. 6A is data on a mask blank manufactured using the resist film removing apparatus of the present invention, and FIG. 6B is a conventional mask manufactured using the conventional edge bead removing apparatus shown in FIG. Data for blanks. About 1.9 mm of resist film was removed from the end of the board | substrate using the same mask blank which formed the resist film in the thickness of about 5,000 micrometers on the metal film by the spin coating method. The mask blank of the present invention shown in Fig. 6 (a) shows a generally uniform film thickness where the edge portion of the resist film has a thickness slightly lower than 5,000 mm, while the conventional mask blank shown in Fig. 6 (b) is shown. An edge portion of the resist film about 1000 mu m is raised high with a film thickness of 15,000 mm 3. In the conventional mask blank, the edge portion of the resist film is easily detached even by a weak impact, and the resist film that is detached adheres to another surface to act as a particle. Since the mask blank of the present invention does not generate such particles, the quality of the mask blank is improved.

또한, 마스크 블랭크(100)의 종단, 기판(110)의 측면에 불필요한 레지스트막(130)이 제거되어 있기 때문에, 마스크 블랭크(100)를 적재 또는 이송시 충격에 의해 레지스트막(130)이 떨어져 나오는 일이 없고, 따라서 떨어져 나온 레지스트막(130)이 파티클로 발생되지 않기 때문에, 고품질의 마스크 블랭크(100) 및 포토마스크로 제조할 수 있다. In addition, since the unnecessary resist film 130 is removed at the end of the mask blank 100 and at the side surface of the substrate 110, the resist film 130 comes off due to an impact when the mask blank 100 is loaded or transferred. There is no work, and therefore, the separated resist film 130 is not generated as particles, so that the mask blank 100 and the photomask can be manufactured with high quality.

한편, 본 발명의 마스크 블랭크(100)는 금속막(120)이 패터닝되어 포토마스크로 제조되고, 특히 반도체 제조용 포토마스크로 제조된다. 마스크 블랭크(100)의 레지스트막(130)을 묘화·현상하여 레지스트 패턴을 형성하고 레지스트 패턴을 마스크로서 금속막(120)을 식각하여 금속막 패턴을 형성하고 레지스트 패턴을 제거하면, 포토마스크가 된다. On the other hand, the mask blank 100 of the present invention is a metal film 120 is patterned and made of a photomask, in particular a semiconductor mask for manufacturing a photomask. When the resist film 130 of the mask blank 100 is drawn and developed to form a resist pattern, the metal film 120 is formed by etching the metal film 120 using the resist pattern as a mask to form a metal film pattern, and the resist pattern is removed. .

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.Although the preferred embodiments of the present invention have been shown and described above, the present invention is not limited to the specific preferred embodiments described above, and the present invention belongs to the present invention without departing from the gist of the present invention as claimed in the claims. Various modifications can be made by those skilled in the art, and such changes are within the scope of the claims.

20 : 레지스트막 제거장치 21 : 상부 흡입기
22 : 하부 흡입기 23 : 용해제 공급 노즐
100 : 마스크 블랭크 110 : 기판
120 : 금속막 130 : 레지스트막20: resist film removing apparatus 21: upper inhaler
22: lower inhaler 23: solvent supply nozzle
100 mask blank 110 substrate
120 metal film 130 resist film

Claims (10)

레지스트막이 형성되어 있는 기판에서 상기 기판의 가장자리에 형성되어 있는 레지스트막을 제거하기 위한 것으로,
상기 기판의 가장자리로 상기 레지스트막을 용해하는 용해제를 공급하는 용해제 공급노즐과,
상기 기판의 가장자리에 인접하게 배치되며, 상기 용해제에 의해 용해된 레지스트막을 흡입하여 배출하는 배출수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트막 제거장치.For removing a resist film formed at the edge of the substrate from the substrate on which the resist film is formed,
A solvent supply nozzle for supplying a solvent for dissolving the resist film to an edge of the substrate;
And a discharging means disposed adjacent to the edge of the substrate and sucking and discharging the resist film dissolved by the dissolving agent. 제1항에 있어서,
상기 배출수단은,
상기 기판의 가장자리의 상측에 배치되는 상부 흡입기와,
상기 기판의 측면에 배치되는 하부 흡입기를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트막 제거장치.The method of claim 1,
The discharge means,
An upper inhaler disposed above the edge of the substrate;
And a lower inhaler disposed at a side of the substrate. 제2항에 있어서,
상기 상부 흡입기 및 상기 하부 흡입기에는 일방향으로 길게 혀성되며, 상기 용해된 레지스트막을 흡입하는 슬릿이 형성되어 있으며,
상기 슬릿의 폭은 0.03mm ~ 0.3mm이며,
상기 상부 흡입기와 상기 기판 사이의 간격은 0.03mm ~ 0.3mm이며,
상기 하부 흡입기와 상기 기판 사이의 간격은 0.03mm ~ 0.3mm이며,
상기 상부 흡입기 및 상기 하부 흡입기의 흡입압력은 5KPa ~ 100KPa인 것을 특징으로 하는 레지스트막 제거장치.The method of claim 2,
The upper inhaler and the lower inhaler is long tongue in one direction, the slit for sucking the dissolved resist film is formed,
The width of the slit is 0.03mm ~ 0.3mm,
The distance between the upper inhaler and the substrate is 0.03mm ~ 0.3mm,
The distance between the lower inhaler and the substrate is 0.03mm ~ 0.3mm,
And a suction pressure of the upper inhaler and the lower inhaler is in the range of 5 KPa to 100 KPa. 사각형 기판의 주 표면 상에 한 층 이상의 금속막이 형성되고, 상기 금속막 상에 레지스트막이 형성된 마스크 블랭크의 제조 방법으로서,
상기 금속막 상에 레지스트 용액을 떨어뜨리고 상기 기판을 회전시켜 상기 금속막 전체 면에 상기 레지스트 용액이 퍼지게 하여 레지스트막을 형성하는 공정과,
상기 기판의 회전을 정지한 상태에서, 상기 기판의 가장자리에 상기 레지스트막을 용해시키는 용해제를 분사시켜, 상기 기판의 가장자리를 포함하는 영역의 레지스트막을 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조 방법.A method for producing a mask blank, wherein at least one metal film is formed on a main surface of a rectangular substrate, and a resist film is formed on the metal film.
Dropping the resist solution on the metal film and rotating the substrate to spread the resist solution over the entire surface of the metal film to form a resist film;
Manufacturing a mask blank, comprising dissolving a resist film dissolving the resist film at an edge of the substrate while stopping the rotation of the substrate to remove the resist film in a region including the edge of the substrate. Way. 제4항에 있어서,
상기 용해제에 의해 용해된 레지스트막을 흡입기로 흡입하여 제거하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조 방법.The method of claim 4, wherein
A method for producing a mask blank, wherein the resist film dissolved by the solubilizer is sucked into the inhaler and removed. 제4항에 있어서,
상기 레지스트막을 제거하는 공정은 상기 기판의 네 변에 대하여 각각 순차적으로 수행하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조 방법.The method of claim 4, wherein
Removing the resist film is sequentially performed on four sides of the substrate. 제4항에 있어서,
상기 레지스트막을 제거하는 공정은 상기 기판의 두 변 이상에 대하여 동시에 수행하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조 방법.The method of claim 4, wherein
Removing the resist film is performed on at least two sides of the substrate at the same time. 사각형 기판의 주 표면 상에 한 층 이상의 금속막이 형성되고, 상기 금속막 상에 레지스트막이 형성된 마스크 블랭크로서,
상기 레지스트막은 상기 기판의 가장자리로부터 일부 영역이 제거되어 있되, 상기 레지스트막의 모서리 부분이 직각인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.A mask blank in which at least one metal film is formed on a main surface of a rectangular substrate, and a resist film is formed on the metal film.
The mask film is mask blank, characterized in that a portion of the resist film is removed from the edge of the substrate, the corner portion of the resist film is perpendicular. 사각형 기판의 주 표면 상에 한 층 이상의 금속막이 형성되고, 상기 금속막 상에 레지스트막이 형성된 마스크 블랭크로서,
상기 레지스트막은 상기 기판의 종단으로부터 일부 영역이 제거되어 있고,
상기 기판의 가장자리 부분의 막 두께는 상기 기판의 중앙부의 막 두께에 10,000Å을 더한 두께 이하인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.A mask blank in which at least one metal film is formed on a main surface of a rectangular substrate, and a resist film is formed on the metal film.
The resist film is partially removed from the end of the substrate,
The film blank of the edge part of the said board | substrate is a mask blank characterized by below thickness which added 10,000 micrometers to the film thickness of the center part of the said board | substrate. 사각형 기판의 주 표면 상에 한 층 이상의 금속막이 형성되고, 상기 금속막 상에 레지스트막이 형성된 마스크 블랭크로서,
상기 레지스트막은 상기 기판의 가장자리로부터 일부 영역이 제거되어 있되, 상기 레지스트막의 모서리 부분이 직각이며,
상기 레지스트막의 가장자리의 두께는 상기 레지스트막의 중앙부의 두께에 10,000Å을 더한 두께 이하인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.A mask blank in which at least one metal film is formed on a main surface of a rectangular substrate, and a resist film is formed on the metal film.
The region of the resist film is partially removed from the edge of the substrate, the corner portion of the resist film is a right angle,
The thickness of the edge of the resist film is a mask blank, characterized in that less than or equal to the thickness of the center portion of the resist film plus 10,000Å.
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