JP2008262649A - 磁気ヘッドスライダ - Google Patents

Abstract

【課題】磁気ヘッドスライダにおいて、浮上面のフラットな面上に、球状あるいは楕円球状の突起を形成することで、磁気ヘッドスライダの浮上量を安定化することができる。しかし、磁気ヘッドスライダ浮上時の空気膜剛性は低下する。
【解決手段】磁気ヘッドスライダ１のセンタレール５に、センタレール５より窪んだリセス部１４を設け、このリセス部１４に、再生素子８、記録素子９を含む球状あるいは楕円球状の突起１２を配置した構造とする。リセス部１４により、突起高さｈによるスライダ母体の浮上高さ上昇を抑えることができ、空気膜剛性をより確保し、スライダの浮上安定性を向上することができる。また、リセス部１４の横のセンタレール部分２１，２２の幅Ｗを調整することで、空気膜剛性をより確保し、スライダ追従性についてもより向上させることができる。
【選択図】図１

Description

本発明は磁気ディスク装置に搭載される磁気ヘッドスライダに関する。

磁気ディスク装置においては、磁気ディスクの記録層と磁気ヘッドスライダの記録再生素子との間隔が小さいほど、情報記録密度を向上できる。そのため、従来から、磁気ディスク装置の情報記録密度向上に伴い、磁気ヘッドスライダの低浮上化が進められている。現在では、磁気ディスク上における磁気ヘッドスライダの浮上高さ、すなわち磁気ディスク表面から浮上時の磁気ヘッドスライダの浮上最下点までの距離は、設計値で１０ｎｍ程度にまで低下してきており、磁気ディスク装置の温度変化、磁気ディスク装置内もしくは磁気ディスク装置周辺の気圧の変化などに伴う磁気ヘッドスライダの浮上高さの変動を考慮すると、磁気ヘッドスライダの浮上マージンは殆どないことになる。

特許文献１には、磁気ヘッドスライダの浮上量を安定化するために、浮上面のフラットな面上に、前後に、また左右対称に球面状の凸部を設ける技術が開示されている。また、特許文献２には、磁気ヘッドスライダの浮上量を安定化するために、スライダの後側の空気軸受面の一部に球状あるいは楕円球状の突起を形成し、その頂点近傍に記録再生ヘッドを配置する技術が開示されている。

特開平７−２５４２４８号公報 特開２００６−１９６１３７号公報

上記のように、磁気ヘッドスライダにおいて、浮上面のフラットな面上に、球状あるいは楕円球状の突起を形成することで、磁気ヘッドスライダ表面と磁気ディスク表面が接触した場合に、磁気ヘッドスライダ表面側は球面状あるいは楕円球状の突起がディスク面に接触することで接触摩擦力を低減し、磁気ヘッドスライダの浮上量を安定化することができる。しかし、磁気ヘッドスライダ浮上面において、空気流出端側の薄膜磁気ヘッド部に球状あるいは楕円球状の突起を形成した場合、その突起高さ分だけ磁気ヘッドスライダ母体とディスク面との間隔が増大し、磁気ヘッドスライダ浮上時の空気膜剛性が低下することになる。空気膜剛性が低下すると、浮上安定性が低下し、ディスク面のうねりや、振動に追従することができなくなる。
本発明の目的は、センタレールに球状あるいは楕円球状の突起を形成し、この突起に再生素子及び記録素子を配置した場合においても、空気膜剛性をより多く確保することができる磁気ヘッドスライダを提供することである。
本発明の他の目的は、浮上追従性に優れた磁気ヘッドスライダを提供することである。

上記目的を達成するために、本発明の磁気ヘッドスライダにおいては、スライダと薄膜磁気ヘッド部との浮上面に形成されたセンタレールに、センタレールより窪んだリセス部を設け、リセス部にセンタレールより突出する高さの球状あるいは楕円球状の突起を設け、この突起の頂点を含む位置に再生素子及び記録素子を配置するものである。
前記再生素子は下部磁気シールド、磁気抵抗効果素子及び上部磁気シールドを有し、前記記録素子は、再生素子の空気流出端側に積層されており、これら再生素子及び記録素子全体が突起のある位置に配置されている。
前記突起の両脇には、センタレール部分が存在していることが望ましい。

また、本発明の磁気ヘッドスライダにおいては、スライダと薄膜磁気ヘッド部との浮上面に形成されたセンタレールに、センタレールより窪んだリセス部を設け、このリセス部に再生素子及び記録素子並びにヒータを配置するものである。
前記ヒータの発熱により、再生素子及び記録素子を含む領域が熱変形により浮上面側に突出し、突出部の頂点がセンタレール面よりも高くなる。

本発明によれば、磁気ヘッドスライダにおいて、センタレールに球状あるいは楕円球状の突起を形成し、この突起に再生素子及び記録素子を配置した場合においても、空気膜剛性をより多く確保し、浮上安定性を良好なものにすることができる。また、突起の両脇に、センタレール部分を存在させることにより、浮上追従性も良好なものにすることができる。

本発明の実施例１による磁気ヘッドスライダの構成を、図面を参照して以下に説明する。図１は磁気ヘッドスライダ１の浮上面を示す鳥瞰図である。磁気ヘッドスライダ１は、スライダ１０と、スライダ１０の空気流出端に形成された薄膜磁気ヘッド部１１とで構成されている。磁気ヘッドスライダ１の浮上面は、フロントレール２とフロントステップ軸受３で構成されるフロントパッドと、フロントステップ軸受３から続くサイドステップ軸受４と、センタレール５とセンタステップ軸受６で構成されるセンタパッドと、そしてこれらのパッドを隔てる負圧溝７とからなる。センタレール５はスライダ１０と薄膜磁気ヘッド部１１に跨って形成されている。フロントパッド、センタパッド及び負圧溝は、イオンミリング等のエッチングにより形成することができる。負圧溝７の深さはフロントステップ軸受３、サイドステップ軸受４、センタステップ軸受６よりも深く形成される。再生素子８、記録素子９は薄膜磁気ヘッド部１１の中に形成され、センタレール５の空気流出端付近に位置している。

スライダ１０は、アルミナ・チタンカーバイト(アルチック：Al₂O₃-TiC)で構成され、薄膜磁気ヘッド部１１はアルミナ(Al₂O₃)によって構成されている。図２（ａ）にセンタレール５近傍の拡大図を示すが、センタパッドのセンタレール５には、センタレールより窪んだリセス部１４が形成され、このリセス部１４上に、球状あるいは楕円球状の突起１２が形成されている。突起１２の頂点を含む位置に、再生素子８、記録素子９が配置されている。スライダ形状を流出端面１３側から見た図を図２（ｂ）に示す。但し、図２（ｂ）は、図２（ａ）の上下を逆にした図であり、突起１２が図の下側に隆起して見えている。

図３に突起１２の部分をスライダ長手方向に切断した断面図を示す。再生素子８、記録素子９はアルチックの基板１０上に薄膜形成プロセスによりアルミナ下地層１１０を介して形成される。再生素子８は下部磁気シールド８１、磁気抵抗効果素子８０及び上部磁気シールド８２で構成された磁気抵抗効果型ヘッドであり、記録素子９は再生素子８の空気流出側に積層された、下部磁気コア９１、コイル９２、上部磁気コア９３で構成される誘導型磁気ヘッドである。記録素子９の上にはアルミナの硬質保護層１２０が積層される。球状あるいは楕円球状の突起１２は、例えば特許文献１あるいは２に記載されているような方法により形成することができるが、アルチック基板１０上に薄膜磁気ヘッド部１１を形成し、アルチック基板１０を磁気ヘッドスライダ単位に切断した後、浮上面形成時に、リセス部及び突起を形成する部分をマスクし、リセス部及び突起を形成する部分以外の部分を約５ｎｍほどイオンミリングにより除去する。続いて、突起１２を形成し、突起１２の周囲にリセス部１４を形成するために、突起を形成する部分とリセス部を形成する部分の外側をマスクし、約１０ｎｍほどイオンミリングにより堀下げる。このとき、突起を形成する部分のマスクとして、面積の異なるマスクを複数用意し、面積の小さなマスクから大きなマスクに順次交換しながらイオンミリングを行うことにより、球状あるいは楕円球状の突起１２を形成することができる。また、突起１２の周囲には、約１０ｎｍの深さのリセス部１４を形成することができる。

上記構成による効果を、図４〜図７を用いて説明する。図４は、磁気ディスク上で浮上している状態の磁気ヘッドスライダを側面から見た模式図である。図４（ａ）は、従来の典型的な磁気ヘッドスライダ１５（例えば特許文献２、図１０参照）であり、図４（ｂ）は、センタレール上に球状あるいは楕円球状の突起１２を形成した磁気ヘッドスライダ１６（例えば特許文献２、図１参照）である。通常、磁気ヘッドスライダ１５、１６は、空気流入端１７における磁気ヘッドスライダ１５、１６と磁気ディスク１８のすき間が、空気流出端１９における磁気ヘッドスライダ１５、１６と磁気ディスク１８のすき間に対して大きい状態となる姿勢で、すなわちピッチ角θpをもって、回転する磁気ディスク１８上を浮上する。

ここで、磁気ヘッドスライダ１５、１６について、再生素子８、記録素子９における浮上高さＦＨを揃えた場合、突起１２をセンタレールに形成した磁気ヘッドスライダ１６は、従来の典型的な磁気ヘッドスライダ１５に比べて、突起１２の高さｈの分だけ、スライダ母体の浮上高さが高くなることになる。すなわち、突起１２を除くスライダ浮上面全体が磁気ディスク１８の表面から遠ざかることになり、スライダ浮上面とディスク面間に形成される空気膜の剛性が低下することになる。図５に、磁気ヘッドスライダ１５、１６について、磁気ヘッドスライダ浮上の動解析計算「修正レイノルズ方程式を基礎とする粘性流体解析シミュレーション」から空気膜剛性を算出した結果を示す。図５（ａ）の横軸は周波数、縦軸はスライダ浮上高さ方向の並進運動に対する空気膜剛性（ばね係数）K11を表し、また図５（ｂ）の横軸は周波数、縦軸はスライダピッチ方向の振動に対する空気膜剛性（ばね係数）K22を表している。それぞれのグラフ内には、磁気ヘッドスライダ１５、１６についての計算結果を並べてプロットしてある。なお、今回の計算においては、各解析モデルにおいて、ピッチ角θpおよび再生素子８、記録素子９における浮上高さＦＨを揃えた。また球状あるいは楕円球状の突起高さｈを１０ｎｍとした。図５から、突起１２を設けたことにより、空気膜剛性ΔK11が約３０％、ΔK22が約２０％低下したことが分かる。

これに対し、実施例１の磁気ヘッドスライダ１においては、図２（ｂ）に示すように、再生素子８、記録素子９を含む、球状あるいは楕円球状の突起１２が、センタパッドのセンタレール５から窪んだリセス部１４上に配置されているため、突起高さｈによるスライダ母体の浮上高さ上昇を抑えることができ、空気膜剛性をより確保することができる。

図６は、磁気ディスク上で浮上した状態の磁気ヘッドスライダを空気流出端側から見たときの模式図である。図６（ａ）は、図４（ｂ）に示したセンタレール５上に球状あるいは楕円球状の突起１２を形成した磁気ヘッドスライダ１６、図６（ｂ）は、実施例１による磁気ヘッドスライダ１を示す。磁気ヘッドスライダ１、１６とも、ピッチ角θpをもって、回転する磁気ディスク１８上を浮上する。

ここで、磁気ヘッドスライダ１、１６について、再生素子８、記録素子９における浮上高さＦＨを揃えた場合、センタパッドのセンタレール５より窪んだリセス部１４上に、球状あるいは楕円球状の突起１２を形成した実施例１の磁気ヘッドスライダ１は、センタパッドのセンタレール５上に突起１２を形成した磁気ヘッドスライダ１６に比べて、リセス部１４のリセス深さｄの分だけ、スライダ母体の浮上高さが低くなることになる。すなわち、突起１２を除くスライダ浮上面全体が磁気ディスク１８の表面に近づくことになり、スライダ浮上面とディスク面間に形成される空気膜の剛性を確保できることになる。

図７に、磁気ヘッドスライダ１、１６について、磁気ヘッドスライダ浮上の動解析計算から空気膜剛性を算出した結果を示す。図７（ａ）の横軸は周波数、縦軸はスライダ浮上高さ方向の並進運動に対する空気膜剛性K11を表し、また図７（ｂ）の横軸は周波数、縦軸はスライダピッチ方向の振動に対する空気膜剛性K22を表している。それぞれのグラフ内には、磁気ヘッドスライダ１、１６についての計算結果を並べてプロットしてある。なお、またセンタレール等の形状を微調整することで各解析モデルにおいてピッチ角θpおよび再生素子８、記録素子９における浮上高さＦＨを揃え、球状あるいは楕円球状の突起１２の高さｈを１０ｎｍとし、またリセス深さｄを５ｎｍとした。実施例１による磁気ヘッドスライダ１は、センタパッドのセンタレール５より窪んだリセス部１４上に、球状あるいは楕円球状の突起１２を形成したことによって、空気膜剛性ΔK11が１０〜１３％、ΔK22が１４〜１７％向上したことが分かる。

以上の説明のとおり、実施例１によれば、再生素子８、記録素子９を含む球状あるいは楕円球状の突起１２を、センタパッドのセンタレール５から深さｄだけリセスされたリセス部１４上に配置するので、高さｈの突起１２の設置によるスライダ母体の浮上高さ上昇を抑制でき、よって空気膜剛性をより確保することができる。したがって、浮上を安定化することができる。

ところで、磁気ヘッドスライダの浮上時、磁気ヘッドスライダの浮上高さは、磁気ディスクのうねり等の影響を受けることによっても変動する。すなわち、動的安定性が損なわれることになる。特に、近年開発が進んでいる、磁気ディスク面に極細溝を刻んだディスクリートトラックメディアにおいては、たとえ溝を平坦化剤等で埋めて平坦化を試みても、従来の磁気ディスクに比較してディスクうねり等が増大する可能性が大きく、磁気ヘッドスライダの動的安定性を確保するために、磁気ディスクのうねり等への追従性を向上する必要がある。追従性向上のためには、磁気ヘッドスライダ浮上面、磁気ディスク表面間の空気膜剛性を向上することが有効であるといわれている。

図８に、磁気ヘッドスライダ１、１６について、磁気ヘッドスライダ浮上の動解析計算からディスクうねり追従性を算出した結果を示す。横軸はディスクうねりの空間周波数、縦軸はディスクうねり高さaとスライダの非追従成分Δhとの割合|Δｈ/a|であり、この|Δｈ/a|が低いほどスライダ追従性が良いことになる。高周波のディスクうねりに対してはスライダは殆ど追従できないため、|Δｈ/a|はほぼ１に近い値をとる。図８中には、磁気ヘッドスライダ１、１６それぞれについて計算した結果を併せてプロットしてある。再生素子８、記録素子９を含む、球状あるいは楕円球状の突起１２を、センタパッドのセンタレール５から深さｄだけリセスされたリセス部１４上に配置するので、高さｈの突起１２の設置によるスライダ母体の浮上高さ上昇を抑制して空気膜剛性をより確保することができ、その結果として追従性を向上することができる。

なお、本実施例の磁気ヘッドスライダ１においては、センタパッドのセンタレール５において、センタレールより窪んだリセス部１４の横のセンタレールの幅を調整することで、より多くの空気膜剛性を確保することができる。

そこで、リセス部１４の横のセンタレールの幅調整による効果を、図９〜図１１を用いて説明する。図９（ａ）に、磁気ヘッドスライダ１の浮上面の平面図を示す。図９（ｂ）は、図９（ａ）の平面図の流出端部分を拡大した図である。リセス部１４の両脇のセンタレール部分２１、２２の幅Ｗをパラメータとして解析計算を実施した。なお、またセンタレール等の形状を微調整することで、各解析モデルにおいてピッチ角θpおよび再生素子８、記録素子９における浮上高さＦＨを揃え、球状あるいは楕円球状の突起高さｈを１０ｎｍとし、またリセス深さｄを５ｎｍとし、リセス部１４の幅Ｗｒは一定とした。

図１０に、リセス部１４の両脇のセンタレール部分２１、２２の幅Ｗをパラメータとして、磁気ヘッドスライダ浮上の動解析計算から磁気ヘッドスライダ浮上面、磁気ディスク表面間の空気膜剛性を計算した結果を示す。図１０（ａ）の横軸は周波数、縦軸はスライダ浮上高さ方向の並進運動に対する空気膜剛性K11を表し、また図１０（ｂ）の横軸は周波数、縦軸はスライダピッチ方向の振動に対する空気膜剛性K22を表している。それぞれのグラフ内には、センタレールをリセスしていないでセンタレール上に突起１２を形成した磁気ヘッドスライダ１６、および実施例１の磁気ヘッドスライダ１において、リセス部１４の両脇のセンタレール部分２１、２２の幅Ｗを変えたスライダについての解析結果を並べてプロットしてある。センタレール上に突起１２を形成したスライダ１６に比べ、実施例１の磁気ヘッドスライダ１は、リセス部１４の両脇のセンタレール部分２１、２２の幅がゼロの場合においても空気膜剛性が向上する、すなわちリセス部１４の両脇にセンタレール部分が存在しない場合にも、リセスのみで空気膜剛性を向上できることが分かる。また、リセス部１４の両脇に存在するセンタレール部分２１、２２の幅Ｗを増やせば増やすほど、より多くの空気膜剛性を確保できることが分かる。

また、実施例１の磁気ヘッドスライダ１においては、スライダのディスクうねり追従性についても同様に、センタパッドのセンタレール５において、リセス部１４の横のセンタレール部分の幅を調整することで、ディスクうねり追従性を向上することができる。図１１に、センタレールをリセスしていないでセンタレール上に突起１２を形成した磁気ヘッドスライダ１６、および実施例１の磁気ヘッドスライダ１においてリセス部１４の両脇のセンタレール部分２１、２２の幅Ｗを変えたスライダについて、磁気ヘッドスライダ浮上の動解析計算からディスクうねり追従性を計算した結果を示す。幅Ｗを増やすことによって、ディスクうねり追従性が向上することが分かる。これは、空気膜剛性向上による効果と、幅Ｗの増加によって空気膜の圧力中心がスライダ流出端側に移動したことによる効果の相乗効果によるものと考えられる。

なお、ディスクうねり追従性については、リセス部１４の両脇のセンタレール部分２１、２２の幅Ｗがゼロの場合、すなわちリセス部１４の両脇にセンタレール部分が無い場合にはディスクうねり追従性は向上しない。これは、空気膜剛性の向上による追従性向上よりも、センタレール上での空気膜の圧力中心がセンタレール５上にリセスを設けたことによってスライダ流入端側に移動し、再生素子８、記録素子９の位置から遠ざかったことによるディスクうねり追従性劣化のほうが支配的であるためだと考えられる。実施例１の磁気ヘッドスライダの構成としては、空気膜剛性のみの観点から見ると、幅Ｗがゼロ、すなわちすなわちリセス部１４の両脇にセンタレール部分が無くとも一定の効果は得られるが、ディスクうねり追従性まで考慮すると、リセス部１４の両脇にある一定幅以上のセンタレール部分があるほうが好ましい。

次に、図１２を参照して実施例２による磁気ヘッドスライダ１００を説明する。図１２は薄膜磁気ヘッド部１１近傍をスライダ長手方向に中心で切った断面図である。全体構成及び浮上面の形状は、実施例１と基本的に同じであるので、実施例１と相違する点について説明する。薄膜磁気ヘッド部１１の再生素子８、記録素子９の近傍にヒータ５０を設け、浮上面に、再生素子８，記録素子９を含む領域をイオンミリングなどによりリセスして、深さ約５ｎｍのリセス部１４を形成する。図１３に空気流出端面１３側から見たヒータ５０の平面図を示す。ヒータ５０は薄膜抵抗体を蛇行させた発熱部５２と、端子部５４とで構成されている。磁気記録再生時に、ヒータ５０に通電して発熱させることにより、再生素子８，記録素子９を含む薄膜磁気ヘッド部１１が熱変形し、リセス部１４から突出し、センタレール５を超える高さに達する。この突出部は実施例１の突起１２と同様に、球状あるいは楕円球状の形状をしており、リセス部１４からの高さは約１０ｎｍである。突出部の形状は、ヒータ５０の形状や位置により調整可能であり、突出部の高さは、ヒータ５０の発熱量で調整することができる。なお、上記説明では、ヒータ５０を再生素子８と記録素子９の後部に設けたが、再生素子８と記録素子９の間に設けてもよい。

実施例２においても、センタパッドのセンタレール５から深さｄだけリセスされたリセス部１４から、再生素子８、記録素子９を含む領域が高さｈだけ突出して、球状あるいは楕円球状の突出部を形成するので、スライダ母体の浮上高さ上昇を抑制でき、空気膜剛性をより確保することができる。また、リセス部１４の両脇に一定幅以上のセンタレール部分を存在させることにより、ディスクうねりに対する追従性を向上することができる。

本発明の実施例１による磁気ヘッドスライダの浮上面形状を示す鳥瞰図である。 （ａ）は図１のセンタパッド近傍の拡大図、（ｂ）はスライダ流出端側から見た拡大図である。 図１の薄膜ヘッド部の拡大断面図である。 従来の磁気ヘッドスライダの浮上状態の側面図である。 従来スライダにおける、スライダ浮上高さ方向の並進運動に対する空気膜剛性K11の計算結果（ａ）、スライダピッチ方向の振動に対する空気膜剛性K22の計算結果（ｂ）を示す図である。 実施例１による磁気ヘッドスライダの効果を説明するための図で、（ａ）は従来のセンタレール面上に突起を形成したスライダの浮上状態の側面図で、（ｂ）は実施例１による磁気ヘッドスライダの浮上状態の側面図である。 実施例１による磁気ヘッドスライダの効果を説明するための図で、（ａ）はスライダ浮上高さ方向の並進運動に対する空気膜剛性K11の計算結果を示す図、（ｂ）はスライダピッチ方向の振動に対する空気膜剛性K22の計算結果を示す図である。 実施例１による磁気ヘッドスライダの効果を説明するための図で、ディスクうねり追従性を算出した結果を示す図である。 実施例１による磁気ヘッドスライダの浮上面の平面図である。 実施例１による磁気ヘッドスライダの、リセス部の両脇のセンタレール部分の幅Ｗをパラメータとして、浮上の動解析計算から磁気ヘッドスライダ浮上面、磁気ディスク表面間の空気膜剛性を計算した結果を示す図である。 リセス部の両脇のセンタレール部分の幅Ｗをパラメータとして、浮上の動解析計算から磁気ヘッドスライダのディスクうねり追従性を計算した結果を示すである。 実施例２による磁気ヘッドスライダの薄膜ヘッド部の断面図である。 実施例２による磁気ヘッドスライダのヒータの平面図である。

符号の説明

１…磁気ヘッドスライダ、２…フロントレール、３…フロントステップ軸受、４…サイドステップ軸受、５…センタレール、６…センタステップ軸受、７…負圧溝、８…再生素子、９…記録素子、１０…スライダ（アルチック部）、１１…薄膜磁気ヘッド部（アルミナ部）、１２…球状あるいは楕円球状の突起、１３…スライダ流出端面、１４…リセス部、１７…空気流入端、１８…磁気ディスク、１９…空気流出端、２１…センタパッド部分、２２…センタパッド部分、５０…ヒータ、５２…発熱部、５４…端子部、８０…磁気抵抗効果素子、８１…下部磁気シールド、８３…上部磁気シールド、９１…下部磁気コア、９２…コイル、９３…上部磁気コア、１００…磁気ヘッドスライダ、１１０…下地層、１２０…硬質保護層。

Claims (10)

1. スライダと、
   前記スライダの空気流出端に形成された薄膜磁気ヘッド部と、
   前記スライダと前記薄膜磁気ヘッド部との浮上面に形成されたセンタレールと、
   前記センタレールより窪んだリセス部と、
   前記リセス部に形成された前記センタレールより突出する高さの球状あるいは楕円球状の突起と、
   前記突起の頂点を含む位置に配置された再生素子及び記録素子とを備えた磁気ヘッドスライダ。
2. 前記突起は、前記浮上面を加工して形成したものである請求項１記載の磁気ヘッドスライダ。
3. 前記再生素子は下部磁気シールド、磁気抵抗効果素子、及び上部磁気シールドを有し、前記記録素子は、前記再生素子の空気流出端側に積層されており、これら前記再生素子及び前記記録素子全体が前記突起のある位置に配置されている請求項１記載の磁気ヘッドスライダ。
4. 前記突起の両脇にセンタレール部分が存在している請求項１記載の磁気ヘッドスライダ。
5. スライダと、
   前記スライダの空気流出端に形成された薄膜磁気ヘッド部と、
   前記スライダと前記薄膜磁気ヘッド部との浮上面に形成されたセンタレールと、
   前記センタレールより窪んだリセス部と、
   前記リセス部に配置された再生素子及び記録素子並びにヒータとを備えた磁気ヘッドスライダ。
6. 前記再生素子は下部磁気シールド、磁気抵抗効果素子、及び上部磁気シールドを有し、前記記録素子は、前記再生素子の空気流出端側に積層されており、これら前記再生素子及び前記記録素子全体が前記リセス部に位置する請求項５記載の磁気ヘッドスライダ。
7. 前記ヒータの発熱により、前記再生素子及び前記記録素子を含む領域が熱変形により浮上面側に突出し、突出部の頂点が前記センタレールよりも高くなる請求項５記載の磁気ヘッドスライダ。
8. 前記突出部の頂点の近傍に、前記再生素子及び前記記録素子の先端部が存在している請求項７記載の磁気ヘッドスライダ。
9. 前記ヒータが、前記再生素子及び前記記録素子の近傍に配置されている請求項５記載の磁気ヘッドスライダ。
10. 前記ヒータが、前記再生素子と前記記録素子の間に配置されている請求項５記載の磁気ヘッドスライダ。

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