JP2008256645A - 垂直型プローブ及びこれを用いた垂直型プローブユニット - Google Patents

Abstract

【目的】 本発明の目的は、ガイド板の厚みを厚くしても、先端部のガイド孔内の往路移動と復路移動との荷重ヒステリシスを低減することができる垂直型プローブ及び垂直型プローブカードを提供する。
【構成】 垂直型プローブカードＣは、先端部１１１が第１のガイド板２００の第１のガイド孔２１０に、当該第１のガイド板２００の厚み方向に移動自在に通される。垂直型プローブカードＣの先端部１１１の外面には、当該先端部１１１が第１のガイド孔２１０に通された状態で、当該第１のガイド孔２１０の壁面の一部分に当接する第１のフランジ部１１１ｃが設けられている。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体デバイスの電気的諸特性を測定するのに使用される垂直型プローブ及びこれを用いた垂直型プローブユニットに関する。

この種の垂直型プローブユニットは、複数のコイルスプリングプローブと、このコイルスプリングプローブの先端部が通される下側ガイド孔を有する下側ガイド板と、このコイルスプリングプローブの先端部以外の部分が通される上側ガイド孔を有する上側ガイド板とを備えているものがある（特許文献１及び２参照）。

前記コイルスプリングプローブは、測定時に、その先端部が半導体デバイスの導電パッドに接触し、当該導電パッドを通じて押圧されると、コイルスプリングが圧縮され、前記先端部が前記ガイド孔の周壁面上をその厚み方向に摺動するようになっている。

特開２００６−２０８３２９号公報 特開２００６−３００５８１号公報

ところで、近年の半導体デバイスは、複数の導電パッドが更に高密度に配設され、当該導電パッド間の間隔が更に狭くなっている。

この半導体デバイスに対応するために、前記コイルスプリングプローブを０．１〜０．２ｍｍの狭ピッチ間隔で配列すると、測定時に、前記コイルスプリングプローブの先端部が前記下側ガイド孔の周壁面上を摺動することにより、前記下側ガイド板に掛かる荷重が非常に大きくなる。

例えば、０．１ｍｍのピッチ間隔でコイルスプリングプローブを配置すると、１ｃｍ^２の面積に当たり、一万本のコイルスプリングプローブが存在することになる。このコイルスプリングプローブの一本当たりの荷重が約４ｇであるとすると、下側ガイド板１ｃｍ^２の面積に当たりに、約４０ｋｇの荷重が掛かることとなる。

このように前記下側ガイド板に大きな荷重が掛かると、前記下側ガイド板は、その厚みが約０．５ｍｍと薄いため、当該荷重に耐えることができない。

そこで、前記下側ガイド板を厚くし、当該下側ガイド板が前記荷重に耐え得るようにすることが考えられるが、前記コイルスプリングプローブの先端部が前記下側ガイド孔の周壁面上を摺動する面積が大きくなる。このため、前記先端部が前記下側ガイド孔内を移動する際に、引っ掛かる等して摺動不良が発生する可能性がある。また、このように摺動不良が発生すると、前記先端部のガイド孔内の往路移動と復路移動との荷重ヒステリシスが大きくなる。

本発明は、上記事情に鑑みて創案されたものであって、その目的とするところは、ガイド板の厚みを厚くしても、先端部のガイド孔内の往路移動と復路移動との荷重ヒステリシスを低減することができる垂直型プローブ及びこれを用いた垂直型プローブユニットを提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明の垂直型プローブは、厚みが１．２〜３．０ｍｍのガイド板の厚み方向に貫通するガイド孔に、先端部が前記厚み方向に移動自在に通される垂直型プローブであって、前記先端部の外面には、当該先端部が前記ガイド孔に通された状態で、当該ガイド孔の壁面の一部分に当接する第１のフランジ部が設けられていることを特徴としている。

このような垂直型プローブは、前記先端部が半導体デバイスの導電パッドに接触し、押圧されると、当該先端部がガイド孔を前記厚み方向に移動する。すると、前記第１のフランジ部が前記ガイド孔の壁面上を前記厚み方向に摺動する。

前記先端部の外面の第１のフランジ部配設部と異なる高さ位置には、当該先端部が前記ガイド孔に通された状態で、当該ガイド孔の壁面の別の部分に当接する第２のフランジ部が設けられていることが好ましい。

この場合、前記先端部の外面の異なる高さ位置に第１、第２のフランジ部が配設されているので、前記先端部が前記ガイド孔内を厚み方向に移動すると、前記第１、第２のフランジ部が前記ガイド孔の壁面上を摺動する。このため、前記先端部の移動を安定させることができる。

前記ガイド板のガイド孔が円柱状の孔である場合、前記プローブの先端部は円柱体とすることができ、前記第１のフランジ部は、当該先端部が前記ガイド孔に通された状態で、当該ガイド孔の周壁面の一部分の円周領域に当接する環状体とすることができる。又は、前記第１のフランジ部だけでなく、前記第２のフランジ部も、当該先端部が前記ガイド孔に通された状態で、当該ガイド孔の周壁面の別の部分の円周領域に当接する環状体とすることができる。この場合、前記先端部が前記ガイド孔内を厚み方向に移動すると、前記フランジ部がガイド孔の周壁面上を摺動する。このため、前記先端部の前記移動を安定させることができる。

本発明の垂直型プローブユニットは、上記垂直型プローブと、厚みが１．２〜３．０ｍｍであるガイド板とを備えており、このガイド板には、その厚み方向に貫通しており且つ前記垂直型プローブの先端部が前記厚み方向に移動自在に通されるガイド孔が設けられている。

この場合、垂直型プローブの先端部が、半導体デバイスの導電パッドに接触し、押圧されると、当該先端部がガイド孔を前記厚み方向に移動する。すると、前記第１のフランジ部が前記ガイド孔の壁面上を前記厚み方向に摺動する。このため、垂直型プローブの先端部と、前記ガイド孔の壁面との摺動面積を低減することができる。また、前記プローブ本体の先端部の外面の第１のフランジ部配設部以外の部分と、ガイド孔の壁面との間の空間が形成される。この空間が、前記先端部が前記ガイド板のガイド孔の壁面上を摺動し、当該先端部又はガイド孔の壁面が削れることにより発生するゴミを収容する。

前記垂直型プローブは、前記先端部を有する円柱状のプローブ本体と、このプローブ本体の後端部をその長さ方向に移動自在に保持する保持部材と、前記プローブ本体に設けられる第１の支持部と、前記保持部材に設けられる第２の支持部と、第１、第２の支持部の間に配置されるコイルスプリングとを備える構成とすることができる。

この場合、プローブ本体の先端部が半導体デバイスの導電パッドに接触し押圧されると、コイルスプリングが第１、第２の支持部の間で圧縮される。これにより、プローブ本体の先端部と半導体デバイスの導電パッドとの電気的接続に必要な所定の接触圧を確保し易くなる。また、前記空間でゴミを保持することができるので、当該ゴミがコイルスプリングに付着して、その弾性変形を阻害するのを防止することができる。

前記垂直型プローブユニットが、前記垂直型プローブの保持部材が電気的に接続される接続基板を更に備えている場合、前記保持部材は、プローブ本体の後端部が摺動可能に挿入され且つ前記接続基板に電気的に接続される導電性のガイド管であって、その長さ方向の一端面が前記第２の支持部となっている。前記コイルスプリングの少なくとも一部が絶縁体で被覆されている。この場合、前記プローブ本体の先端部が半導体デバイスの導電パッドに接触することにより、当該プローブ本体、前記第１の支持部を通じて前記コイルスプリングに電気信号が流れるのを防止することができる。このため、前記コイルスプリングの高いインダクタンスにより、前記電気信号が減衰するのを防止することができる。

本発明の垂直型プローブによる場合、その先端部の外面に設けた第１のフランジ部が、当該先端部がガイド板のガイド孔に通された状態で、当該ガイド孔の壁面に当接するようになっている。このため、前記先端部が半導体デバイスの導電パッドに接触し、押圧されると、当該先端部がガイド孔内を前記ガイド板の厚み方向に移動する。このとき、前記第１のフランジ部が前記ガイド板のガイド孔の壁面上を前記厚み方向に摺動するので、その摺動面積を従来例と比べて大きく低減することができる。従って、前記垂直型プローブは、ガイド板の厚みを１．２〜３．０ｍｍと厚くしたとしても、先端部のガイド孔内の往路移動と復路移動との荷重ヒステリシスを低減することができる。

本発明の垂直型プローブユニットによる場合、本発明の垂直型プローブと同様の効果を奏する。また、垂直型プローブの先端部のフランジ部以外の部分とガイド板のガイド孔の壁面との間の空間で、前記先端部が前記ガイド孔の壁面を摺動し、当該先端部又はガイド孔の壁面が削られることにより生じるゴミを保持することができる。このため、前記ゴミが、前記ガイド孔から前記ガイド板上に舞い上がるのを低減することができる。

以下、本発明の実施の形態について説明する。

まず、本発明の第１の実施の形態に係る垂直型プローブユニットについて図面を参照しつつ説明する。図１は本発明の第１の実施の形態に係る垂直型プローブユニットの概略的断面図、図２は同プローブユニットの使用状態を示す概略的断面図、図３は同プローブユニットの垂直型プローブの組立手順を示す図である。

図１及び図２に示す垂直型プローブユニットＣは、半導体デバイス１０の電気的所得性を測定するのに使用されるものであって、半導体デバイス１０の導電パッド１１に各々接触可能な複数の垂直型プローブ１００と、この垂直型プローブ１００の先端部１１１が各々移動自在に通される複数の第１のガイド孔２１０を有する第１のガイド板２００と、垂直型プローブ１００の後端部が各々挿入される複数の第２のガイド孔３１０を有する第２のガイド板３００と、第１、第２のガイド板２００、３００の間に介在するスペーサ４００と、第２のガイド板３００の面上に取り付けられる接続基板５００とを備えている。以下、詳しく説明する。

垂直型プローブ１００は、略円柱状の針状体であるプローブ本体１１０と、このプローブ本体１１０の後端部１１３を、その長さ方向に移動自在に保持する保持部材１２０と、プローブ本体１１０の中間部１１２の回りに同心円状に配置される第１のコイルスプリング１３０と、プローブ本体１１０の後端部１１３と保持部材１２０との間に配置される第２のコイルスプリング１４０とを有している。

プローブ本体１１０は、断面視下向き凸字状の先端部１１１と、この先端部１１１に連なる中間部１１２と、この中間部１１２に連なる後端部１１３とを有する。

先端部１１１は、外径がΦ０．０８ｍｍであり且つ長さ寸法が０．５〜１．０ｍｍである接触部１１１ａと、この接触部１１１ａに連なる外径がΦ０．１ｍｍであり且つ長さ寸法が１．０〜２．０ｍｍであるガイド部１１１ｂと、ガイド部１１１ｂの後端部の外周面に設けられた外径Φ０．１１ｍｍの環状体である第１のフランジ部１１１ｃとを有する。

第１のフランジ部１１１ｃは、第１のガイド板２００の第１のガイド孔２１０の大径孔部２１２の周壁面の一部分の円周領域に当接し、プローブ本体１１０の移動に応じて、当該大径孔部２１２の周壁面上を摺動するようになっている。

また、ガイド部１１１ｂの先端面は、第１のガイド孔２１０の大径孔部２１２の底部に当接可能になっている。これにより、プローブ本体１１０が第１のガイド孔２１０から抜け落ちるのを防止している。ガイド部１１１ｂの後端面は、第１のコイルスプリング１３０の長さ方向の一端部を支持する第１の支持部１１１ｂ１となっている。

接触部１１１ａの先端面は、半導体デバイス１０の導電パッド１１に接触する部分であって、クラウン加工が施されている。

この接触部１１１ａは、中間部の外周面がその他の部分に比べて窪んでおり、その外径がΦ０．０７ｍｍとなっている。即ち、接触部１１１ａの先端部、後端部が第２、第３のフランジ部１１１ａ１、１１１ａ２となっている。第２、第３のフランジ部１１１ａ１、１１１ａ２は、第１のガイド孔２１０の小径孔部２１１の周壁面の一部の円周領域に各々当接し、プローブ本体１１０の移動に応じて、当該小径孔部２１１の周壁面上を摺動するようになっている。

中間部１１２は、外径がΦ０．０６ｍｍであって、第１のコイルスプリング１３０が弾性変形する際に当該第１のコイルスプリング１３０をガイドする。これにより、第１のコイルスプリング１３０が、幅方向に歪むのを防止している。

後端部１１３は、外径Φ０．０６５ｍｍの第１、第２の大径部１１３ａ、１１３ｂと、第１、第２の大径部１１３ａ、１１３ｂの間に位置する外径Φ０．０５ｍｍの小径部１１３ｃとを有する。

第１、第２の大径部１１３ａ、１１３ｂは、保持部材１２０のガイド管１２１の内周面の一部の円周領域に各々当接しており、プローブ本体１１０の移動に応じて、当該ガイド管１２１の内周面上を摺動するようになっている。第２の大径部１１３ｂの後端部は略円錐状になっており、第２のコイルスプリング１４０の長さ方向の一端部を支持する。また、第２の大径部１１３ｂの先端面は、保持部材１２０のカシメ部１２１ｂに当接可能になっており、プローブ本体１１０が保持部材１２０から脱落するのを防止している。

小径部１１３ｃは、その外径を小さくし、保持部材１２０のカシメ部１２１ｂとの干渉を避けている。

保持部材１２０は、外径がΦ０．１１ｍｍ、内径がΦ０．０７５ｍｍの導電性を有するニッケル合金製の円筒状のガイド管１２１と、このガイド管１２１の長さ方向の他端側の開口を塞ぐ導電性を有する円柱体である接続部１２２（これが、ガイド管１２１の底部をなす。）とを有する。

ガイド管１２１は、長さ方向の一端側の開口から、プローブ本体１１０の後端部１１３がその長さ方向に摺動自在に挿入されるようになっている。このガイド管１２１の一端面は、第１のコイルスプリング１３０の長さ方向の他端部を支持する第２の支持部１２１ａとなっている。

また、ガイド管１２１の中間部の周壁面にはカシメ部１２１ｂが設けられている。このカシメ部１２１ｂに、プローブ本体１１０の第２の大径部１１３ｂの先端面が当接することにより、第１のコイルスプリング１３０がプローブ本体１１０の第１の支持部１１１ｂ１と保持部材１２０の第２の支持部１２１ａとの間で約０．３ｍｍ圧縮されるようになっている。

接続部１２２の長さ方向の他端部は円錐状になっている。この接続部１２２の他端部が接続基板５００の電極５１０に接触することにより、垂直型プローブ１００が接続基板５００に電気的に接続される。また、接続部１２２の長さ方向の一端部も円錐状になっており、第２のコイルスプリング１４０の長さ方向の他端部を支持する。

第１のコイルスプリング１３０は、バネ性ステンレス、スプリング用ピアノ線、アモルファス合金等の線材を巻き回して構成される。第１のコイルスプリング１３０は、長さ寸法が１．５〜３．０ｍｍ、外径がΦ０．１〜０．１５ｍｍとなっている。第１のコイルスプリング１３０は、プローブ本体１１０の中間部１１２の回りに同心円状に配置され且つ先端部１１１の第１の支持部１１１ｂ１と保持部材１２０の第２の支持部１２１ａとの間に圧縮状態で配置される。また、第１のコイルスプリング１３０の長さ方向の一端部及び他端部は、テフロン（登録商標）等の絶縁体１３１でコーティングされている。

第２のコイルスプリング１４０は、バネ性ステンレス、スプリング用ピアノ線、アモルファス合金等の線材を巻き回して構成される。この第２のコイルスプリング１４０は、長さ寸法が０．５〜１．５ｍｍ、外径がΦ０．０６〜０．０７ｍｍとなっている。第２のコイルスプリング１４０は、筒状体１２０内に入れられ、筒状体１２０の接続部１２２とプローブ本体１１０の後端部１１３との間に非圧縮状態で配置される。

第１のガイド板２００は、厚さ１．２〜３．０ｍｍの絶縁性を有するセラミックス等の板体である。この第１のガイド板２００には、当該第１のガイド板２００を厚み方向に貫通する複数の第１のガイド孔２１０が半導体デバイス１０の導電パッド１１の配列に対応するように０．１〜０．２ｍｍのピッチ間隔で（例えば、マトリックス状に）配設されている。

第１のガイド孔２１０は、Φ０．０９ｍｍであり且つ深さ０．２〜０．５ｍｍである小径孔部２１１と、この小径孔部２１１に連続するΦ０．１２ｍｍであり且つ深さ１．０〜２．５ｍｍである大径孔部２１２とを有する。

小径孔部２１１の周壁面とプローブ本体１１０の接触部１１１ａの中間部の外周面との間には、接触部１１１ａの第２、第３のフランジ部１１１ａ１、１１１ａ２が小径孔部２１１の周壁面上を摺動し、第２、第３のフランジ部１１１ａ１、１１１ａ２又は小径孔部２１１の周壁面が削れることにより生じるゴミを収容する第１のゴミ収集空間α１が形成される。

大径孔部２１２の周壁面とプローブ本体１１０のガイド部１１１ｂの第１のフランジ部配設部以外の部分の外周面との間には、ガイド部１１１ｂの第１のフランジ部１１１ｃが大径孔部２１２の周壁面上を摺動し、第１のフランジ部１１１ｃ又は大径孔部２１２の周壁面が削れることにより生じるゴミを収容する第２のゴミ収集空間α２が形成される。

第２のガイド板３００は、厚さ０．５〜２．０ｍｍの絶縁性を有するセラミックス等の板体である。この第２のガイド板３００には、当該第２のガイド板３００を厚み方向に貫通する複数の第２のガイド孔３１０が第１のガイド孔２１０の配列に対応するように配設されている。

第２のガイド孔３１０は、Φ０．１２ｍｍの孔であって、垂直型プローブ１００の保持部材１２０の後端部（即ち、垂直型プローブ１００の後端部）が挿入される。

スペーサ４００は、厚さ１〜３ｍｍの絶縁性を有するセラミックス等の環状の枠体である。

接続基板５００は周知のプリント配線基板である。この接続基板５００には、複数の電極５１０が第２のガイド孔３１０の配列に対応するように配設されている。この電極５１０は、接続基板５００が第２のガイド板３００の上面に取り付けられた状態で、垂直型プローブ１００の接続部１２２に接触し、電気的に接続される。なお、接続基板５００を通じて垂直型プローブユニットＣが後述する測定装置と電気的に接続される。

以下、垂直型プローブ１００の組立手順及び垂直型プローブユニットＣの組立手順について説明する。

まず、図３に示すように、プローブ本体１１０の後端部１１３を、第１のコイルスプリング１３０に挿入する。すると、第１のコイルスプリング１３０の長さ方向の一端部がプローブ本体１１０のガイド部１１１ｂの第１の支持部１１１ｂ１に当接する。

その後、プローブ本体１１０の後端部１１３を、保持部材１２０のガイド管１２１に挿入する。すると、後端部１１３の第１、第２の大径部１１３ａ、１１３ｂが、保持部材１２０の内周面の一部の円周領域に各々当接する。そして、第１のコイルスプリング１３０の長さ方向の他端部がガイド部１１１ｂの第２の支持部１２１ａに当接する。このようにして第１のコイルスプリング１３０が第１、第２の支持部１１１ｂ１、１２１ａの間に配置される。

その後、ガイド管１２１をプローブ本体１１０の先端部１１１側に向けて約０．３ｍｍ移動させ、第１のコイルスプリング１３０を第１、第２の支持部１１１ｂ１、１２１ａの間で圧縮させる。この状態で、ガイド管１２１の中間部のプローブ本体１１０の小径部１１３ｃに対向する箇所を図示しない治具で押圧し、内側に塑性変形させる。この塑性変形部がカシメ部１２１ｂとなる。これにより、プローブ本体１１０の後端部１１３の第２の大径部１１３ｂがカシメ部１２１ｂに当接し、第１のコイルスプリング１３０が第１、第２の支持部１１１ｂ１、１２１ａの間に圧縮状態で配置される。これにより、第１のコイルスプリング１３０がプローブ本体１１０をその先端側に付勢する荷重が約３．５ｇとなる。

その後、第２のコイルスプリング１４０をガイド管１２１に挿入する。すると、第２のコイルスプリング１４０の長さ方向の一端部が、プローブ本体１１０の後端部１１３の第２の大径部１１３ｂに当接する。このとき、第２の大径部１１３ｂの円錐状の後端部の頂部が第２のコイルスプリング１４０の一端部内に入り込む。

その後、接続部１２２をガイド管１２１の長さ方向の他端側の開口に嵌め込み、当該開口を塞ぐ。このとき、接続部１２２の長さ方向の円錐状の一端部は、約０．１５ｍｍの隙間を有して第２のコイルスプリング１４０の長さ方向の他端部に対向する。即ち、第２のコイルスプリング１４０がプローブ本体１１０の後端部１１３と接続部１２２との間に非圧縮状態で配置される。このようにして、垂直型プローブ１００が組み立てられる。

その一方で、第１のガイド板２００の上面にスペーサ４００を接着する。そして、複数の第１のガイド孔２１０と複数の第２のガイド孔３１０とを位置合わせをしつつ、スペーサ４００の上面に第２のガイド板３００を接着する。

その後、複数の垂直型プローブ１００を、第２のガイド板３００の複数の第２のガイド孔３１０から各々挿入する。すると、複数の垂直型プローブ１００の先端部１１１が第１のガイド板２００の複数の第１のガイド孔２１０に各々嵌まり込む。これにより、先端部１１１の第１のフランジ部１１１ｃが、第１のガイド板２００の第１のガイド孔２１０の大径孔部２１２の周壁面の一部分の円周領域に当接し、第２、第３のフランジ部１１１ａ１、１１１ａ２が第１のガイド孔２１０の小径孔部２１１の周壁面の異なる高さ位置の一部の円周領域に各々当接する。

そして、複数の垂直型プローブ１００の先端部１１１のガイド部１１１ｂの先端面が複数の第１のガイド孔２１０の大径孔部２１２の底部に各々当接する。これにより、垂直型プローブ１００の第１のガイド孔２１０からの脱落が防止される。

このようにして、複数の垂直型プローブ１００の先端部１１１が第１のガイド板２００の複数の第１のガイド孔２１０に各々通されることにより、当該垂直型プローブ１００が半導体デバイス１０の複数の導電パッド１１の配列に対応して、０．１〜０．２ｍｍのピッチ間隔で（例えば、マトリックス状に）配列される。

その後、複数の垂直型プローブ１００の接続部１２２と、複数の電極５１０とを各々位置合わせをし、当該接続部１２２を当該電極５１０に各々当接させる。そして、複数の垂直型プローブ１００の第１、２のコイルスプリング１３０、１４０の付勢力に抗して接続基板５００を第２のガイド板３００の上面に面接触させ、この状態で両者を接着する。すると、複数の接続部１２２が複数の電極５１０に押圧され、複数の接続部１２２及びガイド管１２１が垂直型プローブ１００の先端部１１１側に向けて約０．１５ｍｍ各々移動する。なお、複数の接続部１２２が複数の電極５１０に各々押圧されることにより、両者の安定した電気接続が図られる。

これにより、複数の第１のコイルスプリング１３０が複数の第１、第２の支持部１１１ｂ１、１２１ａ間で各々更に圧縮される。

これと共に、複数の第２のコイルスプリング１４０の長さ方向の他端部が複数の接続部１２２の長さ方向の円錐状の一端部に各々接触する。これにより、複数の第２のコイルスプリング１４０が複数のプローブ本体１１０の後端部１１３と複数の接続部１２２との間に非圧縮状態で配置される。

このようにして製造された垂直型プローブユニットＣは、図示しない測定装置のプローバに取り付けられ、半導体デバイス１０の電気的所得性を測定する測定テストに使用される。以下、その測定工程について説明すると共に、垂直型プローブ１００の各部の動作について説明する。

まず、前記プローバを動作させる。すると、半導体デバイス１０が測定位置に順次搬送される。半導体デバイス１０が前記測定位置に位置すると、垂直型プローブユニットＣを半導体デバイス１０に相対的に近接させ、垂直型プローブユニットＣの複数の垂直型プローブ１００の先端部１１１を半導体デバイス１０の複数の導電パッド１１に各々接触させる。すると、複数の第１のコイルスプリング１３０の付勢力により、複数のプローブ本体１１０が、半導体デバイス１０の複数の導電パッド１１に、一ピン当たり約４．３ｇの接触荷重で、各々圧接される。

そして、垂直型プローブユニットＣを半導体デバイス１０に更に相対的に約０．１５ｍｍ近接させ、複数の垂直型プローブ１００を複数の導電パッド１１に圧接させる（即ち、約０．１５ｍｍのオーバードライブを加える。）。

すると、複数の垂直型プローブ１００のプローブ本体１１０の接触部１１１ａの先端面が半導体デバイス１０の複数の導電パッド１１に各々押圧され、プローブ本体１１０が図示上方向に移動する（これが往路移動である。）。

すると、複数の垂直型プローブ１００の接触部１１１ａの第２、第３のフランジ部１１１ａ１、１１１ａ２が第１のガイド板２００の第１のガイド孔２１０の小径孔部２１１の周壁面上を図示上方向（即ち、第１のガイド板２００の厚み方向）に摺動し、第１のフランジ部１１１ｃが当該第１のガイド孔２１０の大径孔部２１２の周壁面上を図示上方向に摺動し、後端部１１３の第１、第２の大径部１１３ａ、１１３ｂがガイド管１２１の内周面上を図示上方向に摺動する。

このとき、複数の垂直型プローブ１００の第１のコイルスプリング１３０が複数の第１、第２の支持部１１１ｂ１、１２１ａ間で各々更に圧縮される。これにより、垂直型プローブ１００の導電パッド１１に対する一ピン当たりの接触荷重が５ｇとなる。

これと共に、複数の第２のコイルスプリング１４０が複数のプローブ本体１１０の後端部１１３と複数の接続部１２２との間で各々圧縮される。これにより、垂直型プローブ１００の導電パッド１１に対する一ピン当たりの接触荷重が８ｇとなる。即ち、第１のコイルスプリング１３０の付勢力（即ち、一ピン当たり、約５ｇの接触荷重）に、第２のコイルスプリング１４０の付勢力（即ち、一ピン当たり、約３ｇの接触荷重）が加わることにより、プローブ本体１１０が半導体デバイス１０の導電パッド１１に対して約８ｇの接触荷重で圧接する。

このように前記オーバードライブを行う際に、第１のコイルスプリング１３０の付勢力に第２のコイルスプリング１４０の付勢力を加え、プローブ本体１１０の導電パッド１１に対する接触荷重を５ｇ〜８ｇにかけて急上昇させるようになっている。これによりプローブ本体１１０が導電パッド１１上の酸化膜を突き破り、当該導電パッド１１に圧接する。このため、プローブ本体１１０と導電パッド１１との接触抵抗が改善し、両者の安定した電気接続を図ることができる。

この圧接状態で、複数の導電パッド１１から各々発せられた電気信号が、複数の接触部１１１ａ、ガイド部１１１ｂ、中間部１１２及び後端部１１３の第１、第２の大径部１１３ａ、１１３ｂ、ガイド管１２１及び接続部１２２を通じて接続基板５００の複数の電極５１０に流れる。このようにして前記測定装置で半導体デバイス１０の電気的所得性が測定される。なお、第１のコイルスプリング１３０は、長さ方向の一端部及び他端部が絶縁体１３１でコーティングされているので、当該第１のコイルスプリング１３０に前記電気信号が流れず、当該電気信号の減衰が防止される。

その後、垂直型プローブユニットＣを半導体デバイス１０に相対的に離反させる。すると、複数の垂直型プローブ１００の第１、第２のコイルスプリング１３０、１４０の付勢力により、プローブ本体１１０が図示下方向に移動する（これが復路移動である。）。

このとき、複数の垂直型プローブ１００の接触部１１１ａの第２、第３のフランジ部１１１ａ１、１１１ａ２が第１のガイド板２００の第１のガイド孔２１０の小径孔部２１１の周壁面上を図示下方向（即ち、第１のガイド板２００の厚み方向）に摺動し、第１のフランジ部１１１ｃが当該第１のガイド孔２１０の大径孔部２１２の周壁面上を図示下方向に摺動し、後端部１１３の第１、第２の大径部１１３ａ、１１３ｂがガイド管１２１の内周面上を図示下方向に摺動する。

なお、プローブ本体１１０が前記往路移動及び復路移動する際に、第２、第３のフランジ部１１１ａ１、１１１ａ２の摺動により発生するゴミは、接触部１１１ａの中間部の外周面と小径孔部２１１の周壁面との間の第１のゴミ収集空間α１に収容され、第１のフランジ部１１１ｃの摺動により発生するゴミは、ガイド部１１１ｂの第１のフランジ部配設部以外の部分の外周面と大径孔部２１２の周壁面との間の第２のゴミ収集空間α２に収容される。

ここで、上記測定テストにおける図示しない実験用垂直型プローブユニットの実験用垂直型プローブの第１のガイド孔２１０内の前記往路移動と前記復路移動との荷重ヒステリシスの計測実験と、垂直型プローブユニットＣの垂直型プローブ１００の第１のガイド孔２１０内の前記往路移動と前記復路移動との荷重ヒステリシスの計測実験とを行った。なお、前記実験用垂直型プローブユニットは、実験用垂直型プローブが垂直型プローブ１００のプローブ本体１１０の先端部１１１に、第１のフランジ部１１１ｃが設けられておらず、且つ接触部１１１ａの中間部の外周面が窪んでいないものである。即ち、前記実験用垂直型プローブユニットは、実験用垂直型プローブが第１、第２、第３のフランジ部１１１ｃ、１１１ａ１、１１１ａ２を有していない点で垂直型プローブユニットＣと相違しており、その他は同じものである。

この実験の結果、前記実験用垂直型プローブユニットは、前記実験用垂直型プローブの先端部の略全周面が第１のガイド板２００の第１のガイド孔２１０の周壁面上を摺動するため、下記表１（移動量（μｍ）-荷重（ｇｆ）の特性を示すグラフ）に示すように、往路移動と復路移動との差が大きくなり、荷重ヒステリシスが大きくなることが分かった。なお、表１の上側のグラフ線が往路移動を示し、下側のグラフ線が復路移動を示す。

これに対して、垂直型プローブユニットＣは、垂直型プローブ１００の先端部１１１が前記往路移動及び復路移動する際に、当該先端部１１１の第２、第３のフランジ部１１１ａ１、１１１ａ２が第１のガイド孔２１０の小径孔部２１１の周壁面上を図示上、下方向に摺動する共に、当該先端部１１１の第１のフランジ部１１１ｃが第１のガイド孔２１０の大径孔部２１２の周壁面上を図示上、下方向に摺動するようになっている。

即ち、垂直型プローブ１００の先端部１１１と第１のガイド孔２１０の周壁面との摺動面積を大きく低減することができるので、厚さ１．２〜３．０ｍｍの第１のガイド板２００を用いたとしても、下記表２（移動量（μｍ）-荷重（ｇｆ）の特性を示すグラフ）に示すように、プローブ本体１１０の先端部１１１の第１のガイド孔２１０内の前記往路移動と前記復路移動との荷重ヒステリシスを低減することができることが分かった。なお、表２の上側のグラフ線が往路移動を示し、下側のグラフ線が復路移動を示す。

しかも、垂直型プローブユニットＣは、第２、第３のフランジ部１１１ａ１、１１１ａ２の摺動により発生するゴミが第１のゴミ収集空間α１に収容され、第１のフランジ部１１１ｃの摺動により発生するゴミが第２のゴミ収集空間α２に収容される。このため、前記ゴミが、第１のガイド孔２１０から第１のガイド板２００上に舞い上がり、垂直型プローブ１００の剥き出しの第１のコイルスプリング１３０に付着してその弾性変形を阻害するのを防止することができる。

次に、本発明の第２の実施の形態に係る垂直型プローブユニットについて図面を参照しつつ説明する。図４は本発明の第２の実施の形態に係る垂直型プローブユニットの概略的断面図である。

図４に示す垂直型プローブユニットＣ’は、垂直型プローブ１００’の先端部１１１’の形状及び保持部材１２０’の形状が実施例１の垂直型プローブユニットＣと異なっている。以下、その相違点について詳しく説明し、重複する部分については説明を省略する。なお、垂直型プローブの符号については、上述の如く’を付す。

先端部１１１’は、外径がΦ０．０８ｍｍであり且つ長さ寸法が０．５〜１．０ｍｍである接触部１１１ａ’と、この接触部１１１ａ’に連なる外径がΦ０．１ｍｍであり且つ長さ寸法が１．０〜２．０ｍｍであるガイド部１１１ｂ’と、ガイド部１１１ｂ’の後端部、先端部の外周面に各々設けられた外径Φ０．１１ｍｍの環状体である第１、第２のフランジ部１１１ｃ’、１１１ｄ’とを有する。

第１、第２のフランジ部１１１ｃ’、１１１ｄ’は、第１のガイド板２００の第１のガイド孔２１０の大径孔部２１２の周壁面の高さ位置の異なる一部分の円周領域に各々当接し、プローブ本体１１０’の移動に応じて、当該大径孔部２１２の周壁面上を摺動するようになっている。

また、第２のフランジ部１１１ｄ’は、第１のガイド孔２１０の大径孔部２１２の底部に当接する。これにより、プローブ本体１１０’が第１のガイド孔２１０から抜け落ちるのを防止している。

ガイド部１１１ｂ’の後端面は、第１のコイルスプリング１３０の長さ方向の一端部を支持する第１の支持部１１１ｂ１’となっている。

接触部１１１ａ’は、第１のガイド孔２１０の小径孔部２１１の周壁面に当接し、プローブ本体１１０の移動に応じて、当該小径孔部２１１の周壁面上を摺動するようになっている。

接触部１１１ａ’の先端面は、半導体デバイス１０の導電パッド１１に接触する部分であって、クラウン加工が施されている。

保持部材１２０’は、外径がΦ０．１１ｍｍ、内径がΦ０．０７５ｍｍの導電性を有するニッケル合金製の円筒状のガイド管１２１’と、このガイド管１２１’の長さ方向の他端側の開口を塞ぐ導電性を有する接続部１２２’とを有する。

ガイド管１２１’はガイド管１２１と同じである。

接続部１２２’は、内部が中空の半球状のドーム体である。この接続部１２２’は、その底面の開口の縁部に当該開口よりも内径が小さいリング体１２２ａ’が設けられている。このリング体１２２ａ’が第２のコイルスプリング１４０の長さ方向の他端部を支持する。また、接続部１２２’の頂部は、接続基板５００の電極５１０に接触することにより、垂直型プローブ１００が接続基板５００に電気的に接続される。

以下、このような構成の垂直型プローブユニットＣ’の組立方法について説明する。

まず、垂直型プローブ１００と同様に、プローブ本体１１０’に第１のコイルスプリング１３０’、ガイド管１２１’及び第２のコイルスプリング１４０’を取り付ける。そして、接続部１２２’をガイド管１２１’の長さ方向の他端側の開口に嵌め込み、当該開口を塞ぐ。このとき、接続部１２２’のリング体１２２ａ’は、約０．１５ｍｍの隙間を有して第２のコイルスプリング１４０’の長さ方向の他端部に対向する。即ち、第２のコイルスプリング１４０がプローブ本体１１０の後端部１１３と接続部１２２のリング体１２２ａ’との間に非圧縮状態で配置される。このようにして、垂直型プローブ１００が組み立てられる。

その一方で、垂直型プローブユニットＣと同様に、第１、第２のガイド板２００、３００及びスペーサ４００を接着して組み合わせる。

その後、複数の垂直型プローブ１００’を、第２のガイド板３００の複数の第２のガイド孔３１０から各々挿入する。すると、複数の垂直型プローブ１００’の先端部１１１’が第１のガイド板２００の複数の第１のガイド孔２１０に各々嵌まり込む。これにより、先端部１１１’の第１、第２のフランジ部１１１ｃ’、１１１ｄ’が、第１のガイド板２００の第１のガイド孔２１０の大径孔部２１２の周壁面の異なる高さ位置の一部分の円周領域に各々当接し、当該先端部１１１’の接触部１１１ａ’が第１のガイド孔２１０の小径孔部２１１の周壁面に当接する。

そして、複数の垂直型プローブ１００’の先端部１１１’の第２のフランジ部１１１ｄ’が複数の第１のガイド孔２１０の大径孔部２１２の底部に各々当接する。これにより、垂直型プローブ１００’の第１のガイド孔２１０からの脱落が防止される。

このようにして、複数の垂直型プローブ１００’の先端部１１１が第１のガイド板２００の複数の第１のガイド孔２１０に各々通されることにより、当該垂直型プローブ１００が半導体デバイス１０の複数の導電パッド１１の配列に対応して、０．１〜０．２ｍｍのピッチ間隔で（例えば、マトリックス状に）配列される。

その後、複数の垂直型プローブ１００’の接続部１２２’と、複数の電極５１０とを位置合わせをし、当該接続部１２２’を当該電極５１０に当接させる。そして、接続基板５００を第２のガイド板３００の上面に面接触させ、この状態で両者を接着する。すると、複数の接続部１２２’が複数の電極５１０に押圧され、複数の接続部１２２’及びガイド管１２１’が垂直型プローブ１００’の先端部１１１’側に向けて約０．１５ｍｍ各々移動する。なお、複数の接続部１２２’が複数の電極５１０に各々押圧されることにより、両者の安定した電気接続が図られる。

このとき、複数の第１のコイルスプリング１３０’が複数の第１、第２の支持部１１１ｂ１’、１２１ａ’間で各々更に圧縮される。これと共に、複数の第２のコイルスプリング１４０’の長さ方向の他端部が複数の接続部１２２’のリング体１２２ａ’に各々接触する。これにより、複数の第２のコイルスプリング１４０’が複数のプローブ本体１１０’の後端部１１３’と複数の接続部１２２’のリング体１２２ａ’との間に非圧縮状態で配置される。

このようにして組み立てられた垂直型プローブユニットＣ’は、垂直型プローブユニットＣと同様に、測定装置のプローバに取り付けられ、半導体デバイス１０の電気的所得性を測定するのに使用される。以下、その測定工程について説明する。

まず、実施例１と同様に測定位置に搬送された半導体デバイス１０に対して垂直型プローブユニットＣ’を相対的に近接させ、垂直型プローブユニットＣ’の複数の垂直型プローブ１００’の先端部１１１’を半導体デバイス１０の複数の導電パッド１１に各々接触させる。すると、複数の第１のコイルスプリング１３０’の付勢力により、複数のプローブ本体１１０’の先端部１１１が、半導体デバイス１０の複数の導電パッド１１に、一ピン当たり約４．３ｇの接触荷重で、各々圧接される。

そして、垂直型プローブユニットＣ’を半導体デバイス１０に更に相対的に約０．１５ｍｍ近接させ、複数の垂直型プローブ１００’を複数の導電パッド１１に圧接させる（即ち、約０．１５ｍｍのオーバードライブを加える）。

すると、複数の垂直型プローブ１００’のプローブ本体１１０’の接触部１１１ａ’の先端面が半導体デバイス１０の複数の導電パッド１１に各々押圧され、当該プローブ本体１１０’が図示上方向に移動する（これが往路移動である。）。

すると、複数の垂直型プローブ１００’の接触部１１１ａ’が第１のガイド板２００の第１のガイド孔２１０の小径孔部２１１の周壁面上を図示上方向（即ち、第１のガイド板２００の厚み方向）に摺動し、第１、第２のフランジ部１１１ｃ’、１１１ｄ’が第１のガイド板２００の第１のガイド孔２１０の大径孔部２１２の周壁面上を図示上方向に摺動し、後端部１１３’の第１、第２の大径部１１３ａ’、１１３ｂ’がガイド管１２１’の内周面上を図示上方向に摺動する。

このとき、複数の垂直型プローブ１００’の第１のコイルスプリング１３０’が第１、第２の支持部１１１ｂ１’、１２１ａ’間で更に圧縮される。これにより、垂直型プローブ１００’の導電パッド１１に対する一ピン当たりの接触荷重が５ｇとなる。

これと共に、第２のコイルスプリング１４０’がプローブ本体１１０’の後端部１１３’と接続部１２２’のリング体１２２ａ’との間で圧縮される。これにより、垂直型プローブ１００’の導電パッド１１に対する一ピン当たりの接触荷重が８ｇとなる。即ち、第１のコイルスプリング１３０’の付勢力（即ち、一ピン当たり、約５ｇの接触荷重）に、第２のコイルスプリング１４０’の付勢力（即ち、一ピン当たり、約３ｇの接触荷重）が加わることにより、プローブ本体１１０’が半導体デバイス１０の導電パッド１１に対して約８ｇの接触荷重で圧接する。

このように前記オーバードライブを行う際に、第１のコイルスプリング１３０’の付勢力に第２のコイルスプリング１４０’の付勢力を加え、プローブ本体１１０’の導電パッド１１に対する接触荷重を５ｇ〜８ｇにかけて急上昇させるようになっている。これによりプローブ本体１１０’が導電パッド１１上の酸化膜を突き破り、当該導電パッド１１に圧接する。このため、プローブ本体１１０’と導電パッド１１との接触抵抗が改善し、両者の安定した電気接続を図ることができる。

この圧接状態で、複数の導電パッド１１から各々発せられた電気信号が、接触部１１１ａ’、ガイド部１１１ｂ’、中間部１１２’及び後端部１１３’の第１、第２の大径部１１３ａ’、１１３ｂ’、ガイド管１２１’及び接続部１２２’を通じて接続基板５００の複数の電極５１０に流れる。このようにして測定装置で半導体デバイス１０の電気的所得性を測定する。なお、第１のコイルスプリング１３０’は、長さ方向の一端部及び他端部が絶縁体１３１’でコーティングされているので、当該第１のコイルスプリング１３０’に前記電気信号が流れず、当該電気信号の減衰が防止される。

その後、垂直型プローブユニットＣ’を半導体デバイス１０に相対的に離反させる。すると、複数の垂直型プローブ１００’の第１、第２のコイルスプリング１３０’、１４０’の付勢力により、プローブ本体１１０’が図示下方向に移動する（これが復路移動である。）。

このとき、複数の垂直型プローブ１００’の接触部１１１ａ’が第１のガイド板２００の第１のガイド孔２１０の小径孔部２１１の周壁面上を図示下方向（即ち、第１のガイド板２００の厚み方向）に摺動し、第１、第２のフランジ部１１１ｃ’、１１１ｄ’が、第１のガイド板２００の第１のガイド孔２１０の大径孔部２１２の周壁面上を図示下方向に摺動し、後端部１１３’の第１、第２の大径部１１３ａ’、１１３ｂ’がガイド管１２１’の内周面上を図示下方向に摺動する。

なお、プローブ本体１１０’が前記往路移動及び復路移動する際に、第１、第２のフランジ部１１１ｃ’、１１１ｄ’の摺動により発生するゴミは、ガイド部１１１ｂの第１、第２のフランジ部配設部以外の部分の外周面と大径孔部２１２の周壁面との間の第３のゴミ収集空間α３に収容される。

このような垂直型プローブユニットＣ’による場合であっても、垂直型プローブ１００’の先端部１１１’が前記往路移動及び復路移動する際に、当該先端部１１１の第１、第２のフランジ部１１１ｃ’、１１１ｄ’が第１のガイド孔２１０の大径孔部２１２の周壁面上を図示上、下方向に摺動するようになっている。このため、垂直型プローブ１００’の先端部１１１’と第１のガイド孔２１０の周壁面との摺動面積を大きく低減することができるので、厚さ１．２〜３．０ｍｍの第１のガイド板２００を用いたとしても、垂直型プローブ１００’の先端部１１１’と第１のガイド孔２１０内の前記往路移動と前記復路移動との荷重ヒステリシスを低減することができる。

しかも、第１、第２のフランジ部１１１ｃ’、１１１ｄ’の摺動により発生するゴミが、ガイド部１１１ｂ’の第１、第２のフランジ部配設部以外の部分の外周面と大径孔部２１２の周壁面との間の第３のゴミ収集空間α３に収容されるようになっている。このため、前記ゴミが、第１のガイド孔２１０から第１のガイド板２００上に舞い上がり、垂直型プローブ１００’の剥き出しの第１のコイルスプリング１３０’に付着してその弾性変形を阻害するのを防止することができる。

なお、垂直型プローブ１００、１００’については、厚みが１．２〜３．０ｍｍのガイド板の厚み方向に貫通するガイド孔に、先端部が前記厚み方向に移動自在に通される垂直型プローブであって、前記先端部の外面には、当該先端部が前記ガイド孔に通された状態で、当該ガイド孔の壁面の一部分に当接する第１のフランジ部が設けられている限り、任意に設計変更可能である。

なお、図５は垂直型プローブの設計変更例を示す概略的断面図、図６は垂直型プローブの別の設計変更例を示す模式的正面図である。

前記垂直型プローブは、コイルスプリングプローブであるとして説明したが、これに限定されるものではない。

プローブ本体１１０’は、円柱状であるとしたが、これに限定されるものではない。また、先端部１１１、１１１’の形状については、接触部１１１ａ、１１１ａ’と、ガイド部１１１ｂ、１１１ｂ’とを有するとしたが、前記ガイド孔に挿入可能であり且つその外面に少なくとも一つの前記フランジ部が設けられている限り任意に設計変更可能である。

接触部１１１ａ、１１１ａ’については、その長さが０．５ｍｍ以下の長さである場合には、その中間部に窪みを設けなくても良い。但し、これに限定されるものではない。また、前記接触部の先端面の形状については、任意に設定可能であり、例えば、円錐状等とすることができる。

中間部１１２、１１２’及び後端部１１３、１１３’の形状については、任意に設計変更可能である。例えば、前記垂直型プローブが、別のコイルスプリングプローブである場合には、図５に示すように、プローブ本体の中間部及び後端部を筒状体とすることができる。この場合、保持部材は前記筒状体に挿入される棒状体とし、前記筒状体の端面と保持部材の鍔部との間でコイルスプリングを保持する構成とすることができる。また、前記垂直型プローブがコイルスプリングプローブでない場合には、図６に示すように、中間部を略Ｕ字状に湾曲させるようにしても良い。

保持部材１２０、１２０’については、ガイド管１２１、１２１’と、接続部１２２、１２２’とを有するとしたが、これに限定されるものではない。例えば、前述の如く、棒状体とすることもできる。この場合、前記筒状体を移動自在にガイドすることにより、当該筒状体を保持する。

第１、第２のコイルスプリング１３０、１３０’、１４０、１４０’については、前記プローブ本体を前記ガイド孔から突出する方向に付勢し得るものであれば良く、弾性樹脂等で代替可能である。また、前記第１のコイルスプリングは、絶縁体１３１でコーティングするか否かは任意である。コーティングする場合には、少なくとも一部が絶縁体１３１でコーティングされていれば良い。第２のコイルスプリングも同様に絶縁体でコーティングすることができる。

第１の支持部１１１ｂ１、１１１ｂ１’については、ガイド部１１１ｂ、１１１ｂ’の後端面であるとしたが、これに限定されるものではなく、例えば、前記プローブ本体に別途設けた突起部等とすることができる。同様に、第２の支持部１２１ａ、１２１ａ’についても、ガイド管１２１の端面に限定されるものではなく、例えば、前記保持部材に別途設けた突起部等とすることができる。

垂直型プローブユニットＣ、Ｃ’については、垂直型プローブと、厚みが１．２〜３．０ｍｍであるガイド板とを備えており、このガイド板には、その厚み方向に貫通するガイド孔が設けられており、前記垂直型プローブは、その先端部が前記厚み方向に移動自在に通されており、当該先端部の外面には、当該先端部が前記ガイド孔に通された状態で、当該ガイド孔の壁面の一部分に当接する第１のフランジ部が設けられている限り任意に設定可能である。

従って、第１のガイド板２００については、その厚み方向に貫通する複数の第１のガイド孔２１０が設けられていれば良く、その配列は半導体デバイス１０の導電パッド１１の配列に対応して任意に設計変更可能である。

第１のガイド板２００の厚みは１．２〜３．０であるとしたが、それ以上の厚みを有するものであっても良い。

第１のガイド孔２１０の形状については、前記第１のガイド板の厚み方向に貫通しており且つ前記垂直型プローブの先端部を通すことができるものである限り、任意に設計変更可能である。第１のガイド孔２１０のピッチ間隔は、０．１〜０．２ｍｍであるとしたが、半導体デバイス１０の導電パッド１１のピッチ間隔に応じて、それ以外の間隔であっても良い。即ち、複数の垂直型プローブ１００を０．１〜０．２ｍｍ以外の間隔で配置するようにしても良い。

なお、図１、図２及び図４において、垂直型プローブ１００、１００’、第１、第２のガイド孔２１０、３１０は、図示の便宜上、４つづつ図示したが、これに限定されるものではない。また、上述した各構成部材の寸法は一例を記したものであり、当該寸法に限定されるものではない。

本発明の第１の実施の形態に係る垂直型プローブユニットの概略的断面図である。 同プローブユニットの使用状態を示す概略的断面図である。 同プローブユニットの垂直型プローブの組立手順を示す図である。 本発明の第２の実施の形態に係る垂直型プローブユニットの概略的断面図である。 垂直型プローブの設計変更例を示す概略的断面図である。 垂直型プローブの別の設計変更例を示す模式的正面図である。

符号の説明

Ｃ 垂直型プローブユニット
１００ 垂直型プローブ
１１０ プローブ本体
１１１ 先端部
１１１ｃ 第１のフランジ部
１１１ａ１ 第２のフランジ部
１１１ｂ１ 第１の支持部
１２０ 保持部材
１２１ ガイド管
１２２ 接続部（ガイド管の底部）
１２１ａ 第２の支持部
１２２ 接続部
１３０ 第１のコイルスプリング
１３１ 絶縁体
１４０ 第２コイルスプリング
２００ 第１のガイド板
２１０ 第１のガイド孔
３００ 第２のガイド板
３１０ 第２のガイド孔
５００ 接続基板
１０ 半導体デバイス
１１ 導電パッド

Claims (7)

1. 厚みが１．２〜３．０ｍｍのガイド板の厚み方向に貫通するガイド孔に、先端部が前記厚み方向に移動自在に通される垂直型プローブであって、
   前記先端部の外面には、当該先端部が前記ガイド孔に通された状態で、当該ガイド孔の壁面の一部分に当接する第１のフランジ部が設けられていることを特徴とする垂直型プローブ。
2. 請求項１記載の垂直型プローブにおいて、
   前記先端部の外面の第１のフランジ部配設部と異なる高さ位置には、当該先端部が前記ガイド孔に通された状態で、当該ガイド孔の壁面の別の部分に当接する第２のフランジ部が設けられていることを特徴とする垂直型プローブ。
3. 前記ガイド孔が円柱状の孔である場合の請求項１記載の垂直型プローブにおいて、前記先端部は円柱体であり、
   前記第１のフランジ部は、当該先端部が前記ガイド孔に通された状態で、当該ガイド孔の周壁面の一部分の円周領域に当接する環状体であることを特徴とする垂直型プローブ。
4. 前記ガイド孔が円柱状の孔である場合の請求項２記載の垂直型プローブにおいて、前記先端部は円柱体であり、
   前記第１のフランジ部は、当該先端部が前記ガイド孔に通された状態で、当該ガイド孔の周壁面の一部分の円周領域に当接する環状体であり、
   前記第２のフランジ部は、当該先端部が前記ガイド孔に通された状態で、当該ガイド孔の周壁面の別の部分の円周領域に当接する環状体であることを特徴とする垂直型プローブ。
5. 請求項１、２、３又は４記載の垂直型プローブと、
   厚みが１．２〜３．０ｍｍであるガイド板と、を備えており、
   このガイド板には、その厚み方向に貫通しており且つ前記垂直型プローブの先端部が前記厚み方向に移動自在に通されるガイド孔が設けられていることを特徴とする垂直型プローブユニット。
6. 請求項５記載の垂直型プローブユニットにおいて、
   前記先端部を有するプローブ本体と、
   このプローブ本体の後端部をその長さ方向に移動自在に保持する保持部材と、
   前記プローブ本体に設けられる第１の支持部と、
   前記保持部材に設けられる第２の支持部と、
   第１、第２の支持部の間に配置されるコイルスプリングと、を備えていることを特徴とする垂直型プローブユニット。
7. 請求項６記載の垂直型プローブユニットにおいて、
   前記垂直型プローブの保持部材が電気的に接続される接続基板を更に備え、
   前記保持部材は、前記プローブ本体の後端部が摺動可能に挿入され且つ前記接続基板に電気的に接続される導電性のガイド管であって、その長さ方向の一端面が前記第２の支持部となっており、
   前記コイルスプリングの少なくとも一部が絶縁体で被覆されていることを特徴とする垂直型プローブユニット。