JP2008251869A - 配線基板およびその製造方法 - Google Patents
配線基板およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008251869A JP2008251869A JP2007091877A JP2007091877A JP2008251869A JP 2008251869 A JP2008251869 A JP 2008251869A JP 2007091877 A JP2007091877 A JP 2007091877A JP 2007091877 A JP2007091877 A JP 2007091877A JP 2008251869 A JP2008251869 A JP 2008251869A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- connection pad
- solder connection
- layer
- opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
【課題】 配線基板と外部電気回路基板との間の電気的な接続を良好に保つことが可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】 絶縁基板1と、絶縁基板1の表面に被着された銅から成る半田接続パッド4と、絶縁基板1の表面および半田接続パッド4の外周部に被着されており、半田接続パッド4の中央部を露出させる開口部5bを有するソルダーレジスト層5と、開口部5b内に露出する半田接続パッド4に被着された半田層7とを具備して成る配線基板であって、半田接続パッド4は開口部5b内に露出する部位の厚みが開口部5bの高さの途中まで嵩上げされている。
【選択図】 図2
【解決手段】 絶縁基板1と、絶縁基板1の表面に被着された銅から成る半田接続パッド4と、絶縁基板1の表面および半田接続パッド4の外周部に被着されており、半田接続パッド4の中央部を露出させる開口部5bを有するソルダーレジスト層5と、開口部5b内に露出する半田接続パッド4に被着された半田層7とを具備して成る配線基板であって、半田接続パッド4は開口部5b内に露出する部位の厚みが開口部5bの高さの途中まで嵩上げされている。
【選択図】 図2
Description
本発明は、半導体素子等を搭載するために用いられる配線基板およびその製造方法に関する。
従来、半導体集積回路素子等の半導体素子を搭載するために用いられる配線基板は、例えばガラス−エポキシ板等から成る絶縁層やエポキシ樹脂等から成る絶縁層が複数層積層された絶縁基板の内部および表面に銅箔や銅めっき膜等の銅から成る配線導体が配設されて成る。また絶縁基板の上面中央部には半導体素子の電極が半田バンプを介して電気的に接続される半導体素子接続用の半田接続パッドが複数形成されており、絶縁基板の下面には外部電気回路基板の配線導体に半田ボールを介して電気的に接続される外部接続用の半田接続パッドが形成されている。さらに絶縁基板の上下面には各半田接続パッドの中央部を露出させる開口部を有するソルダーレジスト層が各半田接続パッドの外周部を覆うようにして被着されており、ソルダーレジスト層から露出する半田接続パッドには半導体素子接続用の半田接続パッドであればソルダーレジスト層より高い半田バンプが、外部接続用の半田接続パッドであればソルダーレジスト層より低い半田層が被着されている。
そして、半導体素子の電極を半導体素子接続用の半田接続パッドに被着させた半田バンプ上に当接させるとともに、その半田バンプを加熱溶融させることによって半導体素子が配線基板上に実装される。
また、外部接続用の半田接続パッド上に被着させた半田層上に半田ボールを載置するとともにその半田層および半田ボールを加熱溶融させることによって、外部接続用の半田接続パッド上に半田ボールが接合され、この半田ボールを外部電気回路基板の配線導体上に接触させた状態で加熱溶融させることによって、配線基板が半田ボールを介して外部電気回路基板上に実装されることとなる。
また、外部接続用の半田接続パッド上に被着させた半田層上に半田ボールを載置するとともにその半田層および半田ボールを加熱溶融させることによって、外部接続用の半田接続パッド上に半田ボールが接合され、この半田ボールを外部電気回路基板の配線導体上に接触させた状態で加熱溶融させることによって、配線基板が半田ボールを介して外部電気回路基板上に実装されることとなる。
ところで、このような配線基板は、内部および表面に銅から成る配線導体が配設された絶縁基板の上下面に銅から成る半田接続パッドを形成した後、その絶縁基板の上下面に各半田接続パッドの中央部を露出させるようにしてソルダーレジスト層を被着し、しかる後、ソルダーレジスト層から露出する半田接続パッドの表面にニッケルめっき層および金めっき層を順次施した後、その半田接続パッド上に半田を供給するとともにその半田を加熱溶融させて半田バンプや半田層を被着することによって製作される。
特開平8−181423号公報
しかしながら、表面にニッケルめっき層および金めっき層が順次被着された半田接続パッド上に半田を供給するとともにその半田を加熱溶融させて半田層を被着させると、半田ペースト中の半田を加熱溶融する際にニッケル層と半田との間にニッケルと錫とを含む脆弱な化合物層が不均一な厚みに形成され易い。そのため、そのような配線基板に半導体素子を実装した後や配線基板を外部電気回路基板に実装した後に、半導体素子の電極と半導体素子接続用の半田接続パッドとを接続する半田や外部接続用の半田接続パッドと外部電気回路基板の配線導体とを接続する半田に熱応力が繰り返し加えられると、半田接続パッドと半田とが不均一な厚みの脆弱な化合物層から剥離が生じ易く、半導体素子および配線基板の実装後の接続信頼性に劣るという問題点があった。
そこで、半田接続パッドにニッケルめっき層および金めっき層を被着させることなく、半田接続パッドを形成する銅の上に半田バンプや半田層を直接被着させるダイレクトソルダー法が採用されるようになってきた。この場合、半田接続パッドと半田との間に脆弱な化合物が不均一な厚みに形成されにくいので配線基板に半導体素子を実装した後や配線基板を外部電気回路基板に実装した後に、半導体素子の電極と半導体素子接続用の半田接続パッドとを接続する半田や外部接続用の半田接続パッドと外部電気回路基板の配線導体とを接続する半田に熱応力が繰り返し加えられとしても半田接続パッドと半田との間で剥離が発生しにくい。
しかしながら、近時、半導体素子を配線基板に接続するために使用される半田としては鉛−錫半田が依然として一般的であるものの、配線基板を外部電気回路基板に接続するために使用される半田としては、鉛を含有しない鉛フリー半田が主流になってきている。このような鉛フリー半田は従来の鉛含有半田よりもその溶融温度が高い。そして、このように溶融温度が高い鉛フリー半田から成る半田層をダイレクトソルダー法により半田接続パッドに被着させた場合、半田接続パッド上に供給した半田を加熱溶融させる際に、半田接続パッドを形成する銅の一部が半田中に溶け出す半田食われが起きて、半田接続パッドの厚みが必要な厚みよりも薄くなってしまったり、半田の一部が半田接続パッドとソルダーレジスト層の間に入り込んだりしてしまう。その結果、半導体素子を実装した後や配線基板を外部電気回路基板に実装した後に、半田接続パッドに熱応力が繰り返し加えられると、半田接続パッド自体や半田接続パッドとソルダーレジスト層との間にクラックが入り配線基板と外部電気回路基板との間の電気的な接続不良を発生させる危険が高くなる。
本発明は、かかる従来の問題に鑑み案出されたものであり、その目的は、半田接続パッドに溶融温度の高い鉛フリー半田から成る半田層がダイレクトソルダー法により被着されていても、半田食われに起因するクラックの発生が有効に防止され、その結果、配線基板と外部電気回路基板との間の電気的な接続を良好に保つことが可能な配線基板を提供することにある。
本発明は、かかる従来の問題に鑑み案出されたものであり、その目的は、半田接続パッドに溶融温度の高い鉛フリー半田から成る半田層がダイレクトソルダー法により被着されていても、半田食われに起因するクラックの発生が有効に防止され、その結果、配線基板と外部電気回路基板との間の電気的な接続を良好に保つことが可能な配線基板を提供することにある。
本発明の配線基板は、絶縁基板と、該絶縁基板の表面に被着された銅から成る半田接続パッドと、前記絶縁基板の表面および前記半田接続パッドの外周部に被着されており、前記半田接続パッドの中央部を露出させる開口部を有するソルダーレジスト層と、前記開口部内に露出する前記半田接続パッドに被着された半田層とを具備して成る配線基板であって、前記半田接続パッドは前記開口部内に露出する部位の厚みが前記開口部の高さの途中まで嵩上げされていることを特徴とするものである。
本発明の配線基板の製造方法は、絶縁基板の表面に銅から成る半田接続パッドを形成する工程と、前記絶縁基板の表面および前記半田接続パッドの外周部に、前記半田接続パッドの中央部を露出させる開口部を有するソルダーレジスト層を被着する工程と、前記開口部内に露出する前記半田接続パッドの表面に銅層を析出させて前記半田接続パッドの前記開口部内に露出する部位の厚みを前記開口部の高さの途中まで嵩上げする工程と、嵩上げされた前記半田接続パッドの表面に半田層を被着する工程と、を含むことを特徴とするものである。
本発明の配線基板およびその製造方法によれば、半田接続パッドにおけるソルダーレジスト層の開口部内に露出する部位の厚みが前記開口部の高さの途中まで嵩上げされていることから、半田接続パッドに高融点の鉛フリー半田から成る半田層がダイレクトソルダー法により被着されていても、半田接続パッドにおける半田食われは嵩上げされた部分に発生し、半田接続パッドの厚みが必要な厚みよりも薄くなることが有効に防止されるとともに半田の一部が半田接続パッドとソルダーレジスト層との間に入り込むことが有効に防止される。その結果、配線基板と外部電気回路基板との間の電気的な接続を良好に保つことが可能な配線基板を提供することができる。
次に、本発明の配線基板およびその製造方法を添付の図面に基づき説明する。図1は、本発明の配線基板の一例を示す断面図であり、図中、1は絶縁層1aおよび絶縁層1bから成る絶縁基板、2は配線導体、3は半導体素子接続用の半田接続パッド、4は外部接続用の半田接続パッド、5はソルダーレジスト層、6は半田バンプ、7は半田層である。
なお、本例では、ガラス織物に熱硬化性樹脂を含浸させて成る絶縁層1aの上下面に熱硬化性樹脂から成る絶縁層1bを2層ずつ積層して絶縁基板1を形成しており、最表層の絶縁層1b上にソルダーレジスト層5が積層されている。また、絶縁基板1の上面中央部にはそれぞれ半導体素子の電極が半田バンプ6を介して電気的に接続される半導体素子接続用の半田接続パッド3が形成されているとともに絶縁基板1の下面外周部にはそれぞれ外部電気回路基板に半田ボール8を介して電気的に接続される外部接続用の半田接続パッド4が形成されており、絶縁基板1の上面から下面にかけてはそれぞれ対応する半導体素子接続用の半田接続パッド3と外部接続用の半田接続パッド4とを互いに電気的に接続する配線導体2が配設されている。そして、半導体素子接続用の半田接続パッド3には半田バンプ6が、外部接続用の半田接続パッド4には半田層7がそれぞれダイレクトソルダー法により被着されている。
なお、本例では、ガラス織物に熱硬化性樹脂を含浸させて成る絶縁層1aの上下面に熱硬化性樹脂から成る絶縁層1bを2層ずつ積層して絶縁基板1を形成しており、最表層の絶縁層1b上にソルダーレジスト層5が積層されている。また、絶縁基板1の上面中央部にはそれぞれ半導体素子の電極が半田バンプ6を介して電気的に接続される半導体素子接続用の半田接続パッド3が形成されているとともに絶縁基板1の下面外周部にはそれぞれ外部電気回路基板に半田ボール8を介して電気的に接続される外部接続用の半田接続パッド4が形成されており、絶縁基板1の上面から下面にかけてはそれぞれ対応する半導体素子接続用の半田接続パッド3と外部接続用の半田接続パッド4とを互いに電気的に接続する配線導体2が配設されている。そして、半導体素子接続用の半田接続パッド3には半田バンプ6が、外部接続用の半田接続パッド4には半田層7がそれぞれダイレクトソルダー法により被着されている。
絶縁層1aは、本例の配線基板の芯体となる部材であり、例えばガラス繊維束を縦横に織り込んだガラス織物にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて成り、厚みが0.3〜1.5mm程度であり、その上面から下面にかけて直径が0.1〜1mm程度の複数の貫通孔9を有している。そして、その上下面および各貫通孔9の内面には配線導体2の一部が被着されており、上下面の配線導体2が貫通孔9を介して電気的に接続されている。
このような絶縁層1aは、ガラス織物に未硬化の熱硬化性樹脂を含浸させた絶縁シートを熱硬化させた後、これに上面から下面にかけてドリル加工を施すことにより製作される。なお、絶縁層1a上下面の配線導体2は、絶縁層1a用の絶縁シートの上下全面に厚みが3〜50μm程度の銅箔を貼着しておくとともにこの銅箔をシートの硬化後にエッチング加工することにより所定のパターンに形成される。また、貫通孔9内面の配線導体2は、絶縁層1aに貫通孔9を設けた後に、この貫通孔9内面に無電解めっき法および電解めっき法により厚みが3〜50μm程度の銅めっき膜を析出させることにより形成される。
さらに、絶縁層1aは、その貫通孔9の内部にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂から成る孔埋め樹脂10が充填されている。孔埋め樹脂10は、貫通孔9を塞ぐことにより貫通孔9の直上および直下に配線導体2および各絶縁層1bを形成可能とするためのものであり、未硬化のペースト状の熱硬化性樹脂を貫通孔9内にスクリーン印刷法により充填し、それを熱硬化させた後、その上下面を略平坦に研磨することにより形成される。そして、この孔埋め樹脂10を含む絶縁層1aの上下面に絶縁層1bがそれぞれ2層ずつ積層されている。
絶縁層1aの上下面に積層された各絶縁層1bは、それぞれの厚みが20〜60μm程度であり、各層の上面から下面にかけて直径が30〜100μm程度の複数の貫通孔11を有している。これらの各絶縁層1bは、配線導体2を高密度に配線するための絶縁間隔を提供するためのものである。そして、上層の配線導体2と下層の配線導体2とを貫通孔11を介して電気的に接続することにより高密度配線が立体的に形成可能となっている。このような各絶縁層1bは、厚みが20〜60μm程度の未硬化の熱硬化性樹脂から成る絶縁フィルムを絶縁層1aの上下面に貼着し、これを熱硬化させるとともにレーザ加工により貫通孔11を穿孔し、さらにその上に同様にして次の絶縁層1bを順次積み重ねることによって形成される。なお、各絶縁層1bの表面および貫通孔11内に被着された配線導体2は、各絶縁層1bを形成する毎に各絶縁層1bの表面および貫通孔11内に5〜50μm程度の厚みの銅めっき膜を公知のセミアディティブ法等のパターン形成法により所定のパターンに被着させることによって形成される。
また、絶縁基板1の上面に形成された半導体素子接続用の半田接続パッド3ならびに絶縁基板1の下面に形成された外部接続用の半田接続パッド4は、厚みが3〜50μm程度の銅めっき膜から成り、それぞれ配線導体2に電気的に接続されている。そして、半導体素子接続用の半田接続パッド3は半導体素子を接続するための端子として、外部接続用の半田接続パッド4は外部電気回路に接続するための端子としてそれぞれ機能する。このような半導体素子接続用の半田接続パッド3および外部接続用の半田接続パッド4は、絶縁層1bの表面に公知のセミアディティブ法により銅めっき膜を所定のパターンに被着させることにより形成される。
半導体素子接続用の半田接続パッド3の表面に被着された半田バンプ6は、例えば鉛−錫合金等の鉛含有半田から成り、半導体素子接続用の半田接続パッド3と半導体素子とを接続するための接続部材として機能する。そして、半導体素子の電極を半田バンプ6に接触させた状態で半田バンプ6を溶融させることにより半導体素子接続用の半田接続パッド3と半導体素子の電極とが半田バンプ6を介して電気的に接続されることとなる。このように半田バンプ6を半導体素子接続用の半田接続パッド3に予め被着させておくことにより半導体素子接続用の半田接続パッド3への半導体素子の接続の作業性が極めて良好なものとなる。なお、このような半田バンプ6は、半導体素子接続用の半田接続パッド3上に鉛−錫合金等から成る鉛入り半田粉末を含有する半田ペーストをスクリーン印刷法により印刷塗布するとともに半田ペースト中の半田を加熱溶融させることにより半田接続パッド3上に被着される。
また、外部接続用の半田接続パッド4に被着された半田層7は錫−銀−銅合金等のフリー半田から成り、外部接続用の半田接続パッド4の酸化を防止するとともにこの半田接続パッド4に半田ボール8を接合させる際にその接合を容易かつ強固とするための下地金属として機能する。そして、半田ボール8を半田層7に接触させた状態で半田層7を加熱溶融させることにより、半田ボール8が外部接続用の半田接続パッド4に接合される。このとき、本発明の配線基板によれば、外部接続用の半田接続パッド4に半田層7が被着されていることから、外部接続用の半田接続パッド4に半田ボール8を接合させる際に半田層7により外部接続用の半田接続パッド4の酸化が有効に防止され、その結果、外部接続用の半田接続パッド4と半田ボール8とが強固に接合される。したがって、配線基板を外部電気回路基板に実装した後に、半導体素子が作動時に発生する熱や外部環境の温度変化に伴う熱が長期間にわたり繰り返し加えられたとしても、半田ボール8が外部接続用の半田接続パッド4から外れることはなく、配線基板に搭載された半導体素子と外部電気回路との電気的な接続を良好に保つことができる。なお、このような半田層7は、外部接続用の半田接続パッド4上に錫−銀−銅合金等から成る鉛フリー半田粉末を含有する半田ペーストをスクリーン印刷法により印刷塗布するとともに半田ペースト中の半田を加熱溶融させることにより半田接続パッド4上に被着される。
また、最表層の絶縁層1bの上に積層されたソルダーレジスト層5は、例えばアクリル変性エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂にシリカやタルク等のフィラーを含有させて成り、上面側のソルダーレジスト層5であれば、半導体素子接続用の半田接続パッド3の中央部を露出させる開口部5aを有しているとともに半田バンプ6の高さよりも薄い。また、下面側のソルダーレジスト層5であれば、外部接続用の半田接続パッド4の中央部を露出させる開口部5bを有しているとともに、半田層7の高さより厚い。
これらのソルダーレジスト層5は、半導体素子接続用の半田接続パッド3同士や外部接続用の半田接続パッド4同士の電気的な絶縁信頼性を高めるとともに、半導体素子接続用の半田接続パッド3や外部接続用の半田接続パッド4の樹脂層1bへの接合強度を大きなものとする作用をなす。
なお、ソルダーレジスト層5の厚みが半田バンプ6の高さよりも薄いことにより、半導体素子を半導体素子接続用の半田接続パッド3に半田バンプ6を介して電気的に接続する際に、半導体素子の電極と半田バンプ6とが良好に接触することができるので、半田バンプ6を介した半導体素子と半導体素子接続用の半田接続パッド3との電気的な接続が容易となる。
またソルダーレジスト層5の厚みが半田層7の高さよりも厚いことにより、半田層7上にソルダーレジスト層5の開口部5bによる窪みが形成されるので、外部接続用の半田接続パッド4上に半田ボール8を接合させる際に半田ボール8がソルダーレジスト層5の開口部5b内の窪みに良好に位置決めされて、半田ボール8と外部接続用の半田接続パッド4との接合が容易となる。
このようなソルダーレジスト層5は、その厚みが10〜50μm程度であり、感光性を有するソルダーレジスト層5用の未硬化樹脂ペーストをロールコーター法やスクリーン印刷法を採用して最表層の樹脂層1b上に塗布し、これを乾燥させた後、露光および現像処理を行なって半導体素子接続用の半田接続パッド3や外部接続用の半田接続パッド4の中央部を露出させる開口部5a,5bを形成した後、これを熱硬化させることによって形成される。あるいは、ソルダーレジスト層5用の未硬化の樹脂フィルムを最表層の樹脂層1b上に貼着した後、これを熱硬化させ、しかる後、半導体素子接続用の半田接続パッド3や外部接続用の半田接続パッド4の中央部に対応する位置にレーザ光を照射し、硬化した樹脂フィルムを部分的に除去することによって半導体素子接続用の半田接続パッド3や外部接続用の半田接続パッド4の中央部を露出させる開口部5a,5bを有するように形成される。
そして、本発明においては、図2に要部拡大断面図で示すように、外部接続用の半田接続パッド4におけるソルダーレジスト層5の開口部5b内に位置する部位の厚みが開口部5bの高さの途中まで嵩上げされている。これにより、半田接続パッド4に高融点の鉛フリー半田から成る半田層7がダイレクトソルダー法により被着されていても、半田接続パッド4における半田食われは嵩上げされた部分に発生し、半田接続パッド4の厚みが必要な厚みよりも薄くなることが有効に防止されるとともに半田層7の一部が半田接続パッド4とソルダーレジスト層5との間に入り込むことが有効に防止される。したがって、配線基板と外部電気回路基板との間の電気的な接続を良好に保つことができる。
このように半田接続パッド4におけるソルダーレジスト層5の開口部5b内に位置する部位の厚みを開口部5bの高さの途中まで嵩上げするには、絶縁基板1の表面に外部接続用の半田接続パッド4を形成した後、絶縁基板1の表面および半田接続パッド4の外周部に、半田接続パッド4の中央部露出させる開口部5bを有するソルダーレジスト層5を形成し、次に開口部5b内に露出する半田接続パッド4の表面に無電解めっき法や電解めっき法により銅めっき層を被着させる方法が採用される。なお、嵩上げされた半田接続パッドの最表面は電解銅めっき層から形成されていることが好ましい。それにより、半田層7にリン等の不要な成分が溶け出すことがなく半田層7中に脆弱な化合物が形成されることを有効に防止することができる。
なお、半田接続パッド4におけるソルダーレジスト層5の開口部5b内に位置する部位の嵩上げの高さが5μm未満であると、半田接続パッド4に半田層7を被着させた際に半田食われにより半田接続パッド4の厚みが必要な厚みよりも薄くなってしまうとともに半田層7の一部が半田接続パッド4とソルダーレジスト層5との間に入り込んでしまう危険性が高くなり、他方、嵩上げの高さが10μmを超えると、半田層7上にソルダーレジスト層5の開口5bにより形成される窪みの高さが低いものとなり、外部接続用半田接続パッド4上に半田ボール8を接合させる際に半田ボール8をソルダーレジスト層5の開口部5b内の窪みに良好に位置決めすることが困難となる危険性が高くなる。したがって、半田接続パッド4におけるソルダーレジスト層5の開口部5b内に位置する部位の嵩上げの高さは5〜10μmの範囲が好ましい。
かくして、本発明によれば、半田接続パッドに溶融温度の高い鉛フリー半田から成る半田層がダイレクトソルダー法により被着されていても、半田食われに起因するクラックの発生が有効に防止され、その結果、配線基板と外部電気回路基板との間の電気的な接続を良好に保つことが可能な配線基板を提供することことができる。
なお、本発明は上述の実施の形態例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能であることはいうまでもない。
なお、本発明は上述の実施の形態例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能であることはいうまでもない。
1:絶縁基板
2:配線導体
3,4:半田接続パッド
5:ソルダーレジスト層
6:半田バンプ
7:半田層
2:配線導体
3,4:半田接続パッド
5:ソルダーレジスト層
6:半田バンプ
7:半田層
Claims (2)
- 絶縁基板と、該絶縁基板の表面に被着された銅から成る半田接続パッドと、前記絶縁基板の表面および前記半田接続パッドの外周部に被着されており、前記半田接続パッドの中央部を露出させる開口部を有するソルダーレジスト層と、前記開口部内に露出する前記半田接続パッドに被着された半田層とを具備して成る配線基板であって、前記半田接続パッドは前記開口部内に露出する部位の厚みが前記開口部の高さの途中まで嵩上げされていることを特徴とする配線基板。
- 絶縁基板の表面に銅から成る半田接続パッドを形成する工程と、前記絶縁基板の表面および前記半田接続パッドの外周部に、前記半田接続パッドの中央部を露出させる開口部を有するソルダーレジスト層を被着する工程と、前記開口部内に露出する前記半田接続パッドの表面に銅層を析出させて前記半田接続パッドの前記開口部内に露出する部位の厚みを前記開口部の高さの途中まで嵩上げする工程と、嵩上げされた前記半田接続パッドの表面に半田層を被着する工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007091877A JP2008251869A (ja) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | 配線基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007091877A JP2008251869A (ja) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | 配線基板およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008251869A true JP2008251869A (ja) | 2008-10-16 |
Family
ID=39976461
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007091877A Pending JP2008251869A (ja) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | 配線基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008251869A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012178565A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Ultratera Corp | 半導体パッケージ構造の製造方法 |
-
2007
- 2007-03-30 JP JP2007091877A patent/JP2008251869A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012178565A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Ultratera Corp | 半導体パッケージ構造の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4835629B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2012209418A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
JP2009212160A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
JP2007059588A (ja) | 配線基板の製造方法および配線基板 | |
JP2004200412A (ja) | 半田バンプ付き配線基板およびその製造方法 | |
JP5311656B2 (ja) | 配線基板 | |
JP2004327743A (ja) | 半田バンプ付き配線基板およびその製造方法 | |
JP2008251869A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
JP2009111196A (ja) | 半田バンプ付き配線基板およびその製造方法 | |
JP2011009624A (ja) | 配線基板 | |
JP2009123757A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
JP4434702B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP3967989B2 (ja) | 半田バンプ付き配線基板の製造方法 | |
JP4514459B2 (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
JP2005209847A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP2004119544A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
JP2007150358A (ja) | 半田バンプ付き配線基板および電子装置 | |
JP3940655B2 (ja) | 半田バンプ付き配線基板および電子装置ならびに半田バンプ付き配線基板の製造方法 | |
JP2014192363A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
JP2009239128A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP2004179363A (ja) | 半田バンプ付き配線基板の製造方法 | |
JP2010087017A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
JP4395356B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP2012114381A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
JP2010157628A (ja) | 配線基板およびその製造方法 |