JP2008251696A - Semiconductor light-emitting device, and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor light-emitting device capable of emitting white light where the deviation in chromaticity distribution is small, and to provide a manufacturing method of the semiconductor light-emitting device. <P>SOLUTION: The semiconductor light-emitting device A1 comprises: an LED chip 3 emitting blue light Lb; and a phosphor-including fluorescent resin 5 emitting yellow light Ly by absorbing the blue light Lb from the LED chip 3. The semiconductor light-emitting device A1 emits white light Lw by mixing the blue light Lb and the yellow light Ly. The fluorescent resin 5 has a projection 5a positioned on the front in the irradiation direction to the LED chip 3. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、たとえば青色光と黄色光とを混色させることにより白色光を出射する半導体発光装置およびその製造方法に関する。   The present invention relates to a semiconductor light emitting device that emits white light by, for example, mixing blue light and yellow light, and a method for manufacturing the same.

図９は、従来の半導体発光装置の一例を示している（たとえば特許文献１参照）。同図に示された半導体発光装置Ｘは、基板９１、配線パターン９２、ＬＥＤチップ９３、ケース９４、蛍光樹脂９５、および透光樹脂９６を備えている。基板９１には、配線パターン９２を介してＬＥＤチップ９３が搭載されている。ＬＥＤチップ９３からは青色光Ｌｂが発せられる。ケース９４が囲う空間には、蛍光樹脂９５が充填されている。蛍光樹脂９５は、青色光Ｌｂを励起光として吸収することにより蛍光としての黄色光Ｌｙを発する。半導体発光装置Ｘは、透光樹脂９６を透して発せられた青色光Ｌｂおよび黄色光Ｌｙを混色させることにより、白色光Ｌｗを出射可能に構成されている。   FIG. 9 shows an example of a conventional semiconductor light emitting device (see, for example, Patent Document 1). The semiconductor light emitting device X shown in the figure includes a substrate 91, a wiring pattern 92, an LED chip 93, a case 94, a fluorescent resin 95, and a translucent resin 96. An LED chip 93 is mounted on the substrate 91 via a wiring pattern 92. Blue light Lb is emitted from the LED chip 93. A space surrounded by the case 94 is filled with a fluorescent resin 95. The fluorescent resin 95 emits yellow light Ly as fluorescence by absorbing the blue light Lb as excitation light. The semiconductor light emitting device X is configured to emit the white light Lw by mixing the blue light Lb and the yellow light Ly emitted through the translucent resin 96.

しかしながら、ＬＥＤチップ９３から発せられた青色光Ｌｂのうち、出射方向正面に向かって進行する青色光Ｌｂは、斜め方向に進行する青色光Ｌｂと比べて、蛍光樹脂９５を透過する距離が短い。すると、出射方向正面に向かう青色光Ｌｂの輝度が、出射方向正面に向かう黄色光Ｌｙの輝度よりも、相対的に小さくなってしまう。この結果、白色光Ｌｗが、中央寄りの部分ほど青色がかった色度分布を有するものとなってしまうという問題があった。   However, among the blue light Lb emitted from the LED chip 93, the blue light Lb traveling toward the front in the emission direction has a shorter distance to transmit the fluorescent resin 95 than the blue light Lb traveling in the oblique direction. As a result, the luminance of the blue light Lb toward the front in the emission direction is relatively smaller than the luminance of the yellow light Ly toward the front in the emission direction. As a result, there is a problem that the white light Lw has a chromaticity distribution that is more blue toward the center.

特開２００６−３３２１６３号公報JP 2006-332163 A

本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、色度分布の偏りが少ない白色光を発光可能な半導体発光装置およびその製造方法を提供することをその課題とする。   The present invention has been conceived under the circumstances described above, and an object of the present invention is to provide a semiconductor light-emitting device capable of emitting white light with little deviation in chromaticity distribution and a manufacturing method thereof.

本発明の第１の側面によって提供される半導体発光装置は、半導体発光素子と、上記半導体発光素子からの光を励起光として吸収することにより蛍光を発する蛍光体を含む蛍光樹脂と、を備え、上記励起光と上記蛍光とを混色させることにより白色光を出射する半導体発光装置であって、上記蛍光樹脂は、上記半導体発光素子に対して出射方向正面に位置する凸部を有することを特徴としている。   A semiconductor light-emitting device provided by the first aspect of the present invention includes a semiconductor light-emitting element and a fluorescent resin containing a phosphor that emits fluorescence by absorbing light from the semiconductor light-emitting element as excitation light, A semiconductor light emitting device that emits white light by mixing the excitation light and the fluorescence, wherein the fluorescent resin has a convex portion positioned in front of the emission direction with respect to the semiconductor light emitting element. Yes.

このような構成によれば、上記凸部が設けられていることにより、上記半導体発光装置から発せられた上記励起光のうち、出射方向正面に向かうものと斜め方向に向かうものとのそれぞれが上記蛍光樹脂を透過する距離を、等しく、あるいは近いものとすることができる。これにより、上記励起光と上記蛍光との局所的な割合が出射方向正面と斜め方向とで大きく異なることを防止可能である。したがって、上記白色光の色度分布の偏りを小さくすることが可能であり、上記白色光を均一な光とすることができる。   According to such a configuration, by providing the convex portion, among the excitation light emitted from the semiconductor light-emitting device, each of the excitation light directed to the front in the emission direction and the light directed to the oblique direction are each described above. The distance which permeate | transmits fluorescent resin can be made equal or close. Thereby, it is possible to prevent the local ratio of the excitation light and the fluorescence from greatly differing between the front in the emission direction and the oblique direction. Accordingly, it is possible to reduce the bias of the chromaticity distribution of the white light, and the white light can be made uniform.

本発明の第２の側面によって提供される半導体発光装置の製造方法は、半導体発光素子から出射される光を励起光として吸収することにより蛍光を発する蛍光体を含む蛍光樹脂を形成する工程を有する、半導体発光装置の製造方法であって、上記蛍光樹脂を形成する工程においては、上記半導体発光素子に対して出射方向正面に位置する凸部を形成することを特徴としている。   The method for manufacturing a semiconductor light emitting device provided by the second aspect of the present invention includes a step of forming a fluorescent resin including a phosphor that emits fluorescence by absorbing light emitted from the semiconductor light emitting element as excitation light. The method for manufacturing a semiconductor light emitting device is characterized in that, in the step of forming the fluorescent resin, a convex portion located in front of the emission direction is formed with respect to the semiconductor light emitting element.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記蛍光樹脂を形成する工程においては、上記蛍光体を含む液状の蛍光樹脂材料を上記半導体発光素子に対して出射方向正面に位置する部分を有する空間に充填した後に、上記半導体発光素子に対して出射方向正面に位置する凹部を有する金型を上記蛍光樹脂材料の液面に接触させることにより、上記凸部を形成する。このような構成によれば、上記凸部を所望の形状およびサイズに仕上げることができる。また、表面張力を用いて上記蛍光樹脂材料を上記凹部に入り込ませるため、上記凸部を形成するための切削加工などが不要であり、上記凸部を容易に形成することが可能である。   In a preferred embodiment of the present invention, in the step of forming the fluorescent resin, a liquid fluorescent resin material containing the phosphor is filled into a space having a portion located in front of the emitting direction with respect to the semiconductor light emitting element. Then, the convex part is formed by bringing a mold having a concave part located in front of the emitting direction with respect to the semiconductor light emitting element into contact with the liquid surface of the fluorescent resin material. According to such a structure, the said convex part can be finished in a desired shape and size. In addition, since the fluorescent resin material is allowed to enter the concave portion using surface tension, cutting for forming the convex portion is unnecessary, and the convex portion can be easily formed.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記蛍光樹脂を形成する工程においては、上記半導体発光素子に対して出射方向正面に位置する部分を有し、かつ上記蛍光体を含む第１蛍光樹脂を形成した後に、上記蛍光体を含む第２蛍光樹脂を上記第１蛍光樹脂に接触させた状態で、上記第１蛍光樹脂および上記第２蛍光樹脂が互いに結合する時間を経過させることにより、上記凸部を形成する。このような構成によれば、上記第１蛍光樹脂と上記第２蛍光樹脂とを接合するには、上記第２蛍光樹脂に上記第１蛍光樹脂を載置した状態で所定時間経過させるのみである。このため、上記凸部を有する上記半導体発光装置を効率よく製造することができる。また、上記蛍光樹脂のうち上記凸部とそれ以外の部分とを異なる組成となるように形成するのに好適である。   In a preferred embodiment of the present invention, in the step of forming the fluorescent resin, a first fluorescent resin having a portion located in front of the emitting direction with respect to the semiconductor light emitting element and including the phosphor is formed. After the second fluorescent resin containing the phosphor is in contact with the first fluorescent resin, the convex portion is obtained by allowing time for the first fluorescent resin and the second fluorescent resin to bond to each other. Form. According to such a configuration, in order to join the first fluorescent resin and the second fluorescent resin, it is only necessary to allow a predetermined time to elapse while the first fluorescent resin is placed on the second fluorescent resin. . For this reason, the said semiconductor light-emitting device which has the said convex part can be manufactured efficiently. Moreover, it is suitable for forming the convex part and the other part of the fluorescent resin so as to have different compositions.

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。   Other features and advantages of the present invention will become more apparent from the detailed description given below with reference to the accompanying drawings.

以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.

図１は、本発明に係る半導体発光装置の第１実施形態を示している。本実施形態の半導体発光装置Ａ１は、基板１、配線パターン２、ＬＥＤチップ３、ケース４、蛍光樹脂５、および透光樹脂６を備えている。半導体発光装置Ａ１は、励起光としての青色光Ｌｂと蛍光としての黄色光Ｌｙとを混色させることにより、白色光Ｌｗを出射するものである。   FIG. 1 shows a first embodiment of a semiconductor light emitting device according to the present invention. The semiconductor light emitting device A1 of the present embodiment includes a substrate 1, a wiring pattern 2, an LED chip 3, a case 4, a fluorescent resin 5, and a translucent resin 6. The semiconductor light emitting device A1 emits white light Lw by mixing blue light Lb as excitation light and yellow light Ly as fluorescence.

基板１は、たとえばガラスエポキシ樹脂などの絶縁材料からなり、矩形状とされている。基板１は、半導体発光装置Ａ１の土台として用いられている。   The substrate 1 is made of an insulating material such as glass epoxy resin and has a rectangular shape. The substrate 1 is used as a base for the semiconductor light emitting device A1.

配線パターン２は、たとえば、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ａｕなどの薄膜からなり、基板１に形成されている。配線パターン２のうち基板１の中央付近に形成された部分は、ＬＥＤチップ３を搭載するためのボンディングパッドとされている。配線パターン２のうち基板１の裏面側に露出した部分は、半導体発光装置Ａ１を面実装するために用いられる。   The wiring pattern 2 is made of a thin film such as Cu, Ni, Ti, or Au, and is formed on the substrate 1. A portion of the wiring pattern 2 formed near the center of the substrate 1 is used as a bonding pad for mounting the LED chip 3. A portion of the wiring pattern 2 exposed on the back side of the substrate 1 is used for surface mounting the semiconductor light emitting device A1.

ＬＥＤチップ３は、励起光としての青色光Ｌｂを発する半導体発光素子であり、配線パターン２を介して基板１に支持されている。ＬＥＤチップ３は、たとえばＧａＮなどの半導体材料からなり、ｎ型半導体層とｐ型半導体層とに挟まれた活性層において電子と正孔とが再結合することにより青色光Ｌｂを発する。   The LED chip 3 is a semiconductor light emitting element that emits blue light Lb as excitation light, and is supported on the substrate 1 via the wiring pattern 2. The LED chip 3 is made of a semiconductor material such as GaN, for example, and emits blue light Lb when electrons and holes are recombined in an active layer sandwiched between an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer.

ケース４は、たとえば白色樹脂からなり、ＬＥＤチップ２を囲う矩形枠状とされている。ケース４には、リフレクタ４ａが形成されている。リフレクタ４ａは、白色光Ｌｗの出射方向において基板から遠ざかるほど直径が大となるコーン状とされており、ＬＥＤチップ３から側方に発せられた青色光Ｌｂおよびこれによって励起された黄色光Ｌｙを出射方向に向けて反射するためのものである。   The case 4 is made of, for example, white resin and has a rectangular frame shape surrounding the LED chip 2. In the case 4, a reflector 4a is formed. The reflector 4a has a cone shape whose diameter increases as the distance from the substrate increases in the emission direction of the white light Lw. This is for reflection in the emission direction.

蛍光樹脂５は、青色光Ｌｂを励起光として吸収することにより蛍光としての黄色光Ｌｙを発する蛍光体を含む樹脂であり、ケース４に囲まれた空間に充填されており、ＬＥＤチップ３を覆っている。このような蛍光体としては、たとえばＹＡＧ：Ｃｅ3+が用いられる。また、上記樹脂としては、たとえばシリコーン樹脂またはエポキシ樹脂が用いられる。蛍光樹脂５には、凸部５ａが形成されている。凸部５ａは、白色光Ｌｗの出射方向においてＬＥＤチップ２の正面に位置しており、その周辺部に対して隆起した台地状とされている。 The fluorescent resin 5 is a resin containing a phosphor that emits yellow light Ly as fluorescence by absorbing the blue light Lb as excitation light, and is filled in a space surrounded by the case 4 and covers the LED chip 3. ing. As such a phosphor, for example, YAG: Ce 3+ is used. Moreover, as said resin, a silicone resin or an epoxy resin is used, for example. The fluorescent resin 5 has a convex portion 5a. The convex part 5a is located in front of the LED chip 2 in the emission direction of the white light Lw, and has a plateau shape protruding from its peripheral part.

透光樹脂６は、たとえば透明なエポキシ樹脂からなり、蛍光樹脂５を覆っている。透光樹脂６には、レンズ６ａが形成されている。レンズ６ａは、半球状とされており、透光樹脂６に入射した青色光Ｌｂおよび黄色光Ｌｙを透過させることにより、その指向性を高めるためのものである。   The translucent resin 6 is made of, for example, a transparent epoxy resin and covers the fluorescent resin 5. A lens 6 a is formed on the translucent resin 6. The lens 6a has a hemispherical shape, and is intended to improve the directivity by transmitting the blue light Lb and the yellow light Ly incident on the light-transmitting resin 6.

次に、半導体発光装置Ａ１の製造方法の一例について、図２〜図４を参照しつつ、以下に説明する。   Next, an example of a method for manufacturing the semiconductor light emitting device A1 will be described below with reference to FIGS.

まず、図２に示すように、配線パターン２を基板１に形成した後に、ＬＥＤチップ３をボンディングする。次いで、ケース４を基板１に対して取り付ける。そして、ケース４に囲われた空間に蛍光樹脂材料５Ａを注ぎ込む。蛍光樹脂材料５Ａは、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂となる液状の樹脂材料にＹＡＧ：Ｃｅ3+などの蛍光体が混入されたものである。 First, as shown in FIG. 2, after the wiring pattern 2 is formed on the substrate 1, the LED chip 3 is bonded. Next, the case 4 is attached to the substrate 1. Then, the fluorescent resin material 5A is poured into a space surrounded by the case 4. The fluorescent resin material 5A is obtained by mixing a phosphor such as YAG: Ce 3+ into a liquid resin material that is a silicone resin or an epoxy resin.

次いで、図３に示すように、金型Ｍｄを用意する。金型Ｍｄには、凹部Ｍｄａが形成されている。金型Ｍｄを蛍光樹脂材料５Ａの液面に接触させると、表面張力によって蛍光樹脂材料５Ａが凹部Ｍｄａに入り込む。   Next, as shown in FIG. 3, a mold Md is prepared. A recess Mda is formed in the mold Md. When the mold Md is brought into contact with the liquid surface of the fluorescent resin material 5A, the fluorescent resin material 5A enters the recess Mda due to surface tension.

この状態で、たとえば熱硬化現象を利用することにより、蛍光樹脂材料５Ａを硬化させる。これにより、図４に示すように、台地状の凸部５ａを有する蛍光樹脂５が得られる。この後は、たとえばモールド成形によって透光樹脂６を形成する。以上の工程を経ることにより、図１に示す半導体発光装置Ａ１が得られる。   In this state, the fluorescent resin material 5A is cured by using, for example, a thermosetting phenomenon. Thereby, as shown in FIG. 4, the fluorescent resin 5 which has the plate-like convex part 5a is obtained. Thereafter, the translucent resin 6 is formed by molding, for example. Through the above steps, the semiconductor light emitting device A1 shown in FIG. 1 is obtained.

次に、半導体発光装置Ａ１およびその製造方法の作用について説明する。   Next, the operation of the semiconductor light emitting device A1 and the manufacturing method thereof will be described.

本実施形態によれば、図１に示すように、凸部５ａが設けられていることにより、ＬＥＤチップ２から発せられた青色光Ｌｂのうち、出射方向正面に向かうものと斜め方向に向かうものとのそれぞれが蛍光樹脂５を透過する距離を、等しく、あるいは近いものとすることができる。これにより、青色光Ｌｂと黄色光Ｌｙとの局所的な割合が出射方向正面と斜め方向とで大きく異なることを防止可能である。したがって、青色光Ｌｂと黄色光Ｌｙとを混色させることによって得られる白色光Ｌｗの色度分布の偏りを小さくすることが可能であり、白色光Ｌｗを均一な光とすることができる。   According to the present embodiment, as shown in FIG. 1, by providing the convex portion 5 a, among the blue light Lb emitted from the LED chip 2, the light that goes to the front in the emission direction and the one that goes to the diagonal direction. Can be made equal or close to each other through the fluorescent resin 5. Thereby, it is possible to prevent the local ratio between the blue light Lb and the yellow light Ly from greatly differing between the front in the emission direction and the oblique direction. Therefore, it is possible to reduce the bias of the chromaticity distribution of the white light Lw obtained by mixing the blue light Lb and the yellow light Ly, and the white light Lw can be made uniform.

凹部Ｍｄａを有する金型Ｍｄを用いることにより、凸部５ａを所望の形状およびサイズに仕上げることができる。また、表面張力を用いて蛍光樹脂材料５Ａを入り込ませるため、凸部５ａを形成するための切削加工などが不要であり、凸部５ａを容易に形成することが可能である。   By using the mold Md having the concave portion Mda, the convex portion 5a can be finished in a desired shape and size. Further, since the fluorescent resin material 5A is made to enter by using the surface tension, the cutting process for forming the convex portion 5a is unnecessary, and the convex portion 5a can be easily formed.

図５〜図８は、本発明に係る半導体発光装置およびその製造方法の第２実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。   5 to 8 show a second embodiment of the semiconductor light emitting device and the method for manufacturing the same according to the present invention. In these drawings, the same or similar elements as those in the above embodiment are denoted by the same reference numerals as those in the above embodiment.

図５に示す半導体発光装置Ａ２においては、蛍光樹脂５の構成が上述した実施形態と異なっている。本実施形態においては、蛍光樹脂５のうち凸部５ｂとそれ以外の部分とでは、蛍光体に関する組成が異なっている。具体的には、たとえば凸部５ｂにおける蛍光体の比率が、それ以外の部分における蛍光体の比率よりも大とされている。   In the semiconductor light emitting device A2 shown in FIG. 5, the configuration of the fluorescent resin 5 is different from the above-described embodiment. In this embodiment, the composition regarding a fluorescent substance differs in the convex part 5b and the part other than that among the fluorescent resins 5. FIG. Specifically, for example, the ratio of the phosphor in the convex portion 5b is set to be larger than the ratio of the phosphor in other portions.

図６〜図８は、半導体発光装置Ａ２の製造方法の一例を示している。まず、図６に示すように、基板１に配線パターン２、ＬＥＤチップ３、ケース４を搭載する。そして、ケース４によって囲まれた空間に、たとえば蛍光体が混入された液状の蛍光樹脂材料を注ぎ込む。この蛍光樹脂材料をたとえば熱硬化あるいは紫外線硬化させることにより第１蛍光樹脂５１を形成する。   6 to 8 show an example of a method for manufacturing the semiconductor light emitting device A2. First, as shown in FIG. 6, the wiring pattern 2, the LED chip 3, and the case 4 are mounted on the substrate 1. Then, for example, a liquid fluorescent resin material mixed with a phosphor is poured into the space surrounded by the case 4. The first fluorescent resin 51 is formed by, for example, thermosetting or ultraviolet curing the fluorescent resin material.

次いで、図７に示すように、第２蛍光樹脂５２を用意する。第２蛍光樹脂５２は、第１蛍光樹脂５１に用いられたものと同じ樹脂材料および蛍光体からなる。第２蛍光体樹脂５２における蛍光体の比率は、第１蛍光体樹脂５１における蛍光体の比率よりも大とされている。この第２蛍光樹脂５２をＬＥＤチップ３の出射方向正面に位置するように、第１蛍光樹脂５１に載置する。すると、第１蛍光樹脂５１および第２蛍光樹脂５２のそれぞれに含まれる樹脂材料が互いに拡散し始める。この状態のまま、所定の時間を経過させることにより、第１蛍光樹脂５１と第２蛍光樹脂５２とが一体化し、図８に示す蛍光樹脂５が形成される。この後は、透光樹脂６を形成することにより、図５に示す半導体発光装置Ａ２が得られる。   Next, as shown in FIG. 7, a second fluorescent resin 52 is prepared. The second fluorescent resin 52 is made of the same resin material and phosphor as those used for the first fluorescent resin 51. The ratio of the phosphor in the second phosphor resin 52 is set larger than the ratio of the phosphor in the first phosphor resin 51. The second fluorescent resin 52 is placed on the first fluorescent resin 51 so as to be positioned in front of the LED chip 3 in the emission direction. Then, the resin materials contained in each of the first fluorescent resin 51 and the second fluorescent resin 52 begin to diffuse each other. By passing a predetermined time in this state, the first fluorescent resin 51 and the second fluorescent resin 52 are integrated, and the fluorescent resin 5 shown in FIG. 8 is formed. Thereafter, by forming the translucent resin 6, the semiconductor light emitting device A2 shown in FIG. 5 is obtained.

本実施形態によっても、白色光Ｌｗの色度分布の偏りを小さくすることができる。特に、凸部５ｂにおける蛍光体の比率が比較的大であるため、たとえば半導体発光装置Ａ１の凸部５ａとくらべて、凸部５ｂを薄状とすることができる。   Also according to the present embodiment, the deviation of the chromaticity distribution of the white light Lw can be reduced. In particular, since the ratio of the phosphor in the convex portion 5b is relatively large, for example, the convex portion 5b can be made thinner than the convex portion 5a of the semiconductor light emitting device A1.

本実施形態の製造方法においては、第１蛍光樹脂５１と第２蛍光樹脂５２とを接合するには、第１蛍光樹脂５１に第２蛍光樹脂５２を載置した状態で所定時間経過させるのみである。このため、凸部５ｂを有する半導体発光装置Ａ２を効率よく製造することができる。また、凸部５ｂにおける蛍光体の比率がそれ以外の部分における比率よりも大である蛍光樹脂５を形成するのに好適である。凸部５ｂとしては、蛍光体の比率が大であるものが凸部５ｂを薄状とするのに適しているが、本発明はこれに限定されず、たとえば凸部５ｂにおける蛍光体の比率が相対的に小さい構成や、混入される蛍光体の種類が異なる構成としてもよい。   In the manufacturing method of the present embodiment, in order to join the first fluorescent resin 51 and the second fluorescent resin 52, only a predetermined time elapses with the second fluorescent resin 52 placed on the first fluorescent resin 51. is there. For this reason, semiconductor light-emitting device A2 which has the convex part 5b can be manufactured efficiently. Moreover, it is suitable for forming the fluorescent resin 5 in which the ratio of the phosphor in the convex part 5b is larger than the ratio in the other part. As the convex portion 5b, a material having a large phosphor ratio is suitable for making the convex portion 5b thin. However, the present invention is not limited to this. For example, the phosphor ratio in the convex portion 5b is as follows. It is good also as a structure with a comparatively small structure or a different kind of fluorescent substance mixed.

本発明に係る半導体発光装置およびその製造方法は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る半導体発光装置およびその製造方法の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。   The semiconductor light emitting device and the manufacturing method thereof according to the present invention are not limited to the above-described embodiments. The specific configuration of the semiconductor light emitting device and the manufacturing method thereof according to the present invention can be varied in design in various ways.

本発明に係る半導体発光装置の第１実施形態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows 1st Embodiment of the semiconductor light-emitting device concerning this invention. 本発明に係る半導体発光装置の第１実施形態の製造方法の一例において、蛍光樹脂材料を注ぎ込んだ状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state which poured the fluorescent resin material in an example of the manufacturing method of 1st Embodiment of the semiconductor light-emitting device which concerns on this invention. 本発明に係る半導体発光装置の第１実施形態の製造方法の一例において、金型の凹部に蛍光樹脂材料を入り込ませる工程を示す断面図である。In an example of the manufacturing method of 1st Embodiment of the semiconductor light-emitting device which concerns on this invention, it is sectional drawing which shows the process of putting a fluorescent resin material in the recessed part of a metal mold | die. 本発明に係る半導体発光装置の第１実施形態の製造方法の一例において、凸部を有する蛍光樹脂を形成した状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state which formed the fluorescent resin which has a convex part in an example of the manufacturing method of 1st Embodiment of the semiconductor light-emitting device which concerns on this invention. 本発明に係る半導体発光装置の第２実施形態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows 2nd Embodiment of the semiconductor light-emitting device concerning this invention. 本発明に係る半導体発光装置の第２実施形態の製造方法の一例において、第１蛍光樹脂を形成した状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state which formed the 1st fluorescent resin in an example of the manufacturing method of 2nd Embodiment of the semiconductor light-emitting device which concerns on this invention. 本発明に係る半導体発光装置の第２実施形態の製造方法の一例において、第２蛍光樹脂を載置する工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the process of mounting 2nd fluorescent resin in an example of the manufacturing method of 2nd Embodiment of the semiconductor light-emitting device which concerns on this invention. 本発明に係る半導体発光装置の第２実施形態の製造方法の一例において、凸部を有する蛍光樹脂を形成した状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state which formed the fluorescent resin which has a convex part in an example of the manufacturing method of 2nd Embodiment of the semiconductor light-emitting device which concerns on this invention. 従来の半導体発光装置の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the conventional semiconductor light-emitting device.

符号の説明Explanation of symbols

Ａ１，Ａ２ 半導体発光装置
Ｌｂ 青色光（励起光）
Ｌｗ 白色光
Ｌｙ 黄色光（蛍光）
Ｍｄ 金型
Ｍｄａ 凹部
１ 基板
２ 配線パターン
３ ＬＥＤチップ（半導体発光素子）
４ ケース
４ａ リフレクタ
５ 蛍光樹脂
５Ａ 蛍光樹脂材料
５ａ，５ｂ 凸部
６ 透光樹脂
６ａ レンズ
５１ 第１蛍光樹脂
５２ 第２蛍光樹脂 A1, A2 Semiconductor light emitting device Lb Blue light (excitation light)
Lw White light Ly Yellow light (fluorescence)
Md Mold Mda Recess 1 Substrate 2 Wiring pattern 3 LED chip (semiconductor light emitting device)
4 Case 4a Reflector 5 Fluorescent resin 5A Fluorescent resin material 5a, 5b Convex part 6 Translucent resin 6a Lens 51 First fluorescent resin 52 Second fluorescent resin

Claims (4)

半導体発光素子と、
上記半導体発光素子からの光を励起光として吸収することにより蛍光を発する蛍光体を含む蛍光樹脂と、を備え、上記励起光と上記蛍光とを混色させることにより白色光を出射する半導体発光装置であって、
上記蛍光樹脂は、上記半導体発光素子に対して出射方向正面に位置する凸部を有することを特徴とする、半導体発光装置。 A semiconductor light emitting device;
A semiconductor light emitting device that emits white light by mixing the excitation light and the fluorescence, and a fluorescent resin including a phosphor that emits fluorescence by absorbing light from the semiconductor light emitting element as excitation light. There,
The said fluorescent resin has a convex part located in the output direction front with respect to the said semiconductor light emitting element, The semiconductor light-emitting device characterized by the above-mentioned. 半導体発光素子から出射される光を励起光として吸収することにより蛍光を発する蛍光体を含む蛍光樹脂を形成する工程を有する、半導体発光装置の製造方法であって、
上記蛍光樹脂を形成する工程においては、上記半導体発光素子に対して出射方向正面に位置する凸部を形成することを特徴とする、半導体発光装置の製造方法。 A method for manufacturing a semiconductor light emitting device, comprising: forming a fluorescent resin containing a phosphor that emits fluorescence by absorbing light emitted from a semiconductor light emitting element as excitation light,
In the step of forming the fluorescent resin, a projecting portion located in front of the emitting direction with respect to the semiconductor light emitting element is formed. 上記蛍光樹脂を形成する工程においては、上記蛍光体を含む液状の蛍光樹脂材料を上記半導体発光素子に対して出射方向正面に位置する部分を有する空間に充填した後に、上記半導体発光素子に対して出射方向正面に位置する凹部を有する金型を上記蛍光樹脂材料の液面に接触させることにより、上記凸部を形成する、請求項２に記載の半導体発光装置の製造方法。   In the step of forming the fluorescent resin, the liquid fluorescent resin material containing the phosphor is filled in a space having a portion located in front of the emitting direction with respect to the semiconductor light emitting element, and then the semiconductor light emitting element is formed. The manufacturing method of the semiconductor light-emitting device according to claim 2, wherein the convex portion is formed by bringing a mold having a concave portion located in front of the emission direction into contact with the liquid surface of the fluorescent resin material. 上記蛍光樹脂を形成する工程においては、上記半導体発光素子に対して出射方向正面に位置する部分を有し、かつ上記蛍光体を含む第１蛍光樹脂を形成した後に、上記蛍光体を含む第２蛍光樹脂を上記第１蛍光樹脂に接触させた状態で、上記第１蛍光樹脂および上記第２蛍光樹脂が互いに結合する時間を経過させることにより、上記凸部を形成する、請求項２に記載の半導体発光装置の製造方法。   In the step of forming the fluorescent resin, after forming the first fluorescent resin having a portion located in front of the emitting direction with respect to the semiconductor light emitting element and including the phosphor, the second including the phosphor. 3. The convex portion is formed according to claim 2, wherein the convex portion is formed by allowing a time for the first fluorescent resin and the second fluorescent resin to bond to each other while the fluorescent resin is in contact with the first fluorescent resin. A method for manufacturing a semiconductor light emitting device.
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