JP2008249369A - 磁性体検出センサ及び磁性体検出装置 - Google Patents

磁性体検出センサ及び磁性体検出装置 Download PDF

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Abstract

【課題】磁界範囲の狭い高感度磁界検出素子を用いた場合でも、ノイズ磁界の影響を除去し、媒体の磁気特性に依らずに磁気分布を量的に検出可能な磁性体検出センサ及び磁性体検出装置を提供する。
【解決手段】磁界を発生する少なくとも1つの磁石12と磁界の変化を検出する2つの磁界検出素子13、14とを含み、2つの磁界検出素子は磁石12から互いに逆方向のバイアス磁界が印加され、2つの磁界検出素子13、14の出力の和に応じた信号を出力する。また2つの磁界検出素子13、14は直列に接続され、両端に発生する電圧に応じた信号を出力する。
【選択図】図1

Description

本発明は、磁性材料を含有する媒体の検出等に用いられる磁性体検出センサ及びそれを用いた磁性体検出装置に関するものである。
媒体に含まれる磁気インクや磁性粒子等の検出に用いられるセンサとしては、従来から磁気ヘッドや磁気抵抗素子を用いたものが知られている。磁気抵抗素子を用いた構成は、図28に示すように媒体に磁界を印加する磁石の磁極面に2つの磁気抵抗素子を配置して、同じバイアス磁界を印加する。そして、差動検出によりノイズ磁界の影響の除去と特性の安定化を行う。このため、センサの出力は媒体の磁気分布の勾配に応じたものとなり、パターン認識等の磁気の有無を検出する用途に有効である。
これに対して、磁気インピーダンス素子等の高感度な磁界検出素子を用いて、磁気の有無だけでなく、媒体の磁気分布を量的に検出可能としたものが提案されている(特許文献1参照)。このセンサの構成は、図29(a)、(b)に示すように検出に先行する着磁手段を持ち、媒体の着磁部の中心軸Lから対称に発生する磁界を、磁界検出方向に沿って並べられた2つの磁気インピーダンス素子で検出するものである。
2つの素子には別に設置されたバイアス磁石により同方向のバイアス磁界が印加され、それらを差動検出することによりノイズ磁界を除去し、媒体からの磁界を精度良く検出する。このセンサは、従来に無い磁気情報を提供でき、特に紙幣の鑑別等のセキュリティ用途で有効性を発揮する。しかし、着磁後の残留磁気量を検出する構成であるため、軟磁性材など残留磁気量の少ない媒体の検出には不利な点があった。
これに対して、軟磁性材であっても量的に検出可能としたものが提案されている(特許文献2参照)。このセンサは、磁石のNS軸の中点を通る平面上に素子を配置して磁界検出方向に磁界が加わらないようにした構成で、高感度ではあるが使用できる磁界範囲が狭い磁界検出素子を、特性を低下させずに磁石の近傍で使用できる。
このため、軟磁性材であっても高精度に磁気量検出が可能であり、また、小型化も実現している。このセンサで、磁気インピーダンス素子を用いる場合には、図30に示すようにバイアス磁石93等によって2つの素子912、922に同方向のバイアス磁界を印加する。それらを差動検出することで、ノイズ磁界を除去しながら媒体からの磁界を精度良く検出する。
特開2000−105847号公報 特開2006−184201号公報
磁界検出素子を磁石のNS軸の中点を通る平面に配置する構成は、例えば、直交フラックスゲート素子のように、ゼロ磁界で感度を有してバイアス磁界を必要としない磁界検出素子には最適である。一方、バイアス磁界を必要とする磁界検出素子の場合には、図30のようなバイアス磁石93やバイアスコイル等が必要になり、サイズやコストの面で不利な点がある。
また、媒体に磁界を印加するための磁石からバイアス磁界を印加することも可能であるが、従来の差動検出によりノイズ磁界の影響を除去するには、2つの磁界検出素子を配置して、それらに同方向のバイアス磁界を印加する必要がある。そのため、図28と同様に媒体の磁気分布の勾配を検出する構成になり、量的な検出が出来ない。
更に、媒体に磁界を印加するための磁石の近傍では、数百エルステッドの磁界が形成される。そのため、例えば、数十エルステッドの磁界で動作しなくなる磁気インピーダンス素子等、使用できる磁界範囲の狭い高感度磁界検出素子に適正なバイアス磁界を印加するには工夫が必要である。また、磁気インピーダンス素子等の磁界検出素子の駆動には高周波電流が必要なため、従来の磁気抵抗素子を用いたものに比べて駆動回路の規模が大きいという問題もある。
本発明の目的は、磁界範囲の狭い高感度磁界検出素子を用いた場合でも、ノイズ磁界の影響を除去し、媒体の磁気特性に依らずに磁気分布を量的に検出可能な磁性体検出センサを提供することにある。また、小型で高性能な磁性体検出装置を提供することにある。
本発明の磁性体検出センサは、磁界を発生する少なくとも1つの磁石と前記磁界の変化を検出する2つの磁界検出素子とを含む磁性体検出センサにおいて、前記2つの磁界検出素子は、前記磁石から互いに逆方向のバイアス磁界が印加され、前記2つの磁界検出素子の出力の和に応じた信号を出力するものである。
また、前記2つの磁界検出素子は直列に接続されて、両端に発生する電圧に応じた信号を出力するのが好ましい。
また、前記磁界検出素子は、前記磁石のNS方向を法線とし、前記磁石のNS軸とそれの中点を除く点で交わる平面上に、磁界検出方向が該平面と平行になるように配置されるのが好ましい。
また、前記2つの磁界検出素子の一方は、前記磁石のNS軸の中点よりN極側に配置され、もう一方は、前記磁石のNS軸の中点よりS極側に配置され、前記2つの磁界検出素子の磁界検出方向は、前記磁石のNS方向を法線とする平面と平行になるように配置されていても良い。
また、前記磁界検出素子は磁性薄膜を有し、且つ、磁界検出方向は前記磁性薄膜の膜面に平行であるのが好ましい。
また、前記磁界検出方向は、前記磁石のNS軸の動径方向から傾けて配置されているのが好ましい。
また、前記磁界検出素子は、前記磁石のN極またはS極に磁性体が近接した際の磁界変化を検出するのが好ましい。
また、前記バイアス磁界は前記磁界検出素子の磁化が飽和した領域に設定される位置に配置されているのが好ましい。
また、前記磁界検出素子は磁気インピーダンス素子であるのが好ましい。
また、上記の磁性体検出センサが、複数配列されていても良い。
また、前記センサにおける前記磁性体の検出前の出力と、前記磁性体を検出した際の出力との差に応じた信号を出力しても良い。
本発明によれば、2つの磁界検出素子に互いに逆方向のバイアス磁界を印加するようにしたことで、媒体に磁界を印加するための磁石とバイアス磁石を共通にして、高感度磁界検出素子に適正なバイアス磁界を印加することができる。また、磁性体が磁石に近接した際の磁界変化を2つの磁界検出素子の出力の和で検出することで、ノイズ磁界の影響を除去しながら、媒体の磁気量を検出することが可能となる。
また、駆動回路を簡素化することも可能となり、高精度で駆動回路も含めた省スペース化に対応可能な磁性体検出センサを実現できる。また、本発明の磁性体検出センサを用いることにより、小型で高性能な磁性体検出装置を実現できる。
次に、発明を実施するための最良の形態について図面を用いて詳細に説明する。まず、本発明は、磁界を発生する少なくとも1つの磁石と磁界の変化を検出する2つの磁界検出素子とを含む磁性体検出センサである。
2つの磁界検出素子は、磁石から互いに逆方向のバイアス磁界が印加され、2つの磁界検出素子の出力の和に応じた信号を出力する。また、2つの磁界検出素子は直列に接続され、両端に発生する電圧に応じた信号を出力する。
更に、2つの磁界検出素子は磁石のNS方向を法線とし、磁石のNS軸とそれの中点を除く点で交わる平面上に磁界検出方向が該平面と平行になるように配置する。また2つの磁界検出素子の一方は磁石のNS軸の中点よりN極側に配置され、もう一方は磁石のNS軸の中点よりS極側に配置され、2つの磁界検出素子の磁界検出方向は磁石のNS方向を法線とする平面と平行になるように配置する。
更に、磁界検出素子は磁性薄膜を有し、且つ、磁界検出方向は磁性薄膜の膜面に平行である。また磁界検出方向は磁石のNS軸の動径方向から傾けて配置され、磁界検出素子は磁石のN極またはS極に磁性体が近接した際の磁界変化を検出する。バイアス磁界は磁界検出素子の磁化が飽和した領域に設定される位置に配置する。
図1は本発明の磁性体検出センサの基本構成を示す。磁性体検出センサ1は磁石12と磁界検出素子13,14から成り、磁界検出素子13、14は磁石12のNS軸を法線とし、NS軸の中点からN極の間を通る平面上に配置されている。
磁界検出素子13、14は、非磁性基板21、22上に形成された磁性膜15、16と電極17、18、19、20から成り、磁性膜の長手方向が磁界検出方向になっている。磁性材料を含有する媒体23は磁石12のN極に近接し、その際の磁界変化を磁界検出素子13、14で検出する。
磁界検出素子13、14は磁気インピーダンス素子であるのが最良であるが、バイアス磁界の下で動作するものであれば、特に制限は無く、GMR等の磁界検出素子であっても良い。また、磁界検出素子13、14は磁石12のNS方向に強い磁界を受けるが、その影響を抑えるために反磁界の大きい薄膜で形成されるのが最良である。
磁界検出素子を形成する非磁性基板21、22には、ガラスやセラミック、シリコン基板等を用いることができるが、形成する磁性膜と熱膨張係数の近いものを選択するのが望ましい。磁性膜15、16は3本の磁性パターンを接続したつづら折れ状に形成されているが、これは一例である。2つの磁界検出素子において磁界検出方向が同一で、且つ、概ね同じ感度が得られる磁性膜パターンであれば、特に制限は無い。電極17、18、19、20についても配置や形状に特に制限は無い。
次に、図2と図3を用いて本発明の検出原理を説明する。図2(a)は図1を上から見た図、図2(b)は側面から見た図、図2(c)は正面から見た図である。図2において、磁界検出素子13、14はy方向が磁界検出方向であり、印加される磁界のy方向成分に応じてインピーダンスが変化する。
磁界検出素子13、14は磁石12から互いに逆方向のバイアス磁界Hbを受ける。そして、バイアス磁界の大きさは磁石のNS軸に平行な方向(図2(b)のz方向)及びNS軸に垂直な方向(図2(b)のx方向)に磁界検出素子を移動させることで、図2(d)及び図2(e)に示すように連続的に変化させることができる。
また、磁界検出方向をNS軸の動径方向と角度を持たせて配置することにより、特にz方向の移動によるバイアス磁界の変化を緩やかにすることができる。これらにより、バイアス設定が必要な磁界検出素子を有効に用いることができる。
図2(c)において、媒体23は磁石12の磁極面に近接し、NS軸に対して対称に磁化され、磁界検出素子13、14は互いに逆方向の磁界Hmを受ける。媒体23は磁極面に近接させるのが最も好ましいが、図2(f)に示すようにNS軸に平行に近接させても、図2(c)と同様の磁界変化が検出できる。
図3(a)は磁界検出方向の位置による磁界分布であり、媒体23の有無により実線から点線の分布へと変化する。磁界検出素子13、14はこの磁界分布の中央付近を除いた変化の少ない位置に配置されている。
図3(b)は素子特性の一例を示す。磁界の大きさに対して偶関数的な特性を持ち、インピーダンス値が単調減少する。媒体23が無い状態で、磁界検出素子13及び14のバイアス点は−Hb及びHbの位置にあり、媒体23の近接によって−(Hb−Hm)、及び、(Hb−Hm)の点に移動する。
この時のインピーダンス変化ΔZは、磁界検出素子13、14で同じであり、それらの和をとることで2ΔZの変化が得られる。図3(c)は外部磁界Hexが加わった場合の変化を示す。素子特性及びバイアス点は図3(b)と同様である。磁界検出素子13及び14のバイアス点は、−Hb+Hex、及び、Hb+Hexへ移動し、インピーダンス変化ΔZb及びΔZaが生じる。素子特性の直線性に対して外部磁界が充分小さければ、ΔZb+ΔZaはゼロとなる。
このように磁界検出素子13、14のインピーダンスの和を検出することにより、外部磁界を相殺して、媒体23による変化のみを検出することが可能となる。この検出原理は磁石のNS極が逆の場合でも同様である。
図4は磁界検出素子として磁気インピーダンス素子を用いた場合の、素子特性とバイアス磁界の設定範囲を示す。また、グラフの下に、磁性膜の磁区構造の模式図を示す。磁界検出方向は、磁性膜のパターン長方向である。図4(a)のグラフは磁性膜のパターン長方向(図中のE方向)に磁気異方性を付与した時に得られる磁界−インピーダンス特性である。このとき、ゼロ磁界を中心にした±Hcの範囲では、磁性膜はE方向に沿って互いに逆向きの磁化を持つ領域が混在した磁区構造を取り、±Hcを越えた領域では、印加磁界Hの方向の磁化領域が成長して、磁化Mが揃った構造を取る。
図4(b)のグラフはパターン幅方向(図中のE´方向)に磁気異方性を付与した場合に得られる特性である。この場合も同様に、ゼロ磁界を中心にした±Hcの範囲では、磁性膜はE´方向に沿って互いに逆向きの磁化を持つ領域が混在した磁区構造を取り、±Hcを越えた領域では、印加磁界Hの方向に磁化が回転して、磁化Mが揃った構造を取る。通常、磁気インピーダンス素子は図4(b)の特性で使用され、ハッチングで示されたBまたはB´の磁界範囲にバイアス磁界Hbが設定される。
しかし、この場合には設定範囲の幅が非常に狭く、高々2〜3Oe程度である。これに対して、AまたはA´の磁界範囲に設定すると、感度は低下するが、BまたはB´と同様の感度ばらつきが得られる範囲が大幅に拡大し、10〜20Oeの幅に広がる。図4(a)の特性でAまたはA´の磁界範囲に設定しても同様である。図2の構成において、バイアス点は磁石に対する磁界検出素子の配置で決まるため、適正なバイアス点に設定するための配置の位置精度を、AまたはA´の磁界範囲では大幅に緩和することができる。図1の構成では、例えば、磁界検出素子13はAの磁界範囲に、磁界検出素子14はA´の磁界範囲にバイアス磁界Hbを設定することができる。
AまたはA´の磁界範囲では、磁性膜内の磁化がほぼ磁界検出方向に飽和しているため、外部磁界が変化しても磁壁の移動に伴うヒステリシスやノイズが出にくい。このため、感度は低下するが、感度/ノイズ比でみると、特性の大幅な低下はない。
図5は磁石と磁界検出素子の配置例を示す。磁界検出素子の配置は図2(a)の配置の他、図5(a)に示すように磁石12の両側に磁界検出素子13、14配置した構成であっても良い。また、図5(b)に示すように磁性膜15、16を同一の基板210上に形成して導電性パターン800で直列に接続した磁界検出素子130を用いても良い。
但し、図5(a)は磁石12に対する磁界検出素子13、14の配置誤差により磁界が大きく変化するため、磁界検出素子の位置変化に対して磁界勾配の小さい図2(a)や図5(b)の方が望ましい。
また、製造の検査工程で特性チェック等をする場合には、中点電極18が設けられ、2つの磁界検出素子を別個に評価できる図5(c)の構成の方が望ましい。図5(d)は補助磁石120、121を用いた構成を示す。図5(e)は補助磁石120を用いた構成を示す。
どちらの構成も、媒体に発生する磁化の磁界検出素子の磁界検出方向成分を増強するように媒体に磁界を加える配置であり、検出前の残留磁化が大きい媒体等に有効に作用する。この構成では、補助磁石が無い場合に比べて素子の位置ずれによる磁界変化も非常に大きくなるため、位置精度を緩和できる本発明が非常に有効である。
図5(f)、(g)は磁界検出素子の構成例であり、図5(f)は磁性膜が形成されている基板210にCu等の導電膜パターン800を形成した例である。磁性膜の抵抗値と同程度になるように膜厚を調整する等すれば、静電容量によるノイズのキャンセル用の抵抗器として使用できる。図5(g)は磁性膜を図示しない絶縁膜を挟んで、導電膜で覆った例であり、電極18を接地すれば、電気シールドとして機能する。
図6は本発明の他の実施形態を示す。極性を逆にして配置された2つの磁石12、120を用い、磁界検出素子13、14を上下に配置した構成である。磁界検出素子13は磁石12及び120の中央より媒体23が近接する磁極側に配置され、磁界検出素子14はそれと反対の磁極側に配置されている。
この構成での動作を、図7、図8を用いて説明する。図7(a)は図6を上から見た図、図7(b)は側面から見た図、図7(c)は正面から見た図である。図7(c)に示すように磁界検出素子13、14は、磁石12と120から互いに逆方向のバイアス磁界Hbを受ける。媒体23は磁石12のN極から磁石120のS極に向かって磁化され、磁界検出素子13、14は夫々同方向の磁界Hm、Hm′を受ける。
ここで、媒体23からの距離の差によって、Hm>Hm′となる。この時の動作は、図8(a)に示すようになり、磁界検出素子13及び14の動作点は、Hb及び−Hbから(Hb−Hm)及び−(Hb+Hm′)へ移動して、インピーダンス変化ΔZa及びΔZbを生じる。
|ΔZa|>|ΔZb|であることから、2つの磁界検出素子のインピーダンスの和も変化し、ΔZa+ΔZb>0となる。外部磁界に対しては図3(c)と同様で、ΔZa+ΔZbはゼロとなる。媒体23を磁石12及び120のNS軸と平行に近接させた場合には、図7(e)に示すように磁石のNS軸と平行及び垂直方向に磁化が発生し、磁界検出素子13、14は互いに逆方向の磁界Hmを受ける。
この時の動作は、図8(b)のようになり、図3(b)と同様になる。図6の構成においても、磁界検出素子13、14のインピーダンスの和を検出することにより、外部磁界を相殺して、媒体23による変化のみを検出することが可能となる。
図9は磁石と磁界検出素子の配置例を示す。図6の配置の他に、図9(a)に示すように磁石を1個で構成しても良いし、図9(b)に示すように同極性の2つの磁石の間に配置しても良い。また、図9(c)に示すように2つの磁界検出素子を磁石の間に配置しても良い。更に、バイアス磁界が互いに逆方向で大きさが同じであれば、図9(d)に示すように磁界検出素子13、14を磁石のNS軸の中央に対して非対称な配置としても良い。
図10は磁界検出素子として磁気インピーダンス素子を用いた場合の駆動回路を示す。発振部はCMOSを用いたパルス発振回路であり、これが最も望ましいが、特に限定されるものではない。パルス電流はAC結合を通じて正負交互に振れる電流として素子に通電され、磁性膜のヒステリシスを低減する効果を持っている。
検波回路はダイオードを用いた構成になっているが、スイッチを用いた方法でも同様に構成可能である。図10(a)の例では2つの磁界検出素子13、14夫々の一方の電極は接地され、夫々のインピーダンス値に応じた出力が検波後に加算されてVoutとして出力される。
この回路では2つの磁界検出素子の検波後出力S1、S2をモニターすることで、バイアス磁界のバランスや感度ばらつき、動作不良等を2つの磁界検出素子で別々に検査することができる。図10(b)の例では図10(a)にバランス調整機能とオフセットのリセット機能を加えたものである。バランス調整機能は2つの磁界検出素子の感度ばらつきがある場合にそれを補正する。リセット機能はダイオードの温度特性による出力レベル変動の補正や参照媒体との比較検出に用いられる。
図10(c)は2つの磁界検出素子を直列に接続し、従来の1素子分の回路で駆動を可能にした例である。この回路は、本発明の構成を最も活かした回路であり、回路規模を従来のものより低減できる。図10(d)はケーブルの引き回し等により静電容量の影響を受ける場合に有効な回路である。2つの磁界検出素子の抵抗値と同程度の抵抗器40を磁界検出素子の近傍に配置する等すれば、静電容量によるノイズを除去して、高精度な検出が可能になる。
次に、本発明の媒体の検出方法について説明する。媒体の検出は媒体を停止させて行っても良いし、センサと相対的に移動させて連続的に検出しても良い。磁石の磁極面と平行に移動させて連続的に検出する場合には、磁界検出素子の磁界検出方向と直交する方向に移動させるのが望ましい。
図11は媒体の移動方向と出力信号の例を示す。図11(a)は磁界検出素子の磁界検出方向と直交する方向にストライプ状の媒体を移動させた場合の出力例である。この移動方向では、パターンの磁気量に応じた山が検出される。これに対して、磁界検出方向と平行に移動させた場合の出力は図11(b)のようになり、パターンが細かくなると1つのパターンに対して2つの山が現れるようになる。
モータ等の媒体の搬送系からのノイズ磁界を避けるために磁界検出方向が限定されてしまう場合等を除いて、図11(a)に示すように磁界検出方向と直交する方向に移動させるのが望ましい。
図12は図6の構成を用いた場合の媒体の移動方向と出力信号の例を示す。図12(a)に示すように磁界検出素子の磁界検出方向と直交する方向に媒体を移動させた場合の出力は図11(a)と同様である。図12(b)に示すように磁界検出方向と平行に移動させた場合には、出力にアンダーシュート等が出ることがあり、図6の構成においても図12(a)の方が比較的好ましい。
次に、本発明の実施例を説明する。図13は本発明による磁性体検出センサの一実施例を示す。図13では磁性体検出センサ1の内部を上から見た図と側面から見た図を示す。磁石12、磁界検出素子130及びシールド24はホルダー26に一体に保持され、ケース25内に配置されている。ケース25の外形は約6×6×3mmであり、従来よりも小型化が実現できている。
磁石12には、磁極面積1mm×1mm、高さ1.6mmのネオジム磁石を用い、媒体13と対向するケース表面で約1KOeの磁界が発生している。磁石12と磁界検出素子130の間隔は0.3mmで、磁界検出素子130は媒体13と対向する磁極の平面から0.6mmの高さに誤差0.1mmの精度で配置され、20〜40Oeのバイアス磁界が印加されている。
磁界検出素子130は基板210上に磁性膜15、16が形成され、それらは直列に接続されて、その両端に電極17、20が形成されている。基板210には0.2mm厚のチタン酸カルシウムのセラミック基板を用いている。磁性膜15、16は、正磁歪を有するFe−Ta−C系の磁性材をスパッタで成膜した後、イオンミリングにより加工し、幅30μm、長さ1mm、膜厚1800nmのパターンを接続してつづら折れ状に形成されている。
電極17、20及び磁性膜15、16の接続にはCuを用い、リフトオフプロセスにより形成されている。電極を除く基板上には、磁性膜を覆うように図示しない保護膜がスピンコートとフォトリソグラフィープロセスにより形成されている。
電極17、20は端子27によって外部の駆動回路基板29と電気的に接続されている。磁界検出素子130は端子27を通じて高周波電流を印加することにより、磁気インピーダンス素子として動作する。
シールド24は板厚0.25mmの78%Niパーマロイ板で形成され、磁界検出素子130と磁石12を囲むように配置されている。ケース25は0.2mm厚のリン青銅で形成され、媒体との対向面には無電解Niメッキが施されている。ケース25は端子28によって外部の駆動回路基板29のグラウンドと電気的に接続されている。
本実施例では、磁界検出素子として磁気インピーダンス素子を用いているため、磁界検出感度が高い反面、磁界−インピーダンス特性において良好な直線性が得られる範囲が狭い。その範囲を越えると、2つの磁界検出素子でのノイズ磁界に対するキャンセル効果が低下する。
このため、磁気シールド24によりノイズ磁界を低減することは、媒体の検出精度向上に大きな効果がある。また、高周波電流を用いるため、媒体との静電容量によりセンサ出力がオフセットする場合がある。ケース25は電気シールドとしての機能も持ち、磁界検出素子の動作を安定化する。
図14は磁石12と磁界検出素子130の実装方法の他の例を示す。図14(a)の例は磁界検出素子130ははんだ30でブリッジするようにプリント基板32に実装され、その両端は端子27によって外部の駆動回路に接続されている。磁石12は治具等を用いて磁界検出素子130との位置出しがされた状態で、プリント基板32に接着剤等によって固定されている。
図14(b)の例は磁界検出素子130はプリント基板32に面実装され、磁石12はプリント基板32の穴に配置されている。図14(c)の例は磁石12と磁界検出素子130が接着剤等でプリント基板32に実装され、磁界検出素子130の基板の厚みで高さ方向の位置精度を出している。電極の接続はワイヤボンディング等で行う。
図14(d)の例は磁界検出素子130を実装する基板上に、静電容量によるノイズのキャンセル用に用いる抵抗器50を実装している。図14(e)の例は図6のように磁界検出素子130、131を上下に配置する場合の実装方法であり、磁界検出素子の裏面を合わせて配置されている。
この実装方法は、両面に成膜された磁界検出素子にも用いられる。図14(f)の例は同様に磁界検出素子130、131を上下に配置する場合の実装方法であり、一方の磁界検出素子の裏面にもう一方の磁界検出素子の表面を合わせて配置されている。なお、図14において、27は端子、31は銅配線を示す。
図15は本発明の磁性体検出センサを用いた磁性体検出装置の一実施例としてのエンコーダを示す。図中1は磁性体検出センサ、2は磁性体検出装置、33は駆動回路を示す。磁性体検出センサ1には、例えば、図13の構成を用いることができ、駆動回路33には、例えば、図10(c)の回路を用いることができる。
媒体130は磁性材が一定の間隔で配置されたもので、磁性材料を加工したものの他、磁性薄膜のパターンや磁気インク等の印刷で形成されたものでも良い。媒体231が磁性体検出センサ1に対して相対的に移動することにより出力Voutが変化し、参照電圧Vrefを基準としてコンパレータ35により出力変化をパルス化する。そのパルス信号をカウンタ36でカウントすることによりエンコーダとして動作する。
本発明の磁性体検出センサは、磁気インク等の印刷媒体に対しても充分な感度を有していて、媒体を選ばない。印刷媒体であれば、ピッチや形状も簡単に変更することができる。これにより、安価で汎用性の高いエンコーダを構成できる。
図16は本発明の磁性体検出センサを用いた磁性体検出装置の一実施例としての磁気量検出装置を示す。図中1は磁性体検出センサ、2は磁性体検出装置、33は駆動回路を示す。磁性体検出センサ1には、例えば、図13の構成を用いることができ、駆動回路33には、例えば、図10(c)の回路を用いることができる。
磁気量検出装置の動作は、まず、図16(a)に示すように参照媒体230が近接している状態、又は媒体230が無い状態でのセンサ駆動回路33の出力Voを、A/Dコンバータ37を通してデジタル信号としてメモリ38に記憶させる。その後、図16(b)に示すように検出する媒体23を磁性体検出センサ1に近接させて、その時の出力とメモリ38に記憶しているVoとの差を算出して磁気量を検出する。CPU39はその場合の演算処理を行う。
本発明の磁性体検出センサは、2つの磁界検出素子のインピーダンスの和に応じた信号を出力する。そのため、センサ部と駆動回路の接続ケーブルが長い場合等には、周囲との結合容量の影響により出力のオフセットを生じる場合があり、Voとの差を検出することは有効な手段となる。これにより、小型で高精度な磁気量検出装置が実現できる。図16と同様の信号処理は、例えば、図10(b)の駆動回路を用いる等すれば、アナログ回路でも構成可能である。
図17は本発明の磁性体検出センサを用いた磁性体検出装置の一実施例としての変位検出装置を示す。図中1は磁性体検出センサ、2は磁性体検出装置、33は駆動回路を示す。磁性体検出センサ1には、例えば、図13の構成を用いることができ、駆動回路33には、例えば、図10(c)の回路を用いることができる。図17では媒体232に磁性材料の濃度を変えたグラデーションパターンが形成されている。媒体232は磁性体検出センサと相対的に移動する物体に固定され、磁性体検出センサで磁気量を検出することで、物体の移動量を検出することができる。
図17の構成で、物体がある位置にある時のVoを記憶すれば、その位置を基準とした変位量を検出することができる。グラデーションパターンは磁気インク等の印刷で形成でき、濃度勾配やパターンの長さの変更も容易である。これにより、安価で自由度の高い変位検出装置が実現できる。
図18は本発明の磁性体検出センサを用いた磁性体検出装置の一実施例としての磁性粒子数検出装置を示す。図中1は磁性体検出センサ、2は磁性体検出装置、33は駆動回路を示す。磁性体検出センサ1には、例えば、図13の構成を用いることができ、駆動回路33には、例えば、図10(c)の回路を用いることができる。この磁性粒子数検出装置は、例えば、医療診断に用いられる標識磁性粒子の検出に好適である。磁性粒子からの磁界は微弱であるため、参照媒体230と磁性粒子が付着した試料233を順次磁性体検出センサ1に近接させて、出力の差を検出するのが望ましい。
その出力差から、予め作製された粒子数と出力の校正データを用いて、粒子数を算出する。本発明の磁性体検出センサは、高感度な磁界検出素子を用いることができるため、非接触での検出が可能であり、粒子の付着による検出誤差を低減できる。これにより、小型で高精度な磁性粒子数検出装置が実現できる。
図19は本発明の磁性体検出センサを用いた磁性体検出装置の一実施例としての磁気識別装置を示す。図中1は磁性体検出センサ、2は磁性体検出装置、33は駆動回路を示す。図19(a)は媒体の検出波形を予め記憶された正規の波形データと比較し、媒体の真偽を判定する。図19(b)は媒体の種別を判定する。どちらの例も紙幣等の鑑別や識別に用いることができる。
具体的には、図19(a)の例では、磁性体検出センサ1からの出力信号がA/Dコンバータ37を介してデジタル信号でCPU39に取り込まれる。その際、メモリ38には予め正規の波形データが記憶されており、CPU39の比較部43で検出波形と正規の波形とを比較することで真偽判定を行う。
図19(b)の例では、予めメモリ38に媒体の種別毎に正規の波形データが記憶されている。磁性体検出センサ1からの出力信号は同様にA/Dコンバータ37を介してデジタル信号でCPU39に取り込まれ、CPU39の比較部43で検出波形とメモリ39の媒体毎の波形を比較することで媒体の種別判定を行う。
図19の磁性体検出センサ1には、例えば、図20の構成を用いることができる。図20では図13と同一部分には同一符号を付している。図20において、媒体23は上下を規制されて通路内を進行し、磁性体検出センサ1はその通路を形成する搬送路形成部材34と340内に配置されている。
これにより、センサがスペースを取らず、且つ、媒体が詰まることのない、信頼性の高い磁気識別装置を実現できる。この構成は、本発明の磁性体検出センサが小型であり、また、従来のMR素子に比べて非常に感度の高い磁気インピーダンス素子等を用いることができるために実現できるものである。
図21及び図22は本発明の磁性体検出センサを用いた磁性体検出装置の一実施例としての2次元磁気分布検出装置を示す。図22中に磁性体検出センサの磁性膜15、16を示す。2は磁性体検出装置である。図21はセンサ部の構成であり、媒体23の進行方向と垂直に磁性体検出センサが一列に配置されている。夫々の磁性体検出センサは、例えば、図20と同様の構成であり、夫々にシールドが配置され、磁性体検出センサ間の干渉を防止している。
図22は駆動回路を含む装置構成を示す。図22(a)の例は発振回路を共通にして、図10(c)の駆動回路を磁性体検出センサ毎に配置している。その出力はスイッチ41の切り換えにより順次読み込まれ、A/Dコンバータ37を介してCPU39に送られる。CPU39の演算処理により2次元磁気分布が得られる。
図22(b)は夫々の磁性体検出センサの通電と遮断をアンド回路42によって制御し、通電するセンサを順次切り換えることにより図22(a)と同様の検出を行う。37はA/Dコンバータ、39はCPUである。
従来の高感度磁界検出素子を用いた磁性体検出センサでは、図21のようなセンサ部の駆動には非常に大きな規模の回路が必要となるが、本発明の磁性体検出センサを用いることで、省スペース化が可能になる。磁石と磁界検出素子の実装は、例えば、図23に示すように同一のプリント基板320上に複数の磁界検出素子130と磁石12を配置したものでも良い。また、センサ部の構成としては、図21の他に図24の構成等も同様に可能である。図23では図14と同一部分には同一符号を付している。
図25及び図26は本発明の磁性体検出センサを用いた磁性体検出装置の一実施例としての2次元磁気分布検出装置の別の例を示す。図26中に磁界検出センサの磁界検出素子150を示す。2は磁性体検出装置である。
図25(a)は図5(d)の構成をライン配置した構成であり、極性が反対の磁石と磁界検出素子を一定間隔で配置され、そのうちの隣り合う2つの磁界検出素子とそれらの間にある磁石で1つの磁性体検出センサを構成している。
また、媒体との対向面を除いて、磁石2と磁界検出素子150の配置全体を囲むように磁気シールド242を配置している。図25(b)は図6の構成をライン配置した構成であり、磁石のNS方向に沿って上下に2つの磁界検出素子を配置して1つのセンサを構成し、図25(a)よりもライン方向の分解能が高い構成になっている。
図25(c)は図9(a)の構成をライン配置した構成であり、極性が同じ磁石と磁界検出素子が一定間隔で配置されている。図25(d)は図25(c)の磁石を長尺の磁石で置き換えた構成である。
図25(e)は図9(b)の構成をライン配置した構成であり、図25(e)の右のグラフのように素子の検出感度Sxと媒体に印加される磁界の検出方向成分Hxがライン方向について互い違いに増減する。そのため、検出感度の低い領域を発生する磁化の大きさで補って、ムラの無い検出が可能になる。
ここで、図25に示すように本発明の磁性体検出センサを複数配列することによって磁性体ラインセンサを構成する。本発明の磁性体検出装置は磁性体検出センサ又は磁性体ラインセンサを用いて磁性体の検出を行う。
図26は駆動回路を含む装置構成を示す。図26において、発振回路を共通にして、夫々の磁界検出素子毎に駆動回路が配置されている。図26では図22(a)と同一部分には同一符号を付している。
図27はこの構成を用いた場合の信号処理の一例であり、図25(a)の磁性体検出ラインセンサの構成に適用される。図27に示すように2個(偶数個)の磁界検出素子からの出力を加算部43により加算することで、ノイズ磁界の影響を除去しながら検出の位置と幅を自由に設定することが可能である。図27ではセンサの並びから2個のセンサ(2の倍数個単位=偶数個単位)の加算で差動検出と同様な処理を行う。
この構成では、駆動回路は大きくなるが、様々な媒体に対してセンサ部を取り替えることなく、信号処理部分を変更するだけで対応でき、非常に高性能な磁気分布検出装置を実現できる。
本発明の一実施形態を示す斜視図である。 本発明の動作原理を説明する模式図である。 本発明の動作原理を説明するグラフ図である。 磁界検出素子として磁気インピーダンス素子を用いた場合の素子特性とバイアス磁界の設定範囲を示す図である。 本発明に係る磁性体検出センサの磁石と磁界検出素子の配置例を示す図である。 本発明の他の実施形態を示す斜視図である。 図6の実施形態の動作原理を説明する図である。 図6の実施形態の動作原理を説明するグラフ図である。 本発明に係る磁性体検出センサの磁石と磁界検出素子の配置例を示す図である。 本発明に係る磁界検出素子として磁気インピーダンス素子を用いた場合の駆動回路を示す回路図である。 本発明に係る媒体の移動方向と出力信号の例を示す図である。 図6の磁性体検出センサを用いた場合の媒体の移動方向と出力信号の例を示す図である。 本発明の磁性体検出センサの実施例を示す図である。 本発明に係る磁性体検出センサの磁石12と磁界検出素子130の実装例を示す図である。 本発明に係る磁性体検出装置の一実施例としてのエンコーダを示すブロック図である。 本発明に係る磁性体検出装置の一実施例としての磁気量検出装置を示すブロック図である。 本発明に係る磁性体検出装置の一実施例としての変位検出装置を示すブロック図である。 本発明に係る磁性体検出装置の一実施例としての磁性粒子数検出装置を示すブロック図である。 本発明に係る磁性体検出装置の一実施例としての磁気識別装置を示すブロック図である。 図19の装置に用いる磁性体検出センサを示す図である。 図22の装置に用いる磁性体検出センサを示す図である。 本発明に係る磁性体検出装置の一実施例としての2次元磁気分布検出装置を示すブロック図である。 図22の装置に用いる磁性体検出センサの磁石と磁界検出素子の配置例を示す斜視図である。 図22の装置に用いる磁性体検出センサの他の例を示す斜視図である。 図26の装置に用いる磁性体検出センサの例を示す図である。 本発明に係る2次元磁気分布検出装置の他の例を示すブロック図である。 図26の信号処理の一例を示すブロック図である。 従来例を示す平面図である。 従来例を示す平面図及び斜視図である。 他の従来例を示す斜視図である。
符号の説明
1 磁性体検出センサ
2 磁性体検出装置
12、120、121、122 磁石
13、14、130、131 磁界検出素子
15、16、150 磁性膜
17、18、19、20 電極
21、22、210 基板
23、230、231、232、233 媒体
24、241、242 シールド
25 ケース
26 ホルダー
27、28 端子
29 回路基板
30 はんだ
31 銅配線
32、320 プリント基板
33 駆動回路
34、340 搬送路形成部材
35 コンパレータ
36 カウンタ
37 A/Dコンバータ
38 メモリ
39 CPU
40 抵抗器
41 スイッチ
42 アンド回路
91、94、95 磁石
921、922 磁界検出素子
93 バイアス磁石

Claims (12)

  1. 磁界を発生する少なくとも1つの磁石と前記磁界の変化を検出する2つの磁界検出素子とを含む磁性体検出センサにおいて、
    前記2つの磁界検出素子は、前記磁石から互いに逆方向のバイアス磁界が印加され、前記2つの磁界検出素子の出力の和に応じた信号を出力することを特徴とする磁性体検出センサ。
  2. 前記2つの磁界検出素子は直列に接続され、両端に発生する電圧に応じた信号を出力することを特徴とする請求項1に記載の磁性体検出センサ。
  3. 前記2つの磁界検出素子は、前記磁石のNS方向を法線とし、前記磁石のNS軸とそれの中点を除く点で交わる平面上に磁界検出方向が該平面と平行になるように配置されることを特徴とする請求項1又は2に記載の磁性体検出センサ。
  4. 前記2つの磁界検出素子の一方は前記磁石のNS軸の中点よりN極側に配置され、もう一方は前記磁石のNS軸の中点よりS極側に配置され、前記2つの磁界検出素子の磁界検出方向は前記磁石のNS方向を法線とする平面と平行になるように配置されることを特徴とする請求項1又は2に記載の磁性体検出センサ。
  5. 前記磁界検出素子は磁性薄膜を有し、且つ、磁界検出方向は前記磁性薄膜の膜面に平行であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の磁性体検出センサ。
  6. 前記磁界検出方向は前記磁石のNS軸の動径方向から傾けて配置されていることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の磁性体検出センサ。
  7. 前記磁界検出素子は、前記磁石のN極またはS極に磁性体が近接した際の磁界変化を検出することを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の磁性体検出センサ。
  8. 前記バイアス磁界は前記磁界検出素子の磁化が飽和した領域に設定される位置に配置されていることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の磁性体検出センサ。
  9. 前記磁界検出素子は磁気インピーダンス素子であることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の磁性体検出センサ。
  10. 請求項1から9のいずれか1項に記載の磁性体検出センサが、複数配列されていることを特徴とする磁性体検出ラインセンサ。
  11. 請求項1から9のいずれか1項に記載の磁性体検出センサ、又は請求項10に記載の磁性体検出ラインセンサを用いて磁性体の検出を行うことを特徴とする磁性体検出装置。
  12. 前記磁性体検出センサにおける前記磁性体の検出前の出力と、前記磁性体を検出した際の出力との差に応じた信号を出力することを特徴とする請求項11に記載の磁性体検出装置。
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