JP2008243872A - 半導体基板、半導体素子、発光素子及び電子素子 - Google Patents
半導体基板、半導体素子、発光素子及び電子素子 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】シリコン基板上にZrNからなるバッファ層を設けた場合に、当該ZrNの結晶性が極めて高くなる。また、ZrNからなるバッファ層を設けた場合に、光反射率が65%を超える。そこで、Si(111)からなる基板2と、当該基板2上に設けられたバッファ層3と、バッファ層3上に設けられた半導体層4とを具備し、このバッファ層3がZrNからなることとしたので、比較的高い光の取り出し効率を維持しつつ、電気的特性の高い半導体基板1を得ることができる。
【選択図】図1
Description
Xu et al, Appl. Phys. Lett., 86, 182104 (2005)
そこで、本発明では、シリコン基板と、シリコン基板上に設けられたバッファ層と、バッファ層上に設けられた半導体層とを具備し、このバッファ層がZrNからなることとしたので、比較的高い光の取り出し効率を維持しつつ、電気的特性の高い半導体基板を得ることができる。
13族金属窒化物の中でも、GaNを用いた半導体基板が特に注目されている。本発明によれば、半導体層がGaNからなる場合において、比較的高い光の取り出し効率を維持しつつ、電気的特性の高い半導体基板を得ることができる。
本発明によれば、比較的高い光の取り出し効率を維持しつつ、電気的特性の高い半導体基板を具備することとしたので、光学的及び電気的特性の高い半導体素子を得ることができる。
本発明によれば、光の取り出し効率が高く及び電気的特性の高い半導体素子を具備することとしたので、発光特性が高く、様々な用途に利用可能な発光素子を得ることができる。
本発明によれば、電気的特性の高い半導体素子を具備することとしたので、高性能で様々な用途に利用可能な電子素子を得ることができる。
図1は、本実施形態に係る半導体基板1の構成を示す図である。
同図に示すように、半導体基板1は、シリコン(Si(111))からなる基板2上にバッファ層3が設けられ、当該バッファ層3上に半導体層4が積層された構成になっている。半導体基板1は、発光素子や電子素子などに搭載される。
同図に示すように、スパッタ装置10は、チャンバ11と、基板電極12と、ターゲット電極13と、直流電源14と、電源制御部15と、窒素供給源16と、加熱装置17を主体として構成されている。
基板電極12は、チャンバ11内に配置されており、上記の基板2を保持可能になっている。
制御部15は、直流電源14に接続されており、直流電源14の動作のタイミングに関する制御を行う。制御部15により、基板電極12とターゲット電極13との間にパルス電圧を印加することが可能になっている。
加熱装置17は、例えば基板電極12に固定されており、基板電極12上の基板2の周囲温度を調節できるようになっている。
例えば、上記実施形態では、バッファ層3をパルススパッタ法によって形成しているが、これに限られることはなく、例えばバッファ層3をMOCVD法、MBE法、HVPE法又はDCスパッタリング法などの他の薄膜形成方法によって形成しても構わない。
本実施例では、上記実施形態の手法(パルススパッタ法)によってシリコン(Si(111))基板上にZrN層(バッファ層)を形成した。ZrN成長時の基板温度を1200℃、アルゴンガス流量を3sccm、窒素ガス流量を2sccm、直流パルス電源の繰り返し周波数を50kHz、デューティー比を20%とした。
同図に示すように、明瞭な3回回転対象性が確認できる。このことから、結晶方位の揃った良質なZrNが成長しているといえる。また、EBSD半値幅を測定したら、0.53°であった。このことからも、結晶性の高いZrN層が形成されたことがわかる。
本実施例では、上記実施形態の手法(パルススパッタ法)によってサファイア(0001)基板上にZrN(111)層(バッファ層)を形成した。ただし、アルゴンガス流量を3sccm、窒素ガス流量を1sccm、投入電力を100W、直流パルス電源の繰り返し周波数を50kHzとした。また、デューティー比を50%とした。
なお、上記実施形態の手法(パルススパッタ法)によって、アルゴンガス流量を3sccm、窒素ガス流量を1sccm、投入電力を100W、直流パルス電源の繰り返し周波数を50kHzとした。また、デューティー比を50%として、MgO(111)基板上にZrN(111)層を形成した場合においても、本実施例2と同様に当該ZrN層はHfN層に比べて結晶性が格段に高くなっていることがいえる。
本実施例では、上記の実施例1の条件下においてパルススパッタ法によって形成されたバッファ層(ZrN)上に、GaN層を形成した。
図8に示すように、図中央に明確なパターンが認められる。このことからも、GaNの結晶性が良好であることがわかる。
Claims (8)
- シリコン基板と、
前記シリコン基板上に設けられたバッファ層と、
前記バッファ層上に設けられた13族窒化物半導体層と
を具備し、
前記バッファ層がZrNからなる
ことを特徴とする半導体基板。 - 前記半導体層が13族金属の窒化物半導体からなる
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体基板。 - 前記半導体層がGaNからなる
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体基板。 - 請求項1乃至請求項3のうちいずれか一項に記載の半導体基板を具備することを特徴とする半導体素子。
- 請求項4に記載の半導体素子を具備することを特徴とする発光素子。
- 前記半導体素子を構成する前記半導体薄膜上に、MOCVD法、MBE法、HVPE法又はスパッタリング法によって成長された金属窒化物を有する
ことを特徴とする請求項5に記載の発光素子。 - 請求項4に記載の半導体素子を具備することを特徴とする電子素子。
- 前記半導体素子を構成する前記半導体薄膜上に、MOCVD法、MBE法、HVPE法又はスパッタリング法によって成長された金属窒化物を有する
ことを特徴とする請求項7に記載の電子素子。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023176760A1 (ja) * | 2022-03-14 | 2023-09-21 | 株式会社Gaianixx | 積層構造体、半導体装置及びこれらの製造方法 |
WO2023176759A1 (ja) * | 2022-03-14 | 2023-09-21 | 株式会社Gaianixx | 積層構造体、半導体装置及びこれらの製造方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63303050A (ja) * | 1987-06-01 | 1988-12-09 | Nissin Electric Co Ltd | 窒化ジルコン薄膜の製造方法 |
JPH0547519A (ja) * | 1991-08-20 | 1993-02-26 | Murata Mfg Co Ltd | 窒化ジルコニウム薄膜抵抗の製造方法 |
JPH05190309A (ja) * | 1992-01-13 | 1993-07-30 | Seiko Instr Inc | 抵抗体膜の製造方法 |
JPH11260835A (ja) * | 1997-07-11 | 1999-09-24 | Tdk Corp | 電子デバイス用基板 |
JP2000323753A (ja) * | 1999-03-09 | 2000-11-24 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体素子 |
JP2000345333A (ja) * | 1999-04-02 | 2000-12-12 | Sanyo Shinku Kogyo Kk | Al膜の作成方法とその装置 |
JP2003096561A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-03 | Sharp Corp | スパッタ装置 |
JP2004266112A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-09-24 | Ulvac Japan Ltd | パルス状直流スパッタ成膜方法及び該方法のための成膜装置 |
JP2005276363A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造法、並びに磁気記録再生装置 |
JP2006093508A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体素子及びその製造方法。 |
-
2007
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63303050A (ja) * | 1987-06-01 | 1988-12-09 | Nissin Electric Co Ltd | 窒化ジルコン薄膜の製造方法 |
JPH0547519A (ja) * | 1991-08-20 | 1993-02-26 | Murata Mfg Co Ltd | 窒化ジルコニウム薄膜抵抗の製造方法 |
JPH05190309A (ja) * | 1992-01-13 | 1993-07-30 | Seiko Instr Inc | 抵抗体膜の製造方法 |
JPH11260835A (ja) * | 1997-07-11 | 1999-09-24 | Tdk Corp | 電子デバイス用基板 |
JP2000323753A (ja) * | 1999-03-09 | 2000-11-24 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体素子 |
JP2000345333A (ja) * | 1999-04-02 | 2000-12-12 | Sanyo Shinku Kogyo Kk | Al膜の作成方法とその装置 |
JP2003096561A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-03 | Sharp Corp | スパッタ装置 |
JP2004266112A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-09-24 | Ulvac Japan Ltd | パルス状直流スパッタ成膜方法及び該方法のための成膜装置 |
JP2005276363A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造法、並びに磁気記録再生装置 |
JP2006093508A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体素子及びその製造方法。 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023176760A1 (ja) * | 2022-03-14 | 2023-09-21 | 株式会社Gaianixx | 積層構造体、半導体装置及びこれらの製造方法 |
WO2023176759A1 (ja) * | 2022-03-14 | 2023-09-21 | 株式会社Gaianixx | 積層構造体、半導体装置及びこれらの製造方法 |
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