JP2008240010A - マイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008240010A JP2008240010A JP2007078205A JP2007078205A JP2008240010A JP 2008240010 A JP2008240010 A JP 2008240010A JP 2007078205 A JP2007078205 A JP 2007078205A JP 2007078205 A JP2007078205 A JP 2007078205A JP 2008240010 A JP2008240010 A JP 2008240010A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- antenna
- stage
- wall
- microwave
- vacuum chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】
導電性材料で形成された真空室(2)と、真空室(2)内側の上壁面に固定され、貫通孔(3)を有し、導電性材料で形成されたアンテナ(4)と、アンテナ(4)に対向して配置され、基板(S)を搭載可能なステージ(5)とを備え、貫通孔(3)の一端が真空室(2)の外部に接続され、貫通孔(3)の他端が、アンテナ(4)のステージ(5)に対向する面に位置し、プラズマ用の原料ガスが、貫通孔(3)を通ってアンテナ(4)およびステージ(5)の間隙に供給され、マイクロ波が真空室(5)の外部から供給され、アンテナ(4)およびステージ(5)の間隙にプラズマを発生させ、貫通孔(3)を介して、ステージ(5)に搭載された基板(S)の表面を観察可能である。
【選択図】図1
Description
ス等の炭素源ガスの他に、水素(H2)ガスやヘリウム(He)ガス、アルゴン(Ar)
ガス等の不活性ガスなどを原料ガスとしてガス原料導入口105aから供給し、導波管103から伝搬されるマイクロ波によってプラズマPを発生させる。発生したプラズマPによって原料ガスが化学反応し、ステージ106上に配設された基板表面にダイヤモンドを成長させる。
、上記特許文献1および上記非特許文献1では、球状または半球状のプラズマを形成することはできるが、扁平なプラズマを形成することはできない。
側壁と、前記第2アンテナの外側壁および前記真空室の内側壁とは、それぞれ前記マイクロ波の導波路を形成することができる。
図1は、本実施の形態に係るマイクロ波プラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。本マイクロ波プラズマ処理装置(以下、単に処理装置とも記す)1は、真空室2と、真空室2内側の上壁面に固定され、貫通孔3を有するアンテナ4と、アンテナ4に対向して配置されたステージ5と、一端がアンテナ4の貫通孔3に接続され、側壁に開口部6を有する筒部7と、筒部7の他端に配置された石英板で形成された窓部8と、放射温度計9とを備えている。図1では、ステージ5の上に基板Sが搭載されている。
の他、水素(H2)ガスやヘリウム(He)ガス、アルゴン(Ar)ガス等の不活性ガス
などを使用する。
間隙にプラズマPが形成される。このとき、アンテナ4およびステージ5は、それらの外径と比較して両者の間隔が十分に狭く配置されているので、プラズマPは扁平な形状に形成される。また、上記したように、ガスは、ステージ5に対向するアンテナ4の端面の略中央に形成された貫通孔3の開口から供給され、アンテナ4とステージ5との間隙を放射状に流れて下方に排気されるので、アンテナ4とステージ5との間隙において局所的な環状の流れや乱流を形成することなく、全体として比較的単純で一様な流れを形成する。
図2は、本発明の第2の実施の形態に係るマイクロ波プラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。本マイクロ波プラズマ処理装置1aは、真空室2aと、真空室2a内側の上壁面に固定され、貫通孔3を有するアンテナ4aと、アンテナ4aに対向して配置されたステージ5aと、一端がアンテナ4aの貫通孔3に接続され、側壁に開口部6を有する筒部7と、筒部7の他端に配置された窓部8と、放射温度計9とを備えている。ステージ5aの上には基板Sが搭載されている。
図3は、本発明の第3の実施の形態に係るマイクロ波プラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。(a)は縦断面図、(b)はB−B線に沿った水平断面図であり、(b)においては一部の構成要素のみ示している。
4cとステージ5bとの間隙を放射状に流れ、下方に排気される。従って、原料ガスは、局所的な環状の流れや乱流を形成することなく、全体として比較的単純で一様な流れを形成する。
数2.45GHzのマイクロ波を供給し、アンテナとステージとの間に扁平なプラズマを形成した。そして、窓から基板表面の温度を直接観測しながら、マイクロ波電力および原料ガス圧を調節し、基板上に良好なダイヤモンドを形成することができた。
2、2a、2b 真空室
3 貫通孔
4、4a、4b、4c アンテナ
5、5a、5b ステージ
6 開口部
7 筒部
8 窓部
9 放射温度計
Claims (9)
- 導電性材料で形成された真空室と、
該真空室内側の上壁面に固定され、貫通孔を有し、導電性材料で形成された第1アンテナと、
該第1アンテナに対向して配置され、基板を搭載可能なステージとを備え、
前記貫通孔の一端が前記真空室の外部に接続され、
前記貫通孔の他端が、前記第1アンテナの前記ステージに対向する面に位置し、
プラズマ用の原料ガスが、前記貫通孔の前記一端から前記他端を通って前記第1アンテナおよび前記ステージの間隙に供給され、
マイクロ波が前記真空室の外部から供給され、前記第1アンテナおよび前記ステージの前記間隙にプラズマを発生させ、
前記貫通孔を介して、前記ステージに搭載された基板の表面を観察可能であることを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。 - 前記ステージの外側壁および前記真空室の内側壁が、前記マイクロ波の導波路を形成し、
前記マイクロ波が、該導波路の下方から供給されることを特徴とする請求項1に記載のマイクロ波プラズマ処理装置。 - 前記ステージの外側壁および前記真空室の内側壁が、それぞれ円筒形であり、円筒軸が相互に一致するように配置され、
前記貫通孔の前記他端が、前記ステージの円筒軸上に形成されていることを特徴とする請求項2に記載のマイクロ波プラズマ処理装置。 - 前記第1アンテナの外側壁および前記真空室の内側壁が、前記マイクロ波の導波路を形成し、
前記マイクロ波が、該導波路の上方から供給されることを特徴とする請求項1に記載のマイクロ波プラズマ処理装置。 - 前記アンテナの外側壁および前記真空室の内側壁が、それぞれ円筒形に形成され、円筒軸が相互に一致するように配置され、
前記貫通孔の前記他端が、前記第1アンテナの円筒軸上に形成されていることを特徴とする請求項4に記載のマイクロ波プラズマ処理装置。 - 真空室内側の上壁面から所定距離だけ離隔して配置され、導電性材料で形成された第2アンテナをさらに備え、
前記第2アンテナが前記第1アンテナの外側に配置され、
前記第1アンテナの外側壁および前記第2アンテナの内側壁と、前記第2アンテナの外側壁および前記真空室の内側壁とが、それぞれ前記マイクロ波の導波路を形成することを特徴とする請求項4または5に記載のマイクロ波プラズマ処理装置。 - 前記第1アンテナの外側壁、前記第2アンテナの内側壁、前記第2アンテナの外側壁、および前記真空室の内側壁が、それぞれ円筒形であり、円筒軸が相互に一致するように配置されていることを特徴とする請求項6に記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
- 前記第1アンテナと前記ステージとの間隔が、前記マイクロ波の自由空間波長の1/10以下であることを特徴とする請求項1〜7の何れか1項に記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
- 前記貫通孔の内径が、前記マイクロ波の自由空間波長の1/10以下であることを特徴とする請求項1〜8の何れか1項に記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007078205A JP5071927B2 (ja) | 2007-03-26 | 2007-03-26 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007078205A JP5071927B2 (ja) | 2007-03-26 | 2007-03-26 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008240010A true JP2008240010A (ja) | 2008-10-09 |
JP5071927B2 JP5071927B2 (ja) | 2012-11-14 |
Family
ID=39911697
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007078205A Expired - Fee Related JP5071927B2 (ja) | 2007-03-26 | 2007-03-26 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5071927B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012054132A (ja) * | 2010-09-02 | 2012-03-15 | Panasonic Corp | プラズマ処理装置及び方法 |
KR20150012190A (ko) * | 2013-07-24 | 2015-02-03 | 파나소닉 주식회사 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01139768A (ja) * | 1987-11-26 | 1989-06-01 | Nec Corp | 気相成長装置 |
JPH06267870A (ja) * | 1993-03-16 | 1994-09-22 | Canon Inc | 堆積膜形成方法および装置 |
JPH07135094A (ja) * | 1993-11-11 | 1995-05-23 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | マイクロ波誘導プラズマへの原料供給方法及び装置 |
JPH0963793A (ja) * | 1995-08-25 | 1997-03-07 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH09232297A (ja) * | 1996-02-23 | 1997-09-05 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
JPH11273895A (ja) * | 1998-03-24 | 1999-10-08 | Micro Denshi Kk | マイクロ波を利用したプラズマ発生装置 |
JPH11329792A (ja) * | 1998-12-17 | 1999-11-30 | Canon Inc | マイクロ波供給器 |
JP2004060037A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Kobe Steel Ltd | ダイヤモンドの製造方法及びダイヤモンド製品 |
JP2007280877A (ja) * | 2006-04-11 | 2007-10-25 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | マイクロ波プラズマ処理装置 |
-
2007
- 2007-03-26 JP JP2007078205A patent/JP5071927B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01139768A (ja) * | 1987-11-26 | 1989-06-01 | Nec Corp | 気相成長装置 |
JPH06267870A (ja) * | 1993-03-16 | 1994-09-22 | Canon Inc | 堆積膜形成方法および装置 |
JPH07135094A (ja) * | 1993-11-11 | 1995-05-23 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | マイクロ波誘導プラズマへの原料供給方法及び装置 |
JPH0963793A (ja) * | 1995-08-25 | 1997-03-07 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH09232297A (ja) * | 1996-02-23 | 1997-09-05 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
JPH11273895A (ja) * | 1998-03-24 | 1999-10-08 | Micro Denshi Kk | マイクロ波を利用したプラズマ発生装置 |
JPH11329792A (ja) * | 1998-12-17 | 1999-11-30 | Canon Inc | マイクロ波供給器 |
JP2004060037A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Kobe Steel Ltd | ダイヤモンドの製造方法及びダイヤモンド製品 |
JP2007280877A (ja) * | 2006-04-11 | 2007-10-25 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012054132A (ja) * | 2010-09-02 | 2012-03-15 | Panasonic Corp | プラズマ処理装置及び方法 |
KR20150012190A (ko) * | 2013-07-24 | 2015-02-03 | 파나소닉 주식회사 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
KR101586907B1 (ko) | 2013-07-24 | 2016-01-19 | 파나소닉 주식회사 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5071927B2 (ja) | 2012-11-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5082229B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR101012910B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 그것에 이용하는 기판 가열 기구 | |
JP5631088B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
US9909215B2 (en) | Method of CVD plasma processing with a toroidal plasma processing apparatus | |
JP4852997B2 (ja) | マイクロ波導入装置及びプラズマ処理装置 | |
CN101410549A (zh) | 微波等离子体cvd系统 | |
EP1681705A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
KR20090127219A (ko) | 마이크로파 플라즈마 처리 장치 | |
JP5071927B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
US10704161B2 (en) | Toroidal plasma processing apparatus with a shaped workpiece holder | |
CN114438473A (zh) | 一种高功率微波等离子体金刚石膜沉积装置 | |
JP2008251660A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2016113303A (ja) | マイクロ波プラズマcvd法によるダイヤモンド薄膜の合成方法 | |
JP2021026855A (ja) | プラズマ処理装置及び制御方法 | |
JP2007266595A (ja) | プラズマ処理装置及びそれに用いる基板加熱機構 | |
JPWO2016104205A1 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
Li et al. | Simulation of diamond synthesis by microwave plasma chemical vapor deposition with multiple substrates in a substrate holder | |
JPH11135442A (ja) | 堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法 | |
JP7304280B2 (ja) | ダイヤモンド合成用cvd装置 | |
JP2016153515A (ja) | マイクロ波プラズマcvd装置 | |
TWI388245B (zh) | Plasma processing device | |
JP2015018686A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置、スロットアンテナ及び半導体装置 | |
JPH0463284A (ja) | マイクロ波プラズマcvd装置 | |
JP2007258570A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2008251838A (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090910 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110815 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110927 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111128 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120814 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120815 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5071927 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150831 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |