JP2016153515A - マイクロ波プラズマcvd装置 - Google Patents
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Abstract
Description
前記反応室は、水平面内において前記中心軸線周り対称に設けられた複数のガス導入口と、前記複数のガス導入口より下方の位置に設置され且つ前記中心軸線を通る中央区域内に基板ホルダを水平支持するホルダ支持台と、前記複数のガス導入口同士を水平面内において連ねてなる形状線よりも内側の位置で前記基板ホルダを取り囲むと共に、水平面上において前記中心軸線周り対称に設けられたガス排気口と、を備えることを特徴とする。
11:マイクロ波導入管
12:マイクロ波導出管
13:モード変換アンテナ
131:アンテナ収納管
2:反応室
21:内側張り出し部
3:基板ホルダ
4:ホルダ支持台
5:ガス排気用通路
5a:別のガス排気用通路
6:接触平面
7:隔離窓
8:仕切り板
2b:ガス導入口
51 ガス排気口
Claims (11)
- 下部開口から中心軸線周り対称にマイクロ波を垂直下方に伝播するマイクロ波導波管と、
上部開口を有しこの上部開口が前記マイクロ波導波管の前記下部開口に接続され、且つ、該マイクロ波導波管から前記マイクロ波が導入され、且つ、内部が減圧される反応室と、
前記マイクロ波導波管と前記反応室との間に介装されて前記マイクロ波導波管と前記反応室とを圧力的に分離し、且つ、前記マイクロ波を透過できる隔離窓と、
を備えたマイクロ波プラズマCVD装置であって、
前記反応室は、
水平面内において前記中心軸線周り対称に設けられた複数のガス導入口と、
前記複数のガス導入口より下方の位置に設置され且つ前記中心軸線を通る中央区域内に基板ホルダを水平支持するホルダ支持台と、
前記複数のガス導入口同士を水平面内において連ねてなる形状線よりも内側の位置で前記基板ホルダを取り囲むと共に、水平面上において前記中心軸線周り対称に設けられたガス排気口と、
を備えることを特徴とするマイクロ波プラズマCVD装置。 - 前記ガス排気口は、水平面上において前記中心軸線周り対称に等間隔に離間して設けられた複数のガス排気口からなる、ことを特徴とする請求項1に記載のマイクロ波プラズマCVD装置。
- 前記ホルダ支持台は、複数のガス排気用通路を有し、前記複数のガス排気用通路それぞれの上部開口が、前記ガス排気口となっている、ことを特徴とする請求項2に記載のマイクロ波プラズマCVD装置。
- 前記ガス排気用通路は、前記ホルダ支持台を垂直に貫通するスルーホールからなる、ことを特徴とする請求項3に記載のマイクロ波プラズマCVD装置。
- 前記ガス排気用通路は、下方に向けて前記ホルダ支持台の底面に達し、該底面を貫通して前記反応室外に臨んでいる、ことを特徴とする請求項4に記載のマイクロ波プラズマCVD装置。
- 前記ガス排気口は、水平面上において前記中心軸線を中心とする環状のガス排気口からなる、ことを特徴とする請求項1に記載のマイクロ波プラズマCVD装置。
- 前記反応室の内側壁の一部に半径方向内側へ張り出す内側張り出し部が設けられ、前記内側張り出し部の上面は、前記ホルダ支持台の上面の高さと同じであり、前記内側張り出し部の内側壁と前記ホルダ支持台の外側壁との間に環状の隙間があり、前記環状の隙間は、前記環状のガス排気用通路を形成する、ことを特徴とする請求項6に記載のマイクロ波プラズマCVD装置。
- 前記ホルダ支持台の外側壁と前記反応室の内側壁との間に隙間があり、前記隙間は、前記ガス排気用通路とは別のガス排気用通路を形成している、ことを特徴とする請求項1ないし7のいずれかに記載のマイクロ波プラズマCVD装置。
- 前記ガス排気用通路は、アーチの形で半径方向外側に向けて前記隙間にまで開通している、ことを特徴とする請求項8に記載のマイクロ波プラズマCVD装置。
- 前記別のガス排気用通路は、仕切り板によって閉塞されている、ことを特徴とする請求項8または9に記載のマイクロ波プラズマCVD装置。
- 前記隙間は、前記中心軸線を環状中心とする環状隙間である、ことを特徴とする請求項8ないし10のいずれかに記載のマイクロ波プラズマCVD装置。
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