JP2008239892A - 原料ガス精製方法及びシステム - Google Patents

Abstract

【課題】例えばコークス炉ガス等の常法により精製された原料ガス中に低濃度に残留する低級炭化水素を効率的に除去することができる原料ガス精製方法及びシステムを提供する。
【解決手段】常法により精製された主成分としてメタン、一酸化炭素、二酸化炭素、水素を含有する原料ガス１１中に残留する低濃度の低級炭化水素を除去する原料ガス高度精製装置１２と、該原料ガス高度精製装置１２で精製された高度精製ガス１３中に存在する硫黄化合物の脱硫を行う脱硫装置１４とを具備する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、例えばコークス炉ガス等の原料ガスを常法により精製した後に、さらに残留する低級炭化水素を除去し、原料ガス中の硫黄化合物の脱硫を行う脱硫工程の延命化を図ることができる原料ガス精製方法及びシステムに関するものである。

現状における例えばメタノールプラント等のプロセスはＣＨ4が主成分の天然ガスを原料としている。近年、原料ソースの重質化（重油、タール）により、石炭、石油、バイオマス等を起源とするガスの利用が高まっている。

ところで、現状の天然ガスプロセスを基本として、前記石炭、石油、バイオマス等を起源とするガスから例えばメタノール合成プラントを建設するとなると、以下のような問題がある。

石炭、石油、バイオマス等を起源とするガスには含まれ、天然ガスに含まれない低級炭化水素の存在により、温度３５０℃以上となると、原料ガス配管、脱硫器、改質器等の設備において炭素（Ｃ）析出によるいわゆるコーキング現象が発生する。
このコーキングの発生により配管等の閉塞や脱硫器・改質器の触媒の劣化が発生し、プラント運転が維持できないような場合も発生するおそれがある。

ところで、従来より石炭を乾留してコークスを製造する際に副生するコークス炉ガス（ＣＯＧ）は都市ガス等の燃料や化学合成用の原料として使用されており、未精製のコークス炉ガスは不純物（Ｈ2Ｓ、ＣＯＳ、芳香族炭化水素、タール、ダスト等）を除去するために常法による精製がなされている（例えば特許文献１参照）。

特開２０００−２４８２８６号公報

しかしながら、一般的な常法の精製により得られる原料ガスは、低級炭化水素が未だ低濃度で残留しているので、前述したように、天然ガスの設備に実際に適用するには、やはりプラント内でのコーキング現象を防止するため、低級炭化水素を完全に除去する必要がある。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その課題は、例えばコークス炉ガス等の常法により精製された原料ガス中に低濃度に残留する低級炭化水素を効率的に除去し、原料ガス中の硫黄化合物の脱硫を行う脱硫工程の延命化を図ることができる原料ガス精製方法及びシステムを提供することにある。

上記課題を解決するための本発明の第１の発明は、主成分として炭化水素を含有する原料ガス中の不純物を除去する精製工程と、前記原料ガス中に残留する低濃度の低級炭化水素を、水素添加触媒により除去する低級炭化水素除去工程と、前記原料ガス中の硫黄化合物の脱硫を行なう脱硫工程とを有することを特徴とする原料ガス精製方法にある。

第２の発明は、主成分として炭化水素を含有する原料ガス中の不純物を除去する精製工程と、前記原料ガスを吸収液と接触させ、前記原料ガス中に残留する低濃度の低級炭化水素を吸収除去する低級炭化水素吸収・除去工程と、前記原料ガス中の硫黄化合物の脱硫を行なう脱硫工程とを有することを特徴とする原料ガス精製方法にある。

第３の発明は、主成分として炭化水素を含有する原料ガス中の不純物を除去する精製工程と、前記原料ガスを吸着剤と接触させ、前記原料ガス中に残留する低濃度の低級炭化水素を吸着除去する低級炭化水素吸着・除去工程と、前記原料ガス中の硫黄化合物の脱硫を行なう脱硫工程とを有することを特徴とする原料ガス精製方法にある。

第４の発明は、主成分として炭化水素を含有する原料ガス中の不純物を除去する精製工程と、前記原料ガスを冷却又は昇圧のいずれか一方又は両方の操作を行い、前記原料ガス中に残留する低濃度の低級炭化水素を凝縮除去する低級炭化水素凝縮・除去工程と、前記原料ガス中の硫黄化合物の脱硫を行なう脱硫工程とを有することを特徴とする原料ガス精製方法にある。

第５の発明は、第１乃至４のいずれか一つの発明において、残留する低級炭化水素の濃度を１．５ｖｏｌ％以下とすることを特徴とする原料ガス精製方法にある。

第６の発明は、主成分として炭化水素を含有する原料ガス中の不純物を除去する精製工程と、原料ガスに水素を添加して水素濃度を６０％以上とする水素添加工程と、前記原料ガス中の硫黄化合物の脱硫を行なう脱硫工程とを有することを特徴とする原料ガス精製方法にある。

第７の発明は、主成分として炭化水素を含有する原料ガス中の硫黄化合物の脱硫を行なう脱硫工程において、前記原料ガスの流速を１ｍ／ｓ以上にし、且つ脱硫工程の温度を３５０℃以下にすることを特徴とする原料ガス精製方法にある。

第８の発明は、第１乃至７のいずれか一つの発明において、前記炭化水素を含有する原料ガスが、コークス炉ガス、石炭ガス化ガス、高炉ガス、転炉ガス、石油コークスガス化ガス又はバイオマス起源ガスのいずれか一つ又はこれらの組合せであることを特徴とする原料ガス精製方法にある。

第９の発明は、主成分として炭化水素を含有する原料ガス中の不純物を除去する精製装置と、前記原料ガス中に残留する低濃度の低級炭化水素を、水素添加触媒により除去する低級炭化水素除去装置と、前記原料ガス中の硫黄化合物の脱硫を行なう脱硫装置とを有することを特徴とする原料ガス精製システムにある。

第１０の発明は、主成分として炭化水素を含有する原料ガス中の不純物を除去する精製装置と、前記原料ガスを吸収液と接触させ、前記原料ガス中に残留する低濃度の低級炭化水素を吸収除去する低級炭化水素吸収・除去装置と、前記原料ガス中の硫黄化合物の脱硫を行なう脱硫装置とを有することを特徴とする原料ガス精製システムにある。

第１１の発明は、主成分として炭化水素を含有する原料ガス中の不純物を除去する精製装置と、前記原料ガスを吸着剤と接触させ、前記原料ガス中に残留する低濃度の低級炭化水素を吸着除去する低級炭化水素吸着・除去装置と、前記原料ガス中の硫黄化合物の脱硫を行なう脱硫装置とを有することを特徴とする原料ガス精製システムにある。

第１２の発明は、主成分として炭化水素を含有する原料ガス中の不純物を除去する精製装置と、前記原料ガスを冷却又は昇圧のいずれか一方又は両方の操作を行い、前記原料ガス中に残留する低濃度の低級炭化水素を凝縮除去する低級炭化水素凝縮・除去装置と、前記原料ガス中の硫黄化合物の脱硫を行なう脱硫装置とを有することを特徴とする原料ガス精製システムにある。

第１３の発明は、第９乃至１２のいずれか一つの発明において、残留する低級炭化水素の濃度を１．５ｖｏｌ％以下とすることを特徴とする原料ガス精製システムにある。

第１４の発明は、主成分として炭化水素を含有する原料ガス中の不純物を除去する精製装置と、原料ガスに水素を添加して水素濃度を６０％以上とする水素添加装置と、前記原料ガス中の硫黄化合物の脱硫を行なう脱硫装置とを有することを特徴とする原料ガス精製システムにある。

第１５の発明は、主成分として炭化水素を含有する原料ガス中の硫黄化合物の脱硫を行なう脱硫装置において、前記原料ガスの流速を１ｍ／ｓ以上にし、且つ脱硫装置の温度を３５０℃以下にすることを特徴とする原料ガス精製システムにある。

第１６の発明は、第９乃至１５のいずれか一つの発明において、前記炭化水素を含有する原料ガスが、コークス炉ガス、石炭ガス化ガス、高炉ガス、転炉ガス、石油コークスガス化ガス、バイオマス起源ガスのいずれか一つ又はこれらの組合せであることを特徴とする原料ガス精製システムにある。

前記構成の本発明によれば、常法により精製された原料ガス中に残留している低級炭化水素を除去することで、原料ガス配管等におけるコーキングの発生を抑制することができる。この結果、システムの運転時間の延命化を図ることができる。

以下、この発明につき図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。また、下記実施の形態における構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、あるいは実質的に同一のものが含まれる。

［第１の発明の実施の形態］
本発明による第１の実施の形態に係る原料ガスの精製方法について、図面を参照して説明する。図１は、実施例に係る原料ガス高度精製システムを示す概念図である。図１に示すように、本実施例に係る原料ガス高度精製システム１０は、常法により精製された主成分としてメタン、一酸化炭素、二酸化炭素、水素を含有する原料ガス１１中に残留する低濃度の低級炭化水素を除去する原料ガス高度精製装置１２と、該原料ガス高度精製装置１２で精製された高度精製ガス１３中に存在する硫黄化合物の脱硫を行なう脱硫装置１４とを具備するものである。なお、符号１５は硫黄化合物が除去された精製ガス（除；硫黄化合物）を図示する。

ここで、本発明で前記原料ガス１１としては、コークス炉ガス、石炭ガス化ガス、高炉ガス、転炉ガス、石油コークスガス化ガス、バイオマス起源ガスのいずれか一つのいずれか一つ又はこれらの組合せを挙げることができる。

また、前記原料ガス１１中に残留する低濃度の低級炭化水素としては、例えばＣ2以上のオレフィン及びパラフィン（例えばエタン、プロパン、ブタン、エチレン、プロピレン、１−ブテン、２−ブテン、イソブチレン、アセチレン等）を挙げることができる。

また前記原料ガス１１中に残留する低濃度の低級炭化水素の濃度は、特に限定されるものではないが、本発明の原料ガス高度精製装置１２により、高度精製ガス（除：低級炭化水素）１３を得ることができ、その処理後の出口濃度が１．５ ｖｏｌ％以下、好ましくは０．５ｖｏｌ％、更に好ましくは１００ｐｐｍ以下とすることにより、原料ガスが供給される配管中及び脱硫装置１４においてコーキングの発生を防止することができるものとなる。

前記原料ガス高度精製装置１２としては、１）水素添加・分解触媒により前記低級炭化水素を飽和炭化水素やメタンに水素化もしくは分解する低級炭化水素除去装置、２）前記低級炭化水素を吸収除去する低級炭化水素吸収・除去装置、３）前記低級炭化水素を吸着除去する低級炭化水素吸着・除去装置、４）前記低級炭化水素を凝縮除去する低級炭化水素凝縮・除去装置、５）原料ガスに水素を添加して水素濃度を６０％以上とする水素添加装置のいずれか一つの化学的な処理装置又はこれらの組合せからなる装置である。

ここで、１）低級炭化水素除去装置は、公知の水素添加・分解触媒を充填したものであり、この水素添加・分解触媒により、原料ガス１１中に残留する低級炭化水素を飽和炭化水素やメタンに水素化もしくは分解するものである。
ここで、前記水素添加・分解触媒は、低温用（４０〜３５０℃）の触媒を用いることが好ましい。

低温で使用可能な水素添加・分解触媒としては、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ等を活性金属として含有する触媒が好ましく、例えばズードケミー株式会社製の商品名「Ｇ−６８」、「ＳＣ１３」、「ＳＣ５３」、「Ｇ７４」、「Ｇ７５」等が挙げられる。
しかしながら、原料ガス中の硫黄化合物による触媒被毒の影響を考慮すると、耐硫黄被毒性の高いＰｄ系触媒が特に好ましい。また、運転条件としては、該触媒を低級炭化水素除去装置に充填し、原料ガス１１を４０〜３５０℃、ＧＨＳＶ＝１５０〜３００００、０．３〜１０．０ＭＰａＧで供給することで、低級炭化水素除去装置の出口において、原料ガス１１中のオレフィン及びパラフィンの濃度を１．５ ｖｏｌ％以下とすることができる。

前記２）の前記低級炭化水素を吸収除去する低級炭化水素吸収・除去装置は、吸収液として、例えば灯油、軽油、重油、粗成ベンゼン、石炭系洗浄油等を用いて、例えばスクラバ法、充填層法、トレイ法により、気液接触させて、原料ガス１１中に低濃度に残留する低級炭化水素を吸収・除去するようにしている。

また、処理温度は１０〜７０℃の範囲とするのが好ましい。
これは、前記吸収液における吸収温度は、その温度が低ければ低い方が高い吸収効率を得られるが、原料ガス１１中に低濃度に残留する芳香族化合物の凝固の問題から、１０℃以上とするのが望ましいからである。また、７０℃以上とする場合には、吸収液からのベーパーライズのため、逆に入口よりも出口芳香族濃度が上昇する場合があり、好ましくないからである。

また、前記低級炭化水素吸収・除去装置の吸収圧力は０．３〜１．５ ＭＰａＧとするのが好ましい。なお、圧力は高ければ高い方が良い。
ここで、Ｌ（液体）／Ｇ（ガス）比は、０．２〜０．５ ｋｇ／ｋｇとするのが好ましい。これは、Ｌ／Ｇ比をあまり高くしすぎても、Ｌ／Ｇ＝０．５付近でほとんどガス中の低級炭化水素の吸収効率はそれ以上向上しないからである。

前記３）の前記低級炭化水素を吸着除去する低級炭化水素吸着・除去装置は、吸着剤として例えばシリカゲルや活性炭等を用いるのが好ましい。通常、予備器を含めて吸着塔を２塔用意し、４５〜６０分で吸着塔を切替えるのが好ましい。
また、吸着塔の運転温度は、１０〜１００℃、圧力は１〜５ＭＰａＧとするのが好ましい。低級炭化水素を吸着して劣化した吸着剤は、１５０〜２５０℃の温度、０〜１ＭＰａＧの圧力で低級炭化水素を脱着して再生するのが好ましい。また、公知の手法を利用して除去することも可能である。

前記４）の前記低級炭化水素を凝縮除去する低級炭化水素凝縮・除去装置は、常法により精製された原料ガス１１を０℃以下に冷却する操作、又は５ＭＰａＧ以上に昇圧する操作のいずれか一方又は両方を行うことで、原料ガス１１中の低級炭化水素を除去できる。原料ガス１１の冷却又は／及び昇圧はバッファとなる容器内で行い、その容器内部で凝縮した低級炭化水素を除去する。

前記５）の原料ガスに水素を添加して水素濃度を６０％以上とする水素添加装置は、例えば水素ボンベ等の水素源供給装置から水素を原料ガス１１中に注入し、そのＨ2濃度を６０％以上とすることで、平衡上Ｃ2〜Ｃ4の分解温度を高めるようにし、原料ガス１１が流通する配管内におけるコーキングを抑制するようにしている。

運転条件としては、原料ガスの温度を２５０〜３５０℃とし、圧力１〜２ＭＰａＧ程度とする。水素添加装置を用いて原料ガス１１中に例えば水素ボンベから水素を供給し、Ｈ2濃度を６０％以上とすれば原料ガス精製システムのシステム寿命に影響を与えないものとなる。
また、好ましくは７０％以上とすれば、Ｃ析出量をさらに１０〜４０％削減でき、さらに好ましくは８０％以上とすれば、コーキングの発生を４０％以上に削減できる。なお、Ｈ2濃度を９０％以上とすれば、Ｃ析出を完全に抑制できるが、Ｈ₂添加量が原料ガス量に対して３倍以上になるため、経済的に好ましくない。

［第２の発明の実施の形態］
本実施形態は低級炭化水素を化学的に除去するものではなく、原料ガスを極力配管内に滞留させないようにして、コーキングの発生を抑制するようにしたものである。

先ず、原料ガスのガス流速を調節することによるコーキングを抑制する手段として、原料ガス１１のガス流速を１ｍ／ｓ以上とすると共に、３５０℃以下、圧力を１ＭＰａＧ以下とすることにより、原料ガスが流通する配管設備内におけるコーキングの発生を抑制することができる。
また配管レイアウトにおいて、原料ガスの滞留部を作らないようにすることで、配管内部でのコーキング発生を抑制することが可能である。

［比較例］
図２−１及び図２−２は第２の実施形態に係る第１のガス供給管のレイアウトの概略図である。図２−１は、立上げ時の際の配管のレイアウト図であり、図２−２は通常の際の配管のレイアウト図である。
図２−１に示すように、第１のガス供給管３１−１には第１のヒータ３２−１が設けられ、原料ガス１１を所定の温度に保持するようにしており、第１のバルブ３３−１が介装されている。第１のバルブ３３−１の手前に分岐点Ｘが設けられ、ここから第２のガス供給管３１−２が脱硫装置１４に連結されている。そして、分岐点Ｘから分岐された第２のガス供給管３１−２には第２のヒータ３２−２が設けられ原料ガス１１を所定の温度に保持するようにしており、第２のバルブ３３−２が介装されている。

ここで、原料ガスを脱硫する際の立上げ時においては、第２のバルブ３３−２を閉とし、第１のバルブ３３−１を開として、原料ガス１１を脱硫装置１４へは供給させないようにする。この場合には分岐点Ｘから第２のバルブ３１−２間で原料ガスが滞留する。
その後、所定の脱硫温度に達したら、図２−２に示すように、第２のバルブ３３−２を開とし、次いで第１のバルブ３３−１を閉とする。
この通常運転時には、第２のバルブ３３−２を開とし、第１のバルブ３３−１を閉としているので、分岐点Ｘから第１のバルブ３３−１の間で原料ガス１１が滞留する。

この配管レイアウトでシステム寿命は１００時間以上であった。
なお、Ｃ析出量としては０．００７ ｇ／ｈ以上であった。

［実施例］
前記低級炭化水素によるコーキング抑制の対応策として、ガス流速１ｍ／ｓ以上、ガス滞留部を作らない配管レイアウトを施し、システム寿命に対する効果を確認した。
図３−１及び図３−２に第２の配管のレイアウトを示す。
図３−１に示すように、第１のガス供給管３１−１には第１のヒータ３２−１が設けられ、原料ガス１１を所定の温度に保持するようにしており、第１のバルブ３３−１が介装されている。第１のバルブ３３−１の手前に分岐点Ｘが設けられ、ここから第２のガス供給管３１−２が脱硫装置１４に連結されている。そして、分岐点Ｘから分岐された第２のガス供給管３１−２には第２のヒータ３２−２の手前側に第２のバルブ３３−２が介装されている。

よって、図２−１及び図２−２に示す場合の第１の配管レイアウトよりも、第１のバルブ３３−１及び第２のバルブ３３−２が分岐点Ｘ側にあるので、原料ガス１１の滞留容積が少なくなり、コーキングを更に抑制することができた。

この配管レイアウトでシステム寿命を３０００時間以上とすることができた。
なお、Ｃ析出量としては０．００３５ ｇ／ｈ以下であった。

［第３の発明の実施の形態］
次に、コークス炉からのコークス炉ガスからの未精製コークス炉ガスを用いて、メタノールを合成する場合について説明する。図４は、コークス炉ガスを用いたメタノールを合成システムの概略図である。
図４に示すように、本実施例に係るコークス炉ガスを用いたメタノール合成システム２０は、コークス炉２１を用いて、乾留により石炭から未精製コークス炉ガス２２を得るコークス炉２１と、常法に従って、脱硫、脱タール、脱アンモニア、脱油処理を処理して原料ガス１１を得るコークス炉ガス精製装置２３と、前述した原料ガス１１中に残留する低級炭化水素を除去し、高度精製ガス１３とする原料ガス高度精製装置１２と、前記高度精製ガス１３中に残留する硫黄化合物を除去する脱硫装置１４と、脱硫後の精製ガス（除：硫黄化合物）１５を改質してＣＯ2、ＣＯ及び水素を生成する改質装置２４と、改質ガス２５を用いてメタノール２６を合成するメタノール合成装置２７とを具備するものである。

本発明の原料ガス１１中に残留する低級炭化水素を高度に除去する原料ガス高度精製装置１２を用いるので、原料ガス１１中に残留する低級炭化水素が除去された高度精製ガス（除：低級炭化水素）を得ることができ、この結果脱硫装置１４及び配管設備におけるコーキングが防止される結果、メタノール合成システムのシステム寿命が３０００時間以上を確保することができる。

なお、本実施例では、高度精製ガスをメタノールの製造に適用したが、本発明はこれに限定されるものではなく、メタノールの製造以外に、例えばＤＭＥ（ジメチルエーテル）、ガソリン等のＣ１化学において適宜用いることができる。

以上説明したように、本発明によれば、原料ガス中に残留する低級炭化水素を高度に除去することにより、脱硫装置及び配管設備におけるコーキングが防止され、システム寿命の向上を図ることができる。

第１の実施の形態に係る原料ガス高度精製システムを示す概念図である。 第２の実施形態に係る第１のガス供給管の立上げ時のレイアウトの概略図である。 第２の実施形態に係る第１のガス供給管の通常時のレイアウトの概略図である。 第２の実施形態に係る第２のガス供給管の立上げ時のレイアウトの概略図である。 第２の実施形態に係る第２のガス供給管の通常時のレイアウトの概略図である。 第３の実施の形態本発明に係るコークス炉ガスを用いたメタノールを合成システムの概略図である。

符号の説明

１０ 原料ガス高度精製システム
１１ 原料ガス
１２ 原料ガス高度精製装置
１３ 高度精製ガス（除：低級炭化水素）
１４ 脱硫装置
１５ 精製ガス（除：硫黄化合物）

Claims (16)

1. 主成分として炭化水素を含有する原料ガス中の不純物を除去する精製工程と、
   前記原料ガス中に残留する低濃度の低級炭化水素を、水素添加触媒により除去する低級炭化水素除去工程と、
   前記原料ガス中の硫黄化合物の脱硫を行なう脱硫工程とを有することを特徴とする原料ガス精製方法。
2. 主成分として炭化水素を含有する原料ガス中の不純物を除去する精製工程と、
   前記原料ガスを吸収液と接触させ、前記原料ガス中に残留する低濃度の低級炭化水素を吸収除去する低級炭化水素吸収・除去工程と、
   前記原料ガス中の硫黄化合物の脱硫を行なう脱硫工程とを有することを特徴とする原料ガス精製方法。
3. 主成分として炭化水素を含有する原料ガス中の不純物を除去する精製工程と、
   前記原料ガスを吸着剤と接触させ、前記原料ガス中に残留する低濃度の低級炭化水素を吸着除去する低級炭化水素吸着・除去工程と、
   前記原料ガス中の硫黄化合物の脱硫を行なう脱硫工程とを有することを特徴とする原料ガス精製方法。
4. 主成分として炭化水素を含有する原料ガス中の不純物を除去する精製工程と、
   前記原料ガスを冷却又は昇圧のいずれか一方又は両方の操作を行い、前記原料ガス中に残留する低濃度の低級炭化水素を凝縮除去する低級炭化水素凝縮・除去工程と、
   前記原料ガス中の硫黄化合物の脱硫を行なう脱硫工程とを有することを特徴とする原料ガス精製方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか一つにおいて、
   残留する低級炭化水素の濃度を１．５ｖｏｌ％以下とすることを特徴とする原料ガス精製方法。
6. 主成分として炭化水素を含有する原料ガス中の不純物を除去する精製工程と、
   原料ガスに水素を添加して水素濃度を６０％以上とする水素添加工程と、
   前記原料ガス中の硫黄化合物の脱硫を行なう脱硫工程とを有することを特徴とする原料ガス精製方法。
7. 主成分として炭化水素を含有する原料ガス中の硫黄化合物の脱硫を行なう脱硫工程において、前記原料ガスの流速を１ｍ／ｓ以上にし、且つ脱硫工程の温度を３５０℃以下にすることを特徴とする原料ガス精製方法。
8. 請求項１乃至７のいずれか一つにおいて、
   前記炭化水素を含有する原料ガスが、コークス炉ガス、石炭ガス化ガス、高炉ガス、転炉ガス、石油コークスガス化ガス又はバイオマス起源ガスのいずれか一つ又はこれらの組合せであることを特徴とする原料ガス精製方法。
9. 主成分として炭化水素を含有する原料ガス中の不純物を除去する精製装置と、
   前記原料ガス中に残留する低濃度の低級炭化水素を、水素添加触媒により除去する低級炭化水素除去装置と、
   前記原料ガス中の硫黄化合物の脱硫を行なう脱硫装置とを有することを特徴とする原料ガス精製システム。
10. 主成分として炭化水素を含有する原料ガス中の不純物を除去する精製装置と、
    前記原料ガスを吸収液と接触させ、前記原料ガス中に残留する低濃度の低級炭化水素を吸収除去する低級炭化水素吸収・除去装置と、
    前記原料ガス中の硫黄化合物の脱硫を行なう脱硫装置とを有することを特徴とする原料ガス精製システム。
11. 主成分として炭化水素を含有する原料ガス中の不純物を除去する精製装置と、
    前記原料ガスを吸着剤と接触させ、前記原料ガス中に残留する低濃度の低級炭化水素を吸着除去する低級炭化水素吸着・除去装置と、
    前記原料ガス中の硫黄化合物の脱硫を行なう脱硫装置とを有することを特徴とする原料ガス精製システム。
12. 主成分として炭化水素を含有する原料ガス中の不純物を除去する精製装置と、
    前記原料ガスを冷却又は昇圧のいずれか一方又は両方の操作を行い、前記原料ガス中に残留する低濃度の低級炭化水素を凝縮除去する低級炭化水素凝縮・除去装置と、
    前記原料ガス中の硫黄化合物の脱硫を行なう脱硫装置とを有することを特徴とする原料ガス精製システム。
13. 請求項９乃至１２のいずれか一つにおいて、
    残留する低級炭化水素の濃度を１．５ｖｏｌ％以下とすることを特徴とする原料ガス精製システム。
14. 主成分として炭化水素を含有する原料ガス中の不純物を除去する精製装置と、
    原料ガスに水素を添加して水素濃度を６０％以上とする水素添加装置と、
    前記原料ガス中の硫黄化合物の脱硫を行なう脱硫装置とを有することを特徴とする原料ガス精製システム。
15. 主成分として炭化水素を含有する原料ガス中の硫黄化合物の脱硫を行なう脱硫装置において、前記原料ガスの流速を１ｍ／ｓ以上にし、且つ脱硫装置の温度を３５０℃以下にすることを特徴とする原料ガス精製システム。
16. 請求項９乃至１５のいずれか一つにおいて、
    前記炭化水素を含有する原料ガスが、コークス炉ガス、石炭ガス化ガス、高炉ガス、転炉ガス、石油コークスガス化ガス、バイオマス起源ガスのいずれか一つ又はこれらの組合せであることを特徴とする原料ガス精製システム。

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