JP2008236961A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】伝播されたエネルギーは電気信号の形態で入力端子に入力される。上記入力端子の上記電気信号は、整流回路で整流されて直流電圧が生成される。上記整流回路の出力端子から出力される出力電圧が所定電圧を超える上昇を制限する。上記電圧制限回路は、上記出力電圧が上記所定電圧を超えたときに基準電位点に向けて電流を流す直列接続されたダイオード形態の複数のMOSFETと、上記複数のMOSFETのうちの上記基準電位点に設けられたMOSFETと電流ミラー形態に接続され、上記出力電圧を上昇を制限する電流を上記基準電位点に流す電圧制限MOSFETとで構成される。
【選択図】図1
Description
LA,LB 入力端子(アンテナ端子)
D1〜D4,D11〜D51 ダイオード
R,R1,R2 抵抗
C1〜C4,C11〜C32 キャパシタ
M0〜M12 MOSFET
AMP 差動増幅回路
Claims (15)
- 伝播されたエネルギーが電気信号の形態で入力される入力端子と、
前記入力端子の前記電気信号を整流して直流電圧を生成する整流回路と、
所定電圧を超える前記整流回路の出力端子から出力される出力電圧の上昇を制限する電圧制限回路とを有し、
前記電圧制限回路は、
前記出力電圧が前記所定電圧を超えたときに基準電位点に向けて電流が流れるようにされ、直列接続されたダイオード形態の複数のMOSFETと、
前記ダイオード形態の複数のMOSFETのうちの前記基準電位点に設けられたMOSFETと電流ミラー形態に接続され、前記出力電圧の上昇を制限する電流を前記基準電位点に流す電圧制限MOSFETとを有することを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1記載の半導体集積回路装置において、
前記電圧制限MOSFETと、電流ミラー形態にされたダイオード形態の前記MOSFETとは、前記ダイオード形態のMOSFETよりも前記電圧制限MOSFETに大きな電流が流れるよう素子サイズ比が設定されることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項2記載の半導体集積回路装置において、
前記電流ミラー形態にされたダイオード形態のMOSFETは、前記MOSFETと直列形態に接続される他のダイオード形態のMOSFETに比べて素子サイズが小さく形成されることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項3記載の半導体集積回路装置において、
前記整流回路で形成された前記直流電圧を伝える抵抗手段と、
前記抵抗手段を介して前記直流電圧より小さな安定化電圧を形成する電圧安定化回路と、
前記電圧安定化回路で形成された安定化電圧で動作する内部回路と、
前記内部回路と並列形態に設けられた容量手段とをさらに有し、
前記電圧安定化回路は、
前記内部回路と並列形態に設けられたMOSFETと、
基準電圧と前記安定化電圧の分圧電圧とを比較して前記MOSFETのゲート電圧を形成する差動増幅回路とを有し、
前記MOSFETに流れる電流を制御して前記抵抗手段における電圧降下分が前記安定化電圧の規定電圧内となるように制御することを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項4記載の半導体集積回路装置において、
前記伝播されたエネルギーは、受信信号成分に対応して間欠的に入力される電磁波であることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項5記載の半導体集積回路装置において、
前記整流回路は、
前記電気信号の電圧に対して昇圧された整流電圧を形成するチャージポンプ回路であることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項6記載の半導体集積回路装置において、
前記直列接続された複数のダイオード形態のMOSFETは、前記チャージポンプ回路の出力端子と回路の基準電位点との間に設けられ、
前記電圧制限MOSFETのドレインは、前記チャージポンプ回路の出力端子に接続されることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項6記載の半導体集積回路装置において、
前記直列接続された複数のダイオード形態のMOSFETは、前記チャージポンプ回路の出力端子と回路の基準電位点との間に設けられ、
前記電圧制限MOSFETのドレインは、前記チャージポンプ回路の出力端子を除いたチャージポンプ回路における昇圧電圧を形成する回路ノードのいずれかに接続されることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項6記載の半導体集積回路装置において、
前記直列接続された複数のダイオード形態のMOSFETは、前記チャージポンプ回路における前記出力端子の出力電圧よりも低い直流電圧ノードの基準電位点との間に設けられ、
前記電圧制限MOSFETのドレインは、前記チャージポンプ回路の出力端子に接続されることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項6記載の半導体集積回路装置において、
前記直列接続された複数のダイオード形態のMOSFETは、前記チャージポンプ回路における前記出力端子の出力電圧よりも低い直流電圧ノードの基準電位点との間に設けられ、
前記電圧制限MOSFETのドレインは、前記チャージポンプ回路の出力端子を除いたチャージポンプ回路における昇圧電圧を形成する回路ノードのいずれかに接続されることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項6記載の半導体集積回路装置において、
前記チャージポンプ回路における前記出力端子の出力電圧よりも低く、チャージポンプ動作による電圧変化の無い直流電圧ノードに対してASK復調回路とASK変調用MOSFETとをさらに有する半導体集積回路装置。 - 請求項6記載の半導体集積回路装置において、
アンテナに接続される第1端子と第2端子を有し、
前記入力端子は、前記第1端子とされ、
前記第2端子は、前記基準電位点に接続されることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項6記載の半導体集積回路装置において、
アンテナに接続される第1端子と第2端子を有し、
前記入力端子は、前記第1端子と第2端子であり、
前記第1端子と前記第2端子に対応して前記チャージポンプ回路が設けられ、
前記基準電位点と前記第1端子および前記第2端子との間には、それぞれ前記第1端子および前記第2端子の電気信号に対応した電圧の全波整流動作を行う整流用ダイオードが設けられることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 伝播されたエネルギーが電気信号の形態で入力される入力端子と、
前記電気信号の電圧に対して昇圧された整流電圧を形成するチャージポンプ回路と、
前記入力端子と前記チャージポンプ回路の整流電圧を出力する出力端子との間には、前記入力端子から前記出力端子に向かう電流を流すダイオード形態のMOSFETを有することを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項14記載の半導体集積回路装置において、
所定電圧を超える前記整流回路の出力端子から出力される出力電圧の上昇を制限する電圧制限回路をさらに有し、
前記電圧制限回路は、
前記出力電圧が前記所定電圧を超えたときに基準電位点に向けて電流が流れるようにされ、直列接続されたダイオード形態の複数のMOSFETと、
前記ダイオード形態の複数のMOSFETのうちの前記基準電位点に設けられたMOSFETと電流ミラー形態に接続され、前記出力電圧の上昇を制限する電流を前記基準電位点に流す電圧制限MOSFETとを有することを特徴とする半導体集積回路装置。
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