JP2002288615A - 非接触ｉｃカード - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 受信電力が過大な場合にシャントレギュレー
タの消費電力が大きくなりＩＣチップが発熱しひいては
ＩＣチップや非接触ＩＣカードが破損する。 【解決手段】 電源線Ｌ１とシャントレギュレータ３２
０の出力端子ＯＵＴとの間に抵抗４０を設ける。これに
より、抵抗４０における消費電力Ｐｒ＝Ｒ×Ｉａ×Ｉａ
分だけシャントレギュレータ３２０における消費電力を
減らすことができ、シャントレギュレータ３２０ひいて
はＩＣチップ３０の発熱を抑制することができる。
タの消費電力が大きくなりＩＣチップが発熱しひいては
ＩＣチップや非接触ＩＣカードが破損する。 【解決手段】 電源線Ｌ１とシャントレギュレータ３２
０の出力端子ＯＵＴとの間に抵抗４０を設ける。これに
より、抵抗４０における消費電力Ｐｒ＝Ｒ×Ｉａ×Ｉａ
分だけシャントレギュレータ３２０における消費電力を
減らすことができ、シャントレギュレータ３２０ひいて
はＩＣチップ３０の発熱を抑制することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、電磁誘導により
無線通信を行う非接触ＩＣカードに関する。
無線通信を行う非接触ＩＣカードに関する。
【０００２】
【従来の技術】非接触ＩＣカードは、カード内にアンテ
ナコイル・ＩＣチップを搭載し、リーダライタと呼ばれ
る端末と無線による通信を行うことにより認証等の各種
機能を実現する。ＩＣチップを駆動する電力は、リーダ
ライタから送出される電磁波をアンテナコイルで受信す
ることにより得られる。この受信電力は、リーダライタ
と非接触ＩＣカードとの間の通信距離により変動する。
リーダライタと非接触ＩＣカードとの間の距離が近い場
合は受信電力が大きくなり、遠い場合は受信電力が小さ
くなる。
ナコイル・ＩＣチップを搭載し、リーダライタと呼ばれ
る端末と無線による通信を行うことにより認証等の各種
機能を実現する。ＩＣチップを駆動する電力は、リーダ
ライタから送出される電磁波をアンテナコイルで受信す
ることにより得られる。この受信電力は、リーダライタ
と非接触ＩＣカードとの間の通信距離により変動する。
リーダライタと非接触ＩＣカードとの間の距離が近い場
合は受信電力が大きくなり、遠い場合は受信電力が小さ
くなる。
【０００３】図８に示す非接触ＩＣカード８００では、
アンテナコイル２０は、パッドＰ１，Ｐ２を介して整流
回路３１０の入力部に接続され、整流回路３１０の出力
部から電源電圧ＶＤＤおよび基準電圧ＶＳＳが出力され
る。電源電圧ＶＤＤおよび基準電圧ＶＳＳはシャントレ
ギュレータ９１０に入力される。リーダライタから送出
される電磁波はアンテナコイル２０により受信され、受
信した交流信号は整流回路３１０により直流へ変換され
る。シャントレギュレータ９１０は、例えばリーダライ
タと非接触ＩＣカード８００との距離が近くなったとき
など受信電力が過大な場合に余分な受信電力を消費す
る。このように非接触ＩＣカード８００ではシャントレ
ギュレータ９１０を設けているため、受信電力が過大な
場合においても電源電圧ＶＤＤの過剰な上昇を抑えるこ
とができ、ＩＣチップ９０内の素子破壊を防ぐことがで
きる。なお、基準電圧ＶＳＳと電源電圧ＶＤＤとの間の
電圧をＶｄ、シャントレギュレータ９１０に流れる電流
をＩａとすると、シャントレギュレータ９１０における
消費電力Ｐ０は、Ｐ０＝Ｖｄ×Ｉａとなる。
アンテナコイル２０は、パッドＰ１，Ｐ２を介して整流
回路３１０の入力部に接続され、整流回路３１０の出力
部から電源電圧ＶＤＤおよび基準電圧ＶＳＳが出力され
る。電源電圧ＶＤＤおよび基準電圧ＶＳＳはシャントレ
ギュレータ９１０に入力される。リーダライタから送出
される電磁波はアンテナコイル２０により受信され、受
信した交流信号は整流回路３１０により直流へ変換され
る。シャントレギュレータ９１０は、例えばリーダライ
タと非接触ＩＣカード８００との距離が近くなったとき
など受信電力が過大な場合に余分な受信電力を消費す
る。このように非接触ＩＣカード８００ではシャントレ
ギュレータ９１０を設けているため、受信電力が過大な
場合においても電源電圧ＶＤＤの過剰な上昇を抑えるこ
とができ、ＩＣチップ９０内の素子破壊を防ぐことがで
きる。なお、基準電圧ＶＳＳと電源電圧ＶＤＤとの間の
電圧をＶｄ、シャントレギュレータ９１０に流れる電流
をＩａとすると、シャントレギュレータ９１０における
消費電力Ｐ０は、Ｐ０＝Ｖｄ×Ｉａとなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図８に示した非接触Ｉ
Ｃカード８００では、受信電力が過大な場合にシャント
レギュレータ９１０の消費電力が大きくなり、シャント
レギュレータ９１０ひいてはＩＣチップ９０が発熱し、
非接触ＩＣカード８００もしくはＩＣチップ９０が破損
することがある。
Ｃカード８００では、受信電力が過大な場合にシャント
レギュレータ９１０の消費電力が大きくなり、シャント
レギュレータ９１０ひいてはＩＣチップ９０が発熱し、
非接触ＩＣカード８００もしくはＩＣチップ９０が破損
することがある。
【０００５】この発明の目的は、過大な電力を受信した
ときにおいてもＩＣチップの発熱を抑制することができ
る非接触ＩＣカードを提供することである。
ときにおいてもＩＣチップの発熱を抑制することができ
る非接触ＩＣカードを提供することである。
【０００６】
【発明が解決するための手段】この発明の１つの局面に
従うと、非接触ＩＣカードは、アンテナコイルと、ＩＣ
チップと、電力消費手段とを備える。ＩＣチップは、整
流回路と、電源線と、基準線と、シャントレギュレータ
とを含む。整流回路は、アンテナコイルからの交流電圧
を直流電圧に変換する。電源線および基準線は、整流回
路の出力を受ける。シャントレギュレータは、電源線と
基準線との間に設けられ、整流回路からの直流電圧が所
定のレベル以上のとき導通状態となる。電力消費手段
は、電源線とシャントレギュレータとの間に設けられ、
シャントレギュレータが導通状態のとき電力を消費す
る。
従うと、非接触ＩＣカードは、アンテナコイルと、ＩＣ
チップと、電力消費手段とを備える。ＩＣチップは、整
流回路と、電源線と、基準線と、シャントレギュレータ
とを含む。整流回路は、アンテナコイルからの交流電圧
を直流電圧に変換する。電源線および基準線は、整流回
路の出力を受ける。シャントレギュレータは、電源線と
基準線との間に設けられ、整流回路からの直流電圧が所
定のレベル以上のとき導通状態となる。電力消費手段
は、電源線とシャントレギュレータとの間に設けられ、
シャントレギュレータが導通状態のとき電力を消費す
る。
【０００７】好ましくは、上記電力消費手段は抵抗を含
む。抵抗は、電源線とシャントレギュレータとの間に接
続される。
む。抵抗は、電源線とシャントレギュレータとの間に接
続される。
【０００８】上記非接触ＩＣカードでは、アンテナコイ
ルが過大な電力を受信すると整流回路からの直流電圧が
所定のレベル以上になる。整流回路からの直流電圧が所
定のレベル以上になるとシャントレギュレータが導通状
態となり電力が消費される。このとき抵抗にも電流が流
れ電力が消費される。シャントレギュレータおよび抵抗
が電力を消費することによって整流回路からの直流電圧
が上記所定のレベルよりも低くなる。この非接触ＩＣカ
ードでは電力消費手段を設けたため、整流回路からの直
流電圧を低下させるために必要なシャントレギュレータ
の消費電力を低減することができる。これにより、過大
な電力を受信した場合においてもＩＣチップの発熱を抑
制でき、非接触ＩＣカードもしくはＩＣチップの破損を
防止することができる。
ルが過大な電力を受信すると整流回路からの直流電圧が
所定のレベル以上になる。整流回路からの直流電圧が所
定のレベル以上になるとシャントレギュレータが導通状
態となり電力が消費される。このとき抵抗にも電流が流
れ電力が消費される。シャントレギュレータおよび抵抗
が電力を消費することによって整流回路からの直流電圧
が上記所定のレベルよりも低くなる。この非接触ＩＣカ
ードでは電力消費手段を設けたため、整流回路からの直
流電圧を低下させるために必要なシャントレギュレータ
の消費電力を低減することができる。これにより、過大
な電力を受信した場合においてもＩＣチップの発熱を抑
制でき、非接触ＩＣカードもしくはＩＣチップの破損を
防止することができる。
【０００９】好ましくは、上記電力消費手段は発光ダイ
オードを含む。発光ダイオードは、電源線とシャントレ
ギュレータとの間に接続される。
オードを含む。発光ダイオードは、電源線とシャントレ
ギュレータとの間に接続される。
【００１０】上記非接触ＩＣカードでは発熱抑制の効果
に加えてさらに、発光ダイオードの発光により、非接触
ＩＣカードが使用可能状態であることをカード使用者に
伝達することができる。
に加えてさらに、発光ダイオードの発光により、非接触
ＩＣカードが使用可能状態であることをカード使用者に
伝達することができる。
【００１１】この発明のもう１つの局面に従うと、非接
触ＩＣカードは、アンテナコイルと、ＩＣチップと、電
力消費手段とを備える。ＩＣチップは、整流回路と、電
源線と、基準線と、シャントレギュレータとを含む。整
流回路は、アンテナコイルからの交流電圧を直流電圧に
変換する。電源線および基準線は、記整流回路の出力を
受ける。シャントレギュレータは、電源線と基準線との
間に設けられ、整流回路からの直流電圧が所定のレベル
以上のとき導通状態となる。電力消費手段は、基準線と
シャントレギュレータとの間に設けられ、シャントレギ
ュレータが導通状態のとき電力を消費する。
触ＩＣカードは、アンテナコイルと、ＩＣチップと、電
力消費手段とを備える。ＩＣチップは、整流回路と、電
源線と、基準線と、シャントレギュレータとを含む。整
流回路は、アンテナコイルからの交流電圧を直流電圧に
変換する。電源線および基準線は、記整流回路の出力を
受ける。シャントレギュレータは、電源線と基準線との
間に設けられ、整流回路からの直流電圧が所定のレベル
以上のとき導通状態となる。電力消費手段は、基準線と
シャントレギュレータとの間に設けられ、シャントレギ
ュレータが導通状態のとき電力を消費する。
【００１２】好ましくは、上記電力消費手段は抵抗を含
む。抵抗は、基準線とシャントレギュレータとの間に接
続される。
む。抵抗は、基準線とシャントレギュレータとの間に接
続される。
【００１３】上記非接触ＩＣカードでは、アンテナコイ
ルが過大な電力を受信すると整流回路からの直流電圧が
所定のレベル以上になる。整流回路からの直流電圧が所
定のレベル以上になるとシャントレギュレータが導通状
態となり電力が消費される。このとき抵抗にも電流が流
れ電力が消費される。シャントレギュレータおよび抵抗
が電力を消費することによって整流回路からの直流電圧
が上記所定のレベルよりも低くなる。この非接触ＩＣカ
ードでは電力消費手段を設けたため、整流回路からの直
流電圧を低下させるために必要なシャントレギュレータ
の消費電力を低減することができる。これにより、過大
な電力を受信した場合においてもＩＣチップの発熱を抑
制でき、非接触ＩＣカードもしくはＩＣチップの破損を
防止することができる。
ルが過大な電力を受信すると整流回路からの直流電圧が
所定のレベル以上になる。整流回路からの直流電圧が所
定のレベル以上になるとシャントレギュレータが導通状
態となり電力が消費される。このとき抵抗にも電流が流
れ電力が消費される。シャントレギュレータおよび抵抗
が電力を消費することによって整流回路からの直流電圧
が上記所定のレベルよりも低くなる。この非接触ＩＣカ
ードでは電力消費手段を設けたため、整流回路からの直
流電圧を低下させるために必要なシャントレギュレータ
の消費電力を低減することができる。これにより、過大
な電力を受信した場合においてもＩＣチップの発熱を抑
制でき、非接触ＩＣカードもしくはＩＣチップの破損を
防止することができる。
【００１４】好ましくは、上記電力消費手段は発光ダイ
オードを含む。発光ダイオードは、基準線とシャントレ
ギュレータとの間に接続される。
オードを含む。発光ダイオードは、基準線とシャントレ
ギュレータとの間に接続される。
【００１５】上記非接触ＩＣカードでは発熱抑制の効果
に加えてさらに、発光ダイオードの発光により、非接触
ＩＣカードが使用可能状態であることをカード使用者に
伝達することができる。
に加えてさらに、発光ダイオードの発光により、非接触
ＩＣカードが使用可能状態であることをカード使用者に
伝達することができる。
【００１６】好ましくは、上記抵抗は、アンテナコイル
と同一の材料で形成される。
と同一の材料で形成される。
【００１７】上記非接触ＩＣカードでは、アンテナコイ
ルと抵抗とを同時に形成することができるため、抵抗部
品が不要で製造工程が簡略化され、低コストの非接触Ｉ
Ｃカードを提供することができる。
ルと抵抗とを同時に形成することができるため、抵抗部
品が不要で製造工程が簡略化され、低コストの非接触Ｉ
Ｃカードを提供することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面を参照して詳しく説明する。なお、図中同一または相
当部分には同一の符号を付しその説明は繰り返さない。
面を参照して詳しく説明する。なお、図中同一または相
当部分には同一の符号を付しその説明は繰り返さない。
【００１９】（第１の実施形態）図１は、この発明の第
１の実施形態による非接触ＩＣカードの構成を示すブロ
ック図である。図１に示す非接触ＩＣカードＣＡ１に
は、アンテナコイル２０、ＩＣチップ３０、抵抗４０が
部品として搭載されている。ＩＣチップ３０は、整流回
路３１０と、シャントレギュレータ３２０と、パッドＰ
１−Ｐ４とを含む。アンテナコイル２０は、パッドＰ
１，Ｐ２を介して整流回路３１０の入力部に接続され、
整流回路３１０の出力部より電源電圧ＶＤＤおよび基準
電圧ＶＳＳが出力される。電源電圧ＶＤＤ，基準電圧Ｖ
ＳＳは電源線Ｌ１，基準線Ｌ２を通じてシャントレギュ
レータ３２０に入力される。リーダライタから送出され
る電磁波はアンテナコイル２０により受信され、受信し
た交流信号は整流回路３１０により直流に変換される。
抵抗４０は、パッドＰ３，Ｐ４を介して電源線Ｌ１，シ
ャントレギュレータ３２０の出力端子ＯＵＴに接続され
る。
１の実施形態による非接触ＩＣカードの構成を示すブロ
ック図である。図１に示す非接触ＩＣカードＣＡ１に
は、アンテナコイル２０、ＩＣチップ３０、抵抗４０が
部品として搭載されている。ＩＣチップ３０は、整流回
路３１０と、シャントレギュレータ３２０と、パッドＰ
１−Ｐ４とを含む。アンテナコイル２０は、パッドＰ
１，Ｐ２を介して整流回路３１０の入力部に接続され、
整流回路３１０の出力部より電源電圧ＶＤＤおよび基準
電圧ＶＳＳが出力される。電源電圧ＶＤＤ，基準電圧Ｖ
ＳＳは電源線Ｌ１，基準線Ｌ２を通じてシャントレギュ
レータ３２０に入力される。リーダライタから送出され
る電磁波はアンテナコイル２０により受信され、受信し
た交流信号は整流回路３１０により直流に変換される。
抵抗４０は、パッドＰ３，Ｐ４を介して電源線Ｌ１，シ
ャントレギュレータ３２０の出力端子ＯＵＴに接続され
る。
【００２０】図２は、図１に示したシャントレギュレー
タ３２０の内部構成を示す回路図である。なお、図２に
は図１に示した抵抗４０もあわせて示している。図２を
参照して、シャントレギュレータ３２０は、抵抗３２１
−３２３と、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ３２４，３２５と
を含む。抵抗３２１，３２２は、電源電圧ＶＤＤを受け
る電源線Ｌ１と基準電圧ＶＳＳを受ける基準線Ｌ２との
間に直列に接続される。抵抗３２３は、ノードＮ２と基
準線Ｌ２とのに接続される。Ｎ型ＭＯＳトランジスタ３
２４は、電源線Ｌ１とノードＮ２との間に接続され、抵
抗３２１，３２２の相互接続ノードＮ１の電圧をゲート
に受ける。Ｎ型ＭＯＳトランジスタ３２５は、出力端子
ＯＵＴと基準線Ｌ２との間に接続され、ノードＮ２の電
圧をゲートに受ける。
タ３２０の内部構成を示す回路図である。なお、図２に
は図１に示した抵抗４０もあわせて示している。図２を
参照して、シャントレギュレータ３２０は、抵抗３２１
−３２３と、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ３２４，３２５と
を含む。抵抗３２１，３２２は、電源電圧ＶＤＤを受け
る電源線Ｌ１と基準電圧ＶＳＳを受ける基準線Ｌ２との
間に直列に接続される。抵抗３２３は、ノードＮ２と基
準線Ｌ２とのに接続される。Ｎ型ＭＯＳトランジスタ３
２４は、電源線Ｌ１とノードＮ２との間に接続され、抵
抗３２１，３２２の相互接続ノードＮ１の電圧をゲート
に受ける。Ｎ型ＭＯＳトランジスタ３２５は、出力端子
ＯＵＴと基準線Ｌ２との間に接続され、ノードＮ２の電
圧をゲートに受ける。
【００２１】Ｎ型ＭＯＳトランジスタ３２５は、電源線
Ｌ１と基準線Ｌ２との間に電流を流すことによって電源
電圧ＶＤＤを調整する電圧調整部として機能する。抵抗
３２１−３２３およびＮ型ＭＯＳトランジスタ３２４
は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ３２５の動作状態を電源電
圧ＶＤＤに応じて制御する制御部として機能する。
Ｌ１と基準線Ｌ２との間に電流を流すことによって電源
電圧ＶＤＤを調整する電圧調整部として機能する。抵抗
３２１−３２３およびＮ型ＭＯＳトランジスタ３２４
は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ３２５の動作状態を電源電
圧ＶＤＤに応じて制御する制御部として機能する。
【００２２】なおここでは、基準線Ｌ２と電源線Ｌ１と
の間の電圧をＶｄ、基準線Ｌ２とノードＮ１との間の電
圧をＶ１、基準線Ｌ２とノードＮ２との間の電圧をＶ
２、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ３２５のドレイン・ソース
間の電圧をＶａ、抵抗４０の抵抗値をＲ、抵抗４０にか
かる電圧をＶｒ、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ３２５に流れ
る電流をＩａとする。
の間の電圧をＶｄ、基準線Ｌ２とノードＮ１との間の電
圧をＶ１、基準線Ｌ２とノードＮ２との間の電圧をＶ
２、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ３２５のドレイン・ソース
間の電圧をＶａ、抵抗４０の抵抗値をＲ、抵抗４０にか
かる電圧をＶｒ、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ３２５に流れ
る電流をＩａとする。
【００２３】次に、図２に示したシャントレギュレータ
３２０の動作について説明する。電源電圧ＶＤＤが上昇
して電圧Ｖｄが大きくなると、抵抗３２１と抵抗３２２
との抵抗比で出力される電圧Ｖ１も大きくなる。電圧Ｖ
１がＮ型ＭＯＳトランジスタ３２４のしきい電圧Ｖｔｎ
を超えるとＮ型ＭＯＳトランジスタ３２４がオンして抵
抗３２３に電流が流れる。これにより電圧Ｖ２が発生す
る。電圧Ｖ２がＮ型ＭＯＳトランジスタ３２５のしきい
電圧Ｖｔｎを超えるとＮ型ＭＯＳトランジスタ３２５が
オンして電流Ｉａが流れる。電流Ｉａが流れると電源電
圧ＶＤＤから電力を消費するため、電源電圧ＶＤＤの上
昇が抑制される。
３２０の動作について説明する。電源電圧ＶＤＤが上昇
して電圧Ｖｄが大きくなると、抵抗３２１と抵抗３２２
との抵抗比で出力される電圧Ｖ１も大きくなる。電圧Ｖ
１がＮ型ＭＯＳトランジスタ３２４のしきい電圧Ｖｔｎ
を超えるとＮ型ＭＯＳトランジスタ３２４がオンして抵
抗３２３に電流が流れる。これにより電圧Ｖ２が発生す
る。電圧Ｖ２がＮ型ＭＯＳトランジスタ３２５のしきい
電圧Ｖｔｎを超えるとＮ型ＭＯＳトランジスタ３２５が
オンして電流Ｉａが流れる。電流Ｉａが流れると電源電
圧ＶＤＤから電力を消費するため、電源電圧ＶＤＤの上
昇が抑制される。
【００２４】電流Ｉａが流れているときのシャントレギ
ュレータ３２０の消費電力Ｐ１は、 Ｐ１＝Ｖａ×Ｉａ＝（Ｖｄ−Ｖｒ）×Ｉａ であり、抵抗４０の消費電力Ｐｒは、 Ｐｒ＝Ｖｒ×Ｉａ（＝Ｒ×Ｉａ×Ｉａ） である。また、図８に示したシャントレギュレータ９１
０の消費電力Ｐ０は、 Ｐ０＝Ｖｄ×Ｉａ である。よって、図１に示したシャントレギュレータ３
２０の消費電力は、図８に示したシャントレギュレータ
９１０と比較して、 Ｐ０−Ｐ１＝Ｖｒ×Ｉａ＝Ｐｒ つまり抵抗４０の消費電力Ｐｒ分だけ少なくなる。抵抗
４０はＩＣチップ３０の外部に設けられているため、抵
抗４０の電力消費による発熱はＩＣチップ３０に直接影
響しない。
ュレータ３２０の消費電力Ｐ１は、 Ｐ１＝Ｖａ×Ｉａ＝（Ｖｄ−Ｖｒ）×Ｉａ であり、抵抗４０の消費電力Ｐｒは、 Ｐｒ＝Ｖｒ×Ｉａ（＝Ｒ×Ｉａ×Ｉａ） である。また、図８に示したシャントレギュレータ９１
０の消費電力Ｐ０は、 Ｐ０＝Ｖｄ×Ｉａ である。よって、図１に示したシャントレギュレータ３
２０の消費電力は、図８に示したシャントレギュレータ
９１０と比較して、 Ｐ０−Ｐ１＝Ｖｒ×Ｉａ＝Ｐｒ つまり抵抗４０の消費電力Ｐｒ分だけ少なくなる。抵抗
４０はＩＣチップ３０の外部に設けられているため、抵
抗４０の電力消費による発熱はＩＣチップ３０に直接影
響しない。
【００２５】以上のように、第１の実施形態による非接
触ＩＣカードＣＡ１では、電源線Ｌ１と出力端子ＯＵＴ
との間に抵抗４０を設けたため、抵抗４０における消費
電力Ｐｒ＝Ｖｒ×Ｉａ（＝Ｒ×Ｉａ×Ｉａ）分だけシャ
ントレギュレータ３２０における消費電力を減らすこと
ができる。これにより、シャントレギュレータ３２０ひ
いてはＩＣチップ３０の発熱を抑制することができる。
抵抗４０における消費電力Ｐｒの設定は、抵抗４０の抵
抗値Ｒの設定により行う。抵抗値Ｒを大きくするとシャ
ントレギュレータ３２０における消費電力をより低減す
ることができるが、一方で抵抗４０における発熱が増
す。したがって、使用する抵抗４０の定格およびＩＣチ
ップ３０の発熱量を考慮して抵抗値Ｒを設定する必要が
ある。
触ＩＣカードＣＡ１では、電源線Ｌ１と出力端子ＯＵＴ
との間に抵抗４０を設けたため、抵抗４０における消費
電力Ｐｒ＝Ｖｒ×Ｉａ（＝Ｒ×Ｉａ×Ｉａ）分だけシャ
ントレギュレータ３２０における消費電力を減らすこと
ができる。これにより、シャントレギュレータ３２０ひ
いてはＩＣチップ３０の発熱を抑制することができる。
抵抗４０における消費電力Ｐｒの設定は、抵抗４０の抵
抗値Ｒの設定により行う。抵抗値Ｒを大きくするとシャ
ントレギュレータ３２０における消費電力をより低減す
ることができるが、一方で抵抗４０における発熱が増
す。したがって、使用する抵抗４０の定格およびＩＣチ
ップ３０の発熱量を考慮して抵抗値Ｒを設定する必要が
ある。
【００２６】なお、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ３２５のゲ
ート・ソース間電圧である電圧Ｖ２は、電圧Ｖｄの、Ｎ
型ＭＯＳトランジスタ３２４のオン抵抗と抵抗３２３と
の抵抗比で決まる電圧である。電圧Ｖ２は、電圧Ｖｄの
１／３〜１／６程度と電圧Ｖｄに対して小さくなるよう
に設定される。電流Ｉａが流れることによって抵抗４０
にＶｒｎ＝Ｒ×Ｉａの電圧降下が発生し、Ｎ型ＭＯＳト
ランジスタ３２５のドレイン・ソース間電圧Ｖａが小さ
くなる。しかし、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ３２５は飽和
領域（Ｖａ＞Ｖ２−Ｖｔｎ；一般に、Ｎ型ＭＯＳトラン
ジスタのゲート・ソース間電圧をＶｇｓｎ、ドレイン・
ソース間電圧をＶｄｓｎとすると飽和領域では、Ｖｄｓ
ｎ＞Ｖｇｓｎ−Ｖｔｎ である。）で動作するため、抵
抗４０の電圧降下による電流Ｉａの低下は僅かである。
つまり、電源線Ｌ１と出力端子ＯＵＴとの間に抵抗４０
を接続してもシャントレギュレータとしての特性はほと
んど変化しない。
ート・ソース間電圧である電圧Ｖ２は、電圧Ｖｄの、Ｎ
型ＭＯＳトランジスタ３２４のオン抵抗と抵抗３２３と
の抵抗比で決まる電圧である。電圧Ｖ２は、電圧Ｖｄの
１／３〜１／６程度と電圧Ｖｄに対して小さくなるよう
に設定される。電流Ｉａが流れることによって抵抗４０
にＶｒｎ＝Ｒ×Ｉａの電圧降下が発生し、Ｎ型ＭＯＳト
ランジスタ３２５のドレイン・ソース間電圧Ｖａが小さ
くなる。しかし、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ３２５は飽和
領域（Ｖａ＞Ｖ２−Ｖｔｎ；一般に、Ｎ型ＭＯＳトラン
ジスタのゲート・ソース間電圧をＶｇｓｎ、ドレイン・
ソース間電圧をＶｄｓｎとすると飽和領域では、Ｖｄｓ
ｎ＞Ｖｇｓｎ−Ｖｔｎ である。）で動作するため、抵
抗４０の電圧降下による電流Ｉａの低下は僅かである。
つまり、電源線Ｌ１と出力端子ＯＵＴとの間に抵抗４０
を接続してもシャントレギュレータとしての特性はほと
んど変化しない。
【００２７】（第２の実施形態）図３は、この発明の第
２の実施形態による非接触ＩＣカードの構成を示すブロ
ック図である。図３に示す非接触ＩＣカードＣＡ２に
は、アンテナコイル２０、ＩＣチップ３１、抵抗４１が
部品として搭載されている。ＩＣチップ３１は、整流回
路３１０と、シャントレギュレータ３３０と、パッドＰ
１，Ｐ２，Ｐ５，Ｐ６とを含む。アンテナコイル２０
は、パッドＰ１，Ｐ２を介して整流回路３１０の入力部
に接続され、整流回路３１０の出力部より電源電圧ＶＤ
Ｄおよび基準電圧ＶＳＳが出力される。電源電圧ＶＤ
Ｄ，基準電圧ＶＳＳは電源線Ｌ１，基準線Ｌ２を通じて
シャントレギュレータ３３０に入力される。リーダライ
タから送出される電磁波はアンテナコイル２０により受
信され、受信した交流信号は整流回路３１０により直流
へ変換される。抵抗４１は、パッドＰ５，Ｐ６を介して
基準線Ｌ２，シャントレギュレータ３３０の出力端子Ｏ
ＵＴに接続される。
２の実施形態による非接触ＩＣカードの構成を示すブロ
ック図である。図３に示す非接触ＩＣカードＣＡ２に
は、アンテナコイル２０、ＩＣチップ３１、抵抗４１が
部品として搭載されている。ＩＣチップ３１は、整流回
路３１０と、シャントレギュレータ３３０と、パッドＰ
１，Ｐ２，Ｐ５，Ｐ６とを含む。アンテナコイル２０
は、パッドＰ１，Ｐ２を介して整流回路３１０の入力部
に接続され、整流回路３１０の出力部より電源電圧ＶＤ
Ｄおよび基準電圧ＶＳＳが出力される。電源電圧ＶＤ
Ｄ，基準電圧ＶＳＳは電源線Ｌ１，基準線Ｌ２を通じて
シャントレギュレータ３３０に入力される。リーダライ
タから送出される電磁波はアンテナコイル２０により受
信され、受信した交流信号は整流回路３１０により直流
へ変換される。抵抗４１は、パッドＰ５，Ｐ６を介して
基準線Ｌ２，シャントレギュレータ３３０の出力端子Ｏ
ＵＴに接続される。
【００２８】図４は、図３に示したシャントレギュレー
タ３３０の内部構成を示す回路図である。なお、図４で
は図３に示した抵抗４１もあわせて示している。図４を
参照して、シャントレギュレータ３３０は、抵抗３３１
−３３３と、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ３３４，３３５と
を含む。抵抗３３１，３３２は、電源電圧ＶＤＤを受け
る電源線Ｌ１と基準電圧ＶＳＳを受ける基準線Ｌ２との
間に直列に接続される。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ３３４
は、ノードＮ４と基準線Ｌ２との間に接続され、抵抗３
３１，３３２の相互接続ノードＮ３の電圧をゲートに受
ける。抵抗３３３は、ノードＮ４と電源線Ｌ１との間に
接続される。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ３３５は、電源線
Ｌ１と出力端子ＯＵＴとの間に接続され、ノードＮ４の
電圧をゲートに受ける。
タ３３０の内部構成を示す回路図である。なお、図４で
は図３に示した抵抗４１もあわせて示している。図４を
参照して、シャントレギュレータ３３０は、抵抗３３１
−３３３と、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ３３４，３３５と
を含む。抵抗３３１，３３２は、電源電圧ＶＤＤを受け
る電源線Ｌ１と基準電圧ＶＳＳを受ける基準線Ｌ２との
間に直列に接続される。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ３３４
は、ノードＮ４と基準線Ｌ２との間に接続され、抵抗３
３１，３３２の相互接続ノードＮ３の電圧をゲートに受
ける。抵抗３３３は、ノードＮ４と電源線Ｌ１との間に
接続される。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ３３５は、電源線
Ｌ１と出力端子ＯＵＴとの間に接続され、ノードＮ４の
電圧をゲートに受ける。
【００２９】Ｐ型ＭＯＳトランジスタ３３５は、電源線
Ｌ１と基準線Ｌ２との間に電流を流すことによって電源
電圧ＶＤＤを調整する電圧調整部として機能する。抵抗
３３１−抵抗３３３およびＰ型ＭＯＳトランジスタ３３
４は、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ３３５の動作状態を電源
電圧ＶＤＤに応じて制御する制御部として機能する。
Ｌ１と基準線Ｌ２との間に電流を流すことによって電源
電圧ＶＤＤを調整する電圧調整部として機能する。抵抗
３３１−抵抗３３３およびＰ型ＭＯＳトランジスタ３３
４は、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ３３５の動作状態を電源
電圧ＶＤＤに応じて制御する制御部として機能する。
【００３０】なおここでは、基準線Ｌ２と電源線Ｌ１と
の間の電圧をＶｄ、ノードＮ３と電源線Ｌ１との間の電
圧をＶ３、ノードＮ４と電源線Ｌ１との間の電圧をＶ
４、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ３３５のソース・ドレイン
間の電圧をＶａ、抵抗４１の抵抗値をＲ、抵抗４１にか
かる電圧をＶｒ、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ３３５に流れ
る電流をＩａとする。
の間の電圧をＶｄ、ノードＮ３と電源線Ｌ１との間の電
圧をＶ３、ノードＮ４と電源線Ｌ１との間の電圧をＶ
４、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ３３５のソース・ドレイン
間の電圧をＶａ、抵抗４１の抵抗値をＲ、抵抗４１にか
かる電圧をＶｒ、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ３３５に流れ
る電流をＩａとする。
【００３１】次に、図４に示したシャントレギュレータ
３３０の動作について説明する。電源電圧ＶＤＤが上昇
して電圧Ｖｄが大きくなると、抵抗３３１と抵抗３３２
との抵抗比で出力される電圧Ｖ３も大きくなる。電圧Ｖ
３がＰ型ＭＯＳトランジスタ３３４のしきい電圧｜Ｖｔ
ｐ｜を超えるとＰ型ＭＯＳトランジスタ３３４がオンし
て抵抗３３３に電流が流れる。これにより電圧Ｖ４が発
生する。電圧Ｖ４がＰ型ＭＯＳトランジスタ３３５のし
きい電圧｜Ｖｔｐ｜を超えるとＰ型ＭＯＳトランジスタ
３３５がオンして電流Ｉａが流れる。電流Ｉａが流れる
と電源電圧ＶＤＤから電力を消費するため、電源電圧Ｖ
ＤＤの上昇が抑制される。
３３０の動作について説明する。電源電圧ＶＤＤが上昇
して電圧Ｖｄが大きくなると、抵抗３３１と抵抗３３２
との抵抗比で出力される電圧Ｖ３も大きくなる。電圧Ｖ
３がＰ型ＭＯＳトランジスタ３３４のしきい電圧｜Ｖｔ
ｐ｜を超えるとＰ型ＭＯＳトランジスタ３３４がオンし
て抵抗３３３に電流が流れる。これにより電圧Ｖ４が発
生する。電圧Ｖ４がＰ型ＭＯＳトランジスタ３３５のし
きい電圧｜Ｖｔｐ｜を超えるとＰ型ＭＯＳトランジスタ
３３５がオンして電流Ｉａが流れる。電流Ｉａが流れる
と電源電圧ＶＤＤから電力を消費するため、電源電圧Ｖ
ＤＤの上昇が抑制される。
【００３２】電流Ｉａが流れているときのシャントレギ
ュレータ３３０の消費電力Ｐ２は、 Ｐ２＝Ｖａ×Ｉａ＝（Ｖｄ−Ｖｒ）×Ｉａ であり、抵抗４１の消費電力Ｐｒは、 Ｐｒ＝Ｖｒ×Ｉａ（＝Ｒ×Ｉａ×Ｉａ） である。また、図８に示したシャントレギュレータ９１
０の消費電力Ｐ０は、 Ｐ０＝Ｖｄ×Ｉａ である。よって、図４に示したシャントレギュレータ３
３０の消費電力は、図８に示したシャントレギュレータ
９１０と比較して、 Ｐ０−Ｐ２＝Ｖｒ×Ｉａ＝Ｐｒ つまり抵抗４１の消費電力Ｐｒ分だけ少なくなる。抵抗
４１はＩＣチップ３１の外部に設けられているため、抵
抗４１の電力消費による発熱はＩＣチップ３１に直接影
響しない。
ュレータ３３０の消費電力Ｐ２は、 Ｐ２＝Ｖａ×Ｉａ＝（Ｖｄ−Ｖｒ）×Ｉａ であり、抵抗４１の消費電力Ｐｒは、 Ｐｒ＝Ｖｒ×Ｉａ（＝Ｒ×Ｉａ×Ｉａ） である。また、図８に示したシャントレギュレータ９１
０の消費電力Ｐ０は、 Ｐ０＝Ｖｄ×Ｉａ である。よって、図４に示したシャントレギュレータ３
３０の消費電力は、図８に示したシャントレギュレータ
９１０と比較して、 Ｐ０−Ｐ２＝Ｖｒ×Ｉａ＝Ｐｒ つまり抵抗４１の消費電力Ｐｒ分だけ少なくなる。抵抗
４１はＩＣチップ３１の外部に設けられているため、抵
抗４１の電力消費による発熱はＩＣチップ３１に直接影
響しない。
【００３３】以上のように、第２の実施形態による非接
触ＩＣカードＣＡ２では、基準線Ｌ２と出力端子ＯＵＴ
との間に抵抗４１を設けたため、抵抗４１における消費
電力Ｐｒ＝Ｖｒ×Ｉａ（＝Ｒ×Ｉａ×Ｉａ）分だけシャ
ントレギュレータ３３０における消費電力を減らすこと
ができる。これにより、シャントレギュレータ３３０ひ
いてはＩＣチップ３１の発熱を抑制することができる。
なお、抵抗４１における消費電力Ｐｒの設定は第１の実
施例と同様に抵抗４１の抵抗値Ｒの設定により行う。
触ＩＣカードＣＡ２では、基準線Ｌ２と出力端子ＯＵＴ
との間に抵抗４１を設けたため、抵抗４１における消費
電力Ｐｒ＝Ｖｒ×Ｉａ（＝Ｒ×Ｉａ×Ｉａ）分だけシャ
ントレギュレータ３３０における消費電力を減らすこと
ができる。これにより、シャントレギュレータ３３０ひ
いてはＩＣチップ３１の発熱を抑制することができる。
なお、抵抗４１における消費電力Ｐｒの設定は第１の実
施例と同様に抵抗４１の抵抗値Ｒの設定により行う。
【００３４】なお、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ３３５のソ
ース・ゲート間電圧である電圧Ｖ４は、電圧Ｖｄの、抵
抗３３３とＰ型ＭＯＳトランジスタ３３４のオン抵抗と
の抵抗比で決まる電圧である。電圧Ｖ４は、電圧Ｖｄの
１／３〜１／６程度と電圧Ｖｄに対して小さくなるよう
に設定される。電流Ｉａが流れることによって抵抗４１
においてＶｒ＝Ｒ×Ｉａの電圧降下が発生し、Ｐ型ＭＯ
Ｓトランジスタ３３５のソース・ドレイン間電圧Ｖａが
小さくなる。しかし、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ３３５は
飽和領域（Ｖａ＞Ｖ２＋Ｖｔｐ；一般に、Ｐ型ＭＯＳト
ランジスタのゲート・ソース間電圧をＶｇｓｐ、ドレイ
ン・ソース間電圧をＶｄｓｐとすると飽和領域では、−
Ｖｄｓｐ＞−Ｖｇｓｐ＋Ｖｔｐ である。）で動作する
ため、抵抗４１の電圧降下による電流Ｉａの低下は僅か
である。つまり、抵抗４１を基準線Ｌ２と出力端子ＯＵ
Ｔとの間に接続してもシャントレギュレータとしての特
性はほとんど変化しない。
ース・ゲート間電圧である電圧Ｖ４は、電圧Ｖｄの、抵
抗３３３とＰ型ＭＯＳトランジスタ３３４のオン抵抗と
の抵抗比で決まる電圧である。電圧Ｖ４は、電圧Ｖｄの
１／３〜１／６程度と電圧Ｖｄに対して小さくなるよう
に設定される。電流Ｉａが流れることによって抵抗４１
においてＶｒ＝Ｒ×Ｉａの電圧降下が発生し、Ｐ型ＭＯ
Ｓトランジスタ３３５のソース・ドレイン間電圧Ｖａが
小さくなる。しかし、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ３３５は
飽和領域（Ｖａ＞Ｖ２＋Ｖｔｐ；一般に、Ｐ型ＭＯＳト
ランジスタのゲート・ソース間電圧をＶｇｓｐ、ドレイ
ン・ソース間電圧をＶｄｓｐとすると飽和領域では、−
Ｖｄｓｐ＞−Ｖｇｓｐ＋Ｖｔｐ である。）で動作する
ため、抵抗４１の電圧降下による電流Ｉａの低下は僅か
である。つまり、抵抗４１を基準線Ｌ２と出力端子ＯＵ
Ｔとの間に接続してもシャントレギュレータとしての特
性はほとんど変化しない。
【００３５】（第３の実施形態）図５は、この発明の第
３の実施形態による非接触ＩＣカードの構成を示すブロ
ック図である。図５に示す非接触ＩＣカードＣＡ３は、
図１に示した抵抗４０に代えて発光ダイオード５０を備
える。その他の構成は図１に示した非接触ＩＣカードＣ
Ａ１と同じである。発光ダイオード５０は、パッドＰ
３，Ｐ４を介して電源線Ｌ１，出力端子ＯＵＴに接続さ
れる。
３の実施形態による非接触ＩＣカードの構成を示すブロ
ック図である。図５に示す非接触ＩＣカードＣＡ３は、
図１に示した抵抗４０に代えて発光ダイオード５０を備
える。その他の構成は図１に示した非接触ＩＣカードＣ
Ａ１と同じである。発光ダイオード５０は、パッドＰ
３，Ｐ４を介して電源線Ｌ１，出力端子ＯＵＴに接続さ
れる。
【００３６】図５に示した非接触ＩＣカードＣＡ３で
は、電源電圧ＶＤＤが上昇してシャントレギュレータ３
２０より電流Ｉａが流れると発光ダイオード５０が発光
する。電流Ｉａが流れているときのシャントレギュレー
タ３２０の消費電力Ｐ３は、 Ｐ３＝Ｖａ×Ｉａ＝（Ｖｄ−Ｖｐｄ）×Ｉａ であり、発光ダイオード５０の消費電力Ｐｐｄは、 Ｐｐｄ＝Ｖｐｄ×Ｉａ である。また、図８に示したシャントレギュレータ９１
０の消費電力Ｐ０は、 Ｐ０＝Ｖｄ×Ｉａ である。よって、図５に示したシャントレギュレータ３
２０の消費電力は、図８に示したシャントレギュレータ
９１０と比較して、 Ｐ０−Ｐ３＝Ｖｐｄ×Ｉａ＝Ｐｐｄ つまり発光ダイオード５０の消費電力Ｐｐｄ分だけ少な
くなる。発光ダイオード５０はＩＣチップ３０の外部に
設けられているため、発光ダイオード５０の電力消費に
よる発熱はＩＣチップ３０に直接影響しない。
は、電源電圧ＶＤＤが上昇してシャントレギュレータ３
２０より電流Ｉａが流れると発光ダイオード５０が発光
する。電流Ｉａが流れているときのシャントレギュレー
タ３２０の消費電力Ｐ３は、 Ｐ３＝Ｖａ×Ｉａ＝（Ｖｄ−Ｖｐｄ）×Ｉａ であり、発光ダイオード５０の消費電力Ｐｐｄは、 Ｐｐｄ＝Ｖｐｄ×Ｉａ である。また、図８に示したシャントレギュレータ９１
０の消費電力Ｐ０は、 Ｐ０＝Ｖｄ×Ｉａ である。よって、図５に示したシャントレギュレータ３
２０の消費電力は、図８に示したシャントレギュレータ
９１０と比較して、 Ｐ０−Ｐ３＝Ｖｐｄ×Ｉａ＝Ｐｐｄ つまり発光ダイオード５０の消費電力Ｐｐｄ分だけ少な
くなる。発光ダイオード５０はＩＣチップ３０の外部に
設けられているため、発光ダイオード５０の電力消費に
よる発熱はＩＣチップ３０に直接影響しない。
【００３７】以上のように、第３の実施形態による非接
触ＩＣカードＣＡ３では、電源線Ｌ１と出力端子ＯＵＴ
との間に発光ダイオード５０を設けたため、発光ダイオ
ード５０における消費電力Ｐｐｄ＝Ｖｐｄ×Ｉａ分だけ
シャントレギュレータ３２０における消費電力を減らす
ことができる。これにより、シャントレギュレータ３２
０ひいてはＩＣチップ３０の発熱を抑制することができ
る。
触ＩＣカードＣＡ３では、電源線Ｌ１と出力端子ＯＵＴ
との間に発光ダイオード５０を設けたため、発光ダイオ
ード５０における消費電力Ｐｐｄ＝Ｖｐｄ×Ｉａ分だけ
シャントレギュレータ３２０における消費電力を減らす
ことができる。これにより、シャントレギュレータ３２
０ひいてはＩＣチップ３０の発熱を抑制することができ
る。
【００３８】さらに、発光ダイオード５０の発光によっ
て、カード使用者に対して、非接触ＩＣカードＣＡ３が
使用可能状態であることを伝達することができる。シャ
ントレギュレータ３２０が機能する電源電圧範囲は、図
２に示した抵抗３２１−３２３の抵抗値およびＮ型ＭＯ
Ｓトランジスタ３２４のトランジスタサイズで調整でき
る。ＩＣチップ３０が動作可能状態となる電源電圧ＶＤ
Ｄでシャントレギュレータ３２０が機能するようにこれ
らの各種素子定数を設定すれば、カード使用者に対して
非接触ＩＣカードＣＡ３が使用可能状態であることを適
切に伝達することができる。
て、カード使用者に対して、非接触ＩＣカードＣＡ３が
使用可能状態であることを伝達することができる。シャ
ントレギュレータ３２０が機能する電源電圧範囲は、図
２に示した抵抗３２１−３２３の抵抗値およびＮ型ＭＯ
Ｓトランジスタ３２４のトランジスタサイズで調整でき
る。ＩＣチップ３０が動作可能状態となる電源電圧ＶＤ
Ｄでシャントレギュレータ３２０が機能するようにこれ
らの各種素子定数を設定すれば、カード使用者に対して
非接触ＩＣカードＣＡ３が使用可能状態であることを適
切に伝達することができる。
【００３９】なお、ここでは図１に示した抵抗４０に代
えて発光ダイオード５０を設けたが、図３に示した抵抗
４１に代えて発光ダイオード５０を設けても同様の効果
が得られる。
えて発光ダイオード５０を設けたが、図３に示した抵抗
４１に代えて発光ダイオード５０を設けても同様の効果
が得られる。
【００４０】（第４の実施形態）図６は、第１および第
２の実施形態による非接触ＩＣカードＣＡ１，ＣＡ２の
部品の配置を示す図である。図６を参照して、抵抗４０
ａ−４０ｃ（４１ａ−４１ｃ）は、図１（図２）に示し
た抵抗４０（４１）に相当する。アンテナコイル２０
は、例えば絶縁体シート上に形成された導体シート（銅
箔）をエッチングすることによって形成され、これと同
時に配線６０ａ，６０ｂもエッチングによって形成され
る。ＩＣチップ３０は、ＩＣチップ３０のパッド上に形
成されたバンプもしくはワイヤーボンディング等によっ
てアンテナコイル２０、配線６０ａ，６０ｂと接続され
る。抵抗４０ａ−４０ｃ（４１ａ−４１ｃ）は、例えば
チップ抵抗であり、配線６０ａと配線６０ｂとの間に並
列に接続される。図６では、３つの抵抗４０ａ−４０ｃ
（４１ａ−４１ｃ）を使用した場合を示したが抵抗の数
は任意である。
２の実施形態による非接触ＩＣカードＣＡ１，ＣＡ２の
部品の配置を示す図である。図６を参照して、抵抗４０
ａ−４０ｃ（４１ａ−４１ｃ）は、図１（図２）に示し
た抵抗４０（４１）に相当する。アンテナコイル２０
は、例えば絶縁体シート上に形成された導体シート（銅
箔）をエッチングすることによって形成され、これと同
時に配線６０ａ，６０ｂもエッチングによって形成され
る。ＩＣチップ３０は、ＩＣチップ３０のパッド上に形
成されたバンプもしくはワイヤーボンディング等によっ
てアンテナコイル２０、配線６０ａ，６０ｂと接続され
る。抵抗４０ａ−４０ｃ（４１ａ−４１ｃ）は、例えば
チップ抵抗であり、配線６０ａと配線６０ｂとの間に並
列に接続される。図６では、３つの抵抗４０ａ−４０ｃ
（４１ａ−４１ｃ）を使用した場合を示したが抵抗の数
は任意である。
【００４１】図６に示すように抵抗４０ａ−４０ｃ（４
１ａ−４１ｃ）を並列に接続すると各抵抗における消費
電力を分散できる。これにより、各抵抗の消費電力を定
格電力規格の範囲内に収めることができるとともに発熱
を分散することができる。例えば、図１に示した抵抗４
０の設定抵抗値が１００Ω、最大消費電力が１５０ｍＷ
であり、使用するチップ抵抗４０ａ−４０ｃの定格が１
／１６Ｗ（＝６２．５ｍＷ）であるとする。この場合、
図６に示したように３００Ωの３つのチップ抵抗４０ａ
−４０ｃを並列に接続して使用することにより、各チッ
プ抵抗の最大消費電力が１５０ｍＷ／３＝５０ｍＷとな
る。したがって、チップ抵抗４０ａ−４０ｃの定格の範
囲内で使用することができる。なお、複数のチップ抵抗
を実装する場合、各抵抗間の位置を離して配置すると発
熱の分散効果が高まる。また、ここでは複数の抵抗４０
ａ−４０ｃ（４１ａ−４１ｃ）を並列に接続する場合を
説明したが、複数の抵抗を直列に接続しても同様に各抵
抗の消費電力を定格内に抑えることができる。
１ａ−４１ｃ）を並列に接続すると各抵抗における消費
電力を分散できる。これにより、各抵抗の消費電力を定
格電力規格の範囲内に収めることができるとともに発熱
を分散することができる。例えば、図１に示した抵抗４
０の設定抵抗値が１００Ω、最大消費電力が１５０ｍＷ
であり、使用するチップ抵抗４０ａ−４０ｃの定格が１
／１６Ｗ（＝６２．５ｍＷ）であるとする。この場合、
図６に示したように３００Ωの３つのチップ抵抗４０ａ
−４０ｃを並列に接続して使用することにより、各チッ
プ抵抗の最大消費電力が１５０ｍＷ／３＝５０ｍＷとな
る。したがって、チップ抵抗４０ａ−４０ｃの定格の範
囲内で使用することができる。なお、複数のチップ抵抗
を実装する場合、各抵抗間の位置を離して配置すると発
熱の分散効果が高まる。また、ここでは複数の抵抗４０
ａ−４０ｃ（４１ａ−４１ｃ）を並列に接続する場合を
説明したが、複数の抵抗を直列に接続しても同様に各抵
抗の消費電力を定格内に抑えることができる。
【００４２】なお、図６では第１および第２の実施形態
による非接触ＩＣカードＣＡ１，ＣＡ２について説明し
たが、抵抗４０ａ−４０ｃを発光ダイオード５０に置き
換えれば第３の実施形態による非接触ＩＣカードＣＡ３
となる。このとき、定格を満たすために複数の発光ダイ
オードを使用することも可能であるし、チップ抵抗と発
光ダイオードとを組み合わせて使用することも可能であ
る。
による非接触ＩＣカードＣＡ１，ＣＡ２について説明し
たが、抵抗４０ａ−４０ｃを発光ダイオード５０に置き
換えれば第３の実施形態による非接触ＩＣカードＣＡ３
となる。このとき、定格を満たすために複数の発光ダイ
オードを使用することも可能であるし、チップ抵抗と発
光ダイオードとを組み合わせて使用することも可能であ
る。
【００４３】図７は、第１および第２の実施形態による
非接触ＩＣカードＣＡ１，ＣＡ２の部品の別の配置を示
す図である。図７に示す抵抗４０ｄ（４１ｄ）は、図１
（図２）に示した抵抗４０（４１）に相当する。図６に
示した配置と異なる点は、抵抗４０ａ−４０ｃ（４１ａ
−４１ｃ）に代えて抵抗４０ｄ（４１ｄ）を設けた点で
ある。抵抗４０ｄは、アンテナコイル２０と同一の材料
である。ここでは、アンテナコイル２０および抵抗４０
ｄを形成する材料として導電性ペースト（〜３０ｍΩ／
□）を使用する。導電性ペースト（〜３０ｍΩ／□）は
銅箔（〜１ｍΩ／□）と比較してシート抵抗が高いた
め、実用的な配線長で抵抗４０ｄを形成することができ
る。例えば１００Ωの抵抗４０ｄを形成する場合、配線
の線幅を０．２ｍｍとすると、シート抵抗１ｍΩ／□の
銅箔では０．２ｍｍ×１００Ω／１ｍΩ＝２００００ｍ
ｍ程度（アンテナコイルのターン数１００Ｔ程度に相
当）と非常に配線長が長くなるが、シート抵抗３０ｍΩ
／□の導電性ペーストでは、０．２ｍｍ×１００Ω／３
０ｍΩ＝６６７ｍｍ（アンテナコイルのターン数３Ｔ程
度に相当）と実用的な配線長で形成できる。
非接触ＩＣカードＣＡ１，ＣＡ２の部品の別の配置を示
す図である。図７に示す抵抗４０ｄ（４１ｄ）は、図１
（図２）に示した抵抗４０（４１）に相当する。図６に
示した配置と異なる点は、抵抗４０ａ−４０ｃ（４１ａ
−４１ｃ）に代えて抵抗４０ｄ（４１ｄ）を設けた点で
ある。抵抗４０ｄは、アンテナコイル２０と同一の材料
である。ここでは、アンテナコイル２０および抵抗４０
ｄを形成する材料として導電性ペースト（〜３０ｍΩ／
□）を使用する。導電性ペースト（〜３０ｍΩ／□）は
銅箔（〜１ｍΩ／□）と比較してシート抵抗が高いた
め、実用的な配線長で抵抗４０ｄを形成することができ
る。例えば１００Ωの抵抗４０ｄを形成する場合、配線
の線幅を０．２ｍｍとすると、シート抵抗１ｍΩ／□の
銅箔では０．２ｍｍ×１００Ω／１ｍΩ＝２００００ｍ
ｍ程度（アンテナコイルのターン数１００Ｔ程度に相
当）と非常に配線長が長くなるが、シート抵抗３０ｍΩ
／□の導電性ペーストでは、０．２ｍｍ×１００Ω／３
０ｍΩ＝６６７ｍｍ（アンテナコイルのターン数３Ｔ程
度に相当）と実用的な配線長で形成できる。
【００４４】以上のように、抵抗４０ｄの材料とアンテ
ナコイル２０の材料とを同じにすることにより、これら
を同時に形成することができる。これにより抵抗部品が
不要となり、また抵抗部品を実装する工程も簡略化でき
る。この結果、より低コストの非接触ＩＣカードを作製
することができる。また、抵抗４０ｄはチップ抵抗を実
装した場合と比較するとより広い面積を有するため、抵
抗４０ｄの放熱がより促進されるという効果もある。
ナコイル２０の材料とを同じにすることにより、これら
を同時に形成することができる。これにより抵抗部品が
不要となり、また抵抗部品を実装する工程も簡略化でき
る。この結果、より低コストの非接触ＩＣカードを作製
することができる。また、抵抗４０ｄはチップ抵抗を実
装した場合と比較するとより広い面積を有するため、抵
抗４０ｄの放熱がより促進されるという効果もある。
【００４５】なお、抵抗４０ｄの配線パターンを設計す
る際の留意点としては、抵抗４０ｄがループを形成しア
ンテナとしての動作をするのを防ぐためループ内の面積
が小さくなるようレイアウトをするか、配線をツイスト
配線（よじれ配線）にして結果として閉ループ面積を最
小にすることが挙げられる。図７においては、ループ面
積を小さくするため配線を折り返してレイアウトしてい
る。
る際の留意点としては、抵抗４０ｄがループを形成しア
ンテナとしての動作をするのを防ぐためループ内の面積
が小さくなるようレイアウトをするか、配線をツイスト
配線（よじれ配線）にして結果として閉ループ面積を最
小にすることが挙げられる。図７においては、ループ面
積を小さくするため配線を折り返してレイアウトしてい
る。
【００４６】
【発明の効果】この発明による非接触ＩＣカードは電力
消費手段を設けたため、整流回路からの直流電圧を低下
させるために必要なシャントレギュレータの消費電力を
低減することができる。これにより、過大な電力を受信
した場合においてもＩＣチップの発熱を抑制でき、非接
触ＩＣカードもしくはＩＣチップの破損を防止すること
ができる。
消費手段を設けたため、整流回路からの直流電圧を低下
させるために必要なシャントレギュレータの消費電力を
低減することができる。これにより、過大な電力を受信
した場合においてもＩＣチップの発熱を抑制でき、非接
触ＩＣカードもしくはＩＣチップの破損を防止すること
ができる。
【００４７】また、電力消費手段は発光ダイオードを含
むため、非接触ＩＣカードが使用可能状態であることを
カード使用者に伝達することができる。
むため、非接触ＩＣカードが使用可能状態であることを
カード使用者に伝達することができる。
【００４８】また、抵抗は、アンテナコイルと同一の材
料で形成されるため、アンテナコイルと抵抗とを同時に
形成することができる。これにより、抵抗部品が不要で
製造工程が簡略化され、低コストの非接触ＩＣカードを
提供することができる。
料で形成されるため、アンテナコイルと抵抗とを同時に
形成することができる。これにより、抵抗部品が不要で
製造工程が簡略化され、低コストの非接触ＩＣカードを
提供することができる。
【図１】この発明の第１の実施形態による非接触ＩＣカ
ードの構成を示すブロック図である。
ードの構成を示すブロック図である。
【図２】図１に示したシャントレギュレータの内部構成
を示す回路図である。
を示す回路図である。
【図３】この発明の第２の実施形態による非接触ＩＣカ
ードの構成を示すブロック図である。
ードの構成を示すブロック図である。
【図４】図３に示したシャントレギュレータの内部構成
を示す回路図である。
を示す回路図である。
【図５】この発明の第３の実施形態による非接触ＩＣカ
ードの構成を示すブロック図である。
ードの構成を示すブロック図である。
【図６】この発明の第１および第２の実施の形態による
非接触ＩＣカードの部品の配置を示す図である。
非接触ＩＣカードの部品の配置を示す図である。
【図７】この発明の第１および第２の実施の形態による
非接触ＩＣカードの部品の別の配置を示す図である。
非接触ＩＣカードの部品の別の配置を示す図である。
【図８】従来の非接触ＩＣカードの構成を示すブロック
図である。
図である。
ＣＡ１−ＣＡ３ 非接触ＩＣカード ２０ アンテナコイル ３０，３１ ＩＣチップ ４０，４１，４０ａ−４０ｃ，４１ａ−４１ｃ，４０
ｄ，４１ｄ 抵抗 ５０ 発光ダイオード ３１０ 整流回路 ３２０，３３０ シャントレギュレータ Ｌ１ 電源線 Ｌ２ 基準線 ＶＤＤ 電源電圧 ＶＳＳ 基準電圧
ｄ，４１ｄ 抵抗 ５０ 発光ダイオード ３１０ 整流回路 ３２０，３３０ シャントレギュレータ Ｌ１ 電源線 Ｌ２ 基準線 ＶＤＤ 電源電圧 ＶＳＳ 基準電圧
Claims (7)
- 【請求項１】 アンテナコイルと、ＩＣチップと、電力
消費手段とを備え、 前記ＩＣチップは、 前記アンテナコイルからの交流電圧を直流電圧に変換す
る整流回路と、 前記整流回路の出力を受ける電源線および基準線と、 前記電源線と前記基準線との間に設けられ、前記整流回
路からの直流電圧が所定のレベル以上のとき導通状態と
なるシャントレギュレータとを含み、 前記電力消費手段は、 前記電源線と前記シャントレギュレータとの間に設けら
れ、前記シャントレギュレータが導通状態のとき電力を
消費することを特徴とする非接触ＩＣカード。 - 【請求項２】 請求項１に記載の非接触ＩＣカードにお
いて、 前記電力消費手段は、 前記電源線と前記シャントレギュレータとの間に接続さ
れた抵抗を含むことを特徴とする非接触ＩＣカード。 - 【請求項３】 請求項１に記載の非接触ＩＣカードにお
いて、 前記電力消費手段は、 前記電源線と前記シャントレギュレータとの間に接続さ
れた発光ダイオードを含むことを特徴とする非接触ＩＣ
カード。 - 【請求項４】 アンテナコイルと、ＩＣチップと、電力
消費手段とを備え、 前記ＩＣチップは、 前記アンテナコイルからの交流電圧を直流電圧に変換す
る整流回路と、 前記整流回路の出力を受ける電源線および基準線と、 前記電源線と前記基準線との間に設けられ、前記整流回
路からの直流電圧が所定のレベル以上のとき導通状態と
なるシャントレギュレータとを含み、 前記電力消費手段は、 前記基準線と前記シャントレギュレータとの間に設けら
れ、前記シャントレギュレータが導通状態のとき電力を
消費することを特徴とする非接触ＩＣカード。 - 【請求項５】 請求項４に記載の非接触ＩＣカードにお
いて、 前記電力消費手段は、 前記基準線と前記シャントレギュレータとの間に接続さ
れた抵抗を含むことを特徴とする非接触ＩＣカード。 - 【請求項６】 請求項４に記載の非接触ＩＣカードにお
いて、 前記電力消費手段は、 前記基準線と前記シャントレギュレータとの間に接続さ
れた発光ダイオードを含むことを特徴とする非接触ＩＣ
カード。 - 【請求項７】 請求項２または請求項５に記載の非接触
ＩＣカードにおいて、 前記抵抗は、前記アンテナコイルと同一の材料で形成さ
れることを特徴とする非接触ＩＣカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001092349A JP2002288615A (ja) | 2001-03-28 | 2001-03-28 | 非接触ｉｃカード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001092349A JP2002288615A (ja) | 2001-03-28 | 2001-03-28 | 非接触ｉｃカード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002288615A true JP2002288615A (ja) | 2002-10-04 |
Family
ID=18946826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001092349A Pending JP2002288615A (ja) | 2001-03-28 | 2001-03-28 | 非接触ｉｃカード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002288615A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7141939B2 (en) | 2004-01-30 | 2006-11-28 | Fujitsu Limited | Power supply circuit that is stable against sudden load change |
| JP2007133500A (ja) * | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置 |
| JP2008236961A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置 |
| JP2010239781A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Fujitsu Ltd | 無線電力伝送システム、電力受信局装置、および電力送信局装置 |
| CN102865884A (zh) * | 2012-03-21 | 2013-01-09 | 李彤阳 | 非接触传感器 |
| JP2017017697A (ja) * | 2015-06-29 | 2017-01-19 | イーエム・ミクロエレクトロニク−マリン・エス アー | 整流器及び電圧リミッターを備えたｒｆｉｄトランスポンダー |
| KR101822491B1 (ko) | 2011-04-01 | 2018-01-26 | 삼성전자주식회사 | 전압 조정 회로 및 이의 동작 방법 |
-
2001
- 2001-03-28 JP JP2001092349A patent/JP2002288615A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7141939B2 (en) | 2004-01-30 | 2006-11-28 | Fujitsu Limited | Power supply circuit that is stable against sudden load change |
| KR100693852B1 (ko) | 2004-01-30 | 2007-03-13 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 전원 회로 |
| JP2007133500A (ja) * | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置 |
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