JP2008228461A - Dc−dcコンバータ - Google Patents

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Abstract

【課題】入力電圧が急減に低下したり負荷変動が生じても、出力電圧の低下を抑制し、かつ負荷応答特性の悪化も防止する。
【解決手段】DC−DCコンバータは、インダクタ素子L1と、同期整流スイッチング素子Q1,Q2と、エラーアンプ1と、位相補償回路2と、電流検出回路3と、スロープ補償回路4と、PWMコンパレータ5と、発振回路6と、第1のRSラッチ回路7と、第2のRSラッチ回路8と、コントロールロジック回路9と、ドライバ回路10,11と、クロック生成回路12と、デューティ検出回路13と、抵抗R1,R2とを備える。デューティ比が100%を超えても、デューティ比を短縮化する処理は行わず、発振回路6の発振動作を強制的に停止させる。これにより、入力電圧VINが大きく変動しても、出力電圧VOUTの変動を抑制でき、入出力電圧VOUT差を縮小できる。
【選択図】図1

Description

本発明は、DC−DCコンバータに関する。
降圧型のDC−DCコンバータでは、出力電圧が設定値以上に上昇すると、電力蓄積用のインダクタ素子に電流を流すスイッチング素子をオフして、出力電圧が設定値以上にならないように制御を行っている(特開2005-18870号公報)。
DC−DCコンバータには種々の回路方式があり、その一つに、ピーク電流モード制御の同期整流方式降圧型DC−DCコンバータがある。この種のコンバータでは、出力電圧と基準電圧との比較結果である誤差信号と、インダクタ素子に流れるピーク電流の検出信号とに基づいて、インダクタ素子への電力の蓄積とインダクタ素子からの電力の回生を切替制御する。インダクタ素子の動作の切替にはスイッチング素子が用いられ、このスイッチング素子は、所定周波数の発振信号に同期してオン・オフする。
電源電圧と負荷状態が安定している場合は、デューティ比は入力電圧に対する出力電圧の比で表される。しかしながら、入力電圧が急激に低下したり、負荷状態が急変した場合には、出力電圧が低下して、上述した誤差信号が大きくなり、ピーク電流が発振信号の1周期内に現れなくなる。この場合をデューティが100%を超えたという。
例えば、入力電圧VIN=5V、出力電圧VOUT=4V、デューティ比=80%でDC−DCコンバータが動作している状態で、負荷の急変により誤差信号が急激に増大し、その結果、デューティ比が140%まで上昇したとする。
ここで、デューティ比が140%とは、発振信号の1周期を100%として、2周期目の40/100の期間までスイッチング素子がオン状態を継続することを指している。スイッチング素子は、いったんオフすると、次の周期が始まるまではオフ状態を継続するため、2周期目については、1周期分の60/100の期間、スイッチング素子はオフ状態を継続することになる。したがって、インダクタ素子は、通常よりも長期間にわたって回生動作を行い、インダクタ素子に蓄積される電力が不足して、出力電圧がさらに低下してしまう。これにより、さらにデューティ比が上昇し、デューティ比が160%で安定する。
このように、入力電圧が急激に低下すると、デューティ比が100%を超えて、発振信号の例えば2周期で動作が安定するおそれがあり、見かけ上の動作周波数が通常動作時の半分になり、出力電圧のリップルが増大する等の電気特性上の不具合が生じる。
上記の不具合を防止する簡易的な手法として、発振信号の各周期ごとにスイッチング素子を強制的にオフする期間を設けて、デューティ比が100%を超えないようにすることも考えられる。しかしながら、各周期ごとにオフ期間を設けると、デューティ比が制限されることになり、インダクタ素子への電力蓄積量も制限されるため、負荷応答特性が悪くなる。
また、デューティ比が制限されると、入力電圧に対する出力電圧の可変範囲も狭くなる。さらに、強制的に設けられるオフ期間の長さは常に一定であるため、発振信号の周波数を上げるほど、最大のデューティ比が小さくなり、入力電圧範囲も狭くなる。このため、強制的なオフ期間を設けると、高周波動作が困難になる。
特開2005−184870号公報
本発明は、入力電圧が急減に低下したり負荷変動が生じても、出力電圧の低下を抑制でき、かつ負荷応答特性の悪化も防止できるDC−DCコンバータを提供するものである。
本発明の一態様によれば、一端が出力端子に接続されるインダクタ素子と、一端が第1の供給電位に接続され、他端が前記インダクタ素子の他端に接続された第1のスイッチング回路と、一端が前記第1の供給電位より低い第2の供給電位に接続され、他端が前記インダクタ素子の前記他端に接続された第2のスイッチング回路と、前記出力端子から出力される出力電圧の変化量に応じた誤差信号を生成するエラーアンプと、前記インダクタ素子を流れる電流に応じた電流検出信号を生成する電流検出回路と、前記電流検出信号と前記誤差信号との差分信号を生成する比較器と、所定周波数の発振信号を生成可能であり、発振動作を行うか否かを切替可能な発振回路と、前記差分信号に基づいて、前記第1および第2のスイッチング回路のスイッチング動作を制御する制御信号を前記発振信号に同期させて生成する制御回路と、前記発振信号および前記制御信号に基づいて、前記発振回路の発振動作を制御する発振制御回路と、を備えることを特徴とするDC−DCコンバータが提供される。
本発明によれば、入力電圧が急減に低下しても、出力電圧の低下を抑制でき、かつ負荷応答特性の悪化も防止できる。
以下、図面を参照しながら、本発明の一実施形態について説明する。
図1は本発明の一実施形態によるDC−DCコンバータの概略構成を示すブロック図である。図1のDC−DCコンバータは、インダクタ素子L1と、同期整流スイッチング素子Q1,Q2と、エラーアンプ(E/A、比較器)1と、位相補償回路2と、電流検出回路3と、スロープ補償回路4と、PWMコンパレータ5と、発振回路6と、第1のRSラッチ回路7と、第2のRSラッチ回路(発振制御回路)8と、コントロールロジック回路(制御回路)9と、ドライバ回路10,11と、クロック生成回路12と、デューティ検出回路13と、抵抗R1,R2とを備えている。
スイッチング素子Q1,Q2は、入力電圧VINと接地電圧との間に縦続接続されている。スイッチング素子Q1,Q2間の接続ノードにインダクタ素子L1の一端が接続され、インダクタ素子L1の他端は出力端子に接続されている。
出力端子から出力される出力電圧VOUTは、抵抗R1,R2により分圧されて、エラーアンプ1に入力される。エラーアンプ1は、出力電圧VOUT(より正確には出力電圧VOUTの分圧電圧)と基準電圧VREFを比較し、出力電圧VOUTの変化量に応じた誤差信号Vcを出力する。エラーアンプ1から出力される誤差信号Vcは、インダクタ素子L1のピーク電流制御用電圧として用いられる。
位相補償回路2は、エラーアンプ1により負帰還制御を行う際に生じた位相のずれを補償する。
電流検出回路3は、インダクタ素子L1に流れる電流を検出し、電流検出信号VILを出力する。この電流検出信号VILは、スロープ補償回路4により波形整形される。スロープ補償回路4は、低周波発振等の誤動作防止のために設けられる。
なお、上述した位相補償回路2とスロープ補償回路4は、必ずしも必須ではなく、省略してもよい。
PWMコンパレータ5は、電流検出信号VILと誤差信号Vcとを比較し、誤差信号VIL≧Vcになると、パルス信号を出力する。このパルス信号は第1のRSラッチ回路7のリセット端子に入力される。したがって、第1のRSラッチ回路7は、VIL≧Vcになると、ロウを出力する。
発振回路6は、ノコギリ波の立ち下がり時間に同期して、パルス状の発振信号を出力する。クロック生成回路12は、発振信号の立ち下がりエッジに同期したクロック信号を出力する。このクロック信号がハイの期間に第1のRSラッチ回路7はセットされる。
デューティ検出回路13は、デューティ比が100%を超えたか否かを検出する。ここで、デューティ比が100%を超えるとは、スイッチング素子Q1がオンした後、発振信号の1周期以内にスイッチング素子Q2がオンにならない場合である。デューティ検出回路13は、発振信号がハイになったタイミングで、スイッチング素子Q1のゲート信号がロウか否かを検出し、ロウであれば、すなわちスイッチング素子Q1がオンであれば、第2のRSラッチ回路8をリセットする。第2のRSラッチ回路8の出力信号は発振回路6のイネーブル端子enbに供給されるため、第2のRSラッチ回路8がリセットすると、発振回路6はディセーブル状態となり、発振回路6の出力論理はハイ固定になって、発振動作は中断される。
第2のRSラッチ回路8は、スイッチング素子Q2がオンする場合、すなわちスイッチング素子Q2のゲート信号がハイの場合に、第2のRSラッチ回路8をセットする。第2のRS回路がセットされると、発振回路6はイネーブル状態になり、所定周波数の発振信号が出力される。
図2は図1のDC−DCコンバータの動作タイミング図であり、図2を用いて図1のDC−DCコンバータの動作を説明する。まず、時刻t1〜t3は通常動作の1周期分を示している。発振回路6から出力された発振信号の立ち下がりエッジに同期して、クロック生成回路12はクロック信号を生成する。このクロック信号がハイになると、第1のRSラッチ回路7はセットされて、その出力はハイになる。これにより、コントロールロジック回路9とドライバ回路10,11は、スイッチング素子Q1,Q2のゲート信号をいずれもロウにし、スイッチング素子Q1をオンし、スイッチング素子Q2をオフする。
以上の動作により、入力電圧VINからスイッチング素子Q1を通ってインダクタ素子L1に電流が流れ、インダクタ素子L1には電力が蓄積され、出力電圧VOUTは上昇する。出力電圧VOUTが上昇すると、エラーアンプ1から出力される誤差信号の電圧レベルは低下する。
その後、時刻t2になると、電流検出信号VIL≧誤差信号Vcとなり、PWMコンパレータ5からパルス信号が出力される。これにより、第1のRSラッチ回路7はリセットされ、コントロールロジック回路9とドライバ回路10,11は、スイッチング素子Q1をオフし、スイッチング素子Q2をオンする。これにより、インダクタ素子L1は電力蓄積の代わりに電力回生動作を行い、インダクタ素子L1からスイッチング素子Q2を通って接地端子に向かって回生電流が流れる。
インダクタ素子L1が電力回生動作を行うと、出力電圧VOUTは徐々に低下する。その後、時刻t3になると、再び発振信号のパルスが出力され、インダクタ素子L1は時刻t1〜t2と同様に、電力蓄積動作を行う。
ここで、時刻t3の直後に、入力電圧VINが急激に低下したり、あるいは負荷変動により出力電圧VOUTが急激に低下したとし、時刻t3からの1周期内に、VIL≧Vcの電圧関係にならなかったとする。すなわち、デューティ比が100%を超えたものとする。
従来は、デューティ比が100%を超えると、1周期内で強制的にスイッチング素子Q1をオフする等して、出力電圧VOUTの低下を抑制していたが、本実施形態では、デューティ比が100%を超えても、デューティ比を短縮化する処理は行わず、発振回路6の発振動作を強制的に停止させる点に特徴がある。
例えば、図2の時刻t3からの1周期内にVIL≧Vcの電圧関係にならなかった場合には、その後に発振信号のパルスが出力された時刻t4で、スイッチング素子Q1のゲート信号がロウか否かを検出する。この検出はデューティ検出回路13にて行う。
通常動作時であれば、発振信号のパルスが出力された時点ではスイッチング素子Q1のゲート信号はハイになるが、入力電圧VINの急激な低下等が起こった場合には、同ゲート信号はロウのままである。スイッチング素子Q1のゲート信号がロウということは、インダクタ素子L1が依然として電力蓄積動作を行っており、VIL≧Vcであることを示している。
そこで、デューティ検出回路13は、VIL≧Vcであるかどうかを検出して、VIL≧Vcであれば、第2のRSラッチ回路8をリセットする。これにより、発振回路6は強制的にディセーブル状態となり、発振信号はハイ固定になる。
その後、入力電圧VINの急激な低下や負荷変動が解消されて、時刻t5のときに、VIL≧Vcになったとする。VIL≧Vcになると、PWMコンパレータ5からパルス信号が出力され、第1のRSラッチ回路7はリセットされる。これにより、コントロールロジック回路9とドライバ回路10,11は、スイッチング素子Q1をオフし、スイッチング素子Q2をオンする。また、スイッチング素子Q2がオンするのに同期して、第2のRSラッチ回路8がセットされ、発振回路6はイネーブル状態になる。その後、時刻t6で発振信号のパルスが出力され、それ以降は時刻t1〜t3と同様に、通常動作に復帰する。
図5の時刻t4〜t5は、発振信号の1周期分の長さ(時刻t1〜t3)よりも短く図示しているが、時刻t4〜t5は、入力電圧VINの変動や負荷変動等の長さによって変動する値であり、図5は一例にすぎない。例えば、入力電圧VINが急激に低下した場合、その後にVIL≧Vcになるまで、時刻t4〜t5の期間が続くことになる。
上述したように、デューティ比が100%を超えて、発振信号をハイ固定にした後、VIL≧Vcになると、スイッチング素子Q1をオフ→スイッチング素子Q2をオン→第2のRSラッチ回路8をセット→発振回路6をイネーブル→発振信号を出力→クロック生成回路12でクロック信号を生成→第1のRSラッチ回路7をセット→スイッチング素子Q2をオフ→スイッチング素子Q1をオン、といった一連の回路動作により通常動作に復帰する。この一連の回路動作は、回路の応答時間のみの遅延時間で連続的に実施されるため、インダクタ素子L1が電力回生動作を行う期間はきわめて短くなり、出力電圧VOUTをそれほど低下させずに、出力電圧VOUTの安定化を図れる。
このように、本実施形態では、1周期を超えた時点でVIL≧Vcであれば、次にVIL≧Vcになるまでは、発振信号をハイ固定にするため、その後にVIL≧Vcになった後に長期間にわたってインダクタ素子L1が電力回生動作を行って出力電圧VOUTが低下するという不具合を防止でき、負荷応答特性がよくなる。
また、本実施形態では、デューティ比が100%以上になることを許容し、無理矢理デューティ比を短くするような処理を行わないため、入出力電圧VOUT差を小さくすることができ、例えば、出力電圧VOUTの設定値よりも入力電圧VINが低くなった場合に、入力電圧VINに近接した出力電圧VOUTを生成できる。このため、入力電圧VINが大きく変動しても、出力電圧VOUTの変動を抑制できる。
また、本実施形態では、デューティ比が100%以上になると、発振信号をハイ固定にして、発振信号の発振周波数を制御するため、従来のように、動作周波数が半分以下になってリップルが発生する等の電気特性の劣化も生じない。また、消費電力の削減も図れる。
さらに、本実施形態では、各周期に強制的なスイッチング素子Q1のオフ期間を設けるわけではないため、発振信号の動作周波数の高周波化にも対応可能である。一般に、インダクタ素子L1のインダクタンスが小さい程、動作周波数を上げる必要があり、携帯機器等のように、インダクタンスの小さなインダクタ素子L1を有するDC−DCコンバータにも本発明は適用可能である。
また、本実施形態は、デューティ比が100%以上にならない限りは、従来のDC−DCコンバータと同様の動作を行うため、定常動作時の電気的特性に悪影響を及ぼすおそれもない。
さらに、本実施形態は、図1の一点鎖線で囲んだ回路をMOSトランジスタで形成してワンチップ化することができるため、集積化による小型化およびコストダウンが可能となる。なお、場合によっては、インダクタ素子L1も同一の半導体基板上にパターンにより形成してもよい。
図1では、パルス状の発振信号の生成しやすさと発振周期の安定化を考慮して、ノコギリ波の発振信号を生成する発振回路6を設けたが、同様の品質のパルス状の発振信号を生成できるのであれば、三角波等の発振信号を生成する発振回路6を用いてもよい。
図1の回路構成は一例であり、同様の回路動作が得られるのであれば、種々の変更が可能である。例えば、第1および第2のRSラッチ回路8は、同様の論理の信号を出力できるのであれば、他の回路で構成しても構わない。また、エラーアンプ1には、出力電圧VOUTを分圧した電圧を入力しているが、基準電圧VREFの合わせ込みが可能であれば、出力電圧VOUTをそのまま入力してもよい。さらに、コントロールロジック回路9やドライバ回路10,11など、いくつかの回路を一つにまとめてもよいし、あるいはコントロールロジック回路9等を複数の回路に分割して構成してもよい。
本実施形態によるDC−DCコンバータの入力電圧VINおよび出力電圧VOUTの電圧範囲は特に制限はないが、例えば入力電圧VINは6V以下、出力電圧VOUTは3.3V以下である。入出力電圧VOUTの範囲によって、回路構成の一部が変更になる可能性があるが、本発明は、図2のような動作タイミングで動作するすべての回路を念頭に置いている。
本発明の一実施形態によるDC−DCコンバータの概略構成を示すブロック図。 図1のDC−DCコンバータの動作タイミング図。
符号の説明
1 エラーアンプ、2 位相補償回路、3 電流検出回路、4 スロープ補償回路、5 PWMコンパレータ、6 発振回路、7 第1のRSラッチ回路、8 第2のRSラッチ回路、9 コントロールロジック回路、12 クロック生成回路、 13 デューティ検出回路

Claims (5)

  1. 一端が出力端子に接続されるインダクタ素子と、
    一端が第1の供給電位に接続され、他端が前記インダクタ素子の他端に接続された第1のスイッチング回路と、
    一端が前記第1の供給電位より低い第2の供給電位に接続され、他端が前記インダクタ素子の前記他端に接続された第2のスイッチング回路と、
    前記出力端子から出力される出力電圧の変化量に応じた誤差信号を生成するエラーアンプと、
    前記インダクタ素子を流れる電流に応じた電流検出信号を生成する電流検出回路と、
    前記電流検出信号と前記誤差信号との差分信号を生成する比較器と、
    所定周波数の発振信号を生成可能であり、発振動作を行うか否かを切替可能な発振回路と、
    前記差分信号に基づいて、前記第1および第2のスイッチング回路のスイッチング動作を制御する制御信号を前記発振信号に同期させて生成する制御回路と、
    前記発振信号および前記制御信号に基づいて、前記発振回路の発振動作を制御する発振制御回路と、を備えることを特徴とするDC−DCコンバータ。
  2. 前記発振制御回路は、前記第1のスイッチング回路が前記発振信号の1周期以上連続して前記インダクタ素子への電力蓄積を行う場合に、前記発振回路の発振動作を停止させることを特徴とする請求項1に記載のDC−DCコンバータ。
  3. 前記発振回路は、発振動作を行う際には、所定の周期でパルス状の前記発振信号を生成し、
    前記発振制御回路は、前記発振回路から前記発振信号のパルスが出力されたときに、前記第1のスイッチング回路が前記インダクタ素子への電力蓄積を行っていれば、前記発振回路の発振動作を停止させることを特徴とする請求項2に記載のDC−DCコンバータ。
  4. 前記発振制御回路は、前記差分信号の論理が前記発振信号の1周期以上変化しない場合に、次に前記差分信号の論理が変化するまで前記発振回路の発振動作を停止させることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のDC−DCコンバータ。
  5. 前記発振制御回路は、前記第2のスイッチング回路が前記インダクタ素子からの回生電流を流す動作を行う場合に前記発振回路の発振動作を許容し、前記第1のスイッチング素子が前記インダクタ素子に電力を蓄積する動作を行う場合に発振回路の発振動作を停止させることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のDC−DCコンバータ。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US9178428B2 (en) 2013-03-13 2015-11-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Step-down switching circuit
CN108123511A (zh) * 2016-11-30 2018-06-05 无锡华润矽科微电子有限公司 一种支持qc2.0功能的多通道车载快充芯片

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