JP2008221841A - 光情報記録媒体、情報記録方法および化合物の使用方法 - Google Patents

Abstract

【課題】短波長レーザー光照射による情報記録における記録特性に優れる光情報記録媒体および短波長レーザー光照射により良好な記録が可能な情報記録方法を提供する。
【解決手段】基板上に色素を含有する記録層を有する光情報記録媒体。前記記録層は、熱分解により気体を発生する置換基を有する化合物を含有する。前記光情報記録媒体へレーザー光を照射することにより記録層へ情報を記録する情報記録方法。熱分解により気体を発生する置換基を有する化合物を色素含有溶液の添加剤として使用する方法。
【選択図】図１

Description

本発明は、レーザー光を用いて情報の記録および再生が可能な光情報記録媒体および情報記録方法に関するものである。特に本発明は、波長４４０ｎｍ以下の短波長レーザー光照射による情報記録に好適なヒートモード型の光情報記録媒体および情報記録方法に関するものである。更に、本発明は、所定の置換基を有する化合物を色素含有溶液の添加剤として使用する方法に関する。

従来から、レーザー光により１回限りの情報記録が可能な光情報記録媒体として、追記型ＣＤ（ＣＤ−Ｒ）および追記型ＤＶＤ（ＤＶＤ−Ｒ）が知られている。ＣＤ−Ｒへの情報の記録は、近赤外域のレーザー光（通常、波長７８０ｎｍ程度）により行われるのに対し、ＤＶＤ−Ｒへの情報の記録は可視レーザー光（約６３０〜６８０ｎｍ）によって行われる。ＤＶＤ−Ｒは、記録用レーザー光としてＣＤ−Ｒより短波長のレーザー光を使用するため、ＣＤ−Ｒと比べて高密度記録可能であるという利点を有する。そのため、近年、ＤＶＤ−Ｒは、大容量の記録媒体としての地位をある程度まで確保している。

最近、インターネット等のネットワークやハイビジョンＴＶが急速に普及している。また、ＨＤＴＶ（Ｈｉｇｈ Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ）の放映を間近にひかえて、画像情報を安価簡便に記録するための大容量の記録媒体の要求が高まっている。しかし、ＣＤ−ＲおよびＤＶＤ−Ｒは、将来の要求に対応できる程の充分に大きな記録容量を有しているとはいえない。そこで、ＤＶＤ−Ｒよりも更に短波長のレーザー光を用いることによって記録密度を向上させるため、より短波長のレーザー光による記録が可能な大容量光ディスクの開発が進められている。例えば、特許文献１には、従来の記録波長より更に短波長のレーザー光により情報を記録するための光情報記録媒体が開示されている。更に、特許文献２および３には、例えば４０５ｎｍの青色レーザーを用いたＢｌｕ−ｒａｙ方式と称される光記録ディスクのように短波長レーザー光を照射することにより情報を記録するための光情報記録媒体が提案されている。

一方、特許文献４には、ＣＤ−Ｒ媒体においてフタロシアニン色素を含む記録層へフェロセン類を添加すると色素分解開始温度が低下し、ピットエッジ制御性が改善されることが記載されている。
特開２００１−２７７７２０号公報 特開２００２−３０１８７０号公報 ＷＯ２００５−０００９７２号公報 特開２００３−１９４２号公報

光情報記録では、記録用レーザー光の波長付近に吸収を有する色素を記録層用色素として使用することが好ましい。本発明者らの検討の結果、特許文献１に記載の光情報記録媒体において記録層に使用される色素は、短波長領域における記録に好適ではあるものの、記録特性が必ずしも十分なレベルにはないことが判明した。また、特許文献２および３に記載の光情報記録媒体において記録層に使用される色素は、短波長領域に吸収を有するものの、必ずしも十分な光堅牢性および記録特性の両立ができないことが判明した。さらに、本発明者らの検討によれば、特許文献１〜３に記載の光情報記録媒体の記録層に特許文献４に記載のフェロセン類を添加した場合にも、記録特性を満足できるレベルにまで改善することはできなかった。

そこで、本発明の目的は、短波長レーザー光照射による情報記録における記録特性に優れる光情報記録媒体および短波長レーザー光照射により良好な記録が可能な情報記録方法を提供することにある。

光情報記録では、光情報記録媒体にレーザー光を照射することにより、記録層の照射部分がレーザー光を吸収して局所的に温度上昇し、物理的または化学的変化（例えばピットの生成）が生じてその光学的特性を変えることにより、情報の記録が行われる。一方、情報の読み取り（再生）は、光情報記録媒体に対して、例えば記録用のレーザー光と同じ波長のレーザー光を照射し、記録層の光学的特性が変化した部位（記録部位）と変化しない部位（未記録部位）との屈折率の違いを検出することにより行われる。よって、記録部位と未記録部位の屈折率差が大きいほど、読み取り精度が向上する。本発明者らの検討の結果、上記特許文献１〜３に記載の光情報記録媒体では、記録前後で十分な屈折率差が得られないために十分な記録特性が得られないことが判明した。
そこで、本発明者らは上記知見に基づき更に検討を重ねた結果、熱分解により気体を発生する置換基を有する色素または添加剤を記録層に含有させることにより、該置換基が記録時に熱分解することによってピット内に空隙を形成することで大きな屈折率差を実現することができることを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、上記目的を達成する手段は、以下の通りである。
［１］基板上に色素を含有する記録層を有する光情報記録媒体であって、
前記記録層は、熱分解により気体を発生する置換基を有する化合物を含有することを特徴とする光情報記録媒体。
［２］前記化合物は、情報の記録のために前記光情報記録媒体へ照射されるレーザー光に対して吸収性を有さない［１］に記載の光情報記録媒体。
［３］前記色素は、情報の記録のために前記光情報記録媒体へ照射されるレーザー光を吸収することにより発熱し、
前記化合物は、前記発熱により生じた熱によって分解する［１］または［２］に記載の光情報記録媒体。
［４］前記レーザー光の波長は、３９０〜４４０ｎｍの範囲である［２］または［３］に記載の光情報記録媒体。
［５］前記置換基は下記一般式(I)または一般式(VII)で表される一価の置換基である［１］〜［４］のいずれかに記載の光情報記録媒体。

[一般式(I)および(VII)中、R¹およびR^1'は、各々独立にアルキル基を表し、XはNR²、硫黄原子、酸素原子またはCR³ R⁴を表し、R²、R³およびR⁴は、各々独立に、水素原子または一価の置換基を表し、Y、Y'、ZおよびZ'は、各々独立に、酸素原子または硫黄原子である。]
［６］一般式(I)中、XはNR²である［５］に記載の光情報記録媒体。
［７］前記化合物は、下記一般式(V)または一般式(VIII)で表される化合物である［５］または［６］に記載の光情報記録媒体。

[一般式(V)および(VIII)中、R⁵およびR^5'は、各々独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、カルボキシル基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルもしくはアリールスルフィニル基、アルキルもしくはアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基またはシリル基であり、nおよびn’は、各々独立に、１〜６の範囲の整数であり、R¹、R^1'、X、Y、Y^'、ZおよびZ'は、それぞれ一般式(I)および(VII)における定義と同義である。]
［８］前記化合物の熱分解温度は１５０〜２５０℃の範囲である［１］〜［７］のいずれかに記載の光情報記録媒体。
［９］前記色素は、前記化合物であり、かつ該化合物は下記一般式(i)で表される［１］に記載の光情報記録媒体。

[一般式(i)中、Aは、水素原子または置換基を表し、B₁、B₂、B₃およびB₄は、各々独立に、両端の２つの炭素原子とともに芳香環を形成する原子群を表し、Mは、２つの水素原子、２〜４価の金属原子、金属酸化物、配位子を有する金属原子または配位子を有する金属酸化物を表し、Cは、(L-(D)_l)またはEを表し、DおよびEは、各々独立に、下記一般式(ii)または(xiii)で表される一価の置換基を表し、Ｌは２価の連結基を表し、ｌは１〜１０の整数を表す。mは、０〜１５の範囲の整数を表し、ｎは、１〜１６の範囲の整数を表し、但し、m+n=16である。ｍが２以上の整数であるとき複数存在するAはそれぞれ同じでも異なっていてもよく、ｎが２以上の整数であるとき複数存在する (L-(D)_l)またはEはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。]

[一般式(ii)および(xiii)中、R¹¹およびR¹¹'は、各々独立に第二級アルキル基または第三級アルキル基を表し、X¹は、硫黄原子、酸素原子、NR¹²、CR¹³R¹⁴を表し、Y¹およびY¹'は、各々独立に、酸素原子または硫黄原子を表し、Z¹およびZ¹'は、各々独立に、NR¹²、酸素原子または硫黄原子を表し、R¹²、R¹³およびR¹⁴は、各々独立に、水素原子または1価の置換基を表す。]
［１０］一般式(ii)中のY¹およびZ¹はいずれも酸素原子であり、ならびに／または、一般式(xiii)中のY¹'およびZ¹'はいずれも酸素原子である［９］に記載の光情報記録媒体。
［１１］一般式(i)で表される化合物の熱分解温度は１５０〜４００℃の範囲である［９］または［１０］に記載の光情報記録媒体。
［１２］前記基板上に、前記記録層、バリア層、粘着層または接着層である中間層、およびカバー層をこの順に有する［１］〜［１１］のいずれかに記載の光情報記録媒体。
［１３］中間層のガラス転移温度は−１００〜２５℃の範囲である［１２］に記載の光情報記録媒体。
［１４］［１］〜［１３］のいずれかに記載の光情報記録媒体へレーザー光を照射することにより、前記記録層へ情報を記録する情報記録方法。
［１５］前記情報は、
前記色素が、照射されたレーザー光を吸収することによって発熱し、
前記発熱により生じた熱によって前記化合物が分解して気体を発生し、
前記気体の発生によって記録層中に空隙が生じることによって記録される、［１４］に記載の情報記録方法。
［１６］前記レーザー光の波長は、３９０〜４４０ｎｍの範囲である［１４］または［１５］に記載の情報記録方法。
［１７］熱分解により気体を発生する置換基を有する化合物を色素含有溶液の添加剤として使用する方法。
［１８］前記色素含有溶液は、光情報記録媒体の記録層形成用塗布液である［１７］に記載の方法。
［１９］前記置換基は下記一般式(I)または一般式(VII)で表される［１７］または［１８］に記載の方法。

[一般式(I)および(VII)中、R¹およびR^1'は、各々独立にアルキル基を表し、XはNR²、硫黄原子、酸素原子またはCR³ R⁴を表し、R²、R³およびR⁴は、各々独立に、水素原子または一価の置換基を表し、Y、Y'、ZおよびZ'は、各々独立に、酸素原子または硫黄原子である。]
［２０］一般式(I)中、XはNR²である［１９］に記載の方法。
［２１］前記化合物は、下記一般式(V)または一般式(VIII)で表される化合物である［１９］または［２０］に記載の方法。

[一般式(V)および(VIII)中、R⁵およびR^5'は、各々独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、カルボキシル基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルもしくはアリールスルフィニル基、アルキルもしくはアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基またはシリル基であり、nおよびn’は、各々独立に、１〜６の範囲の整数であり、R¹、R^1'、X、X^'、Y、Y^'、ZおよびZ'は、それぞれ一般式(I)および(VII)における定義と同義である。]

本発明によれば、短波長領域での記録特性に優れた光情報記録媒体を提供することができる。
更に、本発明によれば、熱分解により気体を発生する置換基を有する化合物を色素含有溶液へ添加することにより、色素の光堅牢性を高めることができる。

本発明の光情報記録媒体は、基板上に色素を含有する記録層を有する光情報記録媒体であって、前記記録層は、熱分解により気体を発生する置換基を有する化合物を含有するものであり、記録層用色素とは別に熱分解により気体を発生する置換基を有する化合物を含有する態様（以下、「態様Ａ」という）と、記録用色素が熱分解により気体を発生する置換基を有する化合物である態様（以下、「態様Ｂ」という）を包含する。いずれの態様においても、上記置換基が熱分解により発生した気体が、レーザー光照射部と未照射部との屈折率差増大に寄与することにより、記録特性を高めることができる。より詳細には、態様Ａでは、前記化合物を記録層に含むことにより、該化合物が記録時に熱分解することによって気体を発生してピット内に空隙を形成することができる。記録層用色素によっても異なるが、一般に、記録層中、レーザー光未照射部の屈折率は、例えば１．６〜１．９であるのに対し、レーザー光照射により空隙が形成された部分の屈折率は約１．０であり未照射部の屈折率と大きく異なる。本発明では、このように熱分解により気体を発生する置換基を有する化合物を記録層に含有させることにより、大きな屈折率差を実現することができ、これにより記録特性を高めることができる。

一方、態様Ｂでは、熱分解により気体を発生する置換基を有する一般式(i)で表される化合物を記録層用色素として含むことにより、優れた記録特性を得ることができる。更に一般式（i）で表される化合物を含む記録層は光堅牢性にも優れる。前記化合物を含む記録層が優れた記録特性および光堅牢性を示す理由について、本発明者らは以下のように推察している。

前記化合物を含む記録層へレーザー光を照射すると、後述する一般式（iii）で表される色素残基がレーザー光を吸収して発熱し、その熱により一般式(ii)または(xiii)で表される一価の置換基が熱分解して気体を発生し、これによりピット内に空隙が形成されると考えられる。一般式(i)で表される化合物を含む記録層において、レーザー光未照射部の屈折率は、一般に１．６〜１．９程度であるのに対し、レーザー光照射により空隙が形成された部分の屈折率は約１．０であり未照射部の屈折率と大きく異なる。これにより、大きな屈折率差を実現することができ、記録特性を高めることができると考えられる。
更に、本発明者らの検討の結果、一般式(iii)で表される色素残基と一般式(ii)または(xiii)で表される置換基が結合することにより、光堅牢性が大きく向上することが判明した。態様Ｂの光情報記録媒体は、上記特性を有する一般式(i)で表される化合物を記録層に含むことにより、光堅牢性と短波長領域での記録特性を両立することができる。
以下に、態様Ａおよび態様Ｂについて更に詳細に説明する。

態様Ａ
[記録層用色素]
態様Ａおよび態様Ｂのいずれにおいても、光情報記録媒体へ情報を記録するために用いるレーザーは、近赤外域のレーザー光（通常は７８０ｎｍ付近の波長のレーザー光）、可視レーザー光（６３０ｎｍ〜６８０ｎｍ）、波長５３０ｎｍ以下のレーザー光（４０５ｎｍの青色レーザー）が好ましい。より好ましくは可視レーザー光（６３０ｎｍ〜６８０ｎｍ）、波長５３０ｎｍ以下のレーザー光（例えば４０５ｎｍの青色レーザー）である。さらに好ましくは波長３９０〜４４０ｎｍ以下のレーザー光（例えば４０５ｎｍの青色レーザー）である。

記録層用色素としては、情報の記録のために照射されるレーザー光に対して吸収性を有するものを用いることができる。前記色素は、記録用レーザー光を吸収することにより発熱するものであることが好ましい。態様Ａでは、レーザー光照射により記録層に含まれる色素が発熱し、この発熱によって生じた熱により、前記化合物が有する置換基が熱分解することによって気体を発生して記録層内に空隙（ピット）を形成することが好ましい。これに対し、態様Ｂでは、熱分解により気体を発生する置換基を有する化合物が、情報の記録のために照射されるレーザー光に対して吸収性を有することが好ましい。これにより、上記化合物が記録層用色素として機能することができる。なお、本発明において「吸収性を有する」とは、モル吸光係数ε（L/(mol・cm)）が5000以上あることを意味する。好ましくは、記録層用色素は、吸収極大波長が300nm〜900nmの範囲にあり、かつモル吸光係数ε（L/(mol・cm)）が5000以上であり、より好ましくは吸収極大波長が350nm〜500nmの範囲にあり、より好ましくは吸収極大波長が370nm〜460nmの範囲にある。またモル吸光係数ε（L/(mol・cm)）は好ましくは10000以上であり、より好ましく15000以上である。モル吸光係数ε（L/(mol・cm)）の上限値は、特に限定されないが、例えば1000000である。

記録層用色素は、情報の記録のために照射されるレーザー光に対する吸収性を考慮して適宜選択することができる。具体的には、記録層用色素としては、オキソノール色素、シアニン色素、スチリル色素、メロシアニン色素、フタロシアニン色素、トリアジン色素、ベンゾトリアゾール色素、ベンゾオキサゾール色素、アミノブタジエン、アゾ系色素、アゾメチン色素、ピリドポルフィラジン色素、ピラドポルフィラジン色素、ポルフィリン色素、ポルフィラジン色素、ジケトピロロピロール色素等を用いることができ、フタロシアニン色素、トリアジン色素、ベンゾトリアゾール色素、アゾ系色素、シアニン色素を用いることが好ましく、フタロシアニン色素、トリアジン色素、アゾ系色素、シアニン色素を用いることが更に好ましい。

フタロシアニン色素としては、下記一般式（１）で表されるフタロシアニン誘導体を用いることが好ましい。

一般式（１）中、Ｒは置換基を表す。前記置換基としては、後述する一般式（２）中のＲα¹〜Ｒα⁸およびＲβ¹〜Ｒβ⁸として挙げた置換基を挙げることができる。
ｎは１〜８の範囲の整数を表し、好ましくは１〜６、より好ましくは１〜４である。ｎが２以上の整数のとき、複数存在するＲは互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｍは２個の水素原子、２〜４価の金属原子、２〜４価のオキシ金属原子、または配位子を有する２〜４価の金属原子を表す。その具体例および好ましい例は、一般式（２）について後述する通りである。

一般式（１）で表されるフタロシアニン誘導体の好ましい態様としては、下記一般式（２）で表されるフタロシアニン誘導体を挙げることができる。

一般式（２）中、Ｒα¹〜Ｒα⁸およびＲβ¹〜Ｒβ⁸は、それぞれ独立に水素原子または置換基であり、Ｒα¹〜Ｒα⁸およびＲβ¹〜Ｒβ⁸のうち少なくとも８つは水素原子である。置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ホルミル基、カルボキシル基、スルホ基、炭素数１〜２０の置換または無置換のアルキル基、炭素数６〜１４の置換または無置換のアリール基、炭素数１〜１０の置換または無置換のヘテロ環基、炭素数１〜２０の置換または無置換のアルコキシ基、炭素数６〜１４の置換または無置換のアリールオキシ基、炭素数２〜２１の置換または無置換のアシル基、炭素数１〜２０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、炭素数６〜１４の置換または無置換のアリールスルホニル基、炭素数１〜１０のヘテリルスルホニル基、炭素数１〜２５の置換または無置換のカルバモイル基、炭素数０〜３２の置換または無置換のスルファモイル基、炭素数２〜２０の置換または無置換のアルコキシカルボニル基、炭素数７〜１５の置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、炭素数２〜２１の置換または無置換のアシルアミノ基、炭素数１〜２０の置換または無置換のスルホニルアミノ基、炭素数０〜３６の置換または無置換のアミノ基を挙げることができる。但し、一般式（２）中、Ｒα¹〜Ｒα⁸全てが水素原子であることはない。Ｍは２個の水素原子、２〜４価の金属原子、２〜４価のオキシ金属原子、または配位子を有する２〜４価の金属原子を表す。

一般式（２）において、Ｒα¹〜Ｒα⁸およびＲβ¹〜Ｒβ⁸は、好ましくは、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、カルボキシル基、スルホ基、炭素数１〜１６の置換または無置換のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基）、炭素数６〜１４の置換または無置換のアリール基（例えば、フェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、ｐ−オクダデシルフェニル基）、炭素数１〜１６の置換または無置換のアルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−オクチルオキシ基）、炭素数６〜１０の置換または無置換のアリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ｐ−エトキシフェノキシ基）、炭素数１〜２０の置換または無置換のアルキルスルホニル基（例えば、メタンスルホニル基、ｎ−プロピルスルホニル基、ｎ−オクチルスルホニル基）、炭素数６〜１４の置換または無置換のアリールスルホニル基（例えば、トルエンスルホニル基、ベンゼンスルホニル基）、炭素数０〜２０の置換または無置換のスルファモイル基（例えば、メチルスルファモイル基、ｎ−ブチルスルファモイル基）、炭素数１〜１７のアルコキシカルボニル（例えば、メトキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基）、炭素数７〜１５の置換または無置換のアリールオキシカルボニル基（例えば、フェノキシカルボニル基、ｍ−クロロフェニルカルボニル基）、炭素数２〜２１の置換または無置換のアシルアミノ基（例えば、アセチルアミノ基、ピバロイルアミノ基、ｎ−ヘキシルアミノ基）、炭素数１〜１８のスルホニルアミノ基（例えば、メタンスルホニルアミノ基、ｎ−ブタンスルホニルアミノ基）である。

Ｒα¹〜Ｒα⁸およびＲβ¹〜Ｒβ⁸は、更に好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、カルボキシル基、スルホ基、炭素数１〜１６の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数１〜１６の置換もしくは無置換のアルコキシ基、炭素数１〜２０置換もしくは無置換のアルキルスルホニル基、炭素数６〜１４の置換もしくは無置換のアリールスルホニル基、炭素数２〜２０の置換もしくは無置換のスルファモイル基、炭素数１〜１３のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜２１の置換もしくは無置換のアシルアミノ基、または炭素数１〜１８のスルホニルアミノ基である。
更に好ましくは、Ｒα¹〜Ｒα⁸が水素原子、ハロゲン原子、スルホ基、炭素数１〜１６の置換もしくは無置換のアルコキシ基、炭素数１〜２０置換もしくは無置換のアルキルスルホニル基、炭素数６〜１４の置換もしくは無置換のアリールスルホニル基、炭素数２〜２０の置換もしくは無置換のスルファモイル基、炭素数２〜２１の置換もしくは無置換のアシルアミノ基、または炭素数１〜１８のスルホニルアミノ基であって、Ｒβ¹〜Ｒβ⁸は水素原子またはハロゲン原子である。
特に好ましくは、Ｒα¹〜Ｒα⁸が水素原子、スルホ基、炭素数１〜２０の無置換のアルキルスルホニル基、炭素数６〜１４の無置換のアリールスルホニル基、または炭素数７〜２０の無置換のスルファモイル基であって、Ｒ¹〜Ｒ⁸は水素原子である。
一般式（２）で表されるフタロシアニン誘導体におけるＲα¹およびＲα²のいずれか一方、Ｒα³およびＲα⁴のいずれか一方、Ｒα⁵およびＲα⁶のいずれか一方、Ｒα⁷およびＲα⁸のいずれか一方の計４つは、同時に水素原子ではないことが好ましい。

一般式（２）において、Ｒα¹〜Ｒα⁸およびＲβ¹〜Ｒβ⁸は更に置換基を有していてもよく、該置換基の例としては、以下に記載のものを挙げることができる。
炭素数１〜２０の鎖状または環状の置換または無置換のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、シクロヘキシル基、ベンジル基、フェネチル基）、炭素数６〜１８の置換または無置換のアリール基（例えば、フェニル基、クロロフェニル基、２，４−ジ−ｔ−アミルフェニル基、１−ナフチル基）、炭素数２〜２０の置換または無置換のアルケニル基（例えば、ビニル基、２−メチルビニル基）、炭素数２〜２０の置換または無置換のアルキニル基（例えば、エチニル基、２−メチルエチニル基、２−フェニルエチニル基）、ハロゲン原子（例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、シアノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、炭素数２〜２０の置換または無置換のアシル基（例えば、アセチル基、ベンゾイル基、サリチロイル基、ピバロイル基）、炭素数１〜２０の置換または無置換のアルコキシ基（例えば、メトキシ基、ブトキシ基、シクロヘキシルオキシ基）、炭素数６〜２０の置換または無置換のアリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、１−ナフトキシ基、ｐ−メトキシフェノキシ基）、炭素数１〜２０の置換または無置換のアルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、ブチルチオ基、ベンジルチオ基、３−メトキシプロピルチオ基）、炭素数６〜２０の置換または無置換のアリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、４−クロロフェニルチオ基）、炭素数１〜２０の置換または無置換のアルキルスルホニル基（例えば、メタンスルホニル基、ブタンスルホニル基）、炭素数６〜２０の置換または無置換のアリールスルホニル基（例えば、ベンゼンスルホニル基、パラトルエンスルホニル基）、炭素数１〜１７の置換または無置換のカルバモイル基（例えば、無置換のカルバモイル基、メチルカルバモイル基、エチルカルバモイル基、ｎ−ブチルカルバモイル基、ジメチルカルバモイル基）、炭素数１〜１６の置換または無置換のアシルアミノ基（例えば、アセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基）、炭素数２〜１０の置換または無置換のアシルオキシ基（例えば、アセトキシ基、ベンゾイルオキシ基）、炭素数２〜１０の置換または無置換のアルコキシカルボニル基（例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基）、５もしくは６員の置換または無置換のヘテロ環基（例えば、ピリジル基、チエニル基、フリル基、チアゾリル基、イミダゾリル基、ピラゾリルなどの芳香族ヘテロ環基、ピロリジン環、ピペリジン環、モルホリン環、ピラン環、チオピラン環、ジオキサン環、ジチオラン環などの非芳香族ヘテロ環基）。

一般式（２）において、Ｒα¹〜Ｒα⁸およびＲβ¹〜Ｒβ⁸を置換する置換基として好ましいものは、炭素数１〜１６の鎖状または環状の置換または無置換のアルキル基、炭素数６〜１４のアリール基、炭素数１〜１６のアルコキシ基、炭素数６〜１４のアリールオキシ基、ハロゲン原子、炭素数２〜１７のアルコキシカルボニル基、炭素数１〜１０のカルバモイル基、炭素数１〜１０のアシルアミノ基である。
その中でも好ましいものは、炭素数１〜１０の鎖状または環状のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、炭素数６〜１０のアリールオキシ基、塩素原子、炭素数２〜１１のアルコキシカルボニル基、炭素数１〜７のカルバモイル基、炭素数１〜８のアシルアミノ基である。
その中でも特に好ましいものは、炭素数１〜８の鎖状分岐または環状の無置換のアルキル基、炭素数１〜８の無置換のアルコキシ基、炭素数３〜９の無置換のアルコキシカルボニル基、フェニルおよび塩素原子である。置換基として最も好ましいものは炭素数１〜６の無置換のアルコキシ基である。

Ｍは２個の水素原子、２〜４価の金属原子、２〜４価のオキシ金属原子、または配位子を有する２〜４価の金属原子を表す。好ましくは、Ｍは２〜４価の金属原子であり、中でも、銅原子、ニッケル原子、またはパラジウム原子が好ましい。更には、銅原子またはニッケル原子が好ましく、銅原子が最も好ましい。

前記一般式（１）または（２）で表されるフタロシアニン誘導体は、置換基の置換位置が異なる異性体の混合物である。
前記フタロシアニン誘導体としては、位置異性体の混合物の中、最も含有率が多い成分が全体の５０質量％未満であるものが好ましい。更には、最も含有率が多い成分が全体の４５％以下であるものが好ましく。更には、最も含有率が多い成分が全体の４０％以下であるものが最も好ましい。

以下に、本発明で用いられるフタロシアニン誘導体の好ましい具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
下記において、例えばＲα¹／Ｒα²という表記はＲα¹またはＲα²のいずれか一方という意味を表しており、従ってこの表記のある化合物は置換位置異性体の混合物である。また無置換の場合、即ち水素原子が置換している場合は表記を省略している。

本発明で使用可能なフタロシアニン誘導体の具体例
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Ｎｏ． 置換基位置および置換基 Ｍ
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（Ｉ−１） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶、Ｒα⁷／Ｒα⁸ Ｃｕ
−ＳＯ₂Ｎ（Ｃ₅Ｈ₁₁−ｉ）₂
（Ｉ−２） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶、Ｒα⁷／Ｒα⁸ Ｃｕ
−ＳＯ₂ＮＨ（２−ｓ−ｂｕｔｏｘｙ−５
−ｔ−ａｍｙｌｐｈｅｎｙｌ）
（Ｉ−３） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶ Ｃｕ
−ＳＯ₂ＮＨ（ＣＨ₂）₃Ｏ（２，４−ｄｉ−ｔ−ａｍｙｌ
−ｐｈｅｎｙｌ）
Ｒα⁷／Ｒα⁸−ＳＯ₃Ｈ
（Ｉ−４） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶、Ｒα⁷／Ｒα⁸ Ｎｉ
−ＳＯ₂Ｎ（３−ｍｅｔｈｏｘｙｐｒｏｐｙｌ）₂
（Ｉ−５） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶、Ｒα⁷／Ｒα⁸ Ｎｉ
−ＳＯ₂ＮＭｅ（ｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌ）
（Ｉ−６） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶、Ｒα⁷／Ｒα⁸ Ｎｉ
−ＳＯ₂Ｎ（３−ｉ−ｐｒｏｐｏｘｙｐｈｅｎｙｌ）₂
（Ｉ−７） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶、Ｒα⁷／Ｒα⁸ Ｐｄ
−ＳＯ₂ＮＨ（２−ｉ−ａｍｙｌｏｘｙ
−ｃａｒｂｏｎｙｌｐｈｅｎｙｌ）
（Ｉ−８） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶、Ｒα⁷／Ｒα⁸ Ｐｄ
−ＳＯ₂ＮＨ（２，４，６−ｔｒｉｍｅｔｈｙｌ
−ｐｈｅｎｙｌ）
（Ｉ−９） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶、Ｒα⁷／Ｒα⁸ Ｃｏ
−ＳＯ₂（４−ｍｏｒｐｈｏｌｉｎｏ）
（Ｉ−１０） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶、Ｒα⁷／Ｒα⁸ Ｆｅ
−ＳＯ₂Ｎ（Ｃ₂Ｈ₅）（４−ｆｌｕｏｒｏｐｈｅｎｙｌ）
（Ｉ−１１） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶ Ｃｕ
−ＳＯ₂ＮＨ（ＣＨ₂）₃Ｎ（Ｃ₂Ｈ₅）₂
（Ｉ−１２） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶、Ｒα⁷／Ｒα⁸ Ｃｕ
−ＳＯ₂（２−ｎ−ｐｒｏｐｏｘｙｐｈｅｎｙｌ）
（Ｉ−１３） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶、Ｒα⁷／Ｒα⁸ Ｎｉ
−ＳＯ₂（２−ｎ−ｂｕｔｏｘｙ−５−ｔ−ｂｕｔｙｌ
−ｐｈｅｎｙｌ）
（Ｉ−１４） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶、Ｒα⁷／Ｒα⁸ Ｃｏ
−ＳＯ₂（２−ｍｅｔｈｏｘｙｃａｒｂｏｎｙｌ
−ｐｈｅｎｙｌ）
（Ｉ−１５） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶、Ｒα⁷／Ｒα⁸ Ｃｕ
−ＳＯ₂（ＣＨ₂）₄Ｏ（２−ｃｈｌｏｒｏ−４
−ｔ−ａｍｙｌｐｈｅｎｙｌ）
（Ｉ−１６） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶、Ｒα⁷／Ｒα⁸ Ｐｄ
−ＳＯ₂（ＣＨ₂）₂ＣＯ₂Ｃ₄Ｈ₉−ｉ
（Ｉ−１７） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶、Ｒα⁷／Ｒα⁸ Ｃｕ
−ＳＯ₂（ｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌ）
（Ｉ−１８） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶、Ｒα⁷／Ｒα⁸ Ｎｉ
−ＳＯ₂｛４−（２−ｓ−ｂｕｔｏｘｙ
−ｂｅｎｚｏｙｌａｍｉｎｏ）ｐｈｅｎｙｌ｝
（Ｉ−１９） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶ Ｐｄ
−ＳＯ₂（２，６−ｄｉｃｈｌｏｒｏ
−４−ｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌ）
（Ｉ−２０） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶ Ｍｇ
−ＳＯ₂ＣＨ（Ｍｅ）ＣＯ₂ＣＨ₂
−ＣＨ（Ｃ₂Ｈ₅）Ｃ₄Ｈ₉−ｎ
（Ｉ−２１） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶、Ｒα⁷／Ｒα⁸ Ｚｎ
−ＳＯ₂｛２−（２−ｅｔｈｏｘｙｅｔｈｏｘｙ）
−ｐｈｅｎｙｌ｝
Ｒβ¹／Ｒβ²、Ｒβ³／Ｒβ⁴、Ｒβ⁵／Ｒβ⁶、Ｒβ⁷／Ｒβ⁸
−Ｃ₂Ｈ₅
（Ｉ−２２） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶、Ｒα⁷／Ｒα⁸ Ｃｕ
−ＳＯ₂Ｎ（ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＭｅ）₂
（Ｉ−２３） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶、Ｒα⁷／Ｒα⁸ Ｎｉ
−ＯＣＨ₂ＣＨ（Ｃ₂Ｈ₅）Ｃ₄Ｈ₉−ｎ
（Ｉ−２４） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶、Ｒα⁷／Ｒα⁸ Ｚｎ
−ＯＣＨＭｅ（ｐｈｅｎｙｌ）
（Ｉ−２５） Ｒα¹、Ｒα²、Ｒα³、Ｒα⁴、Ｒα⁵、Ｒα⁶、Ｒα⁷、Ｒα⁸ Ｃｕ
−ＯＣＨ（ｓ−ｂｕｔｙｌ）₂
（Ｉ−２６） Ｒα¹、Ｒα²、Ｒα³、Ｒα⁴、Ｒα⁵、Ｒα⁶、Ｒα⁷、Ｒα⁸
−ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣ₃Ｈ₇−ｉ ＳｉＣｌ₂
（Ｉ−２７） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶、Ｒα⁷／Ｒα⁸ Ｎｉ
−ｔ−ａｍｙｌ
Ｒβ¹／Ｒβ²、Ｒβ³／Ｒβ⁴、Ｒβ⁵／Ｒβ⁶、Ｒβ⁷／Ｒβ⁸
−Ｃｌ
（Ｉ−２８） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶、Ｒα⁷／Ｒα⁸ Ｚｎ
−（２，６−ｄｉ−ｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌ）
（Ｉ−２９） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶ Ｃｕ
−ＳＯ₂ＮＨＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣ₃Ｈ₇−ｉ
Ｒα⁷／Ｒα⁸−ＳＯ₃Ｈ
（Ｉ−３０） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶ Ｃｕ
−ＣＯ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣ₂Ｈ₅
Ｒα⁷／Ｒα⁸−ＣＯ₂Ｈ
（Ｉ−３１） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶、Ｒα⁷／Ｒα⁸ Ｃｏ
−ＣＯ₂ＣＨ（Ｍｅ）ＣＯ₂Ｃ₃Ｈ₇−ｉ
（Ｉ−３２） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶、Ｒα⁷／Ｒα⁸ Ｃｕ
−ＣＯＮＨＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣ₃Ｈ₇−ｉ
（Ｉ−３３） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶ Ｐｄ
−ＣＯＮ（ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣ₄Ｈ₉−ｎ）₂
Ｒα⁷／Ｒα⁸−ＣＯ₂Ｈ
（Ｉ−３４） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶、Ｒα⁷／Ｒα⁸ Ｃｏ
−ＮＨＣＯＣＨ（Ｃ₂Ｈ₅）Ｃ₄Ｈ₉−ｎ
（Ｉ−３５） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶、Ｒα⁷／Ｒα⁸ Ｍｇ
−ＮＨＣＯ（２−ｎ−ｂｕｔｏｘｙｃａｒｂｏｎｙｌ
−ｐｈｅｎｙｌ）
（Ｉ−３６） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶、Ｒα⁷／Ｒα⁸ Ｐｄ
−ＮＨＳＯ₂（２−ｉ−ｐｒｏｐｏｘｙｐｈｅｎｙｌ）
（Ｉ−３７） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶、Ｒα⁷／Ｒα⁸ Ｚｎ
−ＮＨＳＯ₂（２−ｎ−ｂｕｔｏｘｙ−５−ｔ−ａｍｙｌ
−ｐｈｅｎｙｌ）
（Ｉ−３８） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶、Ｒα⁷／Ｒα⁸ Ｎｉ
−ＳＯ₂ＣＨ₃
（Ｉ−３９） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶、Ｒα⁷／Ｒα⁸ Ｃｕ
−ＳＯ₂ＣＨ（ＣＨ₃）₂
（Ｉ−４０） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶、Ｒα⁷／Ｒα⁸ Ｃｕ
−ＳＯ₂Ｃ₄Ｈ₉−^S
（Ｉ−４１） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶、Ｒα⁷／Ｒα⁸ Ｃｕ
−ＳＯ₂ＣＨ₂ＣＯ₂ＣＨ（ＣＨ₃）₂
（Ｉ−４２） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶、Ｒα⁷／Ｒα⁸ Ｃｕ
−ＳＯ₂ＣＨ（ＣＨ₃）ＣＯ₂ＣＨ₃
（Ｉ−４３） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶、Ｒα⁷／Ｒα⁸ Ｃｕ
−ＳＯ₂Ｃ₆Ｈ₅
（Ｉ−４４） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶、Ｒα⁷／Ｒα⁸ Ｃｕ
−ＳＯ₂Ｎ（Ｃ₅Ｈ₁₁ ^-i）₂
（Ｉ−４５） Ｒα¹／Ｒα²、Ｒα³／Ｒα⁴、Ｒα⁵／Ｒα⁶、Ｒα⁷／Ｒα⁸ Ｃｕ
−ＳＯ₂ＣＨ（ＣＨ₃）₂
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以上説明したフタロシアニン誘導体は、公知の方法で合成することができ、また市販品として入手可能なものもある。

記録層用色素として使用されるトリアジン色素としては、下記一般式（３）で表されるトリアジン誘導体が好ましい。

一般式（３）中、Ｒ¹¹、Ｒ¹²およびＲ¹³は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アラルキル基またはヘテロ環基を表す。
一般式（３）において、Ｒ¹¹、Ｒ¹²およびＲ¹³で表されるアルキル基として好ましいものは、炭素数１〜２０の鎖状または環状の置換基を有していてもよいアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒ−ブチル基、メトキシエチル基、ヒドロキシエチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、シクロヘキシル基）であり、更に好ましくは炭素数１〜６のアルキル基であり、特にメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、メトキシエチル基が好ましい。

一般式（３）において、Ｒ¹¹、Ｒ¹²およびＲ¹³で表されるアルケニル基は、炭素数２〜２０であることが好ましく、更に炭素数２〜８であることが好ましく、例えばビニル基、２−プロペニル基、２−メチルプロペニル基、１，３−ブタジエニル基を挙げることができる。

一般式（３）において、Ｒ¹¹、Ｒ¹²およびＲ¹³で表されるアルキニル基は、炭素数２〜２０であることが好ましく、更に炭素数２〜８であることが好ましく、例えばエチニル基、プロピニル基、３，３−ジメチルブチニル基を挙げることができる。

一般式（３）において、Ｒ¹¹、Ｒ¹²およびＲ¹³で表されるアリール基として好ましいものは、炭素数６〜１８の置換基を有していてもよいアリール基（例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基）であり、更に好ましくはフェニル基、１−ナフチル基または２−ナフチル基であり、特にフェニル基が好ましい。

一般式（３）において、Ｒ¹¹、Ｒ¹²およびＲ¹³で表されるアラルキル基として好ましいものは、炭素数７〜１８の置換基を有していてもよいアラルキル基（例えば、ベンジル基、フェネチル基、アニシル基）であり、特にベンジル基が好ましい。

一般式（３）において、Ｒ¹¹、Ｒ¹²およびＲ¹³で表されるヘテロ環基として好ましいものは、５員または６員の飽和または不飽和のヘテロ環基であり、含有されるヘテロ原子としては特に窒素原子、酸素原子および硫黄原子が好ましく、炭素数は４〜７であることが好ましい。具体例としては、４−ピリジル基、２−ピリジル基、２−ピラジル基、２−イミダゾリル基、２−フリル基、２−チオフェニル基、２−ベンゾオキサゾリル基、２−ベンゾチオキサゾリル基を挙げることができる。

一般式（３）において、Ｒ¹¹、Ｒ¹²およびＲ¹³としては、アリール基またはヘテロ環基が好ましく、Ｒ¹¹、Ｒ¹²およびＲ¹³の少なくとも１つがアリール基またはヘテロ環基であることが好ましい。また、Ｒ¹¹、Ｒ¹²およびＲ¹³としては、アリール基がより好ましく、Ｒ¹¹、Ｒ¹²およびＲ¹³の少なくとも１つがアリール基であることがより好ましく、Ｒ¹¹、Ｒ¹²およびＲ¹³の全部がアリール基であることが特に好ましい。

一般式（３）において、Ｒ¹¹、Ｒ¹²およびＲ¹³の置換基としては、例えば以下に記載のものを挙げることができる。
炭素数１〜２０の鎖状または環状のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基）、炭素数６〜１８のアリール基（例えば、フェニル基、クロロフェニル基、アニシル基、トルイル基、２，４−ジ−ｔ−アミル基、１−ナフチル基）、炭素数２〜２０のアルケニル基（例えば、ビニル基、２−メチルビニル基）、炭素数２〜２０のアルキニル基（例えば、エチニル基、２−メチルエチニル基、２−フェニルエチニル基）、ハロゲン原子（例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、シアノ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、炭素数０〜２０の置換または無置換のアミノ基、カルボキシル基、ホルミル基、炭素数２〜２０のアシル基（例えば、アセチル基、ベンゾイル基、サリチロイル基、ピバロイル基）、炭素数１〜２０のアルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、シクロヘキシルオキシ基）、炭素数６〜１８のアリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、１−ナフトキシ基）、炭素数１〜２０のアルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、ブチルチオ基、ベンジルチオ基、３−メトキシプロピルチオ基）、炭素数６〜１８のアリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、４−クロロフェニルチオ基）、炭素数１〜２０のアルキルスルホニル基（例えば、メタンスルホニル基、ブタンスルホニル基）、炭素数６〜１８のアリールスルホニル基（例えば、ベンゼンスルホニル基、パラトルエンスルホニル基）、炭素数１〜１０のカルバモイル基、炭素数１〜１０のアミド基、炭素数２〜１２のイミド基、炭素数２〜１０のアシルオキシ基、炭素数２〜１０のアルコキシカルボニル基、ヘテロ環基（例えば、ピリジル基、チエニル基、フリル基、チアゾリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基などの芳香族ヘテロ環、ピロリジン環、ピペリジン環、モルホリン環、ピラン環、チオピラン環、ジオキサン環、ジチオラン環などの脂肪族ヘテロ環）。

上記置換基としては、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基またはアリールチオ基が好ましく、更にヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１０のアリールオキシ基、炭素数１〜１２のアミノ基、炭素数２〜１３のアシルアミノ基が好ましく、特にヒドロキシ基が好ましい。

一般式（３）で表されるトリアジン誘導体は、下記一般式（４）で表される構造である場合が特に好ましい。

一般式（４）中、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵およびＲ¹⁶は、それぞれ独立に一価の置換基を表し、ｐ、ｑおよびｒは、それぞれ独立に０〜４の範囲の整数を表す。
一般式（４）において、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵およびＲ¹⁶で表される置換基としては、一般式（３）におけるＲ¹¹、Ｒ¹²およびＲ¹³の置換基として挙げたものを挙げることができる。好ましくは、炭素数１〜６のアルキル基（特にメチル基、 エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基）、炭素数６〜１０の アリール基（特にフェニル基）、炭素数１〜１０のアルコキシ基（特にメトキシ基、エトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基）、アリールオキシ基（特にフェノキシ基）およびハロゲン原子（特に塩素原子）であり、特に 好ましくは、炭素数１〜８のアルコキシ基である。

一般式（４）において、ｐ、ｑおよびｒで表される整数は、それぞれ独立に０、１、および２が好ましく、１または２がより好ましい。ｐが２以上の整数のとき複数存在するＲ¹⁴はそれぞれ同じでも異なってもよく、ｑが２以上の整数のとき複数存在するＲ¹⁵はそれぞれ同じでも異なってもよく、ｒが２以上の整数のとき複数存在するＲ¹⁶はそれぞれ同じでも異なってもよい。

一般式（４）で表される化合物は、任意の位置で結合して多量体を形成していてもよく、この場合の各単位は互いに同一でも異なっていてもよく、またポリスチレン、ポリメタクリレート、ポリビニルアルコール、セルロース等のポリマー鎖に結合していてもよい。

以下に、一般式（４）で表される化合物の好ましい具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。

前記トリアジン誘導体は、ドイツ特許第１９７５０９０６号明細書、同第４３４０７２５号明細書、欧州特許第５３１２５８号明細書、特開平７−１８８１８８号公報、同７−１８８１８９号公報および同７−１８８１９０号公報などに記載の方法に基づいて合成することができる。

態様Ａでは、記録層用色素として、前記フタロシアニン誘導体およびトリアジン誘導体などの色素を単独または二種以上組み合わせて使用することができる。更に、例えば、特開２００１−２３２９４５号公報に記載のシアニン色素、ＷＯ０１／０４４３７４号公報に記載のシアニン色素等を使用することも可能である。

記録層用色素の使用量は、記録層の全質量に対して、例えば１．００〜９９．９質量％の範囲であり、好ましくは２５．０〜９９．５質量％、より好ましくは５０．０〜９９．０質量％の範囲である。

[熱分解により気体を発生する置換基を有する化合物]
態様Ａの光情報記録媒体は、色素とともに熱分解により気体を発生する置換基を有する化合物を記録層に含む。前記化合物は、色素成分の機能を妨げることのないように、情報の記録のために光情報記録媒体へ照射されるレーザー光に対して吸収性を有さないことが好ましい。より好ましくは、可視領域に吸収性を有さない無色化合物または赤外色素であり、更に好ましくは可視領域に吸収性を有さない無色化合物である。本発明において、「吸収性を有さない」とは、モル吸光係数ε（L/(mol・cm)）が5000未満であることを意味する。

熱分解により気体を発生する置換基としては、下記一般式(I)、(VII)、 (IX)、（X）で表される置換基を挙げることができる。ただし、本発明はこれらに限定されるものではない。

一般式(IX)、(X)

[一般式(IX)および(X)中、R¹⁰およびR²⁰は、各々独立にアルキル基を表し、R¹¹ 、R¹²およびR²¹は、各々独立に水素原子または一価の置換基を表す。R¹⁰、R¹¹およびR¹²は互いに結合して環を形成してもよく、R²⁰およびR²¹は互いに結合して環を形成してもよい。]

R¹⁰およびR²⁰は、各々独立にアルキル基を表す。前記アルキル基の具体例および好ましい例等の詳細は、一般式(I)および(VII)中のR¹について後述する通りである。

R¹¹、R¹²およびR²¹は、各々独立に水素原子または一価の置換基を表す。前記アルキル基の具体例および好ましい例等の詳細は、一般式(I)および(VII)中のR²、R³およびR⁴について後述する通りである。また、一般式(IX)中、R¹⁰、R¹¹およびR¹²は互いに結合して環を形成してもよく、一般式(X)中、R²⁰およびR²¹は互いに結合して環を形成してもよい。

一般式(I)、(VII)

一般式(I)および(VII)中、R¹およびR^1'は、各々独立にアルキル基を表す。前記アルキル基には、直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルキル基、具体的には、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、エイコシル基、２−クロロエチル基、２−シアノエチル基、２―エチルヘキシル基）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル基）などが包含される。なお、シクロアルキル基には、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５〜３０の置換もしくは無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５から３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル）、更に環構造が多いトリシクロ構造なども包含される。R¹は、好ましくは炭素原子数２〜２０のアルキル基またはシクロアルキル基であり、より好ましくは炭素原子数３〜２０の分岐アルキル基またはシクロアルキル基である。

一般式(I)において、XはNR²、硫黄原子、酸素原子またはCR³R⁴を表す。R²、R³およびR⁴は、各々独立に、水素原子または一価の置換基である。前記置換基としては、置換または無置換のアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ベンジル基、３−スルホプロピル基、４−スルホブチル基、３−メチル−３−スルホプロピル基、２’−スルホベンジル基、カルボキシメチル基、５−カルボキシペンチル基）、置換または無置換のアルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、例えば、ビニル基、アリル基）、置換または無置換のアリール基（好ましくは炭素数６〜２０、例えば、フェニル基、２−クロロフェニル基、４−メトキシフェニル基、３−メチルフェニル基、１−ナフチル基）、置換または無置換のヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜２０、例えば、ピリジル基、チエニル基、フリル基、チアゾリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基）を挙げることができる。R²、R³およびR⁴は、好ましくは水素原子または置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のヘテロ環基であり、より好ましくは水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換のフェニル基である。一般式（I）中、XはNR²であることが好ましい。

一般式(I)中、YおよびZは、各々独立に、酸素原子または硫黄原子であり、YおよびZがいずれも酸素原子であることが好ましい。
また、一般式(VII)中のY'およびZ'の詳細は、一般式(I)中のYおよびZについて前述した通りである。

前記置換基は、好ましくは下記一般式(I)または一般式(VII)で表される一価の置換基であり、より好ましくは一般式(I)で表される一価の置換基である。一般式(I)で表される置換基の好ましい態様は、一般式(I)中、XがNR²であり、YおよびZがいずれも酸素原子である態様、即ち下記一般式(II)で表される一価の置換基である。

一般式（II）中、R¹およびR²は、それぞれ一般式（I）におけるR¹、R²と同様である。

一般式(I)で表される置換基の更に好ましい態様は、一般式(I)中、XがNR²（R²は水素原子）であり、YおよびZがいずれも酸素原子である態様、即ち下記一般式(III)で表される一価の置換基である。

一般式(III)中、R¹は、一般式（I）におけるR¹と同様である。

一般式(I)で表される置換基のより一層好ましい態様は、一般式（I）中、XがNR²（R²は水素原子）であり、YおよびZがいずれも酸素原子であり、R¹がt-ブチル基である態様、即ち下記一般式(IV)で表される一価の置換基である。

前記一般式(I)で表される置換基を有する化合物は、下記一般式(V)で表される化合物であることができる。また、前記一般式(VII)で表される置換基を有する化合物は、下記一般式(VIII)で表される化合物であることができる。

一般式(V)および(VIII)中、R⁵およびR^5'は、各々独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、カルボキシル基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルもしくはアリールスルフィニル基、アルキルもしくはアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基またはシリル基である。

一般式(V)および（VIII）中のR⁵およびR^5'としての各置換基の詳細を以下に説明する。
アルキル基には、直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルキル基、具体的には、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、エイコシル基、２−クロロエチル基、２−シアノエチル基、２―エチルヘキシル基）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル基）などが包含される。なお、シクロアルキル基には、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５〜３０の置換または無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５から３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基、例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イルである）、更に環構造が多いトリシクロ構造なども包含される。以下に説明するアルキル基もこのような概念のアルキル基を表す。

アルケニル基は、直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルケニル基を表す。それらは、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル基、アリル基、プレニル基、ゲラニル基、オレイル基）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換または無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３〜３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）などが包含される。なお、シクロアルケニル基には、置換または無置換のビシクロアルケニル基が包含される。ビシクロアルケニル基は、好ましくは、炭素数５〜３０の置換または無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イル）を包含するものである。以下に記載のアルケニル基もこのような概念のアルケニル基を表す。

アルキニル基は、好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル基、プロパルギル基、トリメチルシリルエチニル基である。

アリール基は、好ましくは炭素数６〜３０の置換または無置換のアリール基、例えばフェニル基、ｐ−トリル基、ナフチル基、ｍ−クロロフェニル基、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル基である。

ヘテロ環基は、好ましくは５または６員の置換または無置換の、芳香族性もしくは非芳香族性のヘテロ環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、更に好ましくは、炭素数３〜３０の５もしくは６員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、２−フリル基、２−チエニル基、２−ピリミジニル基、２−ベンゾチアゾリル基を挙げることができる。

スルファモイル基としては、好ましくは炭素数０〜３０の置換または無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル基、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル基、Ｎ−アセチルスルファモイル基、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル基、Ｎ−（Ｎ’−フェニルカルバモイル）スルファモイル基を挙げることができる。

アルキルおよびアリールスルフィニル基としては、好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ｐ−メチルフェニルスルフィニル基を挙げることができる。

アルキルおよびアリールスルホニル基としては、好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、フェニルスルホニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニル基を挙げることができる。

アシル基としては、好ましくはホルミル基、炭素数２〜３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７〜３０の置換または無置換のアリールカルボニル基、炭素数４〜３０の置換または無置換の炭素原子でカルボニル基と結合しているヘテロ環カルボニル基、例えば、アセチル基、ピバロイル基、２−クロロアセチル基、ステアロイル基、ベンゾイル基、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル基、２―ピリジルカルボニル基、２―フリルカルボニル基を挙げることができる。

アリールオキシカルボニル基としては、好ましくは、炭素数７〜３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル基、ｏ−クロロフェノキシカルボニル基、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル基、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル基を挙げることができる。

アルコキシカルボニル基としては、好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル基を挙げることができる。

カルバモイル基としては、好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のカルバモイル、例えば、カルバモイル基、Ｎ−メチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル基、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル基を挙げることができる。

シリル基としては、好ましくは、炭素数３〜３０の置換または無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、フェニルジメチルシリル基を挙げることができる。

一般式(V)および(VIII)中、 nおよびn’は、各々独立に、１〜６の範囲の整数であり、好ましくは１〜３の範囲の整数であり、より好ましくは１または２である。ｎ、n’が２以上の整数であるとき、複数存在する一般式(I)で表される置換基、一般式(VII)で表される置換基は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。

一般式(V)で表される化合物は、好ましくは下記一般式(VI)で表される化合物であり、一般式(VIII)で表される化合物は、好ましくは下記一般式（XI）で表される化合物である。

一般式(VI)および(XI)中、R⁶およびR^6'は、各々独立に、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基（アニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルもしくはアリールスルフィニル基、アルキルもしくはアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリールもしくはヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基、またはホウ素基である。

一般式（VI）および(XI)中のR⁶およびR^6'としての各置換基の詳細を以下に説明する。
ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を挙げることができる。

アルキル基は、直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルキル基を表す。アルキル基は、好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基（例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、エイコシル基、２−クロロエチル基、２−シアノエチル基、２―エチルヘキシル基）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル基、炭素数５〜３０の置換または無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５〜３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価、例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イルであることができる。

アルケニル基は、直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルケニル基である。アルケニル基は、好ましくは炭素数２〜３０の置換または無置換のアルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基、プレニル基、ゲラニル基、オレイル基）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換または無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３〜３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基、例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル、置換または無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５〜３０の置換または無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価、例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イル）であることができる。

アルキニル基は、好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル基、プロパルギル基、トリメチルシリルエチニル基であることができる。

アリール基は、好ましくは炭素数６〜３０の置換または無置換のアリール基、例えばフェニル基、ｐ−トリル基、ナフチル基、ｍ−クロロフェニル基、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル基であることができる。

ヘテロ環基は、好ましくは５または６員の置換または無置換の、芳香族性もしくは非芳香族性のヘテロ環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、更に好ましくは、炭素数３〜３０の５もしくは６員の芳香族のヘテロ環基、例えば、２−フリル基、２−チエニル基、２−ピリミジニル基、２−ベンゾチアゾリル基であることができる。

アルコキシ基は、好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−メトキシエトキシ基であることができる。

アリールオキシ基は、好ましくは、炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ基、２−メチルフェノキシ基、４−ｔ−ブチルフェノキシ基、３−ニトロフェノキシ基、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ基であることができる。

シリルオキシ基は、好ましくは、炭素数３〜２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ基、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ基であることができる。

ヘテロ環オキシ基は、好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のヘテロ環オキシ基、例えば１−フェニルテトラゾール−５−オキシ基、２−テトラヒドロピラニルオキシ基であることができる。

アシルオキシ基は、好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２〜３０の置換または無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ基、アセチルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ステアロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ基であることができる。

カルバモイルオキシ基は、好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ基、モルホリノカルボニルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ基、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ基であることができる。

アルコキシカルボニルオキシ基は、好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｎ−オクチルカルボニルオキシ基である。

アリールオキシカルボニルオキシ基は、好ましくは、炭素数７〜３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ基、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ基、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ基である。

アミノ基は、好ましくは、アミノ基、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルアミノ基、炭素数６〜３０の置換または無置換のアニリノ基、例えば、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、アニリノ基、N−メチル−アニリノ基、ジフェニルアミノ基である。

アシルアミノ基は、好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ基、アセチルアミノ基、ピバロイルアミノ基、ラウロイルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、３，４，５−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ基である。

アミノカルボニルアミノ基は、好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアミノカルボニルアミノ基、例えば、カルバモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ基、モルホリノカルボニルアミノ基である。

アルコキシカルボニルアミノ基は、好ましくは炭素数２〜３０の置換または無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニルアミノ基、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ基、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ基である。

アリールオキシカルボニルアミノ基は、好ましくは、炭素数７〜３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ基、p−クロロフェノキシカルボニルアミノ基、m−（ｎ−オクチルオキシ）フェノキシカルボニルアミノ基である。

スルファモイルアミノ基は、好ましくは、炭素数０〜３０の置換または無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ基、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ基である。

アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基は、好ましくは炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルスルホニルアミノ基、炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールスルホニルアミノ基、例えば、メチルスルホニルアミノ基、ブチルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニルアミノ基、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ基、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ基である。

アルキルチオ基は、好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−ヘキサデシルチオ基である。

アリールチオ基は、好ましくは炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールチオ基、例えば、フェニルチオ基、ｐ−クロロフェニルチオ基、ｍ−メトキシフェニルチオ基である。

ヘテロ環チオ基は、好ましくは炭素数２〜３０の置換または無置換のヘテロ環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ基、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ基である。

スルファモイル基は、好ましくは炭素数０〜３０の置換または無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル基、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル基、Ｎ−アセチルスルファモイル基、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル基、Ｎ−（Ｎ’−フェニルカルバモイル）スルファモイル基である。

アルキルおよびアリールスルフィニル基は、好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ｐ−メチルフェニルスルフィニル基である。

アルキルおよびアリールスルホニル基は、好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、フェニルスルホニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニル基である。

アシル基は、好ましくはホルミル基、炭素数２〜３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７〜３０の置換または無置換のアリールカルボニル基、炭素数４〜３０の置換または無置換の炭素原子でカルボニル基と結合しているヘテロ環カルボニル基、例えば、アセチル基、ピバロイル基、２−クロロアセチル基、ステアロイル基、ベンゾイル基、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル基、２−ピリジルカルボニル基、２−フリルカルボニル基である。

アリールオキシカルボニル基は、好ましくは、炭素数７〜３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル基、ｏ−クロロフェノキシカルボニル基、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル基、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル基である。

アルコキシカルボニル基は、好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル基である。

カルバモイル基は、好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のカルバモイル基、例えば、カルバモイル基、Ｎ−メチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル基、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル基である。

アリールおよびヘテロ環アゾ基は、好ましくは炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールアゾ基、炭素数３〜３０の置換または無置換のヘテロ環アゾ基、例えば、フェニルアゾ基、ｐ−クロロフェニルアゾ基、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ基である。

イミド基は、好ましくは、Ｎ−スクシンイミド基、Ｎ−フタルイミド基である。

ホスフィノ基は、好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ基、ジフェニルホスフィノ基、メチルフェノキシホスフィノ基である。

ホスフィニル基は、好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル基、ジオクチルオキシホスフィニル基、ジエトキシホスフィニル基である。

ホスフィニルオキシ基は、好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ基、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ基である。

ホスフィニルアミノ基は、好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ基、ジメチルアミノホスフィニルアミノ基である。

シリル基は、好ましくは、炭素数３〜３０の置換または無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、フェニルジメチルシリル基である。

ホウ素基は、好ましくはボロン酸、ピナコールボラン、カテコールボランを表わす。

上記の官能基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去り更に上記の基で置換されていても良い。そのような官能基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基が挙げられる。その例としては、メチルスルホニルアミノカルボニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル基、アセチルアミノスルホニル基、ベンゾイルアミノスルホニル基が挙げられる。

一般式(VI)および(XI)中、ｍ＋ｎ１およびｍ’＋ｎ１’は、各々独立に、１〜６の範囲の整数であり、ｍおよびｍ’は、各々独立に、０〜５の範囲の整数であり、好ましくは０〜３、より好ましくは０〜２の範囲の整数である。ｍ、ｍ’が２以上の整数であるとき、複数存在するR⁶、R^6'は、同一でも異なっていてもよい。またｎ１およびｎ１’は、各々独立に、１〜６の範囲の整数であり、好ましくは１〜３、より好ましくは１〜２の範囲の整数である。ｎ１、ｎ１’が２以上の整数であるとき、複数存在する一般式（I）で表される置換基、一般式(VII)で表される置換基は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。

前記置換基が熱分解により発生する気体は、置換基の種類によって異なる。例えば、前記置換基がカルバメート基である場合は、以下のように熱分解により二酸化炭素とC₂R₄ガスが発生する（Y. Brusco, R. M. Dominguez, A. Rotinov, A. Herize, M. Cordova, G.Chuchani, Ｊ.Phys. Org. Chem. 2002, 15, 796-800.、A. Herize, R. M. Dominguez, A. Rotinov, O. Nunez, G.Chuchani, Ｊ.Phys. Org. Chem. 1999, 12, 201-206.、特開平７−１８８２３４号公報参照）。

[上記において、Rは水素原子または置換基である。]

また、前記置換基を有する化合物は溶解性が高いため製造適性に優れるという利点も有する。更に、感度向上のためには、前記化合物として熱分解性が良好な化合物を使用することが好ましい。熱分解性の指標としては、熱分解温度を用いることができる。態様Ａでは、前記化合物として熱分解温度が、例えば１５０〜２５０℃、好ましくは１６０〜２４０℃、更に好ましくは１７０〜２３０℃のものを用いることが好ましい。なお、本発明における熱分解温度は、ＴＧ／ＤＴＡ測定によって求められる値をいうものとする。具体的には、例えばＳｅｉｋｏ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ Ｉｎｃ．製ＥＸＳＴＡＲ６０００を用い、Ｎ₂気流下（流量２００ｍｌ／ｍｉｎ）、３０℃〜５５０℃の範囲において１０℃／ｍｉｎで昇温を行い、質量減少率が１０％に達した時点の温度として熱分解温度を求めることができる。

以下に、熱分解により気体を発生する置換基を有する化合物の具体例を示す。ただし、本発明は下記具体例に限定されるものではない。

A-38

例示化合物A-1、A-2、A-10、A-12、A-17、A-20、A-25、A-36〜A-43、A-45、A-48、A-49について、下記方法で熱分解温度を測定した。結果を表１に示す。

熱分解温度の測定
Ｓｅｉｋｏ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ Ｉｎｃ．製ＥＸＳＴＡＲ６０００を用い、Ｎ₂気流下（流量２００ｍｌ／ｍｉｎ）、３０℃〜５５０℃の範囲において１０℃／ｍｉｎで昇温を行い、質量減少率が１０％に達した時点の温度として熱分解温度を求めた。

以上説明した熱分解により気体を発生する置換基を有する化合物は、公知の方法で合成することができ、また市販品として入手可能なものもある。

記録層において、熱分解により気体を発生する化合物は単独で用いてもよく、二種以上を併用してもよい。記録層における前記化合物の使用量は、記録層用色素に対して通常、０．１〜５０質量％の範囲であり、好ましくは０．５〜４５質量％の範囲、更に好ましくは３〜４０質量％の範囲、特に好ましくは５〜２５質量％の範囲である。

態様Ａの光情報記録媒体に対してレーザー光を照射することにより、記録用色素と熱分解により気体を発生する置換基を有する化合物を含む記録層に情報を記録することができる。光情報記録媒体に対する情報の記録は、記録層のレーザー光を照射された部分がその光学的特性を変えることによって行われる。光学的特性の変化は、記録層のレーザー光が照射された部分がその光を吸収して局所的に温度上昇し、物理的または化学的変化（例えばピットの生成）を生じることによってもたらされると考えられる。記録層に記録された情報の読み取り（再生）は、例えば記録用のレーザー光と同様の波長のレーザー光を照射することにより、記録層の光学的特性が変化した部位（記録部位）と変化しない部位（未記録部位）との反射率等の光学的特性の違いを検出することにより行うことができる。本発明では、情報の記録は、好ましくは、レーザー光照射により前記化合物が有する置換基が熱分解し、それにより発生した気体によりピット内に空隙が形成されることによって行われる。より好ましくは、記録用色素がレーザー光を吸収することによって発熱し、それにより生じた熱によって前記置換基が分解して気体を発生する。このように前記化合物が記録層において空隙形成剤として機能することにより、レーザー光照射により空隙が形成された部分とレーザー光未照射部との間に大きな屈折率差を生じさせることができ、記録特性を高めることができる。

態様Ｂ
態様Ｂの光情報記録媒体は、一般式(iii)で表される色素残基と一般式(ii)または(xiii)で表される置換基が結合した一般式(i)で表される化合物を、記録層用色素として含有する。

以下に、一般式(i)で表される化合物について説明する。

一般式(I)中、Aは、水素原子または置換基を表す。
Aで表される置換基は、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基（アニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール及びヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基が例として挙げられる。
以下に、Ａとしての各置換基の詳細を説明する。

ハロゲン原子の具体例としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を挙げることができる。

アルキル基としては、直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルキル基、具体的には、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、エイコシル基、２−クロロエチル基、２−シアノエチル基、２―エチルヘキシル基）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル基）などが包含される。なお、シクロアルキル基には、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５〜３０の置換もしくは無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５〜３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル）、更に環構造が多いトリシクロ構造なども包含するものである。以下に説明するアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。

アルケニル基は、直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルケニル基であることができる。それらは、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル基、アリル基、プレニル基、ゲラニル基、オレイル基）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３〜３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）等が包含される。なお、シクロアルケニル基には、ビシクロアルケニル基（置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５〜３０の置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イル）を包含するものである。

アルキニル基は、好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル基、プロパルギル基、トリメチルシリルエチニル基である。

アリール基は、好ましくは炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリール基、例えばフェニル基、ｐ−トリル基、ナフチル基、ｍ−クロロフェニル基、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル基である。

ヘテロ環基は、好ましくは５または６員の置換もしくは無置換の、芳香族性もしくは非芳香族性のヘテロ環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、更に好ましくは、炭素数３〜３０の５もしくは６員の芳香族性のヘテロ環基である。具体例としては、２−フリル基、２−チエニル基、２−ピリミジニル基、２−ベンゾチアゾリル基を挙げることができる。

アルコキシ基は、好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−メトキシエトキシ基である。

アリールオキシ基は、好ましくは、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ基、２−メチルフェノキシ基、４−ｔ−ブチルフェノキシ基、３−ニトロフェノキシ基、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ基である。

シリルオキシ基は、好ましくは、炭素数３〜２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ基、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ基である。

ヘテロ環オキシ基は、好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のヘテロ環オキシ基、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ基、２−テトラヒドロピラニルオキシ基である。

アシルオキシ基は、好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ基、アセチルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ステアロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ基である。

カルバモイルオキシ基は、好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ基、モルホリノカルボニルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ基、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ基である。

アルコキシカルボニルオキシ基は、好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｎ−オクチルカルボニルオキシ基である。

アリールオキシカルボニルオキシ基は、好ましくは、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ基、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ基、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ基である。

アミノ基は、好ましくは、アミノ基、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアニリノ基、例えば、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、アニリノ基、N−メチル−アニリノ基、ジフェニルアミノ基である。

アシルアミノ基は、好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ基、アセチルアミノ基、ピバロイルアミノ基、ラウロイルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、３，４，５−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ基である。

アミノカルボニルアミノ基は、好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアミノカルボニルアミノ基、例えば、カルバモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ基、モルホリノカルボニルアミノ基である。

アルコキシカルボニルアミノ基は、好ましくは炭素数２〜３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニルアミノ基、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ基、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ基である。

アリールオキシカルボニルアミノ基は、好ましくは、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ基、p−クロロフェノキシカルボニルアミノ基、m−（ｎ−オクチルオキシ）フェノキシカルボニルアミノである。

スルファモイルアミノ基は、好ましくは、炭素数０〜３０の置換もしくは無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ基、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ基である。

アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基は、好ましくは炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニルアミノ基、炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールスルホニルアミノ基、例えば、メチルスルホニルアミノ基、ブチルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニルアミノ基、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ基、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ基である。

アルキルチオ基は、好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−ヘキサデシルチオ基である。

アリールチオ基は、好ましくは炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールチオ基、例えば、フェニルチオ基、ｐ−クロロフェニルチオ基、ｍ−メトキシフェニルチオ基である。

ヘテロ環チオ基は、好ましくは炭素数２〜３０の置換または無置換のヘテロ環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ基、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ基である。

スルファモイル基は、好ましくは炭素数０〜３０の置換もしくは無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル基、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル基、Ｎ−アセチルスルファモイル基、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル基、Ｎ−（Ｎ‘−フェニルカルバモイル）スルファモイル基である。

アルキルおよびアリールスルフィニル基は、好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、６〜３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ｐ−メチルフェニルスルフィニル基である。

アルキルおよびアリールスルホニル基は、好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、フェニルスルホニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニル基である。

アシル基は、好ましくはホルミル基、炭素数２〜３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニル基、炭素数４〜３０の置換もしくは無置換の炭素原子でカルボニル基と結合しているヘテロ環カルボニル基、例えば、アセチル基、ピバロイル基、２−クロロアセチル基、ステアロイル基、ベンゾイル基、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル基、２−ピリジルカルボニル基、２−フリルカルボニル基である。

アリールオキシカルボニル基は、好ましくは、炭素数７〜３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル基、ｏ−クロロフェノキシカルボニル基、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル基、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル基である。

アルコキシカルボニル基は、好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル基である。

カルバモイル基は、好ましくは、炭素数１〜３０の置換もしくは無置換のカルバモイル基、例えば、カルバモイル基、Ｎ−メチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル基、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル基である。

アリールおよびヘテロ環アゾ基は、好ましくは炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリールアゾ基、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換のヘテロ環アゾ基、例えば、フェニルアゾ基、ｐ−クロロフェニルアゾ基、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ基である。

イミド基は、好ましくは、Ｎ−スクシンイミド基、Ｎ−フタルイミド基である。

ホスフィノ基は、好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ基、ジフェニルホスフィノ基、メチルフェノキシホスフィノ基である。

ホスフィニル基は、好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル基、ジオクチルオキシホスフィニル基、ジエトキシホスフィニル基である。

ホスフィニルオキシ基は、好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ基、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ基である。

ホスフィニルアミノ基は、好ましくは、炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ基、ジメチルアミノホスフィニルアミノ基である。

シリル基は、好ましくは、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、フェニルジメチルシリル基を表わす。

上記の官能基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去り更に上記の基で置換されていても良い。そのような官能基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基が挙げられる。その例としては、メチルスルホニルアミノカルボニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル基、アセチルアミノスルホニル基、ベンゾイルアミノスルホニル基が挙げられる。

一般式(i)中、B₁、B₂、B₃およびB₄は、各々独立に、両端の２つの炭素原子とともに芳香環を形成する原子群を表す。形成される芳香環としては、以下の芳香環が挙げられる。

より好ましくは、

であり、更に好ましくは、

である。なお、上記において、*は両端の炭素原子との結合位置を表す。

Ｍは、２つの水素原子、２〜４価の金属原子、金属酸化物、配位子を有する金属原子または配位子を有する金属酸化物を表す。
前記金属原子としては、銅、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウム、マグネシウム、アルミニウム、亜鉛、鉄、バナジウムまたはケイ素からなる群から選択される金属原子が好ましい。
また、前記金属酸化物としては、前記金属原子のいずれか少なくとも１つを含む酸化物が好ましい。
前記配位子としては、例えば、ハロゲン原子、炭素数６〜３０のアリール基、5員または６員のヘテロ環基、シアノ基、水酸基等を挙げることができる。
中でも、Ｍは、銅、亜鉛、マグネシウム、バナジウム、ニッケル、パラジウムであることが好ましく、更に銅、亜鉛、マグネシウムであることが好ましい。

一般式(i)中、Cは(L-(D)_l)またはEを表し、好ましくは(L-(D)_l)を表す。

Lは、２価の連結基を表す。２価の連結基としては、アルキレン基（シクロアルキレン基を含む）、アルケニレン基（シクロアルケニレン基を含む）、アルキニレン基、アリーレン基、へテロ環連結基（ヘテロアリーレン基を含む）、カルボニル連結基（−C=O−）、チオカルボニル連結基（−C=S−）、酸素原子連結基（−O−）、窒素原子連結基（−NA¹−、ここでA¹の定義は一般式（I）のAと同様である）、硫黄原子連結基（−S−）、シリレン基（−SiA²A³−、ここでA²、A³の定義は、それぞれ一般式（I）のAと同様であり、互いに環を形成してもよい）、およびこれらの組み合わせからなる連結基などが挙げられる。なお、本発明において、シクロアルキレン基には、ビシクロアルキニレン基、更に環構造が多いトリシクロ構造なども包含するものであり、シクロアルケニレン基には、ビシクロアルケニレン基、更に環構造が多いトリシクロ構造なども包含するものである。
更に詳しくは、Lは、先にAについて説明した一価の置換基から水素原子を一個取り去った二価の基である。Lは、好ましくは、アリール基、ヘテロ環基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基などの会合を促進する（平面性の高い）一価の置換基から水素原子を一個取り去った二価の基であり、もっとも好ましくは、ヘテロ環基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基から水素原子を一個取り去った二価の基である。

一般式(i)中、DおよびEは、各々独立に、下記一般式(ii)または（xiii）で表される一価の置換基を表す。

一般式(ii)および(xiii)中、R¹¹およびR¹¹'は、各々独立に、第二級アルキル基または第三級アルキル基を表す。第二級アルキル基には、直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルキル基、具体的には、アルキル基（好ましくは炭素数３〜３０のアルキル基、例えばイソプロピル基、２−ブチル基、２−ペンチル基、３−ペンチル基、２−ヘキシル基）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、メンチル基）などが包含される。なおシクロアルキル基にはビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５〜３０の置換もしくは無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５〜３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル）、更に環構造が多いトリシクロ構造なども包含するものである。R¹は好ましくは炭素原子数３〜３０のアルキル基またはシクロアルキル基であり、より好ましくは炭素原子数３〜２０の分岐アルキル基である。第三級アルキル基には、分岐、環状の置換または無置換のアルキル基、具体的には、アルキル基（好ましくは炭素数４〜３０のアルキル基、例えばｔ−ブチル基、ｔ−アミル基、２,３−ジメチル−２−ブチル基、２−メチル−２−ペンチル基、３−メチル−３−ペンチル基、３−エチル−３−ペンチル基、２,３−ジメチル−３−ペンチル基、３−エチル−２,２−ジメチル−３−ペンチル基、２−メチル−２−ヘキシル基）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数４〜３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、１−メチルシクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−メチル−２アダマンチル基）などが包含される。R¹¹およびR¹¹'は、好ましくは炭素原子数３〜３０のアルキル基またはシクロアルキル基であり、より好ましくは炭素原子数３〜２０の分岐アルキル基である。

一般式(ii)において、X¹は硫黄原子、酸素原子、NR¹²、またはCR¹³R¹⁴を表す。R¹²、R¹³およびR¹⁴は、各々独立に、水素原子または一価の置換基である。R¹²、R¹³およびR¹⁴の詳細は、前述の一般式(I)中のR²、R³およびR⁴と同様である。R¹²、R¹³およびR¹⁴は、好ましくは水素原子または置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のヘテロ環基であり、より好ましくは水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換のフェニル基である。一般式（ii）中、X¹はNR¹²であることが好ましい。

一般式(ii)および(xiii)中、Y¹およびY¹'は、各々独立に、酸素原子または硫黄原子を表し、Z¹およびZ¹'は、各々独立に、NR¹²、酸素原子または硫黄原子を表す。一般式(ii)中、Y¹およびZ¹がいずれも酸素原子であることが好ましい。また、一般式(xiii)中、Y¹'およびZ¹'がいずれも酸素原子であることが好ましい。

一般式(ii)で表される置換基の好ましい態様は、一般式(ii)中、Y¹およびZ¹がいずれも酸素原子である態様、即ち下記一般式(iv)で表される一価の置換基である。

一般式(iv)中、R¹¹およびX¹は、それぞれ一般式（ii）におけるR¹¹、X¹と同様である。

一般式(ii)で表される置換基の更に好ましい態様は、一般式(ii)中、Y¹およびZ¹がいずれも酸素原子であり、R¹¹がt-ブチル基である態様、即ち下記一般式(v)で表される一価の置換基である。

一般式(v)中、X¹は、一般式（i）におけるX¹と同様である。

一般式(ii)で表される置換基は、より一層好ましくは、一般式(v)中のX¹がNR¹²または酸素原子である下記置換基(a)、(b)である。また、一般式(xiii)で表される置換基は、好ましくは一般式(xiii)中のY¹'およびZ¹'が酸素原子である置換基であり、更に好ましくはR¹¹'がt-ブチル基である下記置換基(c)である。

一般式(i)中、mは０〜１５の範囲の整数を表し、ｎは１〜１６の範囲の整数を表し、但し、m+n=16である。ｍが２以上の整数であるとき複数存在するＡはそれぞれ同じでも異なっていてもよく、ｎが２以上の整数であるとき複数存在するＣはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。ｍは、好ましくは０〜１２、より好ましくは０〜４の範囲の整数である。ｎは、好ましくは１〜８、より好ましくは１〜４の範囲の整数である。ｌは１〜１０の整数を表す。ｌは、好ましくは１〜４、より好ましくは１〜２の範囲の整数である。

一般式（ii）および(xiii)で表される置換基は、熱分解により気体を発生することができる。発生する気体は、置換基の種類によって異なる。例えば、前記置換基がカルバメート基である場合は、以下のように熱分解により二酸化炭素とC₂R₄ガスが発生する（Y. Brusco, R. M. Dominguez, A. Rotinov, A. Herize, M. Cordova, G.Chuchani, Ｊ.Phys. Org. Chem. 2002, 15, 796-800.、A. Herize, R. M. Dominguez, A. Rotinov, O. Nunez, G.Chuchani, Ｊ.Phys. Org. Chem. ,1999, 12, 201-206.、特開平７−１８８２３４号公報参照）。

[上記において、Rは水素原子または置換基である。]

さらにエステル基の熱分解挙動についても以下のように分解しC₂R₄ガスが発生することが知られている（N.A. Al-Awadi, R. F. Al-Bashir, O. M. E. ElDusouqui, Tetrahedron Lett., 1989, 30, 1699-1702.）。

[上記において、Gは置換基である。]

また、例えば、第二級エステル基の熱分解挙動についてはイソプロピルエステル基が以下のように分解しプロピレンガスが発生することが知られている（N.A. Al-Awadi, R. F. Al-Bashir, O. M. E. ElDusouqui, Tetrahedron Lett., 1989, 30, 1699-1702.）。

[上記において、Gは置換基である。]

一般式(i)で表される化合物は、一般式(iii)で表される色素残基が情報を記録するために照射されたレーザー光を吸収して発熱し、その熱により一般式(ii)または（xiii）で表される置換基が気体を発生することが好ましい。これによりピット内に空隙を形成することができる。

また、一般式(i)で表される化合物は、一般式(ii)または（xiii）で表される置換基の導入により溶解性が向上し、製造適性に優れるという利点も有する。
なお、一般式(iii)で表される色素残基に会合を促進するような連結基を導入すると光堅牢性が向上することが一般に知られている（L.Howe, J. Z. Zhang, J.Phys.Chem. A, 1997, 101, 3207-3213（以下、「文献A」という参照）。文献Aには、同一の水溶性フタロシアニン色素が会合強度が高い水中と会合強度が低い有機溶媒中において、水中における励起状態の寿命が有機溶媒中の寿命と比べて１／７から１／１０にもなることが記載されている。すなわち会合強度が高いと励起エネルギーが効率よく緩和され光堅牢性悪化の原因となる一重項酸素を発生しないことが予想される。しかし会合を促進するような平面性の高い連結基を導入すると溶解性が悪化すると考えられる。それに対し、本発明者らの検討の結果、一般式（i）で表される化合物において、Cが連結基Lを有する(L-(D)_l)である場合であっても、特定の置換基Dを導入することにより、溶解性・光堅牢性・記録性能を両立できることが見出された。

更に、感度向上のためには、前記化合物として熱分解性が良好な化合物を使用することが好ましい。熱分解性の指標としては、熱分解温度を用いることができる。本発明では、前記化合物として熱分解温度が、例えば１５０〜４００℃、好ましくは１６０〜４００℃、更に好ましくは１７０〜３８０℃のものを用いることが好ましい。中でも、一般式(ii)中のR¹¹が第三級アルキル基である化合物および一般式（xiii）中のR^11'が第三級アルキル基である化合物としては、熱分解温度が、好ましくは１５０〜２５０℃、より好ましくは１６０〜２４０℃、更に好ましくは１７０〜２３０℃のものを用いることができる。一方、一般式(ii)中のR¹¹が第二級アルキル基である化合物および一般式（xiii）中のR^11'が第二級アルキル基である化合物としては、熱分解温度が、好ましくは３００〜４００℃、好ましくは３２０〜４００℃、更に好ましくは３３０〜３８０℃のものを用いることができる。なお、本発明における熱分解温度は、ＴＧ／ＤＴＡ測定によって求められる値をいうものとする。具体的には、例えばＳｅｉｋｏ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ Ｉｎｃ．製ＥＸＳＴＡＲ６０００を用い、Ｎ₂気流下（流量２００ｍｌ／ｍｉｎ）、３０℃〜５５０℃の範囲において１０℃／ｍｉｎで昇温を行い、質量減少率が１０％に達した時点の温度として熱分解温度を求めることができる。

一般式(i)で表される化合物は、好ましくは下記一般式(vii)、（viii）で表される。

一般式（i）で表される化合物は、より好ましくは下記一般式（ix）、（x）で表される。

上記一般式（ix）で表される化合物は、さらに好ましくは下記一般式（xi）、(xii)で表される。

一般式(vii)〜（xii）中、R¹¹、R^11'、R¹²、X¹、Y¹、Z¹、Y^1'、Z^1'、L、A、M、ｎ、ｍ、ｌの詳細は先に一般式(i)について述べた通りである。また、R¹¹、R^11'が第三級アルキル基である場合はｔ−ブチル基であることが更に好ましい。

一般式(i)中、一般式(iii)で表される色素残基がフタロシアニン色素残基である場合、−(C)nで表される部分の置換位置は、フタロシアニン環のβ位であることが好ましい。フタロシアニン環のβ位とは、一般にフタロシアニン環を形成する部分構造であるベンゾピロール環においてピロール環に遠い側の置換位置を指し、具体的には下記フタロシアニン一般構造においてＲβ¹〜Ｒα⁸が置換している位置である。なお下記一般構造においてＲα¹〜Ｒα⁸、Ｒβ¹〜Ｒβ⁸の互いに隣接するものは環を形成しても良いが、Ｒα¹〜Ｒα⁸、Ｒβ¹〜Ｒβ⁸はすべて環を形成していないものであることが好ましい。

[上記において、Rα¹〜Rα⁸、Rβ¹〜Rβ⁸は、それぞれ独立に水素原子または置換基であり、それらの好ましい例は下記表２に示す。]

一般式(i)で表される化合物は任意の位置で結合して多量体を形成していてもよく、この場合の各単位は互いに同一でも異なっていてもよく、またポリスチレン、ポリメタクリレート、ポリビニルアルコール、セルロース等のポリマー鎖に結合していてもよい。

更に、一般式(i)で表される化合物は、特定の誘導体単独で使用してもよく、また構造の異なったものを複数種混合して用いてもよい。特に記録層の結晶化を防ぐ目的で、置換基の置換位置が異なる異性体の混合物を使用することが好ましい。

以下に、一般式(i)で表される化合物の好ましい具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
下記表２において、例えばＲα¹／Ｒα²という表記はＲα¹またはＲα²のいずれか一方という意味を表しており、従ってこの表記のある化合物は置換位置異性体の混合物である。また無置換の場合、即ち水素原子が置換している場合は表記を省略している。

以上説明した一般式(i)で表される化合物は、公知の方法（例えば白井−小林共著、（株）アイピーシー発行「フタロシアニン−化学と機能−」（Ｐ．１〜６２）、Ｃ．Ｃ．Ｌｅｚｎｏｆｆ−Ａ．Ｂ．Ｐ．Ｌｅｖｅｒ共著、ＶＣＨ発行‘Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅｓ−Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ａｎｄ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ’（Ｐ．１〜５４）等に記載、引用もしくはこれらに類似の方法）で合成することができ、また市販品として入手可能なものもある。

記録層には、記録層用色素として一般式(i)で表される色素を単独または二種以上組み合わせて使用することができる。更に、一般式(i)で表される色素以外の色素を併用することもできる。併用可能な色素としては、アゾ色素、アゾ金属色素、オキソノール色素、シアニン色素、メロシアニン色素などが挙げられ、好ましいくはアゾ色素、アゾ金属色素、オキソノール色素より好ましくはアゾ金属色素、オキソノール色素である。

記録層用色素の使用量は、記録層の全質量に対して、例えば１〜１００質量％の範囲であり、好ましくは５０〜１００質量％、より好ましくは７５〜１００質量％の範囲である。記録層用色素として一般式(i)で表される化合物と他の色素を併用する場合、色素全量に対する一般式(i)で表される化合物の割合が、１質量％以上であることが好ましく、１０〜１００質量％であることが更に好ましく、５０〜１００質量％であることが特に好ましい。

態様Ｂの光情報記録媒体に対してレーザー光を照射することにより、一般式(i)で表される化合物を含む記録層に情報を記録することができる。光情報記録媒体に対する情報の記録は、記録層のレーザー光を照射された部分がその光学的特性を変えることによって行われる。光学的特性の変化は、記録層のレーザー光が照射された部分がその光を吸収して局所的に温度上昇し、物理的または化学的変化（例えばピットの生成）を生じることによってもたらされると考えられる。記録層に記録された情報の読み取り（再生）は、例えば記録用のレーザー光と同様の波長のレーザー光を照射することにより、記録層の光学的特性が変化した部位（記録部位）と変化しない部位（未記録部位）との反射率等の光学的特性の違いを検出することにより行うことができる。前述のように、本発明では、情報の記録は、好ましくは、レーザー光照射により前記化合物が有する一般式(ii)または(xiii)で表される置換基が熱分解し、それにより発生した気体によりピット内に空隙が形成されることによって行われる。より好ましくは、一般式(iii)で表される色素残基がレーザー光を吸収することによって発熱し、それにより生じた熱によって一般式(ii)または(xiii)で表される置換基が分解して気体を発生する。これにより記録層中に空隙が形成され、レーザー光照射により空隙が形成された部分とレーザー光未照射部との間に大きな屈折率差を生じさせることができ、記録特性を高めることができると考えられる。

次に、態様Ａおよび態様Ｂに共通する点について説明する。

記録層には、記録層の耐光性を向上させるために種々の褪色防止剤を含有させることができる。褪色防止剤としては、有機酸化剤や一重項酸素クエンチャーを挙げることができる。褪色防止剤として用いられる有機酸化剤としては、特開平１０−１５１８６１号公報に記載されている化合物が好ましい。一重項酸素クエンチャーとしては、既に公知の特許明細書等の刊行物に記載のものを利用することができる。その具体例としては、特開昭５８−１７５６９３号、同５９−８１１９４号、同６０−１８３８７号、同６０−１９５８６号、同６０−１９５８７号、同６０−３５０５４号、同６０−３６１９０号、同６０−３６１９１号、同６０−４４５５４号、同６０−４４５５５号、同６０−４４３８９号、同６０−４４３９０号、同６０−５４８９２号、同６０−４７０６９号、同６３−２０９９９５号、特開平４−２５４９２号、特公平１−３８６８０号、および同６−２６０２８号等の各公報、ドイツ特許３５０３９９号明細書、そして日本化学会誌１９９２年１０月号第１１４１頁などに記載のものを挙げることができる。好ましい一重項酸素クエンチャーの例としては、下記の一般式(A)で表される化合物を挙げることができる。

一般式（A）中、Ｒ²¹は置換基を有していてもよいアルキル基を表し、Ｑ^-はアニオンを表す。

一般式（A）において、Ｒ²¹は置換されていてもよい炭素数１〜８のアルキル基であり、無置換の炭素数１〜６のアルキル基が好ましい。アルキル基の置換基としては、ハロゲン原子（例、Ｆ，Ｃｌ）、アルコキシ基（例、メトキシ基、エトキシ基）、アルキルチオ基（例、メチルチオ基、エチルチオ基）、アシル基（例、アセチル基、プロピオニル基）、アシルオキシ基（例、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基）、ヒドロキシ基、アルコキシカルボニル基（例、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基）、アルケニル基（例、ビニル基）、アリール基（例、フェニル基、ナフチル基）を挙げることができる。これらの中で、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルコキシカルボニル基が好ましい。Ｑ^-のアニオンの好ましい例としては、ＣｌＯ₄ ^-、ＡｓＦ₆ ^-、ＢＦ₄ ^-、およびＳｂＦ₆ ^-を挙げることができる。

一般式(A)で表される化合物例（化合物番号A−１〜A−８）を下記表３に示す。

前記一重項酸素クエンチャーなどの褪色防止剤の使用量は、色素量に対して、通常０．１〜５０質量％の範囲であり、好ましくは、０．５〜４５質量％の範囲、更に好ましくは、３〜４０質量％の範囲、特に好ましくは５〜２５質量％の範囲である。

本発明の光情報記録媒体は、少なくとも一般式(I)で表される化合物を含む記録層を基板上に有するものであり、更に、前記記録層に加えて光反射層、保護層などを有することもできる。

本発明に用いられる基板としては、従来の光情報記録媒体の基板材料として用いられている各種の材料を任意に選択して使用することができる。
具体的には、ガラス；ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂；エポキシ樹脂；アモルファスポリオレフィン；ポリエステル；アルミニウム等の金属；等を挙げることができ、所望によりこれらを併用してもよい。
前記材料の中では、耐湿性、寸法安定性および低価格等の点から、アモルファスポリオレフィン、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂が好ましく、ポリカーボネートが特に好ましい。これらの樹脂を用いた場合、射出成型を用いて基板を作製することができる。
また、基板の厚さは、一般に０．７〜２ｍｍの範囲であり、０．９〜１．６ｍｍの範囲であることが好ましく、１．０〜１．３ｍｍとすることがより好ましい。
なお、後述する光反射層が設けられる側の基板表面には、平面性の改善、接着力の向上の目的で、下塗層を形成することもできる。

前記基板の記録層が形成される面には、通常、トラッキング用の案内溝またはアドレス信号等の情報を表す凹凸（プリグルーブ）が形成されている。本発明の光情報記録媒体は、より高い記録密度を達成するためにＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒに比べてより狭いトラックピッチを形成した基板を用いることが好ましい。トラックピッチの好ましい範囲等の詳細は後述する。

本発明の光情報記録媒体の好ましい態様としては、下記態様（１）および（２）を挙げることができる。

態様（１）：厚さ０．７〜２ｍｍの基板上に、色素を含有する追記型記録層と、厚さ０．０１〜０．５ｍｍのカバー層とを基板側から順に有する光情報記録媒体
態様（２）：厚さ０．１〜１．０ｍｍの基板上に、色素を含有する追記型記録層と、厚さ０．１〜１．０ｍｍの保護基板とを基板側から順に有する光情報記録媒体

態様（１）においては、基板に形成されるプリグルーブのトラックピッチが５０〜５００ｎｍ、溝幅が２５〜２５０ｎｍ、溝深さが５〜１５０ｎｍであることが好ましく、態様（２）においては、基板に形成されるプリグルーブのトラックピッチが２００〜６００ｎｍ、溝幅が５０〜３００ｎｍ、溝深さが３０〜１５０ｎｍであり、ウォブル振幅が５〜５０ｎｍであることが好ましい。

［態様（１）の光情報記録媒体］
態様（１）の光情報記録媒体は、少なくとも、基板と、追記型記録層と、カバー層とを有する態様である。態様（１）の光情報記録媒体の具体例を、図１に示す。図１に示す第１光情報記録媒体１０Ａは、第１基板１２上に、第１光反射層１８と、第１追記型記録層１４と、バリア層２０と、第１中間層（接着層または粘着層）２２と、カバー層１６とをこの順に有する。
以下に、これらを構成する材料について順次説明する。

基板
態様（１）の基板には、トラックピッチ、溝幅（半値幅）、溝深さ、およびウォブル振幅のいずれもが下記の範囲である形状を有するプリグルーブ（案内溝）が形成されている。このプリグルーブは、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒに比べてより高い記録密度を達成するために設けられたものであり、例えば、本発明の光情報記録媒体を、青紫色レーザーに対応する媒体として使用する場合に好適である。

プリグルーブのトラックピッチは、５０〜５００ｎｍの範囲であり、上限値は４２０ｎｍ以下であることが好ましく、３７０ｎｍ以下であることがより好ましく、３３０ｎｍ以下であることが更に好ましい。また、下限値は、１００ｎｍ以上であることが好ましく、２００ｎｍ以上であることがより好ましく、２６０ｎｍ以上であることが更に好ましい。トラックピッチが５０ｎｍ以上であれば、プリグルーブを正確に形成することができる上に、クロストークの発生を回避することができ、５００ｎｍ以下であれば、高密度記録を行うことができる。

プリグルーブの溝幅（半値幅）は、２５〜２５０ｎｍの範囲であり、上限値は２４０ｎｍ以下であることが好ましく、２３０ｎｍ以下であることがより好ましく、２２０ｎｍ以下であることが更に好ましい。また、下限値は、５０ｎｍ以上であることが好ましく、８０ｎｍ以上であることがより好ましく、１００ｎｍ以上であることが更に好ましい。プリグルーブの溝幅が２５ｎｍ以上であれば、成型時に溝を十分に転写することができ、さらに記録時のエラーレート上昇を抑制することができ、２５０ｎｍ以下であれば、同じく成型時に溝を十分に転写することができ、更に記録時に形成されるピットの広がりによりクロストークが発生することを回避することができる。

プリグルーブの溝深さは、５〜１５０ｎｍの範囲であり、上限値は８５ｎｍ以下であることが好ましく、８０ｎｍ以下であることがより好ましく、７５ｎｍ以下であることが更に好ましい。また、下限値は、１０ｎｍ以上であることが好ましく、２０ｎｍ以上であることがより好ましく、２８ｎｍ以上であることが更に好ましい。プリグルーブの溝深さが５ｎｍ以上であれば十分な記録変調度を得ることができ、１５０ｎｍ以下であれば、高い反射率を得ることができる。

また、プリグルーブの溝傾斜角度は、上限値が８０°以下であることが好ましく、７５°以下であることがより好ましく、７０°以下であることが更に好ましく、６５°以下であることが特に好ましい。また、下限値は、２０°以上であることが好ましく、３０°以上であることがより好ましく、４０°以上であることが更に好ましい。
プリグルーブの溝傾斜角度が２０°以上であれば、十分なトラッキングエラー信号振幅を得ることができ、８０°以下であれば成型性が良好である。

追記型記録層
態様（１）の追記型記録層は、色素を、結合剤等と共にまたは結合剤を用いないで適当な溶剤に溶解して塗布液を調製し、次いで、この塗布液を基板上または後述する光反射層上に塗布して塗膜を形成した後、乾燥することにより形成することができる。ここで、追記型記録層は、単層でも重層でもよく、重層構造の場合、塗布液を塗布する工程が複数回行なわれることになる。
塗布液中の色素の濃度は、一般に０．０１〜１５質量％の範囲であり、好ましくは０．１〜１０質量％の範囲、より好ましくは０．５〜５質量％の範囲、最も好ましくは０．５〜３質量％の範囲である。

塗布液の調製に用いる溶剤としては、例えば、酢酸ブチル、乳酸エチル、セロソルブアセテート等のエステル；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン等のケトン；ジクロルメタン、１，２−ジクロルエタン、クロロホルム等の塩素化炭化水素；ジメチルホルムアミド等のアミド；メチルシクロヘキサン等の炭化水素；テトラヒドロフラン、エチルエーテル、ジオキサン等のエーテル；エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノールジアセトンアルコール等のアルコール；２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール等のフッ素系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類；等を挙げることができる。
溶剤は使用する色素の溶解性を考慮して単独で、あるいは二種以上を組み合わせて使用することができる。塗布液中には、さらに、結合剤、酸化防止剤、ＵＶ吸収剤、可塑剤、潤滑剤等各種の添加剤を目的に応じて添加してもよい。

塗布方法としては、スプレー法、スピンコート法、ディップ法、ロールコート法、ブレードコート法、ドクターロール法、スクリーン印刷法等を挙げることができる。
塗布の際、塗布液の温度は２３〜５０℃の範囲であることが好ましく、２４〜４０℃の範囲であることがより好ましく、中でも、２３〜３８℃の範囲であることが特に好ましい。

追記型記録層の厚さは、ランド（前記基板において凸部）上で、３００ｎｍ以下であることが好ましく、２５０ｎｍ以下であることがより好ましく、２００ｎｍ以下であることが更に好ましく、１８０ｎｍ以下であることが特に好ましい。下限値としては１ｎｍ以上であることが好ましく、３ｎｍ以上であることがより好ましく、５ｎｍ以上であることが特に好ましい。
また、追記型記録層の厚さは、グルーブ上（前記基板において凹部）で、４００ｎｍ以下であることが好ましく、３００ｎｍ以下であることがより好ましく、２５０ｎｍ以下であることが更に好ましい。下限値としては、１０ｎｍ以上であることが好ましく、１５ｎｍ以上であることがより好ましく、２０ｎｍ以上であることが更に好ましい。
更に、ランド上の追記型記録層の厚さ／グルーブ上の追記型記録層の厚さの比は、０．１以上であることが好ましく、０．１３以上であることがより好ましく、０．１５以上であることが更に好ましく、０．１７以上であることが特に好ましい。上限値としては、１未満であることが好ましく、０．９以下であることがより好ましく、０．８５以下であることが更に好ましく、０．８以下であることが特に好ましい。

また、追記型記録層には、追記型記録層の耐光性をさらに向上させるために、種々の褪色防止剤を含有させることができる。褪色防止剤としては一般的に一重項酸素クエンチャーが用いられる。一重項酸素クエンチャーについては、前述の通りである。

カバー層
態様（１）のカバー層は、通常、上述した追記型記録層上に、または図１に示すようにバリア層上に、接着剤や粘着材を介して貼り合わされる。
カバー層としては、透明な材質のフィルムであれば、特に限定されないが、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂；エポキシ樹脂；アモルファスポリオレフィン；ポリエステル；三酢酸セルロース等を使用することが好ましく、中でも、ポリカーボネートまたは三酢酸セルロースを使用することがより好ましい。
なお、「透明」とは、記録および再生に用いられる光に対して、透過率８０％以上であることを意味する。

また、カバー層は、本発明の効果を妨げない範囲において、種々の添加剤が含有されていてもよい。例えば、波長４００ｎｍ以下の光をカットするためのＵＶ吸収剤および／または５００ｎｍ以上の光をカットするための色素が含有されていてもよい。
更に、カバー層の表面物性としては、表面粗さが２次元粗さパラメータおよび３次元粗さパラメータのいずれも５ｎｍ以下であることが好ましい。
また、記録および再生に用いられる光の集光度の観点から、カバー層の複屈折は１０ｎｍ以下であることが好ましい。

カバー層の厚さは、記録および再生のために照射されるレーザー光の波長やＮＡにより、適宜、規定することができるが、本発明においては、０．０１〜０．５ｍｍの範囲内であることが好ましく、０．０５〜０．１２ｍｍの範囲であることがより好ましい。
また、カバー層と、接着剤または粘着剤からなる層と、を合わせた総厚は、０．０９〜０．１１ｍｍであることが好ましく、０．０９５〜０．１０５ｍｍであることがより好ましい。
なお、カバー層の光入射面には、光情報記録媒体の製造時に、光入射面が傷つくことを防止するための保護層（図１に示す態様ではハードコート層４４）が設けられていてもよい。

カバー層と追記型記録層またはバリア層を貼り合わせるために、両層の間に中間層として接着層または粘着層を設けることができる。
接着層に使用される接着剤としては、ＵＶ硬化樹脂、ＥＢ硬化樹脂、熱硬化樹脂等を使用することが好ましく、特にＵＶ硬化樹脂等の紫外線硬化型組成物を使用することが好ましい。

紫外線硬化型組成物としては、常温〜４０℃において、液状であるものを用いることが好ましい。溶媒は用いないことが好ましく、用いたとしても極力少量に留めることが好ましい。紫外線硬化型組成物としては、スピンコート法による塗布適性の点からは、温度２５℃における粘度が２０〜１０００ｍＰａ・ｓのものが好ましく、粘度が３０〜７００ｍＰａ・ｓのものがより好ましく、粘度が４０〜５００ｍＰａ・ｓのものが更に好ましい。
また、作製される光情報記録媒体の反りを防止するため、接着層を構成するＵＶ硬化樹脂としては硬化収縮率の小さいものを使用することが好ましい。このようなＵＶ硬化樹脂としては、市販のものでは例えば、大日本インキ化学工業（株）製の「ＳＤ−６６１」等のＵＶ硬化樹脂を挙げることができる。また、光ラジカル重合性モノマーにウレタン（メタ）アクリレート系マクロモノマーや増粘剤と光重合開始剤を添加したＵＶ硬化樹脂を用いてもよい。

前記光ラジカル重合性モノマーとしては例えば、（メタ）アクリレート類、（メタ）アクリルアミド類、芳香族ビニル類、などが挙げられる。なお、本発明において、「アクリレート」、「メタクリレート」の双方或いはいずれかを指す場合「（メタ）アクリレート」と、「アクリル」、「メタクリル」の双方或いはいずれかを指す場合「（メタ）アクリル」と、それぞれ記載することがある。
前記（メタ）アクリレート類としては、単官能（メタ）アクリレート類であってもよいし、多官能（メタ）アクリレート類であってもよい。

前記単官能（メタ）アクリレート類としては、例えば、ヘキシル基（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−オクチル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、イソステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、４−ｎ−ブチルシクロヘキシル（メタ）アクリレート、ボルニル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、２−エチヘキシルジグリコール（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、２−クロロエチル（メタ）アクリレート、４−ブロモブチル（メタ）アクリレート、シアノエチル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、ブトシキメチル（メタ）アクリレート、３−メトキシブチル（メタ）アクリレート、アルコキシメチル（メタ）アクリレート、アルコキシエチル（メタ）アクリレート、２−（２−メトキシエトキシ）エチル（メタ）アクリレート、２−（２−ブトキシエトキシ）エチル（メタ）アクリレート、２,２,２−テトラフルオロエチル（メタ）アクリレート、１Ｈ,１Ｈ,２Ｈ,２Ｈパーフルオロデシル（メタ）アクリレート、４−ブチルフェニル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、２,４,５−テトラメチルフェニル（メタ）アクリレート、４−クロロフェニル（メタ）アクリレート、フェノキシメチル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、グリシジロキシブチル（メタ）アクリレート、グリシジロキシエチル（メタ）アクリレート、グリシジロキシプロピル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３-ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリレート、ジエチルアミノプロピル（メタ）アクリレート、トリメトキシシリルプロピル（メタ）アクリレート、トリメチルシリルプロピル（メタ）アクリレート、ポリエチレンオキシドモノメチルエーテル（メタ）アクリレート、オリゴエチレンオキシドモノメチルエーテル（メタ）アクリレート、ポリエチレンオキシド（メタ）アクリレート、オリゴエチレンオキシド（メタ）アクリレート、オリゴエチレンオキシドモノアルキルエーテル（メタ）アクリレート、ポリエチレンオキシドモノアルキルエーテル（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコール（メタ）アクリレート、ポリプロピレンオキシドモノアルキルエーテル（メタ）アクリレート、オリゴプロピレンオキシドモノアルキルエーテル（メタ）アクリレート、２−メタクリロイロキシチルコハク酸、２−メタクリロイロキシヘキサヒドロフタル酸、２−メタクリロイロキシエチル−２−ヒドロキシプロピルフタレート、ブトキシジエチレングリコール（メタ）アクリレート、トリフロロエチル（メタ）アクリレート、パーフロロオクチルエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル（メタ）アクリレート、ＥＯ変性フェノール（メタ）アクリレート、ＥＯ変性クレゾール（メタ）アクリレート、ＥＯ変性ノニルフェノール（メタ）アクリレート、ＰＯ変性ノニルフェノール（メタ）アクリレート、ＥＯ変性−２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、などが挙げられる。

前記多官能（メタ）アクリレートとしては、二官能、三官能、四官能、五官能、六官能のものなどが挙げられる。
前記二官能の（メタ）アクリレートとしては、例えば、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，１０−デカンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、２，４−ジメチル−１，５−ペンタンジオールジ（メタ）アクリレート、ブチルエチルプロパンジオール（メタ）アクリレート、エトキシ化シクロヘキサンメタノールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングルコールジ（メタ）アクリレート、オリゴエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、２−エチル−２−ブチル−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＦポリエトキシジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、オリゴプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、２−エチル−２−ブチルプロパンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジ（メタ）アクリレート、プロポキシ化エトキシ化ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、トリシクロデカンジ（メタ）アクリレート、などが挙げられる。

前記三官能の（メタ）アクリレートとしては、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールエタントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンのアルキレンオキサイド変性トリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（（メタ）アクリロイルオキシプロピル）エーテル、イソシアヌル酸アルキレンオキサイド変性トリ（メタ）アクリレート、プロピオン酸ジペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、トリ（（メタ）アクリロイルオキシエチル）イソシアヌレート、ヒドロキシピバルアルデヒド変性ジメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ソルビトールトリ（メタ）アクリレート、プロポキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エトキシ化グリセリントリアクリレート、などが挙げられる。

前記四官能の（メタ）アクリレートとしては、例えば、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ソルビトールテトラ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、プロピオン酸ジペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、などが挙げられる。

前記五官能の（メタ）アクリレートとしては、例えば、ソルビトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、などが挙げられる。

前記六官能の（メタ）アクリレートとしては、例えば、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ソルビトールヘキサ（メタ）アクリレート、フォスファゼンのアルキレンオキサイド変性ヘキサ（メタ）アクリレート、カプトラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、などが挙げられる。

前記（メタ）アクリルアミド類としては、例えば、（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−エチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−プロピル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ｎ−ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ｔ−ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ブトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−イソプロピル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチル（メタ）アクリルアミド、（メタ）アクリロイルモルフォリン、などが挙げられる。

前記芳香族ビニル類としては、例えば、スチレン、メチルスチレン、ジメチルスチレン、トリメチルスチレン、エチルスチレン、イソプロピルスチレン、クロルメチルスチレン、メトキシスチレン、アセトキシスチレン、クロルスチレン、ジクロルスチレン、ブロムスチレン、ビニル安息香酸メチルエステル、３−メチルスチレン、４−メチルスチレン、３−エチルスチレン、４−エチルスチレン、３−プロピルスチレン、４−プロピルスチレン、３−ブチルスチレン、４−ブチルスチレン、３−ヘキシルスチレン、４−ヘキシルスチレン、３―オクチルスチレン、４−オクチルスチレン、３−（２−エチルヘキシル）スチレン、４−（２−エチルヘキシル）スチレン、アリルスチレン、イソプロペニルスチレン、ブテニルスチレン、オクテニルスチレン、４−ｔ−ブトキシカルボニルスチレン、４−メトキシスチレン、４−ｔ−ブトキシスチレン、などが挙げられる。

前記光ラジカル重合性モノマーとしては、更に、ビニルエステル類（酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、バーサチック酸ビニルなど）、アリルエステル類（酢酸アリルなど）、ハロゲン含有単量体（塩化ビニリデン、塩化ビニルなど）、ビニルエーテル（メチルビニルエーテル、ブチルビニルエーテル、ヘキシルビニルエーテル、メトキシビニルエーテル、２−エチルヘキシルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル、クロロエチルビニルエーテルなど］、シアン化ビニル［（メタ）アクリロニトリルなど］、オレフィン類（エチレン、プロピレンなど）、なども使用することができる。

これらの中でも、硬化収縮、硬化速度、硬化後の物性などの点で、（メタ）アクリレート類が好ましく、例えばブチルアクリレート、ヘキシルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、イソオクチルアクリレート、デシルアクリレート、ドデシルアクリレート、ドデシルメタクリレート、ポリエチレンオキシドモノメチルエーテル（メタ）アクリレート、オリゴエチレンオキシドモノメチルエーテルアクリレート、オリゴエチレンオキシドモノアルキルエーテルアクリレート、ポリエチレンオキシドモノアルキルエーテルアクリレート、ポリプロピレンオキシドモノアルキルエーテルアクリレート、オリゴプロピレンオキシドモノアルキルエーテルアクリレート、ＥＯ変性フェノールアクリレート、ＥＯ変性ノニルフェノールアクリレート、ＰＯ変性ノニルフェノールアクリレート、ＥＯ変性−２−エチルヘキシルアクリレート、ビスフェノールＡ１モルに４モル以上のエチレンオキサイド若しくはプロピレンオキサイドを付加して得たジオールのジアクリレート、トリメチロールプロパン１モルに３モル以上のエチレンオキサイド若しくはプロピレンオキサイドを付加して得たトリオールのジまたはトリ）アクリレート、ペンタエリスリトール１モルに４モル以上のエチレンオキサイド若しくはプロピレンオキサイドを付加して得たトリまたはテトラアクリレートを用いることが特に好ましい。

前記ウレタン（メタ）アクリレート系マクロモノマーは、ポリオール化合物、ポリイソシアネート化合物および水酸基含有（メタ）アクリレート化合物を反応させることにより得ることができる。または市販品としても入手可能である。市販品としては、ダイセルサイテック社製ウレタンアクリレートＥＢＥＣＲＹＬ−２３０、ＥＢＥＣＲＹＬ−２７０、ＫＲＭ８２９６、ＥＢＥＣＲＹＬ−８８０３など、日本合成化学社製ウレタンアクリレートＵＶ−３０００Ｂ、ＵＶ−３２００Ｂ、ＵＶ−３７００Ｂ、ＵＶ−３３１０Ｂ、ＵＶ−６１００Ｂなど、サートマー社製ウレタンアクリレートＣＮ９６２、ＣＮ９６４、ＣＮ９６５、ＣＮ９８０、ＣＮ９７２など、親中村化学工業社製ＮＫオリゴＵ−１０８Ａ、ＮＫオリゴＵ−２００ＡＸ、ＵＡ−５１１、Ｕ−４１２Ａ、ＵＡ−４１００、ＵＡ−４２００、ＵＡ−４４００、ＵＡ−３４０Ｐ、Ｕ−１０８、ＵＡ−４０００など、第一工業製薬社製オリゴマーＲ−１２０４、Ｒ−１２１３、Ｒ−１３０３など、日本化薬社製ウレタンアクリレートＵＸ−２２０１、ＵＸ−２３０１、ＵＸ−３２０４、ＵＸ−３３０１、ＵＸ−０９３７など、根上工業社製アートレジンＵＮ−９２００Ａ、アートレジンＵＮ−７６００、アートレジンＵＮ−７７００、アートレジンＵＮ−３３３、アートレジンＵＮ−５５００などが挙げられるが本発明はこれらに限定されるものではない。

また、粘度調整のために、増粘剤として、質量平均分子量１万以上のポリマーを用いることができる。少量の添加で所望の粘度とするためには、より高分子量のポリマー、すなわち質量平均分子量１０万以上のポリマーが好ましく、質量平均分子量１００万以上のポリマーを用いるとさらに好ましい。前記ウレタン（メタ）アクリレートの粘度によっては増粘剤を用いても用いなくてもよい。

前記紫外線硬化型組成物中の併用する重合性化合物の含有量は、紫外線硬化型組成物１００質量部あたり９０〜２０質量部とすることが好ましく、８５〜２５質量部とすることがより好ましく、８０〜３０質量部とすることが更に好ましい。

前記光重合開始剤は、用いる重合性モノマーおよび／または重合性オリゴマーに代表される紫外線硬化性化合物が硬化できるものであればよく、特に限定されるものではない。光重合開始剤としては、分子開裂型または水素引き抜き型のものが本発明に好適である。

光重合開始剤としては、ベンゾインイソブチルエーテル、２，４−ジエチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、ベンジル、２、２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタン−１−オン、ビス（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチルペンチルホスフィンオキシド等が好適であり、更にこれら以外の分子開裂型のものとして、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンゾイルエチルエーテル、ベンジルジメチルケタール、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オン、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オンおよび２−メチル−4'−（メチルチオ）−２−モルホリノプロピオフェノン等を併用してもよいし、更に水素引き抜き型光重合開始剤である、ベンゾフェノン、４−フェニルベンゾフェノン、イソフタロフェノン、４−ベンゾイル−４′−メチル−ジフェニルスルフイド等も併用できる。
好ましくは２，４−ジエチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２、２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−メチル−4'−（メチルチオ）−２−モルホリノプロピオフェノン、４−フェニルベンゾフェノンであり、より好ましくは２−イソプロピルチオキサントン、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−メチル−4'−（メチルチオ）−２−モルホリノプロピオフェノン、４−フェニルベンゾフェノンである。

また上記光重合開始剤に対し、増感剤として、例えば、トリエチルアミン、メチルジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ｐ−ジエチルアミノアセトフェノン、ｐ−ジメチルアミノアセトフェノン、ｐ−ジメチルアミノ安息香酸エチル、ｐ−ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、Ｎ，Ｎ−ジメチルベンジルアミンおよび４，４'−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン等の、前述重合性成分と付加重合反応を起こさないアミン類を併用することもできる。勿論、上記光重合開始剤や増感剤は、硬化型成分への溶解性に優れ、紫外線透過性を阻害しないものを選択して用いることが好ましい。

また、紫外線硬化型組成物には、必要であれば、さらにその他の添加剤として、熱重合禁止剤、ヒンダードフェノール、ヒンダードアミン、ホスファイト等に代表される酸化防止剤、可塑剤およびエポキシシラン、メルカプトシラン、（メタ）アクリルシラン等に代表されるシランカップリング剤等を、各種特性を改良する目的で配合することもできる。これらは、硬化型成分への溶解性に優れたもの、紫外線透過性を阻害しないものを選択して用いることが好ましい。

前記紫外線硬化型組成物中の光重合開始剤、増感剤および各種添加剤の使用量は適宜設定することができる。

中間層形成のために使用される紫外線硬化型組成物の詳細は、前述の通りである。中間層の形成方法は特に限定されないが、バリア層の表面（被貼り合わせ面）上に、紫外線硬化型組成物を所定量塗布し、その上にカバー層を載置した後、スピンコートにより接着剤を、被貼り合わせ面とカバー層との間に均一になるように広げた後、カバー層側から紫外線を照射して硬化処理を施すことにより中間層を形成することができる。または、バリア層の表面に紫外線硬化型組成物を所定量塗布した後、塗布面に紫外線を照射し硬化処理を施し、次いでその上にカバー層形成のための紫外線硬化型組成物を塗布し紫外線照射し硬化処理を施すことによりカバー層を形成することもできる。
上記いずれの方法においても、中間層硬化のために照射される紫外線の照射量は、２００ｍＪ／ｃｍ²超とすることが好ましい。より好ましくは２００〜２０００ｍＪ／ｃｍ²の範囲である。硬化に使用するUVランプとしては、例えばメタルハライドランプＭ０２−Ｌ３１（アイグラフィックス社製、コールドミラー付き、ランプ出力１２０Ｗ／ｃｍ）やXenon Corporation社製4.2inch-SPIRAL LAMP等を用いることができる。紫外線照射時のランプ面とサンプル面との間の距離は適宜設定することが好ましい。

紫外線硬化型組成物が塗布された媒体をＵＶ照射位置へ移動させる（例えばスピンテーブルからＵＶ照射テーブルへの移動させる）ためには、媒体の外周部分または内周部分で基板を保持して持ち上げて移動させることが望ましい。吸着などの方法で上から媒体を支持して持ち上げると、紫外線硬化型組成物が未硬化であるために媒体が変形したり、中間層に気泡が混入したりして、中間層の膜厚変動や欠陥の原因となる可能性がある。外周部を支持して移動する場合においては、支持部材を定期的に清掃することが好ましい。外周部はスピン時に振切られた未硬化の紫外線硬化型組成物が外周縁部に付着していることがあり、支持部材に付着することがある。繰り返し同じ支持部材で媒体を移動する時に、支持部材から媒体へと付着して欠陥を生じる可能性がある。

また、ＵＶ照射位置（例えばＵＶ照射テーブル上）では、媒体を支持する部位として、基板（媒体）の内周部、外周部または中周部などの中から一つの部位、或いは複数の部位を支持することができる。プレート状の支持部材で全面を均一に支持してもよい。複数の部位を支持する場合には、各々の部位の支持高さを変更することができる。これは、例えば内周のみを支持した場合に、支持されていない媒体外周部が自重で下に垂れ、その形状で硬化されることで、硬化後の媒体の反りが生じる場合に、外周部も支持して垂れを抑制することで硬化後の反りを抑制するような場合であり、各支持部材の高さを調整して硬化後の媒体形状を調整する効果が期待できる。

接着層の厚さは、０．１〜１００μｍの範囲であることが好ましく、より好ましくは０．５〜５０μｍの範囲、更に好ましくは１〜３０μｍの範囲である。

前記紫外線硬化型組成物は、硬化後にも高い透過率を有し得る。ＢＤ構成の光情報記録媒体への情報の記録はカバー層側から行われるため、カバー層と記録層との間に位置する中間層の透過率が高いことは、記録特性向上の観点から好ましい。前記紫外線硬化型組成物によれば、後述する実施例記載の方法で測定される値として、例えば１００〜８０％の透過率を有する中間層を形成することができる。

粘着層に使用される粘着剤としては、例えば、アクリル系、ゴム系、シリコン系の粘着剤を使用することができる。透明性、耐久性の観点から、アクリル系の粘着剤が好ましい。アクリル系粘着剤としては、２−エチルヘキシルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレートなどを主成分とし、凝集力を向上させるために、短鎖のアルキルアクリレートやメタクリレート、例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルメタクリレートと、架橋剤との架橋点となり得るアクリル酸、メタクリル酸、アクリルアミド誘導体、マレイン酸、ヒドロキシルエチルアクリレート、グリシジルアクリレートなどとを共重合したものを用いることが好ましい。主成分、短鎖成分および架橋点を付加するための成分との混合比率およびそれら成分の種類を、適宜調節することにより、ガラス転移温度（Ｔｇ）や架橋密度を変えることができる。

前記粘着剤と併用し得る架橋剤としては、例えば、イソシアネート系架橋剤が挙げられる。イソシアネート系架橋剤としては、例えば、トリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、ナフチレン−１，５−ジイソシアネート、ｏ−トルイジンイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、トリフェニルメタントリイソシアネート等のイソシアネート類、また、これらのイソシアネート類とポリアルコールとの生成物、また、イソシアネート類の縮合によって生成したポリイソシアネート類を使用することができる。これらのイソシアネート類の市販されている商品としては、日本ポリウレタン社製のコロネートＬ、コロネートＨＬ、コロネート２０３０、コロネート２０３１、ミリオネートＭＲ、ミリオネートＨＴＬ；武田薬品工業社製のタケネートＤ−１０２、タケネートＤ−１１０Ｎ、タケネートＤ−２００、タケネートＤ−２０２；住友バイエル社製のデスモジュールＬ、デスモジュールＩＬ、デスモジュールＮ、デスモジュールＨＬ；等を挙げることができる。

粘着層の形成方法は特に限定されないが、バリア層または追記型記録層の表面（被貼り合わせ面）上に、粘着剤を所定量均一に塗布し、その上にカバー層を載置した後、硬化させてもよいし、予め、カバー層の片面に、所定量の粘着剤を均一に塗布して粘着剤塗膜を形成しておき、該塗膜を被貼り合わせ面に貼り合わせ、その後、硬化させてもよい。
また、カバー層に、予め、粘着層が設けられた市販の粘着フィルムを用いてもよい。
粘着層の厚さは、０．１〜１００μｍの範囲であることが好ましく、より好ましくは０．５〜５０μｍの範囲、更に好ましくは１０〜３０μｍの範囲である。
またカバー層は、ＵＶ硬化樹脂を利用してスピンコーティング法により形成してもよい。

前述のようにレーザー光照射により記録層内に空隙を形成する場合、通常、レーザー光照射による空隙の形成は記録層の変形を伴うため、記録層の変形が妨げられると空隙が良好に形成されず、これにより記録特性が低下するおそれがある。基板上に、光反射層、記録層、バリア層、粘着層または接着層、およびカバー層をこの順に有する光情報記録媒体では、基板および光反射層は、粘着層、接着層やバリア層に比べて剛性が高い。よって、空隙が形成されると記録層はバリア層を押し上げ、バリア層とカバー層との間に位置する層が適度に柔軟な場合は、該層に凹状の変形を生じさせる。このようにバリア層とカバー層の間に位置する層が容易に変形する場合は記録層における空隙の形成が妨げられることなく、ピットの形成を良好に行うことができる。空隙形成を良好に行うためには、粘着層または接着層が適度な柔軟性を有することが好ましい。具体的には、カバー層とバリア層の間に位置する粘着層または接着層のガラス転移温度（Ｔｇ）が２５℃以下であることが好ましい。より好ましくは−１００〜２５℃、更に好ましくは−６０〜１５℃である。なお、本発明におけるガラス転移温度（Tg）とは損失弾性率のピーク温度のことを表す。

その他の層
態様（１）の光情報記録媒体は、本発明の効果を損なわない範囲においては、上記の必須の層に加え、他の任意の層を有していてもよい。他の任意の層としては、例えば、基板の裏面（追記型記録層が形成された側と逆側の非形成面側）に形成される、所望の画像を有するレーベル層や、基板と追記型記録層との間に設けられる光反射層（詳細は後述する）、追記型記録層とカバー層との間に設けられるバリア層（詳細は後述する）、該光反射層と追記型記録層との間に設けられる界面層などが挙げられる。ここで、前記レーベル層は、紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂、および熱乾燥樹脂などを用いて形成することができる。
なお、上記した必須および任意の層はいずれも、単層でも、多層構造でもよい。

態様（１）の光情報記録媒体では、レーザ光に対する反射率を高めたり、記録再生特性を改良する機能を付与するために、基板と追記型記録層との間に、光反射層を形成することが好ましい。

光反射層は、レーザー光に対する反射率が高い光反射性物質を、例えば、真空蒸着、スパッタリングまたはイオンプレーティングすることにより基板上に形成することができる。
光反射層の層厚は、一般的には１０〜３００ｎｍの範囲とし、２０〜２００ｎｍの範囲とすることが好ましい。
なお、前記反射率は、７０％以上であることが好ましい。

反射率が高い光反射性物質としては、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉ等の金属および半金属またはステンレス鋼を挙げることができる。これらの光反射性物質は単独で用いてもよいし、あるいは二種以上の組合せで、または合金として用いてもよい。これらのうちで好ましいものは、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌおよびステンレス鋼である。特に好ましくは、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌまたはこれらの合金であり、最も好ましくは、Ａｕ、Ａｇまたはこれらの合金である。

バリア層
態様（１）の光情報記録媒体においては、図１に示すように、追記型記録層とカバー層との間にバリア層を形成することが好ましい。
バリア層は、追記型記録層の保存性向上、追記型記録層とカバー層との接着性向上、反射率調整、熱伝導率調整等のために設けることができる。
バリア層に用いられる材料としては、記録および再生に用いられる光を透過する材料であり、上記の機能を発現し得るものであれば、特に制限されるものではないが、例えば、一般的には、ガスや水分の透過性の低い材料、Ａｇ合金などの反射層材料との接触により腐食を生じない材料、湿熱環境での腐食が生じない材料を用いることが好ましく、誘電体であることが更に好ましい。
具体的には、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｔｅ、Ｓｎ、Ｍｏ、Ｇｅ等の窒化物、酸化物、炭化物、硫化物からなる材料が好ましく、ＭｏＯ₂、ＧｅＯ₂、ＴｅＯ、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＺｕＯ、ＳｎＯ₂、ＺｎＯ−Ｇａ₂Ｏ₃、Ｎｂ₂Ｏ₅、Ｔａ₂Ｏ₅が好ましく、ＳｎＯ₂、ＺｎＯ−Ｇａ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ｎｂ₂Ｏ₅、Ｔａ₂Ｏ₅がより好ましい。

また、バリア層は、真空蒸着、ＤＣスパッタリング、ＲＦスパッタリング、イオンプレーティングなどの真空成膜法により形成することができる。中でも、スパッタリングを用いることがより好ましい。
バリア層の厚さは、１〜２００ｎｍの範囲が好ましく、２〜１００ｎｍの範囲がより好ましく、３〜５０ｎｍの範囲が更に好ましい。

［態様（２）の光情報記録媒体］
態様（２）の光情報記録媒体は、少なくとも、基板と、追記型記録層と、保護基板とを有し、好ましくは貼り合わせ型の光情報記録媒体である。その代表的な層構成は下記の通りである。
（１）第１の層構成は、基板上に、追記型記録層、光反射層、接着層を順次形成し、接着層上に保護基板を設けた構成である。
（２）第２の層構成は、基板上に、追記型記録層、光反射層、保護層、接着層を順次形成し、接着層上に保護基板を設けた構成である。
（３）第３の層構成は、基板上に、追記型記録層、光反射層、保護層、接着層、保護層を順次形成し、該保護層上に保護基板を設けた構成である。
（４）第４の層構成は、基板上に、追記型記録層、光反射層、保護層、接着層、保護層、光反射層を順次形成し、該光反射層上に保護基板を設けた構成である。
（５）第５の層構成は、基板上に、追記型記録層、光反射層、接着層、光反射層を順次形成し、該光反射層上に保護基板を設けた構成である。
なお、上記（１）〜（５）の層構成は単なる例示であり、層構成は上述の順番のみでなく、一部を入れ替えてもよいし、一部を省略してもよい。また、追記型記録層は、保護基板側にも形成されていてもよく、その場合、両面からの記録、再生が可能な光情報記録媒体となる。更に、各層は１層で構成されても複数層で構成されてもよい。

上記のうち、態様（２）の光情報記録媒体として、基板上に、追記型記録層、光反射層、接着層、保護基板を基板側から順に有する構成を例に以下に詳細に説明をする。前記構成を有する光情報記録媒体の具体例を図２に示す。図２に示す第２光情報記録媒体１０Ｂは、第２基板２４上に、第２追記型記録層２６と、第２光反射層３０と、第２接着層３２と、保護基板２８とをこの順に有する。

基板
態様（２）における基板には、トラックピッチ、溝幅（半値幅）、溝深さ、およびウォブル振幅のいずれもが下記の範囲である形状を有するプリグルーブ（案内溝）が形成されている。このプリグルーブは、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒに比べてより高い記録密度を達成するために設けられたものであり、例えば、本発明の光情報記録媒体を、青紫色レーザーに対応する媒体として使用する場合に好適である。

プリグルーブのトラックピッチは、２００〜６００ｎｍの範囲であり、上限値は４５０ｎｍ以下であることが好ましく、４３０ｎｍ以下であることが更に好ましい。また、下限値は、３００ｎｍ以上であることが好ましく、３３０ｎｍ以上であることがより好ましく、３７０ｎｍ以上であることが更に好ましい。トラックピッチが２００ｎｍ以上であればプリグルーブを正確に形成することができ、更にクロストークの発生を回避することができ、６００ｎｍ以下であれば、高密度記録を行うことができる。

プリグルーブの溝幅（半値幅）は、５０〜３００ｎｍの範囲であり、上限値は２９０ｎｍ以下であることが好ましく、２８０ｎｍ以下であることがより好ましく、２５０ｎｍ以下であることが更に好ましい。また、下限値は、１００ｎｍ以上であることが好ましく、１２０ｎｍ以上であることがより好ましく、１４０ｎｍ以上であることが更に好ましい。プリグルーブの溝幅が５０ｎｍ以上であれば、成型時に溝を十分に転写することができ、さらに記録時のエラーレート上昇を抑制することができ、３００ｎｍ以下であれば、記録時に形成されるピットの広がりによりクロストークが発生することを回避することができ、さらに十分な変調度を得ることができる。

プリグルーブの溝深さは、３０〜１５０ｎｍの範囲であり、上限値は１４０ｎｍ以下であることが好ましく、１３０ｎｍ以下であることがより好ましく、１２０ｎｍ以下であることが更に好ましい。また、下限値は、４０ｎｍ以上であることが好ましく、５０ｎｍ以上であることがより好ましく、６０ｎｍ以上であることが更に好ましい。プリグルーブの溝深さが３０ｎｍ以上であれば、十分な記録変調度を得ることができ、１５０ｎｍ以下であれば、高い反射率を得ることができる。

基板の厚さは、一般に０．１〜１．０ｍｍの範囲であり、０．２〜０．８ｍｍの範囲であることが好ましく、０．３〜０．７ｍｍの範囲であることがより好ましい。

なお、後述する追記型記録層が設けられる側の基板表面には、平面性の改善、接着力の向上の目的で、下塗層を形成することができる。
下塗層の材料としては、例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリル酸・メタクリル酸共重合体、スチレン・無水マレイン酸共重合体、ポリビニルアルコール、Ｎ−メチロールアクリルアミド、スチレン・ビニルトルエン共重合体、クロルスルホン化ポリエチレン、ニトロセルロース、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリオレフィン、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル・塩化ビニル共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート等の高分子物質；シランカップリング剤等の表面改質剤；を挙げることができる。
下塗層は、前記材料を適当な溶剤に溶解または分散して塗布液を調製した後、この塗布液をスピンコート、ディップコート、エクストルージョンコート等の塗布法により基板表面に塗布することにより形成することができる。
下塗層の層厚は、一般に０．００５〜２０μｍの範囲にあり、好ましくは０．０１〜１０μｍの範囲である。

追記型記録層
態様（２）における追記型記録層に関する詳細については、態様（１）の追記型記録層と同様である。

光反射層
態様（２）において、レーザー光に対する反射率を高めたり、記録再生特性を改良する機能を付与するために、追記型記録層上に光反射層を形成することができる。態様（２）の光反射層に関する詳細は、態様（１）の光反射層と同様である。

接着層
態様（２）では、前記光反射層と後述の保護基板との密着性を向上させるために、光反射層と保護基板の間に接着層を設けることもできる。
接着層を構成する材料としては、光硬化性樹脂が好ましく、中でもディスクの反りを防止するため、硬化収縮率の小さいものが好ましい。このような光硬化性樹脂としては、例えば、大日本インク社製の「ＳＤ−６４０」、「ＳＤ−６６１」等のＵＶ硬化性樹脂（ＵＶ硬化性接着剤）を挙げることができる。
また、接着層の厚さは、弾力性を持たせるため、１〜１０００μｍの範囲が好ましい。

保護基板
態様（２）における保護基板（ダミー基板）は、上述した基板と同じ材質で、同じ形状のものを使用することができる。保護基板の厚さは、一般に厚さ０．１〜１．０ｍｍの範囲であり、０．２〜０．８ｍｍの範囲であることが好ましく、０．３〜０．７ｍｍの範囲であることがより好ましい。なお、記録層を複数有する記録媒体を作製するにあたっては、保護基板側にもプリグルーブ、追記記録層、反射層などの層を設けておいてもよい。この方式は、インバーススタック方式などと呼ばれる場合もある。保護基板側に形成される記録層については、記録再生波長が、保護基板でない側の基板に設けられた記録層と同一であってもよいし、異なってもよい。具体的には、トラックピッチや溝形状、追記記録層素材、反射層素材、下塗り層素材などの各層の素材が複数の記録層間で同一でもよいし、異なってもよい。

保護層
態様（２）の光情報記録媒体は、その層構成によっては、光反射層や追記型記録層などを物理的および化学的に保護する目的で保護層が設けられることある。
保護層に用いられる材料の例としては、ＺｎＳ、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、ＭｇＦ₂、ＳｎＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄等の無機物質、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等の有機物質を挙げることができる。
保護層は、例えば、プラスチックの押出加工で得られたフィルムを接着剤を介して光反射層上に貼り合わせることにより形成することができる。また、真空蒸着、スパッタリング、塗布等の方法により設けられてもよい。

また、保護層として、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂を用いる場合には、これらを適当な溶剤に溶解して塗布液を調製した後、この塗布液を塗布し、乾燥することによっても形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂を用いて保護層を形成する場合には、ＵＶ硬化性樹脂をそのまままたは適当な溶剤に溶解して塗布液を調製した後、この塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射して硬化させることによって形成することもできる。これらの塗布液中には、更に帯電防止剤、酸化防止剤、ＵＶ吸収剤等の各種添加剤を目的に応じて添加してもよい。
保護層の層厚は、一般には０．１μｍ〜１ｍｍの範囲にある。

その他の層
態様（２）の光情報記録媒体は、本発明の効果を損なわない範囲においては、上記の層に加え、他の任意の層を有していてもよい。他の任意の層の詳細については、前記態様（１）のその他の層と同様である。

更に、本発明は、基板上に記録層を有する光情報記録媒体に情報を記録する方法に関する。本発明の情報記録方法では、本発明の光情報記録媒体に対してレーザー光を照射することにより、前記記録層へ情報を記録する。

前述の好ましい態様（１）または態様（２）の光情報記録媒体に対する情報の記録は、例えば次のように行われる。
まず、光情報記録媒体を一定の線速度（例えば０．５〜１０ｍ／秒）または一定の角速度にて回転させながら、基板側または保護層側から半導体レーザー光などの記録用の光を照射する。この光の照射により、レーザー光照射部分の光学的特性が変化して情報が記録される。図１に示す態様では、カバー層１６側から半導体レーザー光等の記録用のレーザー光４６を、第一対物レンズ４２（例えば開口数ＮＡが０．８５）を介して照射する。このレーザー光４６の照射により、追記型記録層１４がレーザー光４６を吸収して局所的に温度上昇し、物理的または化学的変化（例えばピットの生成）が生じてその光学的特性を変えることにより、情報が記録されると考えられる。同様に、図２に示す態様では、第２基板２４側から半導体レーザー光等の記録用のレーザー光４６を、開口数ＮＡが例えば０．６５の第２対物レンズ４８を介して照射する。このレーザー光４６の照射により、第２追記型記録層２６がレーザー光４６を吸収して局所的に温度上昇し、物理的または化学的変化（例えばピットの生成）が生じてその光学的特性を変えることにより、情報が記録されると考えられる。

本発明においては、波長４４０ｎｍ以下のレーザー光を照射することにより情報を記録することが好ましい。記録光としては、４４０ｎｍ以下の範囲の発振波長を有する半導体レーザー光が好適に用いられ、好ましい光源としては３９０〜４４０（更に好ましくは３９０〜４１５ｎｍ）の範囲の発振波長を有する青紫色半導体レーザー光、中心発振波長８５０ｎｍの赤外半導体レーザー光を光導波路素子を使って半分の波長にした中心発振波長４２５ｎｍの青紫色ＳＨＧレーザー光を挙げることができる。特に、記録密度の点で３９０〜４１５ｎｍの範囲の発振波長を有する青紫色半導体レーザー光を用いることが好ましい。上記のように記録された情報の再生は、光情報記録媒体を上記と同一の定線速度で回転させながら半導体レーザー光を基板側または保護層側から照射して、その反射光を検出することにより行うことができる。
その他の本発明の情報記録方法の詳細は、先に本発明の光情報記録媒体について説明した通りである。

更に、本発明は、熱分解により気体を発生する置換基を有する化合物を色素含有溶液の添加剤として使用する方法に関する。本発明者らは、熱分解により気体を発生する置換基を有する化合物を色素含有溶液へ添加すると色素の光堅牢性が向上することを新たに見出した。これは、前記化合物が色素含有溶液中で色素の会合を抑制するためであろうと推察される。即ち、前記化合物は色素含有溶液の光堅牢性向上剤として使用することができる。色素含有溶液の具体例としては、光情報記録媒体の記録層形成用塗布液を挙げることができる。前記化合物およびその使用方法の詳細は、先に説明した通りである。

以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。

[合成例１]

化合物１ ３．０６ｇをジエチレングリコール３ｍｌと１−メトキシ−２−プロパノール6mlに添加し、酢酸銅（ＩＩ）０．４５３ｇ、安息香酸アンモニウムを１．３５ｇ添加し１４０℃で４時間攪拌した。室温まで放冷後アセトニトリルで洗浄し、ろ過して化合物（ｉ−５）２．５２ｇを得た。目的の化合物が得られたことをＭＳスペクトルにより確認した。

[合成例２]

化合物２ ３．０６ｇをジエチレングリコール３ｍｌと１−メトキシ−２−プロパノール6mlに添加し、酢酸銅（ＩＩ）０．４５３ｇ、安息香酸アンモニウムを１．３５ｇ添加し１４０℃で４時間攪拌した。室温まで放冷後アセトニトリルで洗浄し、ろ過して化合物（ｉ−６）２．4１ｇを得た。目的の化合物が得られたことをＭＳスペクトルにより確認した。

[合成例３]

化合物２ １．５３ｇと臭化マグネシウム（II）０．２３ｇにジメチルホルムアミド１．３ｍｌを滴下し、さらにヘキサメチルジシラザン２．１ｍｌを加えて、撹拌しつつ１００℃で７時間反応させた。反応終了後放冷しメタノールで濾過して化合物（ｉ-７）０．６０ｇを得た。目的の化合物が得られたことをＭＳスペクトルにより確認した。

[合成例４]

化合物２ １．９６ｇと臭化亜鉛（II）０．２８ｇにジメチルホルムアミド３．４ｍｌを滴下し、さらにヘキサメチルジシラザン２．１ｍｌを加えて、撹拌しつつ１００℃で５時間反応させた。反応終了後放冷しメタノールで濾過して化合物（i-８）１．６６ｇを得た。目的の化合物が得られたことをＭＳスペクトルにより確認した。

[合成例５]

化合物３ １．６０ｇをジエチレングリコール１．５ｍｌと１−メトキシ−２−プロパノール３mlに添加し、酢酸銅（ＩＩ）０．２２７ｇ、安息香酸アンモニウムを０．６９５ｇ添加し１４０℃で６時間攪拌した。室温まで放冷後メタノールで洗浄し、ろ過して化合物（ｉ−９）０．４ｇを得た。目的の化合物が得られたことをＭＳスペクトルにより確認した。

[合成例６]

化合物４ １．６０ｇをジエチレングリコール１．５ｍｌと１−メトキシ−２−プロパノール３mlに添加し、酢酸銅（ＩＩ）０．２２７ｇ、安息香酸アンモニウムを０．６９５ｇ添加し１４０℃で６時間攪拌した。室温まで放冷後メタノールで洗浄し、ろ過して化合物（ｉ−１０）１．０ｇを得た。目的の化合物が得られたことをＭＳスペクトルにより確認した。

[合成例７]

化合物５ １．６６ｇをジエチレングリコール３ｍｌと１−メトキシ−２−プロパノール６mlに添加し、酢酸銅（ＩＩ）０．２２７ｇ、安息香酸アンモニウムを０．６７５ｇ添加し１４０℃で８時間攪拌した。室温まで放冷後メタノールで洗浄し、ろ過して化合物（ｉ−１３）１．４５ｇを得た。目的の化合物が得られたことをＭＳスペクトルにより確認した。

[合成例８]

化合物５ ０．８３ｇと化合物６ ０．８３ｇをジエチレングリコール３ｍｌと１−メトキシ−２−プロパノール６mlに添加し、酢酸銅（ＩＩ）０．２２７ｇ、安息香酸アンモニウムを０．６７５ｇ添加し１４０℃で８時間攪拌した。室温まで放冷後メタノールで洗浄し、ろ過して化合物（ｉ−１５）１．２７ｇを得た。目的の化合物が得られたことをＭＳスペクトルにより確認した。

[合成例９]

化合物５ ０．８３ｇと化合物６ ０．８３ｇと臭化マグネシウム（II）０．２３ｇにジメチルホルムアミド１．３ｍｌを滴下し、さらにヘキサメチルジシラザン２．１ｍｌを加えて、撹拌しつつ１００℃で８時間反応させた。反応終了後放冷しメタノールで濾過して化合物（ｉ-１６）１．５０ｇを得た。目的の化合物が得られたことをＭＳスペクトルにより確認した。

[合成例１０]

化合物５ ０．４３ｇと化合物６ ０．４３ｇと臭化亜鉛（II）０．２８ｇにジメチルホルムアミド１．３ｍｌを滴下し、さらにヘキサメチルジシラザン２．１ｍｌを加えて、撹拌しつつ１００℃で８時間反応させた。反応終了後放冷しメタノールで濾過して化合物（ｉ-１７）０．６８ｇを得た。目的の化合物が得られたことをＭＳスペクトルにより確認した。

[参考合成例]
下記表４に示す比較化合物II-1、II-2を以下の方法によって合成した。

１．比較化合物II-1の合成

化合物７ ２．９２ｇをジエチレングリコール３ｍｌと１−メトキシ−２−プロパノール6mlに添加し、酢酸銅（ＩＩ）０．４５ｇ、安息香酸アンモニウムを１．３９ｇ添加し１００℃で４時間攪拌した。室温まで放冷後アセトニトリルで洗浄し、ろ過して化合物（II−１）２．３ｇを得た。目的の化合物が得られたことをＭＳスペクトルにより確認した。

２．比較化合物II-2の合成

化合物８ １．００ｇをジエチレングリコール１ｍｌと１−メトキシ−２−プロパノール２mlに添加し、酢酸銅（ＩＩ）０．１５ｇ、安息香酸アンモニウムを０．４５ｇ添加し１４０℃で６時間攪拌した。室温まで放冷後メタノールで洗浄し、ろ過して化合物（II−２）０，６ｇを得た。目的の化合物が得られたことをＭＳスペクトルにより確認した。

[合成例１１]

化合物１１ ０．４８６ｇをブタノール５ｍｌに添加し、塩化銅（ＩＩ）０．０７０ｇを添加し、１．８−ジアザビシクロ［５，４，０］−７−ウンデセン（以下ＤＢＵと略す）を０．７５ｍｌ滴下し８０℃で６時間攪拌した。室温まで放冷後メタノールで洗浄し、ろ過して緑色の結晶（ｉ−１８） ０．５２ｇを得た。目的の化合物が得られたことをＭＳスペクトルにより確認した。

[合成例１２]

化合物１２ ０．４８６ｇをブタノール５ｍｌに添加し、塩化銅（ＩＩ）０．０７０ｇを添加し、ＤＢＵを０．７５ｍｌ滴下し８０℃で６時間攪拌した。室温まで放冷後メタノールで洗浄し、ろ過して緑色の結晶（ｉ−１９）０．５２ｇを得た。目的の化合物が得られたことをＭＳスペクトルにより確認した。

[合成例１３]

化合物１３ ０．６１ｇと塩化銅（II）０．０６１ｇにブタノール１０ｍｌを滴下し、さらにDBU０．６８ｍｌを加えて、撹拌しつつ８０℃で３時間反応させた。反応終了後放冷しメタノールで濾過して化合物（ｉ-２３）０．５０ｇを得た。目的の化合物が得られたことをＭＳスペクトルにより確認した。

[合成例１４]

化合物１４ １．０３ｇと塩化銅（ＩＩ）０．１０ｇ、をブタノール１０ｍｌに添加し、その後DBUを１．１２ｇ添加し撹拌しつつ８０℃で４時間反応した。ヘキサンで洗浄し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製して化合物（ｉ-２５）０．２４ｇを得た。目的の化合物が得られたことをＭＳスペクトルにより確認した。

[合成例１５]

化合物１５ ３．２７ｇと塩化銅（ＩＩ）０．３４ｇ、をブタノール４０ｍｌに添加し、その後DBUを３．７４ｍｌ添加し撹拌しつつ８０℃で５時間反応した。アセトニトリルで洗浄し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製して化合物（ｉ-３６）１．８０ｇを得た。目的の化合物が得られたことをＭＳスペクトルにより確認した。

実施例１：光情報記録媒体の作製
（基板の作製）
厚さ１．１ｍｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍでスパイラル状のプリグルーブ（トラックピッチ：３２０ｎｍ、溝幅：イングルーブ幅１４０ｎｍ、溝深さ：４０ｎｍ、溝傾斜角度：６５°、ウォブル振幅：２０ｎｍ）を有する、ポリカーボネート樹脂からなる射出成形基板を作製した。射出成型時に用いられたスタンパのマスタリングは、電子ビームカッティングを用いて行なわれた。

（光反射層の形成）
基板上に、Ｕｎａｘｉｓ社製Ｃｕｂｅを使用し、Ａｒ雰囲気中で、ＤＣスパッタリングにより、膜厚１００ｎｍの真空成膜層としてのＡｇＮｄＣｕ合金からなる光反射層（Ａｇ：９８．１ａｔ％、Ｎｄ：０．７ａｔ％、Ｃｕ：０．９ａｔ％）を成膜した。膜厚は１００ｎｍであった。光反射層の膜厚の調整は、スパッタ時間により行った。

（追記型記録層の形成）
下記色素１（特開２００５−２２８４０２号公報の実施例１に記載の色素）２ｇと例示化合物Ａ−２０ ０．２ｇを、２，２，３，３−テトラフロロプロパノール１００ｍｌ中に添加して溶解し、色素含有塗布液を調製した。調製した色素含有塗布液をスピンコート法により回転数３００〜４０００ｒｐｍまで変化させながら２３℃、５０％ＲＨの条件で光反射層上に塗布した。その後、２３℃、５０％ＲＨで１時間保存して追記型記録層を形成した。追記型記録層の厚さはグルーブ上の厚さ４０ｎｍ、ランド上の厚さ１５ｎｍであった。

追記型記録層を形成した後、クリーンオーブンにてアニール処理を施した。アニール処理は、基板を垂直のスタックポールにスペーサーで間をあけながら支持し、８０℃で１時間保持して行った。

（バリア層の形成）
その後、追記型記録層上に、Ｕｎａｘｉｓ社製Ｃｕｂｅを使用し、Ａｒ雰囲気中で、ＲＦスパッタリングによりＺｎＯ−Ｇａ₂Ｏ₃（ＺｎＯ：Ｇａ₂Ｏ₃＝３：７（質量比））からなる、厚さ５ｎｍのバリア層を形成した。

（カバー層の貼り合わせ）
カバー層としては、内径１５ｍｍ、外径１２０ｍｍで、片面にアクリル系粘着剤（Ｔｇ：−３０℃）が塗設してあるポリカーボネート製フィルム（帝人ピュアエース、厚さ：８０μｍ）を用い、該粘着剤層とポリカーボネート製フィルムとの厚さの合計が１００μｍとなるように設定した。即ち、粘着層の厚さは２０μｍであった。
そして、バリア層上に、該バリア層と粘着剤層とが当接するようにカバー層を載置した後、そのカバー層を押し当て部材にて圧接して、貼り合わせた。
これにより、実施例１の光情報記録媒体が作製された。

実施例２：光情報記録媒体の作製
記録層に例示化合物Ａ−２０に代えて例示化合物Ａ−１６を添加した以外は実施例１と同様の方法で光情報記録媒体を作製した。

実施例３：光情報記録媒体の作製
記録層に例示化合物Ａ−２０に代えて例示化合物Ａ−３６を添加した以外は実施例１と同様の方法で光情報記録媒体を作製した。

実施例４：光情報記録媒体の作製
記録層に色素１に代えて下記色素２を用いた以外は実施例１と同様の方法で光情報記録媒体を作製した。

実施例５〜１６：光情報記録媒体の作製
記録層に前記色素１（特開２００５−２２８４０２号公報の実施例１に記載の色素）２ｇと例示化合物Ａ−２０ ０．２ｇの代わりに下記表５に示す例示化合物２ｇを用いた以外は実施例１と同様の方法で光情報記録媒体を作製した。

実施例１７：光情報記録媒体の作製（ＵＶ接着剤によるカバー層の貼り合わせ）
バリア層上へのカバー層の載置方法を以下に示すように変更した以外は実施例１と同様の方法で光情報記録媒体を作製した。
バリア層上にＵＶ接着剤（大日本インキ社製ＳＤ−６６１（Ｔｇ：−４℃）を厚さ１０μｍになるようにスピンコート塗布し、カバー層としては、内径１５ｍｍ、外径１２０ｍｍのポリカーボネート製フィルム（帝人ピュアエース、厚さ：９０μｍ）を用い、上記ＵＶ接着剤層とポリカーボネート製フィルムとの厚さの合計が１００μｍとなるように設定し、１０００ｍＪ／ｃｍ²でＵＶ照射し硬化処理を施した。これにより、実施例１７の光情報記録媒体が作製された。

実施例１８：光情報記録媒体の作製（ＵＶ接着剤によるカバー層の貼り合わせ）
2−エチルヘキシルアクリレート５０質量％、ウレタンアクリレート（ダイセルサイテック社製ＥＢＥＣＲＹＬ２３０４６質量％、２−メチル−4'−（メチルチオ）−２−モルホリノプロピオフェノン４質量％を混合しＵＶ接着剤Ａ（Ｔｇ：−５９℃）を調製した。ＵＶ接着剤をＵＶ接着剤Ａに変更した以外は実施例１７と同様の方法で光情報記録媒体を作製した。

実施例１９：光情報記録媒体の作製（ＵＶ接着剤によるカバー層の貼り合わせ）
バリア層上へのカバー層の載置方法を実施例１７と同様の方法に変更した以外は実施例９と同様の方法で光情報記録媒体を得た。

実施例２０：光情報記録媒体の作製（ＵＶ接着剤によるカバー層の貼り合わせ）
UV接着剤を実施例１８で調製したＵＶ接着剤Ａ（Ｔｇ：−５９℃）に変更した以外は実施例１９と同様の方法で光情報記録媒体を得た。

実施例２１：光情報記録媒体の作製（ＵＶ接着剤によるカバー層の貼り合わせ）
記録層に例示化合物ｉ−９の代わりに例示化合物ｉ−２５を用いた以外は実施例１９と同様の方法で光情報記録媒体を作製した。

実施例２２：光情報記録媒体の作製（ＵＶ接着剤によるカバー層の貼り合わせ）
記録層に例示化合物ｉ−９の代わりに例示化合物ｉ−２５を用いた以外は実施例２０と同様の方法で光情報記録媒体を作製した。

比較例１：光情報記録媒体の作製
記録層に例示化合物Ａ−２０を添加しなかった点を除き実施例１と同様の方法で光情報記録媒体を作製した。

比較例２：光情報記録媒体の作製
記録層に例示化合物Ａ−２０に代えてフェロセニルメタノールを添加した以外は実施例１と同様の方法で光情報記録媒体を作製した。

比較例３：光情報記録媒体の作製
記録層に色素１に代えて色素２を用いた以外は比較例１と同様の方法で光情報記録媒体を作製した。

比較例４〜９：光情報記録媒体の作製
記録層に例示化合物に代えて上記比較化合物（II-1）、（II-2）および下記比較化合物(II-3)〜(II-6)のいずれかを添加した以外は実施例１と同様の方法で比較例４〜９の光情報記録媒体を作製した。

＜ガラス転移温度（Ｔｇ）の測定＞
実施例１７、１８で形成したＵＶ接着層のガラス転移温度（Ｔｇ）を、下記方法により測定した。
１．動的粘弾性挙動測定用サンプルの調製
大日本インキ社製ＳＤ−６６１および前記ＵＶ接着剤Ａを、それぞれガラス基板上に乾燥塗布膜が下記表７に示す厚さとなるように塗布した後、メタルハライドランプ（コールドミラー付き、ランプ出力１２０Ｗ／ｃｍ）を用いて窒素雰囲気中で下記光量照射し硬化させた。
２．ガラス転移温度（Ｔｇ）の測定
得られた硬化塗膜のガラス転移温度を、ＳＣ／ＤＳＣにより測定した。測定結果を表７に示す。測定方法を以下に説明する。
ＤＳＣ装置：Ｓｅｉｋｏ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ Ｉｎｃ．製ＤＳＣ６２００Ｒを用いＳＵＳ製密閉セルに試料を密閉し、−１００℃〜１００℃の範囲において１０℃／分で昇温して１回目のガラス転移温度を求めた。さらに１００℃〜−１００℃まで５０℃／分で降温した後に−１００℃〜１００℃の範囲において１０℃／分で昇温して２回目のガラス転移温度を求めた。この点をガラス転移温度（ＤＳＣ）とした。
なお、ガラス転移温度測定のために、測定用サンプル中の硬化塗膜は、実施例の光情報記録媒体における接着層よりも厚く形成した。ただしガラス転移温度は膜厚の影響を受けないため、下記表７に示す結果は、それぞれ対応する実施例の評価結果とみなすことができる。

＜実施例１〜４、１７、１８および比較例１〜３の光情報記録媒体の評価＞
Ｃ／Ｎ（搬送波対雑音比）評価
実施例１〜４、１７、１８および比較例１〜３で作製した光情報記録媒体を、４０３ｎｍレーザー、ＮＡ０．８５ピックアップを積んだ記録再生評価機（パルステック社製：ＤＤＵ１０００）を用い、クロック周波数６６ＭＨｚ、線速４．９２ｍ／ｓにて、０．１６μｍの信号（２Ｔ）を記録、再生しスペクトルアナライザー（ローデ＆シュウハ゛ルツ社製ＦＳＰ−３型）にて出力を測定した。記録後の１６ＭＨｚ付近に見られるピークの出力をＣａｒｒｉｅｒ出力、記録前の同周波数の出力をＮｏｉｓｅ出力として、記録後の出力−記録前の出力をＣ／Ｎ値とした。記録はグルーブ上に行った。また、記録パワー４．５ｍＷ、再生パワー０．３ｍＷであった。Ｃ／Ｎ値が３５ｄＢ以上の場合が、実用上使用できるレベルである。結果を表８に示す。

評価結果
上記表８の結果から、例示化合物Ａ−２０、Ａ−１６またはＡ−３６を添加することにより、記録特性が向上することがわかる。

色素溶液の光堅牢性の評価
２，２，３，３−テトラフロロプロパノール１００ｍｌに、上記色素１を２ｇ、例示化合物Ａ−２０を０．２ｇ（１０質量％）、０．４ｇ（２０質量％）、０．６ｇ（３０質量％）、１．０ｇ（５０質量％）添加して溶解し、色素含有溶液を調製した。厚さ１．０ｍｍのガラス板上に、調製した色素含有溶液をスピンコート法により回転数５００〜１０００ｒｐｍまで変化させながら２３℃、５０％ＲＨの条件で塗布して色素膜を形成した。その後、色素膜を形成したガラス板を２３℃、５０％ＲＨで２４時間保存した後、メリーゴーランド型耐光試験機（イーグルエンジニアリング社製、セルテスト機ＩＩＩ型、Ｓｃｈｏｔｔ製ＷＧ３２０フィルタ付）を用いて耐光性試験を行った。耐光性試験直前の色素膜および耐光性試験４８時間後の色素膜について、ＵＶ−１６００ＰＣ（ＳＨＩＭＡＤＺＵ社製）を用いて吸収スペクトルを測定し、最大吸収波長λ_maxにおける吸光度の変化を読み取った。結果を表９に示す。

評価結果
上記表９の結果から、例示化合物Ａ−２０を添加することにより、光堅牢性が向上することがわかる。なお、上記表９中、例示化合物Ａ−２０の添加量が増えるほど単位体積当りの色素塗布量は減少するためｎ、ｋは低下している。

表８および９に示すように、本発明により、記録特性および光堅牢性を向上させることができた。

＜実施例５〜１６、１９〜２２および比較例４〜９の光情報記録媒体の評価＞
（１）Ｃ／Ｎ（搬送波対雑音比）評価
実施例５〜１６、１９〜２２および比較例４〜９で作製した光情報記録媒体について、上記と同様の方法でＣ／Ｎ（搬送波対雑音比）評価を行った。
（２）分解温度
例示化合物および比較化合物について、TG-DTA装置：Ｓｅｉｋｏ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ Ｉｎｃ．製ＥＸＳＴＡＲ６０００を用い、Ｎ₂気流下（流量２００ｍｌ／ｍｉｎ）、３０℃〜５５０℃の範囲において１０℃／ｍｉｎで昇温を行い、質量減少率が１０％に達した時点の温度として熱分解温度を求めた。結果を表９に示す。
（３）ＴＦＰへの溶解性
以下の方法で、例示化合物および比較化合物の２，２，３，３−テトラフロロプロパノール（ＴＦＰ）への溶解性を評価した。
化合物２ｇを、２，２，３，３−テトラフロロプロパノール１００ｍｌ中に添加して溶解し、色素含有塗布液を調製した。目視で観察し、完全に溶解している状態を“可”、不溶物が確認される状態を“不可”として溶解性を判断した。結果を表１０に示す。

光堅牢性評価結果
＜色素膜の耐光性評価＞
実施例５〜１６、比較例５，７において使用した化合物２ｇを、２，２，３，３−テトラフロロプロパノール１００ｍｌ中に添加して溶解し、色素含有塗布液を調製した。厚さ１．０ｍｍのガラス板上に、調製した色素含有溶液をスピンコート法により回転数５００〜１０００ｒｐｍまで変化させながら２３℃、５０％ＲＨの条件で塗布して色素膜を形成した。その後、色素膜を形成したガラス板を２３℃、５０％ＲＨで２４時間保存した後、メリーゴーランド型耐光試験機（イーグルエンジニアリング社製、セルテスト機ＩＩＩ型、Ｓｃｈｏｔｔ製ＷＧ３２０フィルタ付）を用いて耐光性試験を行った。耐光性試験直前の色素膜および耐光性試験４８時間後の色素膜について、ＵＶ−１６００ＰＣ（ＳＨＩＭＡＤＺＵ社製）を用いて吸収スペクトルを測定し、最大吸収波長における吸光度の変化を読み取った。結果を表１１に示す。

表１０に示すように、実施例の光情報記録媒体は記録特性が良好であり、また表１０および表１１に示すように記録層用色素として使用した化合物は溶解性および光堅牢性にも優れていた。
それに対し、比較例４、６、８の光情報記録媒体は、表１０に示すように記録層用色素の溶解性が低いため記録媒体の作製ができず、記録媒体としての評価が不可能であった。また比較例５の光情報記録媒体は表１０に示すように記録特性に劣っていた。
比較例７、９の光情報記録媒体は、表１０に示すように記録特性は良好であったが、表１１に示すように記録層用色素の光堅牢性は低かった。
以上の結果から、本発明によれば光堅牢性および短波長レーザー光による記録特性に優れた光情報記録媒体が得られることが示された。

本発明の光情報記録媒体の一例を示す概略断面図である。 本発明の光情報記録媒体の一例を示す概略断面図である。

符号の説明

１０Ａ…第１光情報記録媒体 １０Ｂ…第２光情報記録媒体
１２…第１基板 １４…第１追記型記録層
１６…カバー層 １８…第１光反射層
２０…バリア層 ２２…第１接着層
２４…第２基板 ２６…第２追記型記録層
２８…保護基板 ３０…第２光反射層
３２…第２接着層 ４４…ハードコート層

Claims (21)

1. 基板上に色素を含有する記録層を有する光情報記録媒体であって、
   前記記録層は、熱分解により気体を発生する置換基を有する化合物を含有することを特徴とする光情報記録媒体。
2. 前記化合物は、情報の記録のために前記光情報記録媒体へ照射されるレーザー光に対して吸収性を有さない請求項１に記載の光情報記録媒体。
3. 前記色素は、情報の記録のために前記光情報記録媒体へ照射されるレーザー光を吸収することにより発熱し、
   前記化合物は、前記発熱により生じた熱によって分解する請求項１または２に記載の光情報記録媒体。
4. 前記レーザー光の波長は、３９０〜４４０ｎｍの範囲である請求項２または３に記載の光情報記録媒体。
5. 前記置換基は下記一般式(I)または一般式(VII)で表される一価の置換基である請求項１〜４のいずれか１項に記載の光情報記録媒体。
   

   

   [一般式(I)および(VII)中、R¹およびR^1'は、各々独立にアルキル基を表し、XはNR²、硫黄原子、酸素原子またはCR³ R⁴を表し、R²、R³およびR⁴は、各々独立に、水素原子または一価の置換基を表し、Y、Y'、ZおよびZ'は、各々独立に、酸素原子または硫黄原子である。]
6. 一般式(I)中、XはNR²である請求項５に記載の光情報記録媒体。
7. 前記化合物は、下記一般式(V)または一般式(VIII)で表される化合物である請求項５または６に記載の光情報記録媒体。
   

   

   [一般式(V)および(VIII)中、R⁵およびR^5'は、各々独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、カルボキシル基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルもしくはアリールスルフィニル基、アルキルもしくはアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基またはシリル基であり、nおよびn’は、各々独立に、１〜６の範囲の整数であり、R¹、R^1'、X、Y、Y^'、ZおよびZ'は、それぞれ一般式(I)および(VII)における定義と同義である。]
8. 前記化合物の熱分解温度は１５０〜２５０℃の範囲である請求項１〜７のいずれか１項に記載の光情報記録媒体。
9. 前記色素は、前記化合物であり、かつ該化合物は下記一般式(i)で表される請求項１に記載の光情報記録媒体。
   

   

   [一般式(i)中、Aは、水素原子または置換基を表し、B₁、B₂、B₃およびB₄は、各々独立に、両端の２つの炭素原子とともに芳香環を形成する原子群を表し、Mは、２つの水素原子、２〜４価の金属原子、金属酸化物、配位子を有する金属原子または配位子を有する金属酸化物を表し、Cは、(L-(D)_l)またはEを表し、DおよびEは、各々独立に、下記一般式(ii)または(xiii)で表される一価の置換基を表し、Ｌは２価の連結基を表し、ｌは１〜１０の整数を表す。mは、０〜１５の範囲の整数を表し、ｎは、１〜１６の範囲の整数を表し、但し、m+n=16である。ｍが２以上の整数であるとき複数存在するAはそれぞれ同じでも異なっていてもよく、ｎが２以上の整数であるとき複数存在する (L-(D)_l)またはEはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。]
   

   

   [一般式(ii)および(xiii)中、R¹¹およびR¹¹'は、各々独立に第二級アルキル基または第三級アルキル基を表し、X¹は、硫黄原子、酸素原子、NR¹²、CR¹³R¹⁴を表し、Y¹およびY¹'は、各々独立に、酸素原子または硫黄原子を表し、Z¹およびZ¹'は、各々独立に、NR¹²、酸素原子または硫黄原子を表し、R¹²、R¹³およびR¹⁴は、各々独立に、水素原子または1価の置換基を表す。]
10. 一般式(ii)中のY¹およびZ¹はいずれも酸素原子であり、ならびに／または、一般式(xiii)中のY¹'およびZ¹'はいずれも酸素原子である請求項９に記載の光情報記録媒体。
11. 一般式(i)で表される化合物の熱分解温度は１５０〜４００℃の範囲である請求項９または１０に記載の光情報記録媒体。
12. 前記基板上に、前記記録層、バリア層、粘着層または接着層である中間層、およびカバー層をこの順に有する請求項１〜１１のいずれか１項に記載の光情報記録媒体。
13. 中間層のガラス転移温度は−１００〜２５℃の範囲である請求項１２に記載の光情報記録媒体。
14. 請求項１〜１３のいずれか１項に記載の光情報記録媒体へレーザー光を照射することにより、前記記録層へ情報を記録する情報記録方法。
15. 前記情報は、
    前記色素が、照射されたレーザー光を吸収することによって発熱し、
    前記発熱により生じた熱によって前記化合物が分解して気体を発生し、
    前記気体の発生によって記録層中に空隙が生じることによって記録される、請求項１４に記載の情報記録方法。
16. 前記レーザー光の波長は、３９０〜４４０ｎｍの範囲である請求項１４または１５に記載の情報記録方法。
17. 熱分解により気体を発生する置換基を有する化合物を色素含有溶液の添加剤として使用する方法。
18. 前記色素含有溶液は、光情報記録媒体の記録層形成用塗布液である請求項１７に記載の方法。
19. 前記置換基は下記一般式(I)または一般式(VII)で表される請求項１７または１８に記載の方法。
    

    

    [一般式(I)および(VII)中、R¹およびR^1'は、各々独立にアルキル基を表し、XはNR²、硫黄原子、酸素原子またはCR³ R⁴を表し、R²、R³およびR⁴は、各々独立に、水素原子または一価の置換基を表し、Y、Y'、ZおよびZ'は、各々独立に、酸素原子または硫黄原子である。]
20. 一般式(I)中、XはNR²である請求項１９に記載の方法。
21. 前記化合物は、下記一般式(V)または一般式(VIII)で表される化合物である請求項１９または２０に記載の方法。
    

    

    [一般式(V)および(VIII)中、R⁵およびR^5'は、各々独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、カルボキシル基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルもしくはアリールスルフィニル基、アルキルもしくはアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基またはシリル基であり、nおよびn’は、各々独立に、１〜６の範囲の整数であり、R¹、R^1'、X、X^'、Y、Y^'、ZおよびZ'は、それぞれ一般式(I)および(VII)における定義と同義である。]

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