JP2008208356A - ブロック共重合体並びにそれを用いた組成物、液状組成物、発光性薄膜及び高分子発光素子 - Google Patents

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Abstract

【課題】発光素子の材料として用いた場合に、駆動電圧の上昇を十分に抑制することができるとともに十分に長い輝度半減寿命を有する発光素子を製造することが可能なブロック共重合体を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で示される繰返し単位を含むブロック（Ａ）とその他繰返し単位から構成されるブロック（Ｂ）とを含有するブロック共重合体。［一般式（Ｉ）］
Figure 2008208356

【選択図】なし

Description

本発明は、ブロック共重合体並びにそれを用いた組成物、液状組成物、発光性薄膜及び高分子発光素子に関する。
高分子量の発光材料や電荷輸送材料は発光素子における有機層に用いる材料等として有用であることから種々検討されており、その例として、ＷＯ２００６／０６０４３７号パンフレット（特許文献１）においては、下記一般式：
Figure 2008208356
（式中、Ｅｔはエチル基を示す。）
で示される２価の基と、２価のトリアリールアミン誘導体との共重合体が開示されている。また、ＷＯ２００３／００７３９５号パンフレット（特許文献２）においては、９，９−ジオクチルフルオレン基と、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラアリル−１，４−ジアミノベンゼンとを含むブロック共重合体が開示されている。
ＷＯ２００６／０６０４３７号パンフレット ＷＯ２００３／００７３９５号パンフレット
しかしながら、特許文献１〜２に記載のような従来の共重合体においては、発光素子用の発光材料として使用した際に駆動電圧の上昇を十分に防止できなかった。また、特許文献１〜２に記載のような従来の共重合体においては、発光素子用の発光材料として使用した際に輝度半減寿命が必ずしも十分なものではなかった。
本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、発光素子の材料として用いた場合に、駆動電圧の上昇を十分に抑制することができるとともに十分に長い輝度半減寿命を有する発光素子を製造することが可能なブロック共重合体、並びに、それを用いた組成物、液状組成物、発光性薄膜及び高分子発光素子を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、下記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位、下記一般式（ＩＩ）で示される繰り返し単位及び下記一般式（ＩＩＩ）で示される繰り返し単位をそれぞれ１種類以上含むブロック（Ａ）と、下記一般式（ＩＩＩ）で示される繰り返し単位及び下記一般式（ＩＶ）で示される繰り返し単位をそれぞれ１種類以上含むブロック（Ｂ）とを含有することにより得られるブロック共重合体を発光素子の材料として用いた場合に、駆動電圧の上昇を十分に抑制することができるとともに十分に長い輝度半減寿命を有する発光素子を製造することが可能となることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明のブロック共重合体は、下記一般式（Ｉ）で示される繰返し単位、下記一般式（ＩＩ）で示される繰返し単位及び下記一般式（ＩＩＩ）で示される繰返し単位をそれぞれ１種類以上含むブロック（Ａ）と、
下記一般式（ＩＩＩ）で示される繰返し単位及び下記式（ＩＶ）で示される繰返し単位をそれぞれ１種類以上含むブロック（Ｂ）と、
を含有することを特徴とするものである。
［一般式（Ｉ）］
Figure 2008208356
（式（Ｉ）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ水素原子又はアルキル基を表し、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は同一でも又は異なっていてもよく、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し、ａ、ｂ、ｃ及びｄは同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ０〜３の整数を表し、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも又は異なっていてもよい。）
［一般式（ＩＩ）］
−Ａｒ１− （ＩＩ）
（式（ＩＩ）中、Ａｒ１は５員環を含む２価の複素環基を表す。）
［一般式（ＩＩＩ）］
−Ａｒ２− （ＩＩＩ）
（式（ＩＩＩ）中、Ａｒ２はアリーレン基を表す。〕
［一般式（ＩＶ）］
−Ａｒ３− （ＩＶ）
（式（ＩＶ）中、Ａｒ３は２価の芳香族アミン残基を表す。）。
また、本発明のブロック共重合体としては、前記一般式（ＩＩ）中のＡｒ１が、下記一般式（Ｖ）で示される基であることが好ましい。
［一般式（Ｖ）］
Figure 2008208356
（式（Ｖ）中、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１は同一でも又は異なっていてもよく、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し、ｅ、ｆ及びｇは同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ０〜２の整数を表し、ｕ及びｖは同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ０〜２の整数を表し、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも又は異なっていてもよい。）。
また、本発明のブロック共重合体としては、前記一般式（ＩＩＩ）中のＡｒ２が、下記一般式（ＶＩ）で示される基であることが好ましい。
［一般式（ＶＩ）］
Figure 2008208356
（式（ＶＩ）中、Ｒ１２及びＲ１３は同一でも又は異なっていてもよく、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し、ｈ及びｉは同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ０〜３の整数を表し、Ｒ１４及びＲ１５は同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し、Ｒ１２及びＲ１３がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも又は異なっていてもよい。）。
さらに、本発明のブロック共重合体としては、前記一般式（ＩＶ）中のＡｒ３が、下記一般式（ＶＩＩ）で示される基であることが好ましい。
［一般式（ＶＩＩ）］
Figure 2008208356
（式（ＶＩＩ）中、Ｒ１６〜Ｒ４１は同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し、ｗ又はｘは同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ０又は１の整数を表し、
Ｒ１７が結合している炭素及びＲ２０が結合している炭素、Ｒ１９が結合している炭素及びＲ２８が結合している炭素、Ｒ３２が結合している炭素及びＲ４０が結合している炭素、又は、Ｒ３７が結合している炭素及びＲ３８が結合している炭素がそれぞれ直接結合して或いは酸素原子又は硫黄原子を介して結合して環を形成していてもよく、このような環が形成される場合、Ｒ１７及びＲ２０、Ｒ１９及びＲ２８、Ｒ３２及びＲ４０、又は、Ｒ３７及びＲ３８はそれぞれ一緒になって、前記直接結合、前記酸素原子又は前記硫黄原子を表し、
Ｒ２２及びＲ３１、又は、Ｒ２１及びＲ２９は、それぞれ直接結合して置換基を有していてもよい環を形成していてもよい。）。
また、本発明のブロック共重合体においては、前記一般式（ＩＩ）中のＡｒ１が前記一般式（Ｖ）で示される基である繰り返し単位が、２種類以上含有されていることが好ましい。すなわち、本発明においては、前記一般式（ＩＩ）で示される繰り返し単位として、前記一般式（Ｖ）で示される繰り返し単位を２種類以上含有することが好ましい。
また、本発明のブロック共重合体においては、前記一般式（ＩＩ）中のＡｒ１が前記一般式（Ｖ）で示される基である繰り返し単位の合計の含有比率が、ブロック共重合体中に含有されている全繰返し単位に対して３モル％以上４０モル％以下であることが好ましい。
さらに、本発明のブロック共重合体においては、前記一般式（ＶＩＩ）で示される基が、式（ＶＩＩ）中のｘが０である基及び下記一般式（ＶＩＩＩ）で示される基からなる群から選択される少なくとも１種であることが好ましい。
［一般式（ＶＩＩＩ）］
Figure 2008208356
（式中、Ｒ４２〜Ｒ４７は同一でも又は異なっていてもよく、それぞれハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し、
ｊ及びｋは同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ０〜４の整数を表し、
ｌ及びｍは同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ０〜５の整数を表し、
ｎ及びｐは同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ０〜３の整数を表し、
Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６及びＲ４７のうちの少なくとも１種が複数個存在する場合、それらは同一でも又は異なっていてもよく、
Ｒ４８及びＲ４９は同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表す。）
また、本発明のブロック共重合体としては、前記ブロック（Ｂ）に対するブロック（Ａ）の含有割合（（Ａ）／（Ｂ））が、モル比で０．１〜１０であることが好ましい。
また、本発明のブロック共重合体としては、ポリスチレン換算の重量平均分子量が１０３〜１０７であることが好ましい。
さらに、本発明のブロック共重合体としては、前記ブロック（Ａ）のポリスチレン換算の重量平均分子量が１０３〜１０５であることが好ましい。
また、本発明の組成物は、上記本発明のブロック共重合体と、発光材料、正孔輸送材料及び電子輸送材料からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料とを含有することを特徴とするものである。
また、本発明の液状組成物は、上記本発明のブロック共重合体と、溶媒とを含有することを特徴とするものである。
さらに、本発明の発光性薄膜は、上記本発明のブロック共重合体を含有することを特徴とするものである。
また、本発明の高分子発光素子は、陽極と陰極とからなる電極間に、上記本発明のブロック共重合体を含有する有機層を備えることを特徴とするものである。
さらに、上記本発明の高分子発光素子としては、前記有機層が発光層であることが好ましい。
本発明によれば、発光素子の材料として用いた場合に、駆動電圧の上昇を十分に抑制することができるとともに十分に長い輝度半減寿命を有する発光素子を製造することが可能なブロック共重合体、並びに、それを用いた組成物、液状組成物、発光性薄膜及び高分子発光素子を提供することが可能となる。
したがって、本発明のブロック共重合体は、液晶ディスプレイのバックライト又は照明用としての曲面状や平面状の光源、セグメントタイプの表示素子、ドットマトリックスのフラットパネルディスプレイ等の材料として好適に使用できる。
以下、本発明をその好適な実施形態に即して詳細に説明する。
先ず、本発明のブロック共重合体について説明する。すなわち、本発明のブロック共重合体は、下記一般式（Ｉ）で示される繰返し単位、下記一般式（ＩＩ）で示される繰返し単位及び下記一般式（ＩＩＩ）で示される繰返し単位をそれぞれ１種類以上含むブロック（Ａ）と、
下記一般式（ＩＩＩ）で示される繰返し単位及び下記式（ＩＶ）で示される繰返し単位をそれぞれ１種類以上含むブロック（Ｂ）と、
を含有することを特徴とするものである。
［一般式（Ｉ）］
Figure 2008208356
（式（Ｉ）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ水素原子又はアルキル基を表し、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は同一でも又は異なっていてもよく、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し、ａ、ｂ、ｃ及びｄは同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ０〜３の整数を表し、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも又は異なっていてもよい。）
［一般式（ＩＩ）］
−Ａｒ１− （ＩＩ）
（式（ＩＩ）中、Ａｒ１は５員環を含む２価の複素環基を表す。）
［一般式（ＩＩＩ）］
−Ａｒ２− （ＩＩＩ）
（式（ＩＩＩ）中、Ａｒ２はアリーレン基を表す。〕
［一般式（ＩＶ）］
−Ａｒ３− （ＩＶ）
（式（ＩＶ）中、Ａｒ３は２価の芳香族アミン残基を表す。）。
本発明にかかるブロック（Ａ）は、上述のように、前記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位を少なくとも１種含む。このような一般式（Ｉ）中のＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７又はＲ８として選択され得るアルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状又は環状のいずれのものであってもよく、更に、置換基を有していてもよい。また、このようなアルキル基としては、炭素数が１〜２０（より好ましくは１〜１０）のものが好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基等が挙げられる。
上記一般式（Ｉ）中のＲ５、Ｒ６、Ｒ７又はＲ８として選択され得るアルコキシ基としては、直鎖状、分岐鎖状又は環状のいずれのものであってもよく、置換基を有していてもよい。また、このようなアルコキシ基としては、炭素数が１〜２０（より好ましくは１〜１０）のものが好ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシルオキシ基、パーフルオロオクチルオキシ基、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基等が挙げられる。
また、上記一般式（Ｉ）中のＲ５、Ｒ６、Ｒ７又はＲ８として選択され得るアルキルチオ基としては、直鎖状、分岐鎖状又は環状のいずれのものであってもよく、置換基を有していてもよい。更に、このようなアルキルチオ基としては、炭素数が１〜２０（より好ましくは１〜１０）のものが好ましく、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｓ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等が挙げられる。
さらに、上記一般式（Ｉ）中のＲ５、Ｒ６、Ｒ７又はＲ８として選択され得るアリール基は、芳香族炭化水素から水素原子１個を除いた原子団であればよく特に制限されず、縮合環を持つものや、独立したベンゼン環又は縮合環２個以上が直接或いはビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。このようなアリール基としては、炭素数が６〜６０（より好ましくは７〜４８）のものが好ましく、例えば、フェニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル基（Ｃ１〜Ｃ１２は、炭素数１〜１２であることを示す。以下も同様である。）、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基等が挙げられる。このようなアリール基の中でも、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル基及びＣ１〜Ｃ１２アルキルフェニル基がより好ましい。
このようなアリール基中のＣ１〜Ｃ１２アルコキシとしては、例えば、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、イソプロピルオキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｓ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、３，７−ジメチルオクチルオキシ、ラウリルオキシ等が挙げられる。
また、前記アリール基中のＣ１〜Ｃ１２アルキルフェニル基としては、例えば、メチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、イソプロピルフェニル基、ブチルフェニル基、イソブチルフェニル基、ｔ−ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基等が挙げられる。
また、上記一般式（Ｉ）中のＲ５、Ｒ６、Ｒ７又はＲ８として選択され得るアリールオキシ基としては、炭素数が６〜６０（より好ましくは７〜４８）のものが好ましく、例えば、フェノキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェノキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基等が挙げられる。また、このようなアリールオキシ基の中でも、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェノキシ基及びＣ１〜Ｃ１２アルキルフェノキシ基がより好ましい。
前記アリールオキシ基中のＣ１〜Ｃ１２アルコキシとしては、例えば、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、イソプロピルオキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｓ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、３，７−ジメチルオクチルオキシ、ラウリルオキシ等が挙げられる。
また、前記アリールオキシ基中のＣ１〜Ｃ１２アルキルフェノキシ基としては、例えば、メチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基、１，３，５−トリメチルフェノキシ基、メチルエチルフェノキシ基、イソプロピルフェノキシ基、ブチルフェノキシ基、イソブチルフェノキシ基、ｓ−ブチルフェノキシ基、ｔ−ブチルフェノキシ基、ペンチルフェノキシ基、イソアミルフェノキシ基、ヘキシルフェノキシ基、ヘプチルフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、ノニルフェノキシ基、デシルフェノキシ基、ドデシルフェノキシ基等が挙げられる。
また、上記一般式（Ｉ）中のＲ５、Ｒ６、Ｒ７又はＲ８として選択され得るアリールチオ基としては、前述のアリール基に硫黄元素が結合したものであればよく特に制限されず、前記アリール基の芳香環上に置換基を有するものであってもよい。このようなアリールチオ基としては、炭素数が３〜６０（より好ましくは５〜３０）のものが好ましく、例えば、フェニルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基、ピリジルチオ基、ピリダジニルチオ基、ピリミジルチオ基、ピラジニルチオ基、トリアジニルチオ基等が挙げられる。
さらに、上記一般式（Ｉ）中のＲ５、Ｒ６、Ｒ７又はＲ８として選択され得るアリールアルキル基としては、前述のアリール基に前述のアルキル基が結合したものであればよく特に制限されず、置換基を有するものであってもよい。このようなアリールアルキル基としては、炭素数が７〜６０（より好ましくは７〜３０）のものが好ましく、例えば、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基等が挙げられる。
また、上記一般式（Ｉ）中のＲ５、Ｒ６、Ｒ７又はＲ８として選択され得るアリールアルコキシ基としては、前述のアリール基に前述のアルコキシ基が結合したものであればよく特に制限されず、置換基を有するものであってもよい。このようなアリールアルコキシ基としては、炭素数が７〜６０（より好ましくは７〜３０）のものが好ましく、例えば、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基等が挙げられる。
また、上記一般式（Ｉ）中のＲ５、Ｒ６、Ｒ７又はＲ８として選択され得るアリールアルキルチオ基としては、前述のアリール基に前述のアルキルチオ基が結合したものであればよく特に制限されず、置換基を有するものであってもよい。このようなアリールアルキルチオ基としては、炭素数が７〜６０（より好ましくは７〜３０）のものが好ましく、例えば、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基等が挙げられる。
また、上記一般式（Ｉ）中のＲ５、Ｒ６、Ｒ７又はＲ８として選択され得るアリールアルケニル基としては、前述のアリール基にアルケニル基が結合したものであればよい。このようなアリールアルケニル基としては特に制限されないが、炭素数は８〜６０（より好ましくは８〜３０）のものが好ましく、フェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基、１−ナフチル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基などが例示され、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基及びＣ２〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基がより好ましい。
さらに、上記一般式（Ｉ）中のＲ５、Ｒ６、Ｒ７又はＲ８として選択され得るアリールアルキニル基としては、前述のアリール基にアルキニル基が結合したものであればよい。このようなアリールアルキニル基としては特に制限されないが、炭素数が８〜６０（より好ましくは８〜３０）のものが好ましく、フェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基、１−ナフチル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基などが例示され、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基及びＣ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基がより好ましい。
また、上記一般式（Ｉ）中のＲ５、Ｒ６、Ｒ７又はＲ８として選択され得る置換アミノ基としては特に制限されないが、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基からなる群から選択される１又は２個の基によって置換されたアミノ基が好ましい。また、このような置換アミノ基中のアルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基は他の置換基を有していてもよい。さらに、このような置換アミノ基の炭素数としては、前記置換基の炭素数を含まない場合において１〜６０（より好ましくは２〜４８）であることが好ましい。
このような置換アミノ基としては、例えば、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、セカンダリブチル基、ｓ−ブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジニルアミノ基、トリアジニルアミノ基フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルアミノ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルアミノ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルアミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルアミノ基等が挙げられる。
また、上記一般式（Ｉ）中のＲ５、Ｒ６、Ｒ７又はＲ８として選択され得る置換シリル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基および１価の複素環基からなる群から選択される１〜３個の基によって置換されたシリル基が挙げられる。このような置換シリル基としては特に制限されないが、炭素数が１〜６０（より好ましくは３〜４８）のものが好ましい。なお、このような置換シリル基中のアルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基は置換基を有していてもよい。
このような置換シリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ−イソプロピルシリル基、ジメチル−イソプロピリシリル基、ジエチル−イソプロピルシリル基、ｔ−ブチルシリルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルシリル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルシリル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルシリル基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルシリル基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルシリル基、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基等が挙げられる。
また、上記一般式（Ｉ）中のＲ５、Ｒ６、Ｒ７又はＲ８として選択され得るハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられる。
さらに、上記一般式（Ｉ）中のＲ５、Ｒ６、Ｒ７又はＲ８として選択され得るアシル基としては特に制限されないが、炭素数が２〜２０（より好ましくは２〜１８）のものが好ましく、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基等が挙げられる。
また、上記一般式（Ｉ）中のＲ５、Ｒ６、Ｒ７又はＲ８として選択され得るアシルオキシ基としては特に制限されないが、炭素数が２〜２０（より好ましくは２〜１８）のものが好ましく、例えば、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基等が挙げられる。
また、上記一般式（Ｉ）中のＲ５、Ｒ６、Ｒ７又はＲ８として選択され得るイミン残基としては、イミン化合物（分子内に式：−Ｎ＝Ｃ−で示される基を持つ有機化合物のことをいい、例えば、アルジミン、ケチミン及びこれらのＮ上の水素原子がアルキル基等で置換された化合物が挙げられる。）から水素原子１個を除いた残基であればよく特に制限されないが、炭素数が２〜２０（より好ましくは２〜１８）のものが好ましい。このようなイミン残基としては、例えば、下記構造式：
Figure 2008208356
（上記式中、Ｍｅはメチル基を示す。）
で示される基が挙げられる。
さらに、上記一般式（Ｉ）中のＲ５、Ｒ６、Ｒ７又はＲ８として選択され得るアミド基としては特に制限されないが、炭素数が２〜２０（より好ましくは２〜１８）のものが好ましく、例えば、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基等が挙げられる。
また、上記一般式（Ｉ）中のＲ５、Ｒ６、Ｒ７又はＲ８として選択され得る酸イミド基としては、酸イミドから窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる残基であればよく特に制限されないが、炭素数が４〜２０（より好ましくは４〜１８）のものが好ましく、例えば、下記構造式：
Figure 2008208356
（上記式中、Ｍｅはメチル基を示す。）
で示される基が挙げられる。
また、上記一般式（Ｉ）中のＲ５、Ｒ６、Ｒ７又はＲ８として選択され得る１価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団をいう。このような１価の複素環基としては特に制限されないが、炭素数が４〜６０（より好ましくは４〜２０）のものが好ましい。なお、このような１価の複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まないものとする。また、前記複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素等のヘテロ原子を環内に含むものをいう。このような１価の複素環基としては、例えば、チエニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基等が挙げられ、中でも、チエニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチエニル基、ピリジル基及びＣ１〜Ｃ１２アルキルピリジル基がより好ましい。
また、上記一般式（Ｉ）中のＲ５、Ｒ６、Ｒ７又はＲ８として選択され得る置換カルボキシル基とは、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基で置換されたカルボキシル基をいう。このような置換カルボキシル基としては、炭素数が２〜６０（より好ましくは炭素数２〜４８）のものが好ましい。また、前記置換カルボキシル基中の前記アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基は、他の置換基を有していてもよい。このような置換カルボキシル基としては特に制限されないが、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、ｓ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシロキシカルボニル基、シクロヘキシロキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシロキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基等が挙げられる。
また、上記一般式（Ｉ）中のＲ５、Ｒ６、Ｒ７又はＲ８としては、原料モノマーの合成の容易さの観点から、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、カルボキシル基又は置換カルボキシル基であることが好ましい。
また、上記一般式（Ｉ）中のａ、ｂ、ｃ及びｄは、それぞれ独立に０又は１であることがより好ましく、原料モノマーの合成の容易さの観点から０であることが最も好ましい。
さらに、上記一般式（Ｉ）中のＲ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４としては、原料モノマーの合成の容易さの観点から、アルキル基であることが好ましい。
また、このような一般式（Ｉ）で示される繰返し単位としては、例えば、下記一般式（Ｉ−１）〜（Ｉ−９）：
Figure 2008208356
で示される繰返し単位があげられる。
また、本発明にかかるブロック（Ａ）は、前述のように前記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位の少なくとも１種とともに、下記一般式（ＩＩ）：
−Ａｒ１− （ＩＩ）
（式（ＩＩ）中、Ａｒ１は５員環を含む２価の複素環基を表す。）
で示される繰り返し単位の少なくとも１種を含む。
このような一般式（ＩＩ）中において、５員環を含む２価の複素環基とは、５員環を含む２価の複素環化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団をいう。また、このような５員環を含む２価の複素環基は、置換基を有していてもよい。また、このような５員環を含む複素環化合物とは、環式構造を持つ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけではなく、環を構成する元素として酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素、ヒ素等のヘテロ原子を含むものをいう。また、このような５員環を含む２価の複素環基の中では、芳香族複素環基が好ましい。また、このような５員環を含む２価の複素環基が有していてもよい置換基としては特に制限されないが、溶解性、蛍光特性、合成の行い易さ、素子にした場合の特性等の観点から、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基が好ましい。
また、このような５員環を含む２価の複素環基としては、置換基を除いた部分の炭素数が３〜６０（より好ましくは３〜２０）であるものが好ましい。更に、このような５員環を含む２価の複素環基としては、置換基を含めた全炭素数が３〜１００（より好ましくは３〜５０）であるものが好ましい。
このような５員環を含む２価の複素環基としては、例えば、以下の（ａ）〜（ｆ）のようなものが挙げられる。
（ａ）ヘテロ原子として酸素、ケイ素、窒素、硫黄、セレンなどを含みフルオレン構造を有する基（下記一般式１４１〜１５５で示される基）。
（ｂ）ヘテロ原子として酸素、ケイ素、窒素、硫黄、セレン、ホウ素、リン等を含む５員環複素環基（下記一般式１５６〜１７５で示される基）。
（ｃ）ヘテロ原子として酸素、ケイ素、窒素、セレン等を含む５員環縮合複素基（下記一般式１７６〜１８７で示される基）。
（ｄ）ヘテロ原子として酸素、ケイ素、窒素、硫黄、セレン等を含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位で結合し２量体やオリゴマーになっている基（下記一般式１８８〜１８９で示される基）。
（ｅ）ヘテロ原子として酸素、ケイ素、窒素、硫黄、セレン等を含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基（下記一般式１９０〜１９６で示される基）。
（ｆ）ヘテロ原子として酸素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環縮合複素環基にフェニル基やフリル基、チエニル基が置換した基（下記一般式１９７〜２０２で示される基）。
Figure 2008208356
Figure 2008208356
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Figure 2008208356
Figure 2008208356
Figure 2008208356
（式１４１〜２０２中、Ｒは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表す。）。
このような一般式１４１〜２０２で示される基のＲとして選択され得るアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基及び置換カルボキシル基の定義、具体例等は、前記一般式（Ｉ）中のＲ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８において説明したそれらの定義、具体例等と同じである。
また、このような一般式（ＩＩ）で示される繰返し単位の中では、本発明のブロック共重合を用いて得られる発光素子の輝度半減寿命の観点から、下記一般式（Ｖ）で示される繰返し単位が好ましい。
Figure 2008208356
（式（Ｖ）中、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１は同一でも又は異なっていてもよく、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し、ｅ、ｆ及びｇは同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ０〜２の整数を表し、ｕ及びｖは同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ０〜２の整数を表し、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも又は異なっていてもよい。）。
このような一般式（Ｖ）で示される繰返し単位のＲ９、Ｒ１０及びＲ１１として選択され得るアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基および置換カルボキシル基の定義、具体例等は、前記一般式（Ｉ）中のＲ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８において説明したそれらの定義、具体例等と同じである。
また、前記一般式（Ｖ）中のｅは、原料モノマーの合成の容易さの観点から０であることが好ましい。更に、前記一般式（Ｖ）中のｆ及びｇは、原料モノマーの合成の容易さの観点から、それぞれ独立に０又は１であることが好ましい。
さらに、前記一般式（Ｖ）中のＲ９、Ｒ１０及びＲ１１は、原料モノマーの合成の容易さの観点から、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基又はアリールチオ基であることが好ましく、アルキル基、アルコキシ基又はアリール基であることがより好ましく、アルキル基又はアルコキシ基であることが更に好ましい。
このような一般式（Ｖ）で示される繰返し単位の具体例としては、下記一般式（Ｖ−１）〜（Ｖ−９）で示される繰返し単位が挙げられる。
Figure 2008208356
また、本発明においては、本発明のブロック共重合体を用いて得られる発光素子の発光効率の観点から、前記一般式（Ｖ）で示される繰返し単位が２種類以上を含有されていることが好ましい。すなわち、本発明においては、前記一般式（Ｖ）中のＲ９、Ｒ１０、Ｒ１１、ｅ、ｆ、ｇ、ｕ及びｖのうちの少なくとも１つが異なる２種類以上の前記一般式（Ｖ）で示される繰返し単位が含有されていることが好ましい。そして、本発明のブロック共重合体においては、これを用いて得られる発光素子の発光効率を向上させるという観点からは、Ｒ１０及びＲ１１のうちの少なくとも１つが異なっている２種類以上の繰返し単位が含有されていることがより好ましい。
また、本発明のブロック共重合体においては、これを用いて得られる発光素子の長寿命化が図れるという観点から、前記一般式（Ｖ）で示される繰返し単位の合計（２種類以上の前記一般式（Ｖ）で示される繰返し単位が含有されている場合にはこれら全ての合計）の含有比率がブロック共重合体中に含有されている全繰返し単位に対して３モル％以上４０モル％以下であることが好ましく、５モル％以上３０モル％以下であることがより好ましい。なお、このような含有比率は、ブロック共重合体を製造する際の原料モノマーの量を基準とする。また、前記含有比率が前記下限未満では発光効率が低下する傾向にあり、他方、前記上限を超えると得られる発光素子の寿命が短くなる傾向にある。
また、本発明にかかるブロック（Ａ）は、前述のように前記一般式（Ｉ）で示される繰返し単位の少なくとも１種と、前記一般式（ＩＩ）で示される繰返し単位の少なくとも１種とともに、下記一般式（ＩＩＩ）：
−Ａｒ２− （ＩＩＩ）
（式（ＩＩＩ）中、Ａｒ２はアリーレン基を表す。）
で示される繰返し単位を少なくとも１種含む。
前記一般式（ＩＩＩ）中において、アリーレン基とは、芳香族炭化水素から水素原子２個を除いた原子団であり、縮合環を持つもの、独立したベンゼン環或いは縮合環２個以上が直接又はビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。また、このようなアリーレン基は置換基を有していてもよい。このような置換基の種類は特には限定されないが、溶解性、蛍光特性、合成の行い易さ、素子にした場合の特性等の観点から、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基が好ましい。
また、このようなアリーレン基における置換基を除いた部分の炭素数は、６〜６０（より好ましくは６〜２０）であることが好ましい。また、アリーレン基の置換基を含めた全炭素数は、６〜１００であることが好ましい。
また、このようなアリーレン基としては、例えば、フェニレン基（例えば、下記一般式１〜３で示される基）、ナフタレンジイル基（下記一般式４〜１３で示される基）、アントラセン−ジイル基（下記一般式１４〜１９で示される基）、ビフェニル−ジイル基（下記一般式２０〜２５で示される基）、ターフェニル−ジイル基（下記一般式２６〜２８で示される基）、縮合環化合物基（下記一般式２９〜３５で示される基）、フルオレン−ジイル基（下記一般式３６〜３８で示される基）、ベンゾフルオレン−ジイル（下記一般式３９〜４６で示される基）等が挙げられる。
Figure 2008208356
Figure 2008208356
Figure 2008208356
Figure 2008208356
Figure 2008208356
Figure 2008208356
Figure 2008208356
Figure 2008208356
（式１〜４６中、Ｒは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表す。）
前記一般式１〜４６で示されるアリーレン基のＲとして選択され得るアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基および置換カルボキシル基の定義、具体例等は、前記一般式（Ｉ）中のＲ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８において説明したそれらの定義、具体例等と同じである。
また、このような一般式（ＩＩＩ）で示される繰返し単位の中では、本発明のブロック共重合を用いて得られる発光素子の輝度半減寿命の観点から、下記一般式（ＶＩ）で示される繰返し単位が好ましい。
Figure 2008208356
（式（ＶＩ）中、Ｒ１２及びＲ１３は同一でも又は異なっていてもよく、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し、ｈ及びｉは同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ０〜３の整数を表し、Ｒ１４及びＲ１５は同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し、Ｒ１２及びＲ１３がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも又は異なっていてもよい。）。
このような一般式（ＶＩ）で示される繰返し単位のＲ１２、Ｒ１３、Ｒ１４及びＲ１５として選択され得るアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基および置換カルボキシル基の定義、具体例等は、前記一般式（Ｉ）中のＲ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８において説明したそれらの定義、具体例等と同じである。
前記一般式（ＶＩ）中のｈ及びｉは、原料モノマーの合成の容易さの観点から、０または１であることが好ましく、０であることが最も好ましい。
また、前記一般式（ＶＩ）中のＲ１４及びＲ１５は、原料モノマーの合成の容易さの観点から、アルキル基またはアリール基であることが好ましい。
このような一般式（ＶＩ）で示される繰返し単位の具体例としては、下記一般式（ＶＩ−１）〜（ＶＩ−８）で示される繰返し単位があげられる。
Figure 2008208356
また、本発明にかかるブロック（Ａ）においては、前記一般式（Ｉ）で示される繰返し単位と、前記一般式（ＩＩ）で示される繰返し単位と、下記一般式（ＩＩＩ）で示される繰返し単位とをそれぞれ１種類以上含有するものであればよく、前記繰り返し単位をそれぞれ２種以上含んでいてもよい。また、本発明にかかるブロック（Ａ）においては、前記繰り返し単位に加えて、他の繰り返し単位を１種類以上含んでいてもよい。
さらに、本発明にかかるブロック（Ａ）としては、本発明のブロック共重合体を用いて得られる素子の寿命特性の観点から、ポリスチレン換算の数平均分子量が１０3〜１０５であることが好ましく、ポリスチレン換算の重量平均分子量が１０3〜１０５であることが好ましい。
なお、本発明において「数平均分子量」及び「重量平均分子量」は、サイズエクスクルージョンクロマトグラフィー（ＳＥＣ）（島津製作所製：ＬＣ−１０Ａｖｐ）を用いて、ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量として求める。また、測定する試料は、約０．５ｗｔ％の濃度になるようにテトラヒドロフランに溶解させ、ＧＰＣに５０μＬ注入する。更に、ＧＰＣの移動相としてはテトラヒドロフランを用い、０．６ｍＬ／ｍｉｎの流速で流している。また、カラムとしては、ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＭ−Ｈ（東ソー製）２本とＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨ２０００（東ソー製）１本を直列に繋げたものを用いる。また、検出器には示差屈折率検出器（島津製作所製：ＲＩＤ−１０Ａ）を用いる。
また、本発明にかかるブロック（Ｂ）は、上記一般式（ＩＩＩ）で示される繰返し単位と、下記一般式（ＩＶ）：
−Ａｒ３− （ＩＶ）
（式（ＩＶ）中、Ａｒ３は２価の芳香族アミンを表す。）
で示される繰返し単位とをそれぞれ１種類以上含有するものである。
このようなブロック（Ｂ）に含有される前記一般式（ＩＩＩ）で示される繰返し単位は、前記ブロック（Ａ）中の前記一般式（ＩＩＩ）で示される繰返し単位と同様のものである。
また、前記一般式（ＩＶ）中において、２価の芳香族アミン残基とは、芳香族アミンから水素原子２個を除いた残りの原子団をいい、置換基を有していてもよい。このような２価の芳香族アミン残基としては特に制限されないが、炭素数が５〜１００（より好ましくは１５〜６０）のものが好ましい。なお、このような芳香族アミン残基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。
また、このような２価の芳香族アミン残基としては、具体的には、下記一般式４０１〜４１０で示される２価の芳香族アミン残基が例示される。
Figure 2008208356
（式４０１〜４１０中、Ｒは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基及びニトロ基を表す。）
前記一般式４０１〜４１０中においてＲとして選択され得るアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基および置換カルボキシル基の定義及び具体例等は、前記一般式（Ｉ）中のＲ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８において説明したそれらの定義、具体例等と同じである。
このような一般式（ＩＶ）で示される繰返し単位の中では、本発明のブロック共重合体を用いて発光素子を製造した場合に半減寿命が長い素子が得られるという観点から、下記一般式（ＶＩＩ）で示される繰返し単位が好ましい。
Figure 2008208356
（式（ＶＩＩ）中、Ｒ１６〜Ｒ４１は同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し、ｗ又はｘは同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ０又は１の整数を表し、
Ｒ１７が結合している炭素及びＲ２０が結合している炭素、Ｒ１９が結合している炭素及びＲ２８が結合している炭素、Ｒ３２が結合している炭素及びＲ４０が結合している炭素、又は、Ｒ３７が結合している炭素及びＲ３８が結合している炭素がそれぞれ直接結合して或いは酸素原子又は硫黄原子を介して結合して環を形成していてもよく、このような環が形成される場合、Ｒ１７及びＲ２０、Ｒ１９及びＲ２８、Ｒ３２及びＲ４０、又は、Ｒ３７及びＲ３８はそれぞれ一緒になって、前記直接結合、前記酸素原子又は前記硫黄原子を表し、
Ｒ２２及びＲ３１、又は、Ｒ２１及びＲ２９は、それぞれ直接結合して置換基を有していてもよい環を形成していてもよい。）。
前記一般式（ＶＩＩ）中のＲ１６〜Ｒ４１として選択され得るアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基および置換カルボキシル基の定義及び具体例等は、前記一般式（Ｉ）中のＲ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８において説明したそれらの定義、具体例等と同じである。
また、前記一般式（ＶＩＩ）中のＲ１６〜Ｒ４１としては、原料モノマーの合成の容易さの観点から、それぞれ水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基又はアリールチオ基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基又はアリールオキシ基であることがより好ましく、水素原子、アルキル基又はアルコキシ基であることが更に好ましい。
また、前記一般式（ＶＩＩ）中のＲ２２及びＲ３１、又は、Ｒ２１及びＲ２９がそれぞれ直接結合して置換基を有していてもよい環を形成する場合（例えば、前記一般式（ＶＩＩ）が下記一般式（ＶＩＩ−１８）や（ＩＶ−１９）等で表される繰返し単位を示す場合）に形成される置換基を有していてもよい環としては、例えば、置換基を有していてもよいＣ4〜Ｃ10のシクロアルキル環、置換基を有していてもよいＣ4〜Ｃ10のシクロアルケニル環、置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ14の芳香族炭化水素環又は置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ14の複素環が挙げられる。また、このような環が有していてもよい置換基としては、後述する一般式（ＶＩＩＩ）中のＲ４８として選択され得る基が挙げられる。
このようなシクロアルキル環としては、例えば、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカン等が挙げられる。また、前記シクロアルケニル環としては、二重結合を２つ以上有するものも含まれる。このようなシクロアルケニル環としては、例えば、シクロヘキセン環、シクロヘキサジエン環、シクロオクタトリエン環等が挙げられる。更に、前記芳香族炭化水素環としてはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環が例示される。また、前記複素環としては例えば、フラン環、テトラヒドロフラン環、チオフェン環、テトラヒドロチオフェン環、インドール環、テトラヒドロインドール環、イソキノリン環、ピリジン環、チアゾール環、オキサゾール環が挙げられる。
前記一般式（ＶＩＩ）中のＲ２２及びＲ３１、又は、Ｒ２１及びＲ２９がそれぞれ直接結合して置換基を有していてもよい環を形成する場合においては、その原料モノマーの合成の容易さの観点から、形成される環がシクロアルキル環又は芳香族炭化水素環であることが好ましい。
また、前記一般式（ＶＩＩ）中のＲ１７が結合している炭素及びＲ２０が結合している炭素、又は、Ｒ３２が結合している炭素及びＲ４０が結合している炭素がそれぞれ直接結合して或いは酸素原子又は硫黄原子を介して結合して環を形成する場合（例えば、前記一般式（ＶＩＩ）が下記一般式（ＶＩＩ−５）や（ＶＩＩ−６）、（ＶＩＩ−９）等で表される繰返し単位を示す場合）においては、原料モノマーの合成の容易さの観点から、前記各炭素が酸素原子又は硫黄原子を介して結合して環を形成することが好ましい。
さらに、前記一般式（ＶＩＩ）中のＲ１９が結合している炭素及びＲ２８が結合している炭素、又は、Ｒ３７が結合している炭素とＲ３８が結合している炭素が互いに結合して環を形成する場合（例えば、前記一般式（ＶＩＩ）が下記一般式（ＶＩＩ−１７）等で表される繰返し単位を示す場合）は、原料モノマーの合成の容易さの観点から、前記各炭素が直接結合して環を形成することが好ましい。
このような一般式（ＶＩＩ）で示される繰返し単位の具体例としては、下記式（ＶＩＩ−１）〜（ＶＩＩ−１９）で示される繰返し単位があげられる。
Figure 2008208356
Figure 2008208356
さらに、本発明のブロック共重合体においては、前記一般式（ＶＩＩ）で示される基が、式（ＶＩＩ）中のｘが０である基及び下記一般式（ＶＩＩＩ）で示される基からなる群から選択される少なくとも１種であることが好ましい。このような一般式（ＶＩＩ）で示される基においては、正孔輸送性を高めるという観点からは式（ＶＩＩ）中のｘが０である基がより好ましく、他方、より高輝度な発光を可能にするという観点からは下式（ＶＩＩＩ）で示される基がより好ましい。
［一般式（ＶＩＩＩ）］
Figure 2008208356
（式中、Ｒ４２〜Ｒ４７は同一でも又は異なっていてもよく、それぞれハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し、
ｊ及びｋは同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ０〜４の整数を表し、
ｌ及びｍは同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ０〜５の整数を表し、
ｎ及びｐは同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ０〜３の整数を表し、
Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６及びＲ４７のうちの少なくとも１種が複数個存在する場合、それらは同一でも又は異なっていてもよく、
Ｒ４８及びＲ４９は同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表す。）
前記一般式（ＶＩＩＩ）中のＲ４２〜Ｒ４９として選択され得るアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基及び置換カルボキシル基の定義及び具体例等は、前記一般式（Ｉ）中のＲ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８において説明したそれらの定義、具体例等と同じである。
また、本発明にかかるブロック（Ｂ）においては、前記一般式（ＩＩＩ）で示される繰返し単位と、前記一般式（ＩＶ）で示される繰返し単位とをそれぞれ１種類以上含有するものであればよく、前記繰り返し単位をそれぞれ２種以上含んでいてもよい。また、本発明にかかるブロック（Ｂ）においては、前記繰り返し単位に加えて、他の繰り返し単位を更に１種類以上含んでいてもよい。
また、本発明にかかるブロック（Ａ）及びブロック（Ｂ）は、電荷の輸送性を変化させる観点や耐熱性を向上させる観点等から、前述の一般式（Ｉ）〜（ＩＶ）で示される繰り返し単位に加えて、それ以外の他の繰り返し単位を１種類以上含むことが好ましい。このような他の繰り返し単位としては、下記一般式（Ｃ）：

−Ａｒａ− （Ｃ）
（式（Ｃ）中、Ａｒａは、アリーレン基又は２価の複素環基を示す。）
で示される繰り返し単位が好ましい。なお、上記一般式（Ｃ）で表される繰り返し単位は、１種類を単独で、あるいは２種類以上を含有させてもよい。
また、上記一般式（Ｃ）で示される繰り返し単位の中でも、下記式（Ｄ）、下記式（Ｅ）又は下記式（Ｆ）で示される繰り返し単位が好ましい。
Figure 2008208356
（式（Ｄ）中、Ｒａは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し、αは０〜４の整数を示し、Ｒａが複数個存在する場合、それらは同一でも又は異なっていてもよい。）
Figure 2008208356
（式（Ｅ）中、Ｒｂ及びＲｃは同一でも又は異なっていてもよく、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し、β及びχは同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ０〜３の整数を表し、Ｒｂ及びＲｃがそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも又は異なっていてもよい。）
Figure 2008208356
（式（Ｆ）中、Ｒｅ及びＲｆは同一でも又は異なっていてもよく、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を示し、γ及びηは同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ０〜４の整数を示し、Ｚ２は、Ｏ、Ｓ、ＳＯ２、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｎ−Ｒｇ、又はＳｉＲｈＲｉを示し、Ｚ３及びＺ４は同一でも又は異なっていてもよく、それぞれＮ又はＣ−Ｒｊを示し、Ｒｇ、Ｒｈ、Ｒｉ及びＲｊは同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基を示し、Ｒｅ及びＲｆがそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）
なお、このような一般式（Ｆ）で示される繰り返し単位の中央の５員環の例としては、チアジアゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、チオフェン、フラン、シロール等が挙げられる。
また、本発明のブロック共重合体においては、前記ブロック（Ｂ）に対するブロック（Ａ）の含有割合（（Ａ）／（Ｂ））が、モル比で０．１〜１０であることが好ましく、０．３〜３であることがより好ましい。このようなブロック（Ａ）の含有割合が前記下限未満であるか又は前記上限を超えた場合には、正孔と電子のバランスが悪くなり、発光効率が減少する傾向にある。
また、本発明のブロック共重合体中の一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位（以下、場合により「繰り返し単位（Ｉ）」と示す。）の含有割合は、ブロック共重合体を製造する際の原料モノマーの量を基準として、０．０２〜３０モル％（より好ましくは０．１〜２０モル％）の範囲であることが好ましい。このようなブロック共重合体中の前記繰り返し単位（Ｉ）の含有割合が前記下限未満では、本発明のブロック共重合体を高分子発光素子の材料として用いた場合に、得られる発光素子の輝度半減寿命が短くなる傾向にあり、他方、前記上限を超えると、本発明のブロック共重合体の有機溶媒に対する溶解度が低くなる傾向にある。
また、本発明のブロック共重合体中の一般式（ＩＩ）で示される繰り返し単位（以下、場合により「繰り返し単位（ＩＩ）」と示す。）の含有割合は、ブロック共重合体を製造する際の原料モノマーの量を基準として、０．１〜６０モル％（より好ましくは０．１〜３０モル％）の範囲であることが好ましい。このような繰り返し単位（ＩＩ）の含有割合が前記下限未満では、本発明のブロック共重合体を高分子発光素子の材料として用いた場合に十分な発光が得られなくなる傾向にあり、他方、前記上限を超えると、本発明のブロック共重合体の有機溶媒に対する溶解度が低くなる傾向にある。
さらに、本発明のブロック共重合体中の一般式（ＩＩＩ）で示される繰り返し単位（以下、場合により「繰り返し単位（ＩＩＩ）」と示す。）の含有割合は、ブロック共重合体を製造する際の原料モノマーの量を基準として、１０〜９０モル％（より好ましくは１０〜８０モル％）の範囲であることが好ましい。このような繰り返し単位（ＩＩＩ）の含有割合が前記下限未満では、本発明のブロック共重合体の有機溶媒に対する溶解度が低くなる傾向にあり、他方、前記上限を超えると、本発明のブロック共重合体の発光性や電荷輸送性が低下する傾向にある。
また、本発明のブロック共重合体中の一般式（ＩＶ）で示される繰り返し単位（以下、場合により「繰り返し単位（ＩＶ）」と示す。）の含有割合は、ブロック共重合体を製造する際の原料モノマーの量を基準として、０．１〜６０モル％（より好ましくは１〜５０モル％）の範囲であることが好ましい。このような繰り返し単位（ＩＶ）の含有割合が前記下限未満では、本発明のブロック共重合体を高分子発光素子の材料として用いた場合に、正孔輸送性が低下し、発行効率が低下する傾向にあり、他方、前記上限を超えると、本発明のブロック共重合体の有機溶媒に対する溶解度が低くなる傾向にある。
本発明のブロック共重合体は、素子の寿命特性の観点から、ポリスチレン換算の数平均分子量が１０３〜１０８であることが好ましく、１０３〜１０７であることがより好ましく、１０４〜１０７であることがさらに好ましい。また、本発明のブロック共重合体は、素子の寿命特性の観点から、ポリスチレン換算の重量平均分子量が１０３〜１０８であることが好ましく、１０３〜１０７であることがより好ましく、１０４〜１０７であることがさらに好ましい。
また、本発明のブロック共重合体の末端基は、縮合重合に関与する置換基がそのまま残っていると、発光素子を製造した時に素子の発光特性や寿命が低下する可能性があるため、安定な基で保護されていてもよい。このように末端基が保護されている場合には、主鎖の共役構造と連続した共役結合を有していることが好ましく、その構造としては、例えば、炭素―炭素結合を介してアリール基又は複素環基と結合している構造が挙げられる。このような末端基を保護する安定な基としては、例えば、特開平９−４５４７８号公報において化１０の構造式で示される１価の芳香族化合物基等の置換基が挙げられる。
また、本発明のブロック共重合体は溶媒中に含有させてもよい。このような溶媒としては特に制限されないが、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デカリン、ｎ−ブチルベンゼン等が例示される。なお、このような溶媒としては、ブロック共重合体の構造や分子量によって異なるものであり一概には言えないが、通常は前記ブロック共重合体を０．１質量％以上溶解させることができる。
次に、本発明のブロック共重合体を製造する方法として好適な方法について説明する。
本発明のブロック共重合体を製造するための好適な方法としては、高分子量のブロック（Ａ）を合成した後、そこにブロック（Ｂ）を構成するモノマーを添加し重合してブロック共重合体を製造する方法、予め高分子量のブロック（Ａ）と高分子量のブロック（Ｂ）を合成し、これらをあわせて重合してブロック共重合体を製造する方法等が挙げられる。このようなブロック共重合体を製造する方法としては、例えばＷＯ２００５／３６６６６号パンフレットやＷＯ２００３／００７３９５号パンフレットなどに記載の公知の方法を用いることができる。
本発明のブロック共重合体を製造するための好適な方法の具体例を以下に記載する。先ず、フラスコ内にブロック（Ａ）を構成するモノマー、脱気した溶媒、触媒、塩基を仕込み、ブロック（Ａ）を重合する。その後、前記フラスコ内に、ブロック（Ｂ）を構成するモノマー、溶媒、触媒、塩基を仕込み、ブロック（Ｂ）を重合する。このようにしてブロック共重合体（ポリマー）は、高分子量のブロック（Ａ）とブロック（Ｂ）とを有した構造となる。
また、このような本発明のブロック共重合体を製造するための好適な方法のより具体的な例としては、下記式（Ｘ）：
Ｙ１−Ａ−Ｙ２ （Ｘ）
（式（Ｘ）中、−Ａ−は前記式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）又は（ＩＶ）で示される繰返し単位を表し、Ｙ１及びＹ２はそれぞれ独立に縮合重合可能な置換基を表す。）
で示される化合物を原料の一つとして適宜選択して用い、高分子量のブロック（Ａ）を構成するモノマーを添加してブロック（Ａ）を合成した後、ブロック（Ｂ）を構成するモノマーを添加してブロック共重合体を製造する方法を挙げることができる。
また、本発明のブロック共重合体を上記式（Ｘ）中の−Ａ−で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位を有するものとする場合には、前記−Ａ−以外の繰り返し単位となる、２個の縮合重合に関与する置換基を有する化合物を用い、これを前記式（Ｘ）で示される化合物とともに共存させて縮合重合させればよい。
前記式（Ｘ）中の−Ａ−で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位を有する、２個の縮合重合可能な置換基を有する化合物としては、下記式（ＸＩ）：
Ｙ３−Ａｒａ−Ｙ４ （ＸＩ）
（式中、Ａｒａは前記と同じである。Ｙ３及びＹ４はそれぞれ独立に縮合重合に関与する置換基を示す。）
で示される化合物が例示される。このようにして、前記Ｙ１−Ａ−Ｙ２で示される化合物に加えて、前記Ｙ３−Ａｒａ−Ｙ４で示される化合物を縮合重合させることで、−Ａｒａ−で示される繰り返し単位を更に有する本発明のブロック共重合体を製造することができる。
また、上記式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）又は（ＩＶ）で示される繰返し単位以外の繰り返し単位となる上記式（Ｅ）に対応する２個の重合縮合に関与する置換基を有する化合物としては、下記式（Ｈ）で示される化合物が挙げられる。
Figure 2008208356
（式中、Ｒｂ、Ｒｃ、β及びχは、前記式（Ｅ）で説明したＲｂ、Ｒｃ、β及びχと同義であり、Ｙ５およびＹ６はそれぞれ独立に縮合重合に関与する置換基を示す。）
このような本発明のブロック重合体を製造するための好適な方法において、縮合重合に関与する置換基（Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５及びＹ６）としては、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸エステル基、スルホニウムメチル基、ホスホニウムメチル基、ホスホネートメチル基、モノハロゲン化メチル基、−Ｂ（ＯＨ）２、ホルミル基、シアノ基又はビニル基等が挙げられる。
このような縮合重合に関与する置換基として選択され得るハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子が挙げられる。
また、前記縮合重合に関与する置換基として選択され得るアルキルスルホネート基としては、例えば、メタンスルホネート基、エタンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基等が挙げられ、アリールスルホネート基としては、例えば、ベンゼンスルホネート基、ｐ−トルエンスルホネート基等が挙げられ、アリールスルホネート基としては、例えば、ベンジルスルホネート基等が挙げられる。
さらに、前記縮合重合に関与する置換基として選択され得るホウ酸エステル基としては、下記式：
Figure 2008208356
（式中、Ｍｅはメチル基を示し、Ｅｔはエチル基を示す。）
で示される基が例示される。
また、前記縮合重合に関与する置換基として選択され得るスルホニウムメチル基としては、下記式：
−ＣＨ２Ｓ＋Ｍｅ２Ｘ−、又は、−ＣＨ２Ｓ＋Ｐｈ２Ｘ−
（Ｘはハロゲン原子を示し、Ｐｈはフェニル基を示す。）
で示される基が例示される。
また、前記縮合重合に関与する置換基として選択され得るホスホニウムメチル基としては、下記式：
−ＣＨ２Ｐ＋Ｐｈ３Ｘ−
（Ｘはハロゲン原子を示す。）
で示される基が例示される。
さらに、前記縮合重合に関与する置換基として選択され得るホスホネートメチル基としては、下記式：
−ＣＨ２ＰＯ（ＯＲ’）２
（Ｘはハロゲン原子を示し、Ｒ’はアルキル基、アリール基又はアリールアルキル基を示す。）
で示される基が例示される。
また、前記縮合重合に関与する置換基として選択され得るモノハロゲン化メチル基としては、フッ化メチル基、塩化メチル基、臭化メチル基又はヨウ化メチル基が例示される。
さらに、縮合重合に関与する置換基として好適な置換基としては、重合反応の種類によって異なるものであり一概には言えないが、例えばＹａｍａｍｏｔｏカップリング反応など０価ニッケル錯体を用いる場合には、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基が挙げられる。また、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応などニッケル触媒またはパラジウム触媒を用いる場合には、アルキルスルホネート基、ハロゲン原子、ホウ酸エステル基、−Ｂ（ＯＨ）２などが挙げられる。
また、本発明のブロック共重合体を製造するための好適な方法においては、例えば、モノマーとなる、縮合重合に関与する置換基を複数有する化合物を、必要に応じて有機溶媒に溶解し、アルカリや適当な触媒等を用いて前記有機溶媒の融点以上沸点以下の温度で反応させる重合方法を採用してもよい。このような重合方法としては、例えば、“オルガニック リアクションズ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ）”，第１４巻，２７０−４９０頁，ジョンワイリー アンド サンズ（Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９６５年、“オルガニック シンセシス（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ）”，コレクティブ第６巻（Ｃｏｌｌｅｃｔｉｖｅ Ｖｏｌｕｍｅ ＶＩ），４０７−４１１頁，ジョンワイリー アンド サンズ（Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９８８年、ケミカル レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第９５巻，２４５７頁（１９９５年）、ジャーナル オブ オルガノメタリック ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．），第５７６巻，１４７頁（１９９９年）、マクロモレキュラー ケミストリー マクロモレキュラー シンポジウム（Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．），第１２巻，２２９頁（１９８７年）等に記載された公知の方法を適宜採用することができる。
また、このような本発明のブロック共重合体を製造するための好適な方法においては、縮合重合に関与する置換基に応じて、既知の縮合反応を適宜採用してもよい。このような重合方法としては、例えば、該当するモノマーを、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、Ｎｉ（０）錯体により重合する方法、ＦｅＣｌ３等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法、又は適当な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法等が挙げられる。このような重合方法の中でも、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、及びニッケルゼロ価錯体により重合する方法が、得られる共重合体の構造制御がし易いので好ましい。
また、本発明のブロック共重合体を製造するための好適な方法においては、縮合重合に関与する置換基（Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５及びＹ６）がそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基から選ばれ、且つニッケルゼロ価錯体存在下で縮合重合する方法を採用することが好ましい。従って、上記式（Ｘ）及び（ＸＩ）や上記式（Ｈ）で示される原料化合物としては、例えば、ジハロゲン化化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（アリールスルホネート）化合物、ビス（アリールアルキルスルホネート）化合物、ハロゲン−アルキルスルホネート化合物、ハロゲン−アリールスルホネート化合物、ハロゲン−アリールアルキルスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物、およびアリールスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物が挙げられる。
このような原料化合物を用いた本発明のブロック共重合体を製造する好適な方法の一例としては、ハロゲン−アルキルスルホネート化合物、ハロゲン−アリールスルホネート化合物、ハロゲン−アリールアルキルスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物、又はアリールスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物を用いることにより、シーケンスを制御したブロック共重合体を製造する方法が挙げられる。
また、上述のようなブロック共重合体を製造する方法の中でも、縮合重合に関与する置換基（Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５及びＹ６）がそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸基、又はホウ酸エステル基から選ばれ、全原料化合物が有する、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基及びアリールアルキルスルホネート基のモル数の合計（Ｊ）と、ホウ酸基（−Ｂ（ＯＨ）２）及びホウ酸エステル基のモル数の合計（Ｋ）の比が実質的に１（好ましくはＫ／Ｊは０．７〜１．２の範囲）であり、且つ、ニッケル触媒又はパラジウム触媒を用いて縮合重合してブロック共重合体を製造する方法がより好ましい。
このようなブロック共重合体を製造する方法を採用する場合における具体的な原料化合物の組み合わせとしては、ジハロゲン化化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（アリールスルホネート）化合物又はビス（アリールアルキルスルホネート）化合物とジホウ酸化合物又はジホウ酸エステル化合物との組み合わせが挙げられる。
さらに、前述の原料化合物としては、ハロゲン−ホウ酸化合物、ハロゲン−ホウ酸エステル化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールスルホネート−ホウ酸化合物、アリールスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物が挙げられる。
このような原料化合物を用いた本発明のブロック共重合体を製造する好適な方法の一例としては、ハロゲン−ホウ酸化合物、ハロゲン−ホウ酸エステル化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールスルホネート−ホウ酸化合物、アリールスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物を用いることにより、シーケンスを制御したブロック共重合体を製造する方法が挙げられる。
また、前記有機溶媒としては、用いる化合物や反応によっても異なるが、一般に副反応を抑制するために十分に脱酸素処理を施したものを用いることが好ましく、ブロック共重合体を製造する際には、このような有機溶媒を用いて不活性雰囲気下で反応を進行させることが好ましい。また、前記有機溶媒においては、前記脱酸素処理と同様に脱水処理を行うことが好ましい。但し、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応のような水との２相系での反応の場合にはその限りではない。
また、このような有機溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサンなどの飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレンなどの不飽和炭化水素、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサンなどのハロゲン化飽和炭化水素、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼンなどのハロゲン化不飽和炭化水素、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、ｔ−ブチルアルコールなどのアルコール類、蟻酸、酢酸、プロピオン酸などのカルボン酸類、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサンなどのエーテル類、トリメチルアミン、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、ピリジンなどのアミン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルモルホリンオキシドなどのアミド類等が例示される。これらの有機溶媒は単一で、又は２種以上を混合して用いてもよい。このような有機溶媒の中でも、エーテル類がより好ましく、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルが更に好ましい。
また、本発明のブロック共重合体を製造する際においては、反応させるために適宜アルカリや適当な触媒を添加することが好ましい。これらは前記重合方法に応じて適宜選択すればよい。このようなアルカリ又は触媒としては、反応に用いる溶媒に十分に溶解するものが好ましい。また、アルカリ又は触媒を混合する方法としては、反応液をアルゴンや窒素等の不活性雰囲気下で攪拌しながらゆっくりとアルカリ又は触媒の溶液を添加するか、逆にアルカリ又は触媒の溶液に反応液をゆっくりと添加する方法が例示される。
このような本発明のブロック共重合体は、発光材料として用いることができるだけでなく、薄膜、有機半導体材料、有機トランジスタ、光学材料、太陽電池又はドーピングにより導電性材料として用いることもできる。また、本発明のブロック共重合体を高分子ＬＥＤ等に用いることができる。この場合においては、ブロック共重合体の純度が発光特性等の素子の性能に影響を与えるため、重合前のモノマーを蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製した後に重合することが好ましい。また重合後、再沈精製、クロマトグラフィーによる分別等の純化処理をすることが好ましい。
また、本発明のブロック共重合体を用いて製造することができる前記薄膜としては、発光性薄膜、導電性薄膜、有機半導体薄膜等が例示される。このような導電性薄膜としては、表面抵抗が１ＫΩ／□以下であることが好ましい。薄膜に、ルイス酸、イオン性化合物等をドープすることにより、電気伝導度を高めることができる。表面抵抗が１００Ω／□以下であることがより好ましく、１０Ω／□以下であることがさらに好ましい。
また、前記有機半導体薄膜は、電子移動度又は正孔移動度のいずれか大きいほうが好ましく、電子移動度又は正孔移動度が、１０−５ｃｍ２／Ｖ秒以上であることがより好ましくは、１０−３ｃｍ２／Ｖ秒以上であることが更に好ましく、１０−１ｃｍ２／Ｖ秒以上であることが特に好ましい。また、このような有機半導体薄膜を用いて、有機トランジスタを作製することができる。具体的には、ＳｉＯ２等の絶縁膜とゲート電極とを形成したＳｉ基板上に有機半導体薄膜を形成し、Ａｕ等でソース電極とドレイン電極を形成することにより、有機トランジスタとすることができる。
本発明のブロック共重合体は、高分子電界効果トランジスタの材料として利用でき、中でも活性層として好適に用いることができる。高分子電界効果トランジスタの構造としては、通常は、ソース電極及びドレイン電極が高分子からなる活性層に接して設けられており、さらに活性層に接した絶縁層を挟んでゲート電極が設けられていればよい。
このような高分子電界効果トランジスタは、通常は支持基板上に形成される。支持基板としては電界効果トランジスタとしての特性を阻害しなければ材質は特に制限されないが、ガラス基板やフレキシブルなフィルム基板やプラスチック基板も用いることができる。また、このような高分子電界効果トランジスタは、公知の方法、例えば、特開平５−１１００６９号公報に記載の方法により製造することができる。
また、前記活性層を形成する際に、有機溶媒可溶性のブロック共重合体を用いることが製造上非常に有利であり好ましい。有機溶媒可溶性のブロック共重合体を溶媒に溶解させてなる溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等の塗布法を用いることができる。
また、高分子電界効果トランジスタを作製後、封止してなる封止高分子電界効果トランジスタが好ましい。これにより、高分子電界効果トランジスタが、大気から遮断され、高分子電界効果トランジスタの特性の低下を抑えることができる。封止する方法としては、紫外線（ＵＶ）硬化樹脂、熱硬化樹脂や無機のＳｉＯＮｘ膜等でカバーする方法、ガラス板やフィルムをＵＶ硬化樹脂、熱硬化樹脂等で張り合わせる方法等が挙げられる。大気との遮断を効果的に行うため高分子電界効果トランジスタを作製後、封止するまでの工程を大気に曝すことなく（例えば、乾燥した窒素雰囲気中、真空中等で）行うことが好ましい。
また、本発明のブロック共重合体を用いて製造することができる太陽電池について、有機太陽電池の一態様である、有機光電変換素子であって光起電力効果を利用する固体光電変換素子を例に説明する。
本発明のブロック共重合体は、有機光電変換素子の材料として、中でも有機半導体と金属との界面を利用するショットキー障壁型素子の有機半導体層として、また、有機半導体と無機半導体あるいは有機半導体どうしの界面を利用するｐｎへテロ接合型素子の有機半導体層として、好適に用いることができる。
さらに、ドナー・アクセプターの接触面積を増大させたバルクヘテロ接合型素子における電子供与性高分子、電子受容性高分子として、また、高分子・低分子複合系を用いる有機光電変換素子、例えば、電子受容体としてフラーレン誘導体を分散したバルクヘテロ接合型有機光電変換素子の電子供与性共役系高分子（分散支持体）として、好適に用いることができる。
このような有機光電変換素子の構造としては、例えば、ｐｎへテロ接合型素子では、オーム性電極、例えば、ＩＴＯ上に、ｐ型半導体層を形成し、さらに、ｎ型半導体層を積層し、その上にオーム性電極が設けられていればよい。
このような有機光電変換素子は、通常は支持基板上に形成される。支持基板としては有機光電変換素子としての特性を阻害しなければ材質は特に制限されないが、ガラス基板やフレキシブルなフィルム基板やプラスチック基板も用いることができる。
また、このような有機光電変換素子は、公知の方法、例えば、Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ．，１０２，９８２（１９９９）に記載の方法やＳｃｉｅｎｃｅ，２７０，１７８９（１９９５）に記載の方法により製造することができる。
以上、本発明のブロック共重合体について説明したが、以下において、本発明の組成物及び液状組成物について説明する。
本発明の組成物は、上記本発明のブロック共重合体と、発光材料、正孔輸送材料及び電子輸送材料からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料とを含有することを特徴とするものである。なお、このような本発明の組成物においては、上記本発明のブロック共重合体を２種類以上含有していてもよい。
このような発光材料としては特に制限されず、公知の発光材料を適宜用いることができ、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系等の色素類、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン及びその誘導体、テトラフェニルブタジエン及びその誘導体等を用いることができる。また、このような低分子量の発光層材料としては、特開昭５７−５１７８１号公報、特開昭５９−１９４３９３号公報に記載されているもの等の公知の材料が使用可能である。
また、前記正孔輸送材料としては特に制限されず、公知の正孔輸送材料を適宜用いることができ、例えば、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体等が挙げられる。
また、前記電子輸送材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体等が挙げられる。
また、本発明の組成物中において、発光材料、正孔輸送材料及び電子輸送材料からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料を含有する場合には、組成物中の前記材料の含有割合は１質量％〜８０質量％であることが好ましく、５質量％〜６０質量％であることがより好ましい。このような材料の含有量が前記下限未満では、十分な発光性や電荷輸送性を付与できなくなる傾向にあり、他方、前記上限を超えると、本発明のブロック共重合体が有する発光性や電荷輸送性を十分に発揮できなくなる傾向にある。
また、本発明の液状組成物は、上記本発明のブロック共重合体と、溶媒とを含有することを特徴とするものである。ここで、「液状組成物」とは、素子作製時において液状であるものを意味し、典型的には、常圧（即ち、１気圧）、２５℃において液状のものであることを意味する。また、このような液状組成物は、一般的には、インク、インク組成物、溶液等と呼ばれることがある。このような液状組成物は、高分子発光素子等の発光素子や有機トランジスタの作製に有用である。
本発明の液状組成物中の溶媒の割合は、該液状組成物の全質量に対して１質量％〜９９．９質量％であることが好ましく、より好ましくは６０質量％〜９９．９質量％であり、更に好ましく９０質量％〜９９．８質量％である。また、液状組成物の好適な粘度は、これを用いて薄膜等を製造する際に採用する印刷法によって異なるものではあるが、２５℃において０．５〜５００ｍＰａ・ｓの範囲であることが好ましく、インクジェット印刷法等、液状組成物が吐出装置を経由するものの場合には、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために粘度が２５℃において０．５〜２０ｍＰａ・ｓの範囲であることが好ましい。
また、このような溶媒としては、本発明の液状組成物中の溶媒以外の成分を溶解又は分散できるものが好ましい。このような溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルベンゾエート、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの溶媒は、１種を単独で用いてもよく、あるいは複数組み合わせて用いてもよい。前記溶媒のうち、ベンゼン環を少なくとも１個以上含む構造を有し、且つ融点が０℃以下、沸点が１００℃以上である有機溶媒を１種類以上含むことが、粘度、成膜性等の観点から好ましい。
また、溶媒の種類としては、液状組成物中の溶媒以外の成分の有機溶媒への溶解性、成膜時の均一性、粘度特性等の観点から、芳香族炭化水素系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メシチレン、ｎ−プロピルベンゼン、ｉ−プロピルベンゼン、ｎ−ブチルベンゼン、ｉ−ブチルベンゼン、ｓ−ブチルベンゼン、アニソール、エトキシベンゼン、１−メチルナフタレン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシル、シクロヘキセニルシクロヘキサノン、ｎ−ヘプチルシクロヘキサン、ｎ−ヘキシルシクロヘキサン、メチルベンゾエート、２−プロピルシクロヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、２−オクタノン、２−ノナノン、２−デカノン、ジシクロヘキシルケトンが好ましく、キシレン、アニソール、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシルメチルベンゾエートのうち少なくとも１種類を含むことがより好ましい。
更に、本発明の液状組成物に含まれる溶媒の種類は、成膜性の観点や素子特性等の観点から、２種類以上であることがより好ましく、２〜３種類であることが更に好ましく、２種類であることが特に好ましい。
本発明の液状組成物に２種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの１種類の溶媒は２５℃において固体状態でもよい。また、成膜性の観点からは、１種類の溶媒は沸点が１８０℃以上のものであり、他の１種類の溶媒は沸点が１８０℃未満のものであることが好ましく、１種類の溶媒は沸点が２００℃以上のものであり、他の１種類の溶媒は沸点が１８０℃未満のものであることがより好ましい。更に、粘度の観点からは、６０℃において、液状組成物から溶媒を除いた成分の０．２質量％以上が溶媒に溶解することが好ましく、２種類の溶媒のうちの１種類の溶媒には、２５℃において、液状組成物から溶媒を除いた成分の０．２質量％以上が溶解することが好ましい。
また、本発明の液状組成物に３種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの１〜２種類の溶媒は２５℃において固体状態でもよい。成膜性の観点からは、３種類の溶媒のうちの少なくとも１種類の溶媒は沸点が１８０℃以上の溶媒であり、少なくとも１種類の溶媒は沸点が１８０℃以下の溶媒であることが好ましく、３種類の溶媒のうちの少なくとも１種類の溶媒は沸点が２００℃以上３００℃以下の溶媒であり、少なくとも１種類の溶媒は沸点が１８０℃以下の溶媒であることがより好ましい。また、粘度の観点からは、３種類の溶媒のうちの２種類の溶媒には、６０℃において、液状組成物から溶媒を除いた成分の０．２質量％以上が溶媒に溶解することが好ましく、３種類の溶媒のうちの１種類の溶媒には、２５℃において、液状組成物から溶媒を除いた成分の０．２質量％以上が溶媒に溶解することが好ましい。
さらに、本発明の液状組成物に２種類以上の溶媒が含まれる場合、粘度及び成膜性の観点から、最も沸点が高い溶媒が、液状組成物に含まれる全溶媒の質量の４０〜９０質量％であることが好ましく、５０〜９０質量％であることがより好ましく、６５〜８５質量％であることがさらに好ましい。このような最も沸点が高い溶媒の含有量が前記下限未満では、粘度が低くなり、これを用いて最適な膜厚の膜を製造することが困難となる傾向にあり、他方、前記上限を超えると、粘度が高くなり、これを用いて均質な膜を製造することが困難となる傾向にある。
また、本発明の液状組成物は、上記本発明のブロック共重合体及び溶媒以外に、発光材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、安定剤、粘度及び／又は表面張力を調節するための添加剤、酸化防止剤等を含んでいてもよい。これらの任意成分は、それぞれ一種を単独で又は二種以上を併用して用いてもよい。
本発明の液状組成物が含有してもよい蛍光材料としては、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン、アントラセン誘導体、ペリレン、ペリレン誘導体、ポリメチン系色素、キサンテン系色素、クマリン系色素、シアニン系色素、８−ヒドロキシキノリンの金属錯体を配位子として有する金属錯体、８−ヒドロキシキノリン誘導体を配位子として有する金属錯体、その他の蛍光性金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン、テトラフェニルシクロペンタジエン誘導体、テトラフェニルシクロブタジエン、テトラフェニルシクロブタジエン誘導体、スチルベン系、含ケイ素芳香族系、オキサゾール系、フロキサン系、チアゾール系、テトラアリールメタン系、チアジアゾール系、ピラゾール系、メタシクロファン系、アセチレン系等の低分子化合物の蛍光性材料が挙げられる。また、このような蛍光材料としては、例えば、特開昭５７−５１７８１号公報、特開昭５９−１９４３９３号公報等に記載されているもの等、公知のものが挙げられる。
また、本発明の液状組成物が含有してもよい正孔輸送材料及び電子輸送材料は、上記本発明の組成物において説明したものと同様のものである。
さらに、本発明の液状組成物が含有してもよい安定剤としては特に制限されず、例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤等が挙げられる。
本発明の液状組成物が含有してもよい粘度及び／又は表面張力を調節するための添加剤としては特に制限されず、例えば、粘度を高めるための高分子量の化合物（増粘剤）や貧溶媒、粘度を下げるための低分子量の化合物、表面張力を下げるための界面活性剤等を適宜組み合わせて使用すればよい。また、前記高分子量の化合物（増粘剤）としては、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよく、液状組成物の溶媒に可溶性のものが好ましい。このような高分子量の化合物としては、例えば、高分子量のポリスチレン、高分子量のポリメチルメタクリレート等が挙げられる。更に、このような高分子量の化合物としては、ポリスチレン換算の重量平均分子量は５０万以上のものが好ましく、１００万以上のものがより好ましい。また、貧溶媒を増粘剤として用いることもできる。
本発明の液状組成物が含有してもよい酸化防止剤としては、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよく、液状組成物の溶媒に可溶性のものが好ましい。このような酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤等が例示される。また、このような酸化防止剤を用いることにより、前記ブロック共重合体、溶媒の保存安定性を改善し得る傾向にある。
また、本発明の液状組成物が正孔輸送材料を含有する場合には、液状組成物中の正孔輸送材料の割合は、１質量％〜８０質量％であることが好ましく、５質量％〜６０質量％であることがより好ましい。更に、本発明の液状組成物が電子輸送材料を含有する場合には、液状組成物中の電子輸送材料の割合は、１質量％〜８０質量％であることが好ましく、５質量％〜６０質量％であることがより好ましい。このような正孔輸送材料及び電子輸送材料の含有量が前記下限未満では、得られた液状組成物を成膜した際に得られる膜に十分な正孔輸送能や電子輸送能等を付与できなくなる傾向にあり、他方、前記上限を超えると、本発明のブロック共重合体が有する発光性や電子輸送性を十分に発揮できなくなる傾向にある。
また、このような本発明の液状組成物を用いて、これを成膜することにより高分子発光素子を製造することもできる。このような高分子発光素子の製造の際には、本発明の液状組成物を塗布した後、乾燥により溶媒を除去するだけでよい。また、電荷輸送材料や発光材料を混合した場合においても同様な手法が適用できる。従って、本発明の液状組成物は、高分子発光素子等の製造上非常に有利なものである。なお、乾燥の際には、５０〜１５０℃程度に加温した状態で乾燥してもよく、また、１０−３Ｐａ程度に減圧して乾燥させてもよい。
また、このような本発明の液状組成物を用いた成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、ノズルコート法等の塗布法を採用することができる。
以上、本発明の組成物及び液状組成物について説明したが、以下において、本発明の発光性薄膜について説明する。
本発明の発光性薄膜は、上記本発明のブロック共重合体を含有することを特徴とする。このような発光性薄膜は、上記本発明の液状組成物を成膜することにより好適に製造することができる。このような成膜方法としては特に制限されず、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。
また、本発明の発光性薄膜は、素子の輝度や発光電圧等の観点から、発光の量子収率が５０％以上であることが好ましく、６０％以上であることがより好ましく、７０％以上であることがさらに好ましい。このような量子収率が前記下限未満では、十分な発光を得ることができなくなる傾向にある。
以上、本発明の発光性薄膜について説明したが、以下において、本発明の高分子発光素子について説明する。
本発明の高分子発光素子は、陽極と陰極とからなる電極間に、上記本発明のブロック共重合体を含有する有機層を備えることを特徴とするものである。このような有機層としては、発光層、電子輸送層、正孔輸送層が挙げられる。また、このような高分子発光素子としては、前記有機層が発光層であることがより好ましい。
また、本発明の高分子発光素子としては、（１）陰極と発光層との間に電子輸送層を設けた高分子発光素子、（２）陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた高分子発光素子、（３）陰極と発光層との間に電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた高分子発光素子等が挙げられる。
このような高分子素子としては、以下のａ）〜ｄ）の構造が例示される。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ここで、／は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。）。
ここで、発光層とは、発光する機能を有する層であり、正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層であり、電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層である。なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。発光層、正孔輸送層、電子輸送層は、それぞれ独立に２層以上用いてもよい。また、発光層に隣接した正孔輸送層をインターレイヤー層と呼ぶ場合もある。このような発光層の成膜の方法は特に制限されないが、例えば、発光材料を含有させた上記本発明の液状組成物を用い、これを成膜する方法が例示される。
また、具体的な成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、ノズルコート法等の塗布法を採用することができる。
なお、高分子発光素子の作製の際に、上記本発明の液状組成物を成膜する方法を採用した場合には、前記液状組成物を塗布後乾燥して溶媒を除去するだけでよく、製造効率が向上し、製造上有利となる傾向にある。
また、前記発光層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように適宜選択すればよいが、１ｎｍ〜１μｍであることが好ましく、２ｎｍ〜５００ｎｍであることがより好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであることが更に好ましい。
本発明の高分子発光素子においては、発光層に上記ブロック共重合体以外の発光材料を混合して使用してもよい。また、本願発明の高分子発光素子においては、上記ブロック共重合体以外の発光材料を含む発光層が、上記ブロック共重合体を含む発光層と積層されていてもよい。
また、前記ブロック共重合体以外の発光材料としては、公知のものが使用できる。低分子化合物では、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系等の色素類、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン及びその誘導体、テトラフェニルブタジエン及びその誘導体等を用いることができる。具体的には、例えば、特開昭５７−５１７８１号、特開昭５９−１９４３９３号公報に記載されているもの等、公知のものが使用可能である。
本発明の高分子発光素子が正孔輸送層を有する場合、使用される正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体等が例示される。具体的には、正孔輸送材料として、特開昭６３−７０２５７号公報、特開昭６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、特開平２−１３５３６１号公報、特開平２−２０９９８８号公報、特開平３−３７９９２号公報、特開平３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。
これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体等の高分子正孔輸送材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。
このようなポリビニルカルバゾール及びその誘導体としては、例えば、ビニルモノマーからカチオン重合又はラジカル重合によって得られるものを好適に利用できる。
また、前記ポリシラン及びその誘導体としては、ケミカル・レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）第８９巻、１３５９頁（１９８９年）、英国特許ＧＢ２３００１９６号公開明細書に記載の化合物等が挙げられる。このようなポリシラン及びその誘導体の合成方法も上記文献に記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。
また、前記ポリシロキサン誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖又は主鎖に上記低分子正孔輸送材料の構造を有するものが好適に用いられる。このようなポリシロキサン誘導体として特に好適なものとしては、正孔輸送性の芳香族アミンを側鎖又は主鎖に有するものが例示される。
また、正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、低分子正孔輸送材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。また、高分子正孔輸送材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。
このような溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解させるものであれば特に制限はない。このような溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。
また、成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。
さらに、このような成膜の際に混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。このような高分子バインダーとして、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。
なお、正孔輸送層を成膜する際には、正孔輸送材料を含有させた上記本発明の液状組成物を用いて、これを成膜してもよい。このようにして上記本発明の液状組成物を用いた場合には、これを塗布、乾燥して溶媒を除去するだけでよく、製造効率が向上し、製造上有利となる傾向にある。
また、正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、このような正孔輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
また、本発明の高分子発光素子が電子輸送層を有する場合、使用される電子輸送材料としては公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体等が例示される。具体的には、特開昭６３−７０２５７号公報、特開昭６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、特開平２−１３５３６１号公報、特開平２−２０９９８８号公報、特開平３−３７９９２号公報、特開平３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。
これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。
電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が、高分子電子輸送材料では溶液又は溶融状態からの成膜による方法がそれぞれ例示される。溶液又は溶融状態からの成膜時には、高分子バインダーを併用してもよい。
このような溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料及び／又は高分子バインダーを溶解させるものであれば特に制限はない。このような溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。
また、溶液又は溶融状態からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。
さらに、このような成膜の際に混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また、可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとしては、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。
なお、電子輸送層の成膜の際には、電子輸送材料を含有させた上記本発明の液状組成物を用いて、これを成膜してもよい。このようにして上記本発明の液状組成物を用いた場合には、これを塗布、乾燥して溶媒を除去するだけでよく、製造効率が向上し、製造上有利となる傾向にある。
電子輸送層の膜厚は、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電子輸送層の膜厚は、１ｎｍ〜１μｍであることが好ましく、２ｎｍ〜５００ｎｍであることがより好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであることが更に好ましい。
なお、電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）と一般に呼ばれることがある。
また、電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して前記の電荷注入層又は絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。積層する層の順番や数、及び各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜選択すればよい。
本発明において、電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）を設けた高分子発光素子としては、陰極に隣接して電荷注入層を設けた高分子発光素子、陽極に隣接して電荷注入層を設けた高分子発光素子が挙げられる。
このような高分子発光素子としては、例えば、以下のe)〜p)の構造が挙げられる。
e）陽極／電荷注入層／発光層／陰極
f）陽極／発光層／電荷注入層／陰極
g）陽極／電荷注入層／発光層／電荷注入層／陰極
h）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
i）陽極／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
j）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
k）陽極／電荷注入層／発光層／電荷輸送層／陰極
l）陽極／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
m）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
n）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷輸送層／陰極
ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｐ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極。
電荷注入層の具体的な例としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層等が例示される。
また、上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１０−５Ｓ／ｃｍ以上１０３Ｓ／ｃｍ以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、１０−５Ｓ／ｃｍ以上１０２Ｓ／ｃｍ以下がより好ましく、１０−５Ｓ／ｃｍ以上１０１Ｓ／ｃｍ以下がさらに好ましい。通常は該導電性高分子の電気伝導度を１０−５Ｓ／ｃｍ以上１０３Ｓ／ｃｍ以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。
このようなドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオン等が挙げられ、カチオンの例としては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオン等が挙げられる。
電荷注入層の膜厚は、例えば、１ｎｍ〜１００ｎｍであり、２ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。
電荷注入層に用いる材料は特に制限されず、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニン等）、カーボン等が例示される。
また、前記絶縁層は、電荷注入を容易にする機能を有するものである。この絶縁層の平均厚さは、０．１〜２０ｎｍであることが好ましく、０．５〜１０ｎｍであることがより好ましく、１〜５ｎｍであることが更に好ましい。このような絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。絶縁層を設けた高分子発光素子としては、陰極に隣接して絶縁層を設けた高分子発光素子、陽極に隣接して絶縁層を設けた高分子発光素子が挙げられる。
このような高分子発光素子としては、例えば、以下のｑ)〜ab）の構造が挙げられる。
ｑ）陽極／絶縁層／発光層／陰極
ｒ）陽極／発光層／絶縁層／陰極
ｓ）陽極／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
ｔ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｕ)陽極／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
ｖ)陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
ｗ)陽極／絶縁層／発光層／電子輸送層／陰極
ｘ)陽極／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
ｙ)陽極／絶縁層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
ｚ)陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
aa）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極
ab）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極。
本発明の高分子発光素子を形成する基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよく、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン等の基板が例示される。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明又は半透明であることが好ましい。
また、本発明の高分子発光素子においては、陽極及び陰極からなる電極の少なくとも一方が透明又は半透明であることが好ましく、陽極側が透明又は半透明であることがより好ましい。
このような陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。このような陽極の材料としては、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作成された膜（ＮＥＳＡ等）や、金、白金、銀、銅等が挙げられ、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。また、このような陽極の作製方法としては特に制限されず、公知の方法を適宜採用でき、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、このような陽極として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。
このような陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができるが、１０ｎｍ〜１０μｍであることが好ましく、２０ｎｍ〜１μｍであることがより好ましく、５０ｎｍ〜５００ｎｍであることが更に好ましい。
また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボン等からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる層を設けてもよい。
また、前記陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。このような陰極の材料としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、及びそれらのうち２つ以上の合金、あるいはそれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１つ以上との合金、グラファイト又はグラファイト層間化合物等が挙げられる。また、前記合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等が挙げられる。陰極を２層以上の積層構造としてもよい。
さらに、このような陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、１０ｎｍ〜１０μｍであることが好ましく、２０ｎｍ〜１μｍであることがより好ましく、５０ｎｍ〜５００ｎｍであることが更に好ましい。
このような陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機物層との間に、導電性高分子からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる層を設けてもよく、陰極作製後、得られる高分子発光素子を保護する保護層を更に装着していてもよい。また、本発明の高分子発光素子を長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層及び／又は保護カバーを装着することが好ましい。
このような保護層としては、樹脂、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物等を用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板等を用いることができる。このような保護カバーを装着する際には、熱硬化樹脂や光硬化樹脂で素子基板と保護カバーとを貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。このようなスペーサーにより形成される空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、更に、前記空間内に酸化バリウム等の乾燥剤を設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にダメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか１つ以上の方策をとることが好ましい。
また、本発明の高分子発光素子は、面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置（例えば、バックライト等）等の表示装置等に用いることができる。
さらに、本発明の高分子発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極若しくは陰極のいずれか一方、又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯｎ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号等を表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法や、カラーフィルター又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴ等と組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダー等の表示装置として用いることができる。
また、本発明の高分子発光素子は、自発光薄型とすることができ、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、又は面状の照明用光源として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。
以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
［高分子化合物＜Ｐ−１〜７＞の製造］
（実施例１）
下記構造式で示されるブロック（Ａ）及びブロック（Ｂ）を含有する高分子化合物＜Ｐ−１＞を製造した。
Figure 2008208356
すなわち、先ず、不活性雰囲気下、２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジヘキシルフルオレン（０．７７ｇ）、４，７−ビス（５−ブロモ−４−メチル−２−チエニル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（０．１１ｇ）、４，７−ジブロモ−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（０．４０ｇ）、２，７−ジブロモ−９，９−ビス（４’−へキシルオキシ−３−エトキシカルボニルフェニル）−フルオレン（０．１５ｇ）、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロライド（３．７ｍｇ）、Ａｌｉｑｕａｔ３３６（０．２３ｇ，アルドリッチ製）、トルエン（１８ｍｌ）を混合し、得られた反応溶液を１０５℃に加熱した。次に、前記反応溶液に２ＭのＮａ２ＣＯ３水溶液（４．８ｍｌ）を滴下し、５時間還流させ、反応溶液中にブロック（Ａ）を得た。得られたブロック（Ａ）のポリスチレン換算重量平均分子量（ＭｗＡ）は５．０×１０４であった。
次いで、前記反応溶液を７０℃まで冷却した後、前記反応溶液に２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジヘキシルフルオレン（１．３７ｇ）、２，７−ジブロモ−９，９−ジヘキシルフルオレン（０．８０ｇ）、ビス（４−ブロモフェニル）−（４−セカンダリブチルフェニル）−アミン（０．５２ｇ）、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロライド（５．８ｍｇ）、Ａｌｉｑｕａｔ３３６（０．３６ｇ，アルドリッチ製）、トルエン（２８ｍｌ）を加えて１０５℃に加熱した。その後、前記反応溶液に２ＭのＮａ２ＣＯ３水溶液（７．５ｍｌ）を滴下し、１時間還流させた後、フェニルホウ酸（５０ｍｇ）を加え、さらに３時間還流させた。次いで、得られた反応溶液に１．８Ｍのジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液（２０ｍｌ）を加え、８０℃で４時間撹拌した。その後、反応溶液を２５℃に冷却した後、水（５０ｍｌ）で３回、３質量％酢酸水溶液（５０ｍｌ）で３回、水（５０ｍｌ）で３回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製し、トルエン溶液を得た。そして、前記トルエン溶液をメタノール（１Ｌ）に滴下し、１時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させて、高分子化合物＜Ｐ−１＞を得た。得られた高分子化合物＜Ｐ−１＞の収量は２．３ｇであった。また、得られた高分子化合物＜Ｐ−１＞のポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）は、１．３×１０５であり、ポリスチレン換算数平均分子量（Ｍｎ）は４．３×１０４であった。
なお、４，７−ジブロモ−２，１，３−ベンゾチアジアゾールは、ＵＳ３５７７４２７号公報に記載の方法で合成し、４，７−ビス（５−ブロモ−４−メチル−２−チエニル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾールは、ＷＯ２０００／０４６３２１号パンフレットに記載の方法で合成し、ビス（４−ブロモフェニル）−（４−セカンダリブチルフェニル）−アミンは、ＷＯ２００２／０４５１８４号パンフレットに記載の方法で合成し、２，７−ジブロモ−９，９−ビス（４’−へキシルオキシ−３−エトキシカルボニルフェニル）−フルオレンはＷＯ２００６／０６０４３７号パンフレットに記載の方法で合成した。
（比較例１）
下記構造式で示される繰り返し単位を含有する高分子化合物＜Ｐ−２＞を製造した。
Figure 2008208356
すなわち、先ず、不活性雰囲気下、２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジヘキシルフルオレン（１．９１ｇ）、４，７−ビス（５−ブロモ−４−メチル−２−チエニル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（０．１０ｇ）、４，７−ジブロモ−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（０．３６ｇ）、２，７−ジブロモ−９，９−ビス（４’−へキシルオキシ−３−エトキシカルボニルフェニル）−フルオレン（０．１３ｇ）、２，７−ジブロモ−９，９−ジヘキシルフルオレン（０．７１ｇ）、ビス（４−ブロモフェニル）−（４−セカンダリブチルフェニル）−アミン（０．４６ｇ）、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロライド（８．４ｍｇ）、Ａｌｉｑｕａｔ３３６（０．５１ｇ，アルドリッチ製）、トルエン（４０ｍｌ）を混合し、得られた反応溶液を１０５℃に加熱した。次に、前記反応溶液に２ＭのＮａ２ＣＯ３水溶液（１１ｍｌ）を滴下し、４時間還流させて反応させた後、フェニルホウ酸（５０ｍｇ）を加え、更に３時間還流させた。次いで、前記反応溶液に１．８Ｍのジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液（２０ｍｌ）を加え、８０℃で４時間撹拌した後、２５℃に冷却し、水（５０ｍｌ）で３回、３質量％酢酸水溶液（５０ｍｌ）で３回、水（５０ｍｌ）で３回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製し、トルエン溶液を得た。そして、得られたトルエン溶液をメタノール（１Ｌ）に滴下し、１時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させて高分子化合物＜Ｐ−２＞を得た。得られた高分子化合物＜Ｐ−２＞の収量は２．１ｇであった。また、得られた高分子化合物＜Ｐ−２＞のポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）は、１．６×１０５であり、ポリスチレン換算数平均分子量（Ｍｎ）は６．６×１０４であった。
（比較例２）
下記構造式で示されるブロック（Ａ’）及びブロック（Ｂ）を含有する高分子化合物＜Ｐ−３＞を製造した。
Figure 2008208356
すなわち、先ず、不活性雰囲気下、２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジヘキシルフルオレン（０．６９ｇ）、４，７−ビス（５−ブロモ−４−メチル−２−チエニル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（０．１１ｇ）、４，７−ジブロモ−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（０．４０ｇ）、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロライド（３．３ｍｇ）、Ａｌｉｑｕａｔ３３６（０．２３ｇ，アルドリッチ製）、トルエン（１８ｍｌ）を混合し、得られた反応溶液を１０５℃に加熱した。次に、前記反応溶液に２ＭのＮａ２ＣＯ３水溶液（４．８ｍｌ）を滴下し、２時間還流させて、反応溶液中にブロック（Ａ）を得た。得られたブロック（Ａ）のポリスチレン換算重量平均分子量（ＭｗＡ）は３．４×１０４であった。
次いで、前記反応溶液を７０℃まで冷却した後、反応溶液に２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジヘキシルフルオレン（１．４６ｇ）、２，７−ジブロモ−９，９−ジヘキシルフルオレン（０．８９ｇ）、ビス（４−ブロモフェニル）−（４−セカンダリブチルフェニル）−アミン（０．５２ｇ）、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロライド（６．２ｍｇ）、Ａｌｉｑｕａｔ３３６（０．３６ｇ，アルドリッチ製）、トルエン（２８ｍｌ）を加え、１０５℃に加熱した。その後、反応溶液に２ＭのＮａ２ＣＯ３水溶液（７．５ｍｌ）を滴下し、３時間還流させた後、フェニルホウ酸（５０ｍｇ）を加え、さらに３時間還流させた。次いで、前記反応溶液に１．８Ｍのジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液（２０ｍｌ）を加え、８０℃で４時間撹拌した。その後、得られた反応溶液を２５℃に冷却した後、水（５０ｍｌ）で３回、３質量％酢酸水溶液（５０ｍｌ）で３回、水（５０ｍｌ）で３回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製し、トルエン溶液を得た。そして、得られたトルエン溶液をメタノール（１Ｌ）に滴下し、１時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させて、高分子化合物＜Ｐ−３＞を得た。得られた高分子化合物の収量＜Ｐ−３＞は２．４ｇであった。高分子化合物＜Ｐ−３＞のポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）は、２．４×１０５であり、ポリスチレン換算数平均分子量（Ｍｎ）は８．９×１０４であった。
（合成例１）
下記構造式で示される繰り返し単位を含有する高分子化合物＜Ｐ−４＞を製造した。
Figure 2008208356
すなわち、先ず、不活性雰囲気下、２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジオクチルフルオレン（５．２０ｇ）、ビス（４−ブロモフェニル）−（４−セカンダリブチルフェニル）−アミン（０．１４ｇ）、酢酸パラジウム（２．２ｍｇ）、トリ（２−メチルフェニル）ホスフィン（１５．１ｍｇ）、Ａｌｉｑｕａｔ３３６（０．９１ｇ，アルドリッチ製）、トルエン（７０ｍｌ）を混合し、得られた反応溶液を１０５℃に加熱した。次に、前記反応溶液に２ＭのＮａ２ＣＯ３水溶液（１９ｍｌ）を滴下し、４時間還流させた後、フェニルホウ酸（１２１ｍｇ）を加え、さらに３時間還流させた。次いで、前記反応溶液に１．８Ｍのジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液（５０ｍｌ）を加え、８０℃で４時間撹拌した。その後、反応溶液を２５℃に冷却した後、水（６０ｍｌ）で３回、３質量％酢酸水溶液（６０ｍｌ）で３回、水（６０ｍｌ）で３回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製し、トルエン溶液を得た。そして、得られたトルエン溶液をメタノール（３Ｌ）に滴下し、３時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させて、高分子化合物＜Ｐ−４＞を得た。得られた高分子化合物＜Ｐ−４＞の収量は５．２５ｇであった。また、高分子化合物＜Ｐ−４＞のポリスチレン換算重量平均分子量は、２．６×１０５であり、ポリスチレン換算数平均分子量は１．２×１０４であった。
（実施例２）
下記構造式で示されるブロック（Ａ）及びブロック（Ｂ）を含有する高分子化合物＜Ｐ−５＞を製造した。
Figure 2008208356
すなわち、先ず、不活性雰囲気下、２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジヘキシルフルオレン（０．９２ｇ）、４，７−ビス（５−ブロモ−４−メチル−２−チエニル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（０．１６ｇ）、４，７−ジブロモ−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（０．４８ｇ）、２，７−ジブロモ−９，９−ビス（４’−へキシルオキシ−３−エトキシカルボニルフェニル）−フルオレン（０．１１ｇ）、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロライド（４．４ｍｇ）、Ａｌｉｑｕａｔ３３６（０．３２ｇ，アルドリッチ製）、トルエン（２１ｍｌ）を混合し、得られた反応溶液を１０５℃に加熱した。次に、前記反応溶液に１７．５質量％のＮａ２ＣＯ３水溶液（５．７ｍｌ）を滴下し、１．５時間還流させ、反応溶液中にブロック（Ａ）を得た。得られたブロック（Ａ）のポリスチレン換算重量平均分子量（ＭｗＡ）は１．３×１０５であった。
次いで、前記反応溶液を７０℃まで冷却した後、前記反応溶液に２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジヘキシルフルオレン（２．１８ｇ）、２，７−ジブロモ−９，９−ジヘキシルフルオレン（１．０６ｇ）、ビス（４−ブロモフェニル）−（４−セカンダリブチルフェニル）−アミン（０．９０ｇ）、Ｎ，Ｎ’−ビス−（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｐ−トルイル−９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジアミン（０．０９ｇ）、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロライド（９．３ｍｇ）、Ａｌｉｑｕａｔ３３６（０．５７ｇ，アルドリッチ製）、トルエン（４５ｍｌ）を加えて１０５℃に加熱した。その後、前記反応溶液に１７．５質量％のＮａ２ＣＯ３水溶液（７．５ｍｌ）を滴下し、８時間還流させた後、フェニルホウ酸（５０ｍｇ）、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロライド（９．３ｍｇ）を加え、さらに２時間還流させた。次いで、得られた反応溶液にジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液４０ｍｌを加え、８０℃で２時間撹拌した。その後、反応溶液を２５℃に冷却した後、水（５０ｍｌ）で２回、３質量％酢酸水溶液（５０ｍｌ）で２回、水（５０ｍｌ）で２回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製し、トルエン溶液を得た。そして、前記トルエン溶液をメタノール（１Ｌ）に滴下し、１時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させて、高分子化合物＜Ｐ−５＞を得た。得られた高分子化合物＜Ｐ−５＞の収量は２．７ｇであった。また、得られた高分子化合物＜Ｐ−５＞のポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）は、１．０×１０5であり、ポリスチレン換算数平均分子量（Ｍｎ）は５．５×１０4であった。
（実施例３）
下記構造式で示されるブロック（Ａ）及びブロック（Ｂ）を含有する高分子化合物＜Ｐ−６＞を製造した。
Figure 2008208356
すなわち、先ず、不活性雰囲気下、２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジヘキシルフルオレン（０．７９ｇ）、４，７−ビス（５−ブロモ−４−メチル−２−チエニル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（０．１１ｇ）、４，７−ビス（５−ブロモ−２−チエニル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（０．０３ｇ）、４，７−ジブロモ−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（０．４１ｇ）、２，７−ジブロモ−９，９−ビス（４’−へキシルオキシ−３−エトキシカルボニルフェニル）−フルオレン（０．０９ｇ）、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロライド（３．７ｍｇ）、Ａｌｉｑｕａｔ３３６（０．３７ｇ，アルドリッチ製）、トルエン（２４ｍｌ）を混合し、得られた反応溶液を１０５℃に加熱した。次に、前記反応溶液に２ＭのＮａ2ＣＯ3水溶液（４．０ｍｌ）を滴下し、５時間還流させ、反応溶液中にブロック（Ａ）を得た。得られたブロック（Ａ）のポリスチレン換算重量平均分子量（ＭｗＡ）は７．２×１０４であった。
次いで、前記反応溶液を７０℃まで冷却した後、前記反応溶液に２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジヘキシルフルオレン（２．０１ｇ）、２，７−ジブロモ−９，９−ジヘキシルフルオレン（０．９０ｇ）、ビス（４−ブロモフェニル）−（４−セカンダリブチルフェニル）−アミン（０．７７ｇ）、Ｎ，Ｎ’−ビス−（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｐ−トルイル−９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジアミン（０．２５ｇ）、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロライド（８．０ｍｇ）、Ａｌｉｑｕａｔ３３６（０．５８ｇ，アルドリッチ製）、トルエン（４５ｍｌ）を加えて１０５℃に加熱した。その後、前記反応溶液に１７．５質量％のＮａ2ＣＯ3水溶液（７．０ｍｌ）を滴下し、７時間還流させた後、フェニルホウ酸（７０ｍｇ）、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロライド（８．０ｍｇ）を加え、さらに２時間還流させた。次いで、得られた反応溶液にジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液４０ｍｌを加え、８０℃で２時間撹拌した。その後、反応溶液を２５℃に冷却した後、水（７０ｍｌ）で２回、３質量％酢酸水溶液（７０ｍｌ）で２回、水（７０ｍｌ）で２回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製し、トルエン溶液を得た。そして、前記トルエン溶液をメタノール（１Ｌ）に滴下し、１時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させて、高分子化合物＜Ｐ−６＞を得た。得られた高分子化合物＜Ｐ−６＞の収量は１．２ｇであった。また、得られた高分子化合物＜Ｐ−６＞のポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）は、４．７×１０４であり、ポリスチレン換算数平均分子量（Ｍｎ）は２．５×１０4であった。
（実施例４）
下記構造式で示されるブロック（Ａ）及びブロック（Ｂ）を含有する高分子化合物＜Ｐ−７＞を製造した。
Figure 2008208356
すなわち、先ず、不活性雰囲気下、２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジヘキシルフルオレン（１．０５ｇ）、４，７−ビス（５−ブロモ−４−メチル−２−チエニル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（０．４３ｇ）、４，７−ビス（５−ブロモ−２−チエニル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（０．１０ｇ）、４，７−ジブロモ−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（０．４１ｇ）、２，７−ジブロモ−９，９−ビス（４’−へキシルオキシ−３−エトキシカルボニルフェニル）−フルオレン（０．０９ｇ）、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロライド（５．５ｍｇ）、Ａｌｉｑｕａｔ３３６（０．５０ｇ，アルドリッチ製）、トルエン（３５ｍｌ）を混合し、得られた反応溶液を１０５℃に加熱した。次に、前記反応溶液に２ＭのＮａ2ＣＯ3水溶液（６．０ｍｌ）を滴下し、５時間還流させ、反応溶液中にブロック（Ａ）を得た。得られたブロック（Ａ）のポリスチレン換算重量平均分子量（ＭｗＡ）は９．０×１０４であった。
次いで、前記反応溶液を７０℃まで冷却した後、前記反応溶液に２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジヘキシルフルオレン（１．６０ｇ）、２，７−ジブロモ−９，９−ジヘキシルフルオレン（０．４９ｇ）、ビス（４−ブロモフェニル）−（４−セカンダリブチルフェニル）−アミン（０．７７ｇ）、Ｎ，Ｎ’−ビス−（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｐ−トルイル−９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジアミン（０．２５ｇ）、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロライド（６．２ｍｇ）、Ａｌｉｑｕａｔ３３６（０．４５ｇ，アルドリッチ製）、トルエン（２９ｍｌ）を加えて１０５℃に加熱した。その後、前記反応溶液に１７．５質量％のＮａ2ＣＯ3水溶液（５．０ｍｌ）を滴下し、２時間還流させた後、フェニルホウ酸（７０ｍｇ）、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロライド（６．２ｍｇ）を加え、さらに２時間還流させた。次いで、得られた反応溶液にジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液３０ｍｌを加え、８０℃で２時間撹拌した。その後、反応溶液を２５℃に冷却した後、水（７０ｍｌ）で２回、３質量％酢酸水溶液（７０ｍｌ）で２回、水（７０ｍｌ）で２回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製し、トルエン溶液を得た。そして、前記トルエン溶液をメタノール（１Ｌ）に滴下し、１時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させて、高分子化合物＜Ｐ−７＞を得た。得られた高分子化合物＜Ｐ−７＞の収量は２．５ｇであった。また、得られた高分子化合物＜Ｐ−７＞のポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）は、１．９×１０５であり、ポリスチレン換算数平均分子量（Ｍｎ）は７．７×１０4であった。
［高分子発光素子（エレクトロルミネッセンス素子）の製造］
（実施例５）
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を積層させたガラス基板を用い、前記ガラス基板のＩＴＯ膜の表面に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（Ｂａｙｅｒ製）の懸濁液を、スピンコート法により約６５ｎｍの厚みとなるようにして塗布し、第一膜を製膜した後、ホットプレート上で２００℃の温度条件で１５分間乾燥させた。
次に、合成例１で得られた高分子化合物＜Ｐ−４＞を混合キシレンに１．５重量％の濃度で溶解させて得られたキシレン溶液を用いて、前記キシレン溶液を前記第一膜の表面にスピンコート法により塗布し、第二膜を製膜した後、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下において２００℃の温度条件で１時間乾燥させた。このようにして乾燥させた後、大気中にて混合キシレンを用い、可溶分をリンスすることで、第二膜の厚みを約１０ｎｍ程度とした。
次に、実施例１で得られた高分子化合物＜Ｐ−１＞を混合キシレンに１．５重量％の濃度で溶解させて得られた液状組成物を用いて、前記液状組成物を前記第二膜の表面にスピンコート法により約１００ｎｍの厚みとなるようにして塗布し、発光層を製膜した後、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下において１３０℃の温度条件で１時間乾燥した。その後、１．０×１０−４Ｐａ以下にまで減圧した後、前記発光層の表面に、陰極として、バリウムを約５ｎｍ蒸着した後、さらにアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。このようにして蒸着させた後、ガラス基板を用いて封止を行って本発明の高分子発光素子を作製した。
〈素子構成〉
ＩＴＯ（陽極）／第一膜（ＢａｙｔｒｏｎＰ：厚み約７０ｎｍ）／第二膜（高分子化合物＜Ｐ−４＞：厚み１０ｎｍ）／発光層（高分子化合物＜Ｐ−１＞：厚み約１００ｎｍ）／Ｂａ（陰極）／Ａｌ（陰極）。
＜実施例５で得られた高分子発光素子（ＥＬ素子）の性能の評価＞
得られた高分子発光素子に電圧を印加して性能を評価した。実施例２で得られた高分子発光素子は６．０Ｖの電圧を印加すると、発光波長のピークトップが６４５ｎｍである蛍光を発し、その時の輝度は４９９ｃｄ／ｍ２であった。また、発光効率は４．０Ｖで最大値を示し、１．８８ｃｄ／Ａであった。さらに、初期輝度２０００ｃｄ／ｍ２での輝度５０％までの減少時間（寿命）は、１４８．２時間で長寿命であった。また、輝度５０％まで駆動した際に上昇した電圧（駆動後の電圧と駆動前の電圧の差）は、２．８Ｖであり、駆動電圧の上昇が十分に小さなものとなっていた。
（比較例３）
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を積層させたガラス基板を用い、前記ガラス基板のＩＴＯ膜の表面に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（Ｂａｙｅｒ製）の懸濁液をスピンコート法により約６５ｎｍの厚みと成るように塗布して第一膜を製膜し、ホットプレート上で２００℃、１５分間乾燥させた。 次に、合成例１で得られた高分子化合物＜Ｐ−４＞を混合キシレンに１．５重量％の濃度で溶解させて得られたキシレン溶液を用いて、前記キシレン溶液を前記第一膜の表面にスピンコート法により塗布して第二膜を製膜した後、酸素濃度、および水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下で、２００℃、１時間乾燥させた。このようにして乾燥させた後、大気中にて混合キシレンを用い、可溶分をリンスすることで、前記第二膜の厚みを約１０ｎｍ程度とした。
次に、比較例１で得られた高分子化合物＜Ｐ−２＞を混合キシレンに１．５重量％の濃度で溶解させて得られたキシレン溶液を用い、前記キシレン溶液を前記第二膜の表面にスピンコート法により約１００ｎｍの厚みとなるようにして塗布し、発光層を製膜した後、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下において１３０℃の温度条件で１時間乾燥させた。その後、１．０×１０−４Ｐａ以下にまで減圧した後、前記発光層の表面に、陰極として、バリウムを約５ｎｍ蒸着させた後、更にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着させた。このようにして蒸着させた後、ガラス基板を用いて封止を行って、比較のための高分子発光素子を作製した。
〈素子構成〉
ＩＴＯ／第一膜（ＢａｙｔｒｏｎＰ：厚み約７０ｎｍ）／第二膜（高分子化合物＜Ｐ−４＞：厚み１０ｎｍ）／発光層（高分子化合物＜Ｐ−２＞：厚み約１００ｎｍ）／Ｂａ（陰極）／Ａｌ（陰極）。
＜比較例３で得られた高分子発光素子（ＥＬ素子）の性能の評価＞
得られた高分子発光素子に電圧を印加して性能を評価した。比較例３で得られた高分子発光素子は、６．０Ｖの電圧を印加すると、発光波長のピークトップが６４５ｎｍである蛍光を発し、その時の輝度は１６１ｃｄ／ｍ２であった。また、発光効率は４．６Ｖで最大値を示し、２．０２ｃｄ／Ａであった。さらに、初期輝度２０００ｃｄ／ｍ２での輝度５０％までの減少時間（寿命）は、１２２．６時間であった。また、輝度５０％まで駆動した際に上昇した電圧（駆動後の電圧と駆動前の電圧の差）は、４．４Ｖであった。
（比較例４）
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を積層させたガラス基板を用い、前記ガラス基板のＩＴＯ膜の表面に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（Ｂａｙｅｒ製）の懸濁液をスピンコート法により、約６５ｎｍの厚みと成るようにして塗布し、第一膜を製膜し、ホットプレート上で２００℃、１５分間乾燥させた。
次に、合成例１で得られた高分子化合物＜Ｐ−４＞を混合キシレンに１．５重量％の濃度で溶解させて得られたキシレン溶液を用い、前記キシレン溶液を前記第一膜の表面にスピンコート法により塗布し、第二膜を製膜した後、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下において２００℃の温度条件で１時間乾燥させた。このようにして乾燥させた後、大気中にて混合キシレンを用い、可溶分をリンスすることで、第二膜の厚みを約１０ｎｍ程度とした。
次に、比較例２で得られた高分子化合物＜Ｐ−３＞を混合キシレンに１．５重量％の濃度で溶解させて得られたキシレン溶液を用いて、前記キシレン溶液を第二膜の表面にスピンコート法により約１００ｎｍの厚みになるようにして塗布し、発光層を製膜し、酸素濃度及び水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素雰囲気下において１３０℃の温度条件で１時間乾燥させた。その後、１．０×１０−４Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、バリウムを約５ｎｍ蒸着した後、更にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。このようにして陰極を蒸着した後、ガラス基板を用いて封止を行うことで、高分子発光素子を作製した。
〈素子構成〉
ＩＴＯ／第一膜（ＢａｙｔｒｏｎＰ：厚み約７０ｎｍ）／第二膜（高分子化合物＜Ｐ−４＞：厚み１０ｎｍ）／発光層（高分子化合物＜Ｐ−３＞：厚み約１００ｎｍ）／Ｂａ（陰極）／Ａｌ（陰極）。
＜比較例４で得られた高分子発光素子（ＥＬ素子）の性能の評価＞
得られた高分子発光素子に電圧を印加して性能を評価した。比較例４で得られた高分子発光素子は、６．０Ｖの電圧を印加すると、発光波長のピークトップが６４５ｎｍである蛍光を発し、その時の輝度は５４８ｃｄ／ｍ２であった。また、発光効率は３．６Ｖで最大値を示し、２．１８ｃｄ／Ａであった。さらに、初期輝度２０００ｃｄ／ｍ２での輝度５０％までの減少時間（寿命）は、１２１．６時間であった。また、輝度５０％まで駆動した際に上昇した電圧（駆動後の電圧と駆動前の電圧の差）は、４．８Ｖであった。
以上説明したように、本発明によれば、発光素子の材料として用いた場合に、駆動電圧の上昇を十分に抑制することができるとともに十分に長い輝度半減寿命を有する発光素子を製造することが可能なブロック共重合体、並びに、それを用いた組成物、液状組成物、発光性薄膜及び高分子発光素子を提供することが可能となる。
したがって、本発明のブロック共重合体は、液晶ディスプレイのバックライト又は照明用としての曲面状や平面状の光源、セグメントタイプの表示素子、ドットマトリックスのフラットパネルディスプレイ等の材料等として特に有用である。

Claims (15)

  1. 下記一般式（Ｉ）で示される繰返し単位、下記一般式（ＩＩ）で示される繰返し単位及び下記一般式（ＩＩＩ）で示される繰返し単位をそれぞれ１種類以上含むブロック（Ａ）と、
    下記一般式（ＩＩＩ）で示される繰返し単位及び下記式（ＩＶ）で示される繰返し単位をそれぞれ１種類以上含むブロック（Ｂ）と、
    を含有することを特徴とするブロック共重合体。
    ［一般式（Ｉ）］
    Figure 2008208356
     （式（Ｉ）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ水素原子又はアルキル基を表し、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は同一でも又は異なっていてもよく、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し、ａ、ｂ、ｃ及びｄは同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ０〜３の整数を表し、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも又は異なっていてもよい。）
    ［一般式（ＩＩ）］
    −Ａｒ１− （ＩＩ）
    （式（ＩＩ）中、Ａｒ１は５員環を含む２価の複素環基を表す。）
    ［一般式（ＩＩＩ）］
    −Ａｒ２− （ＩＩＩ）
    （式（ＩＩＩ）中、Ａｒ２はアリーレン基を表す。）
    ［一般式（ＩＶ）］
    −Ａｒ３− （ＩＶ）
    （式（ＩＶ）中、Ａｒ３は２価の芳香族アミン残基を表す。）
  2. 前記一般式（ＩＩ）中のＡｒ１が、下記一般式（Ｖ）で示される基であることを特徴とする請求項１に記載のブロック共重合体。
    ［一般式（Ｖ）］
    Figure 2008208356
     （式（Ｖ）中、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１は同一でも又は異なっていてもよく、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し、ｅ、ｆ及びｇは同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ０〜２の整数を表し、ｕ及びｖは同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ０〜２の整数を表し、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも又は異なっていてもよい。）
  3. 前記一般式（ＩＩＩ）中のＡｒ２が、下記一般式（ＶＩ）で示される基であることを特徴とする請求項１又は２に記載のブロック共重合体。
    ［一般式（ＶＩ）］
    Figure 2008208356
     （式（ＶＩ）中、Ｒ１２及びＲ１３は同一でも又は異なっていてもよく、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し、ｈ及びｉは同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ０〜３の整数を表し、Ｒ１４及びＲ１５は同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し、Ｒ１２及びＲ１３がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一でも又は異なっていてもよい。）
  4. 前記一般式（ＩＶ）中のＡｒ３が、下記一般式（ＶＩＩ）で示される基であることを特徴とする請求項１〜３のうちのいずれか一項に記載のブロック共重合体。
    ［一般式（ＶＩＩ）］
    Figure 2008208356
     （式（ＶＩＩ）中、Ｒ１６〜Ｒ４１は同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し、ｗ又はｘは同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ０又は１の整数を表し、
    Ｒ１７が結合している炭素及びＲ２０が結合している炭素、Ｒ１９が結合している炭素及びＲ２８が結合している炭素、Ｒ３２が結合している炭素及びＲ４０が結合している炭素、又は、Ｒ３７が結合している炭素及びＲ３８が結合している炭素がそれぞれ直接結合して或いは酸素原子又は硫黄原子を介して結合して環を形成していてもよく、このような環が形成される場合、Ｒ１７及びＲ２０、Ｒ１９及びＲ２８、Ｒ３２及びＲ４０、又は、Ｒ３７及びＲ３８はそれぞれ一緒になって、前記直接結合、前記酸素原子又は前記硫黄原子を表し、
    Ｒ２２及びＲ３１、又は、Ｒ２１及びＲ２９は、それぞれ直接結合して置換基を有していてもよい環を形成していてもよい。）。
  5. 前記一般式（ＩＩ）中のＡｒ１が前記一般式（Ｖ）で示される基である繰り返し単位が、２種類以上含有されていることを特徴とする請求項２に記載のブロック共重合体。
  6. 前記一般式（ＩＩ）中のＡｒ１が前記一般式（Ｖ）で示される基である繰り返し単位の合計の含有比率が、ブロック共重合体中に含有されている全繰返し単位に対して３モル％以上４０モル％以下であることを特徴とする請求項２又は５に記載のブロック共重合体。
  7. 前記一般式（ＶＩＩ）で示される基が、式（ＶＩＩ）中のｘが０である基及び下記一般式（ＶＩＩＩ）で示される基からなる群から選択される少なくとも１種であることを特徴とする請求項４に記載の高分子化合物。
    ［一般式（ＶＩＩＩ）］
    Figure 2008208356
     （式中、Ｒ４２〜Ｒ４７は同一でも又は異なっていてもよく、それぞれハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表し、
    ｊ及びｋは同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ０〜４の整数を表し、
    ｌ及びｍは同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ０〜５の整数を表し、
    ｎ及びｐは同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ０〜３の整数を表し、
    Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６及びＲ４７のうちの少なくとも１種が複数個存在する場合、それらは同一でも又は異なっていてもよく、
    Ｒ４８及びＲ４９は同一でも又は異なっていてもよく、それぞれ水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基又はニトロ基を表す。）
  8. 前記ブロック（Ｂ）に対するブロック（Ａ）の含有割合（（Ａ）／（Ｂ））が、モル比で０．１〜１０であることを特徴とする請求項１〜７のうちのいずれか一項に記載のブロック共重合体。
  9. ポリスチレン換算の重量平均分子量が１０３〜１０７であることを特徴とする請求項１〜８のうちのいずれか一項に記載のブロック共重合体。
  10. 前記ブロック（Ａ）のポリスチレン換算の重量平均分子量が１０３〜１０５であることを特徴とする請求項１〜９のうちのいずれか一項に記載のブロック共重合体。
  11. 請求項１〜１０のうちのいずれか一項に記載のブロック共重合体と、発光材料、正孔輸送材料及び電子輸送材料からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料とを含有することを特徴とする組成物。
  12. 請求項１〜１０のうちのいずれか一項に記載のブロック共重合体と、溶媒とを含有することを特徴とする液状組成物。
  13. 請求項１〜１０のうちのいずれか一項に記載のブロック共重合体を含有することを特徴とする発光性薄膜。
  14. 陽極と陰極とからなる電極間に、請求項１〜１０のうちのいずれか一項に記載のブロック共重合体を含有する有機層を備えることを特徴とする高分子発光素子。
  15. 前記有機層が発光層であることを特徴とする請求項１４に記載の高分子発光素子。
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