JP2008187034A - Iii−v族窒化物半導体レーザ素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】III−V族窒化物半導体レーザ素子100は、n型基板101と、下部半導体層と、活性層106と、上部半導体層と、電流阻止層115とを備えている。下部半導体層は、n型基板101上に形成された第1導電型の層である。活性層115は、下部半導体層上に形成されている。上部半導体層は、活性層106上に形成された第2導電型の層である。電流阻止層115は、上部半導体層および下部半導体層の少なくともいずれか一方の中に配置されるとともに、開口部115aが形成されている。電流阻止層115は、i−AlxGa(1-x)N層とi−InyAlzGa(1-y-z)N層とが交互に積層されてなるとともに、i−AlxGa(1-x)N層は2層以上形成され、0.3<x≦1、0≦y≦1、z<x、0≦z<1であることを特徴としている。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の実施の形態1におけるIII−V族窒化物半導体レーザ素子の断面模式図である。図1を参照して、本発明の実施の形態1におけるIII−V族窒化物半導体レーザ素子について説明する。図1に示すように、実施の形態1におけるIII−V族窒化物半導体レーザ素子100は、n型基板101と、n型バッファ層102と、n型下部クラッド層103と、n型下部ガイド層104と、u−下部隣接層105と、活性層106と、u−上部隣接層107と、u−上部ガイド層108と、p型電子ブロック層109と、p型上部クラッド層110と、p型コンタクト層111と、電流阻止層115と、n型電極120と、p型電極121とを備えている。
図12は、本発明の実施の形態2におけるIII−V族窒化物半導体レーザ素子の断面模式図である。図12に示すように、実施の形態2のIII−V族窒化物半導体レーザ素子200は、基本的には実施の形態1と同様であるが、電流阻止層115がn型下部クラッド層103内に配置される点、および電流阻止層115が内部に配置されないn型下部ガイド層104の層厚を薄くした点のみが相違している。
図14は、本発明の実施の形態3におけるIII−V族窒化物半導体レーザ素子の断面模式図である。図14に示すように、実施の形態3は、基本的には実施の形態1と同様であるが、電流阻止層115がn型下部クラッド層103内ではなくp型上部クラッド層110内に配置される点、および電流阻止層115が内部に配置されないn型下部ガイド層104の層厚を薄くした点のみが相違している。
Claims (7)
- 基板と、
前記基板上に形成された第1導電型の下部半導体層と、
前記下部半導体層上に形成された活性層と、
前記活性層上に形成された第2導電型の上部半導体層と、
前記上部半導体層および前記下部半導体層の少なくともいずれか一方の中に配置されるとともに、開口部が形成された電流阻止層とを備え、
前記電流阻止層は、i−AlxGa(1-x)N層とi−InyAlzGa(1-y-z)N層とが交互に積層されてなるとともに、前記i−AlxGa(1-x)N層は2層以上形成され、0.3<x≦1、0≦y≦1、z<x、0≦z<1であることを特徴とする、III−V族窒化物半導体レーザ素子。 - 前記電流阻止層において、0.5≦x、z=0であることを特徴とする、請求項1に記載のIII−V族窒化物半導体レーザ素子。
- 前記電流阻止層の厚みが0.1μm以下であることを特徴とする、請求項1または2に記載のIII−V族窒化物半導体レーザ素子。
- 前記基板と反対の方向から見た前記電流阻止層の前記開口部の面積は、前記開口部および前記電流阻止層の合計の面積の4%以上であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載のIII−V族窒化物半導体レーザ素子。
- 前記第1導電型がn型で、前記第2導電型がp型であり、前記電流阻止層が前記下部半導体層の中に配置されていることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載のIII−V族窒化物半導体レーザ素子。
- 前記第1導電型がn型で、前記第2導電型がp型であり、前記電流阻止層が前記上部半導体層の中に配置されていることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載のIII−V族窒化物半導体レーザ素子。
- 前記電流阻止層において前記基板に最も近い層および前記基板から最も遠い層は、前記i−AlxGa(1-x)N層であることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1項に記載のIII−V族窒化物半導体レーザ素子。
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2007
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