JP2008181956A - Ceramic electronic component - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a ceramic electronic component capable of preventing the peeling of a conductive resin electrode layer. <P>SOLUTION: External electrodes 30 are disposed on first and second side surfaces 10c, 10d of a ceramic blank 10. The external electrodes 30 have first metal electrode layers 32 and conductive resin electrode layers 34. The first metal electrode layer 32 principally contains a metal, and has first parts 32a formed on the first and the second side surfaces 10c, 10d, and second parts 32b formed on the first and the second main surfaces 10a, 10b. The conductive resin electrode layer 34 contains a conductive material, and is formed so as to cover the first and the second parts 32a, 32b of the first metal electrode layer 32 over the first and the second portions 32a, 32b and not to contact with the ceramic blank 10. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、セラミック電子部品に関する。   The present invention relates to a ceramic electronic component.

この種のセラミック電子部品として、セラミック素体と、セラミック素体上に配置された外部電極とを備えており、この外部電極が、金属を主成分として含有する金属電極層と、金属電極層上に形成されると共に金属粉末を含有する導電性樹脂電極層とを有しているものが知られている（例えば、特許文献１参照）。   This type of ceramic electronic component includes a ceramic body and an external electrode disposed on the ceramic body. The external electrode includes a metal electrode layer containing metal as a main component, and a metal electrode layer. And a conductive resin electrode layer containing a metal powder is known (see, for example, Patent Document 1).

このようなセラミック電子部品は、一般に外部電極を基板に半田付けすることによって、基板に実装される。セラミック電子部品を実装した基板が急激な温度変化による熱衝撃を受けた場合、セラミック電子部品及び基板はそれぞれの熱膨張係数に応じて伸び縮みする。その際、セラミック電子部品と基板とでは熱膨張係数の違いから伸び縮みの量が異なり、撓みを生じてしまう。この撓みによってセラミック電子部品はクラックを生じ、機能しなくなるというおそれがあった。そこで、特許文献１に記載されたセラミック電子部品では、導電性樹脂電極層で撓みを吸収し、熱衝撃によるクラックの発生を防いでいる。
特開２０００−１８２８７９号公報 Such a ceramic electronic component is generally mounted on a substrate by soldering external electrodes to the substrate. When the substrate on which the ceramic electronic component is mounted is subjected to a thermal shock due to a rapid temperature change, the ceramic electronic component and the substrate expand and contract according to their respective thermal expansion coefficients. At that time, the amount of expansion / contraction differs depending on the difference in thermal expansion coefficient between the ceramic electronic component and the substrate, resulting in bending. This bending may cause the ceramic electronic component to crack and fail to function. Therefore, in the ceramic electronic component described in Patent Document 1, bending is absorbed by the conductive resin electrode layer to prevent generation of cracks due to thermal shock.
JP 2000-182879 A

本発明は、導電性樹脂電極層の剥離を防止することが可能なセラミック電子部品を提供することを課題とする。   An object of the present invention is to provide a ceramic electronic component capable of preventing peeling of a conductive resin electrode layer.

本発明者等は、基板に実装されたセラミック電子部品に対して上述した撓みに起因する応力が作用すると、導電性樹脂電極層が剥離してしまうという現象を新たに見出すに至った。そこで、本発明者等が、導電性樹脂電極層の剥離を防止し得るセラミック電子部品についても鋭意研究を進めたところ、上記現象は以下の理由に因ることが判明した。すなわち、導電性樹脂電極層の縁がセラミック素体と接触している場合、導電性樹脂電極層の縁とセラミック素体との密着性が低いために、導電性樹脂電極層の縁が起点となり、導電性樹脂電極層が剥離していく。また、セラミック素体の表面状態が金属電極層の表面状態よりも滑らかであるため、導電性樹脂電極層と金属電極層との密着性に比して、導電性樹脂電極層とセラミック素体との密着性が低い。   The present inventors have newly found a phenomenon that the conductive resin electrode layer is peeled off when the stress caused by the above-described bending acts on the ceramic electronic component mounted on the substrate. Therefore, the present inventors have conducted extensive research on ceramic electronic components that can prevent peeling of the conductive resin electrode layer, and it has been found that the above phenomenon is caused by the following reasons. That is, when the edge of the conductive resin electrode layer is in contact with the ceramic body, the edge of the conductive resin electrode layer is the starting point because the adhesion between the edge of the conductive resin electrode layer and the ceramic body is low. The conductive resin electrode layer is peeled off. In addition, since the surface state of the ceramic body is smoother than the surface state of the metal electrode layer, the conductive resin electrode layer and the ceramic body are compared with the adhesion between the conductive resin electrode layer and the metal electrode layer. Low adhesion.

かかる研究結果を踏まえ、本発明に係るセラミック電子部品は、互いに対向する第１及び第２の面、並びに第１及び第２の面間を連結する第３の面を有するセラミック素体と、セラミック素体上に配置された外部電極と、を備え、外部電極は、第３の面上に形成された第１の部分と第１及び第２の面に形成された第２の部分とを有すると共に、金属を主成分として含有してなる金属電極層と、金属電極層の第１及び第２の部分上にわたって形成されると共に、導電性材料を含有する樹脂からなる導電性樹脂電極層と、を有しており、導電性樹脂電極層は、セラミック素体と接触していないことを特徴とする。   Based on such research results, a ceramic electronic component according to the present invention includes a ceramic body having a first surface and a second surface facing each other, and a third surface connecting the first and second surfaces, and a ceramic. An external electrode disposed on the element body, the external electrode having a first portion formed on the third surface and a second portion formed on the first and second surfaces. And a metal electrode layer containing a metal as a main component, a conductive resin electrode layer made of a resin containing a conductive material and formed over the first and second portions of the metal electrode layer, And the conductive resin electrode layer is not in contact with the ceramic body.

本発明に係るセラミック電子部品では、導電性樹脂電極層がセラミック素体と接触していないので、導電性樹脂電極層には剥離の起点となる箇所は存在せず、当該導電性樹脂電極層の剥離を防止することができる。   In the ceramic electronic component according to the present invention, since the conductive resin electrode layer is not in contact with the ceramic body, the conductive resin electrode layer does not have a starting point of peeling, and the conductive resin electrode layer Peeling can be prevented.

ところで、導電性樹脂電極層が金属電極層の第１の部分を覆って形成されていない場合、セラミック素体の第３の面にクラックが発生することがある。基板に実装されたセラミック電子部品に上述した撓みに起因する応力が作用すると、当該応力は、導電性樹脂電極層を介することなく、金属電極層の第１の部分からセラミック素体に作用することとなる。このため、応力は導電性樹脂電極層で緩和されることなくセラミック素体に作用することから、セラミック素体の第３の面にクラックが発生し易い。これに対して、本発明では、導電性樹脂電極層が金属電極層の第１及び第２の部分上にわたって形成されているので、セラミック素体の第３の面に作用しようとする応力が導電性樹脂電極層により緩和されることとなる。したがって、セラミック素体の第３の面にクラックが発生するのを防ぐことができる。   By the way, when the conductive resin electrode layer is not formed so as to cover the first portion of the metal electrode layer, a crack may occur on the third surface of the ceramic body. When the stress due to the above-described bending acts on the ceramic electronic component mounted on the substrate, the stress acts on the ceramic body from the first portion of the metal electrode layer without going through the conductive resin electrode layer. It becomes. For this reason, since the stress acts on the ceramic body without being relaxed by the conductive resin electrode layer, cracks are likely to occur on the third surface of the ceramic body. On the other hand, in the present invention, since the conductive resin electrode layer is formed over the first and second portions of the metal electrode layer, the stress that acts on the third surface of the ceramic body is conductive. Will be relaxed by the conductive resin electrode layer. Therefore, it is possible to prevent cracks from occurring on the third surface of the ceramic body.

また、本発明に係るセラミック電子部品は、互いに対向する第１及び第２の面、並びに第１及び第２の面間を連結する第３の面を有するセラミック素体と、セラミック素体上に配置された外部電極と、を備え、外部電極は、第３の面上に形成された第１の部分と第１及び第２の面に形成された第２の部分とを有すると共に、金属を主成分として含有してなる金属電極層と、金属電極層の第１及び第２の部分上にわたって形成されると共に、導電性材料を含有する樹脂からなる導電性樹脂電極層と、を有しており、金属電極層は、導電性樹脂電極層の全縁にわたって導電性樹脂電極層から露出していることを特徴とする。   In addition, a ceramic electronic component according to the present invention includes a ceramic body having first and second surfaces facing each other, and a third surface connecting the first and second surfaces, and a ceramic body on the ceramic body. An external electrode disposed, the external electrode having a first portion formed on the third surface and a second portion formed on the first and second surfaces; A metal electrode layer contained as a main component; and a conductive resin electrode layer formed on the first and second portions of the metal electrode layer and made of a resin containing a conductive material. The metal electrode layer is exposed from the conductive resin electrode layer over the entire edge of the conductive resin electrode layer.

本発明に係るセラミック電子部品では、金属電極層は、導電性樹脂電極層の全縁にわたって導電性樹脂電極層から露出している、すなわち、導電性樹脂電極層がセラミック素体と接触していない。これにより、導電性樹脂電極層には剥離の起点となる箇所は存在せず、当該導電性樹脂電極層の剥離を防止することができる。また、本発明では、上述したように、セラミック素体の第３の面にクラックが発生するのを防ぐことができる。   In the ceramic electronic component according to the present invention, the metal electrode layer is exposed from the conductive resin electrode layer over the entire edge of the conductive resin electrode layer, that is, the conductive resin electrode layer is not in contact with the ceramic body. . As a result, the conductive resin electrode layer does not have a location that is the starting point of peeling, and the peeling of the conductive resin electrode layer can be prevented. Moreover, in this invention, as mentioned above, it can prevent that a crack generate | occur | produces in the 3rd surface of a ceramic element | base_body.

好ましくは、上記外部電極が、金属電極層及び導電性樹脂電極層上にわたって形成された金属めっき電極層を更に有している。この場合、金属電極層と金属めっき電極層との密着性が極めて高く且つ導電性樹脂電極層の縁が金属めっき層に覆われることとなるので、導電性樹脂電極層の縁が剥離の起点となるのを確実に防ぐことができる。   Preferably, the external electrode further includes a metal plating electrode layer formed over the metal electrode layer and the conductive resin electrode layer. In this case, the adhesion between the metal electrode layer and the metal plating electrode layer is extremely high and the edge of the conductive resin electrode layer is covered with the metal plating layer. Can be surely prevented.

本発明によれば、導電性樹脂電極層の剥離を防止することが可能なセラミック電子部品を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the ceramic electronic component which can prevent peeling of a conductive resin electrode layer can be provided.

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description, the same reference numerals are used for the same elements or elements having the same function, and redundant description is omitted.

図１は実施形態に係る積層コンデンサ１の断面図である。積層コンデンサ１は、図１に示すように、セラミック素体１０と、２つの外部電極３０とを備えている。   FIG. 1 is a cross-sectional view of the multilayer capacitor 1 according to the embodiment. As shown in FIG. 1, the multilayer capacitor 1 includes a ceramic body 10 and two external electrodes 30.

セラミック素体１０は、略直方体形状を呈しており、互いに対向する第１及び第２の主面１０ａ，１０ｂと、第１及び第２の主面１０ａ，１０ｂ間を連結する第１の側面１０ｃ、第２の側面１０ｄ、第３の側面（図示せず）及び第４の側面（図示せず）を有している。第１の側面１０ｃと第２の側面１０ｄとは、互いに対向している。第３の側面と第４の側面とは、互いに対向している。   The ceramic body 10 has a substantially rectangular parallelepiped shape, and the first and second main faces 10a and 10b facing each other and the first side face 10c connecting the first and second main faces 10a and 10b. , A second side surface 10d, a third side surface (not shown), and a fourth side surface (not shown). The first side surface 10c and the second side surface 10d face each other. The third side surface and the fourth side surface are opposed to each other.

セラミック素体１０では、内部電極２０が誘電体層２２を介して積層されている。各誘電体層２２は、例えば誘電体セラミックを含むセラミックグリーンシートの焼結体から構成される。実際の積層コンデンサ１では、誘電体層２２の間の境界が視認できない程度に一体化されている。   In the ceramic body 10, the internal electrode 20 is laminated via a dielectric layer 22. Each dielectric layer 22 is made of a sintered body of a ceramic green sheet containing a dielectric ceramic, for example. The actual multilayer capacitor 1 is integrated so that the boundary between the dielectric layers 22 is not visible.

セラミック素体１０内に配置された内部電極２０は、内部電極２０の積層方向に平行な第１の側面１０ｃと第２の側面１０ｄとに交互に引き出されている。内部電極２０は、積層型の電気素子の内部電極として通常用いられる導電性材料から構成される。本実施形態では、内部電極２０は、卑金属であるＮｉを導電性材料として含んでいる。   The internal electrodes 20 arranged in the ceramic body 10 are alternately drawn out to the first side surface 10 c and the second side surface 10 d parallel to the stacking direction of the internal electrodes 20. The internal electrode 20 is made of a conductive material that is usually used as an internal electrode of a laminated electric element. In this embodiment, the internal electrode 20 contains Ni, which is a base metal, as a conductive material.

外部電極３０は、セラミック素体１０の外表面上に配置されている。外部電極３０は、第１の金属電極層３２と、導電性樹脂電極層３４と、第２の金属電極層３６と、第３の金属電極層３８とを有している。   The external electrode 30 is disposed on the outer surface of the ceramic body 10. The external electrode 30 has a first metal electrode layer 32, a conductive resin electrode layer 34, a second metal electrode layer 36, and a third metal electrode layer 38.

第１の金属電極層３２は、卑金属であるＣｕを主成分として含有しており、内部電極２０と物理的且つ電気的に接続されている。第１の金属電極層３２は、第１及び第２の側面１０ｃ，１０ｄ上に形成された第１の部分３２ａと、第１及び第２の主面１０ａ，１０ｂに形成された第２の部分３２ｂと、第３及び第４の側面に形成された第３の部分（図示せず）とを有している。すなわち、第１の金属電極層３２は、第１及び第２の側面１０ｃ，１０ｄから第１及び第２の主面１０ａ，１０ｂ並びに第３及び第４の側面に回り込むように形成されている。第１の金属電極層３２は、Ｃｕ粉末を含有する導電性ペーストをセラミック素体１０の外表面に塗布して焼き付けることによって形成されている。第１の金属電極層３２の厚みは、例えば、１０〜３０μｍである。   The first metal electrode layer 32 contains Cu, which is a base metal, as a main component, and is physically and electrically connected to the internal electrode 20. The first metal electrode layer 32 includes a first portion 32a formed on the first and second side surfaces 10c and 10d and a second portion formed on the first and second main surfaces 10a and 10b. 32b and a third portion (not shown) formed on the third and fourth side surfaces. That is, the first metal electrode layer 32 is formed so as to go from the first and second side surfaces 10c and 10d to the first and second main surfaces 10a and 10b and the third and fourth side surfaces. The first metal electrode layer 32 is formed by applying and baking a conductive paste containing Cu powder on the outer surface of the ceramic body 10. The thickness of the first metal electrode layer 32 is, for example, 10 to 30 μm.

導電性樹脂電極層３４は、金属粉末を導電性材料として含有しており、金属粉末と熱硬化性樹脂とを樹脂層形成用組成物を硬化させてなる層である。導電性樹脂電極層３４は、第１の金属電極層３２の第１〜第３の部分３２ａ，３２ｂ上にわたって当該第１〜第３の部分３２ａ，３２ｂを覆うように形成されている。導電性樹脂電極層３４の厚みは、例えば、２０〜１００μｍである。   The conductive resin electrode layer 34 contains metal powder as a conductive material, and is a layer formed by curing a resin layer forming composition with metal powder and a thermosetting resin. The conductive resin electrode layer 34 is formed so as to cover the first to third portions 32 a and 32 b over the first to third portions 32 a and 32 b of the first metal electrode layer 32. The thickness of the conductive resin electrode layer 34 is, for example, 20 to 100 μm.

本実施形態では、金属粉末の材料として、貴金属であるＡｇが用いられている。熱硬化性樹脂としては特に制限されないが、例えば、フェノール樹脂、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド等を用いることができる。   In this embodiment, Ag, which is a noble metal, is used as the material for the metal powder. Although it does not restrict | limit especially as a thermosetting resin, For example, a phenol resin, an acrylic resin, a silicon resin, an epoxy resin, a polyimide etc. can be used.

上記樹脂層形成用組成物中の全金属粉末の含有量は、樹脂層形成用組成物の固形分全量を基準として６０〜９５質量％であることが好ましい。この含有量が６０質量％未満であると、含有量が上記範囲内である場合と比較して、導電性樹脂電極層３４の内部における導電性が不十分となる傾向にある。含有量が９５質量％を超えると、含有量が上記範囲内である場合と比較して、熱硬化性樹脂の量が不足するため、第１の金属電極層３２と導電性樹脂電極層３４との密着性が低下する傾向にある。   The total metal powder content in the resin layer forming composition is preferably 60 to 95% by mass based on the total solid content of the resin layer forming composition. When the content is less than 60% by mass, the conductivity inside the conductive resin electrode layer 34 tends to be insufficient as compared with the case where the content is in the above range. When the content exceeds 95% by mass, the amount of the thermosetting resin is insufficient as compared with the case where the content is within the above range, and therefore the first metal electrode layer 32 and the conductive resin electrode layer 34 There is a tendency for the adhesion of the material to decrease.

樹脂層形成用組成物は、必要に応じて溶媒を更に含むものである。溶媒としては、上記熱硬化性樹脂を溶解又は分散可能なものであれば公知の溶媒を特に制限なく使用することができる。溶媒として具体的には、例えば、メチルカルビトール、エチルカルビトール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、セロソルブ、ブチルセロソルブ、ブチルセロソルブアセテート、テルピネオール等が挙げられる。   The composition for resin layer formation further contains a solvent as needed. As the solvent, any known solvent can be used without particular limitation as long as it can dissolve or disperse the thermosetting resin. Specific examples of the solvent include methyl carbitol, ethyl carbitol, butyl carbitol, butyl carbitol acetate, cellosolve, butyl cellosolve, butyl cellosolve acetate, and terpineol.

導電性樹脂電極層３４は、第１の金属電極層３２上に上記樹脂層形成用組成物を塗布し、乾燥及び熱硬化を行うことによって形成されている。ここで、熱硬化時の温度は、使用する硬化性樹脂に応じて適宜調節される。   The conductive resin electrode layer 34 is formed by applying the resin layer forming composition on the first metal electrode layer 32 and performing drying and thermosetting. Here, the temperature at the time of thermosetting is appropriately adjusted according to the curable resin to be used.

ところで、第１の金属電極層３２（第２の部分３２ｂ及び第３の部分）は、導電性樹脂電極層３４の全縁にわたって当該導電性樹脂電極層３４から露出している。すなわち、導電性樹脂電極層３４は、セラミック素体１０と接触していない。   Incidentally, the first metal electrode layer 32 (the second portion 32 b and the third portion) is exposed from the conductive resin electrode layer 34 over the entire edge of the conductive resin electrode layer 34. That is, the conductive resin electrode layer 34 is not in contact with the ceramic body 10.

第２の金属電極層３６は、Ｎｉを主成分として含む。第２の金属電極層３６は、第１の金属電極層３２（導電性樹脂電極層３４から露出している部分）及び導電性樹脂電極層３４上にわたって、当該第１の金属電極層３２及び導電性樹脂電極層３４を覆うように形成されている。第２の金属電極層３６は、導電性樹脂電極層３４表面をＮｉでめっき処理することによって形成されている。第２の金属電極層３６の厚みは、例えば、１〜５μｍである。   The second metal electrode layer 36 contains Ni as a main component. The second metal electrode layer 36 extends over the first metal electrode layer 32 (part exposed from the conductive resin electrode layer 34) and the conductive resin electrode layer 34, and the first metal electrode layer 32 and the conductive metal layer. The conductive resin electrode layer 34 is formed so as to cover it. The second metal electrode layer 36 is formed by plating the surface of the conductive resin electrode layer 34 with Ni. The thickness of the second metal electrode layer 36 is, for example, 1 to 5 μm.

第３の金属電極層３８は、ＳｎあるいはＳｎ合金を主成分として含む。第３の金属電極層３８は、第２の金属電極層３６上に、第２の金属電極層３６を覆うように形成されている。第３の金属電極層３８は、第２の金属電極層３６表面をＳｎ又はＳｎ合金でめっき処理することによって形成されている。第３の金属電極層３８の厚みは、例えば、１〜５μｍである。   The third metal electrode layer 38 contains Sn or Sn alloy as a main component. The third metal electrode layer 38 is formed on the second metal electrode layer 36 so as to cover the second metal electrode layer 36. The third metal electrode layer 38 is formed by plating the surface of the second metal electrode layer 36 with Sn or an Sn alloy. The thickness of the third metal electrode layer 38 is, for example, 1 to 5 μm.

以上のように、本実施形態においては、導電性樹脂電極層３４がセラミック素体１０と接触していないので、導電性樹脂電極層３４には剥離の起点となる箇所は存在しない。したがって、導電性樹脂電極層３４の剥離を防止することができる。導電性樹脂電極層３４の縁は、第１の金属電極層３２（第２の部分３２ｂ及び第３の部分）に接触している。しかしながら、第１の金属電極層３２の表面はセラミック素体１０の表面より粗く、この第１の金属電極層３２の表面の粗さに起因したアンカー効果により、導電性樹脂電極層３４と第１の金属電極層３２との密着性は高い。このため、導電性樹脂電極層３４の縁が、剥離の起点となる可能性は極めて低い。   As described above, in the present embodiment, since the conductive resin electrode layer 34 is not in contact with the ceramic element body 10, there is no place where the conductive resin electrode layer 34 is a starting point of peeling. Therefore, peeling of the conductive resin electrode layer 34 can be prevented. The edge of the conductive resin electrode layer 34 is in contact with the first metal electrode layer 32 (the second portion 32b and the third portion). However, the surface of the first metal electrode layer 32 is rougher than the surface of the ceramic body 10, and the conductive resin electrode layer 34 and the first metal electrode layer 34 and the first metal electrode layer 32 are anchored due to the roughness of the surface of the first metal electrode layer 32. The adhesion to the metal electrode layer 32 is high. For this reason, the possibility that the edge of the conductive resin electrode layer 34 becomes a starting point of peeling is extremely low.

ところで、導電性樹脂電極層３４が第１の金属電極層３２の第１の部分３２ａを覆って形成されていない場合、図２に示されるように、セラミック素体１０の第１〜第４の側面１０ｃ，１０ｄにクラックＣが発生することがある。クラックＣが発生する理由は、以下の通りである。   By the way, when the conductive resin electrode layer 34 is not formed so as to cover the first portion 32a of the first metal electrode layer 32, as shown in FIG. Cracks C may occur on the side surfaces 10c and 10d. The reason why the crack C occurs is as follows.

基板Ｂと、当該基板Ｂにはんだ付けにより実装された積層コンデンサ１０１とが熱衝撃等を受けると、積層コンデンサ１０１と基板Ｂとでは熱膨張係数の違いから伸び縮みの量が異なるため、撓みが生じる。積層コンデンサ１０１に上述した撓みに起因する応力が作用すると、当該応力は、導電性樹脂電極層３４を介することなく、第１の金属電極層３２の第１の部分３２ａからセラミック素体１０に作用することとなる。このとき、応力は導電性樹脂電極層３４で緩和されることなくセラミック素体１０に作用することから、セラミック素体１０の第１〜第４の側面１０ｃ，１０ｄにクラックＣが発生し易い。   When the board B and the multilayer capacitor 101 mounted on the board B by soldering are subjected to thermal shock or the like, the multilayer capacitor 101 and the board B have different amounts of expansion and contraction due to the difference in thermal expansion coefficient. Arise. When the stress due to the above-described bending acts on the multilayer capacitor 101, the stress acts on the ceramic body 10 from the first portion 32a of the first metal electrode layer 32 without passing through the conductive resin electrode layer 34. Will be. At this time, since the stress acts on the ceramic body 10 without being relaxed by the conductive resin electrode layer 34, cracks C are likely to occur on the first to fourth side faces 10c, 10d of the ceramic body 10.

これに対して、本実施形態によれば、導電性樹脂電極層３４が第１の金属電極層３２の第１〜第３の部分３２ａ，３２ｂ上にわたって形成されているので、セラミック素体１０の第１〜第４の側面１０ｃ，１０ｄに作用しようとする応力が導電性樹脂電極層３４により緩和されることとなる。したがって、セラミック素体１０の第１〜第４の側面１０ｃ，１０ｄにクラックが発生するのを防ぐことができる。   On the other hand, according to the present embodiment, since the conductive resin electrode layer 34 is formed over the first to third portions 32 a and 32 b of the first metal electrode layer 32, The stress that acts on the first to fourth side surfaces 10c and 10d is relaxed by the conductive resin electrode layer 34. Therefore, it is possible to prevent the first to fourth side surfaces 10c and 10d of the ceramic body 10 from being cracked.

本実施形態では、外部電極３０が、第２の金属電極層３６を有している。この第２の金属電極層３６は、第１の金属電極層３２（導電性樹脂電極層３４から露出する部分）及び導電性樹脂電極層３４上にわたって、めっきにより形成されている。このため、第１の金属電極層３２と第２の金属電極層３６との密着性が極めて高く且つ導電性樹脂電極層３４の縁が第２の金属電極層３６に覆われることとなる。これらの結果、導電性樹脂電極層３４の縁が剥離の起点となるのを確実に防ぐことができる。   In the present embodiment, the external electrode 30 has a second metal electrode layer 36. The second metal electrode layer 36 is formed by plating over the first metal electrode layer 32 (a portion exposed from the conductive resin electrode layer 34) and the conductive resin electrode layer 34. Therefore, the adhesion between the first metal electrode layer 32 and the second metal electrode layer 36 is extremely high, and the edge of the conductive resin electrode layer 34 is covered with the second metal electrode layer 36. As a result, it is possible to reliably prevent the edge of the conductive resin electrode layer 34 from being the starting point of peeling.

以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。   The preferred embodiments of the present invention have been described above. However, the present invention is not necessarily limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

例えば、本実施形態では、第１の金属電極層３２が主成分の金属としてＣｕを含有し、導電性樹脂電極層３４が金属粉末としてＡｇ粉末を含有しているが、含有する金属材料はこれらに限られない。   For example, in the present embodiment, the first metal electrode layer 32 contains Cu as a main component metal, and the conductive resin electrode layer 34 contains Ag powder as a metal powder. Not limited to.

本実施形態では、第１の金属電極層３２は、単層の金属電極層であるが、複数層（例えば、２層）からなる金属電極層であってもよい。また、第１の金属電極層３２は、導電性ペーストをセラミック素体１０の外表面に塗布して焼き付けることにより形成されているが、第１の金属電極層３２を形成する手法は、これに限られない。例えば、めっき法等を用いて第１の金属電極層３２を形成してもよい。   In the present embodiment, the first metal electrode layer 32 is a single-layer metal electrode layer, but may be a metal electrode layer composed of a plurality of layers (for example, two layers). In addition, the first metal electrode layer 32 is formed by applying and baking a conductive paste on the outer surface of the ceramic body 10, and a method for forming the first metal electrode layer 32 is described below. Not limited. For example, the first metal electrode layer 32 may be formed using a plating method or the like.

本実施形態では、外部電極３０は、めっき処理により形成された金属電極層として、第２の金属電極層３６及び第３の金属電極層３８の２層の金属電極層を有しているが、単層の金属電極層あるいは３層以上の金属電極層を有していてもよい。また、めっき処理に用いる金属も、上述したＮｉ、Ｓｎ、及びＳｎ合金に限られない。   In the present embodiment, the external electrode 30 has two metal electrode layers, a second metal electrode layer 36 and a third metal electrode layer 38, as metal electrode layers formed by plating. It may have a single metal electrode layer or three or more metal electrode layers. Moreover, the metal used for a plating process is not restricted to Ni, Sn, and Sn alloy mentioned above.

本実施形態では、本発明をコンデンサに適用した例を示しているが、これに限られることはない。本発明は、例えば圧電体素子（圧電アクチュエータ）、インダクタ、バリスタ、サーミスタ等にも適用可能である。   In this embodiment, an example in which the present invention is applied to a capacitor is shown, but the present invention is not limited to this. The present invention can be applied to, for example, a piezoelectric element (piezoelectric actuator), an inductor, a varistor, a thermistor, and the like.

実施形態に係る積層コンデンサの概略断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of a multilayer capacitor according to an embodiment. セラミック素体にクラックが発生することを説明するための概略断面図である。It is a schematic sectional drawing for demonstrating that a crack generate | occur | produces in a ceramic body.

符号の説明Explanation of symbols

１…積層コンデンサ、１０…セラミック素体、１０ａ…第１の主面、１０ｂ…第２の主面、１０ｃ…第１の側面、１０ｄ…第２の側面、２０…内部電極、２２…誘電体層、３０…外部電極、３２…第１の金属電極層、３２ａ…第１の部分、３２ｂ…第２の部分、３４…導電性樹脂電極層、３６…第２の金属電極層、３８…第３の金属電極層。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Multilayer capacitor, 10 ... Ceramic body, 10a ... 1st main surface, 10b ... 2nd main surface, 10c ... 1st side surface, 10d ... 2nd side surface, 20 ... Internal electrode, 22 ... Dielectric material Layer 30 ... External electrode 32 ... First metal electrode layer 32a ... first part 32b ... second part 34 ... conductive resin electrode layer 36 ... second metal electrode layer 38 ... first 3 metal electrode layers.

Claims (4)

互いに対向する第１及び第２の面、並びに前記第１及び第２の面間を連結する第３の面を有するセラミック素体と、
前記セラミック素体上に配置された外部電極と、を備え、
前記外部電極は、
前記第３の面上に形成された第１の部分と前記第１及び第２の面に形成された第２の部分とを有すると共に、金属を主成分として含有してなる金属電極層と、
前記金属電極層の前記第１及び第２の部分上にわたって形成されると共に、導電性材料を含有する樹脂からなる導電性樹脂電極層と、を有しており、
前記導電性樹脂電極層は、前記セラミック素体と接触していないことを特徴とするセラミック電子部品。 A ceramic body having first and second surfaces facing each other, and a third surface connecting the first and second surfaces;
An external electrode disposed on the ceramic body,
The external electrode is
A metal electrode layer having a first portion formed on the third surface and a second portion formed on the first and second surfaces and containing a metal as a main component;
A conductive resin electrode layer formed over the first and second portions of the metal electrode layer and made of a resin containing a conductive material;
2. The ceramic electronic component according to claim 1, wherein the conductive resin electrode layer is not in contact with the ceramic body. 互いに対向する第１及び第２の面、並びに前記第１及び第２の面間を連結する第３の面を有するセラミック素体と、
前記セラミック素体上に配置された外部電極と、を備え、
前記外部電極は、
前記第３の面上に形成された第１の部分と前記第１及び第２の面に形成された第２の部分とを有すると共に、金属を主成分として含有してなる金属電極層と、
前記金属電極層の前記第１及び第２の部分上にわたって形成されると共に、導電性材料を含有する樹脂からなる導電性樹脂電極層と、を有しており、
前記金属電極層は、前記導電性樹脂電極層の全縁にわたって前記導電性樹脂電極層から露出していることを特徴とするセラミック電子部品。 A ceramic body having first and second surfaces facing each other, and a third surface connecting the first and second surfaces;
An external electrode disposed on the ceramic body,
The external electrode is
A metal electrode layer having a first portion formed on the third surface and a second portion formed on the first and second surfaces and containing a metal as a main component;
A conductive resin electrode layer formed over the first and second portions of the metal electrode layer and made of a resin containing a conductive material;
The ceramic electronic component, wherein the metal electrode layer is exposed from the conductive resin electrode layer over the entire edge of the conductive resin electrode layer. 前記外部電極が、前記金属電極層及び前記導電性樹脂電極層上にわたって形成された金属めっき電極層を更に有していることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のセラミック電子部品。   3. The ceramic electronic component according to claim 1, wherein the external electrode further includes a metal plating electrode layer formed over the metal electrode layer and the conductive resin electrode layer. 4. 前記金属電極層は、前記セラミック素体に、前記金属電極層に主成分として含有される金属の粉末を含む導電性ペーストを塗布して焼き付けることにより形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
The metal electrode layer is formed by applying and baking a conductive paste containing metal powder contained as a main component in the metal electrode layer on the ceramic body. The ceramic electronic component as described in any one of -3.
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