JP2008181917A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. （ａ）基体の上方に第１電極を形成する工程と、
   （ｂ）前記第１電極の上方に、圧電材料溶液を塗布して１層の前駆体層を形成する工程と、
   （ｃ）前記前駆体層の結晶化アニールを行うことにより圧電体層を形成する工程と、
   （ｄ）前記工程（ｂ）および（ｃ）を繰り返し行うことにより前記圧電体層を厚膜化する工程と、
   （ｅ）前記圧電体層の上方に第２電極を形成する工程と、
   を含み、
   前記工程（ｄ）において厚膜化された前記圧電体層には、複数の空孔が形成されている、圧電素子の製造方法。
2. 請求項１において、
   前記空孔は、前記基体の上面と平行な面においてマトリックス状に並んでいる、圧電素子の製造方法。
3. 請求項１または２において、
   前記空孔の径は、１００ｎｍ以下である、圧電素子の製造方法。
4. 請求項１ないし３のいずれかにおいて、
   前記結晶化アニールを行う工程では、前記前駆体層の表面に複数の凸部が形成されるまで加熱し続ける、圧電素子の製造方法。
5. 請求項１ないし４のいずれかにおいて、
   前記１層の前駆体層の膜厚は、４００ｎｍ以下である、圧電素子の製造方法。
6. 請求項１ないし５のいずれかにおいて、
   前記結晶化アニールは、輻射熱および伝導熱の双方による加熱処理である、圧電素子の製造方法。
7. 請求項１ないし６のいずれかにおいて、
   前記結晶化アニールは、拡散炉により行われる、圧電素子の製造方法。
8. 請求項１ないし７のいずれかにおいて、
   前記工程（ｃ）において、結晶化アニールは、ＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）装
   置により行われる、圧電素子の製造方法。
9. 請求項８において、
   前記工程（ｄ）において、結晶化アニールは、拡散炉により行われる、圧電素子の製造方法。
10. 請求項１ないし９のいずれかにおいて、
    前記工程（ｄ）と（ｅ）の間に、
    前記圧電体層上に、さらに圧電材料溶液を塗布して複数層の前駆体層を形成する工程と、
    前記複数層の前駆体層の結晶化アニールを一括で行うことにより圧電体層を厚膜化する工程と、
    をさらに含む、圧電素子の製造方法。
11. 請求項１ないし１０のいずれかにおいて、
    前記工程（ｄ）において、最後に行われる結晶化アニールの処理時間は、以前に行われる結晶化アニールの処理時間より短い、圧電素子の製造方法。
12. 請求項１ないし１１のいずれかにおいて、
    前記工程（ｂ）は、前記第１電極の上方に、圧電材料溶液を塗布して、乾燥し、脱脂することにより前記１層の前駆体層を形成する工程である、圧電素子の製造方法。
13. 請求項１ないし１２のいずれかに記載の圧電素子の製造方法を含む、インクジェット式記録ヘッドの製造方法。
14. 請求項１３に記載のインクジェット式記録ヘッドの製造方法を含む、インクジェットプリンターの製造方法。