JP2008177542A - ウェーハの露光エネルギー情報を蓄積するシステム及びそシステムによって累積したウェーハの露光エネルギー情報を利用した露光用マスクの管理方法 - Google Patents

ウェーハの露光エネルギー情報を蓄積するシステム及びそシステムによって累積したウェーハの露光エネルギー情報を利用した露光用マスクの管理方法 Download PDF

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Abstract

【課題】本発明はウェーハの露光エネルギー情報を利用した露光用マスクの管理方法を提供する。
【解決手段】 露光装備でウェーハを露光させるために使うマスクに対する情報を露光装備から算出して、該当のマスクを利用して各ウェーハを露光させるうちに適用された光エネルギー値を算出して、算出された光エネルギー値をデータサーバーに貯藏して、半導体パッケージ内の多数の露光装備から進行されるすべてのウェーハの露光工程に対して同じデータを取合して多数の露光装備によって使われる多数のマスクそれぞれに対して露光エネルギーに対する露出情報を蓄積管理するので、結晶成長、混濁のようなマスク汚染の直接的な原因である露光エネルギーに対するマスクの露出程度を直接的に算出してマスク欠陷を予測して、それによる対策を立てることで半導体収率下落を防止して半導体生産の収率を進めることができる。
【選択図】 図２

Description

本発明はウェーハの露光エネルギー情報を蓄積するシステム及びそのシステムによって累積したウェーハの露光エネルギー情報を利用した露光用マスクの管理方法に係り、特に半導体露光工程で露光装置によって回路がパターニングされた原版(マスクだと言う)を使ってウェーハ露光を実施した光エネルギー情報を利用して、結晶成長、混濁のようなマスク汚染の直接的な原因になる露光エネルギーに対するマスクの露出程度を直接的に累積算出してマスクの欠陷を予測してそれによる半導体製造収率を進めることができるウェーハの露光エネルギー情報を蓄積するシステム及びそのシステムによって累積したウェーハの露光エネルギー情報を利用した露光用マスクの管理方法に関するものである。
従来から広く使われている露光装置は、水銀ランプやエクサイマーレーザーのような光源をウェーハ上にパターン形成のために露光エネルギー源で活用して、光源で発生された光を回路が刻まれたマスクを通過させて最終的に感光液が塗布されたウェーハに到達させることでマスク上のパターンをウェーハで 伝写させる。
最近には、回路パターンがますます微細化されるによって露光装置は、もっと向上した解像度を得るためにもっと短い波長帯の光源(365nm(I-Line Lamp)→→248nm(KrF) → 193nm(ArF) → 15nm(EUV))を使うようになって、これはマスクがもっと高い光エネルギーに露出して、またウェーハ口徑が200mm、300mm、450mmで大口徑になるによってウェーハ当たり必要となる露光エネルギーと露光時間が増加するようになって結局、マスクはもっと高い光エネルギーにもっと長い時間露出するようになって、このような相乗作用によって結晶成長、混濁のようなマスク汚染がもっと早く進行されてもっと深刻なマスク欠陷を惹起させるという問題点があった。
そして、従来の場合、マスクの管理は汚染の直接的な原因である露光エネルギーに対する情報なしに必要する度にマスク上の結晶や汚染程度を測定して判断する任意的で死後的な措置たちが主だったし、それによって予防的な管理ができないという問題点があったし汚染したマスクを使うによって半導体製造収率を進めることができないというなどの問題点もあった。
したがって本発明は前記さまざまな問題点を解決するためになされたもので、本発明の目的は、マスクあまり露光エネルギーに露出した露光エネルギー露出情報を累積管理してマスク欠陷を判断することができるウェーハの露光エネルギー情報を蓄積するシステム及びそのシステムによって累積したウェーハの露光エネルギー情報を利用した露光用マスクの管理方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、汚染したマスクを使ってウェーハを露光させることで露光不良ウェーハの発生を防止して半導体生産収率を進めることができるウェーハの露光エネルギー情報を蓄積するシステム及びそのシステムによって累積したウェーハの露光エネルギー情報を利用した露光用マスクの管理方法を提供することにある。
前記の如き目的を達成するための本発明のウェーハの露光エネルギー情報を蓄積するシステムは、 露光用光エネルギーを発生する第1ないし第n光源と、前記第1ないし第n光源で発生された露光用光エネルギーをレンズと反射鏡で成り立った第1ないし第n光伝達システムを介して受けて第1ないし第n露光マスクを介してウェーハそれぞれの単位露光面積を順次的に露光させる第1ないし第n露光装置と、前記第1ないし第n露光装置でウェーハを露光させるのに使った露光エネルギー値を受けてリアルタイムで露光に使われた露光エネルギーを各マスクあまり累積してそれぞれ算出するデータサーバーと、前記データサーバーで算出した各マスク別に露光エネルギー値を統制室サーバーに送るように前記第1ないし第n露光装置及びデータサーバーにそれぞれ接続されたネットワークラインで構成されていることを特徴とする。
また、本発明のウェーハの露光エネルギー情報を蓄積するシステムによって累積した露光エネルギー情報を利用した露光用マスクの管理方法は、第1ないし第n露光装置のマスクステージ上に新しい第1ないし第n露光マスクをそれぞれ積載させるマスク積載工程と、前記マスク積載工程で前記露光装置のマスクステージにそれぞれ載置された第1ないし第n露光マスクのIDをそれぞれの前記第1ないし第n露光装置でそれぞれ判読してネットワークラインを介してデータサーバーに送る露光マスクID傳送工程と、前記露光マスクID傳送工程後に前記第1ないし第n露光装置で前記第1ないし第n光源に光発生信号を出力する光発生信号出力工程と、前記光発生信号出力工程で出力される光発生信号によって前記第1ないし第n光源で発生された露光用光エネルギーをレンズと反射鏡で成り立った第1ないし第n光伝達システムを介して前記第1ないし第n露光装置で受けて第1ないし第n露光マスクを介してウェーハを露光させて、露光に必要となった露光エネルギー値を前記第1ないし第n露光装置でそれぞれ測定してデータサーバーに出力する露光エネルギー値出力工程と、前記露光エネルギー値出力工程でそれぞれのウェーハを露光させるのに必要となった露光エネルギー値を前記データサーバーに出力してから前記第1ないし第n露光装置で露光が終わった後各マスクステージでそれぞれの第1 ないし第nマスクを引き出すマスク引き出し工程と、前記マスク引き出し工程で前記第1 ないし第n露光装置からそれぞれの第1ないし第nマスクの引き出し終了情報を前記データサーバーに出力した場合、前記データサーバーでそれぞれの第1ないし第nマスクあまり露光エネルギーデータを累積して算出するマスク別露光エネルギー累積算出工程と、前記マスク別露光エネルギー累積算出工程でそれぞれの第1ないし第nマスクあまり累積して算出された露光エネルギーデータをデータサーバーで管理するマスク別に露光エネルギー管理工程と、前記マスク別露光エネルギー管理工程後にマスク別に露光エネルギー累積算出工程で算出された露光エネルギーデータをマスク使用者やマスク檢査者が分かるように各マスク別に露光エネルギー累積値を統制室サーバーに出力するマスク別露光エネルギー累積値出力工程を含むことを特徴とする。
本発明のウェーハの露光エネルギー情報を利用した露光用マスクの管理方法によれば、露光装備でウェーハを露光させる場合に露光装備上に積載したマスクに対する情報を露光装備から算出して、該当のマスクによって各ウェーハを露光させるうちに適用された光エネルギー値を算出して、算出された光エネルギー値をデータサーバーに貯藏して、半導体パッケージ内の多数の露光装備から進行されるすべてのウェーハの露光工程に対して同じデータを取合して多数の露光装備によって使われる多数のマスクそれぞれに対して露光エネルギーに対する露出情報を蓄積管理するので、結晶成長、混濁のようなマスク汚染の直接的な原因である露光エネルギーに対するマスクの露出程度を直接的に算出してマスク欠陷を予測して、それによる対策を立てることで半導体収率下落を防止して半導体生産の収率を進めることができるという非常にすぐれた效果がある。
以下、本発明のウェーハの露光エネルギー情報を蓄積するシステムに対す望ましい実施例を添付図面を参照して説明する。
図１は本発明の一實施例によるウェーハの露光エネルギー情報を蓄積する露光エネルギー情報蓄積システムを概略的に図示した図面である。
図１に図示したところのように本発明の一實施例によるウェーハの露光エネルギー情報を蓄積するシステムは、露光用光エネルギーを発生する第1ないし第n光源10a、10b、・・・10nと、前記第1ないし第n光源10a、10b、・・・10nで発生された露光用光エネルギーをレンズと反射鏡で成り立った第1ないし第n光伝達システム20a、20b、・・・20nを介して受けて第1ないし第n露光マスク30a、30b、・・・30nを介してウェーハ40a、40b、・・・40nそれぞれの単位露光面積を順次的に露光させる第1ないし第n露光装置50a、50b、・・・50nと、前記第1ないし第n露光装置50a、50b、・・・50nでウェーハ40a、40b、・・・40nを露光させるのに使った露光エネルギー値を受けてリアルタイムで露光に使われた露光エネルギーを各マスクあまり累積してそれぞれ算出するデータサーバー60と、前記データサーバー60で算出した各マスク別に露光エネルギー値を統制室サーバー70に送るように前記第1ないし第n露光装置50a、50b、・・・50n及びデータサーバー60にそれぞれ接続されたネットワークライン80で構成されている。
次に、前記と一緒に構成された本発明の一實施例によるウェーハの露光エネルギー情報を蓄積するシステムの作用及び效果に対して説明する。
先に、それぞれの第1ないし第n露光装置50a、50b、・・・50n に新しい第1ないし第n 露光マスク30a、30b、・・・30nがウェーハ40a、40b、・・・40n露光のために積載すれば、前記第1ないし第n露光装置50a、50b、・・・50nでそれぞれの該当の第1ないし第n露光マスク30a、30b、・・・30nのIDをそれぞれの前記第1ないし第n露光装置50a、50b、・・・50nでそれぞれ判読してネットワークライン80を介してデータサーバー60に送る。
次に、前記第1ないし第n光源10a、10b、・・・10nで発生された露光用光エネルギーをレンズと反射鏡で成り立った第1ないし第n光伝達システム20a、20b、・・・20nを介して第1ないし第n露光装置50a、50b、・・・50nで受けて第1ないし第n露光マスク30a、30b、・・・30nを介してウェーハ40a、40b、・・・40nを露光させ始めてウェーハ40a、40b、・・・40n露光が終われば、該当のウェーハ40a、40b、・・・40nを露光するために使われた光エネルギー値をデータサーバー60に送る。それぞれの前記ウェーハ40a、40b、・・・40nが前記第1ないし第n露光装置50a、50b、・・・50nでずっと露光されるによってデータサーバー60は、第1ないし第n露光装置50a、50b、・・・50nから提供される各ウェーハ40a、40b、・・・40nの露光のために必要となった光エネルギー情報(データ)を該当の第1ないし第nマスク30a、30b、・・・30nに対して持続的に蓄積する。
それぞれのすべてのウェーハ40a、40b、・・・40nの露光が終わって第1ないし 第n露光マスク30a、30b、・・・30nが第1ないし第n露光装置50a、50b、・・・50nの各マスクステージからすり抜けて来れば、それぞれの該当の第1ないし第n露光マスク30a、30b、・・・30nに対する終了信号が前記第1ないし第n露光装置50a、50b、・・・50nでデータサーバー60に送って、前記データサーバー60は、それぞれの該当の第1ないし第n露光マスク30a、30b、・・・30nの光エネルギーに対する露出情報を累積して算出する。
このようなデータが半導体パッケージ内の第1ないし第n露光装置50a、50b、・・・50nから上記データサーバー60に送信されれば、データサーバー60では、多数の第1ないし第n露光装置50a、50b、・・・50nでそれぞれ使われた第1ないし第n露光マスク30a、30b、・・・30nの光エネルギーに対する露出情報がそれぞれの第1ないし第n露光マスク30a、30b、・・・30nあまり累積して算出する。
前記データサーバー60は、それぞれの第1ないし第n露光マスク30a、30b、・・・30nあまり蓄積された光エネルギーに対する露出データに根拠して第1ないし第n露光マスク30a、30b、・・・30nの欠陷を予測してその露光データを前記統制室サーバー70に出力して前記第1ないし第n露光マスク30a、30b、・・・30nの使用者またはマスク検査装備に出力してマスク検査者が第1ないし第n露光マスク30a、30b、・・・30nの汚染に係わる予防情報が分かるようにする。
次に、このように構成された本発明の一實施例によるウェーハの露光エネルギー情報を利用した露光用マスクの管理方法に対して説明する。
図２は本発明の一實施例によるウェーハの露光エネルギー情報をマスクあまり蓄積する露光エネルギー情報蓄積システムを使ってウェーハの露光エネルギー情報を利用した露光用マスクの管理方法を図示したフローチャートである。
先に、図２に図示したところのように第1ないし第n露光装置50a、50b、・・・50nのマスクステージ上に新しい第1ないし第n露光マスク30a、30b、・・・30nをそれぞれ積載させて(マスク積載工程)、前記マスク積載工程で前記第1ないし第n露光装置50a、50b、・・・50nのマスクステージにそれぞれ載置された第1ないし第n露光マスク30a、30b、・・・30nのIDをそれぞれの前記第1ないし第n露光装置50a、50b、・・・50nでそれぞれ判読してネットワークライン80を介してデータサーバー60に送る(露光マスクID伝送工程)。
前記露光マスクID伝送工程後に前記第1ないし第n露光装置50a、50b、・・・50n で前記第1ないし第n光源10a、10b、・・・10nに光発生信号を出力して(光発生信号出力工程)、前記光発生信号出力工程で出力される光発生信号によって前記第1ないし第n光源10a、10b、・・・10nで発生された露光用光エネルギーをレンズと反射鏡で成り立った第1ないし第n光伝達システム20a、20b、・・・20nを介して前記第1ないし第n露光装置50a、50b、・・・50nで受けて第1ないし第n露光マスク30a、30b、・・・30nを介してウェーハ40a、40b、・・・40nを露光させて、露光に必要となった露光エネルギー値を前記第1ないし第n露光装置50a、50b、・・・50nでそれぞれ測定してデータサーバー60に出力する(露光エネルギー値出力工程)。
前記露光エネルギー値出力工程でそれぞれのウェーハ40a、40b、・・・40nを露光させるのに必要となった露光エネルギー値を前記データサーバー60に出力してから前記第1ないし第n露光装置50a、50b、・・・50nで露光が終わった後各マスクステージでそれぞれの第1ないし第nマスク30a、30b、・・・30nを引き出して(マスク引き出し工程)、前記マスク引き出し工程で前記第1ないし第n露光装置50a、50b、・・・50nからそれぞれの第1ないし第nマスク30a、30b、・・・30nの引き出し終了情報を前記データサーバー60に出力した場合、前記データサーバー60でそれぞれの第1ないし第nマスク30a、30b、・・・30nあまり露光エネルギーデータを累積して算出する(マスク別露光エネルギー累積算出工程)。
前記マスク別露光エネルギー累積算出工程でそれぞれの第1ないし第nマスク30a、30b、・・・30nあまり累積して算出された露光エネルギーデータをデータサーバー60で管理して(マスク別露光エネルギー管理工程)、前記マスク別露光エネルギー管理工程の後に算出された各マスク別露光エネルギーデータをマスク使用者やマスク検査者が分かるようにマスク別露光エネルギー累積値を統制室サーバー70に出力する(マスク別露光エネルギー累積値出力工程)。
したがって、本発明は、露光装備でウェーハを露光させる場合に露光装備上に積載したマスクに対する情報を露光装備から算出して、該当マスクによって各ウェーハを露光させるうちに適用された光エネルギー値を算出して、算出された光エネルギー値をデータサーバーに貯藏して、半導体パッケージ内の多数の露光装備から進行されるすべてのウェーハの露光工程に対して同じデータを取合して多数の露光裝備によって使われる多数のマスクそれぞれに対して露光エネルギーに対する露出情報を蓄積管理するので、多数の露光装備によって使われる多数のマスクそれぞれに対して露光エネルギーに対する露出情報を蓄積管理するので、結晶成長、混濁のようなマスク汚染の直接的な原因である露光エネルギーに対するマスクの露出程度を直接的に算出してマスク欠陷を予測して、それによる対策を立てることで半導体収率下落を防止して半導体生産の収率を進めることができる。
前記説明において、特定実施例を立ち入って図示して説明したが、本発明は、ここに限定されるのではなくて、例えば、本発明の概念を離脱しない範囲内でこの技術分野の通常の知識を持った者によっていろいろに設計変更することができることは勿論である。
図１は本発明の一実施例によるウェーハの露光エネルギー情報を蓄積する露光エネルギー情報蓄積システムを概略的に図示した図面である。 図２は本発明の一実施例によるウェーハの露光エネルギー情報を蓄積する露光エネルギー情報蓄積システムを使ってウェーハの露光エネルギー情報を利用した露光用マスクの管理方法を図示したフローチャートである。
符号の説明
10a：第1光源 10b： 第2光源
10n : 第n光源 20a : 第1光伝達システム
20b : 第2光伝達システム 20n : 第n光伝達システム
30a : 第1露光マスク 30b : 第2露光マスク
30n : 第n露光マスク 40a, 40b・・・40n : ウェーハ
50a : 第1露光装置 50b : 第2露光装置
50n : 第n露光装置 60 : データサーバー
70 : 統制室サーバー 80 : ネットワークライン

Claims (2)

  1. 露光用光エネルギーを発生する第1ないし第n光源10a、10b、・・・10nと、
    前記第1ないし第n光源10a、10b、・・・10nで発生された露光用光エネルギーをレンズと反射鏡で成り立った第1ないし第n光伝達システム20a、20b、・・・20nを介して受けて第1ないし第n露光マスク30a、30b、・・・30nを介してウェーハ40a、40b、・・・40nそれぞれの単位露光面積を順次的に露光させる第1ないし第n露光装置50a、50b、・・・50nと、
    前記第1ないし第n露光装置50a、50b、・・・50nでウェーハ40a、40b、・・・40nを露光させるのに使った露光エネルギー値を受けてリアルタイムで露光に使われた露光エネルギーを各マスクあまり累積してそれぞれ算出するデータサーバー60と、
    前記データサーバー60で算出した各マスク別に露光エネルギー値を統制室サーバー70に送るように前記第1ないし第n露光装置50a、50b、・・・50n及びデータサーバー60にそれぞれ接続されたネットワークライン80で構成されていることを特徴とするウェーハの露光エネルギー情報を蓄積するシステム。
  2. 第1ないし第n露光装置50a、50b、・・・50nのマスクステージ上に新しい第1ないし第n露光マスク30a、30b、・・・30nをそれぞれ積載させるマスク積載工程と、
    前記マスク積載工程で前記露光装置50a、50b、・・・50nのマスクステージにそれぞれ載置された第1ないし第n露光マスク30a、30b、・・・30nのIDをそれぞれの前記第1ないし第n露光装置50a、50b、・・・50nでそれぞれ判読してネットワークライン80を介してデータサーバー60に送る露光マスクID傳送工程と、
    前記露光マスクID傳送工程後に前記第1ないし第n露光装置50a、50b、・・・50nで前記第1ないし第n光源10a、10b、・・・10nに光発生信号を出力する光発生信号出力工程と、
    前記光発生信号出力工程で出力される光発生信号によって前記第1ないし第n 光源10a、10b、・・・10nで発生された露光用光エネルギーをレンズと反射鏡で成り立った第1ないし第n光伝達システム20a、20b、・・・20nを介して前記第1ないし第n露光装置50a、50b、・・・50nで受けて第1ないし第n露光マスク30a、30b、・・・30nを介してウェーハ40a、40b、・・・40nを露光させて、露光に必要となった露光エネルギー値を前記第1ないし第n露光装置50a、50b、・・・50nでそれぞれ測定してデータサーバー60に出力する露光エネルギー値出力工程と、
    前記露光エネルギー値出力工程でそれぞれのウェーハ40a,40b,...40nを露光させるのに必要となった露光エネルギー値を前記データサーバー60に出力してから前記第1ないし第n露光装置50a、50b、・・・50nで露光が終わった後各マスクステージでそれぞれの第1 ないし第nマスク30a、30b、・・・30nを引き出すマスク引き出し工程と、
    前記マスク引き出し工程で前記第1ないし第n露光装置50a、50b、・・・50nからそれぞれの第1 ないし第nマスク30a、30b、・・・30nの引き出し終了情報を前記データサーバー60に出力した場合、前記データサーバー60でそれぞれの第1ないし第nマスク30a、30b、・・・30nあまり露光エネルギーデータを累積して算出するマスク別露光エネルギー累積算出工程と、
    前記マスク別露光エネルギー累積算出工程でそれぞれの第 1 ないし私のn マスク30a, 30b, ...30n あまり累積して算出された露光エネルギーデータをデータサーバー60で管理するマスク別に露光エネルギー管理工程と、
    前記マスク別露光エネルギー管理工程後にマスク別に露光エネルギー累積算出工程で算出された露光エネルギーデータをマスク使用者やマスク檢査者が分かるように各マスク別に露光エネルギー累積値を統制室サーバー70に出力するマスク別露光エネルギー累積値出力工程を含むことを特徴とするウェーハの露光エネルギー情報を蓄積するシステムによって累積したウェーハの露光エネルギー情報を利用した露光用マスクの管理方法。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010030758B4 (de) * 2010-06-30 2018-07-19 Globalfoundries Dresden Module One Limited Liability Company & Co. Kg Steuerung kritischer Abmessungen in optischen Abbildungsprozessen für die Halbleiterherstellung durch Extraktion von Abbildungsfehlern auf der Grundlage abbildungsanlagenspezifischer Intensitätsmessungen und Simulationen

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002015986A (ja) * 2000-02-16 2002-01-18 Cymer Inc リソグラフィ・レーザ用プロセス監視システム
JP2002353106A (ja) * 2001-05-24 2002-12-06 Sony Corp 工程管理システム、工程管理方法、プログラム及び記録媒体
JP2004094126A (ja) * 2002-09-03 2004-03-25 Renesas Technology Corp 電子装置の製造方法
JP2004241736A (ja) * 2003-02-10 2004-08-26 Nikon Corp 露光システム及び露光装置
JP2005051046A (ja) * 2003-07-29 2005-02-24 Sony Corp 露光用マスク管理方法および露光用マスク

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0442521A (ja) * 1990-06-08 1992-02-13 Seiko Epson Corp 投影露光装置
JP3336436B2 (ja) * 1991-04-02 2002-10-21 株式会社ニコン リソグラフィシステム、情報収集装置、露光装置、及び半導体デバイス製造方法
JP4021035B2 (ja) * 1998-02-24 2007-12-12 沖電気工業株式会社 マスク及びその管理装置
WO2000051172A1 (fr) * 1999-02-26 2000-08-31 Nikon Corporation Systeme de sensibilisation, systeme de gravure optique et procede de convoyage, procede de production d'un dispositif, et dispositif y relatif
TW446858B (en) * 1999-04-21 2001-07-21 Asm Lithography Bv Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using such a lithographic projection apparatus, and device made by such a method of manufacturing
JP4365934B2 (ja) * 1999-05-10 2009-11-18 キヤノン株式会社 露光装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法
US6408260B1 (en) * 2000-02-16 2002-06-18 Cymer, Inc. Laser lithography quality alarm system
US6697695B1 (en) * 2000-04-25 2004-02-24 Komatsu Ltd. Laser device management system
DE60321525D1 (de) * 2002-10-28 2008-07-24 Asml Netherlands Bv Verfahren, Inspektionssystem, Rechnerprogramm und Referenzsubstrat zum Erkennen von Maskenfehlern
JP2005294473A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Canon Inc 露光装置、デバイス製造方法及びデバイス
US7251033B1 (en) * 2004-06-02 2007-07-31 Advanced Micro Devices, Inc. In-situ reticle contamination detection system at exposure wavelength
KR20060037771A (ko) * 2004-10-28 2006-05-03 삼성전자주식회사 노광설비 및 그 제어방법
US8041106B2 (en) * 2008-12-05 2011-10-18 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for detecting defects on a reticle

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002015986A (ja) * 2000-02-16 2002-01-18 Cymer Inc リソグラフィ・レーザ用プロセス監視システム
JP2002353106A (ja) * 2001-05-24 2002-12-06 Sony Corp 工程管理システム、工程管理方法、プログラム及び記録媒体
JP2004094126A (ja) * 2002-09-03 2004-03-25 Renesas Technology Corp 電子装置の製造方法
JP2004241736A (ja) * 2003-02-10 2004-08-26 Nikon Corp 露光システム及び露光装置
JP2005051046A (ja) * 2003-07-29 2005-02-24 Sony Corp 露光用マスク管理方法および露光用マスク

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