JP2008172791A - 位相ノイズを制御する電圧制御発振器及びその利用方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】位相ノイズを制御する電圧制御発振器及びその利用方法を提供する。
【解決手段】電源電圧に対応する発振周波数を持つ第1出力信号を生成する電圧制御発振部と、それぞれの第1出力信号の伝達コンダクタンス成分をn(nは自然数)次微分した値を増幅する増幅部と、を備え、電圧制御発振部の出力端及び増幅部の出力端は連結されており、それぞれの出力端に、それぞれの第1出力信号が増幅された第2出力信号が出力される電圧制御発振器。これにより、矩形波と類似した形態の波形を持つ出力信号を出力することによって、電圧制御発振器の出力信号の位相ノイズを効率的に減少させることができる。
【選択図】図2
【解決手段】電源電圧に対応する発振周波数を持つ第1出力信号を生成する電圧制御発振部と、それぞれの第1出力信号の伝達コンダクタンス成分をn(nは自然数)次微分した値を増幅する増幅部と、を備え、電圧制御発振部の出力端及び増幅部の出力端は連結されており、それぞれの出力端に、それぞれの第1出力信号が増幅された第2出力信号が出力される電圧制御発振器。これにより、矩形波と類似した形態の波形を持つ出力信号を出力することによって、電圧制御発振器の出力信号の位相ノイズを効率的に減少させることができる。
【選択図】図2
Description
本発明は、位相ノイズ制御に係り、特に、位相ノイズを制御する電圧制御発振器(VCO:Voltage Controlled Oscillator)及び電圧制御発振器の位相ノイズを制御する方法に関する。
VCOは、印加された電源電圧で所望の発振周波数を出力可能にする装置であり、移動通信端末機で主に使われる。VCOは、移動通信機器でPLL(Phase Locked Loop)モジュールに使われて、チャンネルを割り当て、かつ周波数を無線周波数(RF:Radio Frequency)または中間周波数(IF:Intermediate Frequency)に変換する局部発振器の役割を果たす。
現在、高周波数用VCOに主に使われているのは、LC共振器を内蔵したCMOSタイプである。最近、携帯用移動通信市場の需要が増加し、さらに多くの機能を一つに集積させた低電力システムIC開発が要求され、CMOS回路は低コストと集積容易性及び高い製造工程の信頼性により一般的に広く使われている。しかし、CMOS回路は、このような高い生産性及び集積性にもかかわらず、劣るノイズ特性、低い降伏電圧(breakdown voltage)及び低い利得(gain)のために回路設計に困難が伴う。したがって、CMOS回路の長所を生かしつつVCOの性能を極大化するために、位相ノイズを改善するための研究が活発に進められている。
VCOに関する具体的な例は、特許文献1に開示されている。
VCOに関する具体的な例は、特許文献1に開示されている。
図1は、従来のLC共振器を利用したVCO 100の回路図である。
図1を参照すれば、VCO 100は、差動増幅器110,170及びLC共振器150を備える。差動増幅器110は、2つのPMOSトランジスタP110,P115がクロスカップルされたラッチ回路である。すなわち、PMOSトランジスタP110は、ゲートがPMOSトランジスタP115の第1端に連結され、第1端がPMOSトランジスタP115のゲートに連結され、第2端が電源電圧VDDに連結される。同様に、PMOSトランジスタP115は、ゲートがPMOSトランジスタP110の第1端に連結され、第1端がPMOSトランジスタP110のゲートに連結され、第2端が電源電圧VDDに連結される。差動増幅器170も2つのNMOSトランジスタN170,N175がクロスカップルされたラッチ回路であり、PMOSトランジスタP110,P115の代わりにNMOSトランジスタN170,N175が連結され、かつ電源電圧VDDの代わりに接地電圧VSSに連結される点を除外すれば、差動増幅器110と同一である。
図1を参照すれば、VCO 100は、差動増幅器110,170及びLC共振器150を備える。差動増幅器110は、2つのPMOSトランジスタP110,P115がクロスカップルされたラッチ回路である。すなわち、PMOSトランジスタP110は、ゲートがPMOSトランジスタP115の第1端に連結され、第1端がPMOSトランジスタP115のゲートに連結され、第2端が電源電圧VDDに連結される。同様に、PMOSトランジスタP115は、ゲートがPMOSトランジスタP110の第1端に連結され、第1端がPMOSトランジスタP110のゲートに連結され、第2端が電源電圧VDDに連結される。差動増幅器170も2つのNMOSトランジスタN170,N175がクロスカップルされたラッチ回路であり、PMOSトランジスタP110,P115の代わりにNMOSトランジスタN170,N175が連結され、かつ電源電圧VDDの代わりに接地電圧VSSに連結される点を除外すれば、差動増幅器110と同一である。
差動増幅器110,170の間にLC共振器150が連結される。LC共振器150は、インダクタンス成分またはキャパシタンス成分の可変で周波数を決定する。
差動増幅器110,170とLC共振器150とが連結される部分がVCO 100の出力端Vo+,Vo−になる。
前述したように、最近、携帯用移動通信市場の需要が増加し、さらに多くの機能を一つに集積させた低電力システムIC開発が要求されつつあり、従来のVCO 100に比べて位相ノイズがはるかに改善されねばならないという必要性が高まっている。
米国特許出願公開第2004/0085144号明細書(2004年05月06日公開)
差動増幅器110,170とLC共振器150とが連結される部分がVCO 100の出力端Vo+,Vo−になる。
前述したように、最近、携帯用移動通信市場の需要が増加し、さらに多くの機能を一つに集積させた低電力システムIC開発が要求されつつあり、従来のVCO 100に比べて位相ノイズがはるかに改善されねばならないという必要性が高まっている。
本発明が解決しようとする課題は、矩形波と類似した形態の出力信号を出力することによって、位相ノイズを制御するVCOを提供するところにある。
本発明が解決しようとする他の技術的課題は、前記VCOを使用して位相ノイズを制御する方法を提供するところにある。
本発明が解決しようとする他の技術的課題は、前記VCOを使用して位相ノイズを制御する方法を提供するところにある。
前記技術的課題を達成するための本発明の実施形態によるVCOは、電圧制御発振部及び増幅部を備えることを特徴とする。前記電圧制御発振部は、電源電圧に対応する発振周波数を持つ第1出力信号を生成する。前記増幅器は、前記それぞれの第1出力信号の伝達コンダクタンス成分をn(nは自然数)次微分した値を増幅する。前記電圧制御発振部の出力端及び前記増幅部の出力端は連結されており、前記それぞれの出力端に、前記それぞれの第1出力信号が増幅された第2出力信号が出力される。
前記増幅部は、前記それぞれの第1出力信号の伝達コンダクタンス成分を2次微分した値を増幅することが望ましい。
前記増幅部は、バイアス電圧が印加され、前記バイアス電圧を調節して前記それぞれの第1出力信号の伝達コンダクタンス成分をn(nは自然数)次微分した値を増幅することが望ましい。
前記バイアス電圧は、前記第1出力信号が一定の傾きで出合う部分の電圧であることが望ましい。
前記増幅部は、第1抵抗及び第1キャパシタにゲートが連結され、前記電源電圧に第1端が連結され、かつ第2キャパシタ及び前記VCOの第1出力端に第2端が連結される第1トランジスタと、第2抵抗及び前記第2キャパシタの他端にゲートが連結され、前記電源電圧に第1端が連結され、かつ前記第1キャパシタの他端及び前記VCOの第2出力端に第2端が連結される第2トランジスタと、を備え、前記第1抵抗の他端、前記第2抵抗の他端及びバイアス電圧が連結されることが望ましい。
前記増幅部は、バイアス電圧が印加され、前記バイアス電圧を調節して前記それぞれの第1出力信号の伝達コンダクタンス成分をn(nは自然数)次微分した値を増幅することが望ましい。
前記バイアス電圧は、前記第1出力信号が一定の傾きで出合う部分の電圧であることが望ましい。
前記増幅部は、第1抵抗及び第1キャパシタにゲートが連結され、前記電源電圧に第1端が連結され、かつ第2キャパシタ及び前記VCOの第1出力端に第2端が連結される第1トランジスタと、第2抵抗及び前記第2キャパシタの他端にゲートが連結され、前記電源電圧に第1端が連結され、かつ前記第1キャパシタの他端及び前記VCOの第2出力端に第2端が連結される第2トランジスタと、を備え、前記第1抵抗の他端、前記第2抵抗の他端及びバイアス電圧が連結されることが望ましい。
前記電圧制御発振部は、前記電源電圧に第1端が連結される第1差動増幅器と、接地電圧に第1端が連結される第2差動増幅器と、前記第1差動増幅器の第2端及び第2差動増幅器の第2端に連結されるLC共振器と、を備え、前記LC共振器の両端は前記増幅部と連結されることが望ましい。
前記LC共振器は、2つの直列連結されたバラクターダイオードとインダクターとが並列に連結される第1共振回路を備えることが望ましい。
また、前記LC共振器は、少なくとも一つのインダクター及び少なくとも一つのキャパシタが並列連結され、かつ前記第1共振回路の第1端に連結される第2共振回路と、少なくとも一つのインダクター及び少なくとも一つのキャパシタが並列連結され、かつ前記第1共振回路の第2端に連結される第3共振回路と、をさらに備えることが望ましい。
前記伝達コンダクタンスは、前記第1差動増幅器及び第2差動増幅器のトランジスタのうち、ターンオンされているトランジスタの伝達コンダクタンス成分の和であることが望ましい。
前記LC共振器は、2つの直列連結されたバラクターダイオードとインダクターとが並列に連結される第1共振回路を備えることが望ましい。
また、前記LC共振器は、少なくとも一つのインダクター及び少なくとも一つのキャパシタが並列連結され、かつ前記第1共振回路の第1端に連結される第2共振回路と、少なくとも一つのインダクター及び少なくとも一つのキャパシタが並列連結され、かつ前記第1共振回路の第2端に連結される第3共振回路と、をさらに備えることが望ましい。
前記伝達コンダクタンスは、前記第1差動増幅器及び第2差動増幅器のトランジスタのうち、ターンオンされているトランジスタの伝達コンダクタンス成分の和であることが望ましい。
前記技術的課題を達成するための本発明の他の実施形態によるVCOの位相ノイズ改善方法は、電源電圧に対応する発振周波数を持つ第1出力信号を生成するステップと、前記それぞれの第1出力信号の伝達コンダクタンス成分をn(nは自然数)次微分した値を増幅するステップと、前記それぞれの第1出力信号が増幅された第2出力信号を出力するステップと、を含むことを特徴とする。
前記増幅するステップは、バイアス電圧を印加するステップと、前記バイアス電圧を調節して、前記それぞれの第1出力信号の伝達コンダクタンス成分をn(nは自然数)次微分した値を増幅するステップと、を含むことが望ましい。
前記増幅するステップは、バイアス電圧を印加するステップと、前記バイアス電圧を調節して、前記それぞれの第1出力信号の伝達コンダクタンス成分をn(nは自然数)次微分した値を増幅するステップと、を含むことが望ましい。
本発明による位相ノイズを制御するVCO及びその利用方法は、矩形波と類似した形態の波形を持つ出力信号を出力することによって、VCOの出力信号の位相ノイズを効率的に減少させることができる。すなわち、従来に比べてVCOの出力信号の傾きが非常に大きいために、前記出力信号の位相ノイズが改善される。
本発明、本発明の動作上の利点及び本発明の実施によって達成される目的を十分に理解するためには、本発明の望ましい実施形態を例示する添付図面及び図面に記載された内容を参照せねばならない。
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施形態を説明することによって、本発明を詳細に説明する。各図面に提示された同じ参照符号は同じ部材を表す。
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施形態を説明することによって、本発明を詳細に説明する。各図面に提示された同じ参照符号は同じ部材を表す。
図2は、本発明の実施形態によるVCO 200の回路図である。
図2を参照すれば、VCO 200は、電圧制御発振部210及び増幅部250を備える。電圧制御発振部210は、第1差動増幅器220、LC共振器230及び第2差動増幅器240を備える。第1差動増幅器220は、2つのトランジスタP220,P225がクロスカップルされたラッチ回路である。すなわち、トランジスタP220は、ゲートがトランジスタP225の第1端に連結され、第1端がトランジスタP225のゲートに連結され、かつ第2端が電源電圧VDDに連結される。同様に、トランジスタP225は、ゲートがトランジスタP220の第1端に連結され、第1端がトランジスタP220のゲートに連結され、かつ第2端が電源電圧VDDに連結される。前記トランジスタP220,P225はPMOSトランジスタであることが望ましい。
図2を参照すれば、VCO 200は、電圧制御発振部210及び増幅部250を備える。電圧制御発振部210は、第1差動増幅器220、LC共振器230及び第2差動増幅器240を備える。第1差動増幅器220は、2つのトランジスタP220,P225がクロスカップルされたラッチ回路である。すなわち、トランジスタP220は、ゲートがトランジスタP225の第1端に連結され、第1端がトランジスタP225のゲートに連結され、かつ第2端が電源電圧VDDに連結される。同様に、トランジスタP225は、ゲートがトランジスタP220の第1端に連結され、第1端がトランジスタP220のゲートに連結され、かつ第2端が電源電圧VDDに連結される。前記トランジスタP220,P225はPMOSトランジスタであることが望ましい。
第2差動増幅器240も、2つのトランジスタN240,N245がクロスカップルされたラッチ回路であり、第1差動増幅器220とその構成は同一である。ただし、第2差動増幅器240は、第1差動増幅器220とは異なり、電源電圧VDDの代わりに接地電圧VSSが連結され、トランジスタN240,N245はNMOSトランジスタであることが望ましい。
第1差動増幅器220と第2差動増幅器240との間にLC共振器230が連結される。LC共振器230がインダクタンス成分またはキャパシタンス成分の可変で周波数を決定するということは公知である。LC共振器230の具体的構成については、図3A及び図3Bで詳細に説明する。
第1差動増幅器220と第2差動増幅器240との間にLC共振器230が連結される。LC共振器230がインダクタンス成分またはキャパシタンス成分の可変で周波数を決定するということは公知である。LC共振器230の具体的構成については、図3A及び図3Bで詳細に説明する。
増幅部250は複数の抵抗、複数のキャパシタ及び複数のトランジスタを備えることができる。前記トランジスタのうち、第1トランジスタP250は、第1抵抗R1及び第1キャパシタC1がゲートに連結され、電源電圧VDDが第1端に連結され、かつ第2キャパシタC2が第2端に連結される。また、第2トランジスタP255は、第2抵抗R2及び第2キャパシタC2の他端がゲートに連結され、電源電圧VDDが第1端に連結され、かつ第1キャパシタC1の他端が第2端に連結される。第1トランジスタP250及び第2トランジスタP225はPMOSトランジスタであることが望ましい。第1抵抗R1の他端、第2抵抗R2の他端及びバイアス電圧は一つのノードに連結されている。
電圧制御発振部210と増幅部250とは、VCO 200の出力端Vo+,Vo−と連結されている。すなわち、LC共振器230の一端と第1キャパシタC1と第2トランジスタP255の第2端とが一つのノードに連結されており、前記ノードがVCO 200の第1出力端Vo+である。また、LC共振器230の他端と第2キャパシタC2と第1トランジスタP250の第2端とが他の一つのノードに連結されており、前記ノードがVCO 200の第2出力端Vo−である。VCO 200の動作については、図4で詳細に説明する。
図3Aは、図2のLC共振器230の一実施形態を示す回路図である。
図3Aを参照すれば、従来の一般的なLC共振器の回路図であり、LC共振器230は、インダクターLと、2つのバラクターダイオードD10,D20とを備える。バラクターダイオードD10,D20は、印加される電圧によってキャパシタンスが変わる素子である。バラクターダイオードD10,D20に印加される電圧が変われば内部の等価キャパシタンスが変わるので、LC共振器230の共振周波数が変わって、電圧制御発振部210の出力信号の発信周波数が変わるようになる。すなわち、印加される電圧を制御することによって、電圧制御発振部210の出力信号の発信周波数を変化させることができる。
図3Aを参照すれば、従来の一般的なLC共振器の回路図であり、LC共振器230は、インダクターLと、2つのバラクターダイオードD10,D20とを備える。バラクターダイオードD10,D20は、印加される電圧によってキャパシタンスが変わる素子である。バラクターダイオードD10,D20に印加される電圧が変われば内部の等価キャパシタンスが変わるので、LC共振器230の共振周波数が変わって、電圧制御発振部210の出力信号の発信周波数が変わるようになる。すなわち、印加される電圧を制御することによって、電圧制御発振部210の出力信号の発信周波数を変化させることができる。
図3Bは、図2のLC共振器230の他の一実施形態を示す回路図である。
図3Bを参照すれば、LC共振器230は、高調波チューニングされたLC共振器を示す。LC共振器230は、第1共振回路、第2共振回路及び第3共振回路を備える。前記第1共振回路は図3Aのように構成される。前記第2共振回路は、少なくとも一つのインダクターL10及び少なくとも一つのキャパシタC10が並列連結され、前記第1共振回路の第1端と連結される。前記第3共振回路は、少なくとも一つのインダクターL20及び少なくとも一つのキャパシタC20が並列連結され、前記第1共振回路の第2端と連結される。
図3Bを参照すれば、LC共振器230は、高調波チューニングされたLC共振器を示す。LC共振器230は、第1共振回路、第2共振回路及び第3共振回路を備える。前記第1共振回路は図3Aのように構成される。前記第2共振回路は、少なくとも一つのインダクターL10及び少なくとも一つのキャパシタC10が並列連結され、前記第1共振回路の第1端と連結される。前記第3共振回路は、少なくとも一つのインダクターL20及び少なくとも一つのキャパシタC20が並列連結され、前記第1共振回路の第2端と連結される。
図4は、本発明の実施形態によるVCOの位相ノイズ制御方法のフローチャートである。
図2及び図4を参照してVCO 200の位相ノイズを制御する方法について説明する。電源電圧VDDを印加すれば、電圧制御発振部210は、電源電圧VDDに対応する発振周波数を持つ第1出力信号を生成する(S410ステップ)。増幅部250は、バイアス電圧Vbias、トランジスタP250,P255、抵抗R1,R2及びキャパシタC1,C2の値を調節して、前記それぞれの第1出力信号の伝達コンダクタンス成分を2次微分した値を増幅する(S420ステップ)。バイアス電圧Vbiasは、前記第1出力信号が一定の傾きで出合う部分の電圧であることが望ましい。すなわち、LC共振器230の両端で測定されるそれぞれの第1出力信号は逆の位相を持つので、バイアス電圧Vbiasは、正の傾きを持つ第1出力信号と負の傾きを持つ他の一つの第1出力信号とが出合う付近の電圧になる。一般的なVCOの場合、それぞれの出力電圧が一定の傾きで出合う部分の近くで位相ノイズが最も大きい。したがって、本発明のVCO 200は、前記位相ノイズの最も大きい部分の出力電圧の傾きを非常に大きくして、ほぼ矩形波に近い出力波形を出力することによって前記位相ノイズを除去するために、バイアス電圧Vbiasを前記のように設定する。
図2及び図4を参照してVCO 200の位相ノイズを制御する方法について説明する。電源電圧VDDを印加すれば、電圧制御発振部210は、電源電圧VDDに対応する発振周波数を持つ第1出力信号を生成する(S410ステップ)。増幅部250は、バイアス電圧Vbias、トランジスタP250,P255、抵抗R1,R2及びキャパシタC1,C2の値を調節して、前記それぞれの第1出力信号の伝達コンダクタンス成分を2次微分した値を増幅する(S420ステップ)。バイアス電圧Vbiasは、前記第1出力信号が一定の傾きで出合う部分の電圧であることが望ましい。すなわち、LC共振器230の両端で測定されるそれぞれの第1出力信号は逆の位相を持つので、バイアス電圧Vbiasは、正の傾きを持つ第1出力信号と負の傾きを持つ他の一つの第1出力信号とが出合う付近の電圧になる。一般的なVCOの場合、それぞれの出力電圧が一定の傾きで出合う部分の近くで位相ノイズが最も大きい。したがって、本発明のVCO 200は、前記位相ノイズの最も大きい部分の出力電圧の傾きを非常に大きくして、ほぼ矩形波に近い出力波形を出力することによって前記位相ノイズを除去するために、バイアス電圧Vbiasを前記のように設定する。
前記伝達コンダクタンス成分は、第1差動増幅器220及び第2差動増幅器240のトランジスタP220,P225,N240,N245のうち、ターンオンされているトランジスタの伝達コンダクタンス成分を合せた値である。例えば、第1差動増幅器220でPMOSトランジスタP220がターンオンされており、第2差動増幅器240でNMOSトランジスタN245がターンオンされていると仮定する。この場合、伝達コンダクタンス成分は、PMOSトランジスタP220の伝達コンダクタンス成分及びNMOSトランジスタN245の伝達コンダクタンス成分を合わせた値になる。増幅部250は、前記伝達コンダクタンス成分をn(nは自然数)次微分した値を増幅する。ここで、nは2であることが望ましい。
数式(1)は、FET(Field Effect Transistor)がサチュレーション領域で動作する場合、動作バイアス近くでの冪級数(power series)を表す。
id(vgs)=gm1*vgs+gm2*vgs 2+gm3*vgs 3+・・・ (1)
id(vgs)=gm1*vgs+gm2*vgs 2+gm3*vgs 3+・・・ (1)
数式(1)で、idは、前記トランジスタのドレインとソースとの間に流れる電流であり、vgsは、ゲートとソースとの間の電圧である。gm1が前述したトランジスタの伝達コンダクタンスであり、gm2とgm3とはそれぞれ入力に対する2次及び3次非線形係数を表す。本発明で前記伝達コンダクタンスgm1を2次微分した値はgm3であり、増幅部250はgm3を増幅する。
すなわち、増幅部250が前記伝達コンダクタンス成分を2次微分した値gm3を増幅することによって、VCO 200は、前記それぞれの第1出力信号の奇数次高調波を増加させて、矩形波と類似した波形の第2出力信号を出力端Vo+,Vo−を介して出力する(S430ステップ)。矩形波と類似した信号とは、それぞれの出力端Vo+,Vo−を介して出力されるそれぞれの出力信号の傾きが非常に大きいということを意味する。したがって、前述したように位相ノイズをさらに効果的に除去できる。
すなわち、増幅部250が前記伝達コンダクタンス成分を2次微分した値gm3を増幅することによって、VCO 200は、前記それぞれの第1出力信号の奇数次高調波を増加させて、矩形波と類似した波形の第2出力信号を出力端Vo+,Vo−を介して出力する(S430ステップ)。矩形波と類似した信号とは、それぞれの出力端Vo+,Vo−を介して出力されるそれぞれの出力信号の傾きが非常に大きいということを意味する。したがって、前述したように位相ノイズをさらに効果的に除去できる。
図5は、図2の増幅部250によって伝達コンダクタンス成分を2次微分した値gm3が増幅される態様を示すグラフである。
図2及び図5を参照すれば、本発明の増幅部250が動作しない場合がA曲線であり、増幅部250が動作する場合がB曲線である。すなわち、増幅部250でバイアス電圧Vbiasを調節して、前記それぞれの第1出力信号の伝達コンダクタンス成分を2次微分した値gm3を正の領域及び負の領域のいずれでも増幅させている。その結果、図6BのようなVCO 200の第2出力信号が現われるようになる。
図2及び図5を参照すれば、本発明の増幅部250が動作しない場合がA曲線であり、増幅部250が動作する場合がB曲線である。すなわち、増幅部250でバイアス電圧Vbiasを調節して、前記それぞれの第1出力信号の伝達コンダクタンス成分を2次微分した値gm3を正の領域及び負の領域のいずれでも増幅させている。その結果、図6BのようなVCO 200の第2出力信号が現われるようになる。
図6Aは、従来技術によるVCOの出力信号の波形を示すグラフであり、図6Bは、図2のVCO 200の出力信号の波形を示すグラフである。
図6A及び図6Bを参照すれば、VCOの出力端Vo+,Vo−を介して出力される従来の出力信号は、サイン波と類似した形態の波形であるということが分かる。しかし、本発明の実施形態によるVCO 200の出力端Vo+,Vo−を介して出力される第2出力信号は、矩形波と類似した形態の波形である。すなわち、本発明による場合、従来に比べてVCOの出力信号の傾きが非常に大きいために、VCOの出力信号の位相ノイズを効率的に減少させることができる。
図6A及び図6Bを参照すれば、VCOの出力端Vo+,Vo−を介して出力される従来の出力信号は、サイン波と類似した形態の波形であるということが分かる。しかし、本発明の実施形態によるVCO 200の出力端Vo+,Vo−を介して出力される第2出力信号は、矩形波と類似した形態の波形である。すなわち、本発明による場合、従来に比べてVCOの出力信号の傾きが非常に大きいために、VCOの出力信号の位相ノイズを効率的に減少させることができる。
図7は、従来技術及び本発明における位相ノイズの程度を比較したグラフである。
図7を参照すれば、図1のVCO 100のうち、LC共振器150が図3Aのように構成された場合がAであり、図1のVCO 100のうち、LC共振器150が図3Bのように構成された場合がBである。そしてCが、本発明の実施形態による図2のVCO 200の場合の位相ノイズを示すグラフである。前記グラフを比較すれば、従来のVCO 100のうち、LC共振器150を図3Bのように構成した場合であるBは、Aに比べて位相ノイズが若干改善されたことが分かる。しかし、本発明の実施形態によるCグラフは、従来技術であるA及びBに比べてはるかに位相ノイズが改善されたことが分かる。
図7を参照すれば、図1のVCO 100のうち、LC共振器150が図3Aのように構成された場合がAであり、図1のVCO 100のうち、LC共振器150が図3Bのように構成された場合がBである。そしてCが、本発明の実施形態による図2のVCO 200の場合の位相ノイズを示すグラフである。前記グラフを比較すれば、従来のVCO 100のうち、LC共振器150を図3Bのように構成した場合であるBは、Aに比べて位相ノイズが若干改善されたことが分かる。しかし、本発明の実施形態によるCグラフは、従来技術であるA及びBに比べてはるかに位相ノイズが改善されたことが分かる。
以上のように図面と明細書で最適の実施形態が開示された。ここで特定の用語が使われたが、これは単に本発明を説明するための目的で使われたものであり、意味限定や特許請求の範囲に記載された本発明の範囲を制限するために使われたものではない。したがって、当業者ならば、これより多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想により定められねばならない。
本発明は移動通信関連の技術分野に好適に用いられる。
200 VCO
210 電圧制御発振部
220 第1差動増幅器
230 LC共振器
240 第2差動増幅器
250 増幅部
N240、N245、P220、P225、P250、P255 トランジスタ
210 電圧制御発振部
220 第1差動増幅器
230 LC共振器
240 第2差動増幅器
250 増幅部
N240、N245、P220、P225、P250、P255 トランジスタ
Claims (20)
- 電源電圧に対応する発振周波数を持つ第1出力信号を生成する電圧制御発振部と、
前記それぞれの第1出力信号の伝達コンダクタンス成分をn(nは自然数)次微分した値を増幅する増幅部と、を備え、
前記電圧制御発振部の出力端及び前記増幅部の出力端は連結されており、前記それぞれの出力端に、前記それぞれの第1出力信号が増幅された第2出力信号が出力されることを特徴とする電圧制御発振器。 - 前記増幅部は、
前記それぞれの第1出力信号の伝達コンダクタンス成分を2次微分した値を増幅することを特徴とする請求項1に記載の電圧制御発振器。 - 前記増幅部は、
バイアス電圧が印加され、かつ前記バイアス電圧を調節して前記それぞれの第1出力信号の伝達コンダクタンス成分をn(nは自然数)次微分した値を増幅することを特徴とする請求項1に記載の電圧制御発振器。 - 前記バイアス電圧は、
前記第1出力信号が一定の傾きで出合う部分の電圧であることを特徴とする請求項3に記載の電圧制御発振器。 - 前記増幅部は、
第1抵抗及び第1キャパシタがゲートに連結され、前記電源電圧が第1端に連結され、かつ第2キャパシタ及び前記電圧制御発振器の第1出力端が第2端に連結される第1トランジスタと、
第2抵抗及び前記第2キャパシタの他端がゲートに連結され、前記電源電圧が第1端に連結され、前記第1キャパシタの他端及び前記電圧制御発振器の第2出力端が第2端に連結される第2トランジスタと、を備え、
前記第1抵抗の他端、前記第2抵抗の他端及びバイアス電圧が連結されることを特徴とする請求項1に記載の電圧制御発振器。 - 前記第1トランジスタ及び第2トランジスタは、
PMOSトランジスタであることを特徴とする請求項5に記載の電圧制御発振器。 - 前記電圧制御発振部は、
前記電源電圧に第1端が連結される第1差動増幅器と、
接地電圧に第1端が連結される第2差動増幅器と、
前記第1差動増幅器の第2端及び第2差動増幅器の第2端に連結されるLC共振器と、を備え、
前記LC共振器の両端は前記増幅部と連結されることを特徴とする請求項1に記載の電圧制御発振器。 - 前記LC共振器は、
2つの直列連結されたバラクターダイオードとインダクターとが並列に連結される第1共振回路を備えることを特徴とする請求項7に記載の電圧制御発振器。 - 前記LC共振器は、
少なくとも一つのインダクター及び少なくとも一つのキャパシタが並列連結され、かつ前記第1共振回路の第1端に連結される第2共振回路と、
少なくとも一つのインダクター及び少なくとも一つのキャパシタが並列連結され、かつ前記第1共振回路の第2端に連結される第3共振回路と、をさらに備えることを特徴とする請求項8に記載の電圧制御発振器。 - 前記第1差動増幅器及び第2差動増幅器は、
2つのトランジスタがクロスカップルされたラッチ回路であることを特徴とする請求項7に記載の電圧制御発振器。 - 前記伝達コンダクタンスは、
前記第1差動増幅器及び第2差動増幅器のトランジスタのうち、ターンオンされているトランジスタの伝達コンダクタンス成分の和であることを特徴とする請求項7に記載の電圧制御発振器。 - 電源電圧に対応する発振周波数を持つ第1出力信号を生成するステップと、
前記それぞれの第1出力信号の伝達コンダクタンス成分をn(nは自然数)次微分した値を増幅するステップと、
前記それぞれの第1出力信号が増幅された第2出力信号を出力するステップと、を含むことを特徴とする電圧制御発振器の位相ノイズ改善方法。 - 前記増幅するステップは、
前記それぞれの第1出力信号の伝達コンダクタンス成分を2次微分した値を増幅するステップであることを特徴とする請求項12に記載の電圧制御発振器の位相ノイズ改善方法。 - 前記増幅するステップは、
バイアス電圧を印加するステップと、
前記バイアス電圧を調節して、前記それぞれの第1出力信号の伝達コンダクタンス成分をn(nは自然数)次微分した値を増幅するステップと、を含むことを特徴とする請求項12に記載の電圧制御発振器の位相ノイズ改善方法。 - 前記バイアス電圧は、
前記第1出力信号が一定の傾きを持って出合う部分の電圧であることを特徴とする請求項14に記載の電圧制御発振器の位相ノイズ改善方法。 - 前記伝達コンダクタンスは、
前記第1出力信号を生成するステップに関与する前記電圧制御発振器のトランジスタのうち、ターンオンされているトランジスタの伝達コンダクタンス成分の和であることを特徴とする請求項12に記載の電圧制御発振器の位相ノイズ改善方法。 - 電源電圧に対応する発振周波数を持つ第1出力信号を生成するステップと、
微分値を得るために前記第1出力信号の伝達コンダクタンス成分を2次微分するステップと、
前記微分値を増幅するステップと、
前記第1出力信号に応答して前記増幅された微分値を含む第2出力信号を出力するステップと、を含むことを特徴とする位相ノイズ改善方法。 - 前記第2出力信号は、
前記第1出力信号より傾きが大きいことを特徴とする請求項17に記載の位相ノイズ改善方法。 - 前記第2出力信号は、
矩形波と類似した波形であることを特徴とする請求項18に記載の位相ノイズ改善方法。 - 前記微分値を増幅するステップは、
バイアス電圧を調節して前記微分値を増幅するステップであることを特徴とする請求項19に記載の位相ノイズ改善方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070002174A KR100843225B1 (ko) | 2007-01-08 | 2007-01-08 | 위상 잡음을 제어하는 전압 제어 발진기 및 그 이용 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008172791A true JP2008172791A (ja) | 2008-07-24 |
Family
ID=39593760
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008001458A Pending JP2008172791A (ja) | 2007-01-08 | 2008-01-08 | 位相ノイズを制御する電圧制御発振器及びその利用方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7755440B2 (ja) |
JP (1) | JP2008172791A (ja) |
KR (1) | KR100843225B1 (ja) |
DE (1) | DE102008004283A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011130168A (ja) * | 2009-12-17 | 2011-06-30 | Renesas Electronics Corp | 電圧制御発振回路 |
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Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009284329A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置 |
US20110018646A1 (en) * | 2009-07-27 | 2011-01-27 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Lc voltage-controlled oscillator |
KR101007600B1 (ko) | 2010-09-10 | 2011-01-12 | 쓰리웨이테크놀러지(주) | 운동기구용 부하조절장치 |
KR102277900B1 (ko) * | 2014-11-13 | 2021-07-15 | 삼성전자주식회사 | 3차원 이미지 센서 모듈을 포함하는 전자 장치 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002023711A1 (en) | 2000-09-12 | 2002-03-21 | Fusion Lighting, Inc. | Power oscillator |
JP2002118445A (ja) | 2000-10-11 | 2002-04-19 | Denso Corp | 発振回路 |
DE10056943C1 (de) * | 2000-11-17 | 2002-04-11 | Infineon Technologies Ag | Oszillatorschaltung |
US20020145481A1 (en) * | 2001-02-27 | 2002-10-10 | Murgulescu Mihai Horia | Method and apparatus to electronically enhance the tank quality factor of tank circuits and oscillators having tank circuits |
FR2840131B1 (fr) | 2002-05-24 | 2005-04-01 | St Microelectronics Sa | Dispositif de controle d'amplitude pour oscillateur electrique et oscillateur electrique comprenant un tel dispositif |
JP2004023570A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 平衡型発振器およびそれを用いた電子装置 |
JP4246971B2 (ja) | 2002-07-15 | 2009-04-02 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体メモリ |
WO2004027978A1 (en) * | 2002-09-20 | 2004-04-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Lc oscillator |
US6765448B2 (en) | 2002-10-30 | 2004-07-20 | Qualcomm Incorporated | Self-biased VCO |
EP1496609A1 (en) * | 2003-07-07 | 2005-01-12 | Dialog Semiconductor GmbH | Enhanced architectures of voltage-controlled oscillators with single inductors (VCO-1L) |
KR100489415B1 (ko) | 2003-10-09 | 2005-05-16 | 한국과학기술원 | 트랜스포머와 핀치오프 클리핑을 이용한 4 위상 lc공진 전압 제어 푸쉬-푸쉬 발진기 |
US7034623B2 (en) | 2003-12-05 | 2006-04-25 | Intel Corporation | Voltage controlled oscillator apparatus, method, and system |
KR100572128B1 (ko) | 2004-08-30 | 2006-04-18 | (주)에프씨아이 | 엘씨 공진기를 이용한 전압제어발진기 |
JP2006229266A (ja) * | 2005-02-15 | 2006-08-31 | Renesas Technology Corp | 電圧制御発振器およびrf−ic |
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-
2007
- 2007-01-08 KR KR1020070002174A patent/KR100843225B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-01-08 US US11/970,643 patent/US7755440B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-01-08 DE DE102008004283A patent/DE102008004283A1/de not_active Withdrawn
- 2008-01-08 JP JP2008001458A patent/JP2008172791A/ja active Pending
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JP2012521668A (ja) * | 2009-03-18 | 2012-09-13 | クゥアルコム・インコーポレイテッド | 変圧器をベースとしたcmos発振器 |
US8736392B2 (en) | 2009-03-18 | 2014-05-27 | Qualcomm Incorporated | Transformer-based CMOS oscillators |
JP2015164312A (ja) * | 2009-03-18 | 2015-09-10 | クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated | 変圧器をベースとしたcmos発振器 |
US9461652B2 (en) | 2009-03-18 | 2016-10-04 | Qualcomm Incorporated | Transformer-based CMOS oscillators |
JP2011130168A (ja) * | 2009-12-17 | 2011-06-30 | Renesas Electronics Corp | 電圧制御発振回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080164954A1 (en) | 2008-07-10 |
US7755440B2 (en) | 2010-07-13 |
KR100843225B1 (ko) | 2008-07-02 |
DE102008004283A1 (de) | 2008-08-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101228 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A02 | Decision of refusal |
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