KR101073106B1 - 차동 발진장치 및 차동 발진장치를 포함하는 무선 통신 장치 - Google Patents

차동 발진장치 및 차동 발진장치를 포함하는 무선 통신 장치 Download PDF

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Abstract

차동 인덕턴스-캐패시턴스(Inductance-Capacitance, LC) 발진장치가 제공된다. 본 발명의 한 실시예에 따른 차동 LC 발진장치는 소정의 오실레이션 주파수를 가지는 발진 신호를 생성하는 발진부, 상기 발진부와 연결되고, 상기 발진 신호를 증폭하는 제1 트랜지스터와 제2 트랜지스터를 포함하는 차동 증폭부, 상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터에 연결되고, 소스 디제너레이션으로 동작하는 제1 병렬 트랜지스터 쌍과 제2 병렬 트랜지스터 쌍을 포함하는 디제너레이션 트랜지스터부, 그리고 상기 디제너레이션 트랜지스터부에 연결되고, 바이어스 전류를 제공하는 바이어스 소스를 포함한다.

Description

차동 발진장치 및 차동 발진장치를 포함하는 무선 통신 장치{DIFFERENTIAL OSCILLATOR AND WIRELESS COMMUNICAION APPARATUS COMPRISING DIFFERNTIAL OSCILLATOR}
본 발명은 차동 발진장치 및 이를 포함하는 무선 통신 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 교차 연결된(Cross-Connected) 차동 인덕턴스-캐패시턴스(Inductance-Capacitance, LC) 발진장치에 관한 것이다.
교차-연결된(Cross-connected) 차동 LC 발진장치는 동일한 크기를 가지나 180도의 위상 지연이 있는 두 가지 주파수 신호를 생성한다. 차동 LC 발진장치는 CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) 공정에 의해 단일 칩 상에서 생산되는 무선 주파수(Radio Frequency) 송수신기에 적용될 수 있다. 이러한 차동 LC 발진장치의 성능은 위상 잡음에 의하여 결정된다.
교차 연결된 차동 LC 발진장치의 위상 잡음 성능은 상향-변환된(up-converted) 플리커(flicker) 잡음에 의하여 좌우될 수 있다. 상향-변환된 플리커 잡음은 저주파수 잡음이 캐리어에 가까운 주파수에 혼합된 형태의 잡음을 의미한다. 일반적으로, 스케일 다운된 CMOS 공정은 전도 물질의 타입에 따른 영역들 사이의 플리커 잡음을 구별하는 높은 코너(corner) 주파수를 사용한다. 이에 따라, CMOS 공정의 스케일 다운이 커질수록 상향-변환된 플리커 잡음의 영향은 심각해진다.
상향 변환된 플리커 잡음의 일 예는 AM-PM 변환(amplitude variation-phase deviation) 잡음이다. AM-PM 변환 잡음은 차동 LC 발진장치의 비선형성으로 인하여 나타나는 교차 연결된 트랜지스터의 출력 전압과 전류 사이의 위상 변이(phase shift)이다. AM-PM 변환 잡음은 차동 LC 발진장치의 열화(degeneration)를 야기한다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 낮은 위상 잡음을 가지는 차동 LC 발진장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 양태에 따른 차동 인덕턴스-캐패시턴스(Inductance-Capacitance, LC) 발진장치는 소정의 오실레이션 주파수를 가지는 발진 신호를 생성하는 발진부, 상기 발진부와 연결되고, 상기 발진 신호를 증폭하는 제1 트랜지스터와 제2 트랜지스터를 포함하는 차동 증폭부, 상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터에 연결되고, 소스 디제너레이션으로 동작하는 제1 병렬 트랜지스터 쌍과 제2 병렬 트랜지스터 쌍을 포함하는 디제너레이션 트랜지스터부, 그리고 상기 디제너레이션 트랜지스터부에 연결되고, 바이어스 전류를 제공하는 바이어스 소스를 포함한다.
본 발명의 일 양태에 따른 무선 통신 시스템은 무선 신호를 송수신하는 RF(Radio Fraquency) 장치, 그리고 상기 RF 장치에 의하여 신호를 수신하거나 송신하기 위하여 발진 신호를 생성하는 차동 LC 발진장치를 포함하고, 상기 차동 LC 발진장치는 소정의 오실레이션 주파수를 가지는 발진 신호를 생성하는 발진부, 상기 발진부와 연결되고, 상기 발진 신호를 증폭하는 제1 트랜지스터와 제2 트랜지스터를 포함하는 차동 증폭부, 상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터에 연결되고, 소스 디제너레이션으로 동작하는 제1 병렬 트랜지스터 쌍과 제2 병렬 트랜지스터 쌍을 포함하는 디제너레이션 트랜지스터부, 그리고 상기 디제너레이션 트랜지스터부에 연결되고, 바이어스 전류를 제공하는 바이어스 소스를 포함한다.
본 발명의 한 실시예에 따르면, 양호한 위상 잡음 성능을 가지는 차동 LC 발진장치가 제공될 수 있다. 특히, 차동 LC 발진장치는 바이어스 전류의 비선형 성분을 억제하여 AM-PM 변환 잡음을 줄이고, 위상 잡음을 개선할 수 있다.
도 1은 차동 LC 발진장치의 일 예를 나타내는 회로도이다.
도 2는 차동 LC 발진장치의 차동 증폭부를 3차 비선형 전류로 모델링한 회로도이다.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 차동 LC 발진장치를 나타내는 회로도이다.
도 4는 차동 LC 발진장치의 차동 증폭부와 디제너레이션 트랜지스터부를 모델링한 회로도이다.
도 5와 도 6은 종래의 차동 LC 발진장치와 본 발명의 한 실시예에 따른 차동 LC 발진장치의 등가 트랜스컨덕턴스(G1, G3)를 비교하는 그래프이다.
도 7은 본 발명의 한 실시예에 따른 차동 LC 발진장치의 폭 비율에 대한 발진 진폭을 나타내는 그래프이다.
도 8은 종래의 차동 LC 발진장치와 본 발명의 한 실시예에 따른 차동 LC 발진장치의 주파수 오프셋에 대한 위상 잡음 성능을 나타낸다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
도 1은 차동 LC 발진장치의 일 예를 나타내는 회로도이고, 도 2는 차동 LC 발진장치의 차동 증폭부를 3차 비선형 전류로 모델링한 회로도이다.
도 1을 참고하면, 차동 LC 발진장치(100)는 소정의 오실레이션 주파수를 가지는 발진 신호를 생성하는 발진부(110), 발진부(110)에 의하여 생성된 발진 신호를 증폭하는 차동 증폭부(120) 및 바이어스 소스(130)를 포함한다.
발진부(110)는 인덕터(L1, L2)와 캐패시터(C)를 포함한다. 인덕터(L1)는 전원(Vdd)과 노드(N1) 사이에 연결되고, 인덕터(L2)는 전원(Vdd)과 노드(N2) 사이에 연결된다. 캐패시터(C)는 노드(N1)와 노드(N2) 사이에 연결된다.
차동 증폭부(120)는 노드(N1, N2)를 통하여 발진부(110)와 연결된다. 차동 증폭부(120)는 교차 연결된 트랜지스터(M1, M2)를 포함한다. 트랜지스터(M1)의 드레인 단자는 노드(N1)와 연결되고, 트랜지스터(M2)의 드레인 단자는 노드(N2)와 연결된다. 그리고, 트랜지스터(M1)의 게이트 단자는 트랜지스터(M2)의 드레인 단자와 연결되고, 트랜지스터(M2)의 게이트 단자는 트랜지스터(M1)의 드레인 단자와 연결된다.
바이어스 소스(130)는 바이어스 전류를 제공하고, 트랜지스터(M3)를 포함한다. 트랜지스터(M3)의 드레인 단자는 트랜지스터(M1)와 트랜지스터(M2)의 소스 단자와 연결된다. 트랜지스터(M3)의 게이트 단자는 바이어스 전압과 연결되고, 트랜지스터(M3)의 소스 단자는 접지에 연결되어 있다.
차동 증폭부(120)는 발진부(110)의 손실을 보상하기 위하여 사인파 전류를 제공한다. FET(Field-Effect Transister) 트랜지스터의 비선형성으로 인하여, 차동 증폭부(120)에 의하여 생성되는 사인파 전류는 사각파(square-wave)와 유사하고 고조파(harmonics)가 많다. 차동 증폭부(120)는 바이어스 소스(130)에 의하여 제공되는 바이어스 전류에 고조파를 더한다.
차동 증폭부(120)의 3차 비선형 전류를 모델링한 도 2를 참고하면, 3차 비선형 전류는 아래 수학식 1과 같이 나타낼 수 있다.
Figure 112010076927736-pat00001
여기서, Io는 바이어스 전류이고, V1은 발진신호의 진폭이고, g1은 트랜스컨덕턴스(trans-conductance)이고, g3은 g1의 3차 비선형 성분이다. 정류 상태(steady-state) 동안, 1차 전류(fundamental current, g1V1)는 음의 저항으로 흘러 발진부(110)의 손실을 보상한다. 3차 전류(g3V1 3)는 가장 낮은 임피던스 경로로 흐르며 4차 전압을 생성한다. 이때, 고조파가 1차 전류와 더해지고, 1차 전류에 대하여 4차 전류를 생성한다. 4차 전류는 차동 증폭부(120)의 출력 전압과 전류 사이의 위상 변이를 발생시킨다. 위상 변이는 아래 수학식 2와 같이 나타낼 수 있다.
Figure 112010076927736-pat00002
여기서, V1은 발진신호의 진폭이고, g1은 트랜스컨덕턴스(trans-conductance)이고, g3은 g1의 3차 비선형 성분이고, V3Q는 출력 전압의 3차 비선형 성분의 진폭이다. 수학식 2를 참고하면, 위상 변이를 줄이기 위하여 3차 비선형 성분인 g3가 최소화되어야 한다.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 차동 LC 발진장치를 나타내는 회로도이고, 도 4는 차동 LC 발진장치의 차동 증폭부와 디제너레이션 트랜지스터부를 모델링한 회로도이다.
도 3을 참고하면, 차동 LC 발진장치(300)는 소정의 오실레이션 주파수를 가지는 발진 신호를 생성하는 발진부(310), 발진부(310)에 의하여 생성된 발진 신호를 증폭하는 차동 증폭부(320), 디제너레이션 트랜지스터부(330) 및 바이어스 소스(340)를 포함한다.
발진부(310)는 인덕터(L1, L2)와 캐패시터(C)를 포함한다. 인덕터(L1)는 전원(Vdd)과 노드(N1) 사이에 연결되고, 인덕터(L2)는 전원(Vdd)과 노드(N2) 사이에 연결된다. 캐패시터(C)는 노드(N1)와 노드(N2) 사이에 연결된다.
차동 증폭부(320) 노드(N1, N2)를 통하여 발진부(310)와 연결된다. 차동 증폭부(320)는 교차 연결된 트랜지스터(M1, M2)를 포함한다. 트랜지스터(M1)의 드레인 단자는 노드(N1)와 연결되고, 트랜지스터(M2)의 드레인 단자는 노드(N2)와 연결된다. 그리고, 트랜지스터(M1)의 게이트 단자는 트랜지스터(M2)의 드레인 단자와 연결되고, 트랜지스터(M2)의 게이트 단자는 트랜지스터(M1)의 드레인 단자와 연결된다.
디제너레이션 트랜지스터부(330)는 병렬 트랜지스터 쌍(M4 ,5, M6 ,7)을 포함한다. 각 병렬 트랜지스터(M4 ,5, M6 ,7)는 병렬 연결된 두 개의 트랜지스터를 포함한다. 병렬 트랜지스터(M4 ,5)에 포함되는 두 개의 트랜지스터(M4, M5)의 드레인 단자는 차동 증폭부(320)의 트랜지스터(M1)의 소스 단자와 연결된다. 병렬 트랜지스터(M6 ,7)에 포함되는 두 개의 트랜지스터(M6, M7)의 드레인 단자는 차동 증폭부(320)의 트랜지스터(M2)의 소스 단자와 연결된다. 병렬 트랜지스터(M4 ,5)에 포함되는 트랜지스터(M4)의 게이트 단자는 차동 증폭부(320)의 트랜지스터(M1)의 드레인 단자와 연결되고, 트랜지스터(M5)의 게이트 단자는 차동 증폭부(320)의 트랜지스터(M1)의 게이트 단자와 연결된다. 병렬 트랜지스터(M6 ,7)에 포함되는 트랜지스터(M7)의 게이트 단자는 차동 증폭부(320)의 트랜지스터(M2)의 드레인 단자와 연결되고, 트랜지스터(M6)의 게이트 단자는 차동 증폭부(320)의 트랜지스터(M2)의 게이트 단자와 연결된다.
바이어스 소스(340)는 바이어스 전류를 제공하고, 트랜지스터(M3)를 포함한다. 트랜지스터(M3)의 드레인 단자는 병렬 트랜지스터 쌍(M4 ,5, M6 ,7)에 포함되는 각 트랜지스터의 소스 단자와 연결된다. 트랜지스터(M3)의 게이트 단자는 바이어스 전압과 연결되고, 트랜지스터(M3)의 소스 단자는 접지에 연결되어 있다.
이와 같은 구조로 인하여, 디제너레이션 트랜지스터(330)에서 병렬 트랜지스터 쌍(M4 ,5, M6 ,7)의 게이트 전압은 두 개의 트랜지스터가 교대로 트리오드(triod) 모드로 동작하도록 한다. 즉, 트랜지스터(M4)의 게이트 전압이 Vo-이면, 트랜지스터(M5)의 게이트 전압이 Vo+이다. 그리고 트랜지스터(M6)의 게이트 전압이 Vo-이면, 트랜지스터(M7)의 게이트 전압이 Vo+이다. 이러한 차동 게이트 전압으로 인하여, 병렬 트랜지스터 쌍 중 하나의 트랜지스터가 트리오드 모드로 동작하면 다른 트랜지스터는 포화 모드로 동작한다. 이에 따라, 각 도 4와 같이, 각 병렬 트랜지스터 쌍(M4 ,5, M6 ,7)은 차동 게이트 전압에 따라 가변하는 선형 저항(1/gm)으로 동작한다. 차동 증폭부(320)와 디제너레이션 트랜지스터부(330)는 등가의 트랜스컨덕턴스(Gm)의 선형 영역을 개선하는 MOS 소스 디제너레이션 차동 쌍의 기능을 할 수 있다.
도 5와 도 6은 종래의 차동 LC 발진장치와 본 발명의 한 실시예에 따른 차동 LC 발진장치의 등가 트랜스컨덕턴스(G1, G3)를 비교하는 그래프이다.
도 5 및 도 6을 참고하면, 종래의 차동 LC 발진장치의 등가 트랜스컨덕턴스(G1) 값은 선형 영역이 거의 나타나지 않지만, 본 발명의 한 실시예에 따른 차동 LC 발진장치의 등가 트랜스컨덕턴스(G1) 값은 대부분의 영역이 선형 영역이다.
이에 따라, 종래의 차동 LC 발진장치의 등가 트랜스컨덕턴스(G3) 값은 0의 값을 가질 수 없으나, 본 발명의 한 실시예에 따른 차동 LC 발진장치의 등가 트랜스컨덕턴스(G3) 값은 0의 값에 가깝게 나타나는 것을 알 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 한 실시예에 따라 차동 증폭부에 병렬 트랜지스터 쌍을 연결하면, 위상 변이를 줄여 차동 LC 발진장치의 열화를 최소화할 수 있다.
한편, 본 발명의 한 실시예에 따른 차동 LC 발진장치가 최적의 선형성을 나타내기 위하여, 아래 수학식 3과 같이 선형 계수가 설정될 수 있다.
Figure 112010076927736-pat00003
여기서, Gmain은 차동 증폭부의 트랜스컨덕턴스이고, Gres는 디제너레이션 트랜지스터부의 트랜스컨덕턴스이다.
일반적으로, 트랜스컨덕턴스는 트랜지스터의 사이즈 비(W/L)에 비례한다. 따라서, 차동 LC 발진장치가 최적의 선형성을 나타내는 선형 계수를 가지도록 트랜지스터의 폭 비율(Width Ratio)를 조정할 수 있다.
도 7은 본 발명의 한 실시예에 따른 차동 LC 발진장치의 폭 비율에 대한 발진 진폭을 나타내는 그래프이다. 여기서, W1과 W2는 각 병렬 트랜지스터 쌍의 폭을 나타낸다.
도 7을 참고하면, W1/W2가 4/8일 때 최소 위상 잡음과 최대 오실레이션 세기(oscillation amplitude)를 나타낸다. 이와 같이, 각 병렬 트랜지스터 쌍의 폭 비율을 적절하게 설정하면, 등가 트랜스컨덕턴스의 3차 성분을 줄일 수 있다. 이에 따라, 차동 LC 발진장치의 위상 잡음 성능을 최소화할 수 있다.
도 8은 종래의 차동 LC 발진장치와 본 발명의 한 실시예에 따른 차동 LC 발진장치의 주파수 오프셋에 대한 위상 잡음 성능을 나타낸다.
도 8을 참고하면, 1V 전원, 3mA 전류 및 3.3GHz 오실레이션 주파수에서 시뮬레이션한 결과, 본 발명의 한 실시예에 다른 차동 LC 발진장치는 100kHz 오프셋에서 -102dBc/Hz의 위상 잡음 성능을 나타내고, 1MHz 오프셋에서 -124dBc/Hz의 위상 잡음 성능을 나타내며, 3MHz 오프셋에서 -134dBc/Hz의 위상 잡음 성능을 나타내는 것을 알 수 있다. 즉, 본 발명의 한 실시예에 따른 차동 LC 발진장치는 종래 차동 LC 발진장치에 비하여 약 7dBc/Hz의 위상 잡음 개선을 나타내는 것을 알 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명의 실시예는 장치 및 방법을 통해서만 구현이 되는 것은 아니며, 본 발명의 실시예의 구성에 대응하는 기능을 실현하는 프로그램 또는 그 프로그램이 기록된 기록 매체를 통해 구현될 수도 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

Claims (10)

  1. 차동 인덕턴스-캐패시턴스(Inductance-Capacitance, LC) 발진장치에 있어서,
    소정의 오실레이션 주파수를 가지는 발진 신호를 생성하는 발진부,
    상기 발진부와 연결되고, 상기 발진 신호를 증폭하는 제1 트랜지스터와 제2 트랜지스터를 포함하는 차동 증폭부,
    상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터에 연결되고, 소스 디제너레이션으로 동작하는 제1 병렬 트랜지스터 쌍과 제2 병렬 트랜지스터 쌍을 포함하는 디제너레이션 트랜지스터부, 그리고
    상기 디제너레이션 트랜지스터부에 연결되고, 바이어스 전류를 제공하는 바이어스 소스를 포함하고,
    상기 제1 병렬 트랜지스터 쌍은 병렬 연결된 제3 트랜지스터와 제4 트랜지스터를 포함하고, 상기 제2 병렬 트랜지스터 쌍은 병렬 연결된 제5 트랜지스터와 제6 트랜지스터를 포함하는 차동 LC 발진장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 발진부는 전원전압과 제1 노드 사이에 연결되는 제1 인덕터, 상기 전원전압과 제2 노드 사이에 연결되는 제2 인덕터, 상기 제1 노드와 상기 제2 노드 사이에 연결되는 캐패시터를 포함하는 차동 LC 발진장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 트랜지스터의 드레인 단자는 상기 제1 노드와 연결되고, 상기 제2 트랜지스터의 드레인 단자는 상기 제2 노드와 연결되며, 상기 제1 트랜지스터의 게이트 단자는 상기 제2 트랜지스터의 드레인 단자와 연결되고, 상기 제2 트랜지스터의 게이트 단자는 상기 제1 트랜지스터의 드레인 단자와 연결되는 차동 LC 발진장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제3 트랜지스터와 상기 제4 트랜지스터의 드레인 단자는 상기 제1 트랜지스터의 소스 단자와 연결되고, 상기 제5 트랜지스터와 상기 제6 트랜지스터의 드레인 단자는 상기 제2 트랜지스터의 소스 단자와 연결되며,
    상기 제3 트랜지스터의 게이트 단자는 상기 제1 트랜지스터의 드레인 단자와 연결되고, 상기 제4 트랜지스터의 게이트 단자는 상기 제1 트랜지스터의 게이트 단자와 연결되며,
    상기 제6 트랜지스터의 게이트 단자는 상기 제2 트랜지스터의 드레인 단자와 연결되고, 상기 제5 트랜지스터의 게이트 단자는 상기 제2 트랜지스터의 게이트 단자와 연결되는 차동 LC 발진장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 바이어스 소스는 제7 트랜지스터를 포함하고, 상기 제7 트랜지스터의 드레인 단자는 상기 제3 트랜지스터, 상기 제4 트랜지스터, 상기 제5 트랜지스터 및 상기 제6 트랜지스터의 소스 단자와 연결되며, 상기 제7 트랜지스터의 게이트 단자는 바이어스 전압과 연결되고, 상기 제7 트랜지스터의 소스 단자는 접지에 연결되는 차동 LC 발진장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 병렬 트랜지스터 쌍에 포함되는 제3 트랜지스터 및 상기 제4 트랜지스터는 교대로 트리오드(triode) 모드로 동작하고, 상기 제2 병렬 트랜지스터 쌍에 포함되는 제5 트랜지스터 및 제6 트랜지스터는 교대로 트리오드 모드로 동작하는 차동 LC 발진장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 병렬 트랜지스터 쌍의 폭과 상기 제2 병렬 트랜지스터 쌍의 폭은 소정 비율로 설정되는 차동 LC 발진장치.
  8. 무선 통신 시스템에 있어서,
    무선 신호를 송수신하는 RF(Radio Fraquency) 장치, 그리고
    상기 RF 장치에 의하여 신호를 수신하거나 송신하기 위하여 발진 신호를 생성하는 차동 LC 발진장치를 포함하고,
    상기 차동 LC 발진장치는
    소정의 오실레이션 주파수를 가지는 발진 신호를 생성하는 발진부,
    상기 발진부와 연결되고, 상기 발진 신호를 증폭하는 제1 트랜지스터와 제2 트랜지스터를 포함하는 차동 증폭부,
    상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터에 연결되고, 소스 디제너레이션으로 동작하는 제1 병렬 트랜지스터 쌍과 제2 병렬 트랜지스터 쌍을 포함하는 디제너레이션 트랜지스터부, 그리고
    상기 디제너레이션 트랜지스터부에 연결되고, 바이어스 전류를 제공하는 바이어스 소스를 포함하고,
    상기 제1 병렬 트랜지스터 쌍은 병렬 연결된 제3 트랜지스터와 제4 트랜지스터를 포함하고, 상기 제2 병렬 트랜지스터 쌍은 병렬 연결된 제5 트랜지스터와 제6 트랜지스터를 포함하는 무선 통신 시스템.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제3 트랜지스터 및 상기 제4 트랜지스터는 교대로 트리오드 모드로 동작하고, 상기 제5 트랜지스터 및 상기 제6 트랜지스터는 교대로 트리오드 모드로 동작하는 무선 통신 시스템.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제1 병렬 트랜지스터 쌍의 폭과 상기 제2 병렬 트랜지스터 쌍의 폭은 소정 비율로 설정되는 무선 통신 시스템.
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