CN106253851B - 可调谐正交振荡器 - Google Patents

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Abstract

本申请案涉及一种可调谐正交振荡器。可调谐正交振荡器包含具有输出的第一振荡器、具有输出的第二振荡器及可变增益放大器。所述可变增益放大器包含耦合到所述第二振荡器的所述输出的输入及以电感方式耦合到所述第一振荡器的所述输出的输出。

Description

可调谐正交振荡器
技术领域
本发明涉及振荡器，且特定来说涉及正交振荡器。
背景技术
正交振荡器用于多种应用(包含频率合成器、本机振荡器、时钟产生器及接收器)中。正交振荡器可产生两个或两个以上具有共用频率且相对于彼此相移90度的周期性输出信号。特别是在高频率下设计可调谐正交振荡器可提出重大挑战。
发明内容
根据本发明的一些方面，一种装置包含第一振荡器、第二振荡器、第一耦合电路、第二耦合电路、第一可变增益放大器及第二可变增益放大器。所述第一振荡器具有第一输出及第二输出。所述第二振荡器具有第一输出及第二输出。
所述第一耦合电路具有：第一输入，其耦合到所述第二振荡器的所述第二输出；第二输入，其耦合到所述第二振荡器的所述第一输出；第一输出，其耦合到所述第一振荡器的所述第一输出；及第二输出，其耦合到所述第一振荡器的所述第二输出。所述第二耦合电路具有：第一输入，其耦合到所述第一振荡器的所述第一输出；第二输入，其耦合到所述第一振荡器的所述第二输出；第一输出，其耦合到所述第二振荡器的所述第一输出；及第二输出，其耦合到所述第二振荡器的所述第二输出。
所述第一可变增益放大器具有：第一输入，其耦合到所述第二振荡器的所述第二输出；第二输入，其耦合到所述第二振荡器的所述第一输出；第一输出，其以电感方式耦合到所述第一振荡器的所述第一输出；第二输出，其以电感方式耦合到所述第一振荡器的所述第二输出；及增益输入，其耦合到可调整频率调谐信号。
所述第二可变增益放大器具有：第一输入，其耦合到所述第一振荡器的所述第一输出；第二输入，其耦合到所述第一振荡器的所述第二输出；第一输出，其以电感方式耦合到所述第二振荡器的所述第一输出；第二输出，其以电感方式耦合到所述第二振荡器的所述第二输出；及增益输入，其耦合到所述可调整频率调谐信号。
根据本发明的额外方面，一种装置包含具有输出的第一振荡器。所述装置进一步包含具有输出的第二振荡器。所述装置进一步包含可变增益放大器，所述可变增益放大器具有耦合到所述第二振荡器的所述输出的输入及以电感方式耦合到所述第一振荡器的所述输出的输出。
根据本发明的额外方面，一种方法包含以基于可调整增益参数而确定的增益来放大第一振荡器的输出以产生经放大输出信号。所述方法进一步包含将所述经放大输出信号以电感方式耦合到第二振荡器的输出。
根据本发明的额外方面，一种装置包含经配置为以基于可调整增益参数而确定的增益来放大第一振荡器的输出以产生经放大输出信号的电路。所述电路进一步经配置以将所述经放大输出信号以电感方式耦合到第二振荡器的输出。
附图说明
图1是图解说明根据本发明的实例性正交振荡器的框图。
图2是图解说明可用于实施图1中所图解说明的正交振荡器的实例性正交振荡器的示意图。
图3是图解说明根据本发明的用于调谐正交振荡器的实例性技术的流程图。
图4是图解说明根据本发明的用于调谐正交振荡器的另一实例性技术的流程图。
具体实施方式
本发明描述用于调谐正交振荡器的技术。所述技术可包含用可变增益放大器来放大第一振荡器的输出信号，且将所述经放大输出信号以电感方式耦合到与所述第一振荡器成正交操作的第二振荡器的输出。在一些实例中，用于调谐正交振荡器的技术可允许以可调整频率调谐参数来调谐在相对高频率下操作的正交振荡器。
一些类型的正交振荡器可使用变容二极管来进行频率调谐。然而，在高频率下，足以在此类频率下操作的高质量变容二极管可能是不可用的、可能难以获得及/或可能实施起来是高成本的。在一些实例中，本发明中所描述的正交振荡器频率调谐技术可允许通过调整可变增益放大器的增益来调谐正交振荡器。以此方式，可在不需要使用变容二极管的情况下获得可调谐高频率正交振荡器。
将正交振荡器中的一个振荡器的经放大输出信号以电感方式耦合到所述正交振荡器中的另一振荡器的输出可相对于不包含此电感耦合的其它正交振荡器而减少所述正交振荡器的振荡频率与所述正交振荡器中的谐振电路的谐振频率的偏离量。减少振荡频率与谐振频率的偏离量可增加振荡器的质量因数，此又可减少振荡器的相位噪声。以此方式，可获得相对于其它正交振荡器具有相对低相位噪声的可调谐高频率正交振荡器。
图1是图解说明根据本发明的实例性正交振荡器10的框图。正交振荡器10包含同相振荡器12、正交相位振荡器14及可变增益放大器16、18。同相振荡器12包含电抗电路20、有源电路22及输出24。正交相位振荡器14包含电抗电路26、有源电路28及输出30。
可变增益放大器16包含耦合到同相振荡器12的输出24的输入及耦合到正交相位振荡器14的输出。在一些实例中，可变增益放大器16的输出可以电感方式耦合到正交相位振荡器14。在进一步实例中，可变增益放大器16的输出可耦合到及/或以电感方式耦合到正交相位振荡器14的电抗电路26。
可变增益放大器18包含耦合到正交相位振荡器14的输出30的输入及耦合到同相振荡器12的输出。在一些实例中，可变增益放大器18的输出可以电感方式耦合到同相振荡器12。在进一步实例中，可变增益放大器18的输出可耦合到及/或以电感方式耦合到同相振荡器12的电抗电路20。
电抗电路20在对应于同相振荡器12的输出24的节点处耦合到有源电路22。类似地，电抗电路26在对应于正交相位振荡器14的输出30的节点处耦合到有源电路28。
电抗电路20、26可各自包含一或多个电抗组件，例如，一或多个电感器及/或电容器。有源电路22、28可各自包含一或多个晶体管，例如，一或多个交叉耦合晶体管。
在操作期间，正交振荡器10可在输出24、30处产生至少两个具有相同频率且相对于彼此相移90度的周期性输出信号(I及Q)。相对于彼此相移90度的信号称为成正交。在一些实例中，所述周期性输出信号可为具有特定频率的正弦信号。
同相振荡器12可在输出24处产生一或多个同相输出信号，且正交相位振荡器14可在输出30处产生一或多个正交输出信号。如上文所论述，同相输出信号与正交输出信号可相对于彼此相移90度。当同相振荡器12及正交相位振荡器14产生相对于彼此相移90度的输出信号时，那时同相振荡器12与正交相位振荡器14称为成正交操作。
为了产生同相输出信号，同相振荡器12可包含交叉耦合振荡器。所述交叉耦合振荡器可包含经配置以在接近于正交振荡器10的可编程频率范围内的频率的频率下谐振的谐振电路。所述交叉耦合振荡器可包含至少两个交叉耦合放大器(例如，晶体管放大器及/或调谐放大器)，借此致使在特定频率下发生振荡。
交叉耦合放大器可以指一对放大器，其中第一放大器的输出耦合到第二放大器的输入，且第二放大器的输出耦合到第一放大器的输入。在其中放大器是单晶体管共源极放大器的情况下，交叉耦合放大器可以指其中第一晶体管的漏极(或集电极)耦合到第二晶体管的栅极(或基极)且第二晶体管的漏极(或集电极)耦合到第一晶体管的栅极(或基极)的情况。
调谐放大器可以指具有用于负载的谐振电路的放大器。在其中同相振荡器12包含调谐放大器的实例中，有源电路22可包含交叉耦合晶体管且电抗电路20可形成所述交叉耦合晶体管的谐振负载的全部或部分。在一些实例中，电抗电路20可包含一或多个LC槽电路(tank circuit)，所述LC槽电路形成有源电路22中所包含的交叉耦合晶体管的谐振负载。
在进一步实例中，电抗电路20可包含一或多个电抗组件，所述电抗组件结合与交叉耦合晶体管相关联的一或多个寄生电容可形成有源电路22中所包含的交叉耦合晶体管的谐振负载。举例来说，电抗电路20可包含电感器，所述电感器结合与交叉耦合晶体管相关联的一或多个寄生电容可形成有源电路22中所包含的交叉耦合晶体管的谐振负载。
交叉耦合放大器(例如，调谐放大器)可具有所述放大器将在无外部刺激的情况下谐振的谐振频率。然而，由可变增益放大器18及/或振荡器12、14之间的其它耦合电路提供的振荡器12、14之间的反馈可致使振荡频率偏离所述交叉耦合放大器的谐振频率。
正交相位振荡器14可包含与同相振荡器12所包含类似的组件且以与其类似的方式操作。在一些实例中，振荡器12、14两者的谐振频率可相同，且由来自另一振荡器的反馈导致的谐振频率的偏离量可相同，借此致使在输出24、30处产生的输出信号的频率相同。
振荡器12、14中的每一者的输出可以反相配置或非反相配置耦合到另一振荡器的输出。以反相配置耦合可以指用经布置以使输出反相(即，经布置以使输出的相位移位180度)的耦合电路来将振荡器12、14中的一者的输出耦合到另一者的输出。以非反相配置耦合可以指用经布置以不使输出反相(即，经布置以使输出的相位移位0度)的耦合电路来将振荡器12、14中的一者的输出耦合到另一者的输出。
为了致使振荡器12、14成正交操作，振荡器12、14的输出24、30可在一个方向上以反相配置且在另一方向上以非反相配置彼此耦合。举例来说，同相振荡器12的输出24可以非反相配置耦合到正交相位振荡器14的输出30，且正交相位振荡器14的输出30可以反相配置耦合到同相振荡器12的输出24。交替耦合配置可致使振荡器12、14的相位锁定成正交。此交替耦合可称为正交耦合。
如图1中所展示，可变增益放大器16可用于以反相或非反相配置将同相振荡器12的输出24耦合到正交相位振荡器14的输出30，且可变增益放大器18可用于以反相或非反相配置将正交相位振荡器14的输出30耦合到同相振荡器12的输出24。除可变增益放大器16、18外，还可使用其它耦合电路(图1中未展示，但在图2中展示)来将振荡器12、14彼此耦合。
当除可变增益放大器16、18外还使用其它耦合电路时，此耦合电路可具有对应于可变增益放大器16、18的配置的反相或非反相配置。举例来说，当可变增益放大器16经布置为以非反相配置将同相振荡器12的输出24耦合到正交相位振荡器14的输出30时且当可变增益放大器18经布置为以反相配置将正交相位振荡器14的输出30耦合到同相振荡器12的输出24时，额外耦合电路也可经布置为以非反相配置将同相振荡器12的输出24耦合到正交相位振荡器14的输出30且以反相配置将正交相位振荡器14的输出30耦合到同相振荡器12的输出24。
可变增益放大器16、18可各自包含耦合到频率调谐信号的可变增益输入。正交振荡器10可基于在可变增益放大器16、18的可变增益输入处接收的频率调谐信号而确定并调整在输出24、30处产生的周期性输出信号的频率。以此方式，可在不需要使用变容二极管的情况下获得可调谐高频率正交振荡器。
如上文所论述，可变增益放大器16的输出可以电感方式耦合到正交相位振荡器14的输出30，且可变增益放大器18的输出可以电感方式耦合到同相振荡器12的输出24。以此方式，可变增益放大器18、16的输出以电感方式耦合到振荡器12、14的输出24、30可相对于不包含此电感耦合的其它正交振荡器而减少正交振荡器10的振荡频率与正交振荡器10中的谐振电路的谐振频率的偏离量。减少振荡频率与谐振频率的偏离量可增加正交振荡器10的质量因数，此又可减少正交振荡器10的相位噪声。以此方式，可获得相对于其它正交振荡器具有相对低相位噪声的可调谐高频率正交振荡器10。
在一些实例中，输出24、30可为差分输出，且在输出24、30处产生的至少两个周期性信号可为差分周期性信号。在此类实例中，同相振荡器12可在输出24处产生第一输出信号及第二输出信号。所述第二输出信号可相对于所述第一输出信号相移180度。类似地，在其中输出24、30为差分输出的实例中，正交相位振荡器14可在输出30处产生第一输出信号及第二输出信号，且所述第二输出信号可相对于所述第一输出信号相移180度。
在此类实例中，由正交相位振荡器14产生的第一输出信号可相对于由同相振荡器12产生的第一输出信号相移90度。类似地，由正交相位振荡器14产生的第二输出信号可同样地相对于由同相振荡器12产生的第二输出信号相移90度。
在此类实例中，由同相振荡器12产生的第一及第二输出信号可分别称为0度信号及180度信号。类似地，由正交相位振荡器14产生的第一及第二输出信号可分别称为90度信号及270度信号。如此，在其中输出24、30为差分输出的实例中，正交振荡器10可称为产生四个周期性输出信号。
或者，由同相振荡器12产生的第一及第二输出信号可分别称为正极性输出信号及负极性输出信号。同样地，由正交相位振荡器14产生的第一及第二输出信号可分别称为正极性输出信号及负极性输出信号。
在其中输出24、30为差分输出的实例中，以反相配置将正交相位振荡器14的输出30耦合到同相振荡器12的输出24可涉及将输出30耦合到输出24使得极性是相反的。换句话说，此耦合可涉及将输出30耦合到输出24使得输出30的正极性输出信号耦合到输出24的负极性输出信号，且使得输出30的负极性输出信号耦合到输出24的正极性输出信号。
在此类实例中，以非反相配置将同相振荡器12的输出24耦合到正交相位振荡器14的输出30可涉及将输出24耦合到输出30使得极性并非相反的(即，相匹配)。换句话说，此耦合可涉及将输出24耦合到输出30使得输出24的正极性输出信号耦合到输出30的正极性输出信号，且使得输出24的负极性输出信号耦合到输出30的负极性输出信号。
在一些实例中，振荡器12、14中的每一者可为电压控制振荡器(VCO)。在进一步实例中，电抗电路20及电抗电路26可为槽电路。
图2是图解说明可用于实施图1中所图解说明的正交振荡器10的实例性正交振荡器40的示意图。正交振荡器40包含晶体管M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9、M11、M12、M13、M14、M15、M16、M17、M18、M19，电感器L1、L2、L3、L4、L5、L6、L7、L8，轨道42、44，偏置电流控制信号46、48、50、52，频率调谐信号54及输出56、58、60、62。
晶体管M1具有耦合到以下各项的源极端子：(1)晶体管M3的源极端子，(2)晶体管M2的源极端子，(3)晶体管M4的源极端子，(4)晶体管M5的漏极端子，及(5)晶体管M6的漏极端子。晶体管M1还具有耦合到以下各项的漏极端子：(1)晶体管M3的漏极端子，(2)晶体管M2的栅极端子，(3)输出56，及(4)电感器L2的第一端子。晶体管M1的漏极端子经由电感器L1、L2以电感方式耦合到晶体管M7的漏极端子。晶体管M1还具有耦合到以下各项的栅极端子：(1)晶体管M2的漏极端子，(2)晶体管M4的漏极端子，(3)输出58，及(4)电感器L3的第一端子。晶体管M1的栅极端子经由电感器L3、L4以电感方式耦合到晶体管M8的漏极端子。
晶体管M2具有耦合到以下各项的源极端子：(1)晶体管M3的源极端子，(2)晶体管M1的源极端子，(3)晶体管M4的源极端子，(4)晶体管M5的漏极端子，及(5)晶体管M6的漏极端子。晶体管M2还具有耦合到以下各项的漏极端子：(1)晶体管M4的漏极端子，(2)晶体管M1的栅极端子，(3)输出58，及(4)电感器L3的第一端子。晶体管M2的漏极端子经由电感器L3、L4以电感方式耦合到晶体管M8的漏极端子。晶体管M2还具有耦合到以下各项的栅极端子：(1)晶体管M1的漏极端子，(2)晶体管M3的漏极端子，(3)输出56，及(4)电感器L2的第一端子。晶体管M2的栅极端子经由电感器L1、L2以电感方式耦合到晶体管M7的漏极端子。
晶体管M3具有耦合到以下各项的源极端子：(1)晶体管M1的源极端子，(2)晶体管M2的源极端子，(3)晶体管M4的源极端子，(4)晶体管M5的漏极端子，及(5)晶体管M6的漏极端子。晶体管M3还具有耦合到以下各项的漏极端子：(1)晶体管M1的漏极端子，(2)晶体管M2的栅极端子，(3)输出56，及(4)电感器L2的第一端子。晶体管M3的漏极端子经由电感器L1、L2以电感方式耦合到晶体管M7的漏极端子。晶体管M3还具有耦合到输出62的栅极端子。
晶体管M4具有耦合到以下各项的源极端子：(1)晶体管M3的源极端子，(2)晶体管M1的源极端子，(3)晶体管M2的源极端子，(4)晶体管M5的漏极端子，及(5)晶体管M6的漏极端子。晶体管M4还具有耦合到以下各项的漏极端子：(1)晶体管M2的漏极端子，(2)晶体管M1的栅极端子，(3)输出58，及(4)电感器L3的第一端子。晶体管M4的漏极端子经由电感器L3、L4以电感方式耦合到晶体管M8的漏极端子。晶体管M4还具有耦合到输出60的栅极端子。
晶体管M5具有耦合到轨道44的源极端子。晶体管M5还具有耦合到偏置电流控制信号46的栅极端子。晶体管M5还具有耦合到以下各项的漏极端子：(1)晶体管M1的源极端子，(2)晶体管M2的源极端子，(3)晶体管M3的源极端子，(4)晶体管M4的源极端子，及(5)晶体管M6的漏极端子。
晶体管M6具有耦合到轨道44的源极端子。晶体管M6还具有耦合到偏置电流控制信号48的栅极端子。晶体管M6还具有耦合到以下各项的漏极端子：(1)晶体管M1的源极端子，(2)晶体管M2的源极端子，(3)晶体管M3的源极端子，(4)晶体管M4的源极端子，及(5)晶体管M5的漏极端子。
晶体管M7具有耦合到以下各项的源极端子：(1)晶体管M8的源极端子，及(2)晶体管M9的漏极端子。晶体管M7还具有耦合到输出62的栅极端子。晶体管M7还具有耦合到电感器L1的第一端子的漏极端子。晶体管M7的漏极端子经由电感器L1、L2以电感方式耦合到以下各项：(1)输出56，(2)晶体管M3的漏极端子，(3)晶体管M1的漏极端子，及(4)晶体管M2的栅极端子。
晶体管M8具有耦合到以下各项的源极端子：(1)晶体管M7的源极端子，及(2)晶体管M9的漏极端子。晶体管M8还具有耦合到输出60的栅极端子。晶体管M8还具有耦合到电感器L4的第一端子的漏极端子。晶体管M8的漏极端子经由电感器L3、L4以电感方式耦合到以下各项：(1)输出58，(2)晶体管M2的漏极端子，(3)晶体管M4的漏极端子，及(4)晶体管M1的栅极端子。
晶体管M9具有耦合到轨道44的源极端子。晶体管M9还具有耦合到频率调谐信号54的栅极端子。晶体管M9还具有耦合到以下各项的漏极端子：(1)晶体管M7的源极端子，及(2)晶体管M8的源极端子。
电感器L1具有耦合到晶体管M7的漏极的第一端子及耦合到轨道42的第二端子。电感器L2具有耦合到以下各项的第一端子：(1)输出56，(2)晶体管M1的漏极，(3)晶体管M3的漏极，及(4)晶体管M2的栅极。电感器L2具有耦合到轨道42的第二端子。
电感器L3具有耦合到以下各项的第一端子：(1)输出58，(2)晶体管M2的漏极，(3)晶体管M4的漏极，及(4)晶体管M1的栅极。电感器L3具有耦合到轨道42的第二端子。电感器L4具有耦合到晶体管M8的漏极的第一端子及耦合到轨道42的第二端子。
晶体管M11、M12、M13、M14、M15、M16、M17、M18、M19及电感器L5、L6、L7、L8分别以类似于晶体管M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9及电感器L1、L2、L3、L4的方式配置，惟以下各项除外：(1)输出56、58与输出60、62互换，及(2)晶体管M13、M14、M17、M18的栅极以非反相配置而非反相配置耦合到输出56、58。具体来说，晶体管M13及M17的栅极耦合到输出56，且晶体管M14及M18的栅极耦合到输出58。
在一些实例中，图2的晶体管M1、M2、M3、M4、M5、M6及电感器L1、L2、L3、L4可用于形成图1中所展示的同相振荡器12，且图2的晶体管M11、M12、M13、M14、M15、M16及电感器L5、L6、L7、L8可用于形成图1中所展示的正交相位振荡器14。在此类实例中，图2的晶体管M7、M8、M9可用于形成图1的可变增益放大器18，且晶体管M17、M18、M19可用于形成图1的可变增益放大器16。在此类实例中，输出56、58可对应于图1中所展示的输出24，且输出60、62可对应于图1中所展示的输出30。
在一些实例中，晶体管M1、M2、M3、M4、M5、M6可用于形成图1中所展示的有源电路22，且电感器L1、L2、L3、L4可用于形成图1中所展示的电抗电路20。在此类实例中，晶体管M11、M12、M13、M14、M15、M16可用于形成图1中所展示的有源电路28，且电感器L5、L6、L7、L8可用于形成图1中所展示的电抗电路26。
在一些实例中，晶体管M3、M4可用于形成以反相配置将输出60、62直接耦合到输出56、58的耦合电路。类似地，晶体管M13、M14可用于形成以非反相配置将输出56、58直接耦合到输出60、62的耦合电路。在此类实例中，所述耦合电路可包含于图1中所图解说明的有源电路22、28中的一者或两者中或者与其分离。类似地，所述耦合电路可包含于图1中所图解说明的同相振荡器12及正交相位振荡器14中的一者或两者中或者与其分离。
如图2中所展示，电感器L1、L2各自包含指示电感器L1、L2中的每一者中的绕组相对于另一者的相对定向的点。所述点指示电流在带点端子处进入电感器L1的瞬时方向与电流在带点端子处退出电感器L2的瞬时方向相同。图2中针对电感器对L3、L4，L5、L6及L7、L8包含类似点。应注意，图2中所展示的电感器绕组的相对定向仅为一个实例。在其它实例中，所述相对定向可为不同的。举例来说，电感器L1、L3、L5、L7的带点端子可保持相同，但电感器L2、L4、L6、L8的带点端子可交换为连接到轨道42的端子。
电感器L1、L2可形成一组磁耦合电感器。在一些实例中，电感器L1、L2可为变压器。类似地，电感器L3、L4，电感器L5、L6及电感器L7、L8可各自形成相应组磁耦合电感器或相应变压器。
电感器L1、L2中的一或多者结合晶体管M1、M3、M7中的任一者的一或多个寄生电容可形成具有谐振频率的谐振电路。类似地：(1)电感器L3、L4中的一或多者结合晶体管M2、M4、M8中的任一者的一或多个寄生电容可形成具有谐振频率的谐振电路，(2)电感器L5、L6中的一或多者结合晶体管M11、M13、M17中的任一者的一或多个寄生电容可形成具有谐振频率的谐振电路，及(3)电感器L7、L8中的一或多者结合晶体管M12、M14、M18中的任一者的一或多个寄生电容可形成具有谐振频率的谐振电路。在一些实例中，所述谐振电路中的每一者的所述谐振频率可相等或大约相等。
图2中所展示的实例性正交振荡器40包含给交叉耦合晶体管(M1、M2)及耦合电路(M3、M4)两者提供偏置电流的一或多个偏置电流源(例如，晶体管M5、M6)。类似地，正交振荡器40还包含给交叉耦合晶体管(M11、M12)及耦合电路(M13、M14)两者提供偏置电流的一或多个偏置电流源(例如，晶体管M15、M16)。由晶体管M5、M6、M15、M16形成的偏置电流源可分别由偏置电流控制信号46、48、50、52控制。虽然在图2中图解说明为单独信号，但在一些实例中，偏置电流控制信号46、48、50、52中的一或多者可为相同信号。
晶体管M1、M2可形成一对交叉耦合晶体管。类似地，晶体管M11、M12可形成另一对交叉耦合晶体管。所述对交叉耦合晶体管中的每一者可形成具有一或多个谐振负载的一或多个共源极放大器。
所述共源极放大器可称为调谐放大器及/或交叉耦合调谐放大器。举例来说，晶体管M1的栅极可对应于第一调谐放大器的输入，且晶体管M1的漏极可对应于第一调谐放大器的输出。类似地，晶体管M2的栅极可对应于第二调谐放大器的输入，且晶体管M2的漏极可对应于第二调谐放大器的输出。所述调谐放大器在以下意义上可为交叉耦合的：第二调谐放大器的输出可耦合到第一调谐放大器的输入，且第一调谐放大器的输出可耦合到第二调谐放大器的输入。
交叉耦合调谐放大器(例如，晶体管M1、M2)可具有所述放大器将在无外部刺激的情况下谐振的谐振频率。然而，由晶体管M3、M4、M7及M8提供的反馈可致使振荡频率偏离谐振负载的谐振频率。
晶体管M11、M12、M13、M14、M15、M16、M17、M18、M19可以类似于晶体管M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9的方式操作。在一些实例中，振荡器12、14两者的谐振频率可相同，且由来自另一振荡器的反馈导致的谐振频率的偏离量可相同，借此致使在输出24、30处产生的输出信号的频率相同。
为致使振荡器12、14成正交操作，输出56、58可以非反相配置耦合到输出60、62，且输出60、62可以反相配置耦合到输出56、58。具体来说，由晶体管M3、M4形成的耦合电路及由晶体管M7、M8、M9形成的可变增益放大器可以反相配置将输出60、62耦合到输出56、58，且由晶体管M13、M14形成的耦合电路及由晶体管M17、M18、M19形成的可变增益放大器可以非反相配置将输出56、58耦合到输出60、62。交替耦合配置可致使输出56、58与输出60、62的相位锁定成正交。
如上文所论述，振荡器12、14之间的反馈可致使振荡频率偏离谐振负载的谐振频率。偏离量可通过由晶体管M7、M8及M9形成的可变增益放大器的增益及由晶体管M17、M18及M19形成的可变增益放大器的增益确定，两种增益均可由频率调谐信号54控制。
因此，正交振荡器40可基于耦合到可变增益放大器16、18的可变增益输入的频率调谐信号54而确定并调整在输出56、58、60、62处产生的周期性输出信号的频率。以此方式，可在不需要使用变容二极管的情况下获得可调谐高频率正交振荡器40。
由晶体管M7、M8、M9形成的可变增益放大器的输出可经由电感器L1、L2、L3、L4以电感方式耦合到输出56、58，且由晶体管M17、M18、M19形成的可变增益放大器的输出可经由电感器L5、L6、L7、L8以电感方式耦合到输出60、62。以此方式，将可变增益放大器的输出以电感方式耦合到振荡器的输出56、58、60、62可相对于不包含此电感耦合的正交振荡器而减少正交振荡器40的振荡频率与正交振荡器40中的谐振电路的谐振频率的偏离量。减少振荡频率与谐振频率的偏离量可增加正交振荡器40的质量因数，此又可减少正交振荡器40的相位噪声。以此方式，可获得相对于其它正交振荡器具有相对低相位噪声的可调谐高频率正交振荡器40。
在一些实例中，本发明的技术可提供包含以下各项的正交振荡器(例如，正交振荡器10、40)：第一振荡器(例如，同相振荡器12，晶体管M1、M2)，第二振荡器(例如，正交相位振荡器14，晶体管M11、M12)，第一耦合电路(例如，晶体管M3、M4)，第二耦合电路(例如，晶体管M13、M14)，第一可变增益放大器(例如，可变增益放大器18，晶体管M7、M8、M9)，及第二可变增益放大器(例如，可变增益放大器16，晶体管M17、M18、M19)。
在此类实例中，第一振荡器具有第一输出(例如，输出56)及第二输出(例如，输出58)。第二振荡器具有第一输出(例如，输出60)及第二输出(例如，输出62)。
在此类实例中，第一耦合电路(例如，晶体管M3、M4)具有：(1)第一输入(例如，晶体管M3的栅极)，其耦合到第二振荡器的第二输出(例如，输出62)；(2)第二输入(例如，晶体管M4的栅极)，其耦合到第二振荡器的第一输出(例如，输出60)；(3)第一输出(例如，晶体管M3的漏极)，其耦合到第一振荡器的第一输出(例如，输出56)；及(4)第二输出(例如，晶体管M4的漏极)，其耦合到第一振荡器的第二输出(例如，输出58)。
在此类实例中，第二耦合电路(例如，晶体管M13、M14)具有：(1)第一输入(例如，晶体管M13的栅极)，其耦合到第一振荡器的第一输出(例如，输出56)；(2)第二输入(例如，晶体管M14的栅极)，其耦合到第一振荡器的第二输出(例如，输出58)；(3)第一输出(例如，晶体管M13的漏极)，其耦合到第二振荡器的第一输出(例如，输出60)；及(4)第二输出(例如，晶体管M14的漏极)，其耦合到第二振荡器的第二输出(例如，输出62)。
在此类实例中，第一可变增益放大器(例如，晶体管M7、M8、M9)具有：(1)第一输入(例如，晶体管M7的栅极)，其耦合到第二振荡器的第二输出(例如，输出62)；(2)第二输入(例如，晶体管M8的栅极)，其耦合到第二振荡器的第一输出(例如，输出60)；(3)第一输出(例如，晶体管M7的漏极)，其以电感方式耦合到第一振荡器的第一输出(例如，经由电感器L1、L2耦合到输出56)；(4)第二输出(例如，晶体管M8的漏极)，其以电感方式耦合到第一振荡器的第二输出(例如，经由电感器L3、L4耦合到输出58)；及(5)增益输入(例如，晶体管M9的栅极)，其耦合到可调整频率调谐信号(例如，频率调谐信号54)。
在此类实例中，第二可变增益放大器(例如，晶体管M17、M18、M19)具有：(1)第一输入(例如，晶体管M17的栅极)，其耦合到第一振荡器的第一输出(例如，输出56)；(2)第二输入(例如，晶体管M18的栅极)，其耦合到第一振荡器的第二输出(例如，输出58)；(3)第一输出(例如，晶体管M17的漏极)，其以电感方式耦合到第二振荡器的第一输出(例如，经由电感器L5、L6耦合到输出60)；(4)第二输出(例如，晶体管M18的漏极)，其以电感方式耦合到第二振荡器的第二输出(例如，经由电感器L7、L8耦合到输出62)；及(5)增益输入(例如，晶体管M19的栅极)，其耦合到可调整频率调谐信号(例如，频率调谐信号54)。
在一些实例中，正交振荡器(例如，正交振荡器10、40)具有四组磁耦合电感器。第一组磁耦合电感器(例如，电感器L1、L2)具有：(1)第一端子，其耦合到第一可变增益放大器的第一输出(例如，晶体管M7的漏极)；及(2)第二端子，其耦合到第一振荡器的第一输出(例如，输出56)。第二组磁耦合电感器具有：(1)第一端子，其耦合到第一可变增益放大器的第二输出(例如，晶体管M8的漏极)；及(2)第二端子，其耦合到第一振荡器的第二输出(例如，输出58)。第三组磁耦合电感器具有：(1)第一端子，其耦合到第二可变增益放大器的第一输出(例如，晶体管M17的漏极)；及(2)第二端子，其耦合到第二振荡器的第一输出(例如，输出60)。第四组磁耦合电感器具有：(1)第一端子，其耦合到第二可变增益放大器的第二输出(例如，晶体管M18的漏极)；及(2)第二端子，其耦合到第二振荡器的第二输出(例如，输出62)。
在一些实例中，本发明的技术可提供包含以下各项的正交振荡器(例如，正交振荡器10、40)：第一振荡器(例如，同相振荡器12；晶体管M1、M2)，其具有输出(例如，输出24；输出56、58)；第二振荡器(例如，正交相位振荡器14；晶体管M11、M12)，其具有输出(例如，输出30；输出60、62)；及可变增益放大器(例如，可变增益放大器18；晶体管M7、M8、M9)，其具有：输入(例如，可变增益放大器18的输入；晶体管M7、M8的栅极)，其耦合到第二振荡器的输出(例如，输出30；输出60、62)；及输出(例如，可变增益放大器18的输出；晶体管M7、M8的漏极)，其(例如，经由电感器L1、L2、L3、L4)以电感方式耦合到第一振荡器的输出(例如，输出24；输出56、58)。
在一些实例中，正交振荡器(例如，正交振荡器10、40)进一步包含耦合电路(例如，晶体管M3、M4)，所述耦合电路具有：(1)输入(例如，晶体管M3、M4的栅极)，其耦合到第二振荡器的输出(例如，输出30；输出60、62)；及(2)输出(例如，晶体管M3、M4的漏极)，其直接耦合到第一振荡器的输出(例如，输出24；输出56、58)。
在一些实例中，正交振荡器(例如，正交振荡器10、40)包含一组磁耦合电感器(例如，电感器L1、L2、L3、L4)，所述组磁耦合电感器具有：(1)第一端子，其耦合到可变增益放大器的输出(例如，晶体管M7、M8的漏极)；及(2)第二端子，其耦合到第一振荡器的输出(例如，输出24；输出56、58)。在一些实例中，所述组磁耦合电感器(例如，电感器L1、L2、L3、L4)包含一或多个变压器。
在一些实例中，第一、第二、第三及第四组磁耦合电感器中的每一者可为相应变压器。在进一步实例中，第一及第二可变增益放大器中的每一者可为可变增益差分放大器。
在一些实例中，可变增益放大器(例如，可变增益放大器18；晶体管M7、M8、M9)经配置为以基于可调整增益参数(例如，频率调谐信号54)而确定的增益来放大第二振荡器的输出(例如，输出30；输出60、62)以产生经放大输出信号(例如，晶体管M7、M8的漏极)。在此类实例中，所述组磁耦合电感器(例如，电感器L1、L2、L3、L4)经配置以将经放大输出信号(例如，晶体管M7、M8的漏极)以电感方式耦合到第一振荡器的输出(例如，输出24；输出56、58)。
在一些实例中，可变增益放大器(例如，可变增益放大器18；晶体管M7、M8、M9)包含经配置以接收可调整增益参数的增益输入(例如，晶体管M9的栅极)。
在一些实例中，正交振荡器(例如，正交振荡器10、40)包含第二可变增益放大器(例如，可变增益放大器16；晶体管M17、M18、M19)，所述第二可变增益放大器具有：(1)输入(例如，晶体管M17、M18的栅极)，其耦合到第一振荡器的输出(例如，输出24；输出56、58)；及输出(晶体管M17、M18的漏极)，其以电感方式耦合到第二振荡器的输出(例如，输出30；输出60、62)。
在一些实例中，第一振荡器的输出包含第一输出(例如，输出56)及第二输出(例如，输出58)。在此类实例中，正交振荡器(例如，正交振荡器10、40)包含一组互耦合电感器(例如，电感器L1、L2)，所述组互耦合电感器具有：(1)第一端子(例如，耦合到晶体管M7的漏极的电感器L1的端子)，及(2)第二端子(电感器L2的端子)，其耦合到第一振荡器的第一输出(例如，输出56)。
在此类实例中，第一振荡器包含第一晶体管(例如，晶体管M1)，所述第一晶体管具有：(1)源极端子，其耦合到一或多个电流源(例如，晶体管M5、M6)；(2)漏极端子，其耦合到第一振荡器的第一输出(例如，输出56)且耦合到所述组互耦合电感器的第二端子(例如，电感器L2的端子)；及(3)栅极端子，其耦合到第一振荡器的第二输出(例如，输出58)。
在此类实例中，正交振荡器(例如，正交振荡器10、40)包含耦合电路，所述耦合电路包含第二晶体管(例如，晶体管M3)，所述第二晶体管具有：(1)源极端子，其耦合到一或多个电流源(例如，晶体管M5、M6)；(2)漏极端子，其耦合到第一振荡器的第一输出(例如，输出56)、第一晶体管(例如，晶体管M1)的漏极端子及所述组互耦合电感器的第二端子(例如，电感器L2的端子)；及(3)栅极端子，其耦合到第二振荡器的输出(例如，输出62)。
在此类实例中，可变增益放大器(例如，可变增益放大器18，晶体管M7、M8、M9)包含第三晶体管(例如，晶体管M7)，所述第三晶体管具有：(1)源极端子，其耦合到电流源(例如，晶体管M9)；(2)漏极端子，其耦合到所述组互耦合电感器的第一端子(例如，电感器L1的端子)，及(3)栅极端子，其耦合到第二振荡器的输出(例如，输出62)。
在一些实例中，第一振荡器的输出包含第一输出(例如，输出56)及第二输出(例如，输出58)。在此类实例中：(1)第一振荡器包含第一晶体管(例如，晶体管M1)，所述第一晶体管经配置以基于第一振荡器的第二输出(例如，输出58)而产生第一电流；(2)第一耦合电路包含第二晶体管(例如，晶体管M3)，所述第二晶体管经配置以基于第二振荡器的输出(例如，输出62)而产生第二电流；且(3)第一可变增益放大器包含第三晶体管(例如，晶体管M7)，所述第三晶体管经配置以基于第二振荡器的输出(例如，输出62)而产生第三电流。
在此类实例中，第一振荡器可进一步包含电流路径(例如，在轨道42与晶体管M1、M3的漏极之间的电流路径)及结节点(例如，在晶体管M1、M3的漏极处的节点)，所述结节点经配置以组合第一与第二电流以形成流动穿过所述电流路径的第四电流的第一电流分量。在此类实例中，正交振荡器(例如，正交振荡器10、40)包含一组互耦合电感器(例如，电感器L1、L2)，所述组互耦合电感器经配置以将第三电流以电感方式耦合到所述电流路径以产生流动穿过所述电流路径的第四电流的第二电流分量。在此类实例中，正交振荡器(例如，正交振荡器10、40)包含经配置以将第四电流转化为电压的电路(例如，电感器L2)，所述电压形成第一振荡器的第一输出(例如，输出56)。
图3是图解说明根据本发明的用于调谐正交振荡器的实例性技术的流程图。图3中所图解说明的技术可实施于包含图1及2中所图解说明的电路的本发明中所描述的电路中的任一者中。
可变增益放大器18及/或晶体管M7、M8、M9以基于可调整增益参数(例如，频率调谐信号54)而确定的增益来放大第一振荡器(例如，正交相位振荡器14)的输出(例如，输出60、62)以产生经放大输出信号(100)。电感器L1、L2、L3、L4将经放大输出信号以电感方式耦合到第二振荡器(例如，同相振荡器12)的输出(例如，输出56、58)(102)。
在一些实例中，耦合电路(例如，晶体管M3、M4)放大第一振荡器(例如，正交相位振荡器14)的输出(例如，输出60、62)以产生第二经放大输出信号。在此类实例中，耦合电路(例如，晶体管M3、M4的漏极)可将第二经放大输出信号直接耦合到第二振荡器的输出(例如，输出56、58)。在一些实例中，可调整增益参数为可调整跨导参数(例如，调整频率调谐信号54可调整晶体管M7的跨导)。
图4是图解说明根据本发明的用于调谐正交振荡器的另一实例性技术的流程图。图4中所图解说明的技术可实施于包含图1及2中所图解说明的电路的本发明中所描述的电路中的任一者中。
晶体管M1放大第二振荡器(例如，晶体管M1、M2)的第一输出信号(例如，输出58)以产生第一电流(104)。晶体管M3放大第一振荡器(例如，晶体管M11、M12)的输出处的输出信号(例如，输出62)以产生第二电流(106)。晶体管M7放大第一振荡器(例如，晶体管M11、M12)的输出处的输出信号(例如，输出62)以产生第三电流(108)。
形成于晶体管M1、M3的漏极处的结节点组合第一与第二电流以形成流动穿过在轨道42与晶体管M1、M3的漏极之间形成的电流路径的第四电流的第一电流分量(110)。电感器L1、L2将第三电流以电感方式耦合到所述电流路径以产生流动穿过所述电流路径的第四电流的第二电流分量(112)。电感器L2将第四电流转化为形成第二振荡器(例如，晶体管M1、M2)的第二输出信号(例如，输出56)的电压(114)。第二输出信号可与第一输出信号异相180度。
本发明描述用于VCO调谐的技术。高质量变容二极管可用于低频率VCO中的频率调谐。然而，在高频率下，高质量变容二极管可不必为可用的。本发明描述在一些实例中可在不需要使用变容二极管的情况下提供正交振荡器的频率调谐的技术。在一些实例中，本发明的技术可使用正交振荡器中的正交信号与可变增益放大器(VGA)来提供电抗调谐。
在一些实例中，本发明中所描述的技术及/或电路可完全整合在一起。在进一步实例中，本发明中所描述的电路可能够在不需要使用变容二极管的情况下操作高达与有源组件具有增益的频率相同的频率。
在图1及2中，来自正交振荡器两侧的信号可彼此异相90°。正交信号可在交叉耦合时充当电抗信号。所述信号可耦合到及/或来自槽电路或有源电路。正交耦合可作为VGA的部分进行或单独进行。VGA可提供用于调谐的可变正交(电抗)信号。
本发明中所描述的技术及电路可在一些实例中实施于一或多个集成电路的任一组合上。虽然已通过实例方式展示并描述了说明性实例，但在前述揭示内容的范围内，广泛替代实例为可能的。

Claims (18)

1.一种可调谐装置，其包括：
第一振荡器，其具有：
第一输出，及
第二输出；
第二振荡器，其具有：
第一输出，及
第二输出；
第一耦合电路，其具有：
第一输入，其耦合到所述第二振荡器的所述第二输出，
第二输入，其耦合到所述第二振荡器的所述第一输出，
第一输出，其耦合到所述第一振荡器的所述第一输出，及
第二输出，其耦合到所述第一振荡器的所述第二输出；
第二耦合电路，其具有：
第一输入，其耦合到所述第一振荡器的所述第一输出，
第二输入，其耦合到所述第一振荡器的所述第二输出，
第一输出，其耦合到所述第二振荡器的所述第一输出，及
第二输出，其耦合到所述第二振荡器的所述第二输出；
第一可变增益放大器，其具有：
第一输入，其耦合到所述第二振荡器的所述第二输出，
第二输入，其耦合到所述第二振荡器的所述第一输出，
第一输出，其以电感方式耦合到所述第一振荡器的所述第一输出，
第二输出，其以电感方式耦合到所述第一振荡器的所述第二输出，及
增益输入，其耦合到可调整频率调谐信号；及
第二可变增益放大器，其具有：
第一输入，其耦合到所述第一振荡器的所述第一输出，
第二输入，其耦合到所述第一振荡器的所述第二输出，
第一输出，其以电感方式耦合到所述第二振荡器的所述第一输出，
第二输出，其以电感方式耦合到所述第二振荡器的所述第二输出，及
增益输入，其耦合到所述可调整频率调谐信号。
2.根据权利要求1所述的可调谐装置，其进一步包括：
第一组磁耦合电感器，其具有：
第一端子，其耦合到所述第一可变增益放大器的所述第一输出，及
第二端子，其耦合到所述第一振荡器的所述第一输出；
第二组磁耦合电感器，其具有：
第一端子，其耦合到所述第一可变增益放大器的所述第二输出，及
第二端子，其耦合到所述第一振荡器的所述第二输出；
第三组磁耦合电感器，其具有：
第一端子，其耦合到所述第二可变增益放大器的所述第一输出，及
第二端子，其耦合到所述第二振荡器的所述第一输出；及
第四组磁耦合电感器，其具有：
第一端子，其耦合到所述第二可变增益放大器的所述第二输出，及
第二端子，其耦合到所述第二振荡器的所述第二输出。
3.根据权利要求2所述的可调谐装置，其中所述第一组磁耦合电感器为第一变压器，所述第二组磁耦合电感器为第二变压器，所述第三组磁耦合电感器为第三变压器，且所述第四组磁耦合电感器为第四变压器。
4.根据权利要求1所述的可调谐装置，其中所述第一可变增益放大器为第一可变增益差分放大器，且所述第二可变增益放大器为第二可变增益差分放大器。
5.一种可调谐装置，其包括：
第一振荡器，其具有输出；
第二振荡器，其具有输出；
耦合电路，其具有：
输入，其耦合到所述第二振荡器的所述输出，及
输出，其直接耦合到所述第一振荡器的所述输出；及
可变增益放大器，其具有：
输入，其耦合到所述第二振荡器的所述输出，及
输出，其以电感方式耦合到所述第一振荡器的所述输出。
6.根据权利要求5所述的可调谐装置，其进一步包括：
一组磁耦合电感器，其具有：
第一端子，其耦合到所述可变增益放大器的所述输出，及
第二端子，其耦合到所述第一振荡器的所述输出。
7.根据权利要求6所述的可调谐装置，其中所述组磁耦合电感器包含一或多个变压器。
8.根据权利要求6所述的可调谐装置，
其中所述可变增益放大器经配置为以基于可调整增益参数而确定的增益来放大所述第二振荡器的所述输出以产生经放大输出信号，且
其中所述组磁耦合电感器经配置以将所述经放大输出信号以电感方式耦合到所述第一振荡器的所述输出。
9.根据权利要求5所述的可调谐装置，其中所述可变增益放大器包含经配置以接收可调整增益参数的增益输入。
10.根据权利要求5所述的可调谐装置，其进一步包括：
第二可变增益放大器，其具有：
输入，其耦合到所述第一振荡器的所述输出，及
输出，其以电感方式耦合到所述第二振荡器的所述输出。
11.根据权利要求5所述的可调谐装置，其中所述第一振荡器的所述输出包含第一输出及第二输出，所述可调谐装置进一步包括：
一组互耦合电感器，其具有：
第一端子；及
第二端子，其耦合到所述第一振荡器的所述第一输出，
其中所述第一振荡器包含第一晶体管，所述第一晶体管具有：
源极端子，其耦合到一或多个电流源，
漏极端子，其耦合到所述第一振荡器的所述第一输出且耦合到所述组互耦合电感器的所述第二端子，及
栅极端子，其耦合到所述第一振荡器的第二输出，
其中所述耦合电路包含第二晶体管，所述第二晶体管具有：
源极端子，其耦合到所述一或多个电流源，
漏极端子，其耦合到所述第一振荡器的所述第一输出、所述第一晶体管的所述漏极端子及所述组互耦合电感器的所述第二端子，及
栅极端子，其耦合到所述第二振荡器的所述输出，且
其中所述可变增益放大器包含第三晶体管，所述第三晶体管具有：
源极端子，其耦合到电流源，
漏极端子，其耦合到所述组互耦合电感器的所述第一端子，及
栅极端子，其耦合到所述第二振荡器的所述输出。
12.根据权利要求5所述的可调谐装置，
其中所述第一振荡器的所述输出包含第一输出及第二输出，
其中所述第一振荡器包含第一晶体管，所述第一晶体管经配置以基于所述第一振荡器的所述第二输出而产生第一电流，
其中所述耦合电路包含第二晶体管，所述第二晶体管经配置以基于所述第二振荡器的所述输出而产生第二电流，
其中所述可变增益放大器包含第三晶体管，所述第三晶体管经配置以基于所述第二振荡器的所述输出而产生第三电流，
其中所述第一振荡器进一步包含电流路径及结节点，所述结节点经配置以组合所述第一与第二电流以形成流动穿过所述电流路径的第四电流的第一电流分量，
其中所述可调谐装置进一步包含一组互耦合电感器，所述组互耦合电感器经配置以将所述第三电流以电感方式耦合到所述电流路径以产生流动穿过所述电流路径的所述第四电流的第二电流分量，且
其中所述可调谐装置进一步包含经配置以将所述第四电流转化为电压的电路，所述电压形成所述第一振荡器的所述第一输出。
13.一种用于调谐振荡器的方法，其包括：
以基于可调整增益参数而确定的增益来放大第一振荡器的输出以产生第一经放大输出信号；
将所述第一经放大输出信号以电感方式耦合到第二振荡器的输出；
放大所述第一振荡器的所述输出以产生第二经放大输出信号；及
将所述第二经放大输出信号直接耦合到所述第二振荡器的所述输出。
14.根据权利要求13所述的方法，
其中所述第二振荡器的所述输出包含第一输出信号及与所述第一输出信号异相180度的第二输出信号，
其中所述方法进一步包括放大所述第二振荡器的所述第一输出信号以产生第一电流，
其中所述方法进一步包括放大所述第一振荡器的所述输出处的输出信号以产生第二电流，
其中以基于所述可调整增益参数而确定的所述增益来放大所述第一振荡器的所述输出包括放大所述第一振荡器的所述输出处的所述输出信号以产生第三电流，
在结节点处组合所述第一与第二电流以形成流动穿过电流路径的第四电流的第一电流分量；
将所述第三电流以电感方式耦合到所述电流路径以产生流动穿过所述电流路径的所述第四电流的第二电流分量；及
将所述第四电流转化为电压，所述电压形成所述第二振荡器的所述第二输出信号。
15.根据权利要求13所述的方法，其中所述可调整增益参数为可调整跨导参数。
16.一种可调谐装置，其包括经配置以进行以下操作的电路：
以基于可调整增益参数而确定的增益来放大第一振荡器的输出以产生第一经放大输出信号；
将所述第一经放大输出信号以电感方式耦合到第二振荡器的输出；
放大所述第一振荡器的所述输出以产生第二经放大输出信号；及
将所述第二经放大输出信号直接耦合到所述第二振荡器的所述输出。
17.根据权利要求16所述的可调谐装置，
其中所述第二振荡器的所述输出包含第一输出信号及与所述第一输出信号异相180度的第二输出信号，
所述电路进一步经配置以：
放大所述第二振荡器的所述第一输出信号以产生第一电流，
放大所述第一振荡器的所述输出处的输出信号以产生第二电流，
放大所述第一振荡器的所述输出处的所述输出信号以产生第三电流，
在结节点处组合所述第一与第二电流以形成流动穿过电流路径的第四电流的第一电流分量；
将所述第三电流以电感方式耦合到所述电流路径以产生流动穿过所述电流路径的所述第四电流的第二电流分量；及
将所述第四电流转化为电压，所述电压形成所述第二振荡器的所述第二输出信号。
18.根据权利要求16所述的可调谐装置，其中所述可调整增益参数为可调整跨导参数。
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