JP2008168465A - Minute molding mold and its manufacturing method - Google Patents

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敦夫 服部
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a minute molding mold high in durability and a method for producing the mold. <P>SOLUTION: The minute molding mold has a translucent substrate 100 constituting a part of a molding surface being in close contact with a photosensitive film to be molded and a shading projection 103 which constitutes the projection of the molding surface and in which a joining surface to the translucent substrate is positioned at the depth of at least the bottom part of the molding surface nearest to the back of the molding surface. As regards the shading projection 103, a material having a hardness higher than that of the translucent substrate 100 is preferably employed. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、微細成形モールドおよびその製造方法に関する。   The present invention relates to a fine mold and a method for manufacturing the same.

従来、光硬化性樹脂を成形対象膜として用いるインプリント技術やホットエンボス技術が知られている。成形対象膜をモールドの裏面から露光して硬化させる場合、モールドには透光性材料が選択される。インプリント技術では基板の表面上に形成した成形対象膜にモールドの成形面を圧着した状態で成形対象膜を硬化させることにより、成形対象膜にモールドの成形面の形状を転写する。通孔のある物を成形しようとする場合には、離型後に成形対象膜をエッチングすることにより成形対象膜の凹部を基板まで貫通させる工程が必要になる。特許文献１には、モールドの凸部の表層に遮光膜を形成し、光硬化性樹脂からなる成形対象膜にモールドの圧着によって形成された凹部の領域が露光されない構成とし、エッチングしなくとも成形対象膜の凹部を貫通させることのできる方法が記載されている。遮光膜の厚さは高さ２μｍの凸部に対して１００ｎｍ〜５０００ｎｍ程度である。
特開２００４−３０４０９７号公報 Conventionally, an imprint technique and a hot embossing technique using a photocurable resin as a film to be molded are known. When the film to be formed is exposed and cured from the back surface of the mold, a translucent material is selected for the mold. In the imprint technique, the shape of the molding surface of the mold is transferred to the molding target film by curing the molding target film in a state where the molding surface of the mold is pressure-bonded to the molding target film formed on the surface of the substrate. In order to mold an object having a through hole, a step of penetrating the concave portion of the molding target film to the substrate by etching the molding target film after releasing is necessary. In Patent Document 1, a light-shielding film is formed on the surface layer of the convex portion of the mold, and the concave region formed by pressure bonding of the mold is not exposed to the molding target film made of a photocurable resin, and molding is performed without etching. A method is described that can penetrate the recesses of the target film. The thickness of the light shielding film is about 100 nm to 5000 nm with respect to the convex portion having a height of 2 μm.
JP 2004-304097 A

しかし、特許文献１に記載された方法によると、成形対象膜の表面や内部に硬い異物が混入した場合、モールドの凸部が変形したり、薄い遮光膜が損傷し、損傷した領域から光が漏れることにより、成形物の形状が変わるという問題がある。   However, according to the method described in Patent Document 1, when a hard foreign matter enters the surface or inside of the film to be molded, the convex portion of the mold is deformed, the thin light-shielding film is damaged, and light is emitted from the damaged region. There is a problem that the shape of the molded product changes due to leakage.

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであって、耐久性の高い微細成形モールドおよびその製造方法を提供することを目的とする。   This invention is made | formed in view of the said problem, Comprising: It aims at providing a highly durable fine mold and its manufacturing method.

（１）上記目的を達成するための微細成形モールドは、感光性成形対象膜と密着する成形面の一部を構成する透光性基板と、前記成形面の凸部を構成し、前記透光性基板との接合面が前記成形面の裏側の面に最も近い前記成形面の底部以上の深度に位置する遮光性凸部と、を備える。
本明細書において表裏は相対的な位置関係を示し、「裏面」というときには「表面」と称した面の裏側の面を意味する。また深度は基準とする面からその裏面に向かって測る距離をいう。また、透光性とは、感光性成形対象膜の露光に用いる波長の光を通す性質を意味し、遮光性とは、感光性成型体漿膜の露光に用いる波長の光を遮る性質を意味する。 (1) A fine molding mold for achieving the above object comprises a translucent substrate that constitutes a part of a molding surface that is in close contact with a photosensitive molding target film, and a convex portion of the molding surface. The light-shielding convex part located in the depth more than the bottom part of the said molding surface nearest to the surface on the back side of the said molding surface is provided.
In the present specification, the front and back surfaces indicate a relative positional relationship, and the term “back surface” means the surface on the back side of the surface called “front surface”. The depth is a distance measured from the reference surface toward the back surface. Further, the translucency means a property of transmitting light having a wavelength used for exposure of the photosensitive molding target film, and the light shielding property means a property of shielding light having a wavelength used for exposure of the photosensitive molded body serosa. .

この微細成形モールドによると、遮光性凸部が従来の遮光膜のように凸部に対して薄い膜ではなくバルク状であるため、従来に比べて遮光性のパターンが損傷しにくく、遮光性のパターン内部から光が漏れにくい。すなわち、この微細成形モールドは、耐久性が高く、成形不良品の発生率を低減することができる。   According to this micro-molding mold, the light-shielding convex portion is not a thin film with respect to the convex portion like a conventional light-shielding film, but is in a bulk shape. Light does not leak easily from inside the pattern. That is, this fine mold has high durability and can reduce the rate of occurrence of defective molding.

（２）上記目的を達成するための微細成形モールドにおいて、前記接合面は、前記成形面の底部より深い深度に位置してもよい。
透光性基板と遮光性凸部との接合面が成形面の底部の深さより透光性基板の深い位置にある場合、平坦な基板の表面に遮光部が接合されている場合や、凸部の先端面に接合されている場合と比べると、遮光性凸部と透光性基板との接合面積が増大するので遮光性凸部は透光性基板からはがれにくい。
この構造を採用することにより、微細成形モールドの強度が増大し、微細成形モールドの破損率を低減することができる。その結果、破損した微細成形モールドの廃棄量も低減することができるので、環境負荷を低減することができる。また、製造コストも削減することができる。 (2) In the fine mold for achieving the above object, the joining surface may be located at a deeper depth than the bottom of the molding surface.
When the joint surface between the light-transmitting substrate and the light-shielding convex portion is at a deeper position of the light-transmissive substrate than the depth of the bottom of the molding surface, the light-shielding portion is joined to the surface of the flat substrate, or the convex portion Compared to the case where the light-shielding convex portion and the light-transmitting substrate are joined to each other, the joint area between the light-shielding convex portion and the light-transmitting substrate is increased.
By adopting this structure, the strength of the fine mold can be increased, and the breakage rate of the fine mold can be reduced. As a result, it is possible to reduce the amount of discarded fine molds to be discarded, thereby reducing the environmental load. Further, the manufacturing cost can be reduced.

（３）上記目的を達成するための微細成形モールドにおいて、前記遮光性凸部は、前記透光性基板より硬度が高いことが望ましい。
転写成形工程において、感光性成形対象膜と密着する成形面の凸部は凹部に比べて破損しやすい。例えば、感光性成形対象膜内に異物が存在する場合について説明する。凹部と感光性成形対象膜が形成された基板との間隔は、凸部と感光性成形対象膜が形成された基板との間隔よりも広いため、異物はその間隔の間に収まる大きさであれば凹部が破損する可能性は少ない。一方凸部と基板との間隔は凹部との間隔と比べると狭いため、凹部に比べて凸部は異物によって破損する可能性が高い。そのため、成形面の凸部を構成する遮光性の凸部である遮光性凸部が成形面の凹部底面を構成する透光性基板より硬度が高い場合、成形面全体を同じ透光性基板で形成する場合に比べて成形面の耐久性が向上する。 (3) In the fine molding mold for achieving the above object, it is desirable that the light-shielding convex portion has a higher hardness than the light-transmitting substrate.
In the transfer molding process, the convex portion of the molding surface that is in close contact with the photosensitive molding target film is more easily damaged than the concave portion. For example, a case where foreign matter exists in the photosensitive forming target film will be described. Since the gap between the concave portion and the substrate on which the photosensitive molding target film is formed is wider than the gap between the convex portion and the substrate on which the photosensitive molding target film is formed, the foreign matter should be large enough to fit between the gaps. If this is the case, the recess is less likely to break. On the other hand, since the distance between the convex portion and the substrate is narrower than the distance between the concave portion and the concave portion, the convex portion is more likely to be damaged by foreign matter than the concave portion. Therefore, when the light-shielding convex portion that is the light-shielding convex portion constituting the convex portion of the molding surface is higher in hardness than the light-transmissive substrate constituting the concave bottom surface of the molding surface, the entire molding surface is the same translucent substrate. The durability of the molding surface is improved as compared with the case of forming.

（４）上記目的を達成するための微細成形モールドにおいて、前記遮光性凸部は、金属、金属化合物、セラミクスのいずれかで構成されてもよい。   (4) In the fine molding mold for achieving the above object, the light-shielding convex portion may be made of any one of a metal, a metal compound, and ceramics.

（５）上記目的を達成するための微細成形モールドにおいて、前記透光性基板は、ガラス、結晶化ガラス、石英、透光性セラミクス、アルミナ、サファイアのいずれかで構成されていてもよい。その他の透光性を有する部材が用いられてもよい。   (5) In the fine mold for achieving the above object, the translucent substrate may be made of any one of glass, crystallized glass, quartz, translucent ceramics, alumina, and sapphire. Other members having translucency may be used.

（６）上記目的を達成するための微細成形モールドの製造方法は、透光性基板の表面に凹凸領域を形成し、前記凹凸領域に遮光性を有する膜を堆積させることによって前記凹凸領域の凹部を埋め、前記透光性基板が露出するまで前記遮光性を有する膜の表層を研削、研磨の少なくともいずれかを行い、前記透光性基板の表面から前記凹凸領域の底部以下の深度の位置まで前記透光性基板を選択的に除去することによって前記遮光性を有する膜からなる遮光性凸部を形成する、ことを含む。
この製造方法を採用することにより、透光性基板から突出している遮光性凸部が破損しにくい微細成形モールドを製造することができる。なお、「凹凸領域の底部以下の深度の位置」とは、凹凸領域の凹部の最も底の部分と同じ深さか、または凹部の最も底の部分よりも浅い位置を意味する。 (6) A method for manufacturing a fine mold for achieving the above object includes forming a concave / convex region on a surface of a light-transmitting substrate and depositing a light-shielding film on the concave / convex region, thereby forming a concave portion in the concave / convex region. The surface layer of the light-shielding film is ground and polished until the translucent substrate is exposed, and at least one of polishing is performed, from the surface of the translucent substrate to a position at a depth below the bottom of the uneven region Forming the light-shielding convex part which consists of the film | membrane which has the said light-shielding property by selectively removing the said translucent board | substrate.
By adopting this manufacturing method, it is possible to manufacture a fine molding mold in which the light-shielding convex portions protruding from the translucent substrate are not easily damaged. The “position at a depth below the bottom of the concave and convex area” means a position that is the same depth as the lowest part of the concave part of the concave and convex area or shallower than the lowest part of the concave part.

（７）上記目的を達成するための微細成形モールドの製造方法において、前記遮光性を有する膜を除去することによって露出した前記透光性基板の表面上に膜厚がなだらかに変化するレジストマスクを形成し、前記透光性基板を、前記レジストマスクもろともエッチングすることによって前記透光性基板の表面になだらかな曲面を成形してもよい。
この製造方法を採用することによって、感光性成形対象膜を凹曲面形状に成形するための凸曲面を有する微細成形モールドや、感光性成形対象膜を凸曲面形状に成形するための凹曲面を有する微細成形モールドを製造することができる。 (7) In the method of manufacturing a fine mold for achieving the above object, a resist mask whose thickness changes gently on the surface of the translucent substrate exposed by removing the light-shielding film. A smooth curved surface may be formed on the surface of the translucent substrate by forming and etching the translucent substrate together with the resist mask.
By adopting this manufacturing method, a fine molding mold having a convex curved surface for molding the photosensitive molding target film into a concave curved surface shape, or a concave curved surface for molding the photosensitive molding target film into a convex curved shape. A fine mold can be manufactured.

（８）上記目的を達成するための微細成形モールドの製造方法は、犠牲基板の表面に凹凸領域を形成し、前記凹凸領域に遮光性を有する膜を堆積させることによって前記凹凸領域の凹部を埋め、前記犠牲基板が露出するまで前記遮光性を有する膜の表層を研削、研磨の少なくともいずれかを行い、研削または研磨によって平坦化された前記犠牲基板の表面と前記遮光性を有する膜の表面とに透光性基板を接合し、前記犠牲基板の裏面から前記犠牲基板を選択的に前記凹凸領域の底部より深く前記凹凸領域の頂部以下の深度の位置まで除去することによって前記遮光性を有する膜からなる遮光性凸部を形成する、ことを含む。
この製造方法を採用することにより、透光性基板から突出している遮光性凸部が破損しにくい微細成形モールドを製造することができる。なお、「凹凸領域の底部より深く凹凸領域の頂部以下の深度の位置」は、犠牲基板の裏面を基準とした深さを示している。すなわち、凹凸領域の凹部の底部より深く、凸部の頂部と同じ位置かそれより浅い位置を意味する。 (8) A method for manufacturing a fine mold for achieving the above object is to form a concavo-convex region on the surface of a sacrificial substrate and fill a concave portion in the concavo-convex region by depositing a light-shielding film on the concavo-convex region. The surface of the sacrificial substrate and the surface of the film having a light-shielding property are planarized by grinding or polishing at least one of the surface layer of the film having the light-shielding property until the sacrificial substrate is exposed. The light-shielding film is bonded to the transparent substrate, and the sacrificial substrate is selectively removed from the back surface of the sacrificial substrate to a position deeper than the bottom of the uneven region and below the top of the uneven region. Forming a light-shielding convex portion made of
By adopting this manufacturing method, it is possible to manufacture a fine molding mold in which the light-shielding convex portions protruding from the translucent substrate are not easily damaged. Note that “the position of the depth deeper than the bottom of the concavo-convex region and below the top of the concavo-convex region” indicates the depth based on the back surface of the sacrificial substrate. That is, it means a position that is deeper than the bottom of the concave portion of the concave and convex region and the same position as the top of the convex portion or shallower than that.

（９）上記目的を達成するための微細成形モールドの製造方法は、遮光性基板の表面に凹凸領域を形成し、前記凹凸領域に透光性基板を軟化させた状態で圧着することにより、前記凹凸領域の凹部を埋め、前記遮光性基板の裏面から前記遮光性基板を前記透光性基板が露出するまで除去し、前記遮光性基板を除去することによって露出した前記透光性基板を選択的に前記凹凸領域の頂部以下の深度の位置まで除去することによって前記遮光性を有する膜からなる遮光性凸部を形成する、ことを含む。
この製造方法を採用することにより、透光性基板から突出している遮光性凸部が破損しにくい微細成形モールドを製造することができる。なお、「凹凸領域の頂部以下の深度の位置」は、遮光性基板を除去することによって露出した面を基準とする深さを示している。すなわち、遮光性基板を除去することによって露出した透光性基板の面より深く、凹凸領域の凸部の頂部と同じ位置かそれより浅い位置を意味する。 (9) A method for producing a fine mold for achieving the above object includes forming a concavo-convex region on the surface of a light-shielding substrate, and press-bonding the transmissive substrate in a softened state to the concavo-convex region. The concave portion of the concavo-convex region is filled, the light-shielding substrate is removed from the back surface of the light-shielding substrate until the light-transmissive substrate is exposed, and the light-transmissive substrate is selectively removed by removing the light-shielding substrate. Forming a light-shielding convex portion made of the film having the light-shielding property by removing to a position at a depth below the top of the concave-convex region.
By adopting this manufacturing method, it is possible to manufacture a fine molding mold in which the light-shielding convex portions protruding from the translucent substrate are not easily damaged. Note that “the position of the depth below the top of the uneven region” indicates the depth based on the surface exposed by removing the light-shielding substrate. That is, it means a position deeper than the surface of the light-transmitting substrate exposed by removing the light-shielding substrate and the same position as the top of the convex portion of the concavo-convex region or shallower than that.

（１０）上記（１）〜（５）のいずれかの微細成形モールドを用いた転写成形方法は、基板の表面上に感光性成形対象膜を形成し、前記感光性成形対象膜に前記微細成形モールドの前記成形面を圧着し、前記微細成形モールドの前記成形面の裏側から前記感光性成形対象膜を露光し、露光された前記感光性成形対象膜から前記微細成形モールドを離型し、前記感光性成形対象膜を現像する、ことを含む。   (10) In the transfer molding method using the fine molding mold according to any one of (1) to (5) above, a photosensitive molding target film is formed on the surface of a substrate, and the fine molding is performed on the photosensitive molding target film. Pressure bonding the molding surface of the mold, exposing the photosensitive molding target film from the back side of the molding surface of the fine molding mold, releasing the fine molding mold from the exposed photosensitive molding target film, Developing the photosensitive molding target film.

尚、請求項において「〜上に」というときは、技術的な阻害要因がない限りにおいて「上に中間物を介在させずに」と「〜上に中間物を介在させて」の両方を意味する。また、請求項に記載された動作の順序は、技術的な阻害要因がない限りにおいて記載順に限定されず、同時に実行されても良いし、記載順の逆順に実行されても良いし、連続した順序で実行されなくても良い。   In the claims, “to the top” means both “without an intermediate on the top” and “with an intermediate on the top” unless there is a technical impediment. To do. Further, the order of the operations described in the claims is not limited to the order of description as long as there is no technical obstruction factor, and may be executed at the same time, may be executed in the reverse order of the description order, or may be continuous. It does not have to be executed in order.

以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照して説明する。複数の実施形態において、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
（第１実施形態）
図１に本発明による微細成形モールドの第１実施形態とそれを用いた転写成形方法を示す。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. In a plurality of embodiments, the same element is denoted by the same reference numeral, and redundant description is omitted.
(First embodiment)
FIG. 1 shows a first embodiment of a fine mold according to the present invention and a transfer molding method using the same.

・微細成形モールドの構成
微細成形モールド１は、透光性基板１００と遮光性凸部１０３とを備える。微細成形モールド１の成形面は、透光性基板１００と遮光性凸部１０３とによって構成されている。微細成形モールド１の成形面を構成する凹凸領域の底部１０４は透光性基板１００によって構成されている。遮光性凸部１０３は、透光性基板１００の平坦な表面に接合されている。具体的には遮光性凸部１０３は、めっき層１０２とシード層１０１とで構成され、めっき層１０２はシード層１０１を介して透光性基板１００に接合されている。微細成形モールド１では、遮光性凸部１０３と透光性基板１００との接合面１２０は、底部１０４と同じ深度の位置にある。 -Configuration of Micromolding Mold The micromolding mold 1 includes a translucent substrate 100 and a light-shielding convex portion 103. The molding surface of the fine mold 1 is constituted by the translucent substrate 100 and the light-shielding convex portion 103. The bottom 104 of the uneven area constituting the molding surface of the fine mold 1 is constituted by the translucent substrate 100. The light-shielding convex portion 103 is bonded to the flat surface of the translucent substrate 100. Specifically, the light-shielding convex portion 103 includes a plating layer 102 and a seed layer 101, and the plating layer 102 is bonded to the translucent substrate 100 via the seed layer 101. In the fine mold 1, the joint surface 120 between the light-shielding convex portion 103 and the translucent substrate 100 is at the same depth as the bottom portion 104.

透光性基板１００は、石英、ガラス、結晶化ガラス、透光性セラミクス、サファイア、アルミナなどのうちのいずれかで構成されている。透光性基板１００は、透光性を有するその他の部材で構成されていてもよい。
めっき層１０２は、ＮｉＷで構成されている。めっき層１０２は、遮光性を有するその他の材料で構成されていてもよく、金属、金属化合物、セラミクスのいずれであってもよい。例えば、ＮｉＭｏ、ＮｉＦｅ、ＣｏＭｏ、ＮｉＣｏなどの合金やＣｒなどであってもよい。シード層１０１は、ＴｉやＮｉで構成される。遮光性凸部１０３の硬度には、透光性基板１００の表面硬度より遮光性凸部１０３が表面硬度が高くなる材料が選択されることが望ましい。これにより成形面の損傷しやすい凸部の表面硬度が高くなるため、耐久性の高い微細成形モールドを実現することができる。 The translucent substrate 100 is made of any one of quartz, glass, crystallized glass, translucent ceramics, sapphire, alumina, and the like. The translucent board | substrate 100 may be comprised with the other member which has translucency.
The plating layer 102 is made of NiW. The plating layer 102 may be made of another material having a light shielding property, and may be any of a metal, a metal compound, and ceramics. For example, alloys such as NiMo, NiFe, CoMo, NiCo, Cr, etc. may be used. The seed layer 101 is made of Ti or Ni. As the hardness of the light-shielding convex portion 103, it is desirable to select a material whose surface hardness of the light-shielding convex portion 103 is higher than the surface hardness of the translucent substrate 100. Thereby, since the surface hardness of the convex part which is easy to damage a molding surface becomes high, a highly durable fine molding mold can be realized.

・転写成形方法
微細成形モールド１を用いた転写成形方法を説明する。
まず図１Ａに示すように、シリコンウェハなどからなる基板１０７の表面にスピンコーティングなどによって感光性成形対象膜としての感光性樹脂膜１０６を形成する。図１Ａは、その際に、透光性基板１００より硬度の高い異物１０５が樹脂膜１０６の中に塗り込まれた状態を示している。なお、感光性成形対象膜の材料は、光化学反応によって溶解特性が変化するフォトレジスト材料であってもよいが、本実施形態では光化学反応によって硬化する樹脂、例えばネガ型レジスト材料、ネガ型感光性ポリイミドなどを用いる形態について以降説明する。なお、感光性樹脂膜１０６の膜厚は例えば７０μｍ程度である。 -Transfer molding method A transfer molding method using the fine mold 1 will be described.
First, as shown in FIG. 1A, a photosensitive resin film 106 as a photosensitive molding target film is formed on the surface of a substrate 107 made of a silicon wafer or the like by spin coating or the like. FIG. 1A shows a state in which a foreign material 105 having a hardness higher than that of the translucent substrate 100 is applied in the resin film 106 at that time. The material for the photosensitive molding target film may be a photoresist material whose dissolution characteristics change by a photochemical reaction, but in the present embodiment, a resin curable by a photochemical reaction, such as a negative resist material, a negative photosensitive material, or the like. A form using polyimide or the like will be described below. The film thickness of the photosensitive resin film 106 is, for example, about 70 μm.

次に図１Ｂに示すように、基板１０７に形成された樹脂膜１０６に微細成形モールド１を圧着する。遮光性凸部１０３の硬度が透光性基板１００の硬度より高い場合、微細成形モールド１の成形面の凸部を形成している遮光性凸部１０３の先端面と基板１０７との間の樹脂膜１０６の中に異物１０５が存在していても、成形面の凸部が透光性基板１００で構成されている場合に比べると、異物１０５による成形面の凸部の変形や破損の発生頻度は低い。なお、異物１０５が感光領域１１０に存在している場合、異物１０５は微細成形モールド１と接触する可能性は低いので遮光性凸部１０３が破損する可能性は低い。すなわち、微細成形モールド１の凹部と基板１０７との間隔は、凸部と基板１０７との間隔よりも広いため、異物がその間隔の間に収まる大きさであれば凹部が破損する可能性は凸部と比較して少ない。   Next, as shown in FIG. 1B, the fine mold 1 is pressure-bonded to the resin film 106 formed on the substrate 107. When the hardness of the light-shielding convex portion 103 is higher than the hardness of the light-transmitting substrate 100, the resin between the tip surface of the light-shielding convex portion 103 forming the convex portion of the molding surface of the fine mold 1 and the substrate 107 Even if the foreign substance 105 exists in the film 106, the frequency of occurrence of deformation or breakage of the convex part of the molding surface due to the foreign substance 105 as compared with the case where the convex part of the molding surface is constituted by the translucent substrate 100. Is low. In addition, when the foreign material 105 exists in the photosensitive area | region 110, since the possibility that the foreign material 105 will contact the micromolding mold 1 is low, possibility that the light-shielding convex part 103 will be damaged is low. In other words, the distance between the concave portion of the fine mold 1 and the substrate 107 is wider than the distance between the convex portion and the substrate 107. Less than the part.

次に透光性基板１００の裏面から紫外線などの光を照射する。このとき、遮光性凸部１０３によって遮光されるために露光されない領域１１１では物性が変化せず、露光される感光領域１１０では光化学反応によって硬化する。
次に図１Ｃに示すように、微細成形モールド１を樹脂膜１０６から離型する。 Next, light such as ultraviolet rays is irradiated from the back surface of the translucent substrate 100. At this time, the physical property does not change in the unexposed region 111 because it is shielded by the light-shielding convex portion 103, and the exposed photosensitive region 110 is cured by a photochemical reaction.
Next, as shown in FIG. 1C, the fine mold 1 is released from the resin film 106.

最後に図１Ｄに示すように、未感光領域１１１の樹脂を現像によって除去する。具体的には例えば、ＴＭＡＨ（テトラ・メチル・アンモニウム・ハイドロ・オキサイド）水溶液などの有機アルカリ水溶液にて３〜５分常温で浸漬し、純水でリンスすることによって未露光領域１１１を除去する。異物１０５が未感光領域１１１のみに存在している場合は、この現像時に除去できる可能性が高い。異物１０５が感光領域１１０に存在している場合は、感光領域１１０を溶剤などで基板１０７から除去し再び樹脂膜１０６の塗布の工程からやり直すことができる。   Finally, as shown in FIG. 1D, the resin in the unexposed area 111 is removed by development. Specifically, for example, the unexposed region 111 is removed by immersing in an organic alkali aqueous solution such as a TMAH (tetra-methyl-ammonium hydro-oxide) aqueous solution at room temperature for 3 to 5 minutes and rinsing with pure water. If the foreign material 105 exists only in the unexposed area 111, there is a high possibility that it can be removed during this development. When the foreign material 105 exists in the photosensitive region 110, the photosensitive region 110 can be removed from the substrate 107 with a solvent or the like, and the process of applying the resin film 106 can be performed again.

・製造方法
図２に微細成形モールド１の製造方法の一例を示す。
まず図２Ａに示すように、透光性基板１００上に成形面の一部を構成する遮光性凸部を接合するためのシード層１０１を成膜する。具体的には例えば、ＴｉおよびＮｉを透光性基板１００上にスパッタ、蒸着等により成膜する。次にシード層１０１の上にフォトレジストを塗布し、フォトレジストマスク１３０のパターンを形成する。具体的にはステッパやアライナを用いてフォトレジスト膜を露光し、現像、リンスを行い、フォトマスクのパターンが転写されたフォトレジストマスク１３０を形成する。フォトレジストマスク１３０のパターンは、微細成形モールド１の成形面の形状に応じて設定される。例えばフォトレジストマスク１３０の膜厚は１００μｍ、レジストパターンのライン幅は１５μｍ、ラインとラインのスペースは２５μｍ、ピッチは４０μｍ程度である。 -Manufacturing method An example of the manufacturing method of the fine mold 1 is shown in FIG.
First, as shown in FIG. 2A, a seed layer 101 for bonding a light-shielding convex portion constituting a part of the molding surface is formed on a light-transmitting substrate 100. Specifically, for example, Ti and Ni are formed on the light-transmitting substrate 100 by sputtering, vapor deposition, or the like. Next, a photoresist is applied on the seed layer 101 to form a pattern of the photoresist mask 130. Specifically, the photoresist film is exposed using a stepper or aligner, developed, and rinsed to form a photoresist mask 130 to which the photomask pattern is transferred. The pattern of the photoresist mask 130 is set according to the shape of the molding surface of the fine mold 1. For example, the film thickness of the photoresist mask 130 is 100 μm, the line width of the resist pattern is 15 μm, the line-to-line space is 25 μm, and the pitch is about 40 μm.

次に図２Ｂに示すように、電解めっきを行い、めっき層１０２を成膜する。その結果、フォトレジストマスク１３０の開口部から露出しているシード層１０１の上に成形面の凸部を構成するめっき層１０２が形成される。
次に図２Ｃに示すように、フォトレジストマスク１３０を除去する。具体的には例えばＮＭＰ（エヌ・メチル・２・ピロリドン）やアセトン等の有機溶剤で除去する。Ｏ２プラズマやアミン系剥離液を用いても良い。
最後に図２Ｄに示すように、イオンミリングなどにより、めっき層１０２で覆われていない領域のシード層１０１をエッチングし、透光性基板１００の表面のうち、成形面の凹部の底面を構成する部分を露出させる。以上説明したような方法で製造することにより、透光性基板１００の平坦な表面から突出する凸部１０３の全体が遮光性のシード層１０１とめっき層１０２とで構成される微細成形モールド１を製造することができる。 Next, as shown in FIG. 2B, electrolytic plating is performed to form a plating layer 102. As a result, the plating layer 102 constituting the convex portion of the molding surface is formed on the seed layer 101 exposed from the opening of the photoresist mask 130.
Next, as shown in FIG. 2C, the photoresist mask 130 is removed. Specifically, for example, it is removed with an organic solvent such as NMP (N-methyl-2.pyrrolidone) or acetone. O 2 plasma or amine stripping solution may be used.
Finally, as shown in FIG. 2D, the seed layer 101 in the region not covered with the plating layer 102 is etched by ion milling or the like, and the bottom surface of the concave portion of the molding surface is formed among the surfaces of the translucent substrate 100. Expose part. By manufacturing by the method as described above, the fine molding mold 1 in which the entire convex portion 103 protruding from the flat surface of the translucent substrate 100 is composed of the light-shielding seed layer 101 and the plating layer 102 is obtained. Can be manufactured.

（第２実施形態）
・微細成形モールドの構成
図３Ｄ、図３Ｅおよび図３Ｆに、本発明による微細成形モールドの第２実施形態を示す。図３Ｄおよび図３Ｅに示す微細成形モールドは、遮光性凸部１０３の側面がシード層１０１で構成されている。図３Ｆに示す微細成形モールドは、遮光性凸部１０３の側面および先端面がシード層１０１で構成されている。
図３Ｅおよび図３Ｆに示す例は、遮光性凸部１０３と透光性基板１００との接合強度を高める構成である。すなわち、透光性基板１００の表面において凹部を構成する部分の全体に遮光性凸部１０３が接合されている。この場合、めっき層１０２とシード層１０１とからなる遮光性凸部１０３と透光性基板１００との接合面１２０は、平坦な透光性基板の表面に成形面の凸部を構成する遮光膜が接合されている場合や、透光性基板の凸部の先端面に遮光膜が接合されている場合と比べると、広くなる。したがって、透光性基板１００の表面において凹部を構成する部分の全体に遮光性凸部１０３が接合される構成では、遮光性凸部１０３と透光性基板１００との接合面積が増大するので遮光性凸部１０３は透光性基板１００からはがれにくくなる。 (Second Embodiment)
Configuration of Fine Molding Mold FIG. 3D, FIG. 3E and FIG. 3F show a second embodiment of a fine molding mold according to the present invention. In the fine mold shown in FIG. 3D and FIG. 3E, the side surface of the light-shielding convex portion 103 is constituted by the seed layer 101. In the fine mold shown in FIG. 3F, the side surface and the front end surface of the light-shielding convex portion 103 are constituted by the seed layer 101.
The example illustrated in FIGS. 3E and 3F is a configuration in which the bonding strength between the light-shielding convex portion 103 and the translucent substrate 100 is increased. That is, the light-shielding convex portion 103 is bonded to the entire portion constituting the concave portion on the surface of the translucent substrate 100. In this case, the joint surface 120 between the light-shielding convex portion 103 made of the plating layer 102 and the seed layer 101 and the translucent substrate 100 is a light-shielding film that forms the convex portion of the molding surface on the surface of the flat translucent substrate. Compared to the case where the light shielding film is bonded, or the case where the light shielding film is bonded to the tip end surface of the convex portion of the translucent substrate. Therefore, in the configuration in which the light-shielding convex portion 103 is joined to the entire portion constituting the concave portion on the surface of the translucent substrate 100, the joint area between the light-shielding convex portion 103 and the translucent substrate 100 is increased, so that the light shielding is performed. The conductive convex portion 103 is difficult to peel off from the translucent substrate 100.

・製造方法
まず図３Ａに示すように、透光性基板１００の表面に形成したフォトレジストマスク１３０を保護膜として用いてＲＩＥを実施することにより透光性基板１００に凹部２０１を形成する。その結果、透光性基板１００の表面に凹凸領域２００が形成される。 Manufacturing Method First, as shown in FIG. 3A, a recess 201 is formed in the light-transmitting substrate 100 by performing RIE using the photoresist mask 130 formed on the surface of the light-transmitting substrate 100 as a protective film. As a result, the uneven region 200 is formed on the surface of the translucent substrate 100.

次に図３Ｂに示すように、凹凸領域２００にシード層１０１を堆積させ、その上にめっき層１０２を堆積させることによって凹部２０１を埋める。シード層１０１は、例えばＴｉＮ、ＴｉＯｘＮｙ、Ｔｉ、ＴａＮなどで構成される。めっき層１０２はＷ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｕ等の金属、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＭｏＮ等の金属非金属化合物、ＮｉＷ、ＮｉＣｏ、ＮｉＦｅ、ＮｉＭｎ、ＮｉＭｏ等の金属金属化合物、ＷＳｉ、ＭｏＳｉ、ＴｉＳｉ等のシリサイド化合物、ＳｉＮ、ＳｉＣ等の非金属等の材料から適宜選択してよい。めっき法は、ＣＶＤ、電解めっき、非電解めっき等の方法から適宜選択してよい。   Next, as shown in FIG. 3B, the seed layer 101 is deposited on the concavo-convex region 200, and the plating layer 102 is deposited thereon to fill the concave portion 201. The seed layer 101 is made of, for example, TiN, TiOxNy, Ti, TaN, or the like. The plating layer 102 is made of a metal such as W, Cr, Ni, Ta, Ti, Mo and Cu, a metal non-metallic compound such as TiN, TaN and MoN, a metal metal compound such as NiW, NiCo, NiFe, NiMn and NiMo, WSi, You may select suitably from materials, such as silicide compounds, such as MoSi and TiSi, and nonmetals, such as SiN and SiC. The plating method may be appropriately selected from methods such as CVD, electrolytic plating, and non-electrolytic plating.

次に図３Ｃに示すように、めっき層１０２の表層とシード層１０１とを、研削、研磨の少なくともいずれか一方により、透光性基板１００が露出するまで除去する。
次に図３Ｄまたは図３Ｅに示すように、透光性基板１００の表層を選択的に除去する。具体的には例えば、ＣＦ４ガスを用いたＲＩＥにより透光性基板１００をエッチングする。透光性基板１００の表面が平坦になるようにエッチングの終点を制御すれば図３Ｄに示す微細成形モールド２の透光性基板１００を成形できる。透光性基板の表面に凹部２０１の一部が残存するようにエッチングの終点を制御すれば図３Ｅに示す微細成形モールド２１の透光性基板１００を成形できる。図３Ｃに示す透光性基板１００の裏面を研削、研磨の少なくともいずれかを行い、エッチングすると、図３Ｆに示すような微細成形モールド２２を製造することも可能である。 Next, as shown in FIG. 3C, the surface layer of the plating layer 102 and the seed layer 101 are removed by at least one of grinding and polishing until the translucent substrate 100 is exposed.
Next, as shown in FIG. 3D or FIG. 3E, the surface layer of the translucent substrate 100 is selectively removed. Specifically, for example, the translucent substrate 100 is etched by RIE using CF 4 gas. If the end point of etching is controlled so that the surface of the translucent substrate 100 becomes flat, the translucent substrate 100 of the fine mold 2 shown in FIG. 3D can be molded. If the etching end point is controlled so that a part of the recess 201 remains on the surface of the translucent substrate, the translucent substrate 100 of the fine mold 21 shown in FIG. 3E can be molded. If the back surface of the translucent substrate 100 shown in FIG. 3C is ground and / or polished and then etched, a fine mold 22 as shown in FIG. 3F can be manufactured.

（第３実施形態）
図４に、本発明による微細成形モールドの第３実施形態とそれを用いた転写成形方法を示す。
・微細成形モールドの構成
図４Ａに示す微細成形モールド３は、透光性基板１００の表面の凸曲面部分によって成形面のなだらかな凸曲面部が形成されている。遮光性凸部１０３と透光性基板１００との接合面１２０は、透光性基板１００の表面の平坦部である。 (Third embodiment)
FIG. 4 shows a third embodiment of a fine mold according to the present invention and a transfer molding method using the same.
Structure of Micro Molding Mold In the micro molding mold 3 shown in FIG. 4A, a gentle convex curved surface portion of the molding surface is formed by the convex curved surface portion of the surface of the translucent substrate 100. A joint surface 120 between the light-shielding convex portion 103 and the translucent substrate 100 is a flat portion on the surface of the translucent substrate 100.

・転写成形方法
図４Ａに示すように樹脂膜１０６内に異物１０５が塗り込まれている場合について説明する。遮光性凸部１０３が透光性基板１００より硬度が高い場合、図４Ｂに示すように微細成形モールド３の圧着および光照射時に、遮光性凸部１０３が破損する可能性は低い。異物１０５が未感光領域１１１に存在する場合は、微細成形モールド３を剥離した後（図４Ｃ参照）、現像およびリンスを実施する際に異物１０５を除去することができる（図４Ｄ参照）。異物１０５が感光領域１１０に残された場合は、溶剤などを用いて感光領域１１０を除去し再度樹脂膜１０６の塗布から工程をやり直すことができる。このように転写成形工程において微細成形モールド３の破損率を低減することができる。なお、図４Ｄの状態の感光領域１１０および基板１０７の表面にＡｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｔなどの金属膜３００を成膜することにより凹面鏡を形成することができる。 Transfer Molding Method A case where the foreign material 105 is coated in the resin film 106 as shown in FIG. 4A will be described. When the light-shielding convex portion 103 is higher in hardness than the translucent substrate 100, the light-shielding convex portion 103 is less likely to be damaged when the fine mold 3 is pressed and irradiated with light as shown in FIG. 4B. When the foreign material 105 exists in the unexposed area 111, the foreign material 105 can be removed (see FIG. 4D) when the development and rinsing are performed after the fine mold 3 is peeled off (see FIG. 4C). When the foreign matter 105 remains in the photosensitive region 110, the photosensitive region 110 can be removed using a solvent or the like, and the process can be repeated from the application of the resin film 106 again. Thus, the breakage rate of the fine mold 3 can be reduced in the transfer molding process. A concave mirror can be formed by forming a metal film 300 of Al, Cr, Ni, Au, Pt or the like on the surface of the photosensitive region 110 and the substrate 107 in the state of FIG. 4D.

・製造方法
図５に微細成形モールド３の製造方法を示す。はじめに第２実施形態の微細成形モールドの製造工程のうちの図３Ｃの工程までを実施すると、図５Ａの状態になる。次に図５Ｂに示すように、研磨・研削などにより露出した透光性基板１００上にフォトレジストマスク１３０のパターンを形成する。次に図５Ｃに示すように、オーブンまたはホットプレート等によりベークし、フォトレジストマスク１３０を流動化することにより、凸曲面形状を成形する。樹脂の射出成型によって凸曲面形状を成形してもよい。次に図５Ｄに示すように、フォトレジストマスク１３０もろとも透光性基板１００の表層をＲＩＥによって除去する。エッチャントには例えばＣＦ４とＯ２の混合ガスを用いる。Ｏ２流量を制御してフォトレジストマスク１３０と透光性基板１００の選択比１に近づけることによりフォトレジストマスク１３０の表面形状をほぼそのまま透光性基板１００に転写できる。 -Manufacturing method The manufacturing method of the fine mold 3 is shown in FIG. First, when the process up to the process of FIG. 3C in the manufacturing process of the fine mold according to the second embodiment is performed, the state shown in FIG. 5A is obtained. Next, as shown in FIG. 5B, a pattern of a photoresist mask 130 is formed on the translucent substrate 100 exposed by polishing and grinding. Next, as shown in FIG. 5C, baking is performed by an oven or a hot plate, and the photoresist mask 130 is fluidized to form a convex curved surface shape. The convex curved surface shape may be formed by resin injection molding. Next, as shown in FIG. 5D, the surface layer of the transparent substrate 100 including the photoresist mask 130 is removed by RIE. For example, a mixed gas of CF 4 and O 2 is used as the etchant. The surface shape of the photoresist mask 130 can be transferred to the translucent substrate 100 as it is by controlling the O 2 flow rate so as to approach the selectivity ratio 1 between the photoresist mask 130 and the translucent substrate 100.

図６Ｂに示すように透光性基板１００に凹曲面形状を成形する場合、図６Ａに示すようにフォトレジストマスク１３０の表面に凹曲面部を形成すればよい。凹曲面部を形成するためには、グレーマスク（多階調マスク）と呼ばれる光透過率を連続的に変化させた透過型マスクをフォトレジストマスク１３０をパターニングするためのフォトマスクとして用いる。そのほか、凹曲面部はインプリント方法によっても形成可能である。   When a concave curved surface shape is formed on the light transmitting substrate 100 as shown in FIG. 6B, a concave curved surface portion may be formed on the surface of the photoresist mask 130 as shown in FIG. 6A. In order to form the concave curved surface portion, a transmissive mask called a gray mask (multi-tone mask) in which the light transmittance is continuously changed is used as a photomask for patterning the photoresist mask 130. In addition, the concave curved surface portion can be formed by an imprint method.

（第４実施形態）
図７Ｄ、図７Ｅ、図８Ｂ、図８Ｃに、本発明による微細成形モールドの第４実施形態にかかる微細成形モールドを示す。
・微細成形モールドの構成
第４実施形態にかかる微細成形モールドは、遮光性凸部１０３のめっき層が２層で構成される点が他の実施形態と相違する。次に説明する製造方法で製造することにより、この２層のめっき層の密着性を高め、遮光性凸部１０３の変形を抑制し耐久性を向上させることができる。 (Fourth embodiment)
7D, FIG. 7E, FIG. 8B, and FIG. 8C show a fine mold according to a fourth embodiment of the fine mold according to the present invention.
-Configuration of Micromolding Mold The micromolding mold according to the fourth embodiment is different from the other embodiments in that the light-shielding convex portion 103 has two plating layers. By manufacturing with the manufacturing method described below, the adhesion of the two plating layers can be improved, the deformation of the light-shielding convex portion 103 can be suppressed, and the durability can be improved.

・製造方法
はじめに図７Ａに示すように、シード層１０１の上に第一のめっき層１０２を成膜し、その上に第二のめっき層４０２を成膜する。それまでの工程は、第２実施形態の図３Ａに対応する工程と同様である。第一のめっき層１０２は、例えばＷＦ６ガスを用いたＣＶＤにより、Ｗを２μｍ成膜する。ＣＶＤで形成したＷの膜表面には、Ｗの多結晶の成長により、微細凹凸が形成され（図７Ｂ参照）、その結果、第二のめっき層４０２との密着力が向上する。なお、ＣＶＤの代わりに電解めっきや無電解めっきを用いても良い。その場合、表面に微細凹凸が形成されるように、電流密度、金属濃度、浴組成、浴温度、添加剤を調整することが望ましい。また、第一のめっき層１０２を成膜した後に、その表面をエッチングすることにより微細凹凸を形成してもよい。例えば、ＮｉＦｅを電解めっきで体積した後に塩化第二鉄水溶液でウェットエッチングすると第一のめっき層１０２の表面に微細凹凸を形成することができる。第二のめっき層４０２としては、例えば無電解めっきによってＣｕ等を２００μｍ析出させることにより形成する。 Manufacturing Method First, as shown in FIG. 7A, the first plating layer 102 is formed on the seed layer 101, and the second plating layer 402 is formed thereon. The process up to that point is the same as the process corresponding to FIG. 3A of the second embodiment. The first plating layer 102 is formed with a thickness of 2 μm by, for example, CVD using WF 6 gas. Fine irregularities are formed on the surface of the W film formed by CVD due to the growth of the polycrystalline W (see FIG. 7B), and as a result, the adhesion with the second plating layer 402 is improved. Note that electroplating or electroless plating may be used instead of CVD. In that case, it is desirable to adjust the current density, metal concentration, bath composition, bath temperature, and additives so that fine irregularities are formed on the surface. Further, after forming the first plating layer 102, the surface may be etched to form fine irregularities. For example, if the NiFe is electroplated and then wet etched with a ferric chloride aqueous solution, fine irregularities can be formed on the surface of the first plating layer 102. The second plating layer 402 is formed, for example, by depositing 200 μm of Cu or the like by electroless plating.

次に図７Ｃに示すように、第二のめっき層４０２と第一のめっき層１０２とシード層１０１の表層を透光性基板１００が露出するまで研削、研磨などにより除去する。次に図７Ｄまたは図７Ｅに示すように、透光性基板１００の表面から成形面の底部１０４以深の位置まで透光性基板１００を選択的に除去する。エッチング終点を制御することにより、図７Ｄまたは図７Ｅを形成することができる。なお、透光性基板１００の裏面に図示しない補強基板を接着して微細成形モールドの強度を補強してもよい。   Next, as shown in FIG. 7C, the surface layers of the second plating layer 402, the first plating layer 102, and the seed layer 101 are removed by grinding, polishing, or the like until the translucent substrate 100 is exposed. Next, as shown in FIG. 7D or 7E, the translucent substrate 100 is selectively removed from the surface of the translucent substrate 100 to a position deeper than the bottom 104 of the molding surface. By controlling the etching end point, FIG. 7D or FIG. 7E can be formed. Note that a reinforcing substrate (not shown) may be bonded to the back surface of the translucent substrate 100 to reinforce the strength of the fine mold.

図８Ｂおよび図８Ｃに示す微細成形モールド４２、４３は、次の方法で形成することができる。図８Ａは、図７Ｃにおいて透光性基板１００と第二のめっき層４０２と第一のめっき層１０２とシード層１０１とが露出した面に第二の透光性基板４００を接合した状態を示している。接合は例えば低融点ガラスを熱圧着することにより行う。なお、第二の透光性基板４００と前記露出した面との密着力を向上させるために、透光性基板４００の熱圧着前に、透光性基板１００の表面や第二のめっき層４０２の表面をエッチングしておいてもよい。最後に、透光性基板１００を裏面から凸部２０２の頂部以下の深度の位置まで選択的に除去することにより、図８Ｂまたは図８Ｃに示すような遮光性凸部１０３を形成することができる。   The fine molds 42 and 43 shown in FIGS. 8B and 8C can be formed by the following method. FIG. 8A shows a state in which the second translucent substrate 400 is bonded to the surface where the translucent substrate 100, the second plating layer 402, the first plating layer 102, and the seed layer 101 are exposed in FIG. 7C. ing. Joining is performed by, for example, thermocompression bonding of low-melting glass. In addition, in order to improve the adhesive force between the second translucent substrate 400 and the exposed surface, the surface of the translucent substrate 100 and the second plating layer 402 are formed before thermocompression bonding of the translucent substrate 400. The surface of the substrate may be etched. Finally, by selectively removing the translucent substrate 100 from the back surface to a position below the top of the convex portion 202, the light-shielding convex portion 103 as shown in FIG. 8B or FIG. 8C can be formed. .

（第５実施形態）
図９に本発明による微細成形モールドの第５実施形態とその製造方法を示す。
図９Ｅおよび図９Ｆは第５実施形態にかかる微細成形モールドである。第５実施形態の微細成形モールドは、遮光性凸部１０３が露出している部分がシード層１０１で覆われており、遮光性凸部１０３が透光性接着剤層５０１を介して第二の透光性基板５００と接合されている。 (Fifth embodiment)
FIG. 9 shows a fifth embodiment of a fine mold according to the present invention and a manufacturing method thereof.
FIG. 9E and FIG. 9F show a fine mold according to the fifth embodiment. In the micro-molding mold of the fifth embodiment, the portion where the light-shielding convex portion 103 is exposed is covered with the seed layer 101, and the light-shielding convex portion 103 is interposed via the translucent adhesive layer 501. The light-transmitting substrate 500 is joined.

・製造方法
第５実施形態の微細成形モールド５の製造工程において、図９Ａ、図９Ｂ、図９Ｃに示す工程は、第２実施形態の製造工程における図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃと共通である。第５実施形態において透光性基板１００は、請求項に記載の犠牲基板に相当する。図９Ｃに示すように研削、研磨された後の面に、図９Ｄに示すように、透光性接着剤層５０１を塗布し、その上に第二の透光性基板５００を接着する。透光性接着剤層５０１には、例えば低融点ガラス、塗布ガラス材料等が用いられる。最後に、透光性基板１００の裏面から凸部２０２の頂面の高さ以下の位置まで透光性基板１００を選択的に除去することにより、図９Ｅまたは図９Ｆに示す遮光性凸部１０３を成形する。なお、図９Ｅに示すように犠牲基板としての透光性基板１００を全て除去する場合、犠牲基板として用いる基板は透光性を有していなくてもよい。 Manufacturing Method In the manufacturing process of the fine molding mold 5 of the fifth embodiment, the processes shown in FIGS. 9A, 9B, and 9C are the same as FIGS. 3A, 3B, and 3C in the manufacturing process of the second embodiment. . In the fifth embodiment, the translucent substrate 100 corresponds to the sacrificial substrate described in the claims. As shown in FIG. 9D, a translucent adhesive layer 501 is applied to the surface after being ground and polished as shown in FIG. 9C, and the second translucent substrate 500 is adhered thereon. For the light-transmitting adhesive layer 501, for example, low-melting glass, coated glass material, or the like is used. Finally, by selectively removing the translucent substrate 100 from the back surface of the translucent substrate 100 to a position below the height of the top surface of the convex portion 202, the light-shielding convex portion 103 shown in FIG. 9E or FIG. 9F. Is molded. Note that as shown in FIG. 9E, in the case where the light-transmitting substrate 100 as a sacrificial substrate is all removed, the substrate used as the sacrificial substrate may not have light-transmitting properties.

（第６実施形態）
図１０に本発明による微細成形モールドの第６実施形態と、それを用いた転写成形方法を示す。図１０Ａに示す微細成形モールド６は、遮光性凸部１０３が凸曲面形状を有している点が第５実施形態と相違する。
・転写成形方法
まず図１０Ａに示すように、基板１０７の表面に感光性成形対象膜としての樹脂膜１０６を塗布する。１０５は樹脂膜１０６の中に塗り込まれた第二の透光性基板６００より硬度の高い異物である。第６実施形態の微細成形モールド６を用いた転写成形に用いる樹脂膜１０６は光分解型の感光性樹脂である。例えばポジ型感光性ポリイミドを樹脂膜１０６に用いることができる。 (Sixth embodiment)
FIG. 10 shows a sixth embodiment of a fine mold according to the present invention and a transfer molding method using the same. The micromolding mold 6 shown in FIG. 10A is different from the fifth embodiment in that the light-shielding convex portion 103 has a convex curved surface shape.
Transfer Molding Method First, as shown in FIG. 10A, a resin film 106 as a photosensitive molding target film is applied to the surface of the substrate 107. Reference numeral 105 denotes a foreign substance having a hardness higher than that of the second translucent substrate 600 coated in the resin film 106. The resin film 106 used for transfer molding using the fine mold 6 of the sixth embodiment is a photodegradable photosensitive resin. For example, positive photosensitive polyimide can be used for the resin film 106.

次に図１０Ｂに示すように、基板１０７に塗布された樹脂膜１０６に微細成形モールド６を圧着し、光を照射する。遮光性凸部１０３の硬度が透光性基板１００の硬度より高い場合、このとき微細成形モールド６の凸部を形成している遮光性凸部１０３と基板１０７との間の樹脂膜１０６の中（未感光領域１１１）に異物１０５が存在していても、異物１０５による遮光性凸部１０３の変形や破損の発生頻度は低い。   Next, as shown in FIG. 10B, the fine mold 6 is pressed against the resin film 106 applied to the substrate 107 and irradiated with light. When the hardness of the light-shielding convex portion 103 is higher than the hardness of the translucent substrate 100, the resin film 106 between the light-shielding convex portion 103 and the substrate 107 forming the convex portion of the fine mold 6 at this time Even if the foreign matter 105 exists in the (unexposed area 111), the frequency of occurrence of deformation or breakage of the light-shielding convex portion 103 by the foreign matter 105 is low.

次に図１０Ｃに示すように、微細成形モールド６を樹脂膜１０６から剥離する。異物１０５によって破損しなかった微細成形モールド６は、次回以降の成形にも再び使用することができる。
最後に図１０Ｄに示すように、感光領域１１０の樹脂を現像によって除去する。 Next, as shown in FIG. 10C, the fine mold 6 is peeled from the resin film 106. The fine mold 6 that has not been damaged by the foreign material 105 can be used again for the next molding.
Finally, as shown in FIG. 10D, the resin in the photosensitive region 110 is removed by development.

・製造方法
図１１Ａと図１１Ｂに示す凹曲面成形工程は、第３実施形態の微細成形モールドの製造方法（図６Ａ、図６Ｂ）と共通の方法を採用してよい。図１１Ｃ、図１１Ｄ、図１１Ｅ、図１１Ｆに示す遮光性凸部形成工程は、第５実施形態の図９Ｂ、図９Ｃ、図９Ｄ、図９Ｅに対応する方法を採用してよい。 Manufacturing Method The concave curved surface forming step shown in FIGS. 11A and 11B may employ a method common to the method for manufacturing the fine mold according to the third embodiment (FIGS. 6A and 6B). 11C, FIG. 11D, FIG. 11E, and FIG. 11F may employ a method corresponding to FIG. 9B, FIG. 9C, FIG. 9D, and FIG. 9E of the fifth embodiment.

（第７実施形態）
図１２に本発明による微細成形モールドの第７実施形態と、その製造方法を示す。
・微細成形モールドの構成
図１２Ｅおよび図１２Ｆに示すように第７実施形態にかかる微細成形モールドは、遮光性凸部１０３がめっきによって形成されない構成であるのでシード層が介在しない点が他の実施形態と相違する。遮光性凸部１０３を構成する材料にＳｉＮ、ＳｉＣ等の硬質材料を採用することにより、遮光性凸部１０３の強度が向上する。 (Seventh embodiment)
FIG. 12 shows a seventh embodiment of a fine mold according to the present invention and a manufacturing method thereof.
-Configuration of the micro-molding mold As shown in FIGS. 12E and 12F, the micro-molding mold according to the seventh embodiment is a configuration in which the light-shielding convex portion 103 is not formed by plating, so that no seed layer is interposed. It differs from the form. By adopting a hard material such as SiN or SiC as the material constituting the light-shielding convex portion 103, the strength of the light-shielding convex portion 103 is improved.

・製造方法
まず図１２Ａに示すように、遮光性基板７００上にフォトレジストマスク１３０のパターンを形成し、図１２Ｂに示すように遮光性基板７００をエッチングする。具体的には例えば、ＣＦ４ガスを用いたＲＩＥによる異方性エッチングを行う。その後、ＮＭＰやアセトン、Ｏ２プラズマ、アミン系有機溶剤等でフォトレジストマスク１３０を除去する。次に図１２Ｃに示すように遮光性基板７００上に形成された凹凸領域２００の上に透光性基板１００を接合する。具体的には例えば、低融点ガラスを用い３８０℃で熱圧着する。低融点ガラスの代わりにパイレックスガラス（登録商標）を用いてもよい。次に図１２Ｄに示すように、透光性基板１００が露出するまで遮光性基板７００を裏面から研削、研磨する。最後に図１２Ｅまたは図１２Ｆに示すように、透光性基板１００を凸部２０２の高さ以下の位置まで選択的に除去することにより遮光性凸部１０３を形成する。 Manufacturing Method First, as shown in FIG. 12A, a pattern of the photoresist mask 130 is formed on the light-shielding substrate 700, and the light-shielding substrate 700 is etched as shown in FIG. 12B. Specifically, for example, anisotropic etching by RIE using CF 4 gas is performed. Thereafter, the photoresist mask 130 is removed with NMP, acetone, O 2 plasma, an amine organic solvent, or the like. Next, as shown in FIG. 12C, the light-transmitting substrate 100 is bonded onto the uneven region 200 formed on the light-shielding substrate 700. Specifically, for example, thermocompression bonding is performed at 380 ° C. using low melting point glass. Pyrex glass (registered trademark) may be used instead of the low melting point glass. Next, as shown in FIG. 12D, the light-shielding substrate 700 is ground and polished from the back surface until the light-transmissive substrate 100 is exposed. Finally, as shown in FIG. 12E or FIG. 12F, the light-shielding convex portion 103 is formed by selectively removing the translucent substrate 100 to a position below the height of the convex portion 202.

なお、図１２Ｅに示す構成は、次のような製造方法によっても形成することができる。
まず図１３Ａに示すように、透光性基板１００の上に遮光性を有する層を形成する。具体的には例えば、ＳｉＮをＣＶＤにより厚さ１００μｍ成膜する。遮光性基板７００を透光性基板１００を貼り合わせてもよい。次に図１３Ｂに示すように、遮光性基板７００の上にフォトレジストマスク１３０のパターンを形成する。最後に図１３Ｃに示すように、フォトレジストマスク１３０をマスクとして遮光性基板７００をＨ０の高さだけエッチングすることにより遮光性凸部１０３を形成する。 The configuration shown in FIG. 12E can also be formed by the following manufacturing method.
First, as shown in FIG. 13A, a light-shielding layer is formed on a light-transmitting substrate 100. Specifically, for example, SiN is deposited to a thickness of 100 μm by CVD. The light-shielding substrate 700 may be bonded to the light-transmitting substrate 100. Next, as shown in FIG. 13B, a pattern of a photoresist mask 130 is formed on the light-shielding substrate 700. Finally, as shown in FIG. 13C, the light-shielding convex portion 103 is formed by etching the light-shielding substrate 700 by the height of H 0 using the photoresist mask 130 as a mask.

（第８実施形態）
図１４に本発明による微細成形モールドの第８実施形態と、その製造方法を示す。
・微細成形モールドの構成
図１４Ｂに示す第８実施形態の微細成形モールド８は、遮光層８００の面であって透光性基板１００との接合面と対向する面に保護層８０５が設けられている点が他の実施形態と相違する。遮光層８００を構成する材料は例えば、Ｔｉ、Ｃｒ等である。遮光層８００が凸部８１０の先端にない構成であるので、遮光層８００の欠けや変形の可能性が低減する。保護層８０５は例えばＳｉＮ、ＳｉＣで構成される。ＳｉＮやＳｉＣ等のセラミクスは厚さが薄い場合は遮光性が乏しいが、０．１μｍ以上金属と積層されることにより、ほぼ１００％の遮光性が確保できる。保護層８０５が遮光層８００との組み合わせにより遮光性を有する場合、保護層８０５と遮光層８００とからなる凸部８１０が、請求項に記載の遮光性凸部に相当する。保護層８０５が遮光性を有さない場合、遮光層８００が請求項に記載の遮光性凸部に相当する。 (Eighth embodiment)
FIG. 14 shows an eighth embodiment of a fine mold according to the present invention and a manufacturing method thereof.
Configuration of Micromolding Mold The micromolding mold 8 of the eighth embodiment shown in FIG. 14B is provided with a protective layer 805 on the surface of the light shielding layer 800 that faces the joint surface with the translucent substrate 100. This is different from the other embodiments. The material constituting the light shielding layer 800 is, for example, Ti, Cr or the like. Since the light shielding layer 800 is not at the tip of the convex portion 810, the possibility of chipping or deformation of the light shielding layer 800 is reduced. The protective layer 805 is made of, for example, SiN or SiC. When ceramics such as SiN and SiC are thin, the light shielding property is poor. However, by laminating with a metal of 0.1 μm or more, almost 100% light shielding property can be secured. In the case where the protective layer 805 has a light shielding property in combination with the light shielding layer 800, the convex portion 810 made up of the protective layer 805 and the light shielding layer 800 corresponds to the light shielding convex portion described in the claims. When the protective layer 805 does not have light shielding properties, the light shielding layer 800 corresponds to the light shielding convex portions described in the claims.

・製造方法
図１４Ａに示すように、透光性基板１００の上に遮光層８００としてのＴｉをスパッタにより厚さ０．５μｍ成膜し、その上に保護層８０５としてＳｉＮをプラズマＣＶＤにより厚さ１０μｍ成膜する。ＳｉＮの代わりにＳｉＯ２、ＰＳＧ、ＢＰＳＧ等をプラズマＣＶＤで成膜してもよい。低融点ガラスを溶着してもよい。保護層８０５の上にフォトレジストマスク１３０のパターンを形成し、フォトレジストマスク１３０をマスクとして保護層８０５を高さＨ０だけエッチングすることによって凸部８１０を形成する。例えば、ＳｉＮで構成される保護層８０５は、ＣＦ４ガスを用いたＲＩＥによって異方性エッチングし、Ｔｉで構成される遮光層８００はＣｌ２ガスを用いたＲＩＥによってエッチングする。 Manufacturing Method As shown in FIG. 14A, Ti as a light shielding layer 800 is formed on a light-transmitting substrate 100 by sputtering to a thickness of 0.5 μm, and SiN is formed thereon as a protective layer 805 by plasma CVD. A 10 μm film is formed. Instead of SiN, SiO 2 , PSG, BPSG or the like may be formed by plasma CVD. Low melting glass may be welded. A pattern of a photoresist mask 130 is formed on the protective layer 805, and the convex portion 810 is formed by etching the protective layer 805 by a height H 0 using the photoresist mask 130 as a mask. For example, the protective layer 805 made of SiN is anisotropically etched by RIE using CF 4 gas, and the light shielding layer 800 made of Ti is etched by RIE using Cl 2 gas.

（第９実施形態）
図１５Ｆおよび図１６Ｄは本発明による微細成形モールドの第９実施形態である。
・微細成形モールドの構成
図１５Ｆおよび図１６Ｄに示す微細成形モールドは、遮光性凸部１０３を構成しているめっき層９０４の側面および先端面がシード層１０１に覆われている。 (Ninth embodiment)
15F and 16D show a ninth embodiment of a fine mold according to the present invention.
Configuration of Fine Molding Mold In the fine molding mold shown in FIGS. 15F and 16D, the side surface and the tip surface of the plating layer 904 constituting the light-shielding convex portion 103 are covered with the seed layer 101.

・製造方法
まず、第一の犠牲基板９０２の上に第一のシード層９０１を成膜し、その上に第二の犠牲基板９００を形成する。第一の犠牲基板９０２の材料は例えば、単結晶Ｓｉ、石英、ガラス、結晶化ガラス等である。第一のシード層９０１の材料は例えばＣｒ、Ｃｕ等である。第二の犠牲基板９００の材料は例えばＣｕ等である。
次に、第一の犠牲基板９０２の上にフォトレジストマスク１３０のパターンを形成し、フォトレジストマスク１３０をマスクとして第一の犠牲基板９０２を図１５Ａに示すようにエッチングする。
次にフォトレジストマスク１３０を除去し、図１５Ｂに示すように、エッチングにより形成された凹凸領域２００の上に第二のシード層９０３を成膜する。第二のシード層９０３は例えばＮｉＷ等である。
次にその上にめっき層９０４を堆積させ凹部２０１を埋める。めっき層９０４は例えばＮｉＷ、ＮｉＭｏ、ＮｉＷ、ＮｉＦｅ、ＣｏＭｏ、ＮｉＣｏ、Ｃｒ等で構成される。 Manufacturing Method First, the first seed layer 901 is formed on the first sacrificial substrate 902, and the second sacrificial substrate 900 is formed thereon. The material of the first sacrificial substrate 902 is, for example, single crystal Si, quartz, glass, crystallized glass, or the like. The material of the first seed layer 901 is, for example, Cr, Cu or the like. The material of the second sacrificial substrate 900 is, for example, Cu.
Next, a pattern of a photoresist mask 130 is formed on the first sacrificial substrate 902, and the first sacrificial substrate 902 is etched using the photoresist mask 130 as a mask as shown in FIG. 15A.
Next, the photoresist mask 130 is removed, and as shown in FIG. 15B, a second seed layer 903 is formed on the concavo-convex region 200 formed by etching. The second seed layer 903 is, for example, NiW.
Next, a plating layer 904 is deposited thereon to fill the recess 201. The plating layer 904 is made of, for example, NiW, NiMo, NiW, NiFe, CoMo, NiCo, Cr, or the like.

次に図１５Ｃに示すように、めっき層９０４、第二のシード層９０３を研削または研磨して平坦化し、第一の犠牲基板９０２を露出させる。
次に図１５Ｄに示すように、平坦化された面に透光性基板１００を接合する。例えば透光性基板１００としての低融点ガラスを熱圧着する。透光性基板１００の材料には、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、石英、シリコンゴムなどを用いても良い。ＣＩＭ（Ceramic Injection Molding）によって透光性基板１００を形成してもよい。
次に図１５Ｅに示すように、第二の犠牲基板９００および第一のシード層９０１をエッチングにより除去する。例えば第二の犠牲基板９００のエッチングには、エルメックス社製エンストリップＣを用い、第一のシード層９０１のエッチングには硝酸セリウム・アンモニウムを用いる。
最後に図１５Ｆに示すように、第一の犠牲基板９０２を除去すると、平坦な透光性基板に遮光性凸部が接合された微細成形モールド９が完成する。例えば、ＣＦ４ガス、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆのいずれかのガスを成分とするＲＩＥにてエッチングする。 Next, as shown in FIG. 15C, the plated layer 904 and the second seed layer 903 are planarized by grinding or polishing, and the first sacrificial substrate 902 is exposed.
Next, as shown in FIG. 15D, a light-transmitting substrate 100 is bonded to the planarized surface. For example, a low melting point glass as the translucent substrate 100 is thermocompression bonded. As a material of the light-transmitting substrate 100, a thermosetting resin, a thermoplastic resin, quartz, silicon rubber, or the like may be used. The translucent substrate 100 may be formed by CIM (Ceramic Injection Molding).
Next, as shown in FIG. 15E, the second sacrificial substrate 900 and the first seed layer 901 are removed by etching. For example, for etching the second sacrificial substrate 900, Enstrip C manufactured by Elmex Corporation is used, and for etching the first seed layer 901, cerium / ammonium nitrate is used.
Finally, as shown in FIG. 15F, when the first sacrificial substrate 902 is removed, the fine mold 9 in which the light-shielding convex portions are joined to the flat translucent substrate is completed. For example, etching is performed by RIE containing any of CF 4 gas, CH 2 F 2 , and CH 3 F as a component.

図１５Ｃの工程の後、図１６Ａに示すように第一の犠牲基板９０２を途中までエッチングすると、透光性基板の凹部に遮光性凸部の基部が埋まった微細成形モールド９１が完成する。図１６Ｂ、図１６Ｃ、図１６Ｄに示す工程は、前述した図１５Ｄ、図１５Ｅ、図１５Ｆの工程と対応する。   After the step of FIG. 15C, when the first sacrificial substrate 902 is etched halfway as shown in FIG. 16A, a fine mold 91 in which the base of the light-shielding convex portion is buried in the concave portion of the translucent substrate is completed. The processes shown in FIGS. 16B, 16C, and 16D correspond to the processes of FIGS. 15D, 15E, and 15F described above.

（第１０実施形態）
図１８Ｆに本発明による微細成形モールドの第１０実施形態を示す。
・微細成形モールドの構成
第１０実施形態の微細成形モールド１０は、遮光性凸部１０３が突出している方向に接合界面のある２層の遮光性膜で遮光性凸部が形成されている。
・製造方法
まず図１７Ａに示すように、犠牲基板１０００上に遮光性膜１００１を成膜する。犠牲基板１０００は例えば単結晶Ｓｉ、ＳｉＮ、ＳｉＯ２、アモルファスＳｉ、多結晶Ｓｉ等である。遮光性膜１００１として例えばＴｉＮｘを反応性スパッタなどで０．５μｍ成膜する。次に遮光性膜１００１の表面上にフォトレジストマスク１３０を形成する。
次にフォトレジストマスク１３０の開口部から露出している遮光性膜１００１の上に第一の犠牲膜１００２を成膜し、図１７Ｂに示すようにフォトレジストマスク１３０を除去する。第一の犠牲膜１００２は例えば電解めっきによりＣｕを２００μｍ成膜することにより形成する。Ｃｕのかわりにすずやはんだをめっきしてもよい。電解めっきのかわりに、無電解めっき、スパッタ、蒸着、ＣＶＤ、ＭＩＭ（Metal Injection Molding）を用いてもよい。また、第一の犠牲膜１００２成膜後、研削、研磨のうち少なくとも一方を行って膜厚を均一にしてもよい。 (10th Embodiment)
FIG. 18F shows a tenth embodiment of a fine mold according to the present invention.
-Configuration of Micromolding Mold The micromolding mold 10 of the tenth embodiment has a light-shielding convex portion formed of two layers of light-shielding films having a bonding interface in the direction in which the light-shielding convex portion 103 projects.
Manufacturing Method First, as shown in FIG. 17A, a light-shielding film 1001 is formed on the sacrificial substrate 1000. The sacrificial substrate 1000 is, for example, single crystal Si, SiN, SiO 2 , amorphous Si, polycrystalline Si, or the like. As the light shielding film 1001, for example, TiN x is formed to a thickness of 0.5 μm by reactive sputtering or the like. Next, a photoresist mask 130 is formed on the surface of the light shielding film 1001.
Next, a first sacrificial film 1002 is formed on the light-shielding film 1001 exposed from the opening of the photoresist mask 130, and the photoresist mask 130 is removed as shown in FIG. 17B. The first sacrificial film 1002 is formed, for example, by depositing 200 μm of Cu by electrolytic plating. Tin or solder may be plated instead of Cu. Instead of electrolytic plating, electroless plating, sputtering, vapor deposition, CVD, or MIM (Metal Injection Molding) may be used. Further, after the first sacrificial film 1002 is formed, at least one of grinding and polishing may be performed to make the film thickness uniform.

次に図１７Ｃに示すように、遮光性凸部となる遮光性膜１００１を成膜する。例えばＴｉＮｘを０．５μｍ成膜する。遮光性膜１００１の膜厚ｌは、透光性基板１０００上に形成された第一の犠牲膜１００２間のスペース幅をＬとすると、２ｌ＜Ｌを満たすように設定される。
次に図１７Ｄに示すように、遮光性膜１００３を遮光性膜１００１の上に成膜する。例えばＷＦ６ガスを用いたＣＶＤによりＷを２０μｍ成膜する。
次に図１７Ｅに示すように、第二の犠牲膜１００４を遮光性膜１００３の上に成膜し、遮光性膜１００３の表面の凹部を第二の犠牲膜１００４によって埋める。 Next, as shown in FIG. 17C, a light-shielding film 1001 serving as a light-shielding convex portion is formed. For example, a TiNx film having a thickness of 0.5 μm is formed. The film thickness l of the light-shielding film 1001 is set to satisfy 2l <L, where L is the space width between the first sacrificial films 1002 formed on the light-transmitting substrate 1000.
Next, as illustrated in FIG. 17D, a light shielding film 1003 is formed over the light shielding film 1001. For example, a 20 μm thick W film is formed by CVD using WF 6 gas.
Next, as shown in FIG. 17E, a second sacrificial film 1004 is formed on the light-shielding film 1003, and the concave portion on the surface of the light-shielding film 1003 is filled with the second sacrificial film 1004.

次に図１８Ａに示すように、第一の犠牲膜１００２が露出するまで第二の犠牲膜１００４と遮光性膜１００３と遮光性膜１００１とを研削・研磨等により除去する。
次に図１８Ｂに示すように、第一の犠牲膜１００２と第二の犠牲膜１００４の表層を透光性基板１００が露出する手前までエッチングにより選択的に除去する。Ｃｕからなる第一の犠牲膜１００２と第二の犠牲膜１００４のエッチングは過硫酸アンモニウムとアンモニア水の混合液を用いる。
次に図１８Ｃに示すように、透光性基板１００を接合する。例えば低融点ガラスを熱圧着する。 Next, as shown in FIG. 18A, the second sacrificial film 1004, the light-shielding film 1003, and the light-shielding film 1001 are removed by grinding, polishing, or the like until the first sacrificial film 1002 is exposed.
Next, as shown in FIG. 18B, the surface layers of the first sacrificial film 1002 and the second sacrificial film 1004 are selectively removed by etching until the translucent substrate 100 is exposed. Etching of the first sacrificial film 1002 and the second sacrificial film 1004 made of Cu uses a mixed solution of ammonium persulfate and ammonia water.
Next, as shown in FIG. 18C, the translucent substrate 100 is bonded. For example, low melting glass is thermocompression bonded.

次に図１８Ｄに示すように犠牲基板１０００をエッチングなどにより除去する。犠牲基板１０００は研削・研磨により除去してもよいし、剥離させてもよい。
次に図１８Ｅに示すように、１００１、１００３が分断され、１００３、１００３が分断された領域から第二の犠牲膜１００４が露出するまで第一の犠牲膜１００２と遮光性膜１００１と遮光性膜１００３との表層を研削・研磨により除去する。
最後に図１８Ｆに示すように、図１８Ｂの工程と同様の方法で第一の犠牲膜１００２と第二の犠牲膜１００４とを選択的に除去することにより、遮光性凸部１０３を形成する。フォトリソグラフィによる微細加工の解像度限界をＬ０とすると、この製造方法を採用することによりＬ０より微細なパターン幅Ｌ１を有する微細成形モールド１０を製造することができる。 Next, as shown in FIG. 18D, the sacrificial substrate 1000 is removed by etching or the like. The sacrificial substrate 1000 may be removed by grinding and polishing, or may be peeled off.
Next, as shown in FIG. 18E, the first sacrificial film 1002, the light-shielding film 1001, and the light-shielding film until the second sacrificial film 1004 is exposed from the region where the parts 1001 and 1003 are divided and 1003 and 1003 are divided. The surface layer with 1003 is removed by grinding and polishing.
Finally, as shown in FIG. 18F, the light-shielding convex portion 103 is formed by selectively removing the first sacrificial film 1002 and the second sacrificial film 1004 in the same manner as in the process of FIG. 18B. When the resolution limit of microfabrication by photolithography is L 0 , a fine mold 10 having a pattern width L 1 finer than L 0 can be manufactured by adopting this manufacturing method.

尚、本発明は、上記した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。   It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and it is needless to say that various modifications can be made without departing from the gist of the present invention.

（１Ａ）、（１Ｂ）、（１Ｃ）および（１Ｄ）は第１実施形態にかかる断面図。(1A), (1B), (1C) and (1D) are sectional views according to the first embodiment. （２Ａ）、（２Ｂ）、（２Ｃ）および（２Ｄ）は第１実施形態にかかる断面図。(2A), (2B), (2C) and (2D) are sectional views according to the first embodiment. （３Ａ）、（３Ｂ）、（３Ｃ）、（３Ｄ）、（３Ｅ）および（３Ｆ）は第２実施形態にかかる断面図。(3A), (3B), (3C), (3D), (3E) and (3F) are sectional views according to the second embodiment. （４Ａ）、（４Ｂ）、（４Ｃ）、（４Ｄ）および（４Ｅ）は第３実施形態にかかる断面図。(4A), (4B), (4C), (4D) and (4E) are sectional views according to the third embodiment. （５Ａ）、（５Ｂ）、（５Ｃ）および（５Ｄ）は第３実施形態にかかる断面図。(5A), (5B), (5C) and (5D) are sectional views according to the third embodiment. （６Ａ）および（６Ｂ）は第３実施形態にかかる断面図。(6A) and (6B) are sectional views according to the third embodiment. （７Ａ）、（７Ｂ）、（７Ｃ）、（７Ｄ）および（７Ｅ）は第４実施形態にかかる断面図。(7A), (7B), (7C), (7D) and (7E) are sectional views according to the fourth embodiment. （８Ａ）、（８Ｂ）および（８Ｃ）は第４実施形態にかかる断面図。(8A), (8B) and (8C) are sectional views according to the fourth embodiment. （９Ａ）、（９Ｂ）、（９Ｃ）、（９Ｄ）、（９Ｅ）および（９Ｆ）は第５実施形態にかかる断面図。(9A), (9B), (9C), (9D), (9E) and (9F) are sectional views according to the fifth embodiment. （１０Ａ）、（１０Ｂ）、（１０Ｃ）および（１０Ｄ）は第６実施形態にかかる断面図。(10A), (10B), (10C) and (10D) are sectional views according to the sixth embodiment. （１１Ａ）、（１１Ｂ）、（１１Ｃ）、（１１Ｄ）、（１１Ｅ）および（１１Ｆ）は第６実施形態にかかる断面図。(11A), (11B), (11C), (11D), (11E) and (11F) are sectional views according to the sixth embodiment. （１２Ａ）、（１２Ｂ）、（１２Ｃ）、（１２Ｄ）、（１２Ｅ）および（１２Ｆ）は第７実施形態にかかる断面図。(12A), (12B), (12C), (12D), (12E) and (12F) are sectional views according to the seventh embodiment. （１３Ａ）、（１３Ｂ）および（１３Ｃ）は第７実施形態にかかる断面図。(13A), (13B) and (13C) are cross-sectional views according to the seventh embodiment. （１４Ａ）および（１４Ｂ）は第８実施形態にかかる断面図。(14A) And (14B) is sectional drawing concerning 8th Embodiment. （１５Ａ）、（１５Ｂ）、（１５Ｃ）、（１５Ｄ）、（１５Ｅ）および（１５Ｆ）は第９実施形態にかかる断面図。(15A), (15B), (15C), (15D), (15E), and (15F) are sectional views according to the ninth embodiment. （１６Ａ）、（１６Ｂ）、（１６Ｃ）および（１６Ｄ）は第９実施形態にかかる断面図。(16A), (16B), (16C) and (16D) are sectional views according to the ninth embodiment. （１７Ａ）、（１７Ｂ）、（１７Ｃ）、（１７Ｄ）および（１７Ｅ）は第１０実施形態にかかる断面図。(17A), (17B), (17C), (17D) and (17E) are cross-sectional views according to the tenth embodiment. （１８Ａ）、（１８Ｂ）、（１８Ｃ）、（１８Ｄ）、（１８Ｅ）および（１８Ｆ）は第１０実施形態にかかる断面図。(18A), (18B), (18C), (18D), (18E) and (18F) are cross-sectional views according to the tenth embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

１：微細成形モールド、２：微細成形モールド、３：微細成形モールド、４：微細成形モールド、５：微細成形モールド、６：微細成形モールド、７：微細成形モールド、８：微細成形モールド、９：微細成形モールド、１０：微細成形モールド、１００：透光性基板、１０１：シード層、１０２：めっき層、１０３：遮光性凸部、１０４：底部、１０６： 樹脂膜、１０７：基板、１１０：感光領域、１１１：未感光領域、１２０：接合面、１３０：フォトレジストマスク、２００：凹凸領域、２０１：凹部、２０２：凸部、４００：透光性基板、４０２：第二のめっき層、５００：透光性基板、５０１：透光性接着剤層、６００：透光性基板、７００：遮光性基板、８００：遮光層、８０５：保護層、８１０：凸部、９００：第二の犠牲基板、９０１：シード層、９０２：第一の犠牲基板、９０３：シード層、９０４：めっき層、１０００：犠牲基板、１００１：シード層、１００２：犠牲膜、１００３：めっき層、１００４：犠牲膜   1: fine mold, 2: fine mold, 3: fine mold, 4: fine mold, 5: fine mold, 6: fine mold, 7: fine mold, 8: fine mold, 9: Fine mold, 10: Fine mold, 100: Translucent substrate, 101: Seed layer, 102: Plating layer, 103: Light-shielding convex part, 104: Bottom part, 106: Resin film, 107: Substrate, 110: Photosensitive Area: 111: unexposed area, 120: bonding surface, 130: photoresist mask, 200: concavo-convex area, 201: concave part, 202: convex part, 400: translucent substrate, 402: second plating layer, 500: Translucent substrate, 501: Translucent adhesive layer, 600: Translucent substrate, 700: Light-shielding substrate, 800: Light-shielding layer, 805: Protective layer, 810: Projection, 900: Second sacrifice Substrate, 901: seed layer, 902: first sacrificial substrate, 903: seed layer, 904: plating layer, 1000: sacrificial substrate, 1001: seed layer, 1002: sacrificial film, 1003: plating layer, 1004: sacrificial film

Claims (10)

感光性成形対象膜と密着する成形面の一部を構成する透光性基板と、
前記成形面の凸部を構成し、前記透光性基板との接合面が前記成形面の裏側の面に最も近い前記成形面の底部以上の深度に位置する遮光性凸部と、
を備える微細成形モールド。 A translucent substrate that constitutes a part of the molding surface in close contact with the photosensitive molding target film;
The light-shielding convex part which comprises the convex part of the above-mentioned molding surface, and is located in the depth more than the bottom part of the above-mentioned molding surface where the joint surface with the above-mentioned translucent substrate is closest to the back side surface of the above-mentioned molding surface,
A fine molding mold comprising: 前記接合面は、前記成形面の底部より深い深度に位置する、
請求項１に記載の微細成形モールド。 The joint surface is located at a deeper depth than the bottom of the molding surface;
The fine mold according to claim 1. 前記遮光性凸部は、前記透光性基板より硬度が高い、
請求項１または２に記載の微細成形モールド。 The light-shielding convex portion has a higher hardness than the translucent substrate,
The fine mold according to claim 1 or 2. 前記遮光性凸部は、金属、金属化合物、セラミクスのいずれかで構成される、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の微細成形モールド。 The light-shielding convex portion is composed of any one of a metal, a metal compound, and ceramics.
The fine mold according to any one of claims 1 to 3. 前記透光性基板は、ガラス、結晶化ガラス、石英、透光性セラミクス、アルミナ、サファイアのいずれかで構成される、
請求項１〜４のいずれか一項に記載の微細成形モールド。 The translucent substrate is composed of any of glass, crystallized glass, quartz, translucent ceramics, alumina, and sapphire.
The fine mold according to any one of claims 1 to 4. 透光性基板の表面に凹凸領域を形成し、
前記凹凸領域に遮光性を有する膜を堆積させることによって前記凹凸領域の凹部を埋め、
前記透光性基板が露出するまで前記遮光性を有する膜の表層を研削、研磨の少なくともいずれかを行い、
前記透光性基板の表面から前記凹凸領域の底部以下の深度の位置まで前記透光性基板を選択的に除去することによって前記遮光性を有する膜からなる遮光性凸部を形成する、
ことを含む微細成形モールドの製造方法。 Form an uneven area on the surface of the translucent substrate,
By filling a film having a light-shielding property in the uneven region, filling the concave portion of the uneven region,
Grinding and polishing at least one of the surface layers of the light-shielding film until the translucent substrate is exposed,
Forming a light-shielding convex portion made of the light-shielding film by selectively removing the light-transmissive substrate from the surface of the light-transmissive substrate to a position at a depth equal to or lower than the bottom of the uneven region;
The manufacturing method of the fine mold which contains this. 前記遮光性を有する膜を除去することによって露出した前記透光性基板の表面上に膜厚がなだらかに変化するレジストマスクを形成し、
前記透光性基板を、前記レジストマスクもろともエッチングすることによって前記透光性基板の表面になだらかな曲面を成形する、
請求項６に記載の微細成形モールドの製造方法。 Forming a resist mask whose thickness changes gently on the surface of the translucent substrate exposed by removing the light-shielding film;
A gentle curved surface is formed on the surface of the translucent substrate by etching the translucent substrate with the resist mask.
The manufacturing method of the fine mold according to claim 6. 犠牲基板の表面に凹凸領域を形成し、
前記凹凸領域に遮光性を有する膜を堆積させることによって前記凹凸領域の凹部を埋め、
前記犠牲基板が露出するまで前記遮光性を有する膜の表層を研削、研磨の少なくともいずれかを行い、
研削または研磨によって平坦化された前記犠牲基板の表面と前記遮光性を有する膜の表面とに透光性基板を接合し、
前記犠牲基板の裏面から前記犠牲基板を選択的に前記凹凸領域の底部より深く前記凹凸領域の頂部以下の深度の位置まで除去することによって前記遮光性を有する膜からなる遮光性凸部を形成する、
ことを含む微細成形モールドの製造方法。 Form an uneven area on the surface of the sacrificial substrate,
By filling a film having a light-shielding property in the uneven region, filling the concave portion of the uneven region,
Grinding and polishing at least one of the surface layers of the light-shielding film until the sacrificial substrate is exposed,
Bonding a translucent substrate to the surface of the sacrificial substrate flattened by grinding or polishing and the surface of the light-shielding film;
The sacrificial substrate is selectively removed from the back surface of the sacrificial substrate to a position deeper than the bottom of the concavo-convex region and below the top of the concavo-convex region, thereby forming a light-shielding convex portion made of the light-shielding film. ,
The manufacturing method of the fine mold which contains this. 遮光性基板の表面に凹凸領域を形成し、
前記凹凸領域に透光性基板を軟化させた状態で圧着することにより、前記凹凸領域の凹部を埋め、
前記遮光性基板の裏面から前記遮光性基板を前記透光性基板が露出するまで除去し、
前記遮光性基板を除去することによって露出した前記透光性基板を選択的に前記凹凸領域の頂部以下の深度の位置まで除去することによって前記遮光性を有する膜からなる遮光性凸部を形成する、
ことを含む微細成形モールドの製造方法。 An uneven area is formed on the surface of the light-shielding substrate,
By pressing the translucent substrate in a softened state on the uneven region, the concave portion of the uneven region is filled,
Removing the light blocking substrate from the back surface of the light blocking substrate until the light transmitting substrate is exposed;
The light-transmitting substrate exposed by removing the light-shielding substrate is selectively removed to a depth below the top of the uneven region to form a light-shielding convex portion made of the light-shielding film. ,
The manufacturing method of the fine mold which contains this. 基板の表面上に感光性成形対象膜を形成し、
前記感光性成形対象膜に前記微細成形モールドの前記成形面を圧着し、
前記微細成形モールドの前記成形面の裏側から前記感光性成形対象膜を露光し、
露光された前記感光性成形対象膜から前記微細成形モールドを離型し、
前記感光性成形対象膜を現像する、
ことを含む請求項１〜５のいずれか一項に記載の微細成形モールドを用いた転写成形方法。 Form a photosensitive molding target film on the surface of the substrate,
Pressure bonding the molding surface of the fine molding mold to the photosensitive molding target film;
Exposing the photosensitive molding target film from the back side of the molding surface of the fine molding mold,
The fine mold is released from the exposed photosensitive molding target film,
Developing the photosensitive molding target film;
The transfer molding method using the fine mold according to any one of claims 1 to 5.
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