JP2008171900A - Micro molding - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は微細成形モールドとその製造方法とそれを用いた配線基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a fine mold, a method for manufacturing the same, and a method for manufacturing a wiring board using the same.
従来、スタンパともいわれる微細成形モールドを用いた微細な成形方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。特許文献1に記載されているような複数段の段差を有する成形面を有するスタンパを用いることにより、フォトリソグラフィによる成形方法に比べ、複数段の段差を有する立体形状を高精度に安価に成形することができる。スタンパの成形面はフォトリソグラフィによるパターン転写によって形成される。成形面に複数段の段差を形成する方法として、フォトマスクのパターンを変えてエッチングやリフトオフを繰り返す方法が知られている(例えば特許文献2参照)。プリント配線基板の配線を形成するための配線溝やスルーホールの成形には、スタンパが用いられたり、フォトリソグラフィが用いられたり、機械的なドリル加工が用いられる(例えば特許文献1〜5参照)。
しかしながら、フォトマスクのパターンを変えてエッチングやリフトオフを繰り返して複数段の段差をスタンパの成形面に形成する場合、フォトマスクのアライメント精度以上には各段の輪郭の相対的な位置精度を設定することができないし、アライメントのマージンを見込んで微細化の限界が定まることになる。したがって、スタンパを用いる場合であっても、プリント配線基板などの複数段の段差を有する成形対象物の微細化は、フォトマスクのアライメント精度の制約を受ける。特に、スタンパを用いて成形対象物に二段の段差を形成するときに一段目の段差と二段目の段差と中間段を飛び越す二段分の段差とを形成する場合には、一段目を形成するためのフォトマスクと二段目を形成するためのフォトマスクとに誤差0のアライメント精度が要求されるため、フォトマスクを変えてこのような段差を形成することは実質的に不可能である。
また、フォトリソグラフィや機械的なドリル加工を用いて成形対象物に複数段の段差を形成する場合でも、フォトマスク等のアライメント精度によって微細化の限界が定まる。
However, when the pattern of the photomask is changed and etching and lift-off are repeated to form a plurality of steps on the molding surface of the stamper, the relative position accuracy of the contour of each step is set to be higher than the alignment accuracy of the photomask. This is not possible, and the limit of miniaturization is determined in consideration of the margin of alignment. Therefore, even when a stamper is used, miniaturization of a molding object having a plurality of steps such as a printed wiring board is restricted by the alignment accuracy of the photomask. In particular, when forming a second step on a molding object using a stamper, when forming a first step, a second step, and a two-step step jumping over an intermediate step, the first step Since the photomask for forming and the photomask for forming the second stage require alignment accuracy with zero error, it is practically impossible to form such a step by changing the photomask. is there.
Further, even when a plurality of steps are formed on a molding object using photolithography or mechanical drilling, the limit of miniaturization is determined by the alignment accuracy of the photomask or the like.
本発明は、このような問題を解決するために創作されたものであって、段差のある形状を高精度に転写成形することを目的とする。 The present invention was created to solve such problems, and an object thereof is to transfer and shape a stepped shape with high accuracy.
(1)上記目的を達成するための微細成形モールドの製造方法は、透光性基板の表面上に第一のパターンの遮光性膜を形成し、前記遮光性膜の上にフォトレジスト膜を形成し、前記フォトレジスト膜を前記透光性基板の裏側から露光し、前記第一のパターンと一部が重なる第二のパターンに対応するフォトマスクを用いて前記フォトレジスト膜を前記透光性基板の表側から露光し、前記透光性基板の表裏両側から露光された前記フォトレジスト膜を現像し、現像によって前記フォトレジスト膜に形成された通孔から露出している前記遮光性膜の上に膜を形成し、前記フォトレジスト膜を除去するとともに前記第二のパターンまたは前記第二のパターンの反転パターンの前記膜を残存させる、ことを含む。 (1) A method for producing a fine mold for achieving the above object is to form a light-shielding film having a first pattern on the surface of a light-transmitting substrate and form a photoresist film on the light-shielding film. The photoresist film is exposed from the back side of the translucent substrate, and the photoresist film is applied to the translucent substrate using a photomask corresponding to a second pattern partially overlapping the first pattern. On the light-shielding film exposed from the through-holes formed in the photoresist film by development, developing the photoresist film exposed from both the front and back sides of the translucent substrate Forming a film, removing the photoresist film, and leaving the film of the second pattern or an inverted pattern of the second pattern.
この製造方法によると、第一のパターンの遮光性膜の輪郭と第二のパターンに対応するフォトマスクの輪郭とによって二段分の段差を含む三段の段差を微細成形モールドの成形面に高精度に形成することができる。第一の段差は透光性基板の表面と遮光性膜の表面との段差であり、第二の段差は遮光性膜の表面とその上に形成される膜の表面との段差であり、第三の段差は遮光性基板の表面と遮光性膜の上に形成される膜の表面との段差である。すなわち、透光性基板の表面を下段面といい、遮光性膜の表面を中段面といい、遮光性膜の上に形成される膜の表面を上段面というとき、下段面から中段面を飛び越して上段面に至る段差を微細成形モールドの成形面に高精度に形成することができる。その理由は次の通りである。遮光性膜の上に形成される膜の輪郭は、第一のパターンの遮光性膜を用いた露光と第二のパターンに対応するフォトマスクを用いた露光とを経た後の現像によって形成される。したがって、第一のパターンの遮光性膜と第二のパターンに対応するフォトマスクの両方によって遮蔽される領域に対応する部位のみの膜が残存するか除去される。その結果、遮光性膜とその上に形成される膜の一方の輪郭の一部は他方の膜の輪郭によって定まる。したがって、仮に第一のパターンの遮光性膜と第二のパターンに対応するフォトマスクとのアライメントに誤差が生じても、遮光性膜とその上に形成される膜の輪郭の一方に対して他方の膜がはみ出すことが許されない部位においてそれが起こることはない。したがってこの微細成形モールドの製造方法によると、微細成形モールドの成形面に二段分の段差を有する成形面を精度よく形成することができるため、この方法によって製造された微細成形モールドを用いることにより、二段分の段差を含む三段の段差を有する形状を高精度に転写成形することができる。 According to this manufacturing method, a three-step step including a step of two steps is increased on the molding surface of the fine mold by the contour of the light-shielding film of the first pattern and the contour of the photomask corresponding to the second pattern. It can be formed with high accuracy. The first step is a step between the surface of the light-transmitting substrate and the surface of the light-shielding film, and the second step is a step between the surface of the light-shielding film and the surface of the film formed thereon, The third step is a step between the surface of the light-shielding substrate and the surface of the film formed on the light-shielding film. That is, when the surface of the light-transmitting substrate is referred to as the lower surface, the surface of the light-shielding film is referred to as the middle surface, and the surface of the film formed on the light-shielding film is referred to as the upper surface, it jumps from the lower surface to the middle surface. Therefore, the step reaching the upper surface can be formed on the molding surface of the fine molding mold with high accuracy. The reason is as follows. The outline of the film formed on the light-shielding film is formed by development after the exposure using the light-shielding film of the first pattern and the exposure using the photomask corresponding to the second pattern. . Accordingly, only the film corresponding to the region shielded by both the light-shielding film of the first pattern and the photomask corresponding to the second pattern remains or is removed. As a result, a part of one contour of the light-shielding film and the film formed thereon is determined by the contour of the other film. Therefore, even if an error occurs in the alignment between the light-shielding film of the first pattern and the photomask corresponding to the second pattern, the other of the contours of the light-shielding film and the film formed thereon is the other. It does not occur at sites where no membrane is allowed to protrude. Therefore, according to the method for producing a fine mold, a molding surface having two steps on the molding surface of the fine mold can be accurately formed. A shape having three steps including two steps can be transferred and molded with high accuracy.
尚、本明細書において、表裏は相対的な位置関係の概念であり、ある物について裏面というときには、その物について表面と称する面の裏側の面を意味する。また透光性や遮光性という用語が物について用いられるときは、その物をフォトマスクとする露光工程において用いられる波長の光に対する透光性または遮光性を意味する。また透光性や遮光性は、透光率または遮光率という階調をともなう概念であり、露光される感光性材料の現像時の溶解特性に実質的な差を生じさせる程度に、フォトマスクとして用いられる物が透明または不透明であることを意味する。 In this specification, the front and back are concepts of relative positional relationship, and when a certain object is referred to as a back surface, it means a surface on the back side of a surface referred to as the front surface for that object. Further, when the terms “light-transmitting property” and “light-shielding property” are used for an object, it means light-transmitting property or light-blocking property for light having a wavelength used in an exposure process using the object as a photomask. Translucency and light-shielding properties are concepts with gradations of translucency or light-shielding rate, and can be used as a photomask to such an extent that a substantial difference occurs in the dissolution characteristics during development of the photosensitive material to be exposed. It means that the object used is transparent or opaque.
(2)上記目的を達成するための微細成形モールドの製造方法において、前記第一のパターンは成形対象である配線基板の配線溝に対応し、かつ、前記第二のパターンは前記配線基板のスルーホールに対応してもよい。
この場合、スルーホールの位置ずれを加味してスルーホール周辺の配線パターンを設計する必要が無くなり、スルーホール周辺の配線密度を高めることができる。
(2) In the method of manufacturing a fine mold for achieving the above object, the first pattern corresponds to a wiring groove of a wiring board to be molded, and the second pattern is a through-hole of the wiring board. It may correspond to a hall.
In this case, it is not necessary to design the wiring pattern around the through hole in consideration of the positional deviation of the through hole, and the wiring density around the through hole can be increased.
(3)上記目的を達成するための微細成形モールドの製造方法において、前記スルーホールは貫通電極が形成される孔であってもよい。
この場合、貫通電極の位置ずれを加味して貫通電極周辺の配線パターンを設計する必要が無くなり、貫通電極周辺の配線密度を高めることができる。
(3) In the method of manufacturing a fine mold for achieving the above object, the through hole may be a hole in which a through electrode is formed.
In this case, it is not necessary to design a wiring pattern around the through electrode in consideration of the positional deviation of the through electrode, and the wiring density around the through electrode can be increased.
(4)上記目的を達成するための微細成形モールドの製造方法において、前記スルーホールは貫通アライメントマークが形成される孔であってもよい。
この場合、配線溝と貫通アライメントマークとの位置関係が第一のパターンによって決まるため、配線溝に対して高精度に位置決めした貫通アライメントマークを配線基板に形成することができる。貫通アライメントマークは配線基板の両面に露出するため、両面配線基板の表裏のアライメント精度を向上させたり、多層配線基板の層間のアライメント精度を向上させることができる。
(4) In the method of manufacturing a fine mold for achieving the above object, the through hole may be a hole in which a through alignment mark is formed.
In this case, since the positional relationship between the wiring groove and the through-alignment mark is determined by the first pattern, the through-alignment mark positioned with high accuracy with respect to the wiring groove can be formed on the wiring board. Since the penetrating alignment mark is exposed on both surfaces of the wiring board, the front and back alignment accuracy of the double-sided wiring substrate can be improved, and the alignment accuracy between the layers of the multilayer wiring substrate can be improved.
(5)上記目的を達成するための微細成形モールドの製造方法において、前記フォトレジスト膜より厚く前記膜を形成した後の研削又は研磨により前記フォトレジスト膜以下に前記膜を薄く成形してもよい。
この場合、遮光性膜の上に形成される膜の表面の高さを高精度に揃え、その表面の平坦度または平滑度を高めることができる。
(5) In the method of manufacturing a fine mold for achieving the above object, the film may be thinly formed below the photoresist film by grinding or polishing after forming the film thicker than the photoresist film. .
In this case, the surface height of the film formed on the light-shielding film can be aligned with high accuracy, and the flatness or smoothness of the surface can be increased.
(6)上記目的を達成するための微細成形モールドの製造方法において、前記遮光性膜を保護膜として用いて前記透光性基板をエッチングしてもよい。
この場合、遮光性膜のパターンを転写して成形対象物に形成する凹部の深さを遮光性膜の厚さよりも深くすることができる。
(6) In the method for manufacturing a fine mold for achieving the above object, the light-transmitting substrate may be etched using the light-shielding film as a protective film.
In this case, the depth of the recess formed on the molding object by transferring the pattern of the light shielding film can be made deeper than the thickness of the light shielding film.
(7)上記目的を達成するための微細成形モールドの製造方法において、前記膜を保護膜として用いて前記遮光性膜をエッチングしてもよい。
この場合、第一のパターンの遮光性膜を用いたエッチングにより透光性基板に形成される凹部の段差と、基板の上段面と遮光性膜の上に形成される膜の表面との段差と、基板の凹部の底面(基板の下段面)と遮光性膜の上に形成される膜の表面との段差とを微細成形モールドの成形面に形成することができる。すなわち、基板の凹部の底面である基板の下段面を下段面といい、基板の上段面を中段面といい、遮光性膜の上に形成される膜の表面を上段面というとき、下段面から中段面を飛び越して上段面に至る段差を微細成形モールドの成形面に高精度に形成することができる。また、この方法によって製造された微細成形モールドを用いることにより、二段分の段差を含む三段の段差を有する形状を高精度に転写成形することができる。
(8)上記目的を達成するための微細成形モールドの製造方法において、前記膜を保護膜として用いて前記遮光性膜をエッチングした後に、前記膜の一部をエッチングにより除去してもよい。
この場合、基板の凹部の底面(基板の下段面)と遮光性膜の表面との段差を加えた四段の段差を微細成形モールドの成形面に形成することができる。
(7) In the method of manufacturing a fine mold for achieving the above object, the light shielding film may be etched using the film as a protective film.
In this case, the step of the recess formed in the light-transmitting substrate by etching using the light-shielding film of the first pattern and the step between the upper surface of the substrate and the surface of the film formed on the light-shielding film The step between the bottom surface of the concave portion of the substrate (the lower surface of the substrate) and the surface of the film formed on the light-shielding film can be formed on the molding surface of the fine mold. That is, the lower surface of the substrate, which is the bottom surface of the concave portion of the substrate, is referred to as the lower surface, the upper surface of the substrate is referred to as the middle surface, and the surface of the film formed on the light-shielding film is referred to as the upper surface. A step that jumps from the middle step surface to the upper step surface can be formed on the molding surface of the fine molding mold with high accuracy. In addition, by using a fine mold produced by this method, a shape having three steps including two steps can be transferred and formed with high accuracy.
(8) In the method of manufacturing a fine mold for achieving the above object, after the light shielding film is etched using the film as a protective film, a part of the film may be removed by etching.
In this case, four steps can be formed on the molding surface of the fine mold by adding a step between the bottom surface of the concave portion of the substrate (the lower surface of the substrate) and the surface of the light-shielding film.
(9)上記目的を達成するための微細成形モールドは、透光性基板と、前記透光性基板の表面に接合されている遮光性膜と、前記遮光性膜の上に接合され前記遮光性膜と輪郭の一部が重なる膜と、を備え、前記透光性基板と前記遮光性膜と前記膜とによって2段分の段差を含む3段の段差を有する成形面が形成されている。
この微細成形モールドによると、一段目の段差と、二段目の段差と、一段目の段差を飛び越す二段分の段差とを成形対象物に高精度に形成することができる。この場合、二段分の段差は遮光性膜の輪郭とその上に接合されている膜の輪郭とが重なっている部位に対応する成形対象物の部位に形成される。
(9) A fine mold for achieving the above object includes a light-transmitting substrate, a light-shielding film bonded to the surface of the light-transmitting substrate, and the light-shielding property bonded onto the light-shielding film. The film and the film whose outlines partially overlap each other, and a molding surface having three steps including two steps is formed by the translucent substrate, the light-shielding film, and the film.
According to this fine molding mold, the first step, the second step, and the two steps over the first step can be formed on the molding object with high accuracy. In this case, the two steps are formed at the part of the molding object corresponding to the part where the contour of the light-shielding film and the contour of the film bonded thereon overlap.
(10)上記目的を達成するための微細成形モールドにおいて、前記遮光性膜のパターンは成形対象である配線基板の配線溝に対応し、かつ、前記膜のパターンは前記配線基板のスルーホールに対応してもよい。
この場合、スルーホールの位置ずれを加味してスルーホール周辺の配線パターンを設計する必要が無くなり、スルーホール周辺の配線密度を高めることができる。
(10) In a fine mold for achieving the above object, the pattern of the light-shielding film corresponds to a wiring groove of a wiring board to be molded, and the pattern of the film corresponds to a through hole of the wiring board May be.
In this case, it is not necessary to design the wiring pattern around the through hole in consideration of the positional deviation of the through hole, and the wiring density around the through hole can be increased.
(11)上記目的を達成するための微細成形モールドにおいて、前記透光性基板は、少なくとも1段の段差を前記表面に有し、かつ、前記遮光性膜は前記透光性基板の前記表面の上段面に接合され前記透光性基板の前記上段面に対する段差を形成していてもよい。
この微細成形モールドを用いた成形工程では、感光性樹脂に対する微細成形モールドの圧着によって透光性基板自体の段差を感光性樹脂に転写することができ、遮光性膜を用いて感光性樹脂を露光・現像することによって遮光性膜の輪郭に沿い遮光性膜の厚さより深いスルーホールを感光性樹脂に形成することができる。このようにしてスルーホールを形成する場合、スルーホールは感光性樹脂を確実に貫通するし、機械的な加工によってスルーホールの周囲にバリが生ずることもない。
(11) In the fine mold for achieving the above object, the translucent substrate has at least one step on the surface, and the light shielding film is formed on the surface of the translucent substrate. A step with respect to the upper surface of the translucent substrate may be formed by bonding to the upper surface.
In the molding process using this fine mold, the step of the translucent substrate itself can be transferred to the photosensitive resin by pressing the fine mold against the photosensitive resin, and the photosensitive resin is exposed using a light-shielding film. By developing, a through hole deeper than the thickness of the light-shielding film can be formed in the photosensitive resin along the outline of the light-shielding film. When forming a through hole in this way, the through hole surely penetrates the photosensitive resin, and no burr is generated around the through hole by mechanical processing.
(12)上記目的を達成するための微細成形モールドにおいて、前記透光性基板の前記表面の前記上段面のパターンは成形対象である配線基板の配線溝に対応し、かつ、前記遮光性膜のパターンは前記配線基板のスルーホールに対応してもよい。
この場合、スルーホールの位置ずれを加味してスルーホール周辺の配線パターンを設計する必要が無くなり、スルーホール周辺の配線密度を高めることができる。
(12) In the fine molding mold for achieving the above object, the pattern of the upper surface of the surface of the translucent substrate corresponds to a wiring groove of the wiring substrate to be molded, and the light shielding film The pattern may correspond to the through hole of the wiring board.
In this case, it is not necessary to design the wiring pattern around the through hole in consideration of the positional deviation of the through hole, and the wiring density around the through hole can be increased.
(13)上記目的を達成するための配線基板の製造方法は、上記(10)に記載の微細成形モールドを用いた配線基板の製造方法であって、感光性樹脂膜に前記微細成形モールドを圧着し、前記透光性基板および前記遮光性膜をフォトマスクとして用いて前記感光性樹脂膜を感光させ、感光した前記感光性樹脂膜を現像し、現像によって形成された前記感光性樹脂膜の通孔に導電性材料を充填する、ことを含む。
このようにして遮光性膜のパターンに対応するスルーホールを形成する場合、スルーホールは感光性樹脂を確実に貫通するし、機械的な加工によってスルーホールの周囲にバリが生ずることもない。
(13) A method for manufacturing a wiring board for achieving the above object is a method for manufacturing a wiring board using the fine mold described in (10) above, wherein the fine mold is pressure-bonded to a photosensitive resin film. Then, the photosensitive resin film is exposed using the light-transmitting substrate and the light-shielding film as a photomask, the exposed photosensitive resin film is developed, and the photosensitive resin film formed by development is passed through. Filling the holes with a conductive material.
When the through hole corresponding to the pattern of the light shielding film is formed in this way, the through hole surely penetrates the photosensitive resin, and no burr is generated around the through hole by mechanical processing.
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照しながら以下の順に説明する。尚、各図において対応する構成要素には同一の符号が付され、以下の説明において微細成形モールドはスタンパというものとし、重複する説明は省略される。
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1.基本原理
2.スタンパの構成の第一実施形態
3.スタンパの製造方法の第一実施形態
4.配線基板の製造方法の第一実施形態
5.スタンパの構成の第二実施形態
6.スタンパの構成の第三実施形態
7.スタンパの構成の第四実施形態
8.スタンパの構成の第五実施形態
9.スタンパの製造方法の第二実施形態
10.配線基板の製造方法の第二実施形態
11.他の実施形態
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Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in the following order with reference to the accompanying drawings. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the corresponding component in each figure, and in the following description, a micromolding mold shall be called a stamper, and the overlapping description is abbreviate | omitted.
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1.
1.基本原理
図1〜図6は2段分の段差を含む複数の段差のある成形面を有するスタンパを精度よく成形するための基本工程を示す図である。各分図(A)は平面図であり、各分図(B)および図3(C)は切断面を共通とする断面図である。
後述する複数の実施形態においては、2段分の段差のある成形面を精度よく形成するために、感光性樹脂を含有するフォトレジスト膜を透光性基板の表裏両側から露光する。要点は以下の通りである。
1. Basic Principle FIGS. 1 to 6 are diagrams showing a basic process for accurately molding a stamper having a molding surface having a plurality of steps including two steps. Each partial view (A) is a plan view, and each partial view (B) and FIG. 3 (C) are cross-sectional views having a common cut surface.
In a plurality of embodiments to be described later, a photoresist film containing a photosensitive resin is exposed from both the front and back sides of a translucent substrate in order to accurately form a molding surface having two steps. The main points are as follows.
はじめに、図1に示すように透光性基板103の表面上にスタンパの凸部を構成する特定のパターンの遮光性膜100、101が形成される。100の符号が付される部分は例えば配線基板の表面に形成される線状の配線溝に対応し、101の符号が付される部分は例えば配線基板のスルーホールに対応する。遮光性膜100、101の材料には、スタンパに求められる硬度や脆性や熱伝導率に応じた金属、金属化合物、セラミックスなどの無機物が採用される。透光性基板103の材料には、透光性基板103および遮光性膜100、101をフォトマスクとして用いる露光工程において用いられる光を、フォトレジスト膜に光化学反応を生じさせる程度に透過する材料が採用される。
First, as shown in FIG. 1, light-shielding
次に遮光性膜100、101の上と透光性基板103の表面の露出部分とに感光性樹脂を含有するフォトレジストが塗布され、遮光性膜100、101の上と透光性基板103の上とにフォトレジスト膜102が形成される。以後、フォトレジスト膜102はネガ型として説明するが、ポジ型を用いてもよい。
Next, a photoresist containing a photosensitive resin is applied on the light-shielding
次に図2(B)に示すように透光性基板103の裏側からフォトレジスト膜102が露光される。このとき透光性基板103および遮光性膜100、101がフォトマスクとして機能するため、図2(A)および図2(B)に示すように、フォトレジスト膜102の遮光性膜100、101と重なっていない領域1021が露光され、フォトレジスト膜102の遮光性膜100、101と重なっている領域1020、1022は露光されない。
Next, as shown in FIG. 2B, the
次に図3(A)および図3(B)に示すように、透光性基板1040に遮光性膜1041が接合されたフォトマスク104が透光性基板103に対してアライメントされる。このアライメント工程では、透光性基板103の表面などに形成された遮光性のアライメントマークを用いてアライメントが実施されるが、アライメントの精度はステッパやアライナに固有のアライメントの精度に支配される。図3は、遮光性膜101と完全に重なるべき遮光性膜1041を有するフォトマスク104が誤差を含んで透光性基板103に対してアライメントされた状態を示している。尚、本明細書において「フォトマスク」は、レチクル、レジストマスクなど、露光対象物に特定のパターンの影を露光工程において形成するものを意味する。
Next, as shown in FIGS. 3A and 3B, the
次に図3(C)に示すように透光性基板103の表側からフォトレジスト膜102が露光されると、露光領域1021が拡大し、未露光領域1022が縮小する。この結果、フォトレジスト膜102の未露光領域1022は、スタンパの凸部を構成する遮光性膜100、101とフォトマスク104の遮光性膜1041とが重なっている領域のみになる。尚、透光性基板103の表裏両側からフォトレジスト膜102を露光するにあたり、表裏いずれの側から先に露光してもよい。
Next, as shown in FIG. 3C, when the
次に図4に示すようにフォトレジスト膜102を現像すると露光領域1021が残存し、未露光領域1022が除去された部分に通孔1023が形成され、通孔1023から遮光性膜101が露出する。
Next, when the
次に図5に示すようにフォトレジスト膜102の通孔1023から露出している遮光性膜101の上に膜105が形成される。膜105は、遮光性膜100、101の厚さよりも深い凹部やスルーホールを成形対象物に形成するための膜であって、スタンパに求められる硬度や脆性や熱伝導率に応じた金属、金属化合物、セラミックスなどの無機物がその材料として採用される。尚、成膜方法によってはフォトレジスト膜102の表面にも膜105が形成される。また膜105を形成した後にフォトレジスト膜102の表層もろとも膜105の表層を研削や研磨によって除去し、膜105の表面を平坦化したり平滑化してもよい。
Next, as shown in FIG. 5, a
次にフォトレジスト膜102が除去されると、図6に示すようにスタンパ106が完成する。
Next, when the
このようにして製造されるスタンパ106は、図6に示すように2段分の段差のある成形面を備える。下段面は透光性基板103の表面であり、下段面と中段面との段差S101は遮光性膜100、101の厚さに対応する。中段面は遮光性膜100、101の表面であり、中段面と上段面の段差S100は遮光性膜101の上に接合されている膜105の厚さに対応する。尚、中段面と上段面の段差S100を形成する場合には、フォトマスク104の遮光性膜1041のパターンと遮光性膜101のパターンとを異ならせればよい。また、中段面と上段面の段差S100を形成しない場合には、フォトマスク104の遮光性膜1041のパターンに遮光性膜101のパターンが内包されるようにすればよい。そして、スタンパ106の上段面を構成する膜105は透光性基板103および遮光性膜100、101をフォトマスクとして用いて形成されたものであるから、遮光性膜100、101からはみ出して形成されることのない膜である。したがって、遮光性膜100、101のパターンは、遮光性膜100、101から膜105がはみ出すことを見越したマージンのあるパターンである必要はなく、そのマージンを取る場合に比べて細密にすることができる。
The
またスタンパ106には、下段面から中段面を飛び越して上段面に至る段差S102が形成されている。すなわち、スタンパ106には平坦な透光性基板103に積層されている2層の膜から高さが異なる3種類の段差S100、S101、S102が形成されている。このように2層の膜から高さが異なる3種類の段差を形成するためには、2層の膜の輪郭において完全に重なっている部分があることが求められるが、透光性基板103の表裏両側からフォトレジスト膜102を露光することにより、遮光性膜101の輪郭とそれに接合される膜105の輪郭とは自己整合的に重なることになる。
Further, the
2.スタンパの構成の第一実施形態
図16に示すスタンパ1は、貫通電極と貫通アライメントマークを備える配線基板を製造するために用いられる微細成形モールドである。遮光性膜11の部分110は、導電性材料が充填される配線溝を形成するための凸部を構成している。遮光性膜11の部分111は、貫通電極に接続される配線の溝を形成するための凸部を構成している。遮光性膜11の部分112は貫通アライメントマークの下段部を形成するための凸部を構成している。遮光性膜11の部分111の表面に接合される膜13の部分131は貫通電極が形成されるスルーホールを形成するための凸部を構成している。遮光性膜11の部分112の表面に接合される膜13の部分130は貫通アライメントマークの上段部を形成するための凸部を構成している。
2. First Embodiment of Stamper Configuration A
3.スタンパの製造方法の第一実施形態
以下、図16に示すスタンパ1の製造方法について説明する。
図7から図15は図16に示すスタンパ1を製造するための工程を示し、各分図(A)は図16(C)の符号Aに対応する断面図であり、各分図(B)は図16(C)の符号Bに対応する断面図であり、各分図(C)は平面図である。
3. First Embodiment of Stamper Manufacturing Method Hereinafter, a method for manufacturing the
FIGS. 7 to 15 show steps for manufacturing the
はじめに図7に示すように、石英、ソーダライムガラス、透明結晶化ガラスなどの透光性基板10の表面に金属、金属酸化物、半導体、半導体化合物、シリサイド化合物等の遮光性膜11を形成する。具体的には例えばCr、CrO2、Cu、アモルファスSi、多結晶Si、SiN、SiON、MoSi、NiSi、WSiなどからなる遮光性膜11をスパッタ、蒸着、CVD等によって成膜する。また、透光性基板10の厚さは例えば2mmとする。遮光性膜11の厚さは、配線溝の深さに対応するスタンパ1の段差S1(図16参照)の高さと等しく設定し、例えば1μmに設定する。遮光性膜11は単層膜でも複層膜でもよい。石英やガラスからなる透光性基板にCrとCrOxが積層されているフォトマスク材料基板を用いてもよい。
First, as shown in FIG. 7, a light-shielding
次に図8に示すように、遮光性膜11に転写すべき第一のパターンのフォトレジスト膜12を遮光性膜11の表面に形成する。例えばフォトレジストを厚さ1μm塗布し、ステッパーやアライナーを用いて露光し、ライン幅25μm、ライン間隔25μmのパターンのフォトレジスト膜12を現像する。フォトレジスト膜12のパターニングに電子ビーム露光法やレーザ直接描画法を用いてもよい。
Next, as shown in FIG. 8, a
次に図9に示すように、フォトレジスト膜12を保護膜として用いて遮光性膜11をエッチングし、スタンパの成形面の凸部110、111、112を形成する。エッチングの方法は、イオンミリング等の異方性エッチングでもよいし、硝酸第二セリウムアンモニウム水溶液でCr膜を等方性エッチングするなどしてもよい。
Next, as shown in FIG. 9, the light-shielding
次に図10に示すようにフォトレジスト膜12を除去する。具体的には例えば、NMP(エヌ・メチル・2・ピロリドン)、アセトン、O2プラズマ、アミン系有機剥離液などを用いてフォトレジスト膜12が除去される。
Next, the
尚、透光性基板10の表面に機械加工によって溝を形成し、その溝を遮光性膜11で埋め戻し、遮光性膜11の溝からはみ出している部分を研削または研磨して除去することにより遮光成遮光性膜11のパターンを形成してもよい。
A groove is formed on the surface of the light-transmitting
次に図11に示すように、第二のフォトレジスト膜14を遮光性膜11の上に形成する。具体的には化学増幅型ネガレジスト、感光性ポリイミドなどの感光性樹脂を塗布し、プリベークしてフォトレジスト膜14を成膜する。フォトレジスト膜14はスタンパの段差S2(図16参照)の高さより厚く形成され、例えば70μmの厚さに設定される。
Next, as shown in FIG. 11, a
次に図12に示すように、透光性基板10の裏側(すなわち遮光性膜11が接合されている面の裏側)からフォトレジスト膜14を露光する。露光に用いる光は可視光でもよいし、紫外線でもよいし、それら両方を用いてもよい。このとき、透光性基板10および遮光性膜11がフォトマスクとして機能するため、フォトレジスト膜14の遮光性膜11と重なっていない領域141が露光され、フォトレジスト膜14の遮光性膜11と重なっている領域140は露光されない。
Next, as shown in FIG. 12, the
次に図13に示すように、遮光性膜11とパターンが一部重なる遮光性膜151、152が透光性基板150に接合されているフォトマスク15を用いて、フォトレジスト膜14を透光性基板10の表側から露光する。すなわち遮光性膜11が接合されている面から透光性基板10に入射する方向から光を照射する。このとき、フォトレジスト膜14の露光領域141が拡大し、未露光領域140が縮小し、スタンパ1の凸部を構成する遮光性膜11とフォトマスク15の遮光性膜151とが重なっている領域のみが未露光領域140として残存することになる。本実施形態では、フォトマスク15と透光性基板10とのアライメント誤差が生じてもスタンパ1の凸部131(図16参照)が細ることのないように、遮光性膜111から遮光性膜152がはみ出ているフォトマスク15を用いている。遮光性膜111からはみ出している遮光性膜152の領域を設けても、その領域にスタンパ1の凸部131が形成されることはない(図16の領域132参照)。
Next, as shown in FIG. 13, the
次に図14に示すように、透光性基板10の表裏両側から露光されたフォトレジスト膜14を現像することにより未露光領域140を除去して通孔142、143を形成し、通孔142、143から遮光性膜11を露出させる。
Next, as shown in FIG. 14, the exposed
次に図15に示すように、遮光性膜11の通孔142、143から露出している部分上にめっきによって膜13を形成する。具体的には例えばNiFeなどの合金を電解めっき、無電解めっき、パルスめっきなどによって通孔142、143の内部に堆積させる。膜13の成膜方法にスパッタや蒸着を用いてもよい。なお、フォトレジスト膜14よりも厚く膜13を成膜してもよい。フォトレジスト膜14よりも厚く膜13を成膜する場合には、研削または研磨によって膜13の表層をフォトレジスト膜14の表層もろとも除去する。膜13の表層を平坦化したり平滑化するために膜13の研削または研磨を実施してもよい。
Next, as shown in FIG. 15, the
最後にフォトレジスト膜14を除去すると、図16に示すスタンパ1が完成する。
Finally, when the
4.配線基板の製造方法の第一実施形態
図17から図27はスタンパ1を用いて図22に示す片面配線基板19と図27に示す両面配線基板23とを製造する工程を示す図であって、各分図(A)、各分図(B)はそれぞれ図16(C)の切断面A、切断面Bに対応する断面図である。
4). First Embodiment of Manufacturing Method of Wiring Substrate FIGS. 17 to 27 are diagrams showing steps of manufacturing the single-
はじめに、図17に示すように基板180の上に熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂または常温硬化型シリコンゴムまたは光硬化性樹脂からなる成形対象膜16を形成する。本実施形態では厚さ70μmのPMMAの塗膜を基板180の上に形成するものとして説明する。基板180は遮光性でもよいが、透光性であるものとして説明する。基板180の表面にはアライメントマーク181が形成されている。
First, as shown in FIG. 17, a
次に図18に示すように成形対象膜16を軟化させ、スタンパ1を基板180に対してアライメントし、スタンパ1を成形対象膜16に圧着する。具体的には、150℃にPMMAを加熱して軟化させ、スタンパ1のアライメントマークとしての凸部130を基板180のアライメントマーク181に対してアライメントする。このとき、スタンパ1の透光性基板10を介してアライメントマーク181と凸部130を透視してもよいし、透光性の基板180を介してアライメントマーク181と凸部130を透視してもよい。スタンパ1は図示しないホルダに保持されており、10MPaの圧力で成形対象膜16に対して押し付けられる。
Next, as shown in FIG. 18, the
次に成形対象膜16を硬化させ、図19に示すようにスタンパ1を離型する。その結果、成形対象膜16にはスタンパ1の成形面F1が転写された凹凸面161が形成される。図19において成形面F1は太線で示している。この状態では成形対象膜16にスルーホールは形成されていない。
Next, the
次に成形対象膜16の表層をエッチングして除去し図20に示す基板190を形成する。具体的には例えば酵素プラズマによる異方性エッチングが実施される。このとき、スタンパ1の成形面F1によって形成された凹凸面161(図19参照)が基板180の表面に対して垂直な方向に平行移動するように成形対象膜16の表層が除去される。スルーホール194、195が形成されるまで成形対象膜16の表層が除去されると、片面配線基板19の基板190が完成する。エッチングの終点は基板190の仕上がり厚さに応じて設定され、スルーホール194、195の深さはスタンパ1の凸部130、131の高さよりも浅くなってもよい。基板190にはスルーホール194、195の他に、スタンパ1の成形面F1に沿った形状の凹部196、197、198が形成される。凹部196とスルーホール195は貫通アライメントマークを形成するためのものである。スルーホール194は貫通電極を形成するためのものである。スルーホール194と同化している凹部198は貫通電極に接続される配線の溝を形成するためのものである。凹部197は配線溝である。
Next, the surface layer of the
次に、基板190の凹部196、197、198とスルーホール194、195とに導電性材料を充填し、図21に示すように貫通電極192と貫通アライメントマーク191と配線193、199とを形成する。具体的には例えば無電解めっきによって基板180の表面に導電膜を形成した後に、導電膜の凹部196、197、198とスルーホール194、195からはみ出ている部分を研削または研磨によって除去する。スパッタや蒸着によってめっきシード層を基板180の表面に形成した後に電解めっきによって導電膜を形成してもよい。また基板190の材料として液晶ポリマー、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、熱可塑性ポリイミド(変性PI)、ポリフェニルサルフォン(PPS)、シンジオタクティックポリスチレン(SPS)等を用いた場合には導電性材料として導電ペーストを塗布することもできる。めっき材料および導電ペーストの金属フィラーには、銀、銅、金、白金、パラジウムなどが選択される。
Next, the
最後に基板180から剥離すると図22に示す片面配線基板19が完成する。片面配線基板19の貫通電極192と貫通アライメントマーク191とを用いることにより、裏側にも配線を形成したり、積層して多層配線基板を構成したりできる。
Finally, peeling from the
続いて、図27に示す両面配線基板23を製造する方法を説明する。
はじめに図23に示すように片面配線基板19の表面(配線が形成されている面)に犠牲基板20を接合する。接合には両面テープ、接着剤などを用いる。
次に図24に示すように片面配線基板19の裏面に成形対象膜16を形成する。
Next, a method for manufacturing the double-
First, as shown in FIG. 23, the
Next, as shown in FIG. 24, the
次に成形対象膜16を軟化させ、図25に示すようにスタンパ1を成形対象膜16に圧着する。このとき、片面配線基板19の裏面に露出している貫通アライメントマーク191に対してスタンパ1のアライメントマークとしての凸部130をアライメントすることにより貫通電極192、221(図26参照)を高精度に接続することができる。
Next, the
その後、成形対象膜16を硬化させ、スタンパ1を離型し、図26に示すように導電材料を凹部に導入して貫通電極192、貫通アライメントマーク220および配線223、224を形成する。その結果、片面配線基板19の上に別の片面配線基板22が形成される。
Thereafter, the
最後に犠牲基板20を剥離すると図27に示す両面配線基板23が完成する。尚、片面配線基板19、22のパターンを同一として図示しているが、パターンが異なってもよいことはいうまでもない。例えば、配線溝のパターンを変えたり、アライメントマークを貫通しない形態として表裏のアライメントマークを変えたりしてもよい。
Finally, when the
5.スタンパの構成の第二実施形態
片面配線基板にスルーホールは必ずしも必要ではない。例えば図28に示すスタンパ2のようにアライメントマークを形成するための凹部を形成するための凸部112の高さと配線溝を形成するための凸部110の高さとを揃えてもよい。スタンパ2は図13に示すフォトマスク15の遮光性膜151のパターンを変更することにより製造することができる。
5. Second Embodiment of Stamper Configuration A through hole is not necessarily required in a single-sided wiring board. For example, like the
6.スタンパの構成の第三実施形態。
図15に示す工程の後に、図29に示すように膜13の上に膜13よりも硬度が高い膜133を形成し、アライメントマークと貫通電極のスルーホールを形成するための凸部の先端硬度を上げた図30、図31に示すスタンパ3を製造することもできる。図30の分図(A)、(B)はそれぞれ図31の切断面A、Bに対応する。
6). 3rd embodiment of the structure of a stamper.
After the step shown in FIG. 15, a
7.スタンパの構成の第四実施形態
配線溝を遮光性膜の厚さよりも深く成形するために、図32に示すように遮光性膜11の開口部から露出している透光性基板10の表面に凹部109を形成してもよい。すなわち、透光性基板10の表面に段差を形成し、透光性基板10の表面の上段面に遮光性膜11が接合されたスタンパ4を製造することもできる。凹部109を透光性基板10の表面に形成するには、遮光性膜11を保護膜として用いて透光性基板10をエッチングすればよい。具体的には例えばCF4を主成分するガスを用いたRIEによって透光性基板10を異方的にエッチングする。
7). Fourth Embodiment of Stamper Configuration In order to form the wiring groove deeper than the thickness of the light shielding film, as shown in FIG. 32, the surface of the
8.スタンパの構成の第五実施形態
配線溝やアライメントマークの凹部を遮光性膜ではなく透光性基板の段差によって形成するため、図33に示すスタンパ5の構成を採用してもよい。スタンパ5は図32に示すスタンパ4の遮光性膜11の膜13から露出している部分をエッチングによって除去したものである。具体的には金属の膜13を保護膜として用いるイオンミリングによって異方的に遮光性膜11を除去したり、硝酸第二セリウムアンモニウム水溶液をエッチャントに用いてCrからなる遮光性膜11を等方的に除去することにより、図33に示すスタンパ5を製造することができる。
8). Fifth Embodiment of Stamper Configuration The configuration of the
9.スタンパの製造方法の第二実施形態
図34、図35は、図36に示すスタンパ6を製造する工程を示す断面図である。各分図(A)、(B)は互いに直交する切断面を示している。
図33に示すスタンパ5を中間物として製造した後、図34に示すように金属の膜13の残存させたい部分131を保護膜24で被覆する。
次に図35に示すように膜13の保護膜24で被覆されていない部分である凸部130をエッチングによって除去する。
最後に保護膜24を除去すると、図36に示すスタンパ6が完成する。
9. Second Embodiment of Stamper Manufacturing Method FIGS. 34 and 35 are cross-sectional views showing steps for manufacturing the
After the
Next, as shown in FIG. 35, the
Finally, when the
10.配線基板の製造方法の第二実施形態
図37から図41はスタンパ6を用いて図22に示す片面配線基板19を製造する工程を示す図である。この製造方法は、片面配線基板19の基板190の仕上がり厚さより低いスタンパ6の凸部112を用いて基板190にスルーホールを形成する方法である。
10. Second Embodiment of Manufacturing Method of Wiring Board FIGS. 37 to 41 are diagrams showing steps of manufacturing the single-
はじめに図37に示すように、基板180の上に感光性樹脂を含有する成形対象膜16を形成し、成形対象膜16にスタンパ6を圧着する。
First, as shown in FIG. 37, a
次に図38に示すように、透光性基板10および遮光性膜11をフォトマスクとして用いて成形対象膜16をスタンパ6の透光性基板10の裏側から露光する。その結果、成形対象膜16の遮光性膜11と重なっていない領域163が露光され、成形対象膜16の遮光性膜11と重なっている領域164は露光されない。
Next, as shown in FIG. 38, the
次に図39に示すようにスタンパ6を離型すると、スタンパ6の成形面F6が転写された凹凸面165が成形対象膜16に形成される。図39において成形面F6は太線で示している。
Next, as shown in FIG. 39, when the
次に成形対象膜16を現像すると、図40に示すように成形対象膜16の感光した領域163が残存し、感光していない領域164は除去され、その結果、スルーホール166、167を有する基板168が形成される。
Next, when the
最後にスルーホール166、167と、配線溝197などの凹部に導電性材料を充填し、基板180から剥離すると、図22に示す片面配線基板19が完成する。
Finally, a conductive material is filled in the through-
この製造方法によると、スタンパに細長い凸部を形成すること無く成形対象物に細長いスルーホールを形成することができるため、スタンパの耐久使用回数を増大することができる。 According to this manufacturing method, since the elongated through hole can be formed in the object to be molded without forming the elongated protrusion on the stamper, the number of times the stamper can be used can be increased.
11.他の実施形態
尚、本発明の技術的範囲は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば本発明による微細成形モールドとしてのスタンパを、配線基板の基板以外の成形品の成形(例えばMEMSなど)に用いることができることはいうまでもない。また、上記実施形態で示した材質や寸法や成膜方法やパターン転写方法はあくまで例示であるし、当業者であれば自明である工程の追加や削除や工程順序の入れ替えについては説明が省略されている。
11. Other Embodiments The technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiments, and it goes without saying that various modifications can be made without departing from the scope of the present invention. For example, it is needless to say that the stamper as a fine mold according to the present invention can be used for molding a molded product other than the substrate of the wiring board (for example, MEMS). In addition, the materials, dimensions, film forming methods, and pattern transfer methods shown in the above embodiment are merely examples, and descriptions of addition and deletion of processes and replacement of process order that are obvious to those skilled in the art are omitted. ing.
1:スタンパ、2:スタンパ、3:スタンパ、4:スタンパ、5:スタンパ、6:スタンパ、10:透光性基板、11:遮光性膜、12:フォトレジスト膜、13:膜、14:フォトレジスト膜、15:フォトマスク、16:成形対象膜、19:片面配線基板、20:犠牲基板、22:片面配線基板、23:両面配線基板、24:保護膜、100:遮光性膜、101:遮光性膜、102:フォトレジスト膜、103:透光性基板、104:フォトマスク、105:膜、106:スタンパ、109:凹部、110:凸部、112:遮光性膜、130:凸部、131:凸部、133:膜、140:未露光領域、141:露光領域、142:通孔、150:透光性基板、151:遮光性膜、161:凹凸面、165:凹凸面、166:スルーホール、167:スルーホール、168:基板、180:基板、181:アライメントマーク、190:基板、191:貫通アライメントマーク、192:貫通電極、193:配線、194:スルーホール、195:スルーホール、196:凹部、197:配線溝、198:凹部、220:貫通アライメントマーク、223:配線、1021:露光領域、1022:未露光領域、1023:通孔、1040:透光性基板、1041:遮光性膜、F1:成形面、F6:成形面 1: Stamper, 2: Stamper, 3: Stamper, 4: Stamper, 5: Stamper, 6: Stamper, 10: Translucent substrate, 11: Light-shielding film, 12: Photoresist film, 13: Film, 14: Photo Resist film, 15: photomask, 16: molding target film, 19: single-sided wiring board, 20: sacrificial board, 22: single-sided wiring board, 23: double-sided wiring board, 24: protective film, 100: light-shielding film, 101: Light-shielding film, 102: Photoresist film, 103: Translucent substrate, 104: Photomask, 105: Film, 106: Stamper, 109: Concavity, 110: Convex, 112: Light-shielding film, 130: Convex 131: convex portion, 133: film, 140: unexposed area, 141: exposed area, 142: through-hole, 150: translucent substrate, 151: light-shielding film, 161: uneven surface, 165: uneven surface, 166: Through hole 167: Through hole, 168: Substrate, 180: Substrate, 181: Alignment mark, 190: Substrate, 191: Through alignment mark, 192: Through electrode, 193: Wiring, 194: Through hole, 195: Through hole, 196: Recess 197: wiring groove, 198: recess, 220: penetrating alignment mark, 223: wiring, 1021: exposed area, 1022: unexposed area, 1023: through hole, 1040: translucent substrate, 1041: light shielding film, F1 : Molded surface, F6: Molded surface
Claims (13)
前記遮光性膜の上にフォトレジスト膜を形成し、
前記フォトレジスト膜を前記透光性基板の裏側から露光し、
前記第一のパターンと一部が重なる第二のパターンに対応するフォトマスクを用いて前記フォトレジスト膜を前記透光性基板の表側から露光し、
前記透光性基板の表裏両側から露光された前記フォトレジスト膜を現像し、
現像によって前記フォトレジスト膜に形成された通孔から露出している前記遮光性膜の上に膜を形成し、
前記フォトレジスト膜を除去するとともに前記第二のパターンまたは前記第二のパターンの反転パターンの前記膜を残存させる、
ことを含む微細成形モールドの製造方法。 Forming a light-shielding film of the first pattern on the surface of the translucent substrate;
Forming a photoresist film on the light-shielding film;
Exposing the photoresist film from the back side of the translucent substrate;
Exposing the photoresist film from the front side of the translucent substrate using a photomask corresponding to a second pattern partially overlapping the first pattern;
Develop the exposed photoresist film from both sides of the translucent substrate,
Forming a film on the light-shielding film exposed from the through-hole formed in the photoresist film by development;
Removing the photoresist film and leaving the film of the second pattern or an inverted pattern of the second pattern;
The manufacturing method of the fine mold which contains this.
前記第二のパターンは前記スルーホールに対応する、
請求項1に記載の微細成形モールドの製造方法。 The first pattern corresponds to the wiring groove and the through hole of the wiring board to be molded,
The second pattern corresponds to the through hole,
The manufacturing method of the fine mold according to claim 1.
請求項2に記載の微細成形モールドの製造方法。 The through hole is a hole in which a through electrode is formed,
The manufacturing method of the fine mold according to claim 2.
請求項2に記載の微細成形モールドの製造方法。 The through hole is a hole in which a through alignment mark is formed,
The manufacturing method of the fine mold according to claim 2.
ことを含む請求項1から4のいずれか一項に記載の微細成形モールドの製造方法。 Forming the film thinly below the photoresist film by grinding or polishing after forming the film thicker than the photoresist film;
The manufacturing method of the fine shaping | molding mold as described in any one of Claim 1 to 4 including this.
ことを含む請求項1から5のいずれか一項に記載の微細成形モールドの製造方法。 Etching the translucent substrate using the light-shielding film as a protective film;
The manufacturing method of the fine shaping | molding mold as described in any one of Claim 1 to 5 including this.
ことを含む請求項6に記載の微細成形モールドの製造方法。 Etching the light-shielding film using the film as a protective film;
The manufacturing method of the fine mold according to claim 6.
前記膜の一部をエッチングにより除去する、
ことを含む請求項7に記載の微細成形モールドの製造方法。 After etching the light-shielding film using the film as a protective film,
Removing a part of the film by etching;
The manufacturing method of the fine shaping | molding mold of Claim 7 including this.
前記透光性基板の表面に接合されている遮光性膜と、
前記遮光性膜の上に接合され前記遮光性膜と輪郭の一部が重なる膜と、を備え、
前記透光性基板と前記遮光性膜と前記膜とによって2段分の段差を含む3段の段差を有する成形面が形成されている、
微細成形モールド。 A translucent substrate;
A light-shielding film bonded to the surface of the translucent substrate;
A film that is bonded onto the light-shielding film and that overlaps a part of the contour with the light-shielding film,
A molding surface having three steps including two steps is formed by the translucent substrate, the light-shielding film, and the film.
Fine molding mold.
前記膜のパターンは前記配線基板のスルーホールに対応する、
請求項9に記載の微細成形モールド。 The light-shielding film pattern corresponds to the wiring groove of the wiring board to be molded,
The pattern of the film corresponds to the through hole of the wiring board,
The fine mold according to claim 9.
前記遮光性膜は前記透光性基板の前記表面の上段面に接合されている、
請求項9に記載の微細成形モールド。 The translucent substrate has at least one step on the surface,
The light-shielding film is bonded to the upper surface of the surface of the translucent substrate;
The fine mold according to claim 9.
前記遮光性膜の上に形成される膜のパターンは前記配線基板のスルーホールに対応する、
請求項11に記載の微細成形モールド。 The pattern on the upper surface of the surface of the translucent substrate corresponds to the wiring groove of the wiring substrate to be molded,
The pattern of the film formed on the light shielding film corresponds to the through hole of the wiring board.
The fine mold according to claim 11.
感光性樹脂膜に前記微細成形モールドを圧着し、
前記透光性基板および前記遮光性膜をフォトマスクとして用いて前記感光性樹脂膜を感光させ、
感光した前記感光性樹脂膜を現像し、
現像によって形成された前記感光性樹脂膜の通孔に導電性材料を充填する、
ことを含む配線基板の製造方法。 A method of manufacturing a wiring board using the fine mold according to claim 11,
Crimp the fine mold to the photosensitive resin film,
The photosensitive resin film is exposed using the light-transmitting substrate and the light-shielding film as a photomask,
Develop the exposed photosensitive resin film,
Fill the through hole of the photosensitive resin film formed by development with a conductive material,
The manufacturing method of the wiring board including this.
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