JP2005148514A - Manufacturing method for blank of double-sided masks, and manufacturing method of double-sided mask - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、透明基板の両面に遮光用金属膜により形成されたパターンを有するフォトマスク等を製造する方法に係るもので、両面にパターンを形成するのに必要なブランクを製造する技術で、両面マスク用ブランクの製造方法および両面マスクの製造方法に関する。 The present invention relates to a method of manufacturing a photomask having a pattern formed of a light-shielding metal film on both surfaces of a transparent substrate, and a technique for manufacturing a blank necessary for forming a pattern on both surfaces. The present invention relates to a mask blank manufacturing method and a double-sided mask manufacturing method.
従来、予め両面に遮光用金属膜の層をもつブランクを用いて、両面マスクは製造される。一般に、ブランクロット毎に露光量や近接補正などの描画条件の設定が必要になるため、高い寸法精度や解像度が求められるパターンに関しては、両面マスク用ブランクで別途描画条件出しを行う必要がある。しかし、少ロットでは、条件出しにかかる負担が大きくなる。また、不良になり作り直しになる分を見越して、両面に遮光用金属膜の層をもつブランクを余分に製造しておく必要があり、使用しない場合はブランクが無駄になる場合があった。 Conventionally, a double-sided mask is manufactured using a blank having a light-shielding metal film layer on both sides in advance. In general, since it is necessary to set drawing conditions such as exposure amount and proximity correction for each blank lot, it is necessary to separately draw drawing conditions with a double-sided mask blank for patterns that require high dimensional accuracy and resolution. However, with a small lot, the burden for setting the condition increases. Further, it is necessary to manufacture an extra blank having a light-shielding metal film layer on both sides in anticipation of being defective and reworked. If not used, the blank may be wasted.
両面マスクを製造した後、裏面パターンと表パターンの重ねズレに問題があった場合や裏面パターンを別パターンに変更したい場合があっても、裏面のみを作り直すことができないため、表面から再製造する必要があった（特許文献１、特許文献２参照）。更に精度の高い場合には問題がある。
After manufacturing the double-sided mask, even if there is a problem in the misalignment of the back surface pattern and the front pattern, or even if you want to change the back surface pattern to another pattern, you cannot recreate only the back surface, so remanufacturing from the front surface There was a need (see
以下に公知文献を示す。
本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたもので、片面に遮光用金属膜の層が形成された従来のブランクを用いて表パターンが形成されたフォトマスクから両面マスク用のブランクを製造する方法で、高い寸法精度や解像度のパターンであり、両面マスクの簡易的な製造方法を提供することを課題とする。また、両面マスクの裏面パターンに問題があった場合、表面から再製造せずに、裏面のみ再製造する方法を提供することを課題とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and manufactures a blank for a double-sided mask from a photomask having a surface pattern formed using a conventional blank having a light-shielding metal film layer formed on one side. It is an object of the present invention to provide a simple manufacturing method of a double-sided mask that has a pattern with high dimensional accuracy and resolution. Moreover, when there exists a problem in the back surface pattern of a double-sided mask, it aims at providing the method of remanufacturing only a back surface, without remanufacturing from the surface.
本発明の請求項１に係る発明は、透明基板の両面に遮光用金属膜により形成されたパターンをもつ構造のフォトマスク（以下、両面マスクと記す）のブランクを製造する両面マスク用ブランクの製造方法において、一方の面にパターンがすでに形成されたマスクの裏面のガラス上に遮光用金属膜の層を形成して、両面マスク用ブランクを製造することを特徴とする両面マスク用ブランクの製造方法である。
The invention according to
本発明は係る課題を解決するものであり、請求項１の本発明の両面マスク用ブランクの製造方法では、一方の面にパターンが形成された通常マスクの裏面のガラス上に遮光用金属膜の層を形成して、両面マスク用ブランクを製造し、そのブランクを用いて裏面パターンを描画するものである。したがって、表面のパターンは両面マスク用の両面に遮光用金属膜の層が形成された特殊なブランクではなく、通常のブランクを使用して製造することができる。
The present invention solves such problems, and in the method for manufacturing a double-sided mask blank of the present invention according to
本発明の請求項１記載の両面マスク用ブランクの製造方法は以下の通りになる。
（ａ）片側に遮光用金属膜の層が形成された通常のブランクを用いて、片面のみパターンが形成されたマスクを製造する。
（ｂ）前記マスクのガラス面に遮光用金属膜の層を形成し、その上にレジストをコートする。
The manufacturing method of the double-sided mask blank according to
(A) Using a normal blank having a light-shielding metal film layer formed on one side, a mask having a pattern formed on only one side is manufactured.
(B) A layer of a light shielding metal film is formed on the glass surface of the mask, and a resist is coated thereon.
本発明の請求項２に係る発明は、透明基板の両面に遮光用金属膜により形成されたパターンをもつ構造の両面マスクのブランクを製造する両面マスク用ブランクの製造方法において、透明基板の両面に遮光用金属膜によりパターンが形成された両面マスクを用いて、該両面マスクの裏面のパターンをエッチングにより取り除き、その部分に遮光用金属膜の層を再形成することにより、両面マスク用ブランクを製造することを特徴とする両面マスク用ブランクの製造方法である。
The invention according to
本発明の請求項２記載の両面マスク用ブランクの製造方法では、表裏の両面にパターンがすでに描画された両面マスクを用いて、再度両面マスク用ブランクを製造する方法である。
（ａ）裏面をエッチングし遮光用金属膜の層を除去する。
（ｂ）遮光用金属膜の層が除去されたガラス面に再度に遮光用金属膜の層をスパッタする。
（ｃ）新たな遮光用金属膜の層が形成された裏面にレジストをコートする。
In the method for manufacturing a double-sided mask blank according to
(A) The back surface is etched to remove the light shielding metal film layer.
(B) The light shielding metal film layer is sputtered again on the glass surface from which the light shielding metal film layer has been removed.
(C) A resist is coated on the back surface on which a new light shielding metal film layer is formed.
本発明の請求項３に係る発明は、透明基板の両面に遮光用金属膜により形成されたパターンをもつ構造の両面マスクのブランクを製造する両面マスク用ブランクの製造方法において、透明基板の両面に遮光用金属膜によりアライメントパターン及びパターンが形成された両面マスクを用いて、該両面マスクの裏面のパターンをアライメントパターンのみを残してエッチングにより取り除き、その部分に遮光用金属膜の層を再形成することにより、両面マスク用ブランクを製造することを特徴とする両面マスク用ブランクの製造方法である。
The invention according to
本発明の請求項３記載の両面マスク用ブランクの製造方法では、請求項２記載の両面マスク用ブランクの製造方法において、裏面パターンの一部であるアライメントマークパターンを残して、再度両面マスク用ブランクを製造する方法である。
（ａ）裏面にレジストをコートし、アライメントマーク部など残したいパターン以外の裏面パターン全体を露光する。
（ｂ）露光部分を現像、エッチングし遮光用金属膜の層を除去する。
（ｃ）一部の遮光用金属膜の層が除去されたガラス面に遮光用金属膜の層をスパッタする。
（ｄ）レジスト面を剥離し、レジスト上の遮光用金属膜の層を剥離する。
（ｅ）新たな遮光用金属膜の層が形成された裏面にレジストをコートする。
The double-sided mask blank manufacturing method according to
(A) A resist is coated on the back surface, and the entire back surface pattern other than the pattern to be left, such as an alignment mark portion, is exposed.
(B) The exposed portion is developed and etched to remove the light shielding metal film layer.
(C) Sputtering the light shielding metal film layer on the glass surface from which a part of the light shielding metal film layer has been removed.
(D) The resist surface is peeled off and the light shielding metal film layer on the resist is peeled off.
(E) A resist is coated on the back surface on which a new light shielding metal film layer is formed.
本発明の請求項４に係る発明は、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の両面マスク用ブランクを用い、以下の工程を実施することを特徴とする両面マスクの製造方法である。
（ａ）両面マスク用ブランクの裏面にレジスト層を形成する。
（ｂ）裏面のレジスト層をパターニングする。
（ｃ）裏面のパターニングされたレジスト層をマスクとして遮光用金属膜の層をエッチングし、レジスト層を剥離して、裏面の遮光用金属膜の層にアライメントパターンを形成する。
（ｄ）既存の表面のパターンと、前記の裏面のアライメントパターンとの重ね合わせずれを測定する。
（ｅ）再度、裏面にレジスト層を形成する。
（ｆ）前記測定の表面のパターンと裏面のアライメントパターンの重ね合わせずれの分を補正して、裏面パターンをレジスト層にパターニングする。
（ｇ）裏面のパターニングされたレジスト層をマスクとして遮光用金属膜の層をエッチングし、レジスト層を剥離する。
Invention of Claim 4 of this invention is a manufacturing method of the double-sided mask characterized by implementing the following processes using the blank for double-sided masks of any one of
(A) A resist layer is formed on the back surface of the double-sided mask blank.
(B) The resist layer on the back surface is patterned.
(C) The light shielding metal film layer is etched using the patterned resist layer on the back surface as a mask, the resist layer is peeled off, and an alignment pattern is formed on the light shielding metal film layer on the back surface.
(D) The overlay deviation between the existing pattern on the front surface and the alignment pattern on the back surface is measured.
(E) A resist layer is formed on the back surface again.
(F) The amount of overlay deviation between the front surface pattern and the back surface alignment pattern is corrected, and the back surface pattern is patterned on the resist layer.
(G) The light shielding metal film layer is etched using the patterned resist layer on the back surface as a mask, and the resist layer is peeled off.
本発明の請求項４に係る両面マスクの製造方法によれば、両面マスクの裏面を従来の片面にパターンが形成されたフォトマスクを使用して、従来通りに製造することができる。すなわち、高い寸法精度や解像度のパターンを形成した両面マスクが提供できる。また、請求項２に係る両面マスク製造方法によれば、従来不良となっていた両面マスクが再生可能となる。さらに、本発明の両面マスクの製造方法に従えば、不良発生を未然に防止出来るために、材料や工数損なう問題を解消できる効果がある。
According to the method for manufacturing a double-sided mask according to claim 4 of the present invention, the back surface of the double-sided mask can be manufactured as usual using a conventional photomask having a pattern formed on one side. That is, a double-sided mask on which a pattern with high dimensional accuracy and resolution is formed can be provided. Moreover, according to the double-sided mask manufacturing method according to
ブランク用ガラス基板は、ボロシリケート系又は石英ガラスを使用する。前記ガラス基板は熱膨張率に差があり、後者の石英ガラスの方が大幅に小さく、高精度のフォトマスク用に使用されるが、材料が高価のため、フォトマスクの寸法精度により選択することが好ましい。遮光用金属膜の層はクロムまたは酸化クロム、モリブデンシリサイド層を単層又は複数層積層させて形成する。 A borosilicate system or quartz glass is used as the blank glass substrate. The glass substrate has a different coefficient of thermal expansion, and the latter quartz glass is much smaller and is used for high-precision photomasks. However, since the material is expensive, it should be selected according to the dimensional accuracy of the photomask. Is preferred. The light shielding metal film layer is formed by laminating a single layer or a plurality of layers of chromium, chromium oxide, and molybdenum silicide layers.
図１は、請求項１の発明の両面マスク用ブランクの製造方法とそれをもちいた両面マスクの製造方法を説明する工程図である。請求項１の発明の両面マスク用ブランクは、前記ガラス基板１の片面にすでに表面パターン５と図示しない検査用パターンが従来の方法により遮光用金属膜の層２に形成されているマスクを用いる。前記マスクの裏面に、遮光用金属膜の層３を形成して製造する。前記遮光用金属膜は真空蒸着法、スパッタリング法により成膜する。次に、スピンコーター機を用いて、前記両面ブランクの裏面に光感光性レジスト樹脂４を塗布する（図１（ａ）参照）。
FIG. 1 is a process diagram illustrating a method for manufacturing a double-sided mask blank according to the first aspect of the present invention and a method for manufacturing a double-sided mask using the same. The double-sided mask blank of the invention of
次に、前記両面マスク用ブランクの裏面のレジスト層にアライメントパターンと測定用パターン１８を描画する。各々パターンデータファイルの管理名（データファイル名）と、位置座標を記載した描画手順ファイル（以下ＪＯＢファイルと記す）に従って、レジストを露光させてパターンの図形を形成させる（図１（ｂ）参照）。
Next, the alignment pattern and the
現像工程、エッチング及びレジスト層を剥膜する工程を経て裏面にアライメントパターンと測定用パターン８を形成した両面マスク用ブランクができる（図１（ｃ）参照）。前記両面マスク用ブランクの表面パターン５と裏面のアライメントパターン８の重ね合わせずれを測定用パターンにより測定する。再度、前記両面ブランクの裏面に光感光性レジスト樹脂１４を塗布する（図１（ｄ）参照）。
A blank for a double-sided mask in which an alignment pattern and a
前記測定した表面のパターンと裏面のアライメントパターンの重ね合わせずれ分を補正して、裏面パターンと検査用パターンをアライメントパターンでアライメントをとる方法により描画を行う。アライメントパターンでアライメントをとることにより、裏面パターンはアライメントパターンに対して、セントラリティとローテイションのずれがなく描画できる。ずれの補正は装置上でアライメントマークに対してオフセットを設定するか、裏面パターンのＪＯＢファイル中の描画位置座標を変更して実施する。ローテイションに関しては、同様にずれ分を装置上でアライメントマークに対してオフセットを設定するか、アライメントパターンのＪＯＢファイル中の描画位置座標を変更して実施する（図１（ｄ）参照）。 Drawing is performed by correcting the overlay deviation of the measured front surface pattern and back surface alignment pattern, and aligning the back surface pattern and the inspection pattern with the alignment pattern. By aligning with the alignment pattern, the back surface pattern can be drawn with respect to the alignment pattern without deviation of centrality and rotation. Deviation correction is performed by setting an offset for the alignment mark on the apparatus or by changing the drawing position coordinates in the JOB file of the back surface pattern. The rotation is similarly performed by setting an offset for the alignment mark on the apparatus or changing the drawing position coordinates in the JOB file of the alignment pattern (see FIG. 1D).
裏面のレジスト層のパターン１６の現像のみを行う（図１（ｅ）参照）。両面マスク用ブランクの表面パターンの測定用パターンと裏面パターンの測定用パターンの重ね合わせずれを測定し、表面と裏面のパターンの重ねのずれに問題がないことを確認する。表面と裏面のパターンの重ねのずれに問題がない場合、エッチング及びレジスト層を剥膜し、本発明の両面マスクが完成する（図１（ｆ）参照）。 Only the pattern 16 of the resist layer on the back surface is developed (see FIG. 1E). The overlay deviation of the measurement pattern of the surface pattern of the double-sided mask blank and the measurement pattern of the back surface pattern is measured, and it is confirmed that there is no problem in the misalignment of the pattern of the front surface and the back surface. When there is no problem in the misalignment of the patterns on the front and back surfaces, the etching and the resist layer are removed, and the double-sided mask of the present invention is completed (see FIG. 1 (f)).
表面と裏面のパターンの重ねのずれに問題が発生した場合は、エッチング処理をせずに前記レジスト層を剥膜し、問題を対処後、再度工程（ｄ）から実施する。以上、本発明の両面マスクの作成方法により、表面パターンが描画された通常マスクを用いて、目的とする両面マスクを表裏の両面パターンの垂直方向の重ね合わせ精度が高く製造することができる。 If there is a problem with the misalignment of the patterns on the front and back surfaces, the resist layer is stripped without performing an etching process, and after the problem is dealt with, the process is performed again from step (d). As described above, according to the method for producing a double-sided mask of the present invention, the target double-sided mask can be manufactured with high vertical overlay accuracy of the front and back double-sided patterns using the normal mask on which the surface pattern is drawn.
図２は、請求項２の発明の両面マスク用ブランクの製造方法とそれを用いた両面マスクの製造方法を説明する工程図である。請求項２の発明の両面マスク用ブランクは、前記ガラス基板の両面にすでに表面パターンと裏面パターンが形成されている両面マスクを用いる。前記両面マスクの裏面の遮光用金属膜３にエッチングを行い、遮光用金属膜３の層の部分がなくなりガラス面になったフォトマスクができる（図２（ａ）参照）。前記マスクを用い、本発明の請求項１と同様の手順、図１（ａ）〜図１（ｆ）の工程を経て、両面マスクを製造する。
FIG. 2 is a process diagram illustrating a method for manufacturing a double-sided mask blank of the invention of
図３は、請求項３の発明の両面マスク用ブランクの製造方法とそれを用いた両面マスクの製造方法を説明する工程図である。請求項３の発明の両面マスク用ブランクは、前記ガラス基板の両面にすでに表面パターンと裏面パターンが形成されている両面マスクを用いる。前記両面マスクの裏面に、スピンコーター機を用いて、光感光性レジスト樹脂を塗布し、アライメントマーク部分など残したい部分以外を全面露光する（図３（ａ）参照）。
FIG. 3 is a process diagram illustrating a method for manufacturing a double-sided mask blank of the invention of
次に、露光部分を、現像工程、エッチング工程を経て、裏面の残したいパターン１８以外の遮光用金属膜３の層の部分がなくなりガラス面になったフォトマスクができる（図３（ｂ）参照）。前記両面マスク用ブランクの裏面に、レジストを剥離せずに、遮光用金属膜を真空蒸着法、スパッタリング法により成膜し、裏面の遮光用金属膜１３を形成する（図３（ｃ）参照）。次に、レジストの剥離工程により、レジスト部分とその上の遮光用金属膜を除去し、光感光性レジスト樹脂１４を塗布する（図３（ｄ）参照）。
Next, the exposed portion is subjected to a development process and an etching process, and a portion of the light-shielding
表面のパターンともともとあった裏面のアライメントパターンの重ね合わせずれ分を補正して、新たな裏面パターンと測定用パターンをアライメントパターンでアライメントをとる方法により描画を行う。アライメントパターンでアライメントをとることにより、裏面パターンはアライメントパターンに対して、セントラリティとローテイションのずれがなく描画できる。表面に対するずれの補正は装置上でアライメントマークに対してオフセットを設定するか、裏面パターンのＪＯＢファイル中の描画位置座標を変更して実施する。ローテイションに関しては、同様にずれ分を装置上でアライメントマークに対してオフセットを設定するか、アライメントパターンのＪＯＢファイル中の描画位置座標を変更して実施する（図３（ｅ）参照）。 Drawing is performed by a method of aligning the new back surface pattern and the measurement pattern with the alignment pattern by correcting the amount of misalignment of the back surface alignment pattern with the front surface pattern. By aligning with the alignment pattern, the back surface pattern can be drawn with respect to the alignment pattern without deviation of centrality and rotation. Correction of displacement with respect to the front surface is performed by setting an offset with respect to the alignment mark on the apparatus or changing the drawing position coordinates in the JOB file of the back surface pattern. Rotation is similarly performed by setting an offset for the alignment mark on the apparatus or changing the drawing position coordinates in the JOB file of the alignment pattern (see FIG. 3E).
裏面のレジスト層のパターンの現像のみを行う（図３（ｆ）参照）。両面マスク用ブランク表面パターンの測定用パターンと裏面パターンの測定用パターンの重ね合わせずれを測定する。表面と裏面のパターンの重ねのずれに問題がないことを確認後、エッチング及びレジスト層を剥膜し、本発明の両面マスクが完成する（図３（ｇ）参照）。 Only the pattern of the resist layer on the back surface is developed (see FIG. 3F). The overlay deviation between the measurement pattern for the blank surface pattern for the double-sided mask and the measurement pattern for the back surface pattern is measured. After confirming that there is no problem in the misalignment of the patterns on the front and back surfaces, the etching and the resist layer are peeled off to complete the double-sided mask of the present invention (see FIG. 3G).
表面と裏面のパターンの重ねのずれに問題が発生した場合は、問題を対処後、前記レジスト層を剥膜し、再度、工程（ｅ）から実施する。以上本発明の両面マスクの製造方法に
より両面マスクの裏面パターンのみを再作成することを目的とする両面マスクを表裏の両面パターンの垂直方向の重ね合わせ精度を高く製造できる。
If a problem arises in the misalignment of the patterns on the front and back surfaces, after dealing with the problem, the resist layer is stripped and the process is performed again from step (e). As described above, a double-sided mask intended to recreate only the back surface pattern of the double-sided mask by the double-sided mask manufacturing method of the present invention can be manufactured with high accuracy in the vertical direction of the double-sided pattern on the front and back sides.
１…透明基板
２…表面の遮光用金属膜
３、１３…裏面の遮光用金属膜
４、１４…レジスト
５…表面のパターン
６…裏面のパターン
８、１８…裏面のアライメントパターンと測定用パターン
DESCRIPTION OF
Claims (4)
（ａ）両面マスク用ブランクの裏面にレジスト層を形成する。
（ｂ）裏面のレジスト層をパターニングする。
（ｃ）裏面のパターニングされたレジスト層をマスクとして遮光用金属膜の層をエッチングし、レジスト層を剥離して、裏面の遮光用金属膜の層にアライメントパターンを形成する。
（ｄ）既存の表面のパターンと、前記の裏面のアライメントパターンとの重ね合わせずれを測定する。
（ｅ）再度、裏面にレジスト層を形成する。
（ｆ）前記測定の表面のパターンと裏面のアライメントパターンの重ね合わせずれの分を補正して、裏面パターンをレジスト層にパターニングする。
（ｇ）裏面のパターニングされたレジスト層をマスクとして遮光用金属膜の層をエッチングし、レジスト層を剥離する。 The manufacturing method of the double-sided mask characterized by implementing the following processes using the blank for double-sided masks of any one of Claim 1 thru | or 3.
(A) A resist layer is formed on the back surface of the double-sided mask blank.
(B) The resist layer on the back surface is patterned.
(C) The light shielding metal film layer is etched using the patterned resist layer on the back surface as a mask, the resist layer is peeled off, and an alignment pattern is formed on the light shielding metal film layer on the back surface.
(D) The overlay deviation between the existing pattern on the front surface and the alignment pattern on the back surface is measured.
(E) A resist layer is formed on the back surface again.
(F) The amount of overlay deviation between the front surface pattern and the back surface alignment pattern is corrected, and the back surface pattern is patterned on the resist layer.
(G) The light shielding metal film layer is etched using the patterned resist layer on the back surface as a mask, and the resist layer is peeled off.
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010026367A (en) * | 2008-07-23 | 2010-02-04 | Dainippon Printing Co Ltd | Method for manufacturing photomask having pattern on both faces |
| JP2010190935A (en) * | 2009-02-16 | 2010-09-02 | Dainippon Printing Co Ltd | Method of manufacturing photomask substrate |
| JP2010204264A (en) * | 2009-03-02 | 2010-09-16 | Dainippon Printing Co Ltd | Method for manufacturing photomask having patterns on both surfaces thereof |
| US8021806B2 (en) | 2008-06-30 | 2011-09-20 | Hoya Corporation | Photomask blank, photomask, and methods of manufacturing the same |
| WO2017063951A1 (en) * | 2015-10-15 | 2017-04-20 | Universität Kassel | Microstructure and method for producing a microstructure in a photolithography technique |
| TWI612375B (en) * | 2012-08-09 | 2018-01-21 | Nikon Corp | Optical element manufacturing method, and exposure method using the same |
| CN111061124A (en) * | 2019-12-23 | 2020-04-24 | 杭州欧光芯科技有限公司 | Ultraviolet curing nano-imprinting mold with cutting channel and method |
| CN115016225A (en) * | 2022-08-04 | 2022-09-06 | 上海传芯半导体有限公司 | Mask base plate, mask plate and photoetching equipment |
-
2003
- 2003-11-18 JP JP2003387572A patent/JP4029828B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8021806B2 (en) | 2008-06-30 | 2011-09-20 | Hoya Corporation | Photomask blank, photomask, and methods of manufacturing the same |
| JP2010026367A (en) * | 2008-07-23 | 2010-02-04 | Dainippon Printing Co Ltd | Method for manufacturing photomask having pattern on both faces |
| JP2010190935A (en) * | 2009-02-16 | 2010-09-02 | Dainippon Printing Co Ltd | Method of manufacturing photomask substrate |
| JP2010204264A (en) * | 2009-03-02 | 2010-09-16 | Dainippon Printing Co Ltd | Method for manufacturing photomask having patterns on both surfaces thereof |
| TWI612375B (en) * | 2012-08-09 | 2018-01-21 | Nikon Corp | Optical element manufacturing method, and exposure method using the same |
| WO2017063951A1 (en) * | 2015-10-15 | 2017-04-20 | Universität Kassel | Microstructure and method for producing a microstructure in a photolithography technique |
| CN111061124A (en) * | 2019-12-23 | 2020-04-24 | 杭州欧光芯科技有限公司 | Ultraviolet curing nano-imprinting mold with cutting channel and method |
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