JP3529967B2 - Manufacturing method of photomask blanks with alignment marks - Google Patents
Manufacturing method of photomask blanks with alignment marksInfo
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、IC、LSIなど
の半導体素子の製造に用いられるフォトマスクの製造に
関するもので、詳しくはフォトマスク作製のためのパタ
ーン露光描画に用いられ、描画位置精度を向上できるフ
ォトマスク用ブランクスを製造する方法に関するもので
ある。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to the manufacture of photomasks used in the manufacture of semiconductor devices such as ICs and LSIs. More specifically, the present invention is used in pattern exposure drawing for the manufacture of photomasks. The present invention relates to a method of manufacturing a photomask blank that can be improved.
【0002】[0002]
【従来の技術】フォトマスクは、ICやLSIなどの半
導体素子の回路パターンを形成する際の原版として用い
られるものであり、石英等の基板上にクロム、モリブデ
ンなどを主体とした遮光層からなるパターンを配設した
ものである。そして、通常、図6に示すようにして、石
英等の基板の一面にクロム、モリブデンなどを主体とし
た遮光層を配設したフォトマスクブランクスを加工する
ことにより作製されていた。図6に示すフォトマスクの
製造方法をここで簡単に説明しておく。先ず、石英ガラ
ス等の基板610(図6(a)の一面にクロム、モリブ
デンなどを主体とする遮光層620を略全面に形成し
(図6(b))、遮光層620上全面にg線(436n
m)やi線(365nm)などの紫外線または電子線等
の電離放射線に感応するレジスト630を塗布した(図
6(c))後、該レジスト630に対応したg線、i線
や電子線等の電離放射線640を用いて前記レジスト6
30を所定のパターン形状に選択的に露光描画する。
(図6(d))次いで、現像処理を行いレジストパター
ンを形成する。ポジ型のレジストの場合は露光されたレ
ジスト部が除去されて、レジストパターンが形成され
る。(図6(e))尚、ネガ型のレジストの場合は、露
光されたレジスト部が硬化されるため、現像処理によ
り、未露光のレジスト部が除去されて、レジストパター
ンが形成される。次いで、必要に応じてディスカム処
理、ベイキング処理を行い、前記レジストパターンに従
い露出した遮光層620をエッチング(腐食)して遮光
層からなるパターンの形成を行った(図6(f))後、
レジスト膜630を除去し、洗浄処理等を施しフォトマ
スク600を得る。(図6(g))尚、遮光層620と
しては単層膜のもの、表面に酸化クロム層を設けた2層
膜のもの、第1層および第3層に同様の酸化クロム層を
設けた3層膜などが用いられている。2. Description of the Related Art A photomask is used as an original plate when forming a circuit pattern of a semiconductor element such as an IC or an LSI, and is composed of a light shielding layer mainly made of chromium, molybdenum or the like on a substrate such as quartz. It has a pattern. Usually, as shown in FIG. 6, a photomask blank in which a light-shielding layer mainly composed of chromium, molybdenum, or the like is provided on one surface of a substrate such as quartz is manufactured by processing. A method of manufacturing the photomask shown in FIG. 6 will be briefly described here. First, a substrate 610 made of quartz glass or the like (a light shielding layer 620 mainly composed of chromium, molybdenum, etc. is formed on one surface of FIG. 6 (a) almost entirely (FIG. 6 (b)), and the g-line is formed on the entire surface of the light shielding layer 620. (436n
m) or i rays (365 nm) or a resist 630 sensitive to ionizing radiation such as electron rays (FIG. 6C), and then g rays, i rays or electron rays corresponding to the resist 630 are applied. The resist 6 using the ionizing radiation 640 of
30 is selectively exposed and drawn in a predetermined pattern shape.
(FIG. 6D) Next, development processing is performed to form a resist pattern. In the case of a positive type resist, the exposed resist portion is removed and a resist pattern is formed. (FIG. 6 (e)) In the case of a negative type resist, the exposed resist portion is cured, so that the unexposed resist portion is removed by the development process to form a resist pattern. Then, if necessary, a descum treatment and a baking treatment are performed, and the exposed light shielding layer 620 is etched (corroded) according to the resist pattern to form a pattern of the light shielding layer (FIG. 6F).
The resist film 630 is removed and cleaning treatment or the like is performed to obtain a photomask 600. (FIG. 6 (g)) Incidentally, as the light shielding layer 620, a single layer film, a double layer film having a chromium oxide layer on the surface thereof, and a similar chromium oxide layer as the first layer and the third layer were provided. A three-layer film or the like is used.
【0003】上記の図6に示すフォトマスク作製方法に
おける露光描画方法としては、図形データを用いて、フ
ォトマスク用ブランクスの遮光層上に配設されたレジス
ト部を電子線で露光描画する方式の電子線露光描画装置
によるものが主流であるが、近年は、図形データを用
い、エキシマKrF光により光露光描画を行う描画装置
等も用いられるようになってきた。特に、電子線露光描
画装置としては、図5に示すようなラスタースキャン型
の電子線露光装置が数多く用いられている。装置そのも
のについては広く知られているのでここでは詳細は省
く。ラスタースキャン型の電子ビーム露光装置は、電子
ビームをブランクス等の基板上のレジストの所定位置に
到達させて、レジストに潜像をパターンニングするもの
であるが、基本的には電子ビームのスキャン(走査)制
御とブランクスの位置移動制御によりフランクス上へ到
達する電子ビームの位置を制御している。これら電子ビ
ーム露光装置は、一般に反射される二次電子量を計測す
るシステムを備えており、二次電子量の相対的な変化に
よりビーム照射位置に存在する物質を検出する機能を有
している。この為、パターニングされた線幅を測定した
りパターンの位置を算出することができる。即ち、クロ
スマークパターンについては、その中心座標を算出する
ことが可能となる。従って、図5に示すような電子線露
光描画装置においては、一般的に、このパターン位置測
定機能を用いて、座標位置が既知のマスタパターンを読
むことにより、描画機固有の直交座標(X、Y軸)の直
交度補正ならびに寸法補正を行っている。そしてこれを
電子線露光描画装置の描画精度確保のための日々の管理
としている。また、図5に示すような電子線露光描画装
置においては、描画すべきブランクスは専用カセットに
保持し、自動搬送にて描画横のステージ上に運搬・クラ
ンプされる。As an exposure drawing method in the photomask manufacturing method shown in FIG. 6, a method of exposing and drawing an electron beam on a resist portion provided on a light shielding layer of a blank for a photomask is used by using graphic data. The electron beam exposure drawing apparatus is the mainstream, but in recent years, a drawing apparatus which uses graphic data and performs optical exposure drawing with excimer KrF light has also been used. In particular, as the electron beam exposure drawing apparatus, many raster scan type electron beam exposure apparatuses as shown in FIG. 5 are used. Since the device itself is widely known, details are omitted here. A raster scan type electron beam exposure apparatus is one that causes an electron beam to reach a predetermined position of a resist such as a blanks on a substrate to pattern a latent image on the resist. The position of the electron beam reaching the Franks is controlled by (scanning) control and the position movement control of the blanks. These electron beam exposure apparatuses are generally equipped with a system for measuring the amount of reflected secondary electrons, and have a function of detecting a substance existing at a beam irradiation position by a relative change in the amount of secondary electrons. . Therefore, the patterned line width can be measured and the pattern position can be calculated. That is, the center coordinates of the cross mark pattern can be calculated. Therefore, in the electron beam exposure drawing apparatus as shown in FIG. 5, generally, the pattern position measuring function is used to read the master pattern whose coordinate position is known to obtain the orthogonal coordinates (X, The orthogonality correction (Y axis) and the size correction are performed. This is the daily management for securing the drawing accuracy of the electron beam exposure drawing apparatus. Further, in the electron beam exposure drawing apparatus as shown in FIG. 5, blanks to be drawn are held in a dedicated cassette, and are automatically conveyed and clamped on a stage next to the drawing.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
素子の微細化、高密度化に伴い、フォトマスクのパター
ンの微細化、高精度化要求は厳しく、図5に示す電子線
露光描画装置においては、上記日々の管理にも係わら
ず、露光描画位置精度、露光描画位置精度のバラツキの
点で対応が難しくなってきて、その対応が求められてい
る。露光描画位置精度を低下させ、位置精度のバラツキ
を大きくする原因としては種々考えられるが、(1)図
5示す電子線露光描画装置について上記日々の管理を実
施しても、チャンバー内部の温度変動が影響し実描画時
と日々管埋時の直行座標が必ずしも一致しないこと、
(2)露光描画する際、フォトマスクブランクスを保持
するカセットのステージへのクランプ位置精度、ならび
にカセット上でのブランクスの保持位置精度が不安定で
あること、(3)カセット自体およびブランクス自体の
たわみ量もクランプの状態によって変動するもので、ス
テージ上のブランクスの位置は、ある程度の不確定性を
持った状態で露光描画されていること、等が問題視され
るようになってきた。 本発明
は、これに対応するもので、露光描画位置精度を向上さ
せ、露光描画位置精度のバラツキを減少できるフォトス
ク用ブランクスを提供しようとするものである。同時に
そのようなフォトスク用ブランクスの作製方法を提供し
ようとするものである。However, with the miniaturization and high densification of semiconductor elements, there is a strict demand for miniaturization and high precision of the photomask pattern, and in the electron beam exposure drawing apparatus shown in FIG. Despite the above daily management, it is becoming difficult to deal with variations in exposure drawing position accuracy and exposure drawing position accuracy, and there is a need for such a correspondence. There are various possible causes for lowering the exposure drawing position accuracy and increasing the position accuracy variation. (1) Even if the daily management of the electron beam exposure drawing apparatus shown in FIG. Influence, and the orthogonal coordinates at the time of actual drawing and daily embedding do not always match,
(2) When exposure drawing is performed, the accuracy of the clamp position of the cassette holding the photomask blanks on the stage and the accuracy of the holding position of the blanks on the cassette are unstable. (3) Deflection of the cassette itself and the blanks themselves The amount also changes depending on the clamp state, and the position of the blanks on the stage is exposed and drawn with a certain degree of uncertainty. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is directed to provide a blank for a photo disk capable of improving the exposure drawing position accuracy and reducing the variation of the exposure drawing position accuracy. At the same time, it is intended to provide a method for producing such a blank for a photosuku.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明のアライメントマ
ーク付きフォトマスク用ブランクスの製造方法は、半導
体素子製造用のフォトマスクを作製するために、図形デ
ータを用い基板上のフォトレジスト部を露光描画する方
式の露光描画装置にて、その上に塗布されたレジスト部
にパターンを描画されるフォトマスク用ブランクスの製
造方法であって、半導体素子作製の際の露光光に対して
透明な基板の一面に、該露光光に対して遮光性の薄い金
属膜からなる遮光層を設けて、遮光層のパターン描画領
域でない領域において、1箇所もしくは複数箇所に、露
光描画時の該ブランクスの位置、傾き、歪み等を描画機
に認識させるためのアライメントマークを設ける工程に
おいて、前記アライメントマークは、遮光層面に接着さ
れたシール上に設けられており、且つ、レジストの配設
が、マスキングテープを貼り、アライメントマーク領域
にはレジストが塗布されないようにして行なわれ、レジ
ストが配設されていないアライメントマーク領域にシー
ルを貼りつけることを特徴とするものである。そして、
上記における露光描画装置が、電子線露光描画装置ない
し光露光描画装置であることを特徴とするものである。Means for Solving the Problems A method of manufacturing a blank scan for the alignment mark with the photomask of the present invention, in order to prepare the photomask for semiconductor device manufacturing, exposing the photoresist portion on the substrate using the graphic data at exposure drawing apparatus of a type to be drawn, manufacturing of photomask blanks to be drawn the pattern on the resist portion applied thereon
A granulation method, on one surface of a substrate transparent to exposure light when the semiconductor device manufacturing, and only set the light shielding layer made of a thin metal film having light shielding property with respect to the exposure light, patterning of the light shielding layer in areas not regions, in one location or multiple locations, the position of the blank during exposure drawing, the inclination, Ru provided an alignment mark for recognizing the distortion or the like on the drawing machine process
In addition, the alignment mark is provided on a seal adhered to the surface of the light-shielding layer, and the resist is provided.
However, a masking tape is applied so that the resist is not applied to the alignment mark area, and a seal is applied to the alignment mark area where the resist is not provided. And
The above-mentioned exposure drawing apparatus is an electron beam exposure drawing apparatus or an optical exposure drawing apparatus.
【0006】[0006]
【0007】[0007]
【作用】本発明のアライメントマーク付きフォトマスク
用ブランクスの製造方法は、このような構成にすること
により、露光描画位置精度を向上させ、露光描画位置精
度のバラツキを減少できるものとしている。具体的に
は、本発明のアライメントマーク付きフォトマスク用ブ
ランクスの製造方法により作製されるフォトマスク用ブ
ランクスは、半導体素子製造用のフォトマスクを作製す
るために、図形データを用い基板上のフォトレジスト部
を露光描画する方式の露光描画装置にて、その上に塗布
されたレジスト部にパターンを描画されるフォトマスク
用ブランクスであって、半導体素子作製の際の露光光に
対して透明な基板の一面に、該露光光に対して遮光性の
薄い金属膜からなる遮光層を設けたもので、遮光層のパ
ターン描画領域でない領域において、1箇所もしくは複
数箇所に、露光描画時の該ブランクスの位置、傾き、歪
み等を描画機に認識させるためのアライメントマークを
設けていることによりこれを達成している。即ち、描画
直前もしくは描画中に、前述の露光描画位置パターン位
置測定機能を用いて、ブランクスのアライメントマーク
を確認できるため、測定位置と設計位置との差を求め、
これから、その時点での適当な直交座標が得られるよう
補正できるのである。また、描画中、定期的にアライメ
ントマーク位置を自動確認すれば、描画中のブランクス
の位置を確認できるので、たとえ描画中にステージ上で
ブランクスが動いたとしても、その動きに追随して座標
系を自動補正することが可能となる。 特に設計値を設
けて正確にアライメントマークを付設しなくても、描画
直前にアライメントマークの座標位置を測定しておき、
描画中に定期的に確認することにより、描画中の相対的
な位置変動を修正する目的で補正を入れることも可能で
ある。 Method for manufacturing the alignment marked photomask blank of the effects of the present invention, by a configuration as this, to improve the exposure drawing position accuracy, it is assumed that can reduce the variation in the pattern exposure position accuracy. Specifically, a photomask block with an alignment mark of the present invention is used.
A blank for a photomask manufactured by the manufacturing method of LANX is an exposure drawing apparatus of a method of exposing and drawing a photoresist portion on a substrate using graphic data in order to manufacture a photomask for manufacturing a semiconductor element. A blank for a photomask in which a pattern is drawn on a resist portion applied on the one surface of a substrate transparent to exposure light at the time of manufacturing a semiconductor element, and a thin metal that shields the exposure light. A light-shielding layer made of a film is provided, and an alignment for allowing the drawing machine to recognize the position, inclination, distortion, etc. of the blanks at the time of exposure drawing in one or more places in the area other than the pattern drawing area of the light-shielding layer. This is achieved by having a mark. That is, the alignment mark of the blanks can be confirmed by using the above-described exposure drawing position pattern position measuring function immediately before or during drawing, and thus the difference between the measurement position and the design position is obtained,
From this, it is possible to correct so as to obtain an appropriate rectangular coordinate at that time. Also, the position of the blanks during drawing can be confirmed by automatically checking the alignment mark position during drawing, so even if the blanks move on the stage during drawing, the movement of the blanks follows the coordinate system. Can be automatically corrected. Even if you do not set the alignment mark accurately by setting a design value, measure the coordinate position of the alignment mark immediately before drawing,
It is also possible to make a correction for the purpose of correcting a relative positional fluctuation during drawing by checking the drawing periodically during drawing.
【0008】[0008]
【発明の実施の形態】本発明のアライメントマーク付き
フォトマスク用ブランクスの製造方法によって作製され
るアライメントマーク付きフォトマスク用ブランクスを
図を基に説明する。図1(a)は参考例のアライメント
マーク付きフォトマスク用ブランクスを示した平面図で
あり、図1(b)は図1(a)の点線部のアライメント
マーク部の拡大図であり、図1(c)は図1(b)のA
1−A2における断面図を示したものである。また、図
2(a)は本発明のアライメントマーク付きフォトマス
ク用ブランクスの製造方法によって作製されるアライメ
ントマーク付きフォトマスク用ブランクスの第1の例を
示した平面図であり、図2(b)は図2(a)の点線部
のアライメントマーク部の拡大図であり、図2(c)は
図2(b)のB1−B2における断面図を示したもので
ある。図1、図2中、100、101はフォトマスク用
ブランクス、110、111は基板、120、121は
遮光層、130、131はアライメントマーク、14
0、141はレジスト、150はシール、151はベー
ス層、152は接着層、153は金属層である。本発明
のアライメントマーク付きフォトマスク用ブランクスの
製造方法によって作製されるアライメントマーク付きフ
ォトマスク用ブランクスは、半導体素子製造用のフォト
マスクを作製するために、図形データを用い基板上のフ
ォトレジスト部を露光描画する方式の露光描画装置に
て、その上に塗布されたレジスト部にパターンを描画さ
れるフォトマスク用ブランクスである。そして、半導体
素子作製の際の露光光に対して透明な基板の一面に、該
露光光に対して遮光性の薄い金属膜からなる遮光層を設
け、且つ、遮光層のパターン描画領域でない領域におい
て、1箇所もしくは複数箇所に、露光描画時の該ブラン
クスの位置、傾き、歪み等を描画機に認識させるための
アライメントマークを設けている。図1に示す参考例
は、アライメントマーク130が、遮光層の所定部分に
金属膜がないようにして設けられたものであり、図2に
示す第1の例は、アライメントマーク131が、遮光層
面に接着されたシール150に設けられているものであ
る。図1、図2示すものは、ともにアライメントマーク
を基板のコーナー端部3箇所に設けているが、これに限
定されない。またアライメントマークの形状についても
これに限定されない。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION With alignment mark of the present invention
Made by the method of manufacturing blanks for photomasks
The blanks for the alignment mark with a photo mask will be described with reference to Figure that. FIG. 1A is a plan view showing a blank for a photomask with an alignment mark of a reference example, and FIG. 1B is an enlarged view of an alignment mark portion of a dotted line portion of FIG. (C) is A in FIG. 1 (b)
1 is a sectional view taken along line 1-A2. Further, FIG. 2A shows a photomask with an alignment mark of the present invention.
FIG. 2B is a plan view showing a first example of a blank for a photomask with an alignment mark, which is produced by the method for producing a blank for blanks , and FIG. 2B is an alignment of a dotted line portion in FIG. FIG. 2C is an enlarged view of the mark portion, and FIG. 2C is a sectional view taken along line B1-B2 of FIG. 2B. 1 and 2, 100 and 101 are photomask blanks, 110 and 111 are substrates, 120 and 121 are light-shielding layers, and 130 and 131 are alignment marks.
Reference numerals 0 and 141 are resists, 150 is a seal, 151 is a base layer, 152 is an adhesive layer, and 153 is a metal layer. The present invention
Of blanks for photomasks with alignment marks
A blank for a photomask with an alignment mark produced by the manufacturing method is an exposure drawing apparatus of a method of exposing and drawing a photoresist portion on a substrate using graphic data in order to manufacture a photomask for manufacturing a semiconductor element, It is a blank for a photomask in which a pattern is drawn on a resist portion applied thereon. Then, a light-shielding layer formed of a thin metal film having a light-shielding property with respect to the exposure light is provided on one surface of the substrate which is transparent to the exposure light when manufacturing the semiconductor element, and in a region which is not the pattern drawing region of the light-shielding layer. Alignment marks are provided at one place or a plurality of places so that the drawing machine can recognize the position, inclination, distortion and the like of the blanks at the time of exposure drawing. In the reference example shown in FIG. 1, the alignment mark 130 is provided without a metal film in a predetermined portion of the light shielding layer, and in the first example shown in FIG. 2, the alignment mark 131 has the light shielding layer surface. It is provided on the seal 150 adhered to the. 1 and 2, alignment marks are provided at three corner end portions of the substrate, but the present invention is not limited to this. Also, the shape of the alignment mark is not limited to this.
【0009】参考例および第1の例のアライメントマー
ク付きフォトマスク用ブランクスが適用される露光描画
装置としては、図5に示すような電子線露光描画や、光
露光描画装置が挙げられるが、特にこれに限定はされな
い。As an exposure drawing apparatus to which the photomask blanks with alignment marks of the reference example and the first example are applied, there are an electron beam exposure drawing apparatus and an optical exposure drawing apparatus as shown in FIG. It is not limited to this.
【0010】基板110、111としては、半導体素子
作製の際の露光光に対して透明であることが必要である
が、g線(436nm)やi線(365nm)などの紫
外線を露光光と用いる場合には、通常、石英ガラスが用
いられる。遮光層120、121としては、半導体素子
作製の際の露光光に対して遮光性のあることが必要で、
g線(436nm)やi線(365nm)などの紫外線
を露光光と用いる場合には、通常、クロム、モリブデン
などを主体とした単層のものや、複数種類の金属から形
成された多層構造のものが用いられる。レジスト14
0、141は、フォトマスク作製の際の露光描画に用い
る露光光(電離放射線)に応じて選択する。尚、図1、
図2に示すものは、レジストを塗布した状態のものであ
るが、レジストを塗布する前の状態のものもフォトマス
ク用ブランクスと言う場合もある。The substrates 110 and 111 are required to be transparent to the exposure light used for manufacturing the semiconductor element, but ultraviolet rays such as g-line (436 nm) and i-line (365 nm) are used as the exposure light. In this case, quartz glass is usually used. The light-shielding layers 120 and 121 need to have a light-shielding property with respect to exposure light when manufacturing a semiconductor element.
When ultraviolet rays such as g-line (436 nm) and i-line (365 nm) are used as exposure light, it is usually a single layer mainly composed of chromium, molybdenum or the like, or a multi-layered structure formed of plural kinds of metals. Things are used. Resist 14
0 and 141 are selected in accordance with the exposure light (ionizing radiation) used for the exposure drawing at the time of producing the photomask. Incidentally, FIG.
2 shows a state in which a resist is applied, but a state before applying a resist may be called a photomask blank.
【0011】図2に示す第1の例のシール150のベー
スとしては(異方)導電性ポリイミドフィルム等が挙げ
られ、接着層152としては導電性接着剤等が挙げられ
る。金属層153としては、クロム、銀、金等からなる
薄膜や印刷された金属ペースト等が挙げられる。The base of the seal 150 of the first example shown in FIG. 2 may be an (anisotropic) conductive polyimide film or the like, and the adhesive layer 152 may be a conductive adhesive or the like. Examples of the metal layer 153 include a thin film made of chromium, silver, gold, or the like, a printed metal paste, or the like.
【0012】次に、図1に示す参考例のアライメントマ
ーク付きフォトマスク用ブランクス100の作製方法を
図3に基づいて説明する。先ず、洗浄処理等が施された
基板110(図3(a))に、マスキング治具160を
用いて、所定の部分に遮光層が形成されないようにし
て、基板110の一面に遮光層120を形成する。(図
3(b))遮光層120の形成はスパッタリングや蒸着
等により行う。これにより、パターン描画領域でない領
域においてアライメントマーク130が形成される。次
いで、マスキングテープ170でアライメントマーク1
30を覆い(図3(c))、レジスト140を塗布す
る。(図3(d))この後、マスキングテープ170を
除去し、フォトマスク用ブランク100を得る。(図3
(e))Next, a method of manufacturing the photomask blank 100 with an alignment mark of the reference example shown in FIG. 1 will be described with reference to FIG. First, a masking jig 160 is used to prevent a light-shielding layer from being formed on a predetermined portion of the substrate 110 (FIG. 3A) that has been subjected to a cleaning process, and the light-shielding layer 120 is formed on one surface of the substrate 110. Form. (FIG. 3B) The light shielding layer 120 is formed by sputtering, vapor deposition or the like. As a result, the alignment mark 130 is formed in the area other than the pattern drawing area. Then, using the masking tape 170, the alignment mark 1
30 is covered (FIG. 3C), and a resist 140 is applied. (FIG. 3D) After that, the masking tape 170 is removed to obtain the photomask blank 100. (Fig. 3
(E))
【0013】尚、図3に示す方法においては、スパッタ
リングや蒸着時にマスキングを行いアライメントマーク
130の遮光層120のない部分を形成したが、これに
限定されない。例えば、遮光層を基板110の一面全面
にスパッタリングや蒸着等により形成した後に、レジス
ト塗布、露光、現像、エッチング、レジスト剥膜等の工
程を経てアライメントマーク130を形成しても構わな
い。また、図3に示す方法では、マスキングテープ17
0を貼り付けてアライメントマーク130領域にレジス
ト140が塗布されないようにしたが、場合によって
は、アライメントマーク130上にレジスト140が塗
布された状態でも構わない。In the method shown in FIG. 3, masking is performed during sputtering or vapor deposition to form a portion of the alignment mark 130 without the light shielding layer 120, but the invention is not limited to this. For example, the alignment mark 130 may be formed by forming a light-shielding layer on the entire surface of the substrate 110 by sputtering, vapor deposition, or the like, and then performing steps such as resist coating, exposure, development, etching, and resist stripping. In the method shown in FIG. 3, the masking tape 17
Although 0 is attached to prevent the resist 140 from being applied to the alignment mark 130 area, the resist 140 may be applied onto the alignment mark 130 in some cases.
【0014】次いで、図2に示す第1の例のアライメン
トマーク付きフォトマスク用ブランクス101の作製方
法を図4に基づいて説明する。これを以って本発明のア
ライメントマーク付きフォトマスク用ブランクスの製造
方法の実施の形態の1例の説明とする。先ず、洗浄処理
等が施された基板111(図4(a))の一面上全面に
遮光層121を形成する。(図4(b))遮光層121
の形成はスパッタリングや蒸着等により行う。次いで、
マスキングテープ171でアライメントマーク形成領域
を覆い、(図4(c))、レジスト140を塗布する。
(図4(d))この後、アライメントマーク形成領域
に、金属薄膜153からなるアライメントマーク131
を設けたシート150を、アライメントマーク131を
上側にして接着層152を介して遮光層上に固定する。
(図4(e))これにより、パターン描画領域でない領
域においてアライメントマーク130が形成される。Next, a method for manufacturing the photomask blank 101 with an alignment mark of the first example shown in FIG. 2 will be described with reference to FIG. This is the reason why
Manufacture of blanks for photomasks with a liment mark
An example of an embodiment of a method will be described. First, the light shielding layer 121 is formed on the entire surface of one surface of the substrate 111 (FIG. 4A) that has been subjected to the cleaning treatment or the like. (FIG. 4B) Light-shielding layer 121
Is formed by sputtering or vapor deposition. Then
The alignment mark forming region is covered with a masking tape 171 (FIG. 4C ), and a resist 140 is applied.
(FIG. 4D) After that, the alignment mark 131 made of the metal thin film 153 is formed in the alignment mark formation region.
The sheet 150 provided with is fixed on the light shielding layer with the alignment mark 131 on the upper side through the adhesive layer 152.
(FIG. 4E) As a result, the alignment mark 130 is formed in the area other than the pattern drawing area.
【0015】(作製例)
更に、本発明のアライメントマーク付きフォトマスク用
ブランクスの製造方法によって作製されるアライメント
マーク付きフォトマスク用ブランクスを作製例を挙げて
説明する。先ず、参考作製例のフォトマスク用ブランク
スを挙げる。参考作製例のフォトマスク用ブランクス
は、図1に示す参考例のもので、遮光層の一部に金属膜
がないようにして設けられている。そして、図1(a)
に示す位置3箇所に、図1(b)、図1(c)に示す形
状のアライメントマークを設けたものである。基板11
0としては石英ガラス基板、遮光層120としては10
00Å厚のクロム薄膜を設けたもので、図1(b)に示
す幅D1、D2を20μm、全体の大きさL1、L2を
それぞれ120μmとしたもので、ネガ型の電子線レジ
スト東京応化株式会社製OEBR100)を5500Å
厚に配設したものである。アライメントマーク130の
形成、遮光層120の形成は、図3に示す方法にて、ス
パッタリングにて行った。 (Production Example) Furthermore, for a photomask with an alignment mark of the present invention
A blank for a photomask with an alignment mark manufactured by the method for manufacturing a blank will be described with reference to a manufacturing example . First, a blank for a photomask of a reference manufacturing example will be given. Off Otomasuku blank for Reference Preparation example, since the reference example shown in FIG. 1, is provided so as to no metal film on a part of the light shielding layer. And FIG. 1 (a)
The alignment marks having the shapes shown in FIGS. 1B and 1C are provided at the three positions shown in FIG. Board 11
0 is a quartz glass substrate, and 10 is a light shielding layer 120.
A chrome thin film having a thickness of 00Å is provided, the widths D1 and D2 shown in FIG. 1B are set to 20 μm, and the overall sizes L1 and L2 are set to 120 μm, respectively. Made OEBR100) 5500Å
It is arranged thick. The alignment mark 130 and the light shielding layer 120 were formed by sputtering by the method shown in FIG.
【0016】次に、作製例1のフォトマスク用ブランク
スを挙げる。作製例1のフォトマスク用ブランクスは、
図2に示す第1の例のもので、アライメントマーク13
1が、遮光層面に接着されたシール150に設けられて
いる。そして、図2(a)に示す位置3箇所に、図2
(b)、図2(c)に示す形状のアライメントマークを
設けたものである。基板111としては石英ガラス基
板、遮光層121としては900Å厚のクロム薄膜を設
けたもので、図2(b)に示す幅D3、D4を20μ
m、全体の大きさL3、L4をそれぞれ120μmとし
たもので、ポジ型の電子線レジスト(東レ株式会社社
製、EBR9−HS31)を400Å厚に配設したもの
である。Next, a blank for a photomask of Preparation Example 1 will be described. The blank for a photomask of Preparation Example 1 is
In the first example shown in FIG. 2, the alignment mark 13
1 is provided on the seal 150 adhered to the surface of the light shielding layer. Then, at the three positions shown in FIG.
(B), alignment marks having the shape shown in FIG. 2 (c) are provided. A quartz glass substrate is used as the substrate 111, and a 900 Å thick chromium thin film is provided as the light shielding layer 121. Widths D3 and D4 shown in FIG.
m, and the overall sizes L3 and L4 were each 120 μm, and a positive type electron beam resist (EBR9-HS31 manufactured by Toray Industries, Inc.) was arranged in a thickness of 400 Å.
【0017】[0017]
【発明の効果】本発明は、上記の通り、半導体素子製造
用のフォトマスクを作製するために、図形データを用い
基板上のフォトレジスト部を露光描画する方式の露光描
画装置にて、その上に塗布されたレジスト部にパターン
を描画されるフォトマスク用ブランクスであって、露光
描画位置精度を向上させ、露光描画位置精度のバラツキ
を減少できるフォトスク用ブランクスを作製する方法の
提供を可能としている。結果、露光描画装置における、
従来の管埋方法では安定供給ができなかった高精細フォ
トマスクを安定供給可能としている。Industrial Applicability As described above, the present invention provides an exposure drawing apparatus of the type that uses a pattern data to perform exposure drawing of a photoresist portion on a substrate in order to manufacture a photomask for manufacturing a semiconductor device. It is possible to provide a method for producing a blank for a photomask, which is a blank for a photomask in which a pattern is drawn on a resist portion applied to, and which improves exposure drawing position accuracy and can reduce variations in exposure drawing position accuracy. . As a result, in the exposure drawing device,
It enables stable supply of high-definition photomasks, which was not possible with the conventional tube filling method.
【図1】参考例のアライメントマーク付きフォトマスク
用ブランクスの図FIG. 1 is a view of a blank for a photomask with an alignment mark of a reference example.
【図2】本発明のアライメントマーク付きフォトマスク
用ブランクスの製造方法により作製されるアライメント
マーク付きフォトマスク用ブランクスの図FIG. 2 is a photomask with an alignment mark of the present invention.
Of photomask blanks with alignment marks manufactured by the manufacturing method
【図3】参考例のアライメントマーク付きフォトマスク
用ブランクスの製造工程を示した断面図FIG. 3 is a sectional view showing a manufacturing process of a blank for a photomask with an alignment mark of a reference example.
【図4】本発明のアライメントマーク付きフォトマスク
用ブランクスの製造方法の実施の形態の1例の工程を示
した断面図FIG. 4 is a sectional view showing steps of an example of an embodiment of a method for manufacturing a blank for a photomask with an alignment mark of the present invention.
【図5】電子線露光描画装置の概略図FIG. 5 is a schematic diagram of an electron beam exposure drawing apparatus.
【図6】従来のフォトマスクの製造工程図FIG. 6 is a manufacturing process diagram of a conventional photomask.
100、101 フォトマスク用ブランク
ス
110、111 基板
120、121 遮光層
130、131 アライメントマーク
140、141 レジスト
150 シール
151 ベース層
152 接着層
153 金属層
160 マスキング治具
170、171 マスキングテープ
600 フォトマスク
610 基板100, 101 Photomask blanks 110, 111 Substrates 120, 121 Light-shielding layers 130, 131 Alignment marks 140, 141 Resist 150 Seal 151 Base layer 152 Adhesive layer 153 Metal layer 160 Masking jig 170, 171 Masking tape 600 Photomask 610 Substrate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−280162(JP,A) 特開 昭63−161617(JP,A) 特開 昭56−107555(JP,A) 特開 平5−281705(JP,A) 特開 昭62−245265(JP,A) 特開 平3−218006(JP,A) 特開 昭61−5252(JP,A) 実開 平3−59634(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G03F 1/00 - 1/16 ─────────────────────────────────────────────────── --Continued from the front page (56) Reference JP-A-2-280162 (JP, A) JP-A-63-161617 (JP, A) JP-A-56-107555 (JP, A) JP-A-5- 281705 (JP, A) JP-A-62-245265 (JP, A) JP-A-3-218006 (JP, A) JP-A 61-5252 (JP, A) Jitsukaihei 3-59634 (JP, U) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) G03F 1/00-1/16
Claims (2)
するために、図形データを用い基板上のフォトレジスト
部を露光描画する方式の露光描画装置にて、その上に塗
布されたレジスト部にパターンを描画されるフォトマス
ク用ブランクスの製造方法であって、半導体素子作製の
際の露光光に対して透明な基板の一面に、該露光光に対
して遮光性の薄い金属膜からなる遮光層を設けて、遮光
層のパターン描画領域でない領域において、1箇所もし
くは複数箇所に、露光描画時の該ブランクスの位置、傾
き、歪み等を描画機に認識させるためのアライメントマ
ークを設ける工程において、前記アライメントマーク
は、遮光層面に接着されたシール上に設けられており、
且つ、レジストの配設が、マスキングテープを貼り、ア
ライメントマーク領域にはレジストが塗布されないよう
にして行なわれ、レジストが配設されていないアライメ
ントマーク領域にシールを貼りつけることを特徴とする
アライメントマーク付きフォトマスク用ブランクスの製
造方法。 1. An exposure drawing apparatus of a system for exposing and drawing a photoresist portion on a substrate using graphic data for producing a photomask for manufacturing a semiconductor device, wherein a pattern is formed on the resist portion coated thereon. A method of manufacturing a blank for a photomask in which a light-shielding layer made of a thin metal film having a light-shielding property for the exposure light is formed on one surface of the substrate transparent to the exposure light when manufacturing a semiconductor element. set only, in the region not a pattern drawing area of the light-shielding layer, at one location or multiple locations, the position of the blank during exposure drawing, in inclination, Ru provided an alignment mark for recognizing the distortion or the like to the drawing machine process, The alignment mark
Is provided on the seal adhered to the surface of the light shielding layer,
The alignment mark is characterized in that the resist is arranged such that a masking tape is attached so that the resist is not applied to the alignment mark area, and a seal is attached to the alignment mark area where the resist is not arranged. Made in blank scan for photo mask attached
Build method.
線露光描画装置ないし光露光描画装置であることを特徴
とするアライメントマーク付きフォトマスク用ブランク
スの製造方法。 2. A method of manufacturing a blank for a photomask with an alignment mark, wherein the exposure drawing apparatus according to claim 1 is an electron beam exposure drawing apparatus or an optical exposure drawing apparatus .
Priority Applications (1)
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JPH10207039A JPH10207039A (en) | 1998-08-07 |
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