JPH11300755A - Manufacture of resin plate manufacturing pattern and manufacture of resin plate - Google Patents

Manufacture of resin plate manufacturing pattern and manufacture of resin plate

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JPH11300755A
JPH11300755A JP10522298A JP10522298A JPH11300755A JP H11300755 A JPH11300755 A JP H11300755A JP 10522298 A JP10522298 A JP 10522298A JP 10522298 A JP10522298 A JP 10522298A JP H11300755 A JPH11300755 A JP H11300755A
Authority
JP
Japan
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mask
resin plate
layer
manufacturing
mold
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP10522298A
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Japanese (ja)
Inventor
Hisao Nishikawa
尚男 西川
Atsushi Takakuwa
敦司 高桑
Satoshi Nehashi
聡 根橋
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Publication of JPH11300755A publication Critical patent/JPH11300755A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the resolution and dimensional accuracy of the uneven shape of a pattern even under the condition that a resist layer having a necessary film thickness is used by a method wherein a mask layer is etched by employing the patterned resist layer as a mask and a board is etched by employing the etched mask layer as a mask. SOLUTION: By developing an exposed resist layer 3, a resist pattern 4 is formed. By the way, this resist pattern 4 is the reversed pattern of an uneven shape to be formed on the surface of an optical disc intending to obtain. Next, a mask layer 2 is etched by employing the resist pattern 4 as a mask so as to form a mask pattern 5. Next, the resist pattern 4 left on the formed mask pattern 5 is removed. Further, when no trouble develops in the etching of a silicon board even under the existence of the resist layer 4, the above-mentioned process may well be omitted. Next, a silicon board 1 is etched by employing the obtained mask pattern 5 as a mask.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂板製造用鋳型
の製造方法に係り、特に表面に所定の情報に基づいて形
成された凹凸形状を備えた樹脂板を製造するための鋳型
の製造方法に関する。また、この樹脂板製造用鋳型を用
いた樹脂板の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a mold for manufacturing a resin plate, and more particularly to a method of manufacturing a mold for manufacturing a resin plate having an uneven surface formed on the surface based on predetermined information. About. The present invention also relates to a method for producing a resin plate using the resin plate production mold.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から、表面に所定の情報に基づいて
形成された凹凸形状を備えた光ディスク等の樹脂板を形
成する際には、この凹凸形状に対応した凹凸パターンが
形成された樹脂板製造用鋳型(いわゆるスタンパ)を母
型として用いた射出成形を行い、この凹凸パターンを前
記樹脂板の表面に転写する方法が一般的に行われてい
る。
2. Description of the Related Art Conventionally, when forming a resin plate such as an optical disk having an uneven shape formed on the surface based on predetermined information, a resin plate having an uneven pattern corresponding to the uneven shape is formed. In general, a method of performing injection molding using a production mold (a so-called stamper) as a matrix and transferring the uneven pattern to the surface of the resin plate is generally performed.

【0003】この樹脂板に形成される凹凸形状は、高い
寸法精度が要求されるが、この凹凸形状の寸法精度を高
めるためには、前記鋳型に形成されている凹凸パターン
の解像性及び寸法精度を高める必要がある。
The unevenness formed on the resin plate requires high dimensional accuracy, but in order to increase the dimensional accuracy of the unevenness, the resolution and size of the unevenness pattern formed on the mold are required. Need to increase accuracy.

【0004】この鋳型は、基板上にレジスト層を形成
し、このレジスト層に所望のパターニングを行い、この
パターニングされたレジスト層をマスクとして前記基板
にエッチングを行うことで、前記凹凸形状を形成してい
る。
In this mold, a resist layer is formed on a substrate, a desired patterning is performed on the resist layer, and the substrate is etched using the patterned resist layer as a mask, thereby forming the irregularities. ing.

【0005】この方法で製造される鋳型の凹凸形状(樹
脂板に形成すべき凹凸形状の反転パターン)の解像性及
び寸法精度を向上させる有効な方法の一つとして、前記
レジスト層の膜厚を薄く形成する方法がある。
As one of the effective methods for improving the resolution and dimensional accuracy of the concave and convex shape of the mold produced by this method (an inverted pattern of the concave and convex shape to be formed on the resin plate), the film thickness of the resist layer is used. Is formed thinly.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記鋳
型を製造する場合、前記レジスト層は、基板をエッチン
グする際に必要な膜厚を確保しなければならないため、
その膜厚を薄くすることに限界がある。このため、前記
鋳型の凹凸形状の解像性及び寸法精度を十分に向上させ
ることができないという問題があった。
However, when manufacturing the mold, the resist layer must secure a film thickness necessary for etching the substrate.
There is a limit to reducing the film thickness. For this reason, there has been a problem that the resolution and dimensional accuracy of the uneven shape of the mold cannot be sufficiently improved.

【0007】本発明は、このような従来の問題点を解決
することを課題とするものであり、基板のエッチングに
必要な膜厚を備えたレジスト層を使用しても、鋳型の凹
凸形状の解像度及び寸法精度を向上することが可能であ
る樹脂板製造用鋳型の製造方法及び樹脂板の製造方法を
提供することを目的とする。
An object of the present invention is to solve such a conventional problem. Even if a resist layer having a film thickness necessary for etching a substrate is used, the unevenness of the mold can be reduced. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a resin plate manufacturing mold and a method for manufacturing a resin plate, which are capable of improving resolution and dimensional accuracy.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明は、基板上に所定の情報に基づいて形成され
た凹凸形状を樹脂板に転写するための樹脂板製造用鋳型
の製造方法であって、前記基板上にマスク層を形成する
第1工程と、前記マスク層上にレジスト層を形成する第
2工程と、前記レジスト層をパターニングする第3工程
と、前記パターニングされたレジスト層をマスクとして
前記マスク層をエッチングする第4工程と、前記エッチ
ングされたマスク層をマスクとして前記基板をエッチン
グする第5工程と、を備えた樹脂板製造用鋳型の製造方
法を提供するものである。
In order to achieve this object, the present invention relates to a method of manufacturing a mold for manufacturing a resin plate for transferring an uneven shape formed on a substrate based on predetermined information to a resin plate. A first step of forming a mask layer on the substrate, a second step of forming a resist layer on the mask layer, a third step of patterning the resist layer, and the patterned resist layer And a fifth step of etching the substrate using the etched mask layer as a mask, and a fifth step of etching the substrate using the etched mask layer as a mask. .

【0009】この製造方法では、鋳型に前記凹凸形状を
形成するためのパターンを作成するレジスト層と、前記
基板をエッチングするためのマスク層とを個別に形成す
るため、各層の膜厚を従来に比べて薄くすることがで
き、かつエッチングに必要な膜厚も確保することができ
る。
In this manufacturing method, a resist layer for forming a pattern for forming the irregularities on a mold and a mask layer for etching the substrate are individually formed. In addition, the thickness can be reduced, and the film thickness required for etching can be secured.

【0010】前記マスク層は、前記基板の表面を酸化す
ることにより得ることができる。そしてまた、前記マス
ク層は、金属あるいは金属を含む化合物から構成するこ
ともできる。この金属は、Al、Ti、Cr、Ni、C
u、Ru、Ag、W、Ir、Pt、Auのいずれかから
選択することができる。さらにまた、前記マスク層は樹
脂から構成することもできる。
[0010] The mask layer can be obtained by oxidizing the surface of the substrate. Further, the mask layer may be made of a metal or a compound containing a metal. The metals are Al, Ti, Cr, Ni, C
u, Ru, Ag, W, Ir, Pt, or Au can be selected. Furthermore, the mask layer can be made of resin.

【0011】また、前記基板はシリコンから構成するこ
とができる。
Further, the substrate can be made of silicon.

【0012】そしてまた、前記レジスト層は、シリコン
を含有した樹脂から構成することができる。
Further, the resist layer can be made of a resin containing silicon.

【0013】また、本発明は、基板上に凹凸形状を樹脂
板に転写するための樹脂板製造用鋳型の製造方法であっ
て、請求項1ないし請求項7のいずれか一項に記載の樹
脂板製造用鋳型の製造方法により得られた鋳型上に、導
体化層を形成する第1工程と、前記導体化層上に金属層
を形成する第2工程と、前記鋳型から前記金属層を剥離
して、前記鋳型に形成された凹凸形状が複写された金属
原盤を形成する第3工程と、を備えた樹脂板製造用鋳型
の製造方法を提供するものである。
[0013] The present invention also relates to a method of manufacturing a mold for manufacturing a resin plate for transferring an uneven shape onto a resin plate on a substrate, wherein the resin according to any one of claims 1 to 7 is provided. A first step of forming a conductive layer on a mold obtained by a method of manufacturing a plate manufacturing mold, a second step of forming a metal layer on the conductive layer, and peeling the metal layer from the mold And a third step of forming a metal master on which the concavo-convex shape formed on the mold is copied, and a method for manufacturing a mold for manufacturing a resin plate.

【0014】さらにまた、本発明は、基板上に所定の情
報に基づいた凹凸形状が形成された樹脂板の製造方法で
あって、請求項1ないし請求項7のいずれか一項に記載
の樹脂板製造用鋳型の製造方法により得られた鋳型の凹
凸面に、樹脂板形成材料を設け、前記形成材料が固化し
た後に、前記鋳型の凹凸面から当該固化した樹脂板を剥
離する工程を備えた樹脂板の製造方法を提供するもので
ある。
Further, the present invention relates to a method for manufacturing a resin plate having an uneven shape formed on a substrate based on predetermined information, wherein the resin plate according to any one of claims 1 to 7 is provided. The method includes a step of providing a resin plate forming material on the uneven surface of the mold obtained by the method for manufacturing a plate manufacturing mold, and after the forming material is solidified, separating the solidified resin plate from the uneven surface of the mold. A method for manufacturing a resin plate is provided.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】次に、本発明に係る実施の形態に
ついて、図面を参照して説明する。
Next, an embodiment according to the present invention will be described with reference to the drawings.

【0016】(実施の形態1)図1は、本発明の実施の
形態1に係る樹脂板製造用鋳型(以下、「スタンパ」と
いう)の製造工程を示す断面図である。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a cross-sectional view showing a process for manufacturing a resin plate manufacturing mold (hereinafter, referred to as a "stamper") according to Embodiment 1 of the present invention.

【0017】実施の形態1に係るスタンパは、光ディス
クの製造に使用するものであり、図1に示す工程によっ
て製造される。
The stamper according to the first embodiment is used for manufacturing an optical disk, and is manufactured by the steps shown in FIG.

【0018】すなわち、図1(1)に示す工程では、シ
リコン基板1上に、Ti(チタン)からなるマスク層2
を、50〜1000Åの膜厚で形成する。
That is, in the step shown in FIG. 1A, a mask layer 2 made of Ti (titanium) is formed on a silicon substrate 1.
Is formed in a thickness of 50 to 1000 °.

【0019】次に、図1(2)に示す工程では、図1
(1)に示す工程で形成したマスク層2上に、クレゾー
ルノボラック系樹脂に感光剤としてジアゾナフトキノン
誘導体を配合して得られるレジスト層3を、100〜1
000Åの膜厚で形成する。ここで、このレジスト層3
は、シリコン基板1に対する選択比がマスク層2より小
さい材料で形成すると効果的である。
Next, in the step shown in FIG.
On the mask layer 2 formed in the step shown in (1), a resist layer 3 obtained by blending a diazonaphthoquinone derivative as a photosensitizing agent with a cresol novolak-based resin,
It is formed with a thickness of 000 mm. Here, this resist layer 3
Is effective if the material is formed of a material having a selectivity to the silicon substrate 1 smaller than that of the mask layer 2.

【0020】次いで、図1(3)に示す工程では、図1
(2)に示す工程で形成したレジスト層3に所望パター
ンを転写するための露光を行う。
Next, in the step shown in FIG.
Exposure for transferring a desired pattern to the resist layer 3 formed in the step shown in (2) is performed.

【0021】次に、図1(4)に示す工程では、図1
(3)に示す工程で露光されたレジスト層3を現像し、
レジストパターン4を形成する。なお、このレジストパ
ターン4は、得ようとする光ディスクの表面に形成され
る凹凸形状の反転パターンである。
Next, in the step shown in FIG.
Developing the resist layer 3 exposed in the step shown in (3),
A resist pattern 4 is formed. The resist pattern 4 is a reverse pattern of the concavo-convex shape formed on the surface of the optical disk to be obtained.

【0022】次いで、図1(5)に示す工程では、図1
(4)に示す工程で形成したレジストパターン4をマス
クとしてマスク層2にエッチングを行い、マスクパター
ン5を形成する。
Next, in the step shown in FIG.
The mask layer 2 is etched using the resist pattern 4 formed in the step (4) as a mask to form a mask pattern 5.

【0023】次に、図1(6)に示す工程では、図1
(4)に示す工程で形成したマスクパターン5上に残っ
ているレジストパターン4を除去する。なお、レジスト
パターン4が存在しても、後に詳述する図1(7)に示
す工程で行う、シリコン基板1のエッチングにおいて問
題がなければ、この工程は省略してもよい。
Next, in the step shown in FIG.
The resist pattern 4 remaining on the mask pattern 5 formed in the step shown in (4) is removed. Note that even if the resist pattern 4 exists, this step may be omitted if there is no problem in the etching of the silicon substrate 1 performed in the step shown in FIG.

【0024】次いで、図1(7)に示す工程では、図1
(6)に示す工程で得たマスクパターン5をマスクとし
て、シリコン基板1にエッチングを行う。
Next, in the step shown in FIG.
Using the mask pattern 5 obtained in the step shown in (6) as a mask, the silicon substrate 1 is etched.

【0025】次に、図1(8)に示す工程では、シリコ
ン基板1上に残ったマスクパターン5を除去し、スタン
パを得る。なお、マスクパターン5が存在しても、スタ
ンパとしての機能を満足する場合は、この工程は省略し
てもよい。
Next, in the step shown in FIG. 1 (8), the mask pattern 5 remaining on the silicon substrate 1 is removed to obtain a stamper. This step may be omitted if the function as a stamper is satisfied even when the mask pattern 5 exists.

【0026】このように、本発明は、レジストパターン
4は、マスク層2をエッチングするためのマスクとして
好適に使用可能であればよく、シリコン基板1のエッチ
ングは、マスクパターン5をマスクとして行う方法を採
用している。このため、従来のように、レジストパター
ンをマスクとしてシリコン基板をエッチングする方法に
比べ、レジスト層の膜厚を薄くしても良好なエッチング
を行うことができる。この結果、レジスト層の解像性を
向上でき、スタンパに形成される凹凸形状の寸法精度を
向上することができる。
As described above, according to the present invention, the resist pattern 4 only needs to be suitably used as a mask for etching the mask layer 2, and the etching of the silicon substrate 1 is performed using the mask pattern 5 as a mask. Is adopted. Therefore, as compared with the conventional method of etching a silicon substrate using a resist pattern as a mask, favorable etching can be performed even when the thickness of the resist layer is reduced. As a result, the resolution of the resist layer can be improved, and the dimensional accuracy of the concavo-convex shape formed on the stamper can be improved.

【0027】なお、実施の形態1では、スタンパを構成
する材料として、シリコン基板1を使用した場合につい
て説明したが、これに限らず、石英、ガラス、金属、セ
ラミック、樹脂等、通常スタンパとして使用可能な材料
であれば、他の材料を使用できることは勿論である。
In the first embodiment, the case where the silicon substrate 1 is used as the material of the stamper has been described. However, the present invention is not limited to this. Quartz, glass, metal, ceramic, resin, etc. Of course, other materials can be used if possible.

【0028】また、実施の形態1では、マスク層2を形
成する材料として、Tiを使用した場合について説明し
たが、これに限らず、マスク層2を形成する材料として
は、Al(アルミニウム)、Cr(クロム)、Ni(ニ
ッケル)、Cu(銅)、Ru(ルテニウム)、Ag
(銀)、W(タングステン)、Ir(イリジウム)、P
t(白金)、Au(金)等の金属、あるいはそれらの金
属を含む化合物等を好適に使用することができる。
In the first embodiment, the case where Ti is used as the material for forming the mask layer 2 has been described. However, the present invention is not limited to this, and the material for forming the mask layer 2 may be Al (aluminum), Cr (chromium), Ni (nickel), Cu (copper), Ru (ruthenium), Ag
(Silver), W (tungsten), Ir (iridium), P
Metals such as t (platinum) and Au (gold), or compounds containing these metals can be suitably used.

【0029】そしてまた、実施の形態1では、レジスト
層3を形成する材料として、クレゾールノボラック系樹
脂に感光剤としてジアゾナフトキノン誘導体を配合して
得られるものを使用した場合について説明したが、これ
に限らず、レジスト層3を形成する材料は、シリコン基
板1に対する選択比がマスク層2より小さい材料であれ
ば、例えば、ポリヒドロキシスチレン系樹脂に感光剤と
溶解抑制剤あるいは架橋剤を配合したもの等を好適に使
用することができる。
In the first embodiment, the case where a material obtained by blending a diazonaphthoquinone derivative as a photosensitive agent with a cresol novolak resin is used as a material for forming the resist layer 3 has been described. The material for forming the resist layer 3 is not limited as long as the material has a selectivity with respect to the silicon substrate 1 smaller than that of the mask layer 2. Etc. can be suitably used.

【0030】(実施の形態2)次に、本発明の実施の形
態2に係るスタンパの製造方法について図面を参照して
説明する。なお、実施の形態2では、実施の形態1と同
様の部材には、同一の符号を付し、その詳細な説明は省
略する。
(Embodiment 2) Next, a method of manufacturing a stamper according to Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to the drawings. In the second embodiment, the same members as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and a detailed description thereof will be omitted.

【0031】図2は、実施の形態2に係るスタンパの製
造工程を示す断面図である。実施の形態2に係るスタン
パも光ディスクの製造に使用するものであり、図2に示
す工程によって製造される。
FIG. 2 is a sectional view showing a stamper manufacturing process according to the second embodiment. The stamper according to the second embodiment is also used for manufacturing an optical disc, and is manufactured by the steps shown in FIG.

【0032】すなわち、図2(1)に示す工程では、シ
リコン基板1上に、シリコン酸化膜からなるマスク層2
を、50〜1000Åの膜厚で、熱酸化により形成す
る。
That is, in the step shown in FIG. 2A, a mask layer 2 made of a silicon oxide film is formed on a silicon substrate 1.
Is formed in a thickness of 50 to 1000 ° by thermal oxidation.

【0033】次に、図2(2)に示す工程では、図2
(1)に示す工程で形成したマスク層2上に、クレゾー
ルノボラック系樹脂に感光剤としてジアゾナフトキノン
誘導体を配合して得られるレジスト層3を、100〜1
000Åの膜厚で形成する。ここで、このレジスト層3
は、シリコン基板1に対する選択比がマスク層2より小
さい材料で形成すると効果的である。
Next, in the step shown in FIG.
On the mask layer 2 formed in the step shown in (1), a resist layer 3 obtained by blending a diazonaphthoquinone derivative as a photosensitizing agent with a cresol novolak-based resin,
It is formed with a thickness of 000 mm. Here, this resist layer 3
Is effective if the material is formed of a material having a selectivity to the silicon substrate 1 smaller than that of the mask layer 2.

【0034】次いで、図2(3)〜(6)に示す工程で
は、実施の形態1に係る図1(3)〜図1(6)に示す
工程と同様の工程を行い、シリコン基板1上にマスクパ
ターン5を形成する。
Next, in the steps shown in FIGS. 2 (3) to (6), the same steps as those shown in FIGS. 1 (3) to 1 (6) according to the first embodiment are performed, Then, a mask pattern 5 is formed.

【0035】次いで、図2(7)に示す工程では、図2
(6)に示す工程で得たマスクパターン5をマスクとし
て、シリコン基板1にエッチングを行う。ここで、実施
の形態2では、マスクパターン5として熱酸化によりシ
リコン基板1上に形成された酸化膜を利用するため、基
板とマスクパターンが強固に一体化している。このた
め、エッチング後の凹凸パターンの形状や耐久性等に問
題がなければ、マスクパターン5を除去する必要はな
い。このようにして、スタンパを得る。
Next, in the step shown in FIG.
Using the mask pattern 5 obtained in the step shown in (6) as a mask, the silicon substrate 1 is etched. Here, in the second embodiment, since an oxide film formed on the silicon substrate 1 by thermal oxidation is used as the mask pattern 5, the substrate and the mask pattern are firmly integrated. Therefore, there is no need to remove the mask pattern 5 if there is no problem in the shape, durability, etc. of the uneven pattern after etching. Thus, a stamper is obtained.

【0036】このように、実施の形態2に係る製造方法
でも、実施の形態1と同様に、レジストパターン4は、
マスク層2をエッチングするためのマスクとして好適に
使用可能であればよく、シリコン基板1のエッチング
は、マスクパターン5をマスクとして行う方法を採用し
ている。このため、従来のように、レジストパターンを
マスクとしてシリコン基板をエッチングする方法に比
べ、レジスト層の膜厚を薄くしても良好なエッチングを
行うことができる。この結果、レジスト層の解像性を向
上でき、スタンパに形成される凹凸形状の寸法精度を向
上することができる。また、マスクパターン5を除去す
る必要がないため、製造工程を簡略化することもでき
る。
As described above, in the manufacturing method according to the second embodiment, similarly to the first embodiment, the resist pattern 4
Any method can be used as long as it can be suitably used as a mask for etching the mask layer 2, and a method of etching the silicon substrate 1 using the mask pattern 5 as a mask is employed. Therefore, as compared with the conventional method of etching a silicon substrate using a resist pattern as a mask, favorable etching can be performed even when the thickness of the resist layer is reduced. As a result, the resolution of the resist layer can be improved, and the dimensional accuracy of the concavo-convex shape formed on the stamper can be improved. Further, since it is not necessary to remove the mask pattern 5, the manufacturing process can be simplified.

【0037】なお、実施の形態2では、マスクパターン
5をシリコン酸化膜から構成したため、シリコン基板1
をエッチングした後に、このマスクパターン5を除去す
る必要がないという効果が得られるが、このような材料
としては、シリコン酸化膜の他、シリコン窒化膜等があ
る。
In the second embodiment, since the mask pattern 5 is made of a silicon oxide film, the silicon substrate 1
There is an effect that there is no need to remove the mask pattern 5 after the etching of the silicon nitride film. Such a material includes a silicon nitride film in addition to a silicon oxide film.

【0038】また、シリコン酸化膜は、熱酸化の他、C
VD法やスパッタ法等、他の方法によって形成してもよ
い。
In addition to the thermal oxidation, the silicon oxide film
It may be formed by another method such as a VD method or a sputtering method.

【0039】(実施の形態3)次に、本発明の実施の形
態3に係るスタンパの製造方法について図面を参照して
説明する。なお、実施の形態3では、実施の形態1と同
様の部材には、同一の符号を付し、その詳細な説明は省
略する。
(Embodiment 3) Next, a method of manufacturing a stamper according to Embodiment 3 of the present invention will be described with reference to the drawings. In the third embodiment, the same members as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and a detailed description thereof will be omitted.

【0040】図3は、実施の形態3に係るスタンパの製
造工程を示す断面図である。実施の形態3に係るスタン
パも光ディスクの製造に使用するものであり、図3に示
す工程によって製造される。
FIG. 3 is a sectional view showing a stamper manufacturing process according to the third embodiment. The stamper according to the third embodiment is also used for manufacturing an optical disc, and is manufactured by the steps shown in FIG.

【0041】すなわち、図3(1)に示す工程では、シ
リコン基板1上に、樹脂からなるマスク層2を、100
0〜20000Åの膜厚で形成する。
That is, in the step shown in FIG. 3A, a mask layer 2 made of resin is
It is formed with a thickness of 0 to 20000 °.

【0042】前記樹脂は、後に詳述する図3(5)に示
す工程で行うエッチングで、レジスト層3のパターンを
容易に転写することができ、図3(7)に示す工程で、
基板1をエッチングするためのマスクとしての機能を果
たすものであれば特に限定されるものではないが、例え
ば、ノボラック樹脂等が好適に利用できる。
The resin can easily transfer the pattern of the resist layer 3 by etching performed in a step shown in FIG. 3 (5) which will be described in detail later.
There is no particular limitation as long as it functions as a mask for etching the substrate 1, but for example, a novolak resin can be suitably used.

【0043】次に、図3(2)に示す工程では、図1
(1)に示す工程で形成したマスク層2上に、シリコン
を含有した樹脂からなるレジスト層3を、100〜20
00Åの膜厚、すなわち、マスク層2より薄い膜厚で形
成する。ここで、このレジスト層3は、シリコン基板1
に対する選択比がマスク層2より大きく、エッチングレ
ートが小さい材料で形成した。
Next, in the step shown in FIG.
On the mask layer 2 formed in the step shown in (1), a resist layer 3 made of a resin containing silicon
It is formed to a thickness of 00 °, that is, a thickness smaller than the mask layer 2. Here, the resist layer 3 is formed on the silicon substrate 1
Was formed from a material having a higher selectivity than the mask layer 2 and a lower etching rate.

【0044】次いで、図3(3)〜(8)に示す工程で
は、実施の形態1に係る図1(3)〜図1(8)に示す
工程と同様の工程を行い、スタンパを得る。
Next, in the steps shown in FIGS. 3 (3) to (8), the same steps as those shown in FIGS. 1 (3) to 1 (8) according to the first embodiment are performed to obtain a stamper.

【0045】このように、本発明は、レジスト層3を実
施の形態1及び2よりも薄く形成することができるた
め、さらにレジスト層3の解像性を向上でき、スタンパ
に形成される凹凸形状の寸法精度を向上することができ
る。
As described above, according to the present invention, since the resist layer 3 can be formed thinner than in the first and second embodiments, the resolution of the resist layer 3 can be further improved, and the unevenness formed on the stamper can be improved. Dimensional accuracy can be improved.

【0046】なお、実施の形態3では、スタンパを構成
する材料として、シリコン基板1を使用した場合につい
て説明したが、これに限らず、石英、ガラス、金属、セ
ラミック、樹脂等、通常スタンパとして使用可能な材料
であれば、他の材料を使用できることは勿論である。
In the third embodiment, the case where the silicon substrate 1 is used as the material for forming the stamper has been described. However, the present invention is not limited to this. Quartz, glass, metal, ceramic, resin, etc. are usually used as the stamper. Of course, other materials can be used if possible.

【0047】(実施の形態4)次に、本発明の実施の形
態4に係る樹脂板製造用鋳型の製造方法について図面を
参照して説明する。
(Embodiment 4) Next, a method of manufacturing a resin plate manufacturing mold according to Embodiment 4 of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0048】図4は、実施の形態4に係る金属原盤の製
造工程を示す断面図である。なお、実施の形態4では、
実施の形態1と同様の部材には、同一の符号を付し、そ
の詳細な説明は省略する。
FIG. 4 is a sectional view showing a manufacturing process of a metal master according to the fourth embodiment. In the fourth embodiment,
The same members as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【0049】実施の形態4に係る金属原盤も光ディスク
の製造に使用するものであり、図4に示す工程によって
製造される。
The metal master according to the fourth embodiment is also used for manufacturing an optical disk, and is manufactured by the steps shown in FIG.

【0050】すなわち、図4(1)に示す工程では、実
施の形態1で得られたスタンパ10上に、例えば、Ni
からなる導体化層11を、100〜1000Åの膜厚で
形成する。
That is, in the step shown in FIG. 4A, for example, Ni is deposited on the stamper 10 obtained in the first embodiment.
Is formed to a thickness of 100 to 1000 °.

【0051】次に、図4(2)に示す工程では、図4
(1)に示す工程で得た導体化層11上にニッケルから
なる金属層12を電鋳により形成する。
Next, in the step shown in FIG.
A metal layer 12 made of nickel is formed on the conductive layer 11 obtained in the step (1) by electroforming.

【0052】次いで、図4(3)に示す工程では、スタ
ンパ10から金属層12及び導体化層11を一体的に剥
離する。さらに、必要に応じて金属層12から導体化層
11を剥離してもよい。このようにして、スタンパ10
に形成された凹凸形状が複写された金属原盤を得る。
Next, in a step shown in FIG. 4C, the metal layer 12 and the conductive layer 11 are integrally separated from the stamper 10. Further, the conductive layer 11 may be separated from the metal layer 12 as necessary. In this way, the stamper 10
To obtain a metal master on which the concavo-convex shape formed on the substrate is copied.

【0053】なお、実施の形態4では、実施の形態1で
得たスタンパ10を使用した場合について説明したが、
これに限らず、実施の形態2または実施の形態3で得た
スタンパを使用してもよいことは勿論である。
In the fourth embodiment, the case where the stamper 10 obtained in the first embodiment is used has been described.
The present invention is not limited to this, and the stamper obtained in the second or third embodiment may be used.

【0054】また、実施の形態4では、導体化層11を
Niにより構成した場合について説明したがこれに限ら
ず、導体化層11は、Al、Ti、Cr、Cu、Ag、
W、Pt、Au等により形成することもできる。
In the fourth embodiment, the case where the conductive layer 11 is made of Ni has been described. However, the present invention is not limited to this, and the conductive layer 11 may be made of Al, Ti, Cr, Cu, Ag,
It can also be formed of W, Pt, Au or the like.

【0055】なお、実施の形態1ないし3で得られたス
タンパ、あるいは実施の形態4で得られた金属原盤を用
いて樹脂板を製造するには、例えば、スタンパ(あるい
は金属原盤)に形成された凹凸面上に、アクリル系樹脂
等の形成材料を設け、前記形成材料が固化した後に、前
記スタンパ(あるいは金属原盤)の凹凸面から当該固化
した樹脂板を剥離すればよい。
In order to manufacture a resin plate using the stamper obtained in Embodiments 1 to 3 or the metal master obtained in Embodiment 4, for example, the resin plate is formed on a stamper (or metal master). A forming material such as an acrylic resin may be provided on the uneven surface, and after the forming material has solidified, the solidified resin plate may be peeled off from the uneven surface of the stamper (or metal master).

【0056】[0056]

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る樹脂
板製造用鋳型の製造方法によれば、鋳型に凹凸形状を形
成するためのパターンを作成するレジスト層と、前記基
板をエッチングするためのマスク層とを個別に形成する
ため、各層の膜厚を従来に比べて薄くすることができ
る。したがって、エッチングに必要な膜厚を確保すると
同時に、前記レジスト層の解像力を向上することができ
る。この結果、高い精度を備えた樹脂板製造用鋳型を製
造することができる。
As described above, according to the method of manufacturing a mold for manufacturing a resin plate according to the present invention, a resist layer for forming a pattern for forming a concavo-convex shape on a mold and a resist layer for etching the substrate are provided. Since the mask layers are separately formed, the thickness of each layer can be reduced as compared with the related art. Therefore, the resolution required for the resist layer can be improved while securing the film thickness necessary for etching. As a result, a resin plate manufacturing mold having high accuracy can be manufactured.

【0057】また、本発明に係る樹脂板の製造方法によ
れば、高い精度精度を備えた樹脂板製造用鋳型を用いて
樹脂板を製造するため、寸法精度に優れた信頼性の高い
樹脂板を製造することができる。
According to the resin plate manufacturing method of the present invention, since the resin plate is manufactured using a resin plate manufacturing mold having high precision, a highly reliable resin plate having excellent dimensional accuracy is provided. Can be manufactured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態1に係るスタンパの製造工
程を示す断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a step of manufacturing a stamper according to Embodiment 1 of the present invention.

【図2】本発明の実施の形態2に係るスタンパの製造工
程を示す断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a step of manufacturing a stamper according to Embodiment 2 of the present invention.

【図3】本発明の実施の形態3に係るスタンパの製造工
程を示す断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a step of manufacturing a stamper according to Embodiment 3 of the present invention.

【図4】本発明の実施の形態4に係る金属原盤の製造工
程を示す断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of a metal master according to Embodiment 4 of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 シリコン基板 2 レジスト層 3 マスク層 4 レジストパターン 5 マスクパターン 10 スタンパ 11 導体化層 12 金属層 Reference Signs List 1 silicon substrate 2 resist layer 3 mask layer 4 resist pattern 5 mask pattern 10 stamper 11 conductive layer 12 metal layer

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に所定の情報に基づいて形成され
た凹凸形状を樹脂板に転写するための樹脂板製造用鋳型
の製造方法であって、 前記基板上にマスク層を形成する第1工程と、前記マス
ク層上にレジスト層を形成する第2工程と、前記レジス
ト層をパターニングする第3工程と、前記パターニング
されたレジスト層をマスクとして前記マスク層をエッチ
ングする第4工程と、前記エッチングされたマスク層を
マスクとして前記基板をエッチングする第5工程と、を
備えた樹脂板製造用鋳型の製造方法。
1. A method of manufacturing a mold for manufacturing a resin plate for transferring an uneven shape formed on a substrate based on predetermined information to a resin plate, the method comprising: forming a mask layer on the substrate; A step of forming a resist layer on the mask layer, a third step of patterning the resist layer, a fourth step of etching the mask layer using the patterned resist layer as a mask, And a fifth step of etching the substrate using the etched mask layer as a mask.
【請求項2】 前記マスク層は、前記基板の表面を酸化
して得られる請求項1記載の樹脂板製造用鋳型の製造方
法。
2. The method according to claim 1, wherein the mask layer is obtained by oxidizing a surface of the substrate.
【請求項3】 前記基板はシリコンからなる請求項2記
載の樹脂板製造用鋳型の製造方法。
3. The method according to claim 2, wherein the substrate is made of silicon.
【請求項4】 前記マスク層は、金属あるいは金属を含
む化合物からなる請求項1記載の樹脂板製造用鋳型の製
造方法。
4. The method according to claim 1, wherein the mask layer is made of a metal or a compound containing a metal.
【請求項5】 前記金属は、Al、Ti、Cr、Ni、
Cu、Ru、Ag、W、Ir、Pt、Auのいずれかで
ある請求項4記載の樹脂板製造用鋳型の製造方法。
5. The method according to claim 1, wherein the metal is Al, Ti, Cr, Ni,
The method for producing a mold for producing a resin plate according to claim 4, wherein the mold is any one of Cu, Ru, Ag, W, Ir, Pt, and Au.
【請求項6】 前記マスク層は樹脂からなる請求項1記
載の樹脂板製造用鋳型の製造方法。
6. The method according to claim 1, wherein the mask layer is made of a resin.
【請求項7】 前記レジスト層は、シリコンを含有した
樹脂からなる請求項1記載の樹脂板製造用鋳型の製造方
法。
7. The method according to claim 1, wherein the resist layer is made of a resin containing silicon.
【請求項8】 基板上に凹凸形状を樹脂板に転写するた
めの樹脂板製造用鋳型の製造方法であって、 請求項1ないし請求項7のいずれか一項に記載の樹脂板
製造用鋳型の製造方法により得られた鋳型上に、導体化
層を形成する第1工程と、前記導体化層上に金属層を形
成する第2工程と、前記鋳型から前記金属層を剥離し
て、前記鋳型に形成された凹凸形状が複写された金属原
盤を形成する第3工程と、を備えた樹脂板製造用鋳型の
製造方法。
8. A method for manufacturing a resin plate manufacturing mold for transferring an uneven shape onto a resin plate on a substrate, wherein the resin plate manufacturing mold according to any one of claims 1 to 7. A first step of forming a conductive layer on the mold obtained by the method of manufacturing, a second step of forming a metal layer on the conductive layer, and peeling the metal layer from the mold, A third step of forming a metal master on which the concave and convex shapes formed on the mold are copied.
【請求項9】 基板上に所定の情報に基づいた凹凸形状
が形成された樹脂板の製造方法であって、 請求項1ないし請求項7のいずれか一項に記載の樹脂板
製造用鋳型の製造方法により得られた鋳型の凹凸面に、
樹脂板形成材料を設け、前記形成材料が固化した後に、
前記鋳型の凹凸面から当該固化した樹脂板を剥離する工
程を備えた樹脂板の製造方法。
9. A method for manufacturing a resin plate having a concave-convex shape formed on a substrate based on predetermined information, the method according to claim 1, further comprising: On the uneven surface of the mold obtained by the manufacturing method,
A resin plate forming material is provided, and after the forming material has solidified,
A method of manufacturing a resin plate, comprising a step of peeling the solidified resin plate from the uneven surface of the mold.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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