JP2008166783A - イメージセンサー製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】一つのマスクを使用してフォトダイオードの間の絶縁領域を形成した後、同じマスクを使用して整列キーを形成することで、工程数を減少させることができるイメージセンサー製造方法を提供する。
【解決手段】イメージセンサー製造方法は、半導体基板の上に整列キーが形成される領域と、フォトダイオード間に形成される絶縁領域が形成される領域とに、それぞれ開口が形成された第1マスクパターンを形成する段階と、第1マスクパターンをマスクにして半導体基板に絶縁領域を形成する段階と、第1マスクパターンをマスクにして半導体基板に整列キーを形成する段階と、第1マスクパターンをとり除いた後、絶縁領域を覆う第2マスクパターンを形成して第2マスクパターンをマスクにしてフォトダイオードを形成する段階と、を含む。
【選択図】図1
【解決手段】イメージセンサー製造方法は、半導体基板の上に整列キーが形成される領域と、フォトダイオード間に形成される絶縁領域が形成される領域とに、それぞれ開口が形成された第1マスクパターンを形成する段階と、第1マスクパターンをマスクにして半導体基板に絶縁領域を形成する段階と、第1マスクパターンをマスクにして半導体基板に整列キーを形成する段階と、第1マスクパターンをとり除いた後、絶縁領域を覆う第2マスクパターンを形成して第2マスクパターンをマスクにしてフォトダイオードを形成する段階と、を含む。
【選択図】図1
Description
本発明は、イメージセンサー製造方法に関する。
映像を電気信号に変換させる半導体センサーがある。イメージセンサーは、映像を電気信号に変換させる半導体センサーである。代表的なイメージセンサーとしてはCCD(Charge Coupled Device)センサー及びCMOSイメージセンサーを挙げることができる。CCDセンサーは複数個のMOSキャパシタを含んで、MOSキャパシタは光によって生成されたキャリアを移動させることで動作される。一方、CMOSイメージセンサーは、多数の単位ピクセル及び単位ピクセルの出力信号を制御するCMOSロジッグ回路を含む。
半導体イメージセンサーは、基板、レッドフォトダイオード、グリーンフォトダイオード、ブルーフォトダイオード、それぞれのフォトダイオードで形成された信号を半導体基板表面に伝達するためのプラグ、信号を伝達するためのトランジスターを含む。このような構造のイメージセンサーでは、ピクセル間の絶縁(isolation)が重要である。パターン工程を適用してピクセルの間に電気的絶縁のための不純物を注入して絶縁領域を形成する。
本発明はこうした状況に鑑みてなされたものであり、その目的は、イメージセンサー製造方法であって、一つのマスクを使用してフォトダイオードの間の絶縁領域と整列キーを形成するイメージセンサー製造方法を提供することにある。
また、一つのマスクを使用してフォトダイオードの間の絶縁領域を形成した後、同じマスクを使用して整列キーを形成することで、工程数を減少させることができるイメージセンサー製造方法を提供することにある。
本発明のある態様はイメージセンサー製造方法であり、このイメージセンサー製造方法は、半導体基板上に整列キーが形成される領域と、フォトダイオード間に形成される絶縁領域が形成される領域とにそれぞれ開口が形成された第1マスクパターンを形成する段階と、前記第1マスクパターンをマスクにして前記半導体基板に絶縁領域を形成する段階と、前記第1マスクパターンをマスクにして前記半導体基板に整列キーを形成する段階と、前記第1マスクパターンをとり除いた後、前記絶縁領域を覆う第2マスクパターンを形成して、第2マスクパターンをマスクにしてフォトダイオードを形成する段階と、を含む。
本発明の他の態様もまたイメージセンサー製造方法であり、このイメージセンサー製造方法は、基板、エピタキシャル層(Epitaxial Layer)、フォトダイオードを含むイメージセンサーの製造方法において、整列キー領域と、フォトダイオード間の絶縁領域とに対してそれぞれ開口が形成された一つのマスクパターンを利用して絶縁領域を先ず形成した後、整列キー領域を形成する段階と、前記絶縁領域を覆う他のマスクパターンを利用して不純物注入を基盤にフォトダイオードを形成する段階と、を含む。
本発明によれば、既存のマスクを使いながらもパターン工程の数を減少させることで、イメージセンサーの製造工程を簡素化させることができるし、製造費用を節減することができるし、絶縁特性を向上させることができる。
以下、添付された図面を参照して実施形態を詳しく説明する。まず、図面の中で同一の構成要素または部品はできるだけ等しい参照符号を付していることに留意しなければならない。実施形態を説明するにあたって関連する公知機能、あるいは構成に対する具体的な説明は、この出願文書の要旨を曖昧にさせないために省略する。
また、実施形態の説明において、各層(膜)、領域、パターンまたは構造物が基板、各層(膜)、領域、パッドまたはパターンの“上(on/above/over/upper)”に、または“下(down/below/under/lower)”に形成される、と記載する場合において、その意味は各層(膜)、領域、パッド、パターンまたは構造物が直接基板、各層(膜)、領域、パッドまたはパターンに接触して形成されるように解釈することもでき、他の層(膜)、他の領域、他のパッド、他のパターンまたは他の構造物がその間に追加的に形成されるように解釈することもできる。よって、その意味はこの出願文書の技術的思想によって判断されなければならない。
図1ないし図4を参照して実施形態に係るイメージセンサー製造方法を説明する。
先ず、図1を参照すると、第1フォトダイオード、例えばレッドフォトダイオードを形成する前に第1整列キー13を形成するため、半導体基板10上に第1フォトレジストパターンP11を形成する。この時、前記第1フォトレジストパターンP11は前記第1整列キー13が形成される領域とレッドフォトダイオードの間に形成される第1絶縁領域15が形成される領域とにそれぞれ開口13a、15aが形成されたフォトレジストパターンとして形成される。このような第1フォトレジストパターンP11は、整列キー形成用マスクを製作する時に整列キー領域と共に、絶縁領域を開放するように製作して、このマスクを使用することで形成することができる。
先ず、図1を参照すると、第1フォトダイオード、例えばレッドフォトダイオードを形成する前に第1整列キー13を形成するため、半導体基板10上に第1フォトレジストパターンP11を形成する。この時、前記第1フォトレジストパターンP11は前記第1整列キー13が形成される領域とレッドフォトダイオードの間に形成される第1絶縁領域15が形成される領域とにそれぞれ開口13a、15aが形成されたフォトレジストパターンとして形成される。このような第1フォトレジストパターンP11は、整列キー形成用マスクを製作する時に整列キー領域と共に、絶縁領域を開放するように製作して、このマスクを使用することで形成することができる。
続いて、前記第1整列キー13を形成する前に前記第1フォトレジストパターンP11をマスクにして前記半導体基板10にホウ素(B)のような不純物イオンを注入して第1絶縁領域15を先ず形成した後、蝕刻工程を進行して第1整列キー13を形成して、前記第1フォトレジストパターンP11をとり除く。
前記不純物イオンが注入される第1絶縁領域(15)は、前記第1整列キー(13)形成時に前記第1絶縁領域(15)に形成される蝕刻ホームの面積より広く形成される。
したがって、前記蝕刻工程で第1絶縁領域(15)にも蝕刻ホームが形成されるが、前記蝕刻ホームは前記第1絶縁領域(15)の絶縁特性に大きな影響を及ぼさない。
すなわち、整列キー形成のためのマスクと絶縁領域を形成するためのマスクをそれぞれ使わないで、一つのマスクを使用して絶縁領域の形成と整列キー形成に至る二つの工程を一つのパターン工程で同時に進行することができるようになる。
次に、図2を参照すると、前記半導体基板10上にレッドフォトダイオード14を形成するための第2フォトレジストパターンP12を形成して、前記第2フォトレジストパターンP12をマスクにしてヒ素(As)のような不純物イオンを注入してレッドフォトダイオード14を形成する。この時、前記第2フォトレジストパターンP12は第1絶縁領域15上に形成される。
次に、図3を参照すると、レッドフォトダイオード14が形成された半導体基板10の表面を成長させてエピタキシャル層17を形成して、第2整列キー16と第2絶縁領域19を形成するための第3フォトレジストパターンP13を形成する。前記第3フォトレジストパターンP13は前記第2整列キー16が形成される領域とグリーンフォトダイオードの間に形成される第2絶縁領域19が形成される領域とにそれぞれ開口16a、19aが形成されたフォトレジストパターンとして形成される。このような第3フォトレジストパターンP13は整列キー形成用マスクを製作する時に整列キー領域と共に、絶縁領域を開放するように製作して、このマスクを使用することで形成することができる。
続いて、前記第2整列キー16を形成する前に前記第3フォトレジストパターンP13をマスクにして前記エピタキシャル層17にホウ素(B)のような不純物イオンを注入して第2絶縁領域19を先ず形成した後、蝕刻工程を進行して第2整列キー16を形成して、前記第3フォトレジストパターンP13をとり除く。
前記不純物イオンが注入される第2絶縁領域(19)は、前記第2整列キー(16)形成時に前記第2絶縁領域(19)に形成される蝕刻ホームの面積より広く形成される。
したがって、前記蝕刻工程で第2絶縁領域(19)にも蝕刻ホームが形成されるが、前記蝕刻ホームは前記第2絶縁領域(19)の絶縁特性に大きな影響を及ぼさない。
次に、図4を参照すると、前記エピタキシャル層17上に第2フォトダイオード、例えばグリーンフォトダイオード18を形成するための第4フォトレジストパターンP14を形成して、前記第4フォトレジストパターンをマスクにして、ヒ素(As)のような不純物イオンを注入してグリーンフォトダイオード18を形成する。この時、前記第4フォトレジストパターンP14は第2絶縁領域19上に形成される。
次に、再び前記エピタキシャル層17を成長させて、また他のエピタキシャル層を形成した後、図3と図4で説明した方法と等しい方法で第3フォトダイオード、例えばブルーフォトダイオードを形成する工程を進行してバーティカルイメージセンサーを製造する。
本実施形態よれば、既存のマスクを使いながらもパターン工程の数を減少させることで、イメージセンサー製造工程を簡素化させることができるし、製造費用を節減することができるし、絶縁特性を向上させることができる。
以上、本発明を実施形態によって詳細に説明したが、本発明は実施形態によって限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば、本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
10 半導体基板、 13 第1整列キー、 13a、15a 開口、 14 レッドフォトダイオード、 P11 第1フォトレジストパターン、 P12 第2フォトレジストパターン。
Claims (14)
- 半導体基板の上に整列キーが形成される領域と、フォトダイオード間に形成される絶縁領域が形成される領域とにそれぞれ開口が形成された第1マスクパターンを形成する段階と、前記第1マスクパターンをマスクにして前記半導体基板に絶縁領域を形成する段階と、前記第1マスクパターンをマスクにして前記半導体基板に整列キーを形成する段階と、前記第1マスクパターンをとり除いた後、前記絶縁領域を覆う第2マスクパターンを形成して第2マスクパターンをマスクにしてフォトダイオードを形成する段階と、を含むことを特徴とするイメージセンサー製造方法。
- 前記フォトダイオードは、レッドフォトダイオードまたはグリーンフォトダイオードのうちいずれかひとつであることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサー製造方法。
- 前記各段階を含むイメージセンサー製造方法は、それぞれお互いに違う色相で積層された構造のフォトダイオードに対してそれぞれ遂行されることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサー製造方法。
- 前記すべての段階が第1フォトダイオード及び第2フォトダイオードに対して繰り返し遂行されて積層された構造をなした後、第3マスクパターンをマスクにして第3フォトダイオードを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサー製造方法。
- 前記マスクパターンはフォトレジストパターンであることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサー製造方法。
- 前記絶縁領域は、前記第1マスクパターンをマスクにして不純物を注入して形成することを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサー製造方法。
- 前記絶縁領域は、前記第1マスクパターンをマスクにしてホウ素を注入して形成することを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサー製造方法。
- 前記整列キーは、前記第1マスクパターンをマスクにして蝕刻によって形成することを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサー製造方法。
- 前記フォトダイオードは、第2マスクパターンをマスクにして不純物を注入して形成することを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサー製造方法。
- 前記フォトダイオードは、第2マスクパターンをマスクにしてヒ素を注入して形成することを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサー製造方法。
- 基板、エピタキシャル層、フォトダイオードを含むイメージセンサーの製造方法において、整列キー領域と、フォトダイオード間の絶縁領域とに対してそれぞれ開口が形成された一つのマスクパターンを利用して前記絶縁領域を先ず形成した後、前記整列キー領域を形成する段階と、前記絶縁領域を覆う他のマスクパターンを利用して不純物注入を行ってフォトダイオードを形成する段階と、を含むことを特徴とするイメージセンサー製造方法。
- 前記各段階を含むイメージセンサー製造方法は、それぞれお互いに違う色相で積層された構造のフォトダイオードに対してそれぞれ遂行されることを特徴とする請求項11に記載のイメージセンサー製造方法。
- 前記絶縁領域は、前記一つのマスクパターンをマスクにして不純物を注入して形成することを特徴とする請求項11に記載のイメージセンサー製造方法。
- 前記整列キー領域は、前記一つのマスクパターンをマスクにして蝕刻によって形成することを特徴とする請求項11に記載のイメージセンサー製造方法。
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